一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示裝置的製作方法
2023-11-01 05:25:42
專利名稱：一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示裝置。
背景技術：
在顯示技術領域,平板顯示裝置,如液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)和有機電致發光顯示器(Organic Light Emitting Display, 0LED),因其輕、薄、低功耗、高亮度，以及高畫質等優點，在平板顯示領域佔據重要的地位。其中，作為像素開關器件的薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)的特性對高畫質顯示裝置起著重要的作用。TFT作為開關器件的工作原理簡述如下當為TFT的柵電極施加相對於地GND的 電壓Vg(簡稱柵電極電壓)時，TFT的柵電極和與數據線相連的漏電極之間會產生一個電場，TFT在該電場的作用下形成的電子溝道使與像素電極相連的源電極與所述漏電極通過TFT的半導體層導通，柵電極和源電極之間的正向電壓差(也即閾值電壓Vth)越大，導電溝道越寬，導通電流也越大，對像素電極的充電能力也越強；當為TFT的柵電極施加相對於地GND的負電壓時，源電極與漏電極關閉，這就是TFT的開關特性。對像素電極的充電能力越高，可以使得像素電極徹底充放電，從而提高圖像畫質。由此可見，TFT的半導體層電子遷移率越高，導電溝道越寬，導通電流也越大。目前，使用金屬氧化物作為TFT半導體層明顯可以提高TFT的導通電流，這是因為，金屬氧化物半導體層的電子遷移率是非晶矽半導體層的電子遷移率的5 10倍。當半導體層的材料確定後，TFT的導電性能(這裡主要指導通電流)取決於TFT的結構。參見圖1，為現有TFT俯視示意圖，包括源電極15、漏電極16、柵電極11，與柵電極11相連的掃描線17以及與漏電極16相連的數據線18。其中，TFT上的源電極15和漏電極16的數量各為一個。當TFT導通時，導通電流由漏電極16通過導電溝道流向源電極15，漏電極16與源電極15之間的距離決定溝道的長度，漏電極16與源電極15的大小決定導電溝道的寬度(在像素TFT中，由於漏電極和源電極的直徑大小一般在幾微米量級，源電極與漏電極的圖案一般為具有一定直徑的圓，也可以等效為具有一定邊長的正方形，為了提高TFT的性能，增加導電溝道的寬度，可以通過增大源電極和漏電極的面積實現，但是增大源電極的面積會存在下述問題源電極和漏電極的面積增大，所佔子像素區域的面積也變大，源電極是與TFT的像素電極相連，尤其是當源電極面積較大時，可能會導致TFT的開口率下降。更重要的是，當源電極的面積較大時，源電極與半導體層之間的電容變大，在像素電極的電壓跳變的情況下會引起顯示圖像的色偏(色偏即針對每一像素顯示顏色和理論顏色有偏差)。現有薄膜電晶體TFT在保證較小的源電極電容下導電溝道較小，TFT導通電流較小，TFT性能較低。
實用新型內容本實用新型實施例提供一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示裝置，用以提高TFT的性能，提聞圖像的畫質。為實現上述目的，本實用新型實施例提供的薄膜電晶體，包括基板；形成在基板上的柵電極、源電極、至少兩個漏電極和半導體層；形成在所述基板上位於所述柵電極和半導體層之間的柵電極保護層，形成在所述基板上位於所述半導體層和源電極以及漏電極之間的刻蝕阻擋層；其中，所述源電極和所述漏電極分別通過過孔和所述半導體層相連。本實用新型實施例提供的陣列基板，包括所述薄膜電晶體。本實用新型實施例提供的顯示裝置，包括所述陣列基板。本實用新型實施例提供的薄膜電晶體TFT，每一 TFT形成一個源電極和至少兩個漏電極，每一個漏電極通過過孔和半導體層相連，源電極和漏電極之間形成導電溝道，本實用新型所述的薄膜電晶體，每個TFT形成的導電溝道不止一個，增加了導電溝道的有效寬度，增加了 TFT半導體層的導通電流，提高了 TFT的性能。並且在導通電流增加的同時，由於漏電極共用一個源電極，源電極的面積相對於現有的TFT的設計方式，並沒有增大，源電極的電容也沒有增大，整個顯示裝置的圖像顯示畫質得到提高。
