電磁鐵裝置的製作方法
2023-11-04 00:43:17 3
專利名稱：電磁鐵裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及電磁鐵裝置及使用了該電磁鐵裝置的磁共振成像裝置(以下簡稱為MRI裝置)。
背景技術：
MRI裝置是通過核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance以下簡稱為NMR)現象測量氫原子核自旋所放出的電磁波，並將該電磁波作為信號進行運算處理，從而利用氫原子核密度對被檢者體內進行斷層像化。在氫原子核自旋所放出的電磁波的測量中，作為測量區域有必要形成高強度(0.2T以上)且具有較高的靜磁場均勻度的均勻磁場區域。
由於利用氫原子核自旋所放出的電磁波的電磁場強度與均勻磁場區域的靜磁場強度成比例，因此，為了提高斷層像的分辨能力有必要提高靜磁場的強度。還有，為了使斷層像為高畫質·高析像度並消除變形，也有必要提高均勻磁場區域的磁場均勻度。並且，公開有作為提高均勻磁場區域的靜磁場的強度以及提高磁場均勻度的方法而利用強磁性體的例子(例如，參見專利文獻1特表2003-513436號公報(段落0018～0019、圖3))。
雖然電磁鐵裝置的超導線圈所生成的靜磁場的磁場強度自超導線圈的距離越長就越小且不均勻，但將強磁性體配置在靜磁場內，就可提高磁場均勻度。
但若考慮磁迴路，則可認為由於強磁性體降低磁阻，在設於設置前磁路較短且磁感應線容易集中的超導線圈附近的強磁性體上磁感應線更容易集中進而為磁飽和，但在遠離超導線圈設置的強磁性體上磁感應線不容易集中從而為磁不飽和。
發明內容
於是，本發明其目的在於提供還可使遠離超導線圈而設置的強磁性體磁飽和，並減少因磁不飽和引起的強磁性體的磁化不均勻、能夠縮短均勻磁場調節所需作業時間的電磁鐵裝置等。
本發明是一種通過隔著均勻磁場區域而相對的一對超導主線圈、隔著上述均勻磁場區域而相對並流有與上述超導主線圈的電流方向相反電流的一對超導屏蔽線圈以及隔著均勻磁場區域而相對且外周為圓形的一對第一強磁性體，從而在均勻磁場區域上形成均勻磁場的電磁鐵裝置，其特徵在於，還具有一對第二強磁性體，它們隔著均勻磁場區域(4)而相對並以相接或鄰近的方式配置於第一強磁性體的與均勻磁場區域側相反的一側且外周為比第一強磁性體的圓形直徑大的圓形。
根據這種電磁鐵裝置，能夠提供還可使遠離超導線圈而設置的強磁性體磁飽和，並減少因磁不飽和所引起的強磁性體的磁化不均勻、能夠縮短均勻磁場調節所需作業時間的電磁鐵裝置等。
圖1是涉及第一實施方式的磁共振成像裝置的概觀圖。
圖2是涉及第一實施方式的磁共振成像裝置的沿圖1的II-II方向的剖面圖。
圖3表示涉及第一實施方式的磁共振成像裝置所使用的電磁鐵裝置的上半部分，是圖1的II-II方向的剖視圖。
圖4(a)是涉及第一實施方式的上半部分的電磁鐵裝置的第一強磁性體和第二強磁性體的俯視圖，(b)是(a)的IV-IV方向的剖視圖。
圖5是表示在電磁鐵裝置上發生的磁感應線方向的圖。
圖6表示涉及第二實施方式的磁共振成像裝置所使用的電磁鐵裝置的上半部分，是圖1的II-II方向的剖視圖。
圖7(a)是涉及第二實施方式的上半部分的電磁鐵裝置的第一強磁性體和第二強磁性體的俯視圖，(b)是(a)的VII-VII方向的剖視圖。
圖8表示涉及第三實施方式的磁共振成像裝置所使用的電磁鐵裝置的上半部分，是沿圖1的II-II方向的剖視圖。
圖9(a)是涉及第三實施方式的上半部分的電磁鐵裝置的第一強磁性體和第二強磁性體的俯視圖，(b)是(a)的IX-IX方向的剖視圖。
圖10表示涉及第四實施方式的磁共振成像裝置所使用的電磁鐵裝置的上半部分，是沿圖1的II-II方向的剖視圖。
