氫焰炬的製作方法
2023-09-20 09:44:45 1
專利名稱：氫焰炬的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件製造業中使用的氫焰炬，具體而言，涉及一種用來在矽基片表面形成二氧化矽層的氫焰炬。
背景技術：
在半導體器件製造工業中，經常必須使矽基片的表面氧化從而在表面形成二氧化矽層。通常的一種處理方法是將基片放置於加熱的無沾汙容器(稱為工藝管)內並將高純度的水蒸氣注入工藝管。純淨的水蒸氣與基片表面接觸和反應從而形成所需的二氧化矽層。
純淨的水蒸氣一般由安裝在工藝管內部或者外部的氫焰炬系統產生。
圖1和2表示帶有氫氣人口A和出口B以及氧氣人口C和出口D的已有技術整體式焰炬。該系統沿不同的氣路將氫氣和氧氣充人工藝管(或者外部燃燒室)，管內氣體在600℃以上的高溫下混合。高溫混合氣體產生了可燃燒，燃燒溫度最高可達1200℃從而形成水蒸氣。
有些普通的氫焰炬是複雜的整體式石英管。但是，氫氣輸送管出口處的溫度常常達到1200℃以上。這樣高的溫度再加上燃燒室內的蒸氣氣氛會引起一般石英輸送管的解體，一開始是釋放二氧化矽微粒(這會造成半導體製造工藝中的沾汙)而最終會使管體的尺寸發生變化、結構遭到破壞(從而影響了氫氣的正常輸送)。
已經研製出另外一類氫焰炬，它們能在以上極端環境下使用。特別是已經出現的商用碳化矽焰炬，它可以經受水蒸氣腐蝕性環境和高溫。但是與石英相比，碳化矽要加工成複雜的形狀更加困難，從而使造價更為昂貴。
因此，需要一種價格合理並且加工簡便而又能在極端環境下使用的氫焰炬。
發明內容
按照本發明，提供了一種將兩種反應流體混合起來的流體輸送系統，它包括內部流體輸送管和外部流體輸送管，其中；
a)外管由第一種材料構成，以及b)內管由第二種材料構成。
在較佳實施例中，第一種和第二種材料分別用熔融石英和碳化矽，並且兩者通過逆向球形接頭連接起來。
附圖的簡要說明圖1為一般用於整體式石英管的已有技術氫焰炬的樣式；圖2為另一種一般用於整體式石英管的已有技術氫焰炬的樣式；圖3表示本發明氫焰炬的一個實施例；圖4表示與工藝管相連的本發明的氫焰炬；圖5表示逆向球形接頭的一個實施例。
實施發明的較佳方式本發明的焰炬對系統中耐高溫性能要求較高的區域用耐熱材料(例如碳化矽)，而對加工要求較高的區域石英。因此，與整體式碳化矽焰炬相比，加工比較容易(因而也比較便宜)而與石英整體式焰炬相比更為耐用，從而克服兩者的缺點。
組成內管的第二種材料至少應能經受1200℃下含水蒸氣的環境而在性能上無明顯的退化。該材料應是氣密性的並且主要由浸漬矽的高純碳化矽、塗覆有CVD碳化矽的高純碳化矽或者整體式CVD碳化矽組成。比較好的碳化矽是CRYSTAR(TM)牌碳化矽，這可以從位於Worcester，MA的Norton公司購得。
也可以考慮用其它的耐熱陶瓷材料(例如氮化矽和氮氧化矽)做成整個內管或者作為內管塗層。在有些實施例中，內管由陶瓷基體材料和基體材料上的塗層組成，其中塗層與陶瓷基體材料相比，純度更高或者耐高溫性能更佳。
構成外管的第一種材料可以是任何易於成形的高純度石英，並且能夠經受至少600℃下含水蒸氣的環境而在性能上無明顯的下降。比較好的第一材料是玻璃。更好的是熔融石英。
在由圖3表示的一個較佳實施例中，焰炬包括一根碳化矽管1和兩根石英管2和3。利用雙面球形接頭4將這些管道連接在一起，該接頭將碳化矽管1固定在相對於石英管2和3的合適位置上並將流過系統的不同氣體隔絕開來。球形接頭4包括固定在兩個相對的內石英插座6和7(它們與碳化矽管2和3連為一體)之間的碳化矽球形部分5(與碳化矽管1連為一體)。第一石英管2帶有一個容納氧氣氣流經過的人口14，該石英管留出了足夠的空隙使碳化矽管1通過，而氧氣可以流過由第一石英管2的內徑和碳化矽管2的外徑限定的環形空間。在第一石英管2的相對一端是另一個可以與將要進行所需燃燒的工藝管(未畫出)連接起來的內插座。第二石英管3帶有一個容納氫氣氣流通過的人口12。在有些實施例中，還在焰炬內部安裝了熱電偶13。
現在參見圖4，碳化矽管1的長度能使其穿過第一石英管2並進人工藝管11，從而使得從碳化矽管1尖端9出來的氫氣位於工藝管11內合適的位置上。為了方便安裝，碳化矽管1的外徑和尖端9應能穿過第一石英管2。尖端9可以採用各種通用的結構來控制和引導出來的氫氣氣流。