圖I為現有技術具有一個漏電極的TFT部分結構俯視示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的陣列基板整體結構示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的底柵型TFT結構示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的頂柵型TFT結構示意圖；圖5為本實用新型實施例提供的TFT具有兩個漏極的結構示意圖；圖6為本實用新型實施例提供的兩個漏電極和一個源電極形成三角形的陣列基板部分結構示意圖；圖7為本實用新型實施例提供的兩個漏電極和一個源電極形成直線的陣列基板部分結構示意圖；圖8為本實用新型實施例提供的半導體層圖案示意圖；圖9為本實用新型實施例提供的TFT完整結構示意圖；圖10為本實用新型實施例提供的底柵型TFT的製作方法流程示意圖；圖11為本實用新型實施例提供的頂柵型TFT的製作方法流程示意圖。
具體實施方式
本實用新型實施例提供了一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示裝置，用以提高TFT的性能，從而提聞圖像的畫質。目前，使用金屬氧化物作為TFT半導體層明顯可以提高TFT的導通電流，這是因為，金屬氧化物半導體層的電子遷移率是非晶矽半導體層的電子遷移率的5 10倍。當半導體層的材料確定後，TFT的導電性能(這裡主要指導通電流)取決於TFT的結構。[0033]本實用新型實施例主要針對金屬氧化物TFT進行說明，但是實用新型旨意也同時也可以適用於非晶矽TFT等。本實用新型實施例提供的TFT，每個TFT形成有一個源電極和至少兩個漏電極，源電極和漏電極分別通過過孔與半導體層相連，源電極和每一漏電極之間形成導電溝道，多個導電溝道使得TFT的導通電流增加，TFT的性能得到提高，源電極的面積未增加，源電極的電容沒發生改變，圖像的顯示畫質得到提高。為了能夠更清楚地說明本實用新型實施例提供的技術方案，下面將從TFT與陣列基板兩方面說明。本實用新型實施例提供的TFT包括 基板；形成在基板上的柵電極、源電極、至少兩個漏電極和半導體層；形成在所述基板上位於所述柵電極和半導體層之間的柵電極保護層，形成在所述基板上位於所述半導體層和源電極以及漏電極之間的刻蝕阻擋層。下面結合TFT說明陣列基板的結構，陣列基板包括基板、一個或多個薄膜電晶體TFT，以及掃描線和數據線；所述TFT包括形成在基板上的柵電極、源電極、至少兩個漏電極和半導體層，所述掃描線和所述柵電極相連，所述數據線和所有漏電極相連；所述TFT還包括形成在所述基板上位於所述柵電極和半導體層之間的柵電極保護層，形成在所述基板上位於所述半導體層和源電極以及漏電極之間的刻蝕阻擋層；其中，所述源電極和所述漏電極分別通過刻蝕阻擋層上的不同的過孔和所述半導體層相連。下面通過附圖具體說明本實用新型實施例提供的技術方案。參見圖2,為陣列基板俯視示意圖,包括基板I、多個薄膜電晶體TFT2，以及掃描線3和數據線4 ；每一 TFT2包括形成在基板I上的柵電極g、源電極s和漏電極d ；掃描線3和柵電極g相連，為TFT提供開啟電壓；數據線4和所有漏電極d相連(所有漏電極指每一 TFT上的不止一個漏電極),為像素提供圖像幀信號電壓；在具體實施的過程中，TFT2的源電極s與圖2中所示的像素電極5相連，當源電極與漏電極導通時，所述圖像幀信號電壓加載到該像素電極5上。參見圖3，為陣列基板上沿圖2所示的掃描線3方向的截面圖。TFT2包括基板1，基板I上的柵電極21、源電極22、至少兩個漏電極23，以及半導體層24 ；TFT2還包括形成在基板I上位於柵電極21和半導體層24之間的柵電極保護層25，以及形成在基板I上位於半導體層24和源電極22以及漏電極23之間的刻蝕阻擋層26 ；其中，源電極22和漏電極23分別通過刻蝕阻擋層26上的不同的過孔和半導體層24相連。圖3中所示的柵電極21對應於圖2所示的柵電極g，源電極22對應圖2所示源電極S，漏電極23對應圖2所示的漏電極d。