磁記錄介質用支持體和磁記錄介質的製作方法

2023-11-30 14:27:21 2

專利名稱：：磁記錄介質用支持體和磁記錄介質的製作方法
技術領域：
：本發明涉及磁帶等的磁記錄介質所使用的支持體、和使用該支持體的具有磁性層的磁記錄介質。
背景技術：
：雙軸拉伸聚酯薄膜由於其優異的熱特性、尺寸穩定性、機械特性和表面形態容易控制而被用於各種用途，特別是作為磁記錄介質等的支持體的有用性已廣為人知。近年，由於機械器材的輕量化、小型化、大容量化，磁帶等的磁記錄介質要求高密度化。為了高密度記錄，縮短記錄波長、減小記錄磁軌是有用的。但是，如果減小記錄磁軌，則存在由於磁帶行走時的熱和磁帶保管時的溫度和溼度的變化所導致的變形而容易引起記錄磁軌的移位的問題。因此，對於磁帶的使用環境和保管環境下的尺寸穩定性這一特性的改善的要求越來越強烈。從該觀點來看，支持體有時使用在強度、尺寸穩定性方面比雙軸拉伸聚酯薄膜優異的剛性高的芳香族聚醯胺。但是芳香族聚醯胺價格高，花費成本，作為通用記錄介質的支持體並不現實。另一方面，曾經開發了對於使用聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚萘二曱酸乙二醇酯等的聚酯薄膜，也使用拉伸技術來高強度化的磁記錄介質用支持體。但是，尚難以滿足針對溫度、溼度的尺寸穩定性等的嚴格要求。另外，曾經公開了為了提高相對於溫度、溼度的尺寸穩定性，而在聚酯薄膜的一面或兩面設置金屬等的增強層的方法(專利文獻1)。但是，在增強層為金屬時，由於為金屬鍵，因此導電性高，並具有反射光的性質。因此，雖然在塗布磁性層時的膜厚管理中使用了透射光，但是存在由於金屬的增強膜的影響使光不能透過的問題。因此，膜厚管理變得困難，磁性層的膜厚會產生偏差，容易成為出錯率多的磁帶。另外，由於導電性高，因此由於靜電、漏電流而使磁帶中流通電流，由於該電流而導致有時磁頭短路、發生故障。此外，金屬與氧化物相比，強度弱，所以還存在抑制聚酯薄膜膨脹和收縮的效果小的問題。另一方面，增強層為氧化物、其他化合物時，由於是離子鍵，因此硬且脆，具有沒有延性的性質。因此，由於張力而使之發生裂紋，或發生由彎曲所引起的裂紋。另外，由於氧化物具有吸溼性，因此針對溼度的尺寸穩定性的提高效果小，有時由於增強層本身的吸溼膨脹而使尺寸穩定性惡化。因此，刻苦研究的結果發現並不使金屬完全氧化，而是通過控制增強層的氧化度，使得尺寸穩定性飛躍地提高，解決上述很多的課題。再者，蒸鍍控制氧化度的氧化金屬層的技術曾經以氣體阻擋性薄膜的形式公開(專利文獻2)。但是，該文獻中記載的薄膜是以氣體阻擋為目的的包裝材料用薄膜，並需有透明性，因此蒸鍍膜厚薄至40nm以下，抑制聚酯薄膜膨脹和收縮的效果小。另外，為了控制氧化度、蒸鍍50nm以上的氧化金屬層，需要增加鋁的蒸發量，與之相應地需要增加氧導入量。但是，在該文獻所記載的方法中，由於使用圖3所示的真空蒸鍍裝置，因此難以厚膜化。即，在該真空蒸鍍裝置111中，在真空室112的內部聚酯薄膜從放巻輥部113經過冷卻鼓116向巻繞輥部118行走。此時，在採用由電子槍120照射的電子束121將坩鍋123內的金屬材料119加熱使之蒸發的同時，一邊由氧供給噴嘴124導入氧氣，使蒸發的金屬進行氧化反應，一邊蒸鍍到冷卻鼓116上的聚酯薄膜上。但是，由於氧供給噴嘴124與冷卻鼓116近，因此如果增加氧導入量，則由於該氧氣的吹出流而使金屬蒸氣飛散，難以控制氧化度。另外，有時金屬與氧反應的空間小，難以形成50nm以上的金屬氧化物的蒸鍍膜，所形成的蒸鍍膜容易不穩定。並且，不穩定的蒸鍍膜產生較多的結構缺陷，導致尺寸穩定性惡化。而且，由於這些氣體阻擋性薄膜為包裝材料用途，因此基膜的厚度厚，為10fim以上，另外表面不平滑，因此能夠容易地蒸鍍，與此相對，磁記錄介質用支持體所使用的聚酯薄膜通常厚度薄，是平滑的，因此如果象這些方法那樣不加以研究地進行蒸鍍，則由於熱所引起的變形等，會使蒸鍍中較多地發生薄膜破裂。專利文獻1特開平7-272247號公報專利文獻2特開昭62-220330號公報
發明內容本發明的目的在於，解決上述問題，提供一種尺寸穩定性優異、難以發生裂紋的^f茲記錄介質用支持體。詳細地講，提供一種在形成磁記錄介質時，能夠製成由環境變化所引起的尺寸變化少、裂紋的發生和出錯率也少、行走耐久性優異的高密度磁記錄介質的支持體。用於解決上述課題的本發明是以下述(1)~(8)為特徵的發明。(1)一種磁記錄介質用支持體，是在聚酯薄膜的兩面設有含金屬系氧化物的層(M層)，這些M層的厚度分別為50~200nm的磁記錄介質用支持體，其特徵在於，該磁記錄介質用支持體的總光線透過率為0~75%,各表面的表面電阻率為Ixl02~lxl013[11]。(2)如上述(1)所述的磁記錄介質用支持體，至少一個表面的中心線平均淨且糙度Ra為0.5~10nm。(3)如上述項所述的磁記錄介質用支持體，縱向的楊氏模量為5~13GPa。(4)如上述(1)~(3)的任一項所述的磁記錄介質用支持體，上述聚酯薄膜的厚度為2~6fun。(5)如上述(1)~(4)的任一項所述的磁記錄介質用支持體，M層的金屬元素濃度為10~70at.%。(6)如上述(1)~(5)的任一項所述的磁記錄介質用支持體，M層的金屬鍵合的金屬原子的存在比為l~20at.%。(7)如上述(1)~(6)的任一項所述的磁記錄介質用支持體，M層的金屬系氧化物為氧化鋁，與氫氧基鍵合的鋁原子的存在比為0~60at%。(8)—種磁記錄介質，是在上述(l)~(7)的任一項所述的磁記錄介質用支持體的至少一面上設置^P茲性層而成的。發明效果本發明的磁記錄介質用支持體是尺寸穩定性優異、難以發生裂紋的支持體，特別是能夠製得在形成磁記錄介質時，可形成由環境變化所引起的尺寸變化小、裂紋的發生和出錯率少的高密度磁記錄介質的支持體。具體實施例方式本發明的磁記錄介質用支持體，是在聚酯薄膜的兩個表面上形成含金屬系氧化物的層(M層)而成的。所謂金屬系氧化物，是使例如Cu、Zn、Al、Si、Fe、Ag、Ti、Mg、Sn、Zr、In、Cr、Mn、V、Ni、Mo、Ce、Ga、Hf、Nb、Ta、Y、W等金屬成分氧化而成的，是指進行組成分析時的平均組成中的氧原子含量為10at,Q/。以上的金屬氧化物。另外，所謂at.。/0(原子％)，是atomic。/。的簡略寫法，所謂atomic%,是表示每100個原子中的該原子的個數。如果總光線透過率、表面電阻率在後述的範圍內，則上述金屬系氧化物在兩表面可以含有不同的金屬成分，另外，也可以混合含有多種金屬成分，但更優選在兩表面含有同一種金屬成分。其中，從氧化度的控制性、尺寸穩定性、生產率、環境性的觀點來看，優選金屬系氧化物含有鋁、銅、鋅、銀、矽元素之中的至少一種，更優選鋁元素成為主成分。M層的金屬元素濃度優選為10~70at.%。如果金屬元素濃度少於10at%，則相對於金屬原子，氧原子過多，因此容易取得不完全的結構(金屬原子、氧原子未鍵合而存在)，增強的效果變小，尺寸穩定性降低。在多於70ato/。的場合，大致具有金屬特性，因此存在由導電性所引起的短路的問題和強度低、尺寸穩定性低等的問題。更優選為20~60at.%，進一步優選為30~50at.%。金屬元素濃度可以由金屬蒸發量和氧氣導入量進行控制。為了減小金屬元素濃度，減少金屬蒸發量、增多氧氣導入量即可，為了增大金屬元素濃度，相反地進行即可。另外，M層的金屬鍵合的金屬原子的存在比優選為l~20at.%。當金屬鍵的存在比小於lat。/。時，即使是上述的金屬元素濃度，由於具有韌性的金屬鍵少，因此容易引起裂紋。如果大於20at.。/。，則即使是上述的金屬元素濃度，由於具有金屬的特性，因此也容易引起由導電性所導致的短路的問題。由於金屬鍵合著的金屬原子不吸溼，因此難以形成結構缺陷，可以防止尺寸穩定性的惡化。更優選為2~15at.%，進一步優選為3~10at.%。金屬鍵的存在比可以由金屬的蒸發量和氧氣導入量來控制，但為相比於金屬元素濃度更顯示微觀的結構的組成，氧化反應的控制變得重要。由於金屬鍵的存在比受到金屬與氧氣的反應效率的影響，因此氧氣導入的方法變得重要。氧氣導入方法優選從蒸鍍源的正側面沿與金屬蒸氣的流動方向相同的方向供給。這是因為促進了金屬蒸氣與氧氣的反應，在氧化反應結束的狀態下到達聚酯薄膜，因此不會出現下述情形進入過剩的氧氣，金屬鍵存在比變小，或者，不能與氧氣反應就金屬原子彼此鍵合，金屬鍵存在比變大。另外，由於通過將金屬蒸氣、氧氣高能量化，可使反應被促進，因此優選採用電子束蒸鍍法將金屬蒸氣高能量化，通過等離子體處理等將氧氣高能量化。M層的金屬成分如上所述，優選鋁元素，M層優選為氧化鋁。此外，關於氧化鋁中的鋁的鍵合狀態，優選與氬氧基鍵合的鋁原子的存在比為0~60at.%。一般地，氧化鋁吸收水蒸氣，形成7JC合物(Al(OH)3)。在本申請中，所述水合物也作為氧化鋁考慮。所謂與氫氧基鍵合，表示鋁原子吸溼，成為水合物，通過採用光電子能語法(XPS)分析鋁的鍵合狀態，能夠測定存在比。由於水合物的形成因而部分地引起體積變化，在M層內產生應變，發生結構缺陷。由於水合物的形成成為使尺寸穩定性惡化的主要因素，因此優選所述存在比為60at.o/。以下，更優選為50at.。/o以下，進一步優選為40at.。/。以下。為了使與氫氧基鍵合的鋁原子的存在比小，優選7不使其形成水合物，即不使其吸收水分。通過按鋁原子與氧原子牢固地鍵合，減少未鍵合的鋁原子、氧原子，消除不完全的結構那樣地形成，能夠防止水分的吸收。優選沒有不完全的結構，但在形成時生成的情況下，優選使其強制性地一下子吸溼，從M層整體消除未鍵合的鋁、氧原子。即，M層形成後，優選進行用於消除未鍵合原子的強制加溼處理。如果不進行加溼處理、未鍵合原子殘存，則部分地引起吸溼，由於其吸溼所引起的體積變化等，會在M層中容易形成結構缺陷。結構缺陷也成為使其發生進一步吸溼的原因，從不進行加溼處理的情況來看，有時與氫氧基鍵合的鋁原子的存在比增高。