柔性顯示器及其製造方法與流程
2024-02-16 05:50:15
本申請要求於2015年8月4日提交至韓國知識產權局的第10-2015-0110236號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開通過引用以其整體併入本文。
技術領域
所描述的技術大體涉及柔性顯示器以及製造該柔性顯示器的方法。
背景技術：
由於對柔性顯示器的興趣增強，所以對柔性顯示器進行了大量的研究。為了製造柔性顯示器，使用由合成樹脂等形成的柔性襯底代替典型的玻璃襯底。在不使用具有充分剛性的基礎支承襯底的情況下，難以製造柔性襯底。柔性襯底被形成並且經歷多種處理步驟，以及最終與支承襯底分離。
通常，在製造柔性顯示器的方法中，周圍大氣的水分和氧氣滲透顯示單元，從而損傷材料，並且因此，柔性顯示器的可靠性比剛性顯示器低。
技術實現要素：
所描述的技術大體涉及柔性顯示器以及製造該柔性顯示器的方法，藉此可易於阻擋外部的氧氣和水分滲透柔性顯示器的顯示單元。
另一方面是柔性顯示器，柔性顯示器包括：柔性襯底，具有顯示區和圍繞顯示區的周邊區；薄膜電晶體層，位於柔性襯底上並且包括絕緣層和薄膜電晶體，其中，絕緣層包含有機材料以及在周邊區中具有圍繞顯示區的開口；像素電極，電連接至薄膜電晶體；以及第一金屬層，位於開口中並且覆蓋開口的內側面。
第一金屬層可具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀以及可穿透絕緣層。
第一金屬層可填充在開口中。
在柔性襯底與薄膜電晶體層之間還可插入有包含有機材料或無機材料的緩衝層，以及開口可使緩衝層的一部分暴露。
在第一金屬層上還可布置有第二金屬層。
第二金屬層可包括與像素電極相同的材料。
薄膜電晶體可包括半導體層、柵電極以及源電極和漏電極，其中，柵電極的一部分與半導體層重疊，源電極和漏電極通過接觸孔電連接至半導體層，以及在柔性襯底與第一金屬層之間還可插入有包括與半導體層相同的材料的第一材料層。
開口可使第一材料層的上表面的一部分暴露。
第一金屬層可包括與源電極和漏電極相同的材料。
絕緣層可介於半導體層與源電極和漏電極之間。
在第一金屬層與第二金屬層之間還可插入有第二材料層。
在薄膜電晶體與像素電極之間還可插入有通道層，以及第二材料層可包括與通道層相同的材料。
柔性顯示器還可包括在像素電極之上的薄膜封裝層，其中，薄膜封裝層位於柔性襯底的整個表面上以及在第一金屬層的上表面之上延伸，從而覆蓋第一金屬層。
另一方面是製造柔性顯示器的方法，該方法包括以下操作：製備柔性襯底，柔性襯底具有顯示區和圍繞顯示區的周邊區；形成薄膜電晶體層，形成薄膜電晶體層包括在柔性襯底上形成半導體層的過程、形成柵電極的過程、形成源電極和漏電極的過程以及形成包含有機材料的絕緣層的過程，其中，柵電極的一部分與半導體層重疊，源電極和漏電極通過接觸孔電連接至半導體層；形成電連接至薄膜電晶體的像素電極；在周邊區上形成開口，開口穿透絕緣層，使得開口圍繞柔性襯底的顯示區；以及在開口中形成第一金屬層，使得第一金屬層覆蓋開口的內側面。
形成第一金屬層可包括形成具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀的第一金屬層，使得第一金屬層可圍繞柔性襯底的顯示區。
本方法還可包括在形成薄膜電晶體層之前在柔性襯底上形成有機材料或無機材料的緩衝層，以及開口可形成為使緩衝層的一部分暴露或使包括與薄膜電晶體的半導體層相同的材料的第一材料層的上表面的一部分暴露。
本方法還可包括在第一金屬層上形成第二金屬層，其中，形成第二金屬層和形成像素電極同時執行。
本方法還可包括：在形成源電極和漏電極與形成像素電極之間形成通道層；以及在形成第一金屬層與形成第二金屬層之間形成第二材料層，以及形成通道層和形成第二材料層可同時執行。
形成開口與在形成薄膜電晶體時形成接觸孔可同時執行。
形成絕緣層可在形成半導體層與形成源電極和漏電極之間執行。
另一方面是柔性顯示器，包括：柔性襯底，包括顯示區和圍繞顯示區的周邊區；薄膜電晶體(TFT)層，布置在柔性襯底上並且包括絕緣層和TFT，其中，絕緣層由有機材料形成且在周邊區中具有圍繞顯示區的開口；像素電極，電連接至TFT；以及第一金屬層，形成在開口中並且覆蓋開口的內側面。
在上述柔性顯示器中，第一金屬層具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀，以及穿透絕緣層。
在上述柔性顯示器中，第一金屬層部分地填充在開口中。
上述柔性顯示器還包括由有機材料或無機材料形成的緩衝層，其中，緩衝層介於柔性襯底與TFT層之間，以及其中，緩衝層通過開口接觸第一金屬層。
上述柔性顯示器還包括布置在第一金屬層之上的第二金屬層。
在上述柔性顯示器中，第二金屬層由與像素電極相同的材料形成。
在上述柔性顯示器中，TFT包括半導體層、具有與半導體層重疊的部分的柵電極以及通過多個接觸孔電連接至半導體層的源電極和漏電極，其中，柔性顯示器還包括由與半導體層相同的材料形成的第一材料層，以及其中，第一材料層介於柔性襯底與第一金屬層之間。
在上述柔性顯示器中，第一材料層的上表面的一部分通過開口接觸第一金屬層。
在上述柔性顯示器中，第一金屬層由與源電極和漏電極的材料相同的材料形成。
在上述柔性顯示器中，絕緣層介於半導體層與源電極和漏電極之間。
上述柔性顯示器還包括介於第一金屬層與第二金屬層之間的第二材料層。
上述柔性顯示器還包括通道層，通道層介於TFT與像素電極之間，以及其中，第二材料層由與通道層相同的材料形成。
上述柔性顯示器還包括形成在像素電極之上的薄膜封裝層，其中，薄膜封裝層形成在柔性襯底的整個表面之上並且在第一金屬層的上表面之上延伸，從而覆蓋第一金屬層。
另一方面是製造柔性顯示器的方法，該方法包括：製備柔性襯底，柔性襯底具有顯示區和圍繞顯示區的周邊區；形成薄膜電晶體(TFT)層，包括：在柔性襯底之上形成半導體層；形成柵電極，柵電極具有與半導體層重疊的部分；形成源電極和漏電極，源電極和漏電極通過多個接觸孔電連接至半導體層；以及形成由有機材料形成的絕緣層。該方法還包括：形成電連接至TFT的像素電極；在周邊區中形成開口，開口穿透絕緣層，使得開口圍繞柔性襯底的顯示區；以及在開口中形成第一金屬層使得第一金屬層覆蓋開口的內側面。
在上述方法中，形成第一金屬層包括形成具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀的第一金屬層，使得第一金屬層圍繞柔性襯底的顯示區。
上述方法還包括：在形成TFT層之前在柔性襯底之上形成有機材料或無機材料的緩衝層，其中，緩衝層的一部分或第一材料層的上表面的一部分通過開口連接至第一金屬層，以及其中，第一材料層由與TFT的半導體層相同的材料形成。
上述方法還包括在第一金屬層之上形成第二金屬層，其中，形成第二金屬層和形成像素電極同時執行。
上述方法還包括：在形成源電極和漏電極與形成像素電極之間，形成通道層；以及在形成第一金屬層與形成第二金屬層之間，形成第二材料層，其中，形成通道層和形成第二材料層同時執行。
在上述方法中，形成開口與在形成薄膜電晶體時形成接觸孔同時執行。
在上述方法中，形成絕緣層在形成半導體層與形成源電極和漏電極之間執行。
附圖說明
圖1示出了根據示例性實施方式的柔性顯示器的平面圖。
圖2示出了沿線II-II作出的圖1的柔性顯示器的剖視圖。
圖3示出了根據另一示例性實施方式的柔性顯示器的剖視圖。
圖4示出了根據另一示例性實施方式的柔性顯示器的剖視圖。
圖5示出了根據另一示例性實施方式的柔性顯示器的剖視圖。
圖6、圖7和圖8是示出了根據示例性實施方式的與柔性顯示器有關的製造過程的剖視圖。
圖9是示出了根據示例性實施方式的製造柔性顯示器的過程的流程圖。
具體實施方式