圖中1-電磁鐵裝置、2-床、3-真空容器、4-均勻磁場區域、5-表示均勻磁場區域內的磁感應線方向的箭頭、6-超導主線圈、7-超導屏蔽線圈、8-冷卻容器、9-絕熱支撐部、10-中心軸、11-傾斜磁場線圈、12-高頻輻照線圈、15-柱、16-對稱面、18-第三強磁性體、19-第四強磁性體、20、21、22-圓環、23-第-強磁性體、32、33-圓環、34-第二強磁性體、40-表示超導主線圈電流方向的箭頭、41、42、43、44、45、46、47、48-表示表面磁化電流的方向的箭頭、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60-表示磁感應線的方向的箭頭、62、64-凹部、65-凸部、63、66、67、68-錐形部具體實施方式
下面，適當參照附圖的同時對本發明的實施方式進行詳細說明。
(第一實施方式)如圖1所示，涉及第一實施方式的MRI裝置具有電磁鐵裝置1和支撐電磁鐵裝置1之間的柱15和配置於電磁鐵裝置1之間的床2。電磁鐵裝置1作成相對於中心軸10大致軸迴轉對稱的形狀。在電磁鐵裝置1之間能夠生成靜磁場強度為0.2T以上的高強度且具有較高的靜磁場均勻度並且磁感應線方向與中心軸10平行的均勻磁場區域4。在利用氫原子核密度對被檢者體內進行斷層像化時，被檢者被搬到床2上且使檢查部位移動到均勻磁場區域4，從而通過測量從被檢者體內放出氫原子核自旋的電磁波，並將該電磁波作為信號進行運算處理，以此利用氫原子核密度對被檢者體內進行斷層像化。
如圖2和圖3所示，在MRI裝置上使用電磁鐵裝置1和一對傾斜磁場線圈11以及一對高頻輻射線圈12。一對傾斜磁場線圈11以隔著均勻磁場區域4相對的方式配置在真空容器3的均勻磁場區域4側。還有，一對高頻輻射線圈12也以隔著均勻磁場區域4相對的方式配置在真空容器3的均勻磁場區域4側。
在利用氫原子核密度對被檢者體內進行斷層像化時，為了達到通過電磁鐵裝置1生成均勻磁場區域4並得到所生成的均勻磁場區域4的位置信息的目的，使用傾斜磁場線圈11在均勻磁場區域4上附加使磁場空間變化了的磁場。再有，使用高頻輻射線圈12在均勻磁場區域4上附加用於引起NMR現象的共鳴頻率的電磁波。由此，在均勻磁場區域4內的每一個微小區域測量氫原子核自旋所放出的電磁波，並將該電磁波作為信號進行運算處理，以此，利用氫原子核密度對被檢者體內進行斷層像化。
電磁鐵裝置1配置成相對於中心軸10大致軸迴轉對稱，且隔著均勻磁場區域4並相對包含線16的對稱面大致面對稱。電磁鐵裝置1，具有一對超導主線圈6、一對超導屏蔽線圈7、多個第一強磁性體23、多個第二強磁性體34、一對第三強磁性體18、一對第四強磁性體19、冷卻容器8以及真空容器3。電磁鐵裝置1，雖然通過隔著均勻磁場區域4而相對的一對超導主線圈6、隔著均勻磁場區域4而相對並流有與超導主線圈6相反電流的一對超導屏蔽線圈7、及隔著均勻磁場區域4而相對且外周為圓形的一對第一強磁性體23在均勻磁場區域4上形成均勻磁場，但為了進一步提高均勻性，還具有一對第二強磁性體34，它們隔著均勻磁場區域4而相對並以相接或鄰近的方式配置於第一強磁性體23的與均勻磁場區域4側相反的一側且外周為比第一強磁性體23的圓形直徑大的圓形。根據該第二強磁性體34，由於可捕捉從第一強磁性體23洩漏的磁感應線並導向直徑方向，所以無論處於徑向何處的第一強磁性體23都能降低經過該第一強磁性體23的磁迴路的磁阻並保持一定，而且可使磁通密度均勻。
隔著均勻磁場區域4對稱配置一對真空容器3。一對真空容器3之間由收納在圖1的柱15內的連結結構支撐並連結。一對真空容器3各內包含有一對冷卻容器8中的一個，並與外界絕熱。一對冷卻容器8各內包含有超導主線圈66中一個和一對超導屏蔽線圈7中的一個，作為冷媒例如儲存有液體氦。由此，超導主線圈6和超導屏蔽線圈7可冷卻至維持超導狀態所需的極低溫度。冷卻容器8藉助於設置在其與真空容器3之間的熱阻較大的絕熱支撐材料9支撐在真空容器3中。
一對超導主線圈6是靜磁場發生源，在均勻磁場區域4中發生磁感應線為箭頭5方向的靜磁場。一對超導主線圈6隔著均勻磁場區域4而相對。
一對超導屏蔽線圈7也隔著均勻磁場區域4而相對。在一對超導屏蔽線圈7上用於抑制洩漏磁場的目的而流有與超導主線圈6相反的電流。一對超導主線圈6的各個與一對超導屏蔽線圈7的各個均為共有中心軸10的圓環。