由於引向球形接頭的石英管尺寸較小且氣體是在室溫下流經球形接頭4的兩側，所以球形接頭4上碳化矽球的溫度一般低於300℃。
在有些實施例中，碳化矽管1的外徑為13毫米，內徑為8毫米而長度為300毫米；石英管2和3的外徑為20毫米，內徑為15毫米而長度為50毫米；並且球形接頭4為28/15，即內徑公隙為15毫米而直徑為28毫米的球形。
本發明中的連接端(例如圖3中的部件5、6、7、8、12和14)可以設計成在半導體製造工業中普遍使用的連接樣式。例如接頭可以是球形的、插座型的、圓錐形或者法蘭型的，並且可以採用通常的方法製造。比較好的是球形接頭與標準的金屬夾固定在一起。雖然圖3和4中的SiC球和石英插座之間看上去有空隙，但應理解為，這些接頭是精確配合的，因而不會有流體流出接頭。如果需要，可以採用O形圈來加強球形接頭的密封。
圖3和4揭示了一種將不同材料的SiC管1和石英管2連接起來的新型裝置(稱為「逆向球形接頭」)。因此，按照本發明，還提供了一種用於多種流體輸送系統的逆向球形接頭。現在參見圖5，該逆向球形接頭包括a)第一部件50，它包括i)帶有第一埠53的第一管51，和ii)由第一埠53朝外開口的第一空心半球凸起52，以及b)第二部件54，它包括i)具有第一埠56的第二管55，
ii)由第二管55的第一埠56向外開口的第二空心半球凸起58，以及iii)與第二管55流通的第三管57，所述第二管55的直徑大於第一管52並基本上與其同心，第一管52裝配在第二管55內從而使第一凸起55的凸面與第二凸起58的凹面形成合適的密封配合。
與普通的球形接頭相反，本發明的逆向球形接頭在兩根管道之間限定出一適合於第二流體在其中流動而與內管中流體隔絕開來的環形空間。
任何普通的方法都適合於本發明的石英和碳化矽部件的加工。例如，美國專利No.3,951,587中揭示的石膏模型內雙峰碳化矽注漿法(「Alliegro工藝」)可以用來製造矽化碳化矽管。但是當所需的SiC管較小時(即直徑小於20毫米和/或壁厚小於3毫米)，實踐證明應採用新技術以確保加工質量。
特別的是，現在有一種適合於本發明的脫水澆注重結晶碳化矽陶瓷的方法，其壁厚在0.75-3毫米之間，在室溫下4點撓曲強度至少為250MPa，比較好的至少為290MPa。更好的是該陶瓷在1200℃下的4點撓曲強度至少為290MPa，而最好的情況是至少為375MPa。在一些較佳實施例中，這種新型陶瓷的製造工藝包括以下的步驟a)製作石膏模具b)在模具上塗覆澆注阻滯劑，c)在塗覆過的模具內填充呈雙峰粒度分布的碳化矽注漿，d)使模具內的注漿脫水以形成厚度在0.75-3毫米左右的澆注件。
就本發明的用途而言，「脫水澆注」SiC陶瓷包括通過脫水澆注、注漿成型或者壓力澆注方法製造的產品，這些產品的表面較為光滑並且具有各向同性的顆粒取向。因此，「脫水澆注」產品不包括沿擠壓表面帶有條紋並且顆粒具有選擇性取向的注模SiC陶瓷。同樣，「重結晶」SiC陶瓷基本上都為非游離碳並且不含碳質生坯與矽反應燒結後的SiC陶瓷，所以也就不含未反應的游離碳或矽。
當在注漿引入之前於石膏模具上塗覆一層藻酸銨塗層時，意外發現獲得了強度合適的薄壁注件。在本領域內，對於澆注所關心的主要問題是如何實現高密度澆注。典型的是採用雙峰注漿來實現高密度澆注(即理論密度為85％左右)，其中精細顆粒(典型的粒徑為2-3微米)填充在由粗糙顆粒(典型的粒徑為50微米左右)堆積形成的空隙內。但是，熟石膏模經常會呈現多孔狀(即含有直徑為2-3微米的孔隙)。因此，如果不拘泥於理論上的限制，據信多孔石膏的高密度將通過下列兩種方式對這種雙峰注漿產生不利的影響。首先，因注漿與多孔石膏之間的作用產生的毛細管張力將誘發過快的澆注速率(即在0.5分鐘內完成壁厚1毫米注件的澆注)。過快的澆注速率影響了雙模態注漿在澆注前鋒處的正確排列，因而在注件厚度方向上產生不均勻的微結構。其次，由於一開始較快的澆注速率，SiC精細顆粒被抽吸至注漿-石膏界面處，從而形成以精細粒度級為主的澆注表面。第二種現象據信是在現有注件技術中出現橘皮剝離的原因。
如果不拘泥於理論上的限制，據信當澆注阻滯劑塗覆在多孔密度較高的石膏模具表面時，可以降低有效孔隙率和滲透率，從而減慢了澆注速率，有利於產生排序度高的注件並提高了注件密度。它還阻滯了精細顆粒滲入模具，使其滯留在注件內，從而獲得光滑的成品，並且很容易與模具脫離。