另外，在形成M層時，若聚酯薄膜吸溼，則由於形成時的熱負荷等，會從聚酯薄膜中釋放水分，水分進入M層中，有時形成水合物。優選在形成M層之前減少聚酯薄膜內的水分量。M層的厚度分別需為50~200nm。M層的厚度小於50rnn時，增強效果小，尺寸穩定性不能得到改善。M層的厚度的下限優選為60mn、更優選為70nm。另一方面，M層的厚度大於200nm時，容易產生裂紋，尺寸穩定性容易惡化。另外，通過反覆進行行走，會容易發生剝離、脫落，結果存在尺寸穩定性惡化的傾向。另外，為了使總光線透過率、表面電阻率在本發明的範圍內，需要增加氧的導入量，但當要使用真空制膜裝置形成200nm以上的厚度的M層時，真空度降低，金屬蒸氣難以蒸發，變得不穩定。其結果M層成為不完全的結構，成為尺寸穩定性、行走耐久性差的磁記錄介質。另外，採用濺射法時，如果氧導入量多，則會使靶表面氧化，通過濺射引起的金屬原子的飛出變得不穩定。其結果，與真空蒸鍍法同樣，成為不完全的結構，成為尺寸穩定性、行走耐久性差的磁記錄介質。M層的厚度的上限優選為180nm、更優選為150nm。作為優選的範圍，為60~180nm，作為更優選的範圍，為70150nm。本發明的磁記錄介質用支持體，其總光線透過率需為0~75%。高於75%的場合，氧化會過度進行，因此M層變硬變脆，會因張力或彎曲而容易發生裂紋，另外，容易引起氧化物的吸溼膨脹，存在尺寸穩定性差的傾向。總光線透射率的下限更優選為1%，進一步優選為5%。另一方面，其上限優選為70%,進一步優選為65%。另外，作為本發明的支持體，也包括總光線透過率為0%的支持體。這是由於，支持體具有含金屬系氧化物的層時，該金屬系氧化物儘量減少使上述這種金屬成分氧化，雖然表面電阻率在後述的這種範圍內，但總光線透過率為0%，即，存在在檢測限界以下的情況。作為更優選的範圍，為1~70%，作為進一步優選的範圍，為5~65%。本發明的磁記錄介質用支持體，其表面電阻率為lxl02~lxl013Q,優選為1.0xl02~9.9xl012Q。所謂表面電阻率，是也可表述為表面比電阻(H/□)的特性值，是與純粹的表面電阻(根據面積而變化的電阻值)、線電阻(導線等的電阻)不同的。表面電阻率低於1.0xl0&時，導電性過高，因此由於靜電、漏電流而使磁帶中流通電流，由於該電流而存在磁頭短路、發生故障的危險性。表面電阻率的下限優選為1.0xl04￡l，更優選為1.0xl05ft。另一方面，表面電阻率高於lxlO"Q、特別是高於9.9xl012Q時，與透過率高的情況同樣，氧化過度進行，因此存在發生裂紋、尺寸穩定性惡化的傾向。表面電阻率的上限優選為9.9xl0"仏更優選為9,9xl0"i2。作為優選的範圍，為1.0xl(^9.9xl0"n,作為更優選的範圍，為1,0x10s~9.9xl01GQ。另外，在設置磁性層的一側的表面(A)和沒有設置磁性層的一側的表面即背塗層側的表面(B)，表面電阻率的值可以相同，但優選背塗層側的表面(B)的表面電阻率低一些。並且，在本發明的磁記錄介質用支持體中，優選設置磁性層的一側的表面(A)的中心線平均粗糙度Ra為0.5nm10nm。設置磁性層的一側的表面(A)的Ra小於0.5nm時，在薄膜製造、加工工序等中，與輸送輥等的摩擦係數增大，有時引起工序故障，在作為磁帶使用時，與磁頭的摩擦增大，磁帶特性容易降低。另外，Ra大於10nm的場合，在作為高密度記錄的磁帶使用時，有時電磁轉換特性降低。設置磁性層的一側的表面(A)的Ra的下限更優選為2nm，進一步優選為3nm，上限為9nm，進一步優選為8nm。作為更優選的範圍為2~9nm，作為進一步優選的範圍為3~8nm。另一方面，背塗層側的表面(B)的中心線平均粗糙度Ra優選為3~30nm。背塗層側的表面(B)的Ra小於3nm的場合，在薄膜製造、加工工序等中，與輸送輥等的摩擦係數增大，有時引起工序故障，在作為磁帶使用時，與導向輥的摩擦增大，有時磁帶的行走性降低。另外，Ra大於3(him的場合，在作為薄膜巻筒或薄餅狀物(扁平狀物)保管時，表面突起轉印到相反側的表面上，存在電磁轉換特性降低的傾向。背塗層側的表面(B)的Ra的下限更優選為5nm,進一步優選為7nm，上限為20nm，進一步優選為15nm。作為更優選的範圍，為5~20nm,作為進一步優選的範圍，為7~15nm。本發明的磁記錄介質用支持體，其橫向的溼度膨脹係數優選為-3~10ppm/%RH。從對磁記錄介質的加工工序和磁記錄介質的記錄重現時的高溼條件下的尺寸穩定性的觀點來看，優選溼度膨脹係數在上述範圍內。橫向的溼度膨脹係數的上限更優選為8ppm/%RH，進一步優選為7ppm/%RH。橫向的溼度膨脹係數的下限更優選為-lppm/。/oRH，進一步優選為0ppm/%RH。作為更優選的範圍，為畫l~8ppm/%RH，作為進一步優選的範圍，為0~7ppm/%RH。本發明的磁記錄介質用支持體，其縱向的楊氏模量優選為5~13GPa。縱向的楊氏模量小於5GPa時，由於在磁帶驅動中縱向的張力的作用，而使其沿縱向伸展，由於該拉伸變形而使其在橫向上收縮，容易發生記錄磁軌移位的問題。縱向的楊氏模量的下限更優選為6GPa，進一步優選為7GPa。另一方面，縱向的楊氏模量大於13GPa時，難以將橫向的楊氏模量控制在優選的範圍，導致橫向的楊氏模量不足，成為邊緣損傷的原因。縱向的楊氏模量的上限更優選為12GPa,進一步優選為llGPa。作為更優選的範圍，為612GPa,作為進一步優選的範圍，為7llGPa。本發明的磁記錄介質用支持體，其橫向的楊氏模量優選為5~13GPa的範圍。橫向的楊氏模量小於5GPa時，有時成為邊緣損傷的原因等。橫向的楊氏模量的下限更優選為6GPa，進一步優選為7GPa。另一方面，橫向的楊氏模量大於13GPa時，難以將縱向的楊氏模量控制在優選的範圍，由於縱向的張力的作用，有時容易發生變形，或縱切(slit)性惡化。橫向的楊氏模量的上限更優選為12GPa，進一步優選為llGPa。作為更優選的範圍，為612GPa，作為進一步優選的範圍，為7llGPa。另夕卜，在本發明中，所謂支持體的縱向，是一般被稱為MD方向的方向，是指與聚酯薄膜製造工序時的縱向相同的方向，所謂支持體的橫向，是一般被稱為TD方向的方向，是指與聚酯薄膜製造工序時的橫向相同的方向。在本發明中，所謂聚酯薄膜，例如，是由以芳香族二羧酸、脂環族二羧酸或脂肪族二羧酸等酸成分和二醇成分作為構成單元(聚合單元)的聚合物構成的薄膜。作為芳香族二羧酸成分，可以使用例如對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二羧酸、1，5-萘二羧酸、2，6-萘二羧酸、4，4，-二苯基二羧酸、4，4，-二苯基醚二羧酸、4，4，-二苯基碸二羧酸等，其中可以優選使用對苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2，6-萘二羧酸。作為脂環族二羧酸成分，可以使用例如環己烷二羧酸等。作為脂肪族二羧酸成分，可以使用例如己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸等。這些酸成分可以僅使用一種，也可以將兩種以上並用。作為二醇成分，可以使用例如乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、新戊二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，5-戊二醇、1，6-己二醇、1,2-環己二曱醇、1，3-環己二曱醇、1，4-環己二曱醇、二甘醇、三甘醇、聚亞烷基二醇、2，2，-雙(4，-P-羥基乙氧基苯基)丙烷等，其中，可以優選使用乙二醇、1，4-丁二醇、1,4-環己二曱醇、二甘醇等，特別優選地可以使用乙二醇等。這些二醇成分可以僅使用一種，也可以將兩種以上並用。對於聚酯而言，既可以共聚有月桂醇、異氰酸苯酯等單官能化合物，也可以在不過度支化或交聯、聚合物實質上為線狀的範圍內共聚有苯偏三酸、苯均四酸、丙三醇、季戊四醇、2,4-二羥苯甲酸等三官能化合物等。此外，除了酸成分、二醇成分以外，還可以進一步地以不損害本發明效果的程度的少量，使對羥基苯甲酸、間羥基苯甲酸、2，6-羥基萘甲酸等的芳香族羥基羧酸和對氨基苯酚、對氨基苯曱酸等參與共聚。作為聚酯，優選聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。另夕卜，可以是它們的共聚物和改性物，也可以是與其他的熱塑性樹脂的聚合物合金。這裡所說的聚合物合金，是指高分子多成分系，既可以是通過共聚而形成的嵌段共聚物，又可以是通過混合等而形成的聚合物混合物。特別是上述聚酯樹脂與聚醯亞胺系樹脂的聚合物合金，由於能夠通過混合比例來控制耐熱性(玻璃轉變溫度)，因此能夠進行與使用條件相應的聚合物設計，因此是優選的。聚合物的混合比例可以使用NMR法(核磁共振法)、顯微FT-IR法(傅立葉變換顯微紅外光鐠法)進行調查。作為聚醯亞胺系樹脂，優選例如含有由下述通式所示的結構單元的聚醯亞胺系樹脂。formulaseeoriginaldocumentpage12其中，式中的W表示選自formulaseeoriginaldocumentpage13formulaseeoriginaldocumentpage14等的脂肪族烴基、脂環族烴基、芳香族烴基之中的一種或兩種以上的基。另外，式中的W表示選自formulaseeoriginaldocumentpage15等的脂肪族烴基、脂環族烴基、芳香族烴基之中的一種或兩種以上的基。從熔融成型性和與聚酯的親合性等的觀點來看，特別優選由下述通式所示的、在聚醯亞胺構成成分中含有醚鍵的聚醚醯亞胺。formulaseeoriginaldocumentpage16(其中，上述式中113是有6~30個碳原子的2價的芳香族或脂肪族殘基，R4是選自有6~30個碳原子的2價的芳香族殘基、有2~20個碳原子的亞烷基、有2~20個碳原子的環亞烷基、和由有28個碳原子的亞烷基進行鏈終止的聚二有機矽氧烷基之中的2價有機基。)