因為所描述的技術顧及了多種改變和多個實施方式，所以具體實施方式將在附圖中示出並且在書面描述中詳細描述。現將參照附圖更充分地描述所描述的技術的效果和特徵，在附圖中示出了示例性實施方式。然而，所描述的技術可以以許多不同的形式實施而不應被解釋為限於本文中闡述的實施方式。
相同或相對應的部件用相同的附圖標記表示而與圖號無關，以及省略了冗餘的解釋。
在說明書全文中，當諸如「第一」、「第二」等措辭可用於描述各種部件時，這些部件不必限於以上措辭。以上措辭僅用於將一個部件與另一部件區分開。此外，除非存在與之相反的特定描述，否則單數形式可包括複數形式。
在說明書全文中，諸如「包括(comprise)」或「包括有(comprising)」的措辭用於說明在說明書中描述的特徵和/或部件的存在，不排除一個或多個其它特徵和/或一個或多個其它部件的存在。將理解的是，當層、區、部件等被稱為在另一層、另一區或另一部件「上」時，該層、區、部件等可直接在另一層、另一區或另一部件上或者也可存在中間層、中間區或中間部件。
在附圖中，為了清楚，層和區域的厚度被誇大。例如，為了便於描述，附圖中的元件的厚度和尺寸被任意地示出，因此，所描述的技術的精神和範圍不必須由附圖限定。
在下文中，在一個或多個示例性實施方式中，X軸、Y軸和Z軸可不限於直角坐標系上的三個軸，而可被解釋成包括三個軸的寬泛含義。例如，X軸、Y軸和Z軸可相互垂直或者可表示不相互垂直的不同方向。
此外，還應注意的是，在一些可替代的實現方式中，本文中所描述的所有方法的步驟可不按順序發生。例如，示出為連續的兩個步驟可實際上大致同時執行，或者這兩個步驟可有時以相反的順序執行。
如在本文中所使用的，措辭「和/或」包括相關的所列項目中的一個或多個的任何和全部組合。諸如「……中的至少一個」的表述當位於元件列表之後時，修飾元件的整個列表，而不修飾列表中的單個元件。在本公開中，措辭「大致」包括在一些應用下或根據本領域技術人員完全、幾乎完全或到任何顯著程度的意思。此外，「形成、布置或放置在…之上」也可以意為「形成、布置或放置在…上」。術語「連接」包括電連接。
圖1示出了根據示例性實施方式的柔性顯示器1的平面圖。圖2示出了沿線II-II作出的圖1的柔性顯示器1的剖視圖。
參照圖1和圖2，根據本示例性實施方式的柔性顯示器1包括柔性襯底100、薄膜電晶體層180、第一金屬層300和第二金屬層310。薄膜電晶體層180可布置在柔性襯底100上並且可包括薄膜電晶體TFT以及第一絕緣層130和第二絕緣層150。第一絕緣層130和第二絕緣層150中的每個可包含有機材料。柔性顯示器1還包括像素電極210。在第一絕緣層130和第二絕緣層150中的每個中可形成有開口300a。第一金屬層300和第二金屬層310可布置在柔性襯底100的周邊區PA上。
柔性襯底100可具有柔性特性並且可由包括金屬材料、塑性材料的多種材料形成，塑性材料諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺等。柔性襯底100可具有顯示區DA和圍繞顯示區DA的周邊區PA，其中，在顯示區DA中布置有多個像素。
參照圖1，像素PX布置在柔性襯底100的顯示區DA上。像素PX可具有紅色、綠色、藍色和白色中的一個，以及可組合來顯示圖像。
第一金屬層300可布置在柔性襯底100的周邊區PA上。如圖1中所示，第一金屬層300具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀，從而圍繞顯示區DA。第一金屬層300可包括金屬材料並且可形成為單層或多疊層。
雖然未在圖1中示出，但是向顯示區DA上的像素PX供應電信號的數據線(未示出)和掃描線(未示出)、以及分別驅動數據線和掃描線的數據驅動單元(未示出)和掃描驅動單元(未示出)可布置在周邊區PA上。向數據驅動單元和掃描驅動單元傳遞圖像和控制信號的焊盤單元(未示出)也可布置在周邊區PA中。
在本示例性實施方式中，布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第一金屬層300可設計成不幹擾形成數據驅動單元和掃描驅動單元以及焊盤單元的其它線。例如，第一金屬層300可形成在柔性襯底100的最外區，從而完全圍繞形成有數據驅動單元和掃描驅動單元以及焊盤單元的區。作為另一示例，當圍繞顯示區DA的第一金屬層300與包括在數據驅動單元和掃描驅動單元以及焊盤單元中的線部分地重疊時，為了防止第一金屬層300幹擾布置在周邊區PA上的各種類型的線，重疊的線可形成在不同的層上、可形成有溝槽式結構或者可通過使用多種方法中的一種形成。
參照圖2，薄膜電晶體層180可布置在柔性襯底100上。薄膜電晶體層180可包括薄膜電晶體TFT和多個絕緣層。電連接至薄膜電晶體TFT的像素電極210可布置在薄膜電晶體層180上。薄膜電晶體層180可包括在有機發光二極體(OLED)顯示器或液晶顯示器(LCD)中。在本示例性實施方式中，假設薄膜電晶體層180包括在OLED顯示器中。
薄膜電晶體TFT包括由非晶矽、多晶矽或有機半導體材料形成的半導體層120、柵電極140、源電極160s和漏電極160d。為了絕緣的目的，第一絕緣層130和第二絕緣層150可分別布置在半導體層120與柵電極140之間以及柵電極140與源電極160s和漏電極160d之間。在下文中，描述薄膜電晶體TFT的一般結構。
首先，緩衝層110可布置在柔性襯底100上，從而平坦化柔性襯底100的上表面或者防止外來雜質滲透到薄膜電晶體TFT的半導體層120中，以及半導體層120可布置在緩衝層110上。緩衝層110可形成為包括氧化矽或氮化矽的單層或多疊層。
柵電極140布置在半導體層120上，以及源電極160s和漏電極160d響應於施加至柵電極140的信號而電連接。考慮到與相鄰層的粘附、堆疊層的表面平坦化、可成形性等，柵電極140可形成為由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一個形成的單層或多疊層。
就此而言，第一絕緣層130可介於半導體層120與柵電極140之間。第一絕緣層130可以是布置為保證半導體層120與柵電極140之間的絕緣的柵絕緣層，以及可由絕緣材料形成。例如，為了改善柔性顯示器1的柔性，第一絕緣層130可包括諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料。
第二絕緣層150可布置在柵電極140上，以及可用作使柵電極140與源電極160s和漏電極160d絕緣的層間絕緣層。為了改善柔性顯示器1的柔性，第二絕緣層150可包括諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料。
源電極160s和漏電極160d布置在第二絕緣層150上。源電極160s和漏電極160d通過接觸孔160a電連接至半導體層120，接觸孔160a形成在第二絕緣層150和第一絕緣層130中。考慮到導電性，源電極160s和漏電極160d可形成為由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一個形成的單層或多疊層。
雖然未示出，但是保護層(未示出)可覆蓋薄膜電晶體TFT，從而保護具有上述結構的薄膜電晶體TFT。保護層可由諸如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽的無機材料形成。
通道層170可布置在柔性襯底100上。就此而言，通道層170可以是平坦化層或保護層。當在薄膜電晶體TFT上布置有OLED 200時，通道層170通常平坦化薄膜電晶體TFT的上表面，以及保護薄膜電晶體TFT和各種裝置。通道層170可包括丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)。
如圖2中所示，緩衝層110、第一絕緣層130、第二絕緣層150和通道層170布置在柔性襯底100的整個表面上。
