扇出互連結構及其形成方法
2023-11-01 10:49:57 1
扇出互連結構及其形成方法
【專利摘要】本發明公開了一種方法包括在管芯的頂面上方形成犧牲膜層，該管芯在頂面具有接觸焊盤。將管芯接合到載具，且模塑料形成在管芯和犧牲膜層上方。模塑料沿著管芯的側壁延伸。露出犧牲膜層。通過去除犧牲膜層的至少一部分露出接觸焊盤。第一聚合物層形成在管芯上方，且重分布層（RDL）形成在管芯上方且電連接至接觸焊盤。本發明還公開了扇出互連結構及其形成方法。
【專利說明】扇出互連結構及其形成方法
[0001]本申請要求於2013年3月15日提交的名稱為「Cost-Reducing Fan-OutInterconnect Structure」的美國臨時專利申請第61/793,930號的優先權,其全部內容結合於此作為參考。
【技術領域】
[0002]本發明涉及半導體【技術領域】，更具體地，涉及扇出互連結構及其形成方法。
【背景技術】
[0003]常用的集成電路結構由包括有源器件(如，電晶體和電容器)的管芯構成。這些器件最初是彼此分隔開的，之後在有源器件的上方形成互連結構以創建功能電路。在互連結構的頂部，金屬焊盤形成且暴露於相應管芯的表面。通過金屬焊盤形成電氣連接以將管芯連接至封裝襯底或另一個管芯。
[0004]在常規的封裝技術方面，如扇出封裝技術，重分布層(RDL)可形成在管芯上方且電連接至金屬焊盤。然後，可形成輸入/輸出(I/o)焊盤，如焊球以通過RDL電連接至金屬焊盤。該封裝技術的有利特點是可能形成扇出封裝件，也就是說，管芯上的I/O焊盤可重分布至比管芯大的面積，因此，可增加封裝在管芯的表面上的I/O焊盤的數量。
【發明內容】
[0005]為了解決現有技術中所存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種集成電路封裝的方法，包括:
[0006]在管芯的頂面上方形成犧牲膜層，所述管芯在所述頂面具有接觸焊盤；
[0007]將所述管芯接合到載具；
[0008]在所述管芯和所述犧牲膜層上方形成模塑料，所述模塑料沿所述管芯的側壁延伸；
[0009]露出所述犧牲膜層；
[0010]通過去除所述犧牲膜層的至少一部分露出所述接觸焊盤；
[0011 ] 在所述管芯上方形成第一聚合物層；以及
[0012]在所述管芯上方形成重分布層(RDL)，所述RDL電連接至所述接觸焊盤。
[0013]在可選實施例中，所述方法進一步包括:在形成所述犧牲膜層之前，在所述管芯上方形成第二聚合物層；圖案化所述第二聚合物層，以產生露出部分所述接觸焊盤的第一開口，其中，形成所述犧牲膜層包括用犧牲膜層材料填充所述第一開口 ；去除所述犧牲膜的上部，以露出所述第二聚合物層的上表面；以及，在形成所述RDL之前，圖案化所述第一聚合物層和所述第二聚合物層，以形成露出部分所述接觸焊盤的第二開口，其中，形成所述RDL包括用金屬材料填充所述第二開口，以電連接至所述接觸焊盤。
[0014]在可選實施例中，露出所述犧牲膜層包括研磨所述第二聚合物層的上部。
[0015]在可選實施例中，所述方法進一步包括:在所述管芯和所述第一聚合物層之間形成第三聚合物層，其中，所述第三聚合物層包括將所述RDL電連接至所述接觸焊盤的導電柱。
[0016]在可選實施例中，形成所述第一聚合物層包括將所述第一聚合物層的頂面形成為高於所述模塑料的頂面以及將所述第一聚合物層的底面形成為低於所述模塑料的頂面。
[0017]在可選實施例中，形成所述RDL包括形成延伸穿過所述第一聚合物層的導電通孔。
[0018]在可選實施例中，形成所述犧牲膜層包括使用聚合物、聚合物基光刻膠或聚醯亞胺基光刻膠。
[0019]在可選實施例中，去除所述犧牲膜層包括使用鹼基化學製品或η甲基吡咯烷酮(NMP)作為剝落化學製品。