本實用新型實施例所述的TFT可以是底柵型結構也可以是頂柵型結構。圖3所示的TFT為底柵型結構。具體地，柵電極21位於基板I上；柵電極保護層25位於柵電極21上；半導體層24位於柵電極保護層25上；刻蝕阻擋層26位於所述半導體層24上；源電極22和漏電極23位於刻蝕阻擋層26上。參見圖4，TFT為頂柵型結構。半導體層24位於基板I上；刻蝕阻擋層26位於半導體層24上；源電極22、漏電極23位於刻蝕阻擋層26上；柵電極保護層25位於源電極22和漏電極23上；柵電極21位於柵電極保護層25上。在具體實施過程中，圖3和圖4所示的TFT結構中，源電極和漏電極通過過孔和半導體層相連，較佳地，為了避免藝製作偏差導致源電極和漏電極可能會覆蓋住整個過孔，弓丨起TFT性能下降，源電極和漏電極的大小應大於過孔的大小，圖3和圖4僅是一個示例圖。需要說明的是，圖3和圖4未體現出與薄膜電晶體相連的掃描線和數據線，以及漏電極與源電極的分布，在具體實施過程中，陣列基板上的掃描線與柵電極同層設置，源電極與漏電極同層設置，數據線與源電極和漏電極同層設置。上述薄膜電晶體工作原理簡述如下源電極與漏電極通過位於其下方的半導體層(如金屬氧化物IGZ0)連接，陣列基板上掃描線的電壓信號使TFT柵電極開啟後，源電極和漏電極通過半導體層導通，來自數據線的信號電壓通過漏電極與源電極之間的導電溝道加載到與源電極相連的像素電極，為像素電極充電。本實用新型實施例提供的TFT上的漏電極設置不止一個，源電極設置一個。所有漏電極同時連接到一根數據線上，源電極與每一個漏電極都形成導電溝道。因此本實用新型實施例提供的TFT的導電溝道不止一個，源電極和漏電極之間的距離決定導電溝道的長度，源電極和漏電極的大小決定導電溝道的寬度。在源電極和漏電極之間的距離和面積大小一定的情況下，本實用新型通過增加漏電極的個數，增加了導電溝道的個數，實質上增加了導電溝道的有效寬度，使得數據線上的信號電壓更容易加載到與源電極相連的像素電極上，在源電極面積沒有增大的情況下，TFT為像素電極的充電能力提高，減小了像素電極在跳變的時引起圖像色偏的可能性。需要說明的是，源電極和漏電極以及之間的距離在微米量級，具體形狀可以等效為正方形或圓形，源電極與漏電極之間的距離指源電極中心到漏電極中心的距離，源電極與漏電極的大小可以以邊長或直徑作為衡量指標。下面具體介紹本實用新型實施例提供的TFT的設置方式。為了不影響陣列基板上每一個子像素區域像素的開口率，在製圖工藝允許的範圍內，位於子像素區域內的TFT應該越小越好。當TFT上的漏電極數量過多時，因為漏電極與像素電極相連，漏電極會影響TFT的開口率，具體實施過程中，可以根據顯示裝置的大小和結構而定，也就是根據實際需求設計合適數量合適大小的漏電極。陣列基板上顯示區域用於顯示圖像的TFT的結構完全相同，下面以一個底柵型TFT,且TFT上設置兩個或三個漏電極的TFT結構為例說明。參見圖5，為TFT部分結構俯視示意圖。如圖5為數據線4和掃描線3圍成的一個子像素區域。柵電極21與掃描線3相連；TFT包括兩個漏電極，第一漏電極231和第二漏電極232，一個源電極22 ；第一漏電極231、第二漏電極232，以及源電極22的連線構成一個三角形(如圖5所示)，或者構成一條直線如圖6所示。參見圖5，第一漏電極231、第二漏電極232，以及源電極22之間的連線構成以源電極22為頂角的直角三角形、銳角三角形或鈍角三角形(圖5所示為直角三角形)。較佳地，為了使得不同漏電極與源電極之間的溝道長度一致，以及溝道寬度一致，保證TFT的最佳性能，較佳地，源電極距離漏電極的距離相等。較佳地，源電極的大小等於漏電極的大小。圖5所示的第一漏電極231、第二漏電極232，以及源電極22的連線構成一個等腰三角形。與現有技術相同，源電極22和漏電極23都設置在柵電極21之上，並且源電極22和漏電極23的垂直投影在柵電極21覆蓋薄膜電晶體的區域之內。較佳地，參見圖7，TFT包括三個漏電極，第一漏電極231、第二漏電極232和第三漏電極233 ；第一漏電極231、第二漏電極232，以及源電極22的連線構成以源電極22為頂角的直角三角形、銳角三角形或鈍角三角形；以及第二漏電極232、第三漏電極233，以及源電極22的連線構成以源電極22為頂角的直角三角形、銳角三角形或鈍角三角形。