像素限定層240可布置在薄膜電晶體TFT之上。像素限定層240可布置在通道層170上，以及可具有用於使像素電極210的中央部分暴露的開口。像素限定層240限定位於柔性襯底100上的像素區。
像素限定層240可形成為有機絕緣層。有機絕緣層可由諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯基聚合物、聚苯乙烯(PS)、包括苯酚基的聚合物衍生物、亞胺基聚合物、烯丙醚基聚合物、醯胺基聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯聚合物、乙烯醇基聚合物或它們的組合形成。
OLED 200可布置在像素限定層240上。OLED 200可包括像素電極210、包括發射層(EML)的中間層220以及相對電極230。
像素電極210可形成為透明電極或半透明電極或反射電極。當像素電極210形成為透明電極或半透明電極時，像素電極210可包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。當像素電極210形成為反射電極時，像素電極210可具有包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射層，以及可具有包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的層。然而，一個或多個示例性實施方式不限於此，以及因此像素電極210可由多種材料形成且可具有單層結構或多層結構。
中間層220可布置在由像素限定層240限定的像素區中。中間層220包括響應於電信號發光的EML，並且可具有這樣的結構，在該結構中，布置在EML與像素電極210之間的空穴注入層(HIL)和/或空穴傳輸層(HTL)以及布置在EML與相對電極230之間的電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)等單獨或多重地堆疊。就此而言，中間層220的結構不限於此以及因此可改變。
覆蓋包括EML的中間層220且面對像素電極210的相對電極230可布置在柔性襯底100的整個表面上。相對電極230可形成為透明電極或半透明電極或反射電極。
當相對電極230形成為透明電極或半透明電極時，相對電極230可具有包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其具有小的功函數的化合物的層，以及可具有包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明導電層或半透明導電層。當相對電極230形成為反射電極時，相對電極230可具有包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物的層。然而，相對電極230的結構和材料不限於此以及可改變。
參照圖1和圖2，開口300a可布置在柔性襯底100的周邊區PA上，以及第一金屬層300可布置在開口300a上。第一金屬層300可布置成覆蓋開口300a的內側面，以及如圖1中所示，第一金屬層300形成在開口300a中。因為第一金屬層300如圖1中所示圍繞顯示區DA，所以開口300a也可布置成圍繞顯示區DA。即，開口300a也可具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀，從而圍繞顯示區DA。
開口300a可穿透包括在薄膜電晶體層180中的第一絕緣層130和第二絕緣層150。緩衝層110的一部分可通過穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a暴露。就此而言，如上所述，緩衝層110可包括無機絕緣材料。
如上所述，第一絕緣層130和第二絕緣層150可包含有機絕緣材料，以及就此而言，當第一絕緣層130和第二絕緣層150包含有機絕緣材料時，柔性顯示器1的柔性被改善。然而，因為有機絕緣材料容易受到外部水分的滲透，所以柔性顯示器1也容易受到外部氧氣和水分的滲透。此外，因為第一絕緣層130和第二絕緣層150布置在柔性襯底100的整個表面上，所以第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面在周邊區PA的外側處向外暴露，使得氧氣和水分可通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的向外暴露的側表面流動到顯示區DA中。
因此，根據本示例性實施方式，穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a布置在周邊區PA上，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA。開口300a可阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。
第一金屬層300可布置在開口300a上。就此而言，為了將第一金屬層300布置在開口300a上，將第一金屬層300的一部分填充到開口300a中。即，開口300a填充有第一金屬層300，以及第一金屬層300可用作阻隔壁，該阻隔壁阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。如上所述，第一金屬層300的一部分填充到開口300a中，以及因此，第一金屬層300布置在開口300a上，但是第一金屬層300不電連接至任何裝置。
第一金屬層300可包括與薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d相同的材料。即，在製造過程期間，第一金屬層300以及薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d可通過相同的工藝形成。因此，第一金屬層300可包括金屬材料，以及例如，第一金屬層300可形成為包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一個的單層或多疊層。
第二金屬層310可進一步布置在第一金屬層300上。第二金屬層310可形成為覆蓋第一金屬層300，以及如第一金屬層300那樣，第二金屬層310也可圍繞顯示區DA。第二金屬層310可包括與像素電極210的材料相同的材料。例如，第二金屬層310可形成為包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一個的單層或多疊層。第二金屬層310可布置在第一金屬層300上，以及可防止可在第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
形成為像素限定層240的延伸的絕緣層340可在周邊區PA中布置在第二金屬層310上。當形成薄膜封裝層400時，絕緣層340可用作屏障，該屏障防止薄膜封裝層400向柔性襯底100的外端蔓延。絕緣層340可具有單層結構或多層結構，以及絕緣層340的形狀不限於圖2中所示的形狀而可改變。
薄膜封裝層400可布置在相對電極230上。雖然未示出，但是薄膜封裝層400可具有多層結構，在多層結構中，堆疊有至少一個無機層和至少一個有機層。例如，有機層由丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、環氧基樹脂、尿烷基樹脂、纖維素基樹脂和二萘嵌苯基樹脂中的至少一個形成。無機層可包括氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰和氮氧化矽(SiON)中的至少一個。