[0020]在可選實施例中，露出所述犧牲膜層包括研磨所述模塑料的上部。
[0021]在可選實施例中，形成所述RDL包括在所述第一聚合物層上方形成金屬線部分，所述金屬線部分具有與所述模塑料垂直重疊的橫向部分。
[0022]在可選實施例中，形成所述犧牲膜層包括使用熱或紫外光釋放膜，並且去除所述犧牲膜層包括將所述犧牲膜層暴露於熱或紫外光。
[0023]根據本發明的另一方面，還提供了一種集成電路(IC)結構，包括:
[0024]管芯，包括:
[0025]襯底；
[0026]位於所述襯底上方的互連結構；和
[0027]位於所述互連結構上方的接觸焊盤；
[0028]模塑料，圍繞所述管芯的側壁，所述模塑料的頂面高於所述管芯的頂面；以及
[0029]重分布層(RDL)，位於所述管芯上方，所述RDL包括直接連接至所述接觸焊盤的連續通孔結構，其中，所述連續通孔結構由導電材料形成。
[0030]在可選實施例中，所述IC進一步包括:位於所述管芯上方的第一聚合物層和第二聚合物層，其中，所述第一聚合物層的頂面與所述模塑料的頂面齊平，所述第二聚合物層的頂面高於所述管芯的頂面，並且所述連續通孔延伸穿過所述第一聚合物層和所述第二聚合物層。
[0031]在可選實施例中，所述連續通孔結構的側壁具有介於約30度至約88.5度之間的角度。
[0032]根據本發明的又一方面，還提供了一種集成電路(IC)結構，包括:
[0033]管芯，包括接觸焊盤；
[0034]模塑料，圍繞所述管芯的側壁，其中，所述管芯的頂面低於所述模塑料的頂面；以及
[0035]重分布層(RDL)，位於所述管芯上方，所述RDL包括連接至所述接觸焊盤的通孔，並且所述通孔具有高於所述模塑料的頂面的上部和低於所述模塑料的頂面延伸的下部。
[0036]在可選實施例中，從所述模塑料的頂面到所述管芯的頂面的距離大於約0.1微米。
[0037]在可選實施例中，從所述模塑料的頂面到所述管芯的頂面的距離大於約I微米。
[0038]在可選實施例中，從所述模塑料的頂面到所述管芯的頂面的距離小於約20微米。
[0039]在可選實施例中，從所述模塑料的頂面到所述管芯的頂面的距離小於約120微米。
[0040]在可選實施例中，位於所述管芯上方的所述模塑料的邊緣基本垂直。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0041]為了更全面地理解實施例及其優勢，現將結合附圖所進行的以下描述作為參考，其中:
[0042]圖1是根據各個實施例的集成電路結構的截面圖；
[0043]圖2A至圖21是根據各個實施例的製造集成電路結構的中間階段的截面圖；
[0044]圖3A和圖3B是根據各個可選實施例的集成電路結構的截面圖；以及
[0045]圖4A至圖4H是根據各個可選實施例的製造集成電路結構的中間階段的截面圖。
【具體實施方式】
[0046]下面，詳細討論本發明各實施例的製造和使用。然而，應該理解，本發明提供了許多可以在各種具體環境中實現的可應用的發明概念。所討論的具體實施例僅僅示出了製造和使用本發明的具體方式，而不用於限制本發明的範圍。
[0047]在對應的具體環境中描述各個實施例，即，扇出封裝技術，諸如扇出晶圓級封裝(FO-WLP)0
[0048]圖1示出了根據各個實施例的集成電路(IC)結構100的一部分的截面圖。IC結構100包括管芯102和位於管芯102上方的RDL110。RDLllO的橫向部分可延伸出管芯102的邊緣並延伸至模塑料112的上方。因此，所得到的IC結構100可被稱為扇出封裝件。管芯102包括金屬焊盤104。通過金屬焊盤104，RDLllO連接至管芯102中的器件(未示出)。