同理，所述直角三角形、銳角三角形或鈍角三角形為等腰三角形最佳，TFT性能較聞。當兩個漏電極與源極之間的相互連線構成的三角形相比較直線較佳，這樣源電極可以設置在距離像素電極較近的位置，具體實施過程中，工藝設計簡單。當兩個漏電極與源極之間的相互連線構成的三角形為銳角三角形時，銳角三角形的頂角不小於30度。這是因為按照現在製圖工藝能力，製作線寬為3pm以下的圖案比較困難，本實用新型所述的源電極和漏電極的最小直徑為4 ii m，源電極和漏電極之間的距離最短4 ii m，兩個漏極之間的距離已經很近，但是為了形成兩個完整的導電溝道，任意兩個漏電極不能相接觸，當兩個銳角三角形的頂角小於30度時，兩個漏電極之間的距離有可能小於線寬極限3 u m,當兩個漏電極之間的距離小於線寬極限3 y m時，有可能使得兩個漏電極之間相互導通，兩個完成的溝道導通，降低TFT的性能。由於漏電極23在基板上的垂直投影與柵電極21在基板上的垂直投影重疊，因此不影響TFT像素的開口率。源電極22相對於現有技術也沒有增大，雖然漏電極的電容有所增大，而像素電極5在放電階段，TFT已經關閉，漏電極與源電極關斷，因此像素電極5的放電過程僅與源電極22的電容有關，與漏電極的電容大小無關，源電極22的大小沒有發生改變，源電極22與半導體層24之間的電容沒有改變，而源電極22的電容越小，越有利於高畫質的圖像顯示，本實用新型在導電溝道有效寬度增加的同時，沒有增加源電極22電容，提高了圖像畫質。在具體實施過程中，僅需保證與源電極對應的過孔大小等於與漏電極對應的過孔大小，通過構圖工藝，形成等大的源電極和漏電極。本實用新型實施例較佳地適用於半導體層為電子遷移率較高的金屬氧化物。為了實現性能更好的TFT，畫質更好的顯示裝置，所述半導體層為覆蓋TFT區域的導電膜層，或為覆蓋導電溝道的導電膜層，如圖8所示為源電極、漏電極連線呈三角形對應的導電膜層圖案。較佳地，所述半導體層為金屬氧化物半導體層，所述半導體層在基板上的垂直投影面積不小於且覆蓋源電極、漏電極以及導電溝道在基板上的垂直投影面積。 需要說明的是，參見圖9，本實用新型實施例提供的薄膜電晶體還包括，位於薄膜電晶體最外層的鈍化保護層6，以及位於基板I之上與基板接觸的緩衝層7，該緩衝層7可以增加基板和基板上膜層的附著力。該緩衝層可以是由鑰Mo、鈦Ti、Mo合金、Ti合金、Cu合金等金屬形成。鈍化保護層6可以是由有機樹脂材料製作而成。有機樹脂相比較無機材料硬度較小，更有利於對薄膜電晶體最外層起到平坦作用，有利於後續工藝彩膜基板和薄膜電晶體之間的液晶分子的理想排列。上述僅是以底柵型TFT為例說明本實用新型技術方案，本實用新型的發明旨意也同樣適用於頂柵型TFT，這裡不再贅述。另外，本實用新型實施例所述的TFT不僅可以適用於陣列基板顯示區域(A-A區域)用於顯示圖像的像素TFT，同樣也可以適用於陣列基板外圍區域用於防靜電的TFT，防靜電的TFT可以設置的較大一些，漏極個數可以設置的更多一些，可以使得靜電電流及時導走，無需考慮開口率的問題，設計起來更方便。下面從工藝流程方面說明本實用新型實施例提供的薄膜電晶體的製作方法。本實用新型實施例提供的製作薄膜電晶體的方法整體包括採用構圖工藝在基板上形成柵電極、源電極，漏電極，以及半導體層的過程，其中每一 TFT包括至少兩個漏電極；以及採用構圖工藝在基板上形成位於所述柵電極和半導體層之間的柵電極保護層，和位於所述半導體層和源電極以及漏電極之間的刻蝕阻擋層的過程。在具體實施過程中，還包括採用構圖工藝在基板上形成與所述柵電極相連的柵極線以及與所述漏電極相連的數據線的過程。所述構圖工藝指製作圖形的掩膜、曝光、顯影、光刻，刻蝕等過程。舉例來說，採用構圖工藝在基板上形成柵電極，具體為首先在基板上沉積柵電極層，然後塗布光刻膠，利用掩膜板對光刻膠進行曝光和顯影處理來形成光刻膠圖案，接著利用該光刻膠圖案作為蝕刻掩模，通過刻蝕等工藝去除相應的電極層，並且去除剩餘的光刻膠，最終在基板上形成柵電極圖形。參見圖10，底柵型TF T製作方法包括S11、採用構圖工藝在基板上形成柵電極；[0113]S12、採用構圖工藝在所述柵電極上形成柵電極保護層；S13、採用構圖工藝在所述柵電極保護層上形成半導體層；S14、採用構圖工藝在所述半導體層上形成刻蝕阻擋層；S15、採用構圖工藝在所述刻蝕阻擋層上形成源電極和漏電極。