當薄膜封裝層400覆蓋OLED 200時，薄膜封裝層400可形成在柔性襯底100的整個表面上，以及可延伸至柔性襯底100的周邊區PA。在本示例性實施方式中，薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸，從而覆蓋第一金屬層300。通過這種方式，可完全阻擋可在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
根據本示例性實施方式，柔性顯示器1包括開口300a和第一金屬層300，第一金屬層300填充在開口300a中，以及因此布置在開口300a上，其中，開口300a布置在周邊區PA中並且穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA，使得可在柔性顯示器1中阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。因為薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300，所以薄膜封裝層400可阻擋在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分的滲透。因此，由於柔性顯示器1的上述結構，所以可完全阻擋在形成為有機絕緣層的第一絕緣層130和第二絕緣層150的上表面和側表面上流動的氧氣和水分。
圖3示出了根據另一示例性實施方式的柔性顯示器2的剖視圖。圖3中示出的柔性顯示器2的平面圖等同於圖1的平面圖。參照圖3，柔性顯示器2的薄膜電晶體TFT和OLED 200與柔性顯示器1的薄膜電晶體TFT和OLED 200相同，以及因此，以上對其提供的描述應用於此。
參照圖1和圖3，根據本示例性實施方式的柔性顯示器2包括：柔性襯底100；薄膜電晶體層180，薄膜電晶體層180布置在柔性襯底100上並且包括薄膜電晶體TFT和緩衝層110以及包含有機材料的第一絕緣層130和第二絕緣層150；像素電極210；以及布置在柔性襯底100的周邊區PA上的開口300a、第一金屬層300和第二金屬層310。
薄膜電晶體層180可布置在柔性襯底100上。薄膜電晶體層180可包括薄膜電晶體TFT和多個絕緣層。電連接至薄膜電晶體TFT的像素電極210可布置在薄膜電晶體層180上。薄膜電晶體層180可包括在OLED顯示器或LCD中。在本示例性實施方式中，假設薄膜電晶體層180包括在OLED顯示器中。
薄膜電晶體TFT包括半導體層120、柵電極140、源電極160s和漏電極160d，其中，半導體層120包括非晶矽、多晶矽或有機半導體材料。
首先，緩衝層110可布置在柔性襯底100上從而平坦化柔性襯底100的上表面或者防止外來雜質滲透到薄膜電晶體TFT的半導體層120中，以及半導體層120可布置在緩衝層110上。在根據本示例性實施方式的柔性顯示器2中，為了改善柔性顯示器2的柔性，緩衝層110可形成為包括諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料的單層或多疊層。
柵電極140布置在半導體層120上，以及源電極160s和漏電極160d響應於施加至柵電極140的信號而電連接。
就此而言，第一絕緣層130可介於半導體層120與柵電極140之間。第一絕緣層130可以是布置成保證半導體層120與柵電極140之間絕緣的柵絕緣層，以及可包括絕緣材料。例如，為了改善柔性顯示器2的柔性，第一絕緣層130可由諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料形成。
第二絕緣層150可布置在柵電極140上，以及可用作使柵電極140與源電極160s和漏電極160d絕緣的層間絕緣層。為了改善柔性顯示器2的柔性，第二絕緣層150可由諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料形成。
源電極160s和漏電極160d布置在第二絕緣層150上。源電極160s和漏電極160d通過形成在第二絕緣層150和第一絕緣層130中的接觸孔160a電連接至半導體層120。
通道層170可布置在柔性襯底100上。就此而言，通道層170可以是平坦化層或保護層。當OLED 200布置在薄膜電晶體TFT上時，通道層170通常平坦化薄膜電晶體TFT的上表面，以及保護薄膜電晶體TFT和各種裝置。通道層170可包括丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)。
如圖3中所示，緩衝層110、第一絕緣層130、第二絕緣層150和通道層170布置在柔性襯底100的整個表面上。
像素限定層240可布置在薄膜電晶體TFT之上。像素限定層240可布置在通道層170上，以及可具有用於使像素電極210的中心部分暴露的開口。像素限定層240限定位於柔性襯底100上的像素區。像素限定層240可形成為有機絕緣層。
OLED 200可布置在像素限定層240上。OLED 200可包括像素電極210、包括EML的中間層220以及相對電極230。
參照圖3，開口300a布置在柔性襯底100的周邊區PA上，以及第一金屬層300布置在開口300a上。第一金屬層300可布置成覆蓋開口300a的內側面，以及如圖3中所示，第一金屬層300形成在開口300a中。因為第一金屬層300如圖1中所示圍繞顯示區DA，所以開口300a也可布置成圍繞顯示區DA。即，開口300a也可具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀，從而圍繞顯示區DA。
開口300a可穿透包括在薄膜電晶體層180中的緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150。柔性襯底100的一部分可通過穿透緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a暴露。
如上所述，緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150可包含有機絕緣材料，以及就此而言，當緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150包含有機絕緣材料時，柔性顯示器2的柔性被改善。然而，因為有機絕緣材料容易受到外部水分的滲透，所以柔性顯示器2也容易受到外部氧氣和水分的滲透。此外，因為緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150布置在柔性襯底100的整個表面上，所以緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面在周邊區PA的外側處向外暴露，使得氧氣和水分可通過緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150的向外暴露的側表面流動到顯示區DA中。
因此，根據本示例性實施方式，穿透緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a布置在周邊區PA上，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA。開口300a可阻擋通過緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。
第一金屬層300可布置在開口300a上。就此而言，為了將第一金屬層300布置在開口300a上，將第一金屬層300的一部分填充在開口300a中。即，開口300a填充有第一金屬層300，以及第一金屬層300可用作阻隔壁，該阻隔壁阻擋通過緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。如上所述，第一金屬層300的一部分填充到開口300a中，以及因此第一金屬層300布置在開口300a上，但是第一金屬層300不電連接至任何裝置。