[0049]為了示例說明的目的，將IC100的一部分放大(100A)，如圖1所示。聚合物層106和108形成在管芯102的上方。RDLllO延伸穿過聚合物層106和108以與金屬焊盤104接觸。很顯然，RDLllO通過金屬焊盤104直接連接至管芯102，且IC結構100不包括RDLllO和金屬焊盤104之間的額外的金屬柱。RDLllO可具有側壁I1A和110B。側壁I1A和IlOB可以是傾斜的，且在一些實施例中，側壁I1A和IlOB的傾斜度介於大約30度到88.5度之間。側壁IlOA和IlOB的適當角度可取決於RDLllO的布圖設計。例如，為側壁IlOA和IlOB選擇接近88.5度的角度，這樣可實現小間距設計以及在聚合物層106和108中允許更多數量的互連結構。通過消除對RDLllO和金屬焊盤104之間的金屬柱的需求，可降低IC100的製造成本。
[0050]圖2A至圖21示出了根據各個實施例的製造IC結構(如，IC結構100)的中間階段的截面圖。圖2A示出了管芯102的截面圖，其包括襯底、有源器件和互連結構(未示出)。襯底可以是塊體矽襯底，雖然也可以使用包括III族、IV族和V族元素的其他半導體材料。可在襯底的頂面上形成有源器件，諸如電晶體。可在有源器件和襯底上方形成互連結構。
[0051]互連結構可包括形成在襯底上方的層間介電層(ILD)，各金屬間介電層(MD)形成在ILD上方。ILD和MD可由具有k值(例如，小於大約4.0)的低k介電材料形成。例如，ILD和MD可由例如氧化矽、SiCOH等構成。
[0052]接觸焊盤104形成在互連結構上方且通過互連結構中的各個金屬線和通孔可電連接至有源器件。接觸焊盤104可由金屬材料構成，因此以下稱其為金屬焊盤104。金屬焊盤104可以是鋁焊盤，雖然也可使用其他金屬材料。此外，鈍化層(未示出)可形成在互連結構和金屬焊盤104上方且可由諸如氧化矽、非摻雜的矽酸鹽玻璃、氮氧化矽等的非有機材料構成。金屬焊盤104的橫向寬度介於大約10 μ m到大約100 μ m之間。在鈍化層的覆蓋金屬焊盤104的部分中可形成開口，露出部分金屬焊盤104。鈍化層的部分也可覆蓋金屬焊盤104的邊緣部分。通過任何合適的方法可形成管芯102的各個部件，但在此不作進一步詳細的描述。雖然圖2A示出了單個管芯102，但是也可將各個實施例應用於具有多個管芯的晶圓。
[0053]圖2A也示出了在管芯102的頂面上方形成聚合物層106。聚合物層106可由諸如聚醯亞胺(PI)、聚苯並惡唑(ΡΒ0)、苯並環丁烯(BCB)、環氧樹脂、矽樹脂、丙烯酸酯、納米填充的苯酚樹脂、矽氧烷、氟化聚合物、聚降冰片烯等的材料形成。例如，使用旋塗技術可形成聚合物層106。聚合物層106的厚度可小於大約20 μ m。例如，組合使用光刻技術和蝕刻技術圖案化聚合物層106。聚合物層106的圖案化形成了露出部分金屬焊盤104的開口 114。
[0054]圖2B示出了在聚合物層106和填充開口 114(參見圖2A)上方形成犧牲膜層122。犧牲膜層122可由諸如聚合物、聚合物基光刻膠或聚醯亞胺基光刻膠的介電材料形成。使用諸如旋塗等合適的技術可沉積犧牲膜層122。此外，在沉積犧牲膜層122之後，可在合適的溫度條件下固化犧牲膜層122。可選地，犧牲膜層122可以是層壓膜。例如，犧牲膜層122可以是使用粘著層接合到管芯102的基體膜。例如，基體膜可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基體膜，且粘著層可以是例如紫外線(UV)或熱激活釋放膜。
[0055]在圖2C中，具有犧牲膜層122的多個管芯102 (如，管芯102A和102B)可設置在載具124的上方。載具124可由合適的材料形成，例如，玻璃。使用粘著層126作為界面，可將管芯102A和102B的底面粘貼到載具124。粘著層126可由臨時粘著材料形成，諸如紫夕KUV)帶、蠟、膠等。此外，在管芯粘結薄膜(DAF)放置在載具124上之前，可選擇性地在管芯102 (未示出)下方形成管芯粘結薄膜(DAF)。DAF能夠提高管芯102和載具124之間的粘合性。