在具體實施過程中，底柵型TFT製作方法還包括在形成柵電極的同時，形成與柵電極相連的掃描線，柵電極和掃描線同層設置。在形成漏電極的同時，形成與所述漏電極相連的數據線，漏電極和數據線同層設置。參見圖11，製作頂柵型TFT的薄膜電晶體的方法包括S21、採用構圖工藝在基板上形成半導體層；S22、採用構圖工藝在所述半導體層上形成刻蝕阻擋層；S23、採用構圖工藝在所述刻蝕阻擋層上形成源電極和漏電極。S24、採用構圖工藝在所述源電極和漏電極形成柵電極保護層；S25、採用構圖工藝在所述柵電極保護層上形成柵電極。在具體實施過程中，底柵型TFT製作方法還包括在形成柵電極的同時，形成與柵電極相連的掃描線，柵電極和掃描線同層設置。在形成漏電極的同時，形成與所述漏電極相連的數據線，漏電極和數據線同層設置。上述採用構圖工藝也即採用曝光、顯影、光刻和刻蝕工藝形成一定圖案的膜層，構圖工藝形成一定圖案的具體實現過程均屬於現有技術，這裡不再贅述。本實用新型改進之處在於，製作SD層(源電極、漏電極和數據線所在的層成為SD層)的過程中，每個TFT形成有一個源電極和至少兩個漏電極，源電極和漏電極分別通過過孔與半導體層相連，源電極和每一漏電極之間形成導電溝道，多個導電溝道使得TFT的導通電流增加，TFT的性能得到提高。在步驟S15和S25之後還包括形成位於薄膜電晶體最外層的鈍化層保護層。需要說明的是，本實用新型實施例提供的TFT可以是金屬氧化物TFT，也可以是，非晶矽TFT。下面以製作圖9所示的底柵型金屬氧化物TFT為例，具體說明製作TFT的工藝流程;本實用新型實施例所示的薄膜電晶體製作方法包括步驟一基板上緩衝層、柵電極和掃描線的形成過程。首先為了增加各膜層與基板之間的附著力，首先在基板(如透明玻璃基板或者石英基板)上採用濺射或熱蒸發的方法，形成一層覆蓋整個基板的緩衝層，緩衝層可以為氧化矽或氮化矽絕緣層。然後，在形成有緩衝層的基板上採用濺射或熱蒸發的方法，沉積一層金屬層用於製作柵電極和掃描線，通過一次曝光顯影、光刻和刻蝕工藝形成柵電極和掃描線。形成的柵電極和掃描線的圖案和位置與現有技術相同這裡不再贅述。步驟二 基板上柵電極保護層的形成過程。在完成步驟一的基板上通過化學氣相沉積法(PECVD)連續沉積一層氮化矽或氧化矽的絕緣層；通過一次曝光顯影、光刻和刻蝕工藝形成覆蓋柵電極的柵電極絕緣層。步驟三基板上半導體層的形成過程。通過濺射方法連續沉積金屬氧化物膜層，通過一次曝光顯影、光刻，刻蝕工藝形成半導體層。所述金屬氧化物可以是銦鎵鋅氧化物IGZ0、銦鋅氧化物IZ0、或其他金屬氧化物。步驟四基板上刻蝕阻擋層的形成過程。在完成步驟三的基板上，通過PECVD方法沉積一層氧化矽或氮化矽的絕緣層，通過一次曝光顯影、光刻，刻蝕工藝形成覆蓋半導體層的刻蝕阻擋層。步驟五基板上與源電極和漏電極對應的過孔的形成過程。在形成有刻蝕阻擋層的基板上，通過曝光顯影、光刻刻蝕工藝，形成連接源電極和半導體層，以及連接漏電極與半導體的的多個過孔。步驟六基板上源電極、漏電極，以及數據線的形成過程。通過濺射或熱蒸發的方法在形成有過孔的TFT上形成具有一定厚度的金屬膜層，通過一次曝光顯影、光刻刻蝕工藝形成源電極、漏電極，以及與源電極相連的數據線。所述金屬膜層可以為金屬鉻Cr、金屬鶴W、金屬鈦Ti、金屬鉭Ta、金屬鑰Mo等,或者是上述至少兩種金屬的合金。可以是單層金屬層也可以是多層金屬層。步驟七基板上鈍化層的形成過程。在完成步驟八的基板上通過PECVD方法沉積一層氧化物、氮化物或者氧氮化合物膜層。形成頂柵型金屬氧化物TFT工藝流程和上述步驟一至步驟七為形成底柵型金屬氧化物TFT工藝流程類似，這裡不再贅述。本實用新型實施例還提供一種陣列基板，包括上述薄膜電晶體。尤其是包括氧化物薄膜電晶體，氧化物薄膜電晶體的具體結構以及原理同上述實施例，在此不再贅述。該陣列基板可以包括像素單元的陣列。該氧化物薄膜電晶體例如用於像素單元的開關電晶體。在一些示例中，氧化物薄膜電晶體的源電極與像素單元的像素電極連接，像素電極為透明電極。