第一金屬層300可由與薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d相同的材料形成。即，在製造過程期間，第一金屬層300以及薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d可通過相同的工藝形成。因此，第一金屬層300可包括金屬材料，以及例如，第一金屬層300可形成為包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一個的單層或多疊層。
第二金屬層310可進一步布置在第一金屬層300上。第二金屬層310可形成為覆蓋第一金屬層300，以及如第一金屬層300一樣，第二金屬層310也可圍繞顯示區DA。第二金屬層310可包括與像素電極210相同的材料。例如，第二金屬層310可形成為包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一個的單層或多疊層。第二金屬層310可布置在第一金屬層300上，以及可防止可在第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
形成為像素限定層240的延伸的絕緣層340可在周邊區PA中布置在第二金屬層310上。當形成薄膜封裝層400時，絕緣層340可用作屏障，該屏障防止薄膜封裝層400向柔性襯底100的外端蔓延。絕緣層340可具有單層結構或多層結構，以及絕緣層340的形狀不限於圖3中所示的形狀而可改變。
薄膜封裝層400可布置在相對電極230上。雖然未示出，但是薄膜封裝層400可具有多層結構，在該多層結構中，堆疊有至少一個無機層和至少一個有機層。當薄膜封裝層400覆蓋OLED 200時，薄膜封裝層400可形成在柔性襯底100的整個表面上，以及可延伸至柔性襯底100的周邊區PA。在本示例性實施方式中，薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300。通過這種方式，可完全阻擋可在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
根據本示例性實施方式，柔性顯示器2包括開口300a和第一金屬層300，第一金屬層300填充在開口300a中，以及因此布置在開口300a上，其中，開口300a布置在周邊區PA中並且穿透緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA，使得可在柔性顯示器2中阻擋通過緩衝層110以及第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。因為薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300，所以薄膜封裝層400可阻擋在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分的滲透。因此，由於柔性顯示器2的上述結構，所以可完全阻擋在形成為有機絕緣層的第一絕緣層130和第二絕緣層150的上表面和側表面上流動的氧氣和水分。
圖4示出了根據另一示例性實施方式的柔性顯示器3的剖視圖。圖4中示出的柔性顯示器3的平面圖等同於圖1的平面圖。參照圖4，柔性顯示器3的薄膜電晶體TFT和OLED 200與柔性顯示器1的薄膜電晶體TFT和OLED 200相同，以及因此，以上對其提供的描述應用於此。
參照圖1和圖4，根據本示例性實施方式的柔性顯示器3包括：柔性襯底100；薄膜電晶體層180，薄膜電晶體層180布置在柔性襯底100上並且包括薄膜電晶體TFT以及包含有機材料的第一絕緣層130和第二絕緣層150；像素電極210；布置在柔性襯底100的周邊區PA上的開口300a、第一金屬層300和第二金屬層310；以及第一材料層320，第一材料層320的上表面由於開口300a而部分地暴露。
薄膜電晶體層180可布置在柔性襯底100上。薄膜電晶體層180可包括薄膜電晶體TFT和多個絕緣層。電連接至薄膜電晶體TFT的像素電極210可布置在薄膜電晶體層180上。薄膜電晶體層180可包括在OLED顯示器或LCD中。在本示例性實施方式中，假設薄膜電晶體層180包括在OLED顯示器中。
薄膜電晶體TFT包括半導體層120、柵電極140、源電極160s和漏電極160d，其中，半導體層120包括非晶矽、多晶矽或有機半導體材料。為了絕緣的目的，第一絕緣層130和第二絕緣層150可布置在半導體層120與柵電極140、源電極160s和漏電極160d之間。
首先，緩衝層110可布置在柔性襯底100上從而平坦化柔性襯底100的上表面或者防止外來雜質滲透到薄膜電晶體TFT的半導體層120中，以及半導體層120可布置在緩衝層110上。緩衝層110可包括諸如氧化矽或氮化矽的無機絕緣材料並且可形成為單層或多疊層。
柵電極140布置在半導體層120上，以及源電極160s和漏電極160d響應於施加至柵電極140的信號而電連接。
就此而言，第一絕緣層130可介於半導體層120與柵電極140之間。第一絕緣層130可以是布置成保證半導體層120與柵電極140之間絕緣的柵絕緣層，以及可包括絕緣材料。例如，為了改善柔性顯示器3的柔性，第一絕緣層130可由諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料形成。
第二絕緣層150可布置在柵電極140上，以及可用作使柵電極140與源電極160s和漏電極160d絕緣的層間絕緣層。為了改善柔性顯示器3的柔性，第二絕緣層150可包括諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料。
源電極160s和漏電極160d布置在第二絕緣層150上。源電極160s和漏電極160d通過形成在第二絕緣層150和第一絕緣層130中的接觸孔160a電連接至半導體層120。
通道層170可布置在柔性襯底100上。就此而言，通道層170可以是平坦化層或保護層。當OLED 200布置在薄膜電晶體TFT上時，通道層170通常平坦化薄膜電晶體TFT的上表面，以及保護薄膜電晶體TFT和各種裝置。通道層170可包括丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)。
如圖4中所示，緩衝層110、第一絕緣層130、第二絕緣層150和通道層170可布置在柔性襯底100的整個表面上。
像素限定層240可布置在薄膜電晶體TFT之上。像素限定層240可布置在通道層170上，以及可具有用於使像素電極210的中心部分暴露的開口。像素限定層240限定位於柔性襯底100上的像素區。像素限定層240可形成為有機絕緣層。
OLED 200可布置在像素限定層240上。OLED 200可包括像素電極210、包括EML的中間層220以及相對電極230。
參照圖4，開口300a布置在柔性襯底100的周邊區PA上，以及第一金屬層300可布置在開口300a上。第一金屬層300可覆蓋開口300a的內側面，以及如圖4中所示，第一金屬層300形成在開口300a中。因為第一金屬層300如圖1中所示圍繞顯示區DA，所以開口300a也可布置成圍繞顯示區DA。即，開口300a也可具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀，從而圍繞顯示區DA。
第一材料層320可布置在緩衝層110的布置有開口300a的部分上。第一材料層320也可沿著開口300a的布置圍繞顯示區DA。第一材料層320可包括與薄膜電晶體TFT的半導體層120相同的材料。