[0056]模塑料112可用於填充管芯102 (例如，管芯102A和102B)之間的間隙。模塑料112可以是任何合適的材料，諸如環氧樹脂、模製底部填充料等。形成模塑料112的合適方法可包括壓縮模製、轉移模製(transfer molding)、液體封裝模製等。例如,模塑料112可以液體的形式分布在管芯102A和102B之間。然後，進行固化工藝以凝固模塑料112。填充的模塑料112可溢過管芯102，這樣使得模塑料112覆蓋管芯102A和102B的頂面。
[0057]在圖2D中，可對模塑料112和犧牲膜層122進行平坦化工藝，如研磨工藝(例如，化學機械拋光(CMP)或機械研磨)，以露出聚合物層106。作為研磨工藝的部分，也可去除聚合物層106的上部以取得期望的厚度。在研磨工藝之後，聚合物層106的厚度可介於例如大約5 μ m到大約15 μ m之間。在研磨工藝期間,使用聚合物層106和犧牲膜層122的剩餘部分代替金屬柱用作金屬焊盤104和管芯102的屏蔽層，從而降低製造成本。
[0058]在圖2E中，從管芯102A和102B去除犧牲膜層122，以穿過聚合物層106露出金屬焊盤104。犧牲膜層122的去除可包括選擇性地去除犧牲膜層的材料，而不會明顯地去除聚合物層106或管芯102A和102B的材料的蝕刻工藝(如，溼蝕刻)。這個可通過選擇合適的蝕刻用剝落化學製品，如鹼基化學製品來實現。在一個實施例中，聚合物層106由PBO形成，且犧牲膜層122由聚合物/聚醯亞胺基光刻膠形成，可使用氫氧化鉀(KOH)、n甲基吡咯烷酮(NMP)等作為剝落化學製品來去除犧牲膜層122。
[0059]在圖2F中，第二聚合物層108形成在聚合物層106的上方。聚合物層108可與聚合物層106大致相似，且位於聚合物層106上方的聚合物層108的厚度可小於大約20 μ m。此外，聚合物層108的形成可填充聚合物層106中的開口(例如，開口 114)。之後，(例如，通過光刻工藝和蝕刻工藝)可圖案化或再圖案化聚合物層108和106，以通過多個開口(未示出)露出金屬焊盤104。使用相同的光刻工藝和蝕刻工藝可完成聚合物層106和108的圖案化。然而，聚合物層108中的部分開口(即多個開口中的一些)可寬於聚合物層106中的部分開口。例如，這個可通過控制光刻工藝和蝕刻工藝的多個條件(例如，焦深、曝光能量等)來實現。
[0060]在管芯102A和102B上方分別形成RDL110。通過金屬焊盤104可將RDLllO電連接至管芯102A和102B中的各種器件。RDLllO可由銅或銅合金形成，雖然也可使用其他金屬，諸如鋁、金等。使用任何合適的方法在相同的工藝步驟中可形成RDL110。例如，RDLllO的形成可包括晶種層且使用掩膜層來限定RDLllO的形狀。聚合物層106中的RDLllO的通孔部分在聚合物層106的頂面上的橫向寬度可介於大約10 μ m和大約110 μ m之間，這取決於通孔的接觸金屬焊盤104的部分的橫向寬度。也就是說，聚合物層106的頂面的RDLllO的通孔部分的橫向尺寸可略微寬於寬度w2。同樣地,取決於寬度wl和w2,聚合物層108中的RDLllO的部分的橫向寬度(用w3示出)介於大約12μπι到大約120μπι之間。也就是說，聚合物層108中的RDLllO的部分的橫向尺寸可略微寬於寬度wl和《2。因此，通過使用RDL110，金屬焊盤104的接觸表面積可重分布為更寬的表面積。