作為上述R3、R4，例如可以列舉下述式群所示的芳香族殘基。formulaseeoriginaldocumentpage16在本發明中，從與聚酯的親合性、成本、熔融成型性等的觀點來看，優選2，2-二[4-(2,3-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐、與間苯二胺或對苯二胺的縮合物的、具有由下述式所示的重複單元的聚合物。formulaseeoriginaldocumentpage17(n是2以上的整數，優選為2050的整數)該聚醚醯亞胺，能夠以"々/^亍厶"(註冊商標)的商品名從-一一一7°，7千、_y夕7^>司購得。在本發明中，聚酯薄膜優選為2層以上的疊層構成。特別是本發明的支持體，由於用於磁記錄介質，因此對於一個表面，要求用於獲得優異的電磁轉換特性的平滑度，對於另一個表面，要求用於在制膜和加工工序中的輸送、和賦予^f茲帶的行走性和行走耐久性的粗糙度。因此，優選將聚酯薄膜形成為2層以上的疊層構成。在聚酯薄膜中，為了對其表面賦予易滑性和耐磨性、耐擦劃性等，也可以添加有無機粒子、有機粒子，例如，粘土、雲母、氧化鈦、碳酸4丐、高嶺土、滑石、溼式二氧化矽、乾式二氧化矽、膠體狀二氧化矽、磷酸釣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鋯等的無機粒子，以丙烯酸類、苯乙烯系樹脂、熱固化樹脂、矽氧烷、醯亞胺系化合物等為構成成分的有機粒子，以及由於在聚酯聚合反應時添加的催化劑等而析出的粒子(所謂的內部粒子)等。粒子的粒徑可以通過TEM等來調查，粒子的添加量可以通過X射線顯微:分析儀和熱分解氣相色譜質量分析等來調查。在本發明中，作為支持體的厚度可以根據用途來適當決定，但在通常的磁記錄介質用途中，優選為27fim。該厚度小於2jim時，在形成磁帶時有時電磁轉換特性降低。另一方面，該厚度大於7fim時，每一巻磁帶的磁帶長度變短，因此有時磁帶的小型化、高容量化變得困難。因此，在為高密度磁記錄介質用途的場合，厚度的下限優選為3pm，更優選為化m,上限優選為6.5jim，更優選為6jim。作為更優選的範圍，為36.5jim，作為進一步優選的範圍，為46fim。另外，構成本發明的支持體的聚酯薄膜的厚度優選為2~6^im。該厚度小於2nm時，在形成磁帶時，磁帶沒有挺度，因此有時電磁轉換特性降低。聚酯薄膜的厚度的下限更優選為3pm,進一步優選為化m。另一方面，聚酯薄膜的厚度大於6nm時，每一巻磁帶的磁帶長度變短，因此有時磁帶的小型化、高容量化變得困難。聚酯薄膜的厚度的上限更優選為5.8jim，進一步優選為5.6jim。作為更優選的範圍，為35.8jim，作為進一步優選的範圍，為4~5.6jmi。上述的本發明的磁記錄介質用支持體例如可以如以下那樣製造。首先，製造構成支持體的聚酯薄膜。製造聚酯薄膜時，例如使用擠出機將聚酯的粒料熔融，從模噴出後，冷卻固化，形成為片狀。此時，為了除去聚合物中的未熔融物，優選通過纖維燒結不鏽鋼金屬過濾器來過濾聚合物。另外，為了對聚酯薄膜的表面賦予易滑性和耐磨性、耐擦劃性等，也優選添加無機粒子、有機粒子，例如，粘土、雲母、氧化鈦、碳酸鈣、高呤土、滑石、溼式二氧化矽、乾式二氧化矽、膠體狀二氧化矽、磷酸銱、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鋯等的無機粒子，以丙烯酸類、苯乙烯系樹脂、熱固化樹脂、矽氧烷、醯亞胺系化合物等為構成成分的有機粒子，以及由於在聚酯聚合反應時添加的催化劑等而析出的粒子(所謂的內部粒子)等。此外，在不妨礙本發明的範圍內，可以添加各種添加劑，例如相容劑、增塑劑、耐氣候劑、抗氧化劑、熱穩定劑、潤滑劑、抗靜電劑、增白劑、著色劑、導電劑、晶核劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、阻燃助劑、顏料、染料等。接著，將上述片在縱向和橫向進行雙軸拉伸之後，進行熱處理。拉伸工序沒有特別的限制，但優選在各方向上分成兩個階段以上進行。即，進行再縱向拉伸、再橫向拉伸的方法，容易獲得最適合作為高密度記錄的磁帶的高強度薄膜，因此是優選的。作為拉伸形式，包括在縱向拉伸後，在橫向進行拉伸等的逐次雙軸拉伸法；使用同時雙軸拉伸拉幅機等在縱向和橫向同時拉伸的同時雙軸拉伸法；以及，將逐次雙軸拉伸法和同時雙軸拉伸法組合的方法等。特別優選使用同時雙軸拉伸法。與逐次雙軸拉伸法相比，同時雙軸拉伸法在制膜工序中，晶體在縱向、橫向均勻地生長，因此容易穩定地以高倍率拉伸。另外，這裡所說的同時雙軸拉伸，是包括同時進行縱向和橫向的拉伸的工序的拉伸方式。未必需要在全部的區間中縱向和橫向同時被拉伸，可以是縱向的拉伸先開始，從其中途也在橫向進行拉伸(同時拉伸)、縱向的拉伸先結束，末了只在橫向進行拉伸的方式。作為拉伸裝置，例如可優選例舉出同時雙軸拉伸拉幅機等，其中，線性電動機驅動式的同時雙軸拉伸拉幅機作為無破裂地對薄膜進行拉伸的方法是特別優選的。接著，在如上述那樣所得的聚酯薄膜的兩面設置含有金屬系氧化物的層(M層)。此時，為了使總光線透過率和表面電阻率的值在上述範圍，控制金屬系氧化物的氧化條件。作為M層的形成方法，可以使用物理蒸鍍法、化學蒸鍍法。對聚酯薄膜進行的物理蒸鍍法有真空蒸鍍法、濺射法，特別是從氧化度的易控制度來看，優選真空蒸鍍法，進一步優選可進一步進行金屬蒸氣的高能量化的電子束蒸鍍法。為了控制構成M層的金屬系氧化物的氧化度，基本上需要控制金屬蒸發量和氧氣導入量。如果金屬蒸發量一定，則當減少氧氣導入量時，氧化度就變低，當增加氧氣導入量時，氧化度就變高。相反地，如果氧氣導入量一定，則當減少金屬蒸發量時，氧化度就變高，當增加金屬蒸發量時，氧化度就變低。此時，優選氧氣從蒸鍍源的正側面沿與金屬蒸氣流動的方向相同的方向供給。通過沿與金屬蒸氣流動的方向相同的方向供給，由氧氣所導致的金屬蒸氣的紊亂變小，容易控制成所期望的厚度和氧化度。另外，由於氧氣與金屬蒸氣的反應空間變大，因此在到達聚酯薄膜上之前氧化反應完成，能夠製得穩定的、沒有結構缺陷的蒸鍍膜，尺寸穩定性提高。在離冷卻鼓較近的一般的氧供給噴嘴位置(圖3、124),氣體流與金屬蒸氣垂直地碰撞，因此難以控制成所期望的厚度，特別是厚膜化變得困難。此外，由於反應空間變小，因此金屬原子在不完全的氧化反應中到達聚酯薄膜，因此成為不完全的結構，使尺寸穩定性惡化。除此以外，由於在聚酯薄膜上的堆積初始的部分和堆積末尾的部分具有氧供給噴嘴，因此容易成為在與聚酯薄膜的界面、M層的表面，氧濃度變高的層結構。如果M層中存在不同組成的層，則結構容易混亂，存在尺寸穩定性降低的傾向。相反地，本申請中進行氧供給的噴嘴的位置為必然地遠離冷卻鼓的方向，因此未反應的氧氣充滿艙室內，容易使減壓度降低，另外，為了使坩鍋內的熔融金屬的表面氧化，通常不被採用。特別是在形成50nm以下的薄的膜時，由於金屬蒸氣量少，因此問題變得顯著，精細的氧化度控制變得困難。但是，在本申請中，由於在50nm以上的厚膜的情形下進行氧化度控制，因此金屬蒸氣量多，與氧氣充分地反應，不會發生降低減壓度的未反應的氧氣。另外，由於在坩鍋表面熔融、蒸發馬上進行，因此能夠避免表面氧化的問題。由於氧化度越高，總光線透過率越大，因此可以通過調整蒸鍍時的氧氣導入量、氧氣供給噴嘴的位置、金屬成分的蒸發量、薄膜輸送速度來控制。具體地講，在提高氧化度、提高總光線透過率的場合，通過下述那樣的操作來進行控制增加氧氣導入量從而使能夠反應的氧氣增加；在容易反應的位置設置氧氣供給噴嘴的位置，從而容易推進反應；減少金屬成分的蒸發量，提高氧濃度；減慢薄膜輸送速度，延長反應時間。特別是氧氣導入量的影響很大。由於氧化度越高，表面電阻率也越大，因此與總光線透過率同樣地，可以通過調整蒸鍍時的氧氣導入量、氧氣供給噴嘴的位置、金屬成分的蒸發量、薄膜輸送速度來控制。特別是金屬的蒸發量、薄膜輸送速度的影響很大。總光線透過率、表面電阻率與M層內的金屬元素濃度存在相關性，但即使金屬元素濃度相同，也會根據金屬原子的鍵合狀態而變化。特別是金屬-金屬鍵的存在比發揮影響。另外，為了使支持體的表面的中心線平均粗糙度Ra在上述範圍內，可以通過改變聚酯薄膜的表面粗糙度來控制。通過改變金屬成分的種類、M層的膜厚、氧化度也能夠進行控制。聚酯薄膜的表面粗糙度可以通過增大惰性粒子的粒徑、或增加添加量來使之變粗糙。如果使表面變粗糙，則支持體表面的中心線平均粗糙度Ra也變大。另外，通過使M層的膜厚變厚，支持體表面的中心線平均粗糙度Ra也變大。如果使M層的厚度變厚，則M層的結構容易成為柱狀結構，其結果，局部地堆積生長的柱狀結構4吏表面變粗糙。此外，如上所述，通過提高氧化度，也可以使支持體表面的中心線平均粗糙度Ra增大。其中，M層的厚度的影響很大。支持體的溼度膨脹係數可以通過M層的金屬成分的種類、厚度、氧化度、金屬元素濃度、金屬原子的鍵合狀態等來控制。支持體的縱向的楊氏模量基本由聚酯薄膜的縱向的楊氏模量決定。另一方面、支持體的橫向的楊氏模量也基本上由聚酯薄膜的橫向的楊氏模量決定。因此，控制聚酯薄膜的縱向、橫向的楊氏模量即可。聚酯薄膜的楊氏模量可以通過拉伸倍率和拉伸溫度來控制。基本上，如果提高總面積拉伸倍率、降低拉伸溫度，則製造的聚酯薄膜的楊氏模量也變高。另外，支持體的楊氏模量也可以通過構成M層的金屬成分的種類、M層的厚度、氧化度來控制。通過提高M層本身的強度、使膜厚增厚，可以提高支持體的楊氏模量。支持體的溼度膨脹係數和楊氏模量會給磁記錄介質的尺寸穩定性帶來影響。特別是溼度膨脹係數的影響很大。即，M層的組成控制對於尺寸穩定性提高來說是極為重要的。此外，在本發明中，對於聚酯薄膜和使用該聚酯薄膜得到的支持體，可以根據需要進行熱處理、微波加熱、成型、表面處理、層壓、塗布、印刷、壓花加工、蝕刻等的任意加工。