開口300a可穿透包含有機絕緣材料的第一絕緣層130和第二絕緣層150。第一材料層320的一部分可通過穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a暴露。
如上所述，第一絕緣層130和第二絕緣層150可包含有機絕緣材料，以及就此而言，當第一絕緣層130和第二絕緣層150包含有機絕緣材料時，柔性顯示器3的柔性被改善。然而，因為有機絕緣材料容易受到外部水分的滲透，所以柔性顯示器3也容易受到外部氧氣和水分的滲透。此外，因為第一絕緣層130和第二絕緣層150布置在柔性襯底100的整個表面上，所以第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面在周邊區PA的外側處向外暴露，使得氧氣和水分可通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的向外暴露的側表面流動到顯示區DA中。
因此，根據本示例性實施方式，穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a布置在周邊區PA上，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA。開口300a可阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。
第一金屬層300可布置在開口300a上。就此而言，為了將第一金屬層300布置在開口300a上，將第一金屬層300的一部分填充在開口300a中。即，開口300a填充有第一金屬層300，以及第一金屬層300可用作阻隔壁，該阻隔壁阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。
如上所述，第一金屬層300的一部分填充到開口300a中，以及因此第一金屬層300布置在開口300a上，但是第一金屬層300不電連接至任何裝置。雖然第一金屬層300通過開口300a接觸第一材料層320，但是這不使第一金屬層300與第一材料層320電連接。這裡，第一材料層320還形成圍繞顯示區DA的突起，以及第一金屬層300通過開口300a接觸形成突起的第一材料層320，使得可有效防止穿過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面的水分滲透。
第一金屬層300可包括與薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d相同的材料。即，在製造過程期間，第一金屬層300以及薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d可通過相同的工藝形成。
第二金屬層310可進一步布置在第一金屬層300上。第二金屬層310可形成為覆蓋第一金屬層300，以及如第一金屬層300一樣，第二金屬層310也可圍繞顯示區DA。第二金屬層310可由與像素電極210相同的材料形成並且可形成為單層或多疊層。第二金屬層310可布置在第一金屬層300上，以及可防止可在第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
形成為像素限定層240的延伸的絕緣層340可在周邊區PA中布置在第二金屬層310上。當形成薄膜封裝層400時，絕緣層340可用作屏障，該屏障防止薄膜封裝層400向柔性襯底100的外端蔓延。絕緣層340可具有單層結構或多層結構，以及絕緣層340的形狀不限於圖4中所示的形狀而可改變。
薄膜封裝層400可布置在相對電極230上。雖然未示出，但是薄膜封裝層400可具有多層結構，在該多層結構中，堆疊有至少一個無機層和至少一個有機層。當薄膜封裝層400覆蓋OLED 200時，薄膜封裝層400可形成在柔性襯底100的整個表面上，以及可延伸至柔性襯底100的周邊區PA。在本示例性實施方式中，薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300。通過這種方式，可完全阻擋可在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
根據本示例性實施方式，柔性顯示器3包括開口300a和第一金屬層300，第一金屬層300填充在開口300a中，以及因此布置在開口300a上，其中，開口300a布置在周邊區PA中並且穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA，使得在柔性顯示器3中可阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。因為薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300，所以薄膜封裝層400可阻擋在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第一絕緣層130和第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分的穿透。因此，由於柔性顯示器3的上述結構，所以可完全阻擋在形成為有機絕緣層的第一絕緣層130和第二絕緣層150的上表面和側表面上流動的氧氣和水分。
圖5示出了根據另一示例性實施方式的柔性顯示器4的剖視圖。圖5中示出的柔性顯示器4的平面圖等同於圖1的平面圖。參照圖5，柔性顯示器4的薄膜電晶體TFT和OLED 200與柔性顯示器1的薄膜電晶體TFT和OLED 200相同，以及因此，以上對其提供的描述應用於此。
參照圖1和圖5，根據本示例性實施方式的柔性顯示器4包括：柔性襯底100；薄膜電晶體層180，薄膜電晶體層180布置在柔性襯底100上並且包括薄膜電晶體TFT以及包含有機材料的第一絕緣層130和第二絕緣層150；像素電極210；布置在柔性襯底100的周邊區PA上的開口300a、第一金屬層300和第二金屬層310；第一材料層320；以及介於第一金屬層300與第二金屬層310之間的第二材料層330。
薄膜電晶體層180可布置在柔性襯底100上。薄膜電晶體層180可包括薄膜電晶體TFT和多個絕緣層。電連接至薄膜電晶體TFT的像素電極210可布置在薄膜電晶體層180上。薄膜電晶體層180可包括在OLED顯示器或LCD中。在本示例性實施方式中，假設薄膜電晶體層180包括在OLED顯示器中。
薄膜電晶體TFT包括半導體層120、柵電極140、源電極160s和漏電極160d，其中，半導體層120包括非晶矽、多晶矽或有機半導體材料。為了絕緣，第一絕緣層130和第二絕緣層150可布置在半導體層120與柵電極140、源電極160s和漏電極160d之間。
首先，緩衝層110可布置在柔性襯底100上從而平坦化柔性襯底100的上表面或者防止外來雜質滲透到薄膜電晶體TFT的半導體層120中，以及半導體層120可布置在緩衝層110上。緩衝層110可包括諸如氧化矽或氮化矽的無機絕緣材料並且可形成為單層或多疊層。
柵電極140布置在半導體層120上，以及源電極160s和漏電極160d響應於施加至柵電極140的信號而電連接。
就此而言，第一絕緣層130可介於半導體層120與柵電極140之間。第一絕緣層130可以是布置成保證半導體層120與柵電極140之間絕緣的柵絕緣層，以及可包括絕緣材料。例如，為了提高柔性顯示器4的柔性，第一絕緣層130可由諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料形成。