在真空容器3和冷卻容器8中內包含有第一強磁性體23和第二強磁性體34、第三強磁性體18、及第四強磁性體19。多個第二強磁性體34之間填充冷媒，但也可以用非磁性體填充。
多個第一強磁性體23隔著均勻磁場區域4相對而成對。多個第二強磁性體34也隔著均勻磁場區域4相對而成對。
多個第二強磁性體34分別以相接或鄰近的方式配置於第一強磁性體23的與均勻磁場區域4側相反的一側。第二強磁性體34以分別包含將中心軸10作為法線的一對平面71中的一方的方式配置。第二強磁性體34配置在超導主線圈6和超導屏蔽線圈7之間的高度中。
一對第三強磁性體18位於第一強磁性體23的外側、並配置在超導主線圈6的內側。一對第三強磁性體18是隔著均勻磁場區域4而相對的圓環。
一對第四強磁性體19設置於超導主線圈6和超導屏蔽線圈7的附近。通過第四強磁性體19捕捉超導屏蔽線圈7所生成的磁感應線，能夠避免超導主線圈6在均勻磁場區域4中生成的磁場因超導屏蔽線圈7所生成的磁場而降低。一對第四強磁性體19位於第二強磁性體34的外側且配置在超導主線圈6和超導屏蔽線圈7之間的高度中。一對第四強磁性體19是隔著均勻磁場區域4而相對的圓環。一對第四強磁性體19以分別包含平面71中的一方的方式配置。
如圖4(a)和圖4(b)所示，在多個第一強磁性體23中，中央配置圓環20，周邊配置圓環21、22。圓環21配置於圓環22的內側，圓環20配置於圓環21的內側。中心軸10為第一強磁性體23的圓環20、21、22所共有的中心軸。
多個第二強磁性體34具有配置於中央的圓環32和配置於周邊的圓環33。中心軸10為與第二強磁性體34的圓環32、33共有的中心軸。圓環33與第一強磁性體23的圓環22相接或鄰近。圓環32與圓環21和圓環20相接或鄰近。圓環33的外徑d1比所相接或鄰近的第一強磁性體23的圓環22的外徑d2大。圓環32的外徑d3比所相接或鄰近的第一強磁性體23的圓環21的外徑d4大。第二強磁性體34的圓環33的外徑d1比超導主線圈6的圓環外徑d0大。圓環33的內徑與所相接或鄰近的第一強磁性體23的圓環22的內徑相等。圓環32的內徑與所相接或鄰近的第一強磁性體23的圓環20的內徑相等。
圓環32鄰近圓環33的內側而配置，且圓環33的內周面和圓環32的外周面鄰近。也可以用非磁性體填充圓環33的內周面和圓環32的外周面之間。第一強磁性體23和第二強磁性體34相接的情況，也可以接合而一體化。鄰近的情況，其間可用非磁性體填充。另外，還可以用非磁性體填充在圓環32的內周面和中心軸10之間。再有，關於鄰近的情況，以可磁結合的程度分開亦可。
圖3的第一強磁性體23的圓環20、21、22和第二強磁性體34的圓環32、33和第三強磁性體18以及第四強磁性體19，由超導主線圈6及超導屏蔽線圈7所生成的靜磁場所磁化。由此，在第一強磁性體23的圓環20、21、22和第二強磁性體34的圓環32、33和第三強磁性體18以及第四強磁性體19的表面上流動表面磁化電流。尤其，如圖4(a)和圖4(b)所示，設於均勻磁場4附近的第一強磁性體23的圓環20、21、22，大致沿與中心軸10平行的箭頭51、52、54彎曲之前的方向磁化，且流有表面磁化電流。在圓環20、21、22的外周面上流有與流動於鄰近的超導主線圈6的電流方向40相同方向47、45、42的表面磁化電流。在圓環20、21、22的內周面上流有與流動於外周面的表面磁化電流方向47、45、42相反的表面磁化電流。這與在圓環20、21、22的外周面和內周面上重新配置線圈是等價的。一方面，第二強磁性體34的圓環32、33沿大致與中心軸10正交的箭頭51、52、54彎曲之後的方向磁化，因此，在方向41、44上電流不流動。