以下，對於本發明的支持體的製造方法，以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)作為聚酯的例子為代表例進行說明。當然，本申請並不限於使用PET薄膜的支持體，也可以是使用其他聚合物的支持體。例如，在使用玻璃轉變溫度或熔點高的聚2，6-萘二曱酸乙二醇酯等構成聚酯薄膜的場合，在比以下所示的溫度高的溫度下進行擠出或拉伸即可。首先，準備聚對苯二甲酸乙二醇酯。聚對苯二曱酸乙二醇酯可採用下21述任一工藝製造。即，所述工藝為(1)以對苯二曱酸和乙二醇為原料，通過直接酯化反應，得到低分子量的聚對苯二甲酸乙二醇酯或低聚物，再通過隨後的使用三氧化銻、鈦化合物作為催化劑的縮聚反應，得到聚合物；(2)以對苯二甲酸二甲酯和乙二醇為原料，通過酯交換反應得到低分子量物，再通過隨後的使用三氧化銻、鈦化合物作為催化劑的縮聚反應，得到聚合物。在此，酯化在無催化劑下也可以進行反應，但在酯交換反應中，通常使用錳、鈣、鎂、鋅、鋰、鈦等的化合物作為催化劑來進行，另外，酯交換反應實質上結束後，有時出於將該反應所用的催化劑惰性化的目的，添力口磷^:合物。在使構成薄膜的聚酯中含有惰性粒子的場合，優選使惰性粒子以規定的比例以漿液的形式分散在乙二醇中，在聚合時添加該乙二醇的方法。添加惰性粒子時，例如，如果在惰性粒子合成時得到的水溶膠、醇溶膠狀態的粒子並不使其先乾燥就將其添加，則粒子的分散性好。另外，將惰性粒子的水漿直接與PET粒料混合,使用排氣式雙軸混煉擠出機混煉到PET中的方法也有效。作為調節惰性粒子的含量的方法，採用上述方法製作高濃度的惰性粒子的母粒料，在制膜時，將其用實質上不含惰性粒子的PET進行稀釋，來調節惰性粒子的含量的方法是有效的。接著，將所得的PET粒料在180。C下減壓乾燥3個小時以上後，在氮氣流下或減壓下供給至被加熱至270~320。C的擠出機使得特性粘度不降低，從狹縫狀的才莫擠出，在流延輥上冷卻，得到未拉伸薄膜。此時，為了除去異物和變性聚合物，優選使用各種過濾器，例如由燒結金屬、多孔性陶瓷、砂、金屬網等材料製成的過濾器。另外，根據需要，為了提高定量供給性，可以設置齒輪泵。在將薄膜層疊的場合，使用2臺以上的擠出機和岐管或合流塊，將多種不同的聚合物熔融層疊。接著，將該未拉伸薄膜導入同時雙軸拉伸拉幅機中，在縱向和橫向同時進行雙軸拉伸。拉伸速度優選在縱向、橫向上均在100~20，000%/分鐘的範圍進行。更優選為500~10，000%/分鐘、進一步優選為2,000~7，000%/分鐘。拉伸速度小於100%/分鐘時，薄膜遭受熱的時間延長，因此特別是邊緣部分結晶化，成為拉伸破裂的原因，制膜性降低，不能充分進行分子取向，有時製造的薄膜的楊氏模量降低。另外，在大於20，000%/分鐘的場合，在拉伸的時刻容易生成分子間的絡合，拉伸性降低，有時難以進行高倍率的拉伸。另外，第1階段的拉伸溫度根據所使用的聚合物的種類不同而不同，但可以將未拉伸薄膜的玻璃轉變溫度Tg確定為目標。縱向和橫向各自的第1階段的拉伸工序中的溫度優選為TgTg+30。C的範圍，更優選為Tg+5°C~Tg+20°C。拉伸溫度低於上述範圍時，較多地發生薄膜破裂，生產率降低，再拉伸性降低，有時高倍率地穩定地拉伸變得困難。另外，拉伸溫度高於上述範圍時，特別是邊緣部分結晶化，成為拉伸破裂的原因，制膜性降低，不能充分進行分子取向，有時製造的薄膜的楊氏模量降低。拉伸倍率根據所使用的聚合物的種類、拉伸溫度不同而不同，另外，多階段拉伸的場合也不同，但優選總面積拉伸倍率(總縱拉伸倍率x總橫拉伸倍率)在20~40倍的範圍。更優選為25~35倍。作為縱向、橫向的一個方向的總拉伸倍率，優選為2.5~8倍，更優選為37倍。拉伸倍率小於上述範圍的場合，會產生拉伸不勻等，有時薄膜的加工適合性降低。另外，拉伸倍率大於上述範圍的場合，會較多地發生拉伸破裂，有時生產率降低。另外，對於各方向，以多階段進行拉伸的場合，第l階段的縱向、橫向各自的拉伸倍率優選為2.5~5倍，更優選為3~4倍。另外，第l階段中的優選的面積拉伸倍率為8~16倍，更優選為914倍。這些拉伸倍率的值特別是在採用同時雙軸拉伸法的場合為很合適的值，但即使逐次雙軸拉伸法液能夠適用。本發明的聚酯薄膜的製造方法包括多階段拉伸，即再拉伸工序的場合，第2階段的拉伸溫度優選為Tg+40°C~Tg+120。C，進一步優選為Tg+60°C~Tg+100°C。(再者，進行3個階段的拉伸的場合，作為第2階段的拉伸溫度，規定為在上述溫度範圍中比較低的拉伸溫度為好)。拉伸溫度在上述範圍以外的場合，有時由於熱量不足或結晶化過度進行，會較多地發生薄膜破裂，生產率降低，不能充分提高取向，強度降低。此外，在進行第3階段的拉伸的場合，優選第3階段的拉伸溫度比第2階段的拉伸溫度高，比後述的熱處理的溫度低。另外，若進行第3階段的拉伸，則楊氏模量、熱尺寸穩定性容易提高。另外，進行再拉伸的場合的一個方向的拉伸倍率優選為1.05~2.5倍，更優選為1.2~1.8倍。作為再拉伸的面積拉伸倍率，優選為1.4~4倍，更優選為1.93倍。此外，在進行第3階段的拉伸的場合，第3階段的拉伸倍率(一個方向)優選為1.05~1.2倍，面積拉伸倍率優選為1.1~1.4。接著，一邊將該拉伸薄膜在張緊下或在橫向鬆弛一邊進行熱處理。熱處理條件根據聚合物的種類不同而不同，但熱處理溫度優選為150°C~230°C，熱處理時間優選為0.5~10秒的範圍從而進行。此外，為了提高蒸鍍適合性，優選在熱處理溫度為160°C190'C的比較低的溫度下進行，熱處理時間也優選為0.5~2秒的較短時間從而進行。由此，聚酯薄膜在冷卻鼓上的粘附性提高，能夠避免因熱而導致的褶皺和破裂等。另外，優選所製作的聚酯薄膜在低溼度的環境下保存以避免吸收水分。優選輸送時等也儘可能防止吸溼的包裝。原因是聚酯薄膜的吸溼在形成M層時會造成不良影響。接著，對在如上述那樣得到的聚酯薄膜的兩面設置含有金屬系氧化物的層(M層)的方法進行說明。為了在聚酯薄膜表面形成M層，使用例如圖2所示的真空蒸鍍裝置。在該真空蒸鍍裝置11中，在真空室12的內部聚酯薄膜從放巻輥部13經由冷卻鼓16向巻繞輥部18行走。此時，在利用由電子槍20照射出的電子束21將坩鍋23內的金屬材料19加熱使其蒸發的同時，從氧供給噴嘴24導入氧氣，一邊使蒸發的金屬進行氧化反應，一邊在冷卻鼓16上的聚酯薄膜上蒸鍍。本發明由於在兩表面需要M層，因此在一個表面(第l面)蒸鍍金屬系氧化物後，從巻繞輥部18卸下單面蒸鍍的聚酯薄膜，將其安置在放巻輥部13上，同樣地在相反側的表面(第2面)蒸鍍金屬系氧化物。另外，該真空蒸鍍裝置11，在作為蒸鍍源的坩鍋23的正側面設置氧供給噴嘴24，以便能夠容易地控制氧化度，並且，使金屬蒸氣和氧氣沿相同的方向流動。其結果，金屬蒸氣與氧氣的反應空間變大。在此，優選真空室12的內部減壓至1.0xl(T8~1.0xl02Pa。進而，為了形成緻密、劣化部分少的M層，優選減壓至1.0xl0"1.0xl0"Pa。冷卻鼓16，優選其表面溫度在-4060。C的範圍內。更優選為-35~30°C，進一步優選為-300。C。電子束21，優選其輸出功率在2.0~8.0kW的範圍內從而進行。更優選為3.0-7.0kW，進一步優選為4.0~6.0kW的範圍內。另外，也可以通過直接加熱坩鍋來將金屬材料19加熱使其蒸發。氧氣是使用氣體流量控制裝置26，以0.510L/分鐘的流量向真空室12內部導入的。更優選為1.5~817分鐘，進一步優選為2.05L/分鐘。真空室12的內部的聚酯薄膜的輸送速度優選為20200m/分鐘。更優選為30100m/分鐘，進一步優選為4080m/分鐘。輸送速度低於20m/分鐘的場合，為了控制成上述的M層厚度，需要使金屬的蒸發量相當小。因此，氧氣導入量也需要減少，因此氧化度的控制變得非常難。當輸送速度大於200m/分鐘時，與冷卻鼓的接觸時間變短，因此會發生由熱所引起的破裂和褶皺，生產率受到損害。另外，金屬蒸氣和氧氣容易在不充分的反應狀態下成膜，氧化度的控制變難。真空室12的內部的聚酯薄膜的輸送張力優選為50~150N/m。更優選為70120N/m,進一步優選為80~100N/m。但是，優選在進行笫2面的蒸鍍時輸送張力比第1面弱。優選笫2面的輸送張力比第1面的輸送張力低530N/m,更優選低725N/m,進一步優選低10~20N/m。這是由於，在進行第l面的蒸鍍時，聚酯薄膜受到熱負荷喪失要收縮的力，因此如果在進行第2面的蒸鍍時使其以與第1面相同的輸送張力行走，則會發生由熱所引起的破裂和褶皺，生產率受損。此外，在聚酯薄膜的表面粗糙度根據表面不同而不同的場合，優選先蒸鍍粗糙的一方的表面。這是由於在進行第2面的蒸鍍時可提高對冷卻鼓的粘附性的緣故。蒸鍍既可以一個面一個面地進行，又可以通過l個工序對兩面進4亍。蒸鍍後，為了使M層穩定，提高緻密性，優選使真空蒸鍍裝置內返回至常壓，將巻繞的薄膜重巻。特別是，為了減少未鍵合原子而進行加溼重巻，會使水蒸氣與M層接觸的機會增多因此是優選的。加溼重巻優選在20~40°C、60~80%RH的條件下進行。進而優選在20~50。C的溫度下、老化1~3天，進一步優選在溼度60%以上的不結露的程度的環境下進行老化。接著，對製造磁記錄介質的方法進行說明。將如上述那樣得到的磁記錄介質用支持體縱切成例如0.1~3m寬，一邊以速度20~300m/分鐘、張力50~300N/m輸送，一邊通過擠出塗布機在一個表面(A)上疊層塗布》茲性塗料和非磁性塗料。再者，在上層以0.1~0.3jim的厚度塗布磁性塗料，在下層以0.5~1.5nm的厚度塗布非磁性塗料。然後，使塗布有磁性塗料和非磁性塗料的支持體進行磁取向，在溫度80130。C下使其乾燥。接著，在相反側的表面(B)上以0.3~0.8nm的厚度塗布背塗層，壓延處理後，進行巻繞。再者，壓延處理是使用小型試驗壓延機裝置(鋼/尼龍輥、5段)，在溫度70120。C、線壓力0.5~5kN/cm下進行。然後，在6080'C下老化處理2472小時，縱切成l/2英寸(1.27cm)的寬度，製作薄餅狀物。接著，由該薄餅狀物將特定長度的部分裝入盒中，形成為盒式磁帶型磁記錄介質。