澆注阻滯劑可以任何一種降低多孔石膏孔隙率的塗層。比較好的是氨水或藻酸鈉以及聚丙烯酸。更好的是藻酸銨。典型的是塗覆一層濃度在0.01與1.0w/o之間的水溶液，比較好的是在0.03w/o左右。
本發明的石膏模具可以是任何在澆注技術中使用的模具。比較好的是熟石膏並且通道(孔隙)的大小為2微米左右。比較好的是它具有60％的稠度。
本發明中涉及的注漿一般為雙峰分布，其中包含濃度介於45-55w/o之間而粒徑範圍為10-100微米的粗糙SiC顆粒(「粗糙粒度級」)和濃度介於45-55w/o之間而粒徑範圍為1-4微米的精細SiC顆粒(「精細粒度級」)。比較好的是精細粒度級的平均粒徑為2-3微米左右而粗糙粒度級的平均粒徑為60微米左右。
注漿的其它成份包括諸如散凝劑之類的普通添加劑(例如NaOH、NH3OH和Na2SiO3)；12-16w/o左右的水；以及0.25-1.0w/o左右的丙烯酸膠乳粘結劑固態物。
在一個特別好的實施例中，製備了由48w/o左右平均粒徑為60微米的F240尺度未燒結碳化矽和52w/o左右平均粒徑為2-3微米的未燒結碳化矽組成的碳化矽混合物。向該混合物加入足夠數量的散凝劑(NaOH)以達到優化的散凝作用。隨後加水以獲得500-750左右的粘滯度。還加入了約為0.25w/o的丙烯酸膠乳粘結劑固態物。這些成份在真空度為27-30英寸汞柱的球形研磨機中混合併輥壓至少17個小時。
與此同時，在稠度為70％的石膏模具上塗覆一層0.03％的藻銨酸溶液。模具被揭去底蓋並將海藻酸溶液灌入腔體。溶液隨著模具的吸收而不斷加入。當海藻酸溶液充滿模具3分鐘後，其蓋子被揭去並抽乾溶液。
被抽乾的模具在引入注漿之前可以在空氣中乾燥10分鐘。模具隨後再次被揭去底蓋並將注漿灌入腔體。澆注時間取決於所需的壁厚和注漿的粘度。如果所需的粘度為750cps而標稱壁厚為1.5毫米，則在去掉底蓋之前注漿可以在模具內保存4-6分鐘。
當注漿被從模具內抽乾之後，將少量去離子水注入腔體以確保抽乾的表面沒有疙瘩。澆注部分可以在模具內乾燥20-30分鐘。隨後拆開模具並利用脫模夾具移走焰炬。該夾具的形狀與澆注部件的外形相仿，從而可以使其在乾燥時形狀大小保持不變。
在製成生坯之前澆注部件可以在空氣中乾燥一個晚上或者在爐子內54℃下至少乾燥2小時。隨後從澆注部件上去除幹化的海藻酸表層並將澆注部件切割成一定的長度，這樣就完成了最終的成品。
現在將澆注部件進行燒結。開始步驟是在真空度為0.5torr的Ar氣氛下將加熱爐加熱至1950℃。初燒完畢根據部件的大小和用途可採取兩種不同的最終燒結步驟。第二次燒結步驟分別為將澆注部件浸入矽中以消除孔隙或採用CVD方法塗覆碳化矽。第二次燒結完畢部件被加工成最終的形狀。
按照本發明，可以獲得外徑在4-20毫米之間(比較好的是6毫米)而壁厚在0.75-3.0毫米之間(比較好的是1毫米)的碳化矽陶瓷。由於澆注的速度足夠得慢，所以有利於有序化澆注，從而避免出現粗糙的「橘皮剝離」型抽乾澆注表面並獲得了表面光滑的注件。
按照上述較佳實施例製造的未燒結注件的體密度至少為2.75g/cc左右而四點彎曲強度至少為7MPa左右。其孔隙大小介於0.1-4.0微米。其平均尺寸為0.4微米。與此相反，普通的未燒結澆注SiC體的平均孔隙大小為1.8微米。
對於按照本發明較佳實施例製造的矽化碳化矽產品的物理和機械特性進行了分析。在4點四分點卡具上進行了撓曲強度測試，其中上跨度為20毫米而下跨度為40毫米。尺寸為3毫米×4毫米×50毫米的撓曲試驗條在0.02英寸/分鐘的加載速率下彎曲。測得的室溫下撓曲強度為296MPa左右。與普通矽化碳化矽產品相比，其強度提高了38％。測得的1200℃下撓曲強度為375MPa，與普通矽化碳化矽產品相比，其強度提高了60％。此外還測量了壁厚的變化。測得的本發明壁厚為1毫米時的壁厚變化為0.2毫米/米，即在1米長度範圍內厚度從0.9毫米變化至1.1毫米(從頂端至底部)。與此相反，普通矽化碳化矽陶瓷的壁厚變化約為0.6毫米/米。
本發明的新型重結晶碳化矽陶瓷可以用於普通矽化碳化矽或者CVD塗層碳化矽的應用場合，包括美國專利No.3,951,587中所揭示的那些應用。