第二強磁性體34的圓環32、33的徑向長度11、l2對第二強磁性體34的圓環32、33的厚度t5、t6的比(l1/t5、l2/t6)優選1以上。當設定圓環32、33的厚度方向為短軸、徑向為長軸時，若使長軸對短軸的長度之比為10倍以上，則有退磁磁場係數減小到大致0.01～0.02的傾向。該傾向在使比值為1以上便可獲得。若能得到該傾向，則為消去徑向磁化而作用的退磁磁場變弱，沿徑向容易磁化，且可使磁感應線不會在退磁磁場中大幅減小便可穿過。即，可使從箭頭51、52、54進入的磁感應線不會洩漏地被引導到箭頭55。並且，可使圓環32、33磁飽和。
如圖4(b)所示，由於第一強磁性體23和第二強磁性體34相接或鄰近，因此處於磁結合的狀態，而且在第一強磁性體23和第二強磁性體34之間形成以箭頭51、52、54所示的磁路。還有，由於第二強磁性體34的圓環32和圓環33之間的間隔比第一強磁性體23的圓環22和圓環21之間的間隔還窄地鄰近，因此在圓環32和圓環33之間也形成以箭頭53所示的磁路。因此，進入圓環20內的箭頭51的磁感應線不會洩漏，而且通過圓環32進入圓環33並向箭頭55方向脫出。同樣，進入圓環21內的箭頭52的磁感應線也不會洩漏，而且通過圓環32進入圓環33並向箭頭55方向脫出。進入圓環22內的箭頭54的磁感應線也不會洩漏，並進入圓環33並向箭頭55方向脫出。如此地、通過配置第二強磁性體34的圓環32和圓環33，可減少磁感應線的洩漏並可抑制漏磁場。
一般來講，超導主線圈6所生成的磁場強度距超導主線圈6的距離越長越小。因此，利用僅由超導主線圈6所生成的靜磁場，在中心軸10附近的圓環20上磁場強度變弱，在靠近超導主線圈6的圓環22中磁場強度變強。這是因為根據距超導主線圈6的距離而在磁阻上產生差異。可認為通過配置第二強磁性體34的圓環32和圓環33，將通過中心軸10附近的圓環20的磁迴路的磁阻及通過靠近超導主線圈6的圓環22的磁迴路的磁阻均下降到同樣程度並大致相等。即，可認為經過第一磁性體的圓環20的磁路(從箭頭51通過箭頭53至箭頭55的磁路)的磁阻降低而與經過第一磁性體的圓環22的磁路(從箭頭54至箭頭55的磁路)的磁阻大致相同。同樣地、可認為經過第一磁性體的圓環21的磁路(從箭頭52通過箭頭53至箭頭55的磁路)的磁阻降低而與經過第一磁性體的圓環22的磁路的磁阻大致相同。由此，可認為在經過第一磁性體的圓環20的磁路、經過圓環21的磁路、經過圓環22的磁路中，磁阻為相同程度，磁感應線也以相同程度的磁通量密度分配。並且，可使磁場強度不會隨距超導主線圈6的距離而改變從而被均勻化。由於通過增加超導主線圈6的電流方向40就能均勻地提高磁場強度，因此，可使圓環20、21、22全都磁飽和，並可減少第一磁性體的磁化不均勻。
圖5表示根據本發明的磁感應線的狀況。圖5隻表示圖2中的超導主線圈6、超導屏蔽線圈7、第一強磁性體23、第二強磁性體34、第三強磁性體18、及第四強磁性體19。可認為在電磁鐵裝置上構成有從箭頭5經過分叉的箭頭51、52、54後，經過收束的箭頭55和箭頭56及箭頭57，最後經過分叉的箭頭58、59、60返回箭頭5的磁迴路。從上部的圓環33放射出的箭頭55的磁感應線朝向第四強磁性體19的方向，且箭頭56方向的磁感應線產生在一對第四強磁性體19之間，箭頭57方向的磁感應線以向下部的圓環32入射的方式從下部的第四強磁性體19的方向進入。可認為入射到下部圓環32內的箭頭57的磁感應線其磁阻由圓環32和圓環33而降低到相同程度上，所以以相同程度的磁通量密度分配為箭頭58、59、60的磁感應線。
這樣，通過使用第二強磁性體34，在構成於電磁鐵裝置的磁迴路中，可降低向徑向的磁阻，使磁感應線透過第二強磁性體34並被向電磁鐵裝置的中心軸10的方向引導。為此，僅將輕型的強磁性體作為第二強磁性體34增加即可。
還有，一般來講，雖然為了在電磁鐵裝置1上提高磁場強度有必要增加超導主線圈6和超導屏蔽線圈7的電流值，但若增加電流值則會導致漏磁場也與該電流值成比例增加。在第一實施方式中由於降低洩磁場，所以在磁通量密度維持在作為漏磁場基準值的5高斯以下的狀態下可增加電流值，並可加大均勻磁場區域4的磁場強度。