[0061]很顯然，無需使用RDLllO和金屬焊盤104之間的額外的金屬柱或通孔就可將RDLllO連接至金屬焊盤104。雖然每個管芯102的上方僅顯示出一個RDL110，但是，在可選的實施例中，在RDLllO的上方可形成多個RDL且多個RDL可互連至RDLl 10。
[0062]圖2G示出了在RDLllO上方形成導電凸塊130。在電連接至RDLllO的部分的凸塊下金屬化層(UBM)上方可形成導電凸塊130。UBM可由導電材料形成,諸如銅、銅合金、鈦、鈦合金等。導電凸塊130可以是可回流凸塊,諸如焊料球,其可包括Sn-Ag、Sn-Cu> Sn-Ag-Cu等。可選地，導電凸塊130可以是非可回流凸塊，諸如銅凸塊等。導電凸塊130形成為將諸如晶圓、器件管芯、中介板、印刷電路板(PCB)等的其他封裝組件電連接且接合到管芯102。
[0063]在圖2H中，從管芯102A和102B去除載具124和粘著層126。在一個實施例中，粘著層126由UV帶形成，且通過將粘著層126暴露於UV光來去除管芯102A和102B。在圖21中，可以使管芯102A和102B分割來封裝IC封裝件。管芯102A和102B的分割可包括使用合適的取放工具，諸如取放工具132。在管芯102的俯視圖(未示出)中，模塑料112可與管芯102的側壁接觸且環繞管芯102。
[0064]圖3A和3B示出了根據可選實施例的IC結構200的截面圖。IC結構200包括具有金屬焊盤204的管芯202和位於管芯202的上方且和金屬焊盤204連接的RDL208。RDL208的橫向部分可延伸出管芯202且位於模塑料210上方，以形成扇出封裝件。管芯202可包括(如圖3B所示)或不包括(如圖3A所示)具有金屬柱212的聚合物層215，金屬柱212位於金屬焊盤204的上方且連接至金屬焊盤204。金屬柱212可以是銅柱，然而也可使用其他金屬，諸如鋁、金等。聚合物層215可與聚合物層106和108大致相似(參見圖1)。
[0065]為了示例說明的目的，放大IC200的一部分(200A)，如圖3A和3B所示。聚合物層206包括模塑料210上方的第一部分和延伸越過模塑料210的頂面的第二部分。RDL208可延伸穿過聚合物層206且電連接至金屬焊盤204。RDL208可直接連接到金屬焊盤204 (如圖3A所示)或通過聚合物層215中的金屬柱212連接到金屬焊盤204 (如圖3B所示)。很顯然，從模塑料的頂面對管芯202的頂面進行開槽。此外，管芯202上方的模塑料210的邊緣可大致垂直且可具有介於大約85度到95度之間的角度。開槽的且垂直的界面能夠提高聚合物層206和管芯202之間的粘合性。
[0066]圖4A至圖4H示出了根據各個可選實施例製造IC結構的中間階段的截面圖。在圖4A中，提供多個管芯202 (標記為202A和202B)於晶圓201中。管芯202包括接觸焊盤204，其可由金屬材料形成(因此，下文稱接觸焊盤204為金屬焊盤204)，且可用於連接管芯202中的多個器件(未示出)。管芯202可與圖1和圖2A至圖21中的管芯102大致相似。可選地，管芯202還可包括具有連接至金屬焊盤204的金屬柱(未示出)的頂聚合物層。雖然圖4A示出了晶圓201，但是也可將各個實施例應用於單個管芯。
[0067]在圖4B中，在管芯202的頂面上方形成犧牲膜層214。犧牲膜層214可與犧牲膜層122大致相似。也就是說，例如，犧牲膜層214可以是使用旋塗技術形成的聚合物或聚醯亞胺基光刻膠。可選地，犧牲膜層214可以是使用粘著層(如，UV或熱激活隔離膜)接合到管芯202的諸如PET基礎膜的層壓膜。
[0068]在圖4C中，可將管芯202分割。例如，圖4C示出了與管芯202B分隔開的管芯202A。此外，可選擇性地在管芯202的底面下方形成管芯粘著膜(DAF) 216。