權利要求書按照條約第19條的修改1.一種氫焰炬，其特徵在於包括內部流體輸送管和外部流體輸送管、第三流體輸送管、帶有延伸出來的氫氣輸送氣路的氫氣源和帶有延伸出來的氧氣延伸氣路的氧氣源，其中a)外管由第一種材料構成並且具有與其中一條輸送氣路流體連通的人口，b)內管由第二種材料構成並且具有第一埠和第二埠，以及c)第三管與內管的第一埠流體連通並且具有與其餘的輸送線路流體連通的人口。
2.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於所述第三管為石英。
3.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於所述內管的第一埠為球形。
4.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於流體連通由逆向球形接頭實現。
5.如權利要求4所述的氫焰炬，其特徵在於所述外管具有第一和第二埠，所述外管的第一埠與所述內管的第一埠形成密封連接，所述外管的第二埠適於與工藝管形成液體連通。
6.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於外管由熔融石英構成。
7.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於內管由碳化矽組成。
8.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於內管基本上由碳化矽組成。
9.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於外管由熔融石英構成而內管由碳化矽構成。
10.如權利要求1所述的氫焰炬，其特徵在於所述內管為脫水澆注碳化矽陶瓷管，其外徑在4毫米-20毫米之間，壁厚在0.75毫米-3毫米之間，室溫下撓曲強度至少為250MPa，而壁厚變化小於0.2毫米/米。
11.一種逆向球形接頭，其特徵在於包括
a)第一部件，它包括i)帶有第一埠的第一管，和ii)由第一埠向外開口的第一空心半球凸起，以及b)第二部件，它包括i)具有第一埠的第二管，和ii)由第二管的第一埠56向外開口的第二空心半球凸起，所述第二管的直徑大於第一管並基本上與其同心，第一管裝配在第二管內從而使第一凸起的凸面與第二凸起的凹面形成合適的密封配合。
12.如權利要求11所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一和第二部件由不同的材料構成。
13.如權利要求11所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一部件由碳化矽構成。
14.如權利要求11所述的逆向球形接頭，其特徵在於第二部件由石英構成。
15.如權利要求13所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一基本上由矽化碳化矽組成。
16.如權利要求15所述的逆向球形接頭，其特徵在於第二部件基本上由石英組成。
17.如權利要求11所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一基本上由矽化碳化矽組成而第二部件基本上由石英組成組成。
18.一種脫水澆注碳化矽陶瓷管，其特徵在於外徑在4毫米-20毫米之間，壁厚在0.75毫米-3毫米之間，室溫下撓曲強度至少為250MPa，而壁厚變化小於0.2毫米/米。
19.如權利要求18所述的陶瓷管，其特徵在於其呈雙峰SiC顆粒分布，包括粒徑為2微米到3微米之間的精細粒度級和粒徑在60微米左右的粗糙粒度級。
20.如權利要求18所述的陶瓷管，其特徵在於碳化矽基本上由重結晶碳化矽組成。
21.一種未煅燒的碳化矽澆注體，其特徵在於其平均孔隙大小為0.4微米左右。
22.一種工藝，其特徵在於包括以下的步驟a)製作石膏模具b)在模具上塗覆澆注阻滯劑，c)在塗覆過的模具內填充呈雙峰粒度分布的碳化矽注漿，d)使模具內的注漿脫水以形成厚度在0.75-3毫米左右的澆注件。
23.如權利要求22所述的工藝，其特徵在於澆注阻滯劑選自藻銨酸或藻酸鈉和聚丙烯酸中的一種。
24.如權利要求22所述的工藝，其特徵在於澆注阻滯劑為藻酸銨。
權利要求