(第二實施方式)如圖6和圖7(a)和圖7(b)所示，涉及第二實施方式的MRI裝置與圖3和圖4(a)和圖4(b)所示的第一實施方式的MRI裝置相比，在第二強磁性體34為圓盤這一點上不同。與此相對，在第一強磁性體23的圓環20為圓盤這一點不同。
這樣一來，不僅可獲得在第一實施方式中獲得的效果，而且由於第二強磁性體34構成為一體，因而能夠加大第二強磁性體34的圓盤徑向長度l1，並可加大圓盤徑向長度l1對圓盤厚度t5的比(l1/t5)。即，不會使從箭頭51、52、54進入的磁感應線進一步洩漏，且可引導至箭頭55。並且，可使圓環32、33磁飽和。還有，由於第二強磁性體34構成為一體，可進一步加強磁結合，可減少磁感應線的洩漏並抑制漏磁場。還有，可認為經過第一磁性體的圓環20的磁路(從箭頭51至箭頭55的磁路)的磁阻進一步降低，而與經過第一磁性體的圓環22的磁路(從箭頭54至箭頭55的磁路)的磁阻為相同程度。同樣地、可認為經過第一磁性體的圓環21的磁路(從箭頭52至箭頭55的磁路)的磁阻降低而與經過第一磁性體的圓環22的磁路的磁阻為相同程度。由此，可認為在經過第一磁性體的圓環20的磁路、經過圓環21的磁路、經過圓環22的磁路中，磁阻為相同程度，磁感應線被分配成相同程度的磁通量密度。並且，可使磁場強度不會隨距超導主線圈6的距離而改變從而被均勻化。通過增加超導主線圈6的電流40可均勻提高磁場強度，所以可使圓環20、21、22全都磁飽和，並減少因磁不飽和引起的強磁性體的磁化不均勻、可縮短均勻磁場調節所需的作業時間。
這樣，通過使用第二強磁性體34，在構成於電磁鐵裝置的磁迴路中，可進一步降低向徑向的磁阻，使磁感應線透過第二強磁性體34並被向電磁鐵裝置的中心軸10的方向引導。
(第三實施方式)如圖8和圖9(a)和圖9(b)所示，涉及第三實施方式的MRI裝置與圖3和圖4(a)和圖4(b)所示的第一實施方式的MRI裝置相比，在第一強磁性體23和第二強磁性體34之間的至少一方的表面上實施有凹部62、64和凸部65和錐形部63、66、67、68這一點上不同。還有，在第二強磁性體34的圓環32為圓盤這一點上不同。由此，不僅可獲得在第一實施方式中所能獲得的效果，而且通過修整磁場的局部不均勻可進一步提高磁場均勻度。
(第四實施方式)如圖10所示，涉及第四實施方式的MRI裝置與圖3的第一實施方式的MRI裝置相比，在將第一強磁性體23和第二強磁性體34及第三強磁性體18配置在冷卻容器8外側這一點上不同。由此，只要冷卻容器8能夠收放超導主線圈6和超導屏蔽線圈7和第四強磁性體19即可，所以可減小冷卻容器8的容積。並且，由於減少冷媒的量，所以可減小冷卻機的冷卻能力，並可使MRI裝置輕型化。另外，根據第四實施方式也可獲得在第一實施方式中所能獲得到的效果。
權利要求
1.一種電磁鐵裝置，通過隔著均勻磁場區域而相對的一對超導主線圈、隔著上述均勻磁場區域而相對並流有與上述超導主線圈相反電流的一對超導屏蔽線圈、以及隔著上述均勻磁場區域而相對且外周為圓形的一對第一強磁性體，從而在上述均勻磁場區域中形成均勻磁場，其特徵在於，還具有一對第二強磁性體，它們隔著上述均勻磁場區域而相對並以相接或鄰近的方式配置於上述第一強磁性體的與上述均勻磁場區域側相反的一側且外周為比上述第一強磁性體的圓形直徑大的圓形。
2.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，一對上述超導主線圈的各個與一對上述超導屏蔽線圈的各個均為共有中心軸的圓環，上述第二強磁性體，以分別包含將上述中心軸作為法線的一對平面中的一方的方式，在中央配置圓環或圓盤，在周邊配置圓環。
3.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述第二強磁性體的圓環或圓盤的徑向長度對上述第二強磁性體的圓環或圓盤厚度的比為1以上。
4.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述第一強磁性體和上述第二強磁性體接合。