[0069]在圖4D中，使用粘著層220 (如，光熱轉換釋放層(LTHC)，膠層等)可將管芯202A和202B的底面附接到載具218。此外，聚合物層222可形成在載具218上方，使得管芯202可適當地與載具218對準。
[0070]在圖4E中，模塑料210可用於填充管芯202之間的間隙。模塑料210可以是任何合適的材料，諸如環氧樹脂、模製底部填充材料等。形成模塑料210的合適方法可包括壓縮模製、轉移模製、液體封裝模製等。例如，模塑料210可以液體形式分布在管芯202之間。然後，進行固化工藝以凝固模塑料210。填充的模塑料210可溢出管芯202，使得模塑料210覆蓋管芯202的頂面。
[0071]在圖4F中，可使用研磨工藝(如，CMP或回蝕刻技術)去除模塑料210的多餘部分，使得模塑料210的頂面與犧牲膜層213的頂面齊平。研磨也可去除部分犧牲膜層214以獲得期望的厚度。在模塑料210的研磨期間，犧牲膜層214用作管芯202的保護層。
[0072]在圖4G中，去除犧牲膜層214，露出金屬焊盤204。去除犧牲膜層214的方法取決於它的組成。例如，如果犧牲膜層214是塗覆層，諸如光刻膠，那麼通過選擇合適的蝕刻化學製品(如Κ0Η)使用溼蝕刻技術選擇性地去除犧牲膜層214。如果犧牲膜層214是層壓層，諸如在粘著層上方的基礎膜，那麼可通過釋放粘著層來去除犧牲膜層214。例如，可通過將粘著層暴露於諸如熱氣、熱板、紅外線燈、UV光等合適的環境中來實現。
[0073]如圖4G所示，從模塑料210的頂面對管芯202的頂面進行開槽，開槽距離為D。距離D可大於大約0.1 μ m或甚至大於大約I μ m。距離D的尺寸取決於犧牲膜層214的組成。例如，如果犧牲膜層214是塗覆層，距離D可小於大約20 μ m。在可選實例中，如果犧牲膜層214是層壓層，距離D可小於大約120 μ m。此外，在管芯202上方的模塑料210的邊緣的形狀可以是基本垂直的。也就是說，鄰近管芯202且位於管芯202上方的模塑料210的側壁可以是傾斜的，傾斜角度介於大約85度到95度之間。
[0074]在圖4H中，聚合物層206和RDL208可形成在模塑料210上方，以直接電連接至金屬焊盤204。聚合物層206和RDL208可分別與聚合物層108和RDLllO大致相似(參見圖2F)。雖然在每個管芯202的上方僅示出一個RDL208，但是在可選實施例中，多個RDL可形成在RDL208上方且互連至RDL208。然後，在RDL208上方可形成導電凸塊，諸如接合球(未示出)，且管芯202可以被分割。
[0075]根據一個實施例，一種集成電路封裝的方法包括在管芯的頂面上方形成犧牲膜層，該管芯在頂面具有接觸焊盤。將管芯接合至載具，在管芯和犧牲膜層上方形成模塑料。模塑料沿著管芯的側壁延伸。犧牲膜層露出。通過去除犧牲膜層的至少一部分露出接觸焊盤。在管芯的上方形成第一聚合物層，重分布層(RDL)形成在管芯上方且電連接至接觸焊盤。
[0076]根據另一個實施例，集成電路結構包括具有襯底的管芯、位於襯底上方的互連結構和位於互連結構上方的接觸焊盤。模塑料圍繞管芯的側壁。模塑料的頂面高於管芯的頂面。IC結構還包括位於管芯上方的重分布層(RDL)。RDL包括直接連接至接觸焊盤的連續通孔結構。連續通孔結構由導電材料形成。
[0077]根據又一個實施例，一種集成電路(IC)結構包括具有接觸焊盤的管芯和圍繞管芯的側壁的模塑料。管芯的頂面低於模塑料的頂面。IC結構還包括位於管芯上方的重分布層(RDLXRDL包括連接至金屬焊盤的通孔，並且，通孔具有高於模塑料的上部和低於模塑料的頂面延伸的下部。
[0078]儘管已經詳細地描述了本發明及其優勢，但應該理解，可以在不背離所附權利要求限定的本發明的精神和範圍的情況下，在此可作出各種改變，替換和更改。