在此，磁性塗料等的組成可以列舉例如以下的組成。(磁性塗料的組成)-強磁性金屬粉末100重量份-改性氯乙烯共聚物IO重量份-改性聚氨酯IO重量份■聚異氰酸酯5重量份,油酸2-乙基己酯1.5重量份-棕櫚酸l重量份■炭黑l重量份■氧化鋁IO重量份曱乙酮75重量份曱苯背塗層的組成)■炭黑(平均粒徑20nm)-炭黑(平均粒徑280nm)■氧化鋁■改性聚氨酯■改性氯乙烯共聚物環己酮:75重量份:75重量份95重量份10重量份0.1重量份環己酮曱乙酮甲苯:20重量份:30重量份200重量份300重量份100重量份磁記錄介質可以很合適地用於例如數據記錄用途，具體地用於計算機數據的備份用途(LT04和LT05等)和影像等的數字圖像的記錄用途。(物性的測定方法和效果的評價方法)本發明中的特性值的測定方法和效果的評價方法如下。例如，為了從磁帶中取出本申請的支持體，使用甲乙酮，擦拭剝離磁性層、背塗層從而能夠進行評價。(1)M層的厚度在下迷條件下il行截面觀察，算出所得的總計為9點的厚度[nm]的平均值，作為M層的厚度[nm]。測定裝置透射電鏡(TEM)日立製造的H-7100FA型測定條件加速電壓100kV測定倍率20萬倍試樣製備超薄膜切片法觀察面TD-ZD截面測定次數每1個糹見場測定3點，對3個視場進行測定。(2)成分分析在下述條件下，進行深度方向的組成分析。將碳濃度超過50at。/。的深度作為M層與聚酯薄膜的界面，從表層到界面等分地分割成5部分，以各個區間的中心點作為測定點，進行組成分析。由所得的各測定點的組成算出平均值，作為本發明中的平均組成。測定裝置X射線光電子能譜儀Quantera-SXM美國PHI公司制激勵X射線單色的(monochromatic)AlKal，2射線(1486.6eV)X射線徑100[jim]光電子逸出角度45°光柵區域2x2[mm〗Ar離子蝕刻2.0[kV]1.5xl(T7[Torr]濺射速度3.68nm/分鐘(Si20換算值)數據處理9-點平滑(pointsmoothing)由峰的鍵能值獲得元素信息，使用各峰的面積比對組成進行定量化(at.%)。此外，金屬元素的峰根據鍵合狀態(金屬-氧、金屬-氫氧基、金屬-金屬等)可以分為各個鍵合狀態的峰，由各個鍵合狀態的峰的面積比，可以對鍵合狀態的存在比進行定量化[at.%]。例如，M層的金屬成分為鋁時，可以分成金屬鍵(A1-Al)、鋁-氧鍵(Ah03)、鋁-氧-氫氧基鍵(AIOOH)、鋁-氫氧基鍵(Al(OH)3)這4種。本申請的與氫氧基鍵合的鋁的存在比為第4種的鋁-氫氧基鍵(Al(OH)3)的存在比。另外，對於鍵合狀態的峰劃分，可以參考B.VincentCrist著單色XPS光譜手冊(HandbookofMonochromaticXPSSpectra)(2000年10月、Wiley社發行)來進行。(3)總光線透過率依據JIS-K7105(1981),使用下述測定裝置進行測定。5次的測定結果的平均值作為本發明的總光線透過率。測定裝置直讀式濁度儀HGM-2DP(C光源用)7力'試驗機公司制光源卣燈12V、50W受光特性395~745nm測定環境溫度23°C溼度65%RH測定次數測定5次。(4)表面電阻率根據表面電阻率的範圍不同，能夠測定的裝置也不同，因此，首先用i)方法進行測定，表面電阻率過低、不能測定的樣品用ii)方法測定。5次測定結果的平均值作為本發明的表面電阻率。i)高電阻率測定依據JIS-C2151(19卯)，使用下述測定裝置測定。測定裝置數字超高電阻/微小電流計R83407K,乂亍7卜(株)製造施加電壓100V施加時間10秒測定單位n測定環境溫度23。C溼度65。/。RH測定次數測定5次。ii)低電阻率測定依據JIS-K7194(1994),使用下述測定裝置測定。測定裝置口l/7夕一EPMCP-T360三菱化學公司製造測定環境溫度23。C溼度65。/。RH測定次數測定5次。(5)中心線平均粗糙度Ra使用觸針式表面粗糙度計，在下述條件下，測定中心線平均粗糙度Ra。在薄膜橫向掃描20次，進行測定，所得的結果的平均值作為本發明的中心線平均粗糙度Ra。測定裝置小坂研究所製造的高精度薄膜臺階高差測定器ET-IO觸針端頭半徑0.5pm觸針載荷5mg測定長度lmm截止值0.08mm測定環境溫度23T:溼度65。/。RH(6)溼度膨脹係數在下述條件下進行測定，3次的測定結果的平均值作為本發明的溼度膨脹係數。測定裝置大倉,乂夕"7卜]J一製造的帶拉伸試驗機試樣尺寸寬度10mmx試驗長度200mm載荷10g測定次數3次測定溫度30°C測定溼度在40%RH下保持6小時，測定尺寸，在升溼速度l[%RH/分鐘]下，升溼至80%RH，在80%RH下保持6小時後，測定尺寸變化量AL[mm]。由下述式算出溼度膨脹係數[ppm/。/0RH]。溼度膨脹係數[ppm/%RH]=106x{(AL/200)/(80-40)}(7)楊氏模量依據ASTM-D882(1997)測定。再者，使用了內向式(instrontype)的拉伸試驗機，條件如下述所示。5次的測定結果的平均值作為本發明的楊氏模量。測定裝置才U工y亍、乂夕(林)製造的薄膜強伸度自動測定裝置"於、>口yAMF/RTA-100"試樣尺寸寬度lOmmx試驗長度100mm拉伸速度200mm/分鐘測定環境溫度23。C、溼度65。/。RH測定次數測定5次，由平均值算出。(8)特性粘度由在鄰氯苯酚中、25t:下測定的溶液粘度，基於下式計算得到。-=h+K["l2xC其中，T]sp=(溶液粘度/溶劑粘度)-1，C為每100ml溶劑中的溶解聚合物重量(g/100ml,通常為1.2),K為赫金常數(定為0.343)。另外，溶液粘度、溶劑粘度使用奧斯特瓦爾德粘度計測定。(9)玻璃轉變溫度(Tg)在下述裝置和條件下進行比熱測定，按照JISK7121(1987)來確定。裝置TAInstrument公司製造的溫度調製DSC測定條件加熱溫度270~570K(RCS冷卻法)溫度校正高純度銦和錫的熔點溫度調製振幅±1K溫度調製周期60秒升溫步幅(step):5K試樣重量5mg試樣容器鋁製開放型容器(22mg)參照容器鋁製開放型容器(18mg)另外，玻璃轉變溫度根據下述式算出。玻璃轉變溫度-(外推玻璃轉變開始溫度+外推玻璃轉變終了溫度)/2(10)抗裂性使用拉伸試驗機，以某個特定的延伸量進行拉伸後，使用微分幹涉顯微鏡觀察表面狀態。條件如下所示。拉伸試驗機測定裝置才!i工乂亍:y夕(株)制的薄膜強伸度自動測定裝置"亍y、:/口/AMF/RTA-100"試樣尺寸寬度10mmx試驗長度100mm、拉伸速度10%/分鐘拉伸延伸率0.5%~10%(在達到規定的延伸率的時刻，使拉伸試驗機停止)測定環境溫度23'C、溼度65。/。RH微分幹涉顯微鏡測定裝置，Y力DMLBHC，Y力7^f夕口V7亍厶X(林)製造觀察倍率1000倍製作延伸率為0.9%的樣品，隨意地觀察10個視場，觀察到8個部位以上的裂紋時，記為有裂紋。沒有裂紋時增大延伸率，進行觀察直到可以觀察到產生裂紋的延伸率的樣品，採用以下的基準評價抗裂性。x為不合格。◎:在延伸率為5%以上時產生了裂紋的情形O:在延伸率為2%以上且小於5%時產生了裂紋的情形△:在延伸率為1%以上且小於2%時產生了裂紋的情形x:在延伸率小於1%時產生了裂紋的情形(11)寬度尺寸測定以張力20kg/m輸送被切成lm寬度的支持體，採用擠出塗布機在支持層為磁性塗料，塗布厚度為0.2nm，下層為非磁性塗料，塗布厚度為0.9fim)，使其進行^茲取向，並使其在乾燥溫度IO(TC下乾燥。接著，在相反側的表面(B)上塗布下述組成的背塗層後，用小型試驗壓延機裝置(鋼/尼龍輥，5段)在溫度85°C、線壓力200kg/cm的條件下進行壓延處理後，進行巻繞。將上述巻筒帶切成l/2英寸(1.27cm)的寬度，製成薄餅狀物。接著，從該薄餅狀物中切取長度200m的部分裝入盒中製成盒式磁帶。(磁性塗料的組成)■強》茲性金屬粉末100重量份〔Fe:Co:Ni:Al:Y:Ca=70:24:1:2:2:1(重量比)〕〔長軸長0.09jim、軸比6、頑磁力153kA/m(19220e)、飽和磁化146Am2/kg(146emu/g)、BET比表面積:53m2/g、X射線粒徑:15nm〕.改性氯乙烯共聚物(粘合劑)IO重量份(平均聚合度280、環氧基含量3.1重量％、磺酸基含量8xl0-s當量/g)■改性聚氨酯(粘合劑)10重量份(數均分子量:25，000、磺酸基含量1.2xl(T4當量/g、玻璃轉變點45'C)■聚異氰酸酯(固化劑)5重量份^名)(日本聚氨酯工業(林)制的〕口氺一卜L(商口口，■油酸2-乙基己酯(潤滑劑)1.5重量份■棕櫚酸(潤滑劑)l重量份■炭黑(抗靜電劑)l重量份(平均一次粒徑:0.018fim)■氧化鋁(研磨劑)(a-氧化鋁、平均粒徑0.18nm)曱乙酮■環己酮■曱苯(非磁性塗料的組成)■改性聚氨酯IO重量份(數均分子量25,000、磺酸基含量1.2xl(T4當量/g、玻璃轉變點45°C)■改性氯乙烯共聚物IO重量份l重io重量份75重量份75重量份75重量份(平均聚合度280、環氧基含:■甲乙酮■環己酮-甲苯3.1重量％、磺酸基含量8xl(T5當量/g)75重量份75重量份75重量份5重量份■聚異氰酸酯(日本聚氨酯工業(林)製造的〕口氺一卜L(商品名))■油酸2-乙基己酯(潤滑劑)1.5重量份■棕櫚酸(潤滑劑)l重量份(背塗層的組成)■炭黑95重量份(抗靜電劑、平均一次粒徑0.018jim)■炭黑IO重量份(抗靜電劑、平均一次粒徑0.3jim),氧化鋁0.1重量份33(a-氧化鋁、平均粒徑0.18fim)■改性聚氨酯20重量份(數均分子量25,000、磺酸基含量1.2x10"當量/g、玻璃轉變點45°C),改性氯乙烯共聚物30重量份(平均聚合度280、環氧基含量3.1重量％、磺酸基含量8xl-5當量/g).