第二絕緣層150可布置在柵電極140上，以及可用作使柵電極140與源電極160s和漏電極160d絕緣的層間絕緣層。為了改善柔性顯示器4的柔性，第二絕緣層150可由諸如丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)的有機絕緣材料形成。
源電極160s和漏電極160d布置在第二絕緣層150上。源電極160s和漏電極160d通過形成在第二絕緣層150和第一絕緣層130中的接觸孔160a電連接至半導體層120。
通道層170可布置在柔性襯底100上。就此而言，通道層170可以是平坦化層或保護層。當OLED 200布置在薄膜電晶體TFT上時，通道層170通常平坦化薄膜電晶體TFT的上表面，以及保護薄膜電晶體TFT和各種裝置。通道層170可包括丙烯基有機材料或苯並環丁烯(BCB)。
如圖5中所示，緩衝層110、第一絕緣層130、第二絕緣層150和通道層170可布置在柔性襯底100的整個表面上。
像素限定層240可布置在薄膜電晶體TFT之上。像素限定層240可布置在通道層170上，以及可具有用於使像素電極210的中心部分暴露的開口。像素限定層240限定位於柔性襯底100上的像素區。像素限定層240可形成為有機絕緣層。
OLED 200可布置在像素限定層240上。OLED 200可包括像素電極210、包括EML的中間層220以及相對電極230。
參照圖5，開口300a布置在柔性襯底100的周邊區PA上，以及第一金屬層300可布置在開口300a上。第一金屬層300可布置成覆蓋開口300a的內側面。因為第一金屬層300如圖1中所示圍繞顯示區DA，所以開口300a也可布置成圍繞顯示區DA。即，開口300a也可具有閉合的多邊形形狀或閉合的曲線形狀，從而圍繞顯示區DA。
第一材料層320可布置在緩衝層110的布置有開口300a的部分上。第一材料層320也可沿著開口300a的布置圍繞顯示區DA。第一材料層320可包括與薄膜電晶體TFT的半導體層120相同的材料。
開口300a可穿透包含有機絕緣材料的第一絕緣層130和第二絕緣層150。第一材料層320的一部分可通過穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a暴露。
如上所述，第一絕緣層130和第二絕緣層150可包含有機絕緣材料，以及就此而言，當第一絕緣層130和第二絕緣層150包含有機絕緣材料時，柔性顯示器4的柔性被改善。然而，因為有機絕緣材料容易受到外部水分的滲透，所以柔性顯示器4也容易受到外部氧氣和水分的滲透。此外，因為第一絕緣層130和第二絕緣層150布置在柔性襯底100的整個表面上，所以第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面在周邊區PA的外側處向外暴露，使得氧氣和水分可通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的向外暴露的側表面流動到顯示區DA中。
因此，根據本示例性實施方式，穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a布置在周邊區PA上，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA。開口300a可阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。
第一金屬層300可布置在開口300a上，以及就此而言，當第一金屬層300布置在開口300a上時，第一金屬層300可覆蓋開口300a的內側面。即，在根據本示例性實施方式的柔性顯示器4中，開口300a具有預設寬度，第一金屬層300布置在開口300a上從而覆蓋開口300a的內側面，以及第一金屬層300可用作阻隔壁，該阻隔壁阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。
如上所述，第一金屬層300的一部分沿著開口300a的內側面布置，但是第一金屬層300不電連接至任何裝置。雖然第一金屬層300通過開口300a接觸第一材料層320，但是這不使第一金屬層300與第一材料層320電連接。這裡，第一材料層320還形成圍繞顯示區DA的突起，以及第一金屬層300通過開口300a接觸形成突起的第一材料層320，使得可有效防止穿過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面的水分滲透。
第一金屬層300可包括與薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d相同的材料。即，在製造過程期間，第一金屬層300以及薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d可通過相同的工藝形成。
在根據本示例性實施方式的柔性顯示器4中，第二材料層330可布置在第一金屬層300上。第二材料層330可通過填充成部分地覆蓋沿著開口300a的內側面布置的第一金屬層300而形成。第二材料層330可由與通道層170相同的材料形成，以及根據通道層170的材料，第二材料層330可包含有機材料或無機材料。就此而言，第二材料層330可僅布置在第一金屬層300上，而不會超出布置有第一金屬層300的區。
第二金屬層310可進一步布置在第二材料層330上。第二金屬層310可布置成覆蓋第一金屬層300和第二材料層330，以及如第一金屬層300一樣，第二金屬層310也可圍繞顯示區DA。第二金屬層310可包括與像素電極210相同的材料並且可形成為單層或多疊層。第二金屬層310可形成為覆蓋第一金屬層300，使得第二金屬層310可防止可在第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
形成為像素限定層240的延伸的絕緣層340可在周邊區PA中布置在第二金屬層310上。當形成薄膜封裝層400時，絕緣層340可用作屏障，該屏障防止薄膜封裝層400向柔性襯底100的外端蔓延。絕緣層340可具有單層結構或多層結構，以及絕緣層340的形狀不限於圖5中所示的形狀而可改變。
薄膜封裝層400可布置在相對電極230上。雖然未示出，但是薄膜封裝層400可具有多層結構，在該多層結構中，堆疊有至少一個無機層和至少一個有機層。當薄膜封裝層400覆蓋OLED 200時，薄膜封裝層400可形成在柔性襯底100的整個表面上，以及可延伸至柔性襯底100的周邊區PA。在本示例性實施方式中，薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300。通過這種方式，可完全阻擋可在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
根據本示例性實施方式，柔性顯示器4包括開口300a和第一金屬層300，第一金屬層300填充在開口300a中，以及因此布置在開口300a上，其中，開口300a布置在周邊區PA中並且穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA，使得可在柔性顯示器4中阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。因為薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300，所以薄膜封裝層400可阻擋在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分的穿透。因此，由於柔性顯示器4的上述結構，所以可完全阻擋在形成為有機絕緣層的第一絕緣層130和第二絕緣層150的上表面和側表面上流動的氧氣和水分。
在上文中描述了柔性顯示器，但是一個或多個示例性實施方式不限於此。例如，執行為製造柔性顯示器中的一個的柔性顯示器方法也可屬於一個或多個示例性實施方式的範圍。