[0079]而且，本申請的範圍並不旨在限於本說明書中描述的工藝、機器、製造、物質組成、裝置、方法和步驟的特定實施例。作為本領域普通技術人員將從本發明中輕易地理解，根據本發明，現有的或今後開發的用於執行與在此所述的相應實施例基本相同的功能或獲得基本相同結果的工藝、機器、製造、物質組成、裝置、方法或步驟可以被使用。因此，所附權利要求旨在包括它們範圍內的這些工藝、機器、製造、物質組成、裝置、方法或步驟。
【權利要求】
1.一種集成電路封裝的方法，包括: 在管芯的頂面上方形成犧牲膜層，所述管芯在所述頂面具有接觸焊盤； 將所述管芯接合到載具； 在所述管芯和所述犧牲膜層上方形成模塑料，所述模塑料沿所述管芯的側壁延伸； 露出所述犧牲膜層； 通過去除所述犧牲膜層的至少一部分露出所述接觸焊盤； 在所述管芯上方形成第一聚合物層；以及 在所述管芯上方形成重分布層(RDL)，所述RDL電連接至所述接觸焊盤。
2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括: 在形成所述犧牲膜層之前，在所述管芯上方形成第二聚合物層； 圖案化所述第二聚合物層，以產生露出部分所述接觸焊盤的第一開口，其中，形成所述犧牲膜層包括用犧牲膜層材料填充所述第一開口； 去除所述犧牲膜的上部，以露出所述第二聚合物層的上表面；以及在形成所述RDL之前，圖案化所述第一聚合物層和所述第二聚合物層，以形成露出部分所述接觸焊盤的第二開 口，其中，形成所述RDL包括用金屬材料填充所述第二開口，以電連接至所述接觸焊盤。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，露出所述犧牲膜層包括研磨所述第二聚合物層的上部。
4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括:在所述管芯和所述第一聚合物層之間形成第三聚合物層，其中，所述第三聚合物層包括將所述RDL電連接至所述接觸焊盤的導電柱。
5.一種集成電路(IC)結構，包括: 管芯，包括: 襯底； 位於所述襯底上方的互連結構；和 位於所述互連結構上方的接觸焊盤； 模塑料，圍繞所述管芯的側壁，所述模塑料的頂面高於所述管芯的頂面；以及重分布層(RDL)，位於所述管芯上方，所述RDL包括直接連接至所述接觸焊盤的連續通孔結構，其中，所述連續通孔結構由導電材料形成。
6.根據權利要求5所述的1C，進一步包括:位於所述管芯上方的第一聚合物層和第二聚合物層，其中，所述第一聚合物層的頂面與所述模塑料的頂面齊平，所述第二聚合物層的頂面高於所述管芯的頂面，並且所述連續通孔延伸穿過所述第一聚合物層和所述第二聚合物層。
7.根據權利要求5所述的1C，其中，所述連續通孔結構的側壁具有介於約30度至約88.5度之間的角度。
8.一種集成電路(IC)結構，包括: 管芯，包括接觸焊盤； 模塑料，圍繞所述管芯的側壁，其中，所述管芯的頂面低於所述模塑料的頂面；以及 重分布層(RDL)，位於所述管芯上方，所述RDL包括連接至所述接觸焊盤的通孔，並且所述通孔具有高於所述模塑料的頂面的上部和低於所述模塑料的頂面延伸的下部。
9.根據權利要求8所述的IC結構，其中，從所述模塑料的頂面到所述管芯的頂面的距離大於約0.1微米。
10.根據權利要求8所述的IC結構，其中，從所述模塑料的頂面到所述管芯的頂面的距離大於約I微 米。
【文檔編號】H01L21/60GK104051287SQ201310467504
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年10月9日 優先權日:2013年3月15日
【發明者】餘振華, 胡延章, 蕭景文, 李明機, 劉重希, 黃見翎, 林志偉, 陳承先 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司