環己酮200重量份■甲乙酮300重量份,甲苯100重量份從盒式磁帶的盒(cartridge)中取出帶，在下述恆溫恆溼槽內裝入如圖l那樣製作的薄片寬度測定裝置，進行寬度尺寸測定。另外，圖l所示的薄片寬度測定裝置是使用雷射測定橫向的尺寸的裝置，將磁帶9放置在從動輥5~8上並固定在載荷檢測器3上，在端部懸吊成為載荷的砝碼4。當對該磁帶9起振雷射10時，由雷射振蕩器1在橫向以線狀振蕩的雷射10僅被磁帶9的部分遮擋，並進入受光部2，測定該被遮擋的雷射的寬度作為》茲帶的寬度。3次的測定結果的平均值作為本發明中的所述寬度。測定裝置(株)7卞八工y-二7!;y夕、、公司制的薄片寬度測定裝置雷射振蕩器l、受光部2:雷射尺寸測定機年一工y只公司制LS-5040載荷檢測器3:口一Kir少NMB公司製造CBE1-10K恆溫恆溼槽(抹)力卜一公司制SE-25VL-A載荷4:砝碼(縱向)試樣尺寸寬度1/2英寸x長度250mm保持時間5小時測定次數測定3次。(寬度尺寸變化率)在兩種條件下分別測定寬度尺寸(U,1B),通過下述式算出尺寸變化率。採用以下基準評價尺寸穩定性。x為不合格。A條件10°C10%RH張力1.0NB條件29°C80%RH張力0.6N寬度尺寸變化率[ppm]=106x((1B-1A)/1A)◎:寬度尺寸變化率為0[ppm]以上且小於500[ppm]〇寬度尺寸變化率為500[卯m]以上且小於800[ppm]x:寬度尺寸變化率為800[ppm]以上(12)出錯率使用市售的IBM公司制LTO驅動器3580-Lll，在23°C50。/oRH的環境下，對在上述(11)中製作的盒式磁帶進行記錄和重現(記錄波長0.55jim)並評價。出錯率由從驅動器輸出的錯誤信息(錯誤比特數)根據下式算出。採用以下基準評價尺寸穩定性。x為不合格。出錯率=(錯誤比特數)/(寫入比特數)◎:出錯率小於l.Oxl(T6〇出錯率為l.Oxl(T6以上且小於l.Oxl(T5△:出錯率為l.OxlO-s以上且小於l.Oxl(T4x:出錯率為1.0xl0"以上實施例基於下述實施例，說明本發明的實施方式。另外，在這裡，將聚對苯二曱酸乙二醇酯表示為PET、將聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯表示為PEN。(參考例1)在酯交換反應裝置中裝入194重量份的對苯二曱酸二曱酯和124重量份的乙二醇，將內容物加熱至140。C並溶解。然後，一邊攪拌內容物，一邊加入0.1重量份的乙酸鎂四水物鹽和0.05重量份的三氧化銻，在140~230。C下一邊餾出曱醇一邊進行酯交換反應。接著，添加l重量份(作為磷酸三曱酯為0.05重量份)的磷酸三甲酯的5重量％的乙二醇溶液。一添加磷酸三甲酯的乙二醇溶液，反應內容物的溫度就降低。於是，一邊使剩餘的乙二醇餾出，一邊繼續攪拌直到反應內容物的溫度恢復到230°C。這樣地操作，酯交換反應裝置內的反應內容物的溫度一達到230°C，就將反應內容物轉移至聚合裝置中。轉移後，將反應體系從230。C慢慢升溫至2卯。C，同時將壓力降低至O.lkPa。直到到達最終溫度、最終壓力為止的時間均為60分鐘。到達最終溫度、最終壓力後，使其反應2小時(開始聚合3小時)，聚合裝置的攪拌轉矩顯示出規定的值(根據聚合裝置的規格不同具體的值也不同，但在本聚合裝置中，特性粘度為0.62的聚對苯二甲酸乙二醇酯顯示的值作為規定的值)。於是，將反應體系進行氮氣吹掃，返回到常壓，停止縮聚反應，以條帶狀排出到冷水中，立即切割，得到特性粘度0.62的聚對苯二曱酸乙二醇酯的PET粒料X。(參考例2)向加熱至280°C的同方向旋轉型的排氣式雙軸混煉擠出機供給在參考例1中製作的98重量份的PET粒料X和20重量份(作為球狀交聯聚苯乙烯為2重量份)的平均徑0.3jim的球狀交聯聚苯乙烯粒子的10重量％水漿，將排氣孔保持為lkPa以下的真空度，除去水分，得到含有2重量%的平均徑0.3nm的球狀交聯聚苯乙烯粒子的特性粘度為0.62的PET粒料Y。(參考例3)不使用平均徑0.3jim的球狀交聯聚苯乙烯粒子，而是使用平均徑0.8nm的球狀交聯聚苯乙烯粒子，除此以外，採用與參考例2同樣的方法，得到含有2重量％的平均徑0.8nm的球狀交聯聚苯乙烯粒子的特性粘度0.62的PET粒料Z。(參考例4)在100重量份2，6-萘二甲酸二甲酯與60重量份乙二醇的混合物中，添加0.03重量份的乙酸錳四水合物鹽，一邊從150。C的溫度緩緩升溫至240。C的溫度，一邊進行酯交換反應。在中途的、反應溫度達到170。C的時刻，添加0.024重量份三氧化銻。另外，在反應溫度到達220。C的時刻，添加0.042重量份(相當於2mmol%)的3，5-二^J^^t酸四丁基磷鹽。然後，接著進行酯交換反應，添加0.023重量份鱗酸三曱酯。接著，將反應生成物移至聚合裝置中，升溫至29(TC的溫度，在30Pa的高減壓下進行縮聚反應，聚合裝置的攪拌轉矩顯示出規定的值(根據聚合裝置的規格不同具體的值也不同，但在本聚合裝置中，特性粘度為0.65的聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯顯示的值為定值)。於是，將反應體系用氮氣吹掃，返回到常壓，停止縮聚反應，以條帶狀排出到冷水中，立即切割，得到特性粘度為0.65的聚2，6-萘二曱酸乙二醇酯粒料X，。(參考例5)向加熱到280。C的同方向旋轉型的排氣式雙軸混煉擠出機供給在參考例4中製作的98重量份的粒料X，和20重量份(作為球狀交聯聚苯乙烯為2重量份)的平均徑為0.3nm的球狀交聯聚苯乙烯粒子的10重量％的水漿，將排氣孔保持為lkPa以下的真空度，除去水分，得到含有2重量％的平均徑為0.3nm的球狀交聯聚苯乙烯粒子的特性粘度為0.65的PEN粒料Y，。(參考例6)不使用平均徑為0.3nm的球狀交聯聚苯乙烯粒子，而是使用平均徑為0.8nm的球狀交聯聚苯乙烯粒子，除此以外，採用與參考例5同樣的方法，得到含有2重量％的平均徑為0.8jim的球狀交聯聚苯乙烯粒子的特性粘度為0.65的PEN粒料Z，。(實施例1)使用兩臺擠出機M、N，並且將在參考例1、2中獲得的98重量份的PET粒料X、2重量份的PET粒料Y在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至被加熱至280。C的擠出機M中，同樣地，將在參考例1~3中得到的89.5重量份的PET粒料X、10重量份的PET粒料Y、和0.5重量份的PET粒料Z在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至,皮加熱至280。C的擠出機N中。為了進行兩層層疊將它們在T模中合流(疊層比M(A面)/N(B面)-7/1)，一邊對表面溫度25。C的流延鼓施加靜電荷，一邊進行粘附冷卻固化，製作出疊層未拉伸薄膜。使用具有線性電動機式夾子(clip)的同時雙軸拉伸拉幅機，對該疊層未拉伸薄膜進行雙軸拉伸。在縱向和橫向，同時在溫度90°C、拉伸速度6，000Q/。下進行3.5倍x3.5倍的拉伸，冷卻至70。C。接著，在溫度165。C下，在縱向和才黃向同時再拉伸至1.4x1.4倍。進而一邊在橫向進行1.05倍的拉伸，一邊在溫度175。C下進行1秒鐘的熱處理後，在橫向進行2%的鬆弛處理，製作出厚度為5nm的雙軸取向聚酯薄膜。製作的雙軸取向聚酯薄膜在25。C30。/。RH下保管。接著，將所得的聚酯薄膜放置在圖2所示的真空蒸鍍裝置11的放巻輥部13上，形成1.5xlO^Pa的真空度後，通過-20。C的冷卻鼓16,使聚酯薄膜以輸送速度60m/分鐘、輸送張力IOON進行行走。此時，採用電子束(輸出功率5.1kW)來加熱99.99重量％的鋁使其蒸發，再由設置在作為蒸發源的坩鍋23的正側面的氧供給噴嘴24，以2.0L/分鐘沿與金屬蒸氣相同的方向供給氧氣，在薄膜的B面側的層上形成氧化鋁的蒸鍍薄膜層(厚度100nm),進行巻繞。接著，除了使輸送張力為80N以外，同樣地在薄膜的A面側的層上設置氧化鋁的蒸鍍薄膜層。對兩面進行蒸鍍後，使真空蒸鍍裝置內返回到常壓，將巻繞的薄膜在25°C80%RH下加溼並重巻，在40。C的環境下老化2天，得到磁記錄介質用支持體。對所得的磁記錄介質用支持體進行評價，如表1~3所示，在聚酯薄膜的兩面具有氧化鋁層，蒸鍍膜厚、光線透射率和表面電阻率均在本發明的範圍內。另外，作為磁帶使用時尺寸變化率小，具有優異的特性。(實施例2)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為70m/分鐘、氧氣導入量改變為1.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為5.3kW，除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例3)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為90m/分鐘、氧氣導入量改變為3.2L/分鐘、電子束輸出功率改變為6.1kW,除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例4)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為30m/分鐘、氧氣導入量改變為6.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為3.8kW,除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例5)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為120m/分鐘、氧氣導入量改變為2.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為5.1kW，除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。