1.一種將兩種反應流體混合起來的流體輸送系統，其特徵在於包括內部流體輸送管和外部流體輸送管，其中a)外管由第一種材料構成，以及b)內管由第二種材料構成。
2.如權利要求1所述的系統，其特徵在於所述外管基本上由第一種材料組成。
3.如權利要求2所述的系統，其特徵在於第一種材料為陶瓷材料。
4.如權利要求2所述的系統，其特徵在於第一種材料為玻璃。
5.如權利要求2所述的系統，其特徵在於第一種材料為熔融石英。
6.如權利要求1所述的系統，其特徵在於內管由碳化矽構成。
7.如權利要求1所述的系統，其特徵在於內管基本上由碳化矽組成。
8.如權利要求1所述的系統，其特徵在於外管為熔融石英而內管包含碳化矽。
9.如權利要求1所述的系統，其特徵在於流體輸送系統為氫焰炬。
10.如權利要求6所述的系統，其特徵在於流體輸送系統為氫焰炬。
11.如權利要求8所述的系統，其特徵在於流體輸送系統為氫焰炬。
12.如權利要求11所述的氫焰炬，其特徵在於內管基本上由碳化矽組成。
13.如權利要求9所述的氫焰炬，其特徵在於內管基本上由矽浸漬高純碳化矽、高純氮化矽、整塊CVD碳化矽和CVD碳化矽塗層的高純碳化矽中的一種材料組成。
14.如權利要求9所述的氫焰炬，其特徵在於內管帶有第一和第二埠，並且進一步包括與內管第一埠流體連通的第三管。
15.如權利要求14所述的氫焰炬，其特徵在於所述第三管為石英管。
16.如權利要求14所述的氫焰炬，其特徵在於內管的第一埠帶有接頭，所述接頭可以是球形、插口、圓錐和法蘭中的一種。
17.如權利要求14所述的氫焰炬，其特徵在於採用逆向球形接頭實現流體連通。
18.如權利要求17所述的氫焰炬，其特徵在於外管帶有第一和第二埠，外管的第一埠與內管第一埠的密封連接，而外管的第二埠適於與工藝管構成流體連通。
19.如權利要求18所述的氫焰炬，其特徵在於外管帶有第一流體入口而第二石英管帶有第二流體入口。
20.如權利要求11所述的氫焰炬，其特徵在於內管由陶瓷基體材料和其上的塗層構成。
21.如權利要求20所述的氫焰炬，其特徵在於塗層選自氮化矽和碳化矽中的一種。
22.如權利要求20所述的氫焰炬，其特徵在於塗層選自氮化矽和氮氧化矽中的一種。
23.一種逆向球形接頭，其特徵在於包括a)第一部件，它包括i)帶有第一埠的第一管，和ii)由第一埠向外開口的第一空心半球凸起，以及b)第二部件，它包括i)具有第一埠的第二管，和ii)由第二管的第一埠56向外開口的第二空心半球凸起，所述第二管的直徑大於第一管並基本上與其同心，第一管裝配在第二管內從而使第一凸起的凸面與第二凸起的凹面形成合適的密封配合。
24.如權利要求23所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一和第二部件由不同的材料構成。
25.如權利要求23所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一部件由碳化矽構成。
26.如權利要求23所述的逆向球形接頭，其特徵在於第二部件由石英構成。
27.如權利要求25所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一基本上由矽化碳化矽組成。
28.如權利要求26所述的逆向球形接頭，其特徵在於第二部件基本上由石英組成。
29.如權利要求23所述的逆向球形接頭，其特徵在於第一基本上由矽化碳化矽組成而第二部件基本上由石英組成組成。
30.一種脫水澆注碳化矽陶瓷，其特徵在於其壁厚介於0.75毫米-3毫米之間而室溫下的撓曲強度至少為250Mpa左右。
31.如權利要求30所述的陶瓷，其特徵在於壁厚變化小於0.2毫米/米。
32.如權利要求31所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為4毫米-20毫米左右的管子。
33.如權利要求30所述的陶瓷，其特徵在於室溫下的撓曲強度至少為290MPa左右。
34.如權利要求30所述的陶瓷，其特徵在於包括CVD碳化矽塗層。
35.如權利要求30所述的陶瓷，其特徵在於浸漬在矽中。
36.如權利要求33所述的陶瓷，其特徵在於密度至少為3.02g/cc左右。
37.如權利要求33所述的陶瓷，其特徵在於呈雙峰SiC顆粒分布，包括粒度為2微米到3微米之間的精細粒度級和粒徑在60微米左右的粗糙粒度級。