圖6至圖8是示出了根據示例性實施方式的與柔性顯示器1有關的製造過程的剖視圖。
參照圖6，製備了具有顯示區DA和圍繞顯示區DA的周邊區PA的柔性襯底100。
柔性襯底100可包括具有柔性特性的多種材料。緩衝層110可布置在柔性襯底100上，從而平坦化柔性襯底100的上表面或者防止外來雜質滲透到薄膜電晶體TFT的半導體層120中。緩衝層110可形成為包括氧化矽或氮化矽的單層或多疊層。
形成薄膜電晶體TFT的半導體層120可形成在柔性襯底100的顯示區DA上。在半導體層120形成之後，第一絕緣層130可形成在半導體層120上。第一絕緣層130可使半導體層120與柵電極140電絕緣。第一絕緣層130可形成在柔性襯底100的整個表面上，以及可包含有機絕緣材料。
與半導體層120部分地重疊的柵電極140可形成在半導體層120上。在柵電極140形成之後，第二絕緣層150可形成在柵電極140上。如第一絕緣層130一樣，第二絕緣層150可形成在柔性襯底100的整個表面上，以及可包含有機絕緣材料。
然後，可形成穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150以使半導體層120的一部分暴露的接觸孔160a。同時，穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a可形成在柔性襯底100的周邊區PA中。通過開口300a，緩衝層110的一部分可向外暴露。
如上所述，第一絕緣層130和第二絕緣層150可由有機絕緣材料形成，以及當第一絕緣層130和第二絕緣層150由有機絕緣材料形成時，柔性顯示器1的柔性被改善。然而，因為有機絕緣材料容易受到外部水分的滲透，所以柔性顯示器1也容易受到外部氧氣和水分的滲透。此外，因為第一絕緣層130和第二絕緣層150布置在柔性襯底100的整個表面上，所以第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面在周邊區PA的外側處向外暴露，使得氧氣和水分可通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的向外暴露的側表面流動到顯示區DA中。
因此，根據本示例性實施方式，穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150的開口300a布置在周邊區PA上，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA。開口300a可阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。
參照圖7，可形成薄膜電晶體TFT的源電極160s和漏電極160d。源電極160s和漏電極160d可通過接觸孔160a電連接至半導體層120。
如上所述，當形成源電極160s和漏電極160d時，第一金屬層300可同時形成在周邊區PA的開口300a中。因此，第一金屬層300可包括與源電極160s和漏電極160d相同的材料。當第一金屬層300布置在開口300a上時，第一金屬層300形成為使得第一金屬層300的一部分形成在開口300a中。即，第一金屬層300形成在開口300a中，以及形成在開口300a中的第一金屬層300圍繞顯示區DA，以及因此可用作阻隔壁，該阻隔壁阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。如上所述，第一金屬層300的一部分形成在開口300a中，以及因此第一金屬層300布置在開口300a上，但是第一金屬層300不電連接至任何裝置。
然後，參照圖8，通道層170可形成在薄膜電晶體TFT上，以及電連接至薄膜電晶體層180的像素電極210可形成在通道層170上。
當形成像素電極210時，第二金屬層310可同時形成在周邊區PA的第一金屬層300上。如第一金屬層300一樣，第二金屬層310可圍繞顯示區DA。第二金屬層310可形成為包括與像素電極210相同的材料。第二金屬層310可布置在第一金屬層300上，以及可防止可在第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分滲透到第一金屬層300中。
形成為像素限定層240的延伸的絕緣層340可在周邊區PA中布置在第二金屬層310上。當形成薄膜封裝層400時，絕緣層340可用作屏障，該屏障防止薄膜封裝層400向柔性襯底100的外端蔓延。絕緣層340可具有單層結構或多層結構，以及絕緣層340的形狀不限於圖2中所示的形狀而可改變。
重新參照圖2，像素限定層240可布置在薄膜電晶體TFT之上。像素限定層240可布置在通道層170上以及可具有用於使像素電極210的中心部分暴露的開口。像素限定層240的開口限定OLED 200的像素區。
包括EML的中間層220可形成在像素限定層240的開口中，以及相對電極230可形成在中間層220上，同時，相對電極230在柔性襯底100的整個表面之上延伸。
薄膜封裝層400可形成在相對電極230上。雖然未示出，但是薄膜封裝層400可具有多層結構，在該多層結構中，堆疊有至少一個無機層和至少一個有機層。當薄膜封裝層400覆蓋OLED 200時，薄膜封裝層400可形成在柔性襯底100的整個表面上，以及可延伸至柔性襯底100的周邊區PA。在本示例性實施方式中，薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300。通過這種方式，可完全阻擋可在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第一絕緣層130和第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分。
根據本示例性實施方式，柔性顯示器1包括開口300a和第一金屬層300，第一金屬層300填充在開口300a中以及因此布置在開口300a上，其中，開口300a布置在周邊區PA中並且穿透第一絕緣層130和第二絕緣層150，從而圍繞柔性襯底100的顯示區DA，使得可在柔性顯示器1中阻擋通過第一絕緣層130和第二絕緣層150的側表面流動到顯示區DA中的氧氣和水分的滲透路徑。因為薄膜封裝層400在第一金屬層300上延伸從而覆蓋第一金屬層300，所以薄膜封裝層400可阻擋在布置在柔性襯底100的周邊區PA上的第二絕緣層150的上表面上流動的氧氣和水分的穿透。因此，由於柔性顯示器1的上述結構，所以可完全阻擋在形成為有機絕緣層的第一絕緣層130和第二絕緣層150的上表面和側表面上流動的氧氣和水分。
圖9是示出了根據示例性實施方式的製造柔性顯示器的過程的流程圖。如圖9所示，在步驟S901中，製備具有顯示區和圍繞顯示區的周邊區的柔性襯底；在步驟S902中，形成薄膜電晶體(TFT)層；在步驟S903中，形成電連接至TFT的像素電極；在步驟904中，在周邊區中形成穿透絕緣層的開口，使得開口圍繞柔性襯底的顯示區；以及在步驟S905中，在開口中形成第一金屬層，使得第一金屬層覆蓋開口的內側面。
根據所公開的實施方式中的至少一個，提供了柔性顯示器以及製造該柔性顯示器的方法，藉此可易於阻擋外部的氧氣和水分滲透柔性顯示器的顯示單元。
應理解的是，本文中所描述的示例性實施方式應僅以描述性的意義理解而不是為了限制的目的。對各個示例性實施方式中的特徵或方面的描述應通常被理解為適用於在其它示例性實施方式中的其它類似特徵或方面。
一個或多個示例性實施方式的上述方面可通過使用系統、方法、電腦程式實現，或者可通過使用系統、方法和電腦程式的任何組合實現。
雖然已參照附圖描述了發明的技術，但是本領域普通技術人員將理解，在不背離如由以下權利要求限定的精神和範圍的情況下，可在發明的技術中作出多種形式和細節上的改變。