另外，本實施例相對於實施例l來說，加快了輸送速度，但輸送速度一變快，則M層變薄，其結果，總光線透過率和表面比電阻變高。(實施例6)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為25m/分鐘、氧氣導入量改變為2.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為5.1kW，除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。另外，本實施例相對於實施例l來說，減慢了輸送速度，但輸送速度一變慢，則M層變厚，其結果，總光線透過率和表面比電阻變低。(實施例7)不使用兩臺擠出機，並且，將在參考例1~3中製得的89.5重量份PET粒料X、10重量份PET粒料Y和0.5重量份PET粒料Z在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至被加熱至280。C的擠出機M中，以單層製作了雙軸取向聚酯薄膜，除此以外，採用與實施例1同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例8)將雙軸拉伸時的拉伸倍率改變為第1階段2.0倍x3.5倍、第2階段1.2x1.4倍、第3階段在橫向上為1.05倍，除此以外，與實施例1同樣地製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例9)向加熱至290。C下的同方向旋轉型的排氣式雙軸混煉擠出機供給50重量。/。的在參考例1中製得的PET粒料X和50重量。/。的GEPlastics公司製造的聚醚醯亞胺"Ulteml010"(特性粘度0.68)粒料，製作出混合物片料(I)。使用兩臺擠出機M、N，並且將在參考例1、2中製得的88重量％的PET粒料X、2重量％的PET粒料Y和10重量％的混合物片料(I)在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至被加熱至295。C的擠出機M中，同樣地，將在參考例1~3中製得的79.5重量％的PET粒料X、10重量％的PET粒料Y、0.5重量％的PET粒料Z和10重量％的混合物片料(I)在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至被加熱至295。C的擠出機N中。為了進行兩層疊層，使其在T模中合流(疊層比M(A面側)/N(B面側)=5/1)，一邊對表面溫度25。C的流延鼓施加靜電荷，一邊進行粘附冷卻固化，製作出疊層未拉伸薄膜。使用具有線性電動機式夾子的同時雙軸拉伸拉幅機對該未拉伸薄膜進行雙軸拉伸。在縱向和橫向，同時在溫度95。C、拉伸速度6,000。/。下進行3.5倍x3.5倍的拉伸，冷卻至70。C。接著，在溫度170。C下，在縱向和橫向同時再拉伸至1.4x1.4倍。進而一邊在橫向進行1.05倍的拉伸，一邊在溫度175。C下進行1秒鐘的熱處理後，在橫向進行2%的鬆弛處理，製作出厚度為5nm的雙軸取向聚酯薄膜。除了以上所述以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例10)使用2臺擠出機M、N，並且將在參考例4、5中製得的98重量份的PEN粒料X，、2重量份的PEN粒料Y，在180。C下減壓千燥3小時後，供給至被加熱至280'C的擠出機M中，同樣地，將在參考例4~6中製得的89.5重量份的PEN粒料X，、10重量份的PEN粒料Y，、和0.5重量份的PEN粒料Z，在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至被加熱至280。C的擠出機N中。為了進行兩層疊層，將它們在T模中合流(疊層比M(A面側)/N(B面側)=7/1)，一邊對表面溫度25匸的流延鼓施加靜電荷，一邊進行粘附冷卻固化，製作出疊層未拉伸薄膜。另外，使用具有線性電動機式夾子的同時雙軸拉伸拉幅機對所得的未拉伸薄膜進行雙軸拉伸。在縱向和橫向，同時在溫度135°C、拉伸速度6，000。/o下進行4.0倍x4.0倍的拉伸，冷卻至70。C。接著，在溫度180。C下，在縱向和橫向同時再拉伸至1.2x1.2倍。進而一邊在橫向進行1.05倍的拉伸，一邊在溫度195。C下進行1秒鐘的熱處理後，在橫向進行2%的鬆弛處理，製作出厚度為5jim的雙軸取向聚酯薄膜。除了以上所述以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例11)控制擠出條件，使聚酯薄膜的厚度為6.1nm，除此以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例12)控制擠出條件，使聚酯薄膜的厚度為4.0jim,除此以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例13)將雙軸拉伸時的拉伸倍率改變為第1階段3.5倍x3.5倍、第2階段1.2倍xl.6倍、第3階段在橫向為1.05倍，除此以外，採用與實施例1同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例14)將雙軸拉伸時的拉伸倍率改變為第l階段3.5倍x3.5倍、第2階段1.2倍xl.6倍、第3階段在橫向為1.05倍，除此以外，採用與實施例9同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例15)在對未拉伸薄膜進行雙軸拉伸時，在縱向和橫向同時在溫度125°C、拉伸速度6，000。/。下進行3.5倍x4.2倍的拉伸，冷卻至70。C。接著，在溫度180。C下，在縱向和橫向同時再拉伸至1.1x1.4倍。進而一邊在橫向進行1.05倍的拉伸，一邊在溫度195。C下進行1秒鐘的熱處理後，在橫向進行2%的鬆弛處理，製作出厚度為5jim的雙軸取向聚酯薄膜。除了以上所述以外，採用與實施例10同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例16)將雙軸拉伸時的拉伸倍率改變為第1階段3.5倍x3.5倍、第2階段1.6倍xL2倍、第3階段在橫向為1.05倍，除此以外，採用與實施例l同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例17)將雙軸拉伸時的拉伸倍率改變為第1階段3.5倍x3.5倍、第2階段1.6倍xl，2倍、第3階段在橫向為1.05倍，除此以外，採用與實施例9同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例18)對未拉伸薄膜進行雙軸拉伸時，在縱向和橫向同時在溫度125°C、拉伸速度6，000%下進行4.2倍x3,5倍的拉伸，冷卻至70。C。接著，在溫度180。C下，在縱向和橫向同時再拉伸至1.4x1.1倍。進而一邊在橫向進行1.05倍的拉伸，一邊在溫度195。C下進行1秒鐘的熱處理後，在橫向進行2%的鬆弛處理，製作出厚度為5jun的雙軸取向聚酯薄膜。除了以上所述以外，採用與實施例1同樣的方法製得/f茲記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例19)對未拉伸薄膜進行雙軸拉伸時，採用輥式拉伸機在縱向上用兩階段在速度20，000%/分鐘、溫度90。C下進行3.0倍的拉伸，進而使用拉幅機，在橫向在速度2，000%/分鐘、溫度100。C下進行3.0倍的拉伸。接著，採用輥式拉伸機在縱向上以1個階段在溫度140。C下再拉伸至1.7倍。接著，使用拉幅機在橫向上在溫度170。C下進行1.5倍的再拉伸。然後，在定長下在溫度1卯。C下進行1秒鐘的熱處理後，在橫向上進行2。/。的鬆弛處理，製作出厚度為5nm的雙軸取向聚酯薄膜。除了以上所述以外，採用與實施例1同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例20)將蒸鍍工序中的金屬材料改變為50重量％鋁與50重量％銅的混合物，使輸送速度為60m/分鐘、氧氣導入量為2.0L/分鐘、電子束輸出功率為5.5kW，除此以外，採用與實施例1同樣的方法，製得^茲記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表13所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例21)在聚酯薄膜的兩表面設置兩層構成的蒸鍍薄膜層。即，首先，將蒸鍍工序中的金屬材料改變為99.99重量％的二氧化矽，使輸送速度為50m/分鐘、氧氣導入量為l.OL/分鐘、電子束輸出功率為5.0kW,除此以外，釆用實施例l所記載的方法，形成厚度180nm的二氧化矽層。接著，將金屬材料改變為99.99重量％的鋁，輸送速度改變為60m/分鐘、氧氣導入量改變為2.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為4.0kW,除此以外，採用實施例1所記栽的方法，在該二氧化矽層上形成厚度為20nm的氧化鋁層。除了以上所述以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為/f茲帶使用時具有優異的特性。(實施例22)將蒸鍍工序中的金屬材料改變為99.99重量％的銅，使輸送速度為60m/分鐘、氧氣導入量為3.0L/分鐘、電子束輸出功率為6.5kW，除此以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例23)將蒸鍍工序中的金屬材料改變為99.9999重量％的鋅，使輸送速度為60m/分鐘、氧氣導入量為2.5L/分鐘、電子束輸出功率為5.8kW，除此以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，作為磁帶使用時具有優異的特性。