5.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，還具有內包含有上述超導主線圈和上述超導屏蔽線並進行冷卻的冷卻容器；以及內包含有上述冷卻容器並與外界絕熱的真空容器，上述真空容器內包含有上述第一強磁性體和上述第二強磁性體。
6.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，在上述第一強磁性體和上述第二強磁性體的至少一方的表面上實施有凹凸部和錐形部。
7.根據權利要求2所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，多個上述第二強磁性體之間是真空或者用非磁性體填充。
8.根據權利要求2所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述中心軸為與上述第二強磁性體的圓環及圓盤共有的中心軸。
9.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述第二強磁性體配置在上述超導主線圈和上述超導屏蔽線圈之間的高度中。
10.根據權利要求2所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述第二強磁性體的圓環外徑或圓盤直徑比上述超導主線圈的圓環外徑小。
11.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，還具有位於上述第一強磁性體的外側並配置在上述超導主線圈的內側且隔著上述均勻磁場區域而相對的一對圓環狀的第三強磁性體。
12.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，還具有位於上述第二強磁性體的外側並配置在上述超導主線圈和上述超導屏蔽線圈之間且隔著上述均勻磁場區域而相對的一對圓環狀的第四強磁性體。
13.根據權利要求1所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述第一強磁性體具有第一圓環和配置於上述第一圓環內側的第二圓環以及配置於上述第二圓環內側的第三圓環或第一圓盤。
14.根據權利要求13所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述第二強磁性體所具有的圓環或圓盤與上述第一圓環和上述第二圓環相接或鄰近，並與上述第三圓環或上述第一圓盤相接或鄰近。
15.根據權利要求13所述的電磁鐵裝置，其特徵在於，上述第二強磁性體所具有的圓環或圓盤，包括與上述第一圓環相接或鄰近的第四圓環；以及鄰近上述第四圓環的內側而配置，與上述第二圓環相接或鄰近並與上述第三圓環或上述第一圓盤相接或鄰近的圓環或圓盤。
16.一種磁共振成像裝置，其特徵在於，使用了權利要求1所述的電磁鐵裝置。
全文摘要
本發明提供一種還可使遠離超導線圈而設置的強磁性體磁飽和並減少因磁不飽和引起的強磁性體的磁化不均勻、可縮短均勻磁場調節所需作業時間的電磁鐵裝置。在一種通過隔著均勻磁場區域(4)而相對的一對超導主線圈(6)、隔著均勻磁場區域(4)而相對並流有與超導主線圈(6)相反電流的一對超導屏蔽線圈(7)以及隔著均勻磁場區域(4)而相對且外周為圓形的一對第一強磁性體(23)，從而在均勻磁場區域(4)中形成均勻磁場的電磁鐵裝置中，其特徵在於，還具有一對第二強磁性體(34)，它們配置成隔著均勻磁場區域(4)而相對並與第一強磁性體(23)的均勻磁場區域(4)側的相反側相接或鄰近且外周為比第一強磁性體(23)的圓形直徑(d2、d4)大的圓形。
文檔編號A61B5/055GK101030471SQ20071000429
公開日2007年9月5日 申請日期2007年1月22日 優先權日2006年1月23日
發明者青木學, 阿部充志, 中山武, 高橋正典 申請人:株式會社日立製作所