38.如權利要求30所述的陶瓷，其特徵在於壁厚為1毫米左右。
39.如權利要求31所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為6毫米左右的管子。
40.一種重結晶碳化矽陶瓷，其特徵在於室溫下的撓曲強度至少為250Mpa左右。
41.如權利要求40所述的重結晶碳化矽陶瓷，其特徵在於室溫下的撓曲強度至少為290Mpa左右。
42.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於其壁厚介於0.75毫米-3毫米之間。
43.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於壁厚變化小於0.2毫米/米。
44.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為4毫米-20毫米左右的管子。
45.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於室溫下的撓曲強度至少為290MPa左右。
46.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於包括CVD碳化矽塗層。
47.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於浸漬在矽中。
48.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於密度至少為3.02g/cc左右。
49.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於呈雙峰SiC顆粒分布，包括粒度為2微米到3微米之間的精細粒度級和粒徑在60微米左右的粗糙粒度級。
50.如權利要求41所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為6毫米左右的管子。
51.一種重結晶碳化矽陶瓷，其特徵在於1200℃下的撓曲強度至少為300Mpa左右。
52.如權利要求51所述的重結晶碳化矽陶瓷，其特徵在於1200℃下的撓曲強度至少為375Mpa左右。
53.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於其壁厚介於0.75毫米-3毫米之間。
54.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於壁厚變化小於0.2毫米/米。
55.如權利要求54所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為4毫米-20毫米左右的管子。
56.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於室溫下的撓曲強度至少為250MPa左右。
57.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於包括CVD碳化矽塗層。
58.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於浸漬在矽中。
59.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於密度至少為3.02g/cc左右。
60.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於呈雙峰SiC顆粒分布，包括粒度為2微米到3微米之間的精細粒度級和粒徑在60微米左右的粗糙粒度級。
61.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為6毫米左右的管子。
62.如權利要求52所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為6毫米左右的管子。
63.一種脫水澆注碳化矽陶瓷，其特徵在於其壁厚變化為0.2毫米左右。