(實施例24)蒸鍍M層後，不進行加溼重巻，除此以外，採用與實施例4同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，與實施例4相比，與氫氧基鍵合的鋁原子的存在比增大，溼度膨脹係數少許地惡化。(實施例25)將製作的雙軸取向聚酯薄膜在25'C65%RH下保管，除此以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。在聚酯薄膜內吸收的水分在形成M層時釋放出，如表1~3所示，與實施例l相比，與氫氧基鍵合的鋁原子的存在比增大，溼度膨脹係數少許地增大，尺寸穩定性惡化。(實施例26)不使用來自電子槍20的電子束21,在坩鍋23上巻繞感應加熱線圈，採用直接加熱的方法形成M層，除此以外，採用與實施例1同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，與實施例1相比，金屬鍵合的鋁原子的存在比增大，出錯率少許地惡化。(實施例27)不使用來自電子槍20的電子束21,在坩鍋23上巻繞感應加熱線圈，採用直接加熱的方法形成M層，除此以外，採用與實施例3同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表1~3所示，與實施例3相比，金屬鍵合的鋁原子的存在比變小，抗裂性降低一些。表ltableseeoriginaldocumentpage46總光線TiTi認叱縱向橫向楊透5^j^面電g,表面電阻率f繁楊氏橫量氏模量formulaseeoriginaldocumentpage47《^!ii'抗裂性出錯率在表面電阻率值的表述中，"CTn"意指"10的n次方"tableseeoriginaldocumentpage47tableseeoriginaldocumentpage48如表46所示，作為磁帶使用時特性較差。(比較例2)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為10m/分鐘、氧氣導入量改變為12.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為3.2kW,除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得^f茲記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表4~6所示，光線透射率為90%，表面電阻率為10"n，另外，作為磁帶使用時特性較差。(比較例3)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為220m/分鐘、氧氣導入量改變為1.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為5.3kW,除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表4~6所示，表面電阻率為10111，另外，作為磁帶使用時特性較差。(比較例4)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為40m/分鐘、氧氣導入量改變為10.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為8.9kW，除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表4~6所示，表面電阻率為1013fl，另外，作為磁帶使用時特性較差。(比較例5)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為30m/分鐘、氧氣導入量改變為15.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為4.3kW，除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表4~6所示，光線透射率為80%，另外，作為磁帶使用時特性較差。(比較例6)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為180m/分鐘、氧氣導入量改變為5.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為1.3kW,除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表4~6所示，蒸鍍厚度為40nm,另外，作為磁帶使用時特性較差。(比較例7)將蒸鍍工序中的輸送速度改變為10m/分鐘、氧氣導入量改變為4.0L/分鐘、電子束輸出功率改變為3.3kW，除此以外，採用與實施例l同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體如表4~6所示，蒸鍍厚度為250mn，另外，作為磁帶使用時特性較差。(比較例8)除了不是在兩面上蒸鍍而是只在一面上進行蒸鍍以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體，其蒸鍍膜只在一面上，另外，如表46所示，作為磁帶使用時特性較差。(比較例9)除了使用圖3所示的真空蒸鍍裝置以外，採用與實施例1同樣的方法製得磁記錄介質用支持體。所得的磁記錄介質用支持體，即使想要控制成本發明範圍內的蒸鍍厚度、光線透射率、表面電阻率，由於氧供給噴嘴的位置不合適，因此也不能那樣地控制，如表4~6所示，作為磁帶使用時特性較差。(比較例10)使用兩臺擠出機M、N，並且將在參考例1、2中製得的90重量份的PET粒料X、10重量份的PET粒料Y在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至被加熱至280。C的擠出機M中，同樣地，將在參考例1~3中製得的85重量份的PET粒料X、12重量份的PET粒料Y、3重量份的PET粒料Z在180。C下減壓乾燥3小時後，供給至被加熱至280。C的擠出機N中，製作出厚度為5fim的雙軸取向聚酯薄膜。另外，蒸鍍時的輸送速度為15m/分鐘、氧氣導入量為2.8L/分鐘、電子束輸出功率為5.7kW。除了以上所述以外，採用與實施例1同樣的方法，製得磁記錄介質用支持體。所得的記錄介質用支持體如表4~6所示，蒸鍍厚度為230nm，另外，作為磁帶使用時特性較差。表4tableseeoriginaldocumentpage51表5tableseeoriginaldocumentpage52表6tableseeoriginaldocumentpage53圖l是測定寬度尺寸時使用的薄片寬度測定裝置的模式圖。圖2是本發明的製作支持體時使用的真空蒸鍍裝置的模式圖。圖3是以往的製作支持體時使用的真空蒸鍍裝置的模式圖。符號說明1:雷射振蕩器2:受光部3:栽荷檢測器4:栽荷5:從動輥6:從動輥7:從動輥8:從動輥9:磁帶10:雷射11:真空蒸鍍裝置12:真空室13:放巻輥部14:聚酯薄膜15:導向輥16:冷卻鼓17:蒸鍍室18:巻繞輥部19:金屬材料20:電子槍21:電子束22:氧氣瓶23:坩鍋24:氧供給噴嘴25:掩模26:氣體流量控制裝置111:真空蒸鍍裝置112:真空室113:it巻輥部114:聚酯薄膜115:導向輥116:冷卻鼓117:蒸鍍室118:巻繞輥部119:金屬材料120:電子槍121:電子束122:氧氣瓶123:坩鍋124:氧供給噴嘴125:掩模126:氣體流量控制裝置本發明中表示數值範圍的"以上，，和"以下，，均包括本數。權利要求1.一種磁記錄介質用支持體，是在聚酯薄膜的兩面設有含金屬系氧化物的層即M層，並且這些M層的厚度分別為50~200nm的磁記錄介質用支持體，其特徵在於，該磁記錄介質用支持體的總光線透過率為0~75%，各表面的表面電阻率為Ixl02~lxl013ft。2.如權利要求l所述的磁記錄介質用支持體，至少一個表面的中心線平均粗糙度Ra為0.5~10nm。3.如權利要求1或2所述的磁記錄介質用支持體，縱向的楊氏模量為5~13GPa。4.如權利要求1~3的任一項所述的磁記錄介質用支持體，所述聚酯薄膜的厚度為2~6nm。5.如權利要求1~4的任一項所述的磁記錄介質用支持體，所述M層的金屬元素濃度為10~70原子％。6.如權利要求1~5的任一項所述的磁記錄介質用支持體，所述M層的金屬鍵合的金屬原子的存在比為1~20原子％。7.如權利要求1~6的任一項所述的磁記錄介質用支持體，所述M層的金屬系氧化物為氧化鋁，與氫氧基鍵合的鋁原子的存在比為0~60原子％。8.—種磁記錄介質，是在權利要求1~4的任一項所述的磁記錄介質用支持體的至少一面上設置磁性層而成的。全文摘要本發明提供一種尺寸穩定性、抗裂性優異的支持體，所述支持體特別是在形成磁記錄介質時，能夠製得由環境變化所引起的尺寸變化小、出錯率少的高密度磁記錄介質。本發明的磁記錄介質用支持體，是在聚酯薄膜的兩面設有含金屬系氧化物的層即M層，並且這些M層的厚度均為50～200nm的磁記錄介質用支持體，其特徵在於，該磁記錄介質用支持體的總光線透過率為0～75％，各個表面的表面電阻率為1×102～1×1013Ω。文檔編號G11B5/73GK101313357SQ20068004379公開日2008年11月26日申請日期2006年9月21日優先權日2005年9月22日發明者東大路卓司,中森由佳裡,佐藤誠,堀江將人,渡邊宏聰申請人:東麗株式會社