64.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於室溫下的撓曲強度至少為290MPa左右。
65.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為4毫米-20毫米左右的管子。
66.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於1200℃下的撓曲強度至少為375MPa左右。
67.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於包括CVD碳化矽塗層。
68.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於浸漬在矽中。
69.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於密度至少為3.02g/cc左右。
70.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於呈雙峰SiC顆粒分布包括粒度為2微米到3微米之間的精細粒度級和粒徑在60微米左右的粗糙粒度級。
71.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於壁厚為1毫米左右。
72.如權利要求63所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為6毫米左右的管子。
73.一種抽乾澆注碳化矽陶瓷，其特徵在於其壁厚介於0.75毫米-3毫米之間而1200℃下的撓曲強度至少為300Mpa左右。
74.如權利要求73所述的陶瓷，其特徵在於1200℃下的撓曲強度至少為375MPa左右
75.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於壁厚變化小於0.2毫米/米。
76.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為4毫米-20毫米左右的管子。
77.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於室溫下的撓曲強度至少為250MPa左右。
78.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於包括CVD碳化矽塗層。
79.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於浸漬在矽中。
80.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於密度至少為3.02g/cc左右。
81.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於呈雙峰SiC顆粒分布，包括粒徑為2微米到3微米之間的精細粒度級和粒徑在60微米左右的粗糙粒度級。
82.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於壁厚為1毫米左右。
83.如權利要求74所述的陶瓷，其特徵在於由其製成外徑為6毫米左右的管子。
84.一種未煅燒的碳化矽澆注體，其特徵在於其平均孔隙大小為0.4微米左右。
85.一種工藝，其特徵在於包括以下的步驟a)製作石膏模具b)在模具上塗覆澆注阻滯劑，c)在塗覆過的模具內填充呈雙峰粒度分布的碳化矽注漿，d)使模具內的注漿脫水以形成厚度在0.75-3毫米左右的澆注件。
86.如權利要求85所述的工藝，其特徵在於澆注阻滯劑選自藻銨酸或藻酸鈉和聚丙烯酸中的一種。
87.如權利要求85所述的工藝，其特徵在於澆注阻滯劑為藻酸銨。
全文摘要
一種將兩種反應流體混合起來的流體輸送系統，它包括內部流體輸送管和外部流體輸送管，其中a)外管由第一種材料構成，以及b)內管由第二種材料構成。
文檔編號C04B35/565GK1152262SQ95194020
公開日1997年6月18日 申請日期1995年7月13日 優先權日1994年7月18日
發明者B·D·福斯特, W·J·埃裡奧特, J·T·斐達 申請人:聖戈本/諾頓工業搪瓷有限公司