本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括所述陣列基板，該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯不器、液晶電視、有機電致發光顯不OLED面板、OLED顯不器、OLED電視或電子紙等顯示裝置。綜上所述，本實用新型實施例提供了一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示裝置，通過在SD層每一 TFT內設置不止一個漏電極，多個漏電極與源電極形成多個導電溝道，增加TFT的導通能力，源電極的電容未增加，從而使得TFT的性能得到提高，顯示裝置圖像畫質提聞。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和範圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬於本實用新型權利要求及其等同技術的範圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種薄膜電晶體，其特徵在於，包括 基板； 形成在基板上的柵電極、源電極、至少兩個漏電極和半導體層； 形成在所述基板上位於所述柵電極和半導體層之間的柵電極保護層，形成在所述基板上位於所述半導體層和源電極以及漏電極之間的刻蝕阻擋層；其中，所述源電極和所述漏電極分別通過過孔和所述半導體層相連。
2.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於， 所述柵電極位於所述基板上； 所述柵電極保護層位於所述柵電極上； 所述半導體層位於所述柵電極保護層上； 所述刻蝕阻擋層位於所述半導體層上； 所述源電極和漏電極位於所述刻蝕阻擋層上。
3.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於， 所述半導體層位於所述基板上； 所述刻蝕阻擋層位於所述半導體層上； 所述源電極和漏電極位於所述刻蝕阻擋層上； 所述柵電極保護層位於所述源電極和漏電極上； 所述柵電極位於所述柵電極保護層上。
4.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於，包括兩個漏電極，第一漏電極和第二漏電極； 第一漏電極、第二漏電極，以及源電極之間的連線構成一直線或構成以源電極為頂角的等腰三角形。
5.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於，包括三個漏電極，第一漏電極、第二漏電極和第二漏電極； 第一漏電極、第二漏電極，以及源電極的連線構成以源電極為頂角的等腰三角形；以及 第二漏電極、第三漏電極，以及源電極的連線構成以源電極為頂角的等腰三角形。
6.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述半導體層為金屬氧化物半導體層，所述半導體層在基板上的垂直投影面積不小於且覆蓋源電極、漏電極以及導電溝道在基板上的垂直投影面積。
7.根據權利要求5或6所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述等腰三角形的頂角不小於30。。
8.根據權利要求I所述的薄膜電晶體，其特徵在於，源電極的大小等於漏電極的大小。
9.一種陣列基板，其特徵在於，包括權利要求I至8所述的薄膜電晶體。
10.一種顯示裝置，其特徵在於，包括權利要求9所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種薄膜電晶體、陣列基板和顯示裝置，用以在保證源電極電容不變的情況下增大薄膜電晶體導電溝道寬度，提高薄膜電晶體的性能，從而提高圖像畫質。所述薄膜電晶體包括基板；形成在基板上的柵電極、源電極、至少兩個漏電極和半導體層；形成在所述基板上位於所述柵電極和半導體層之間的柵電極保護層，形成在所述基板上位於所述半導體層和源電極以及漏電極之間的刻蝕阻擋層，其中，所述源電極和所述漏電極分別通過過孔和所述半導體層相連。
文檔編號H01L29/786GK202816957SQ201220519148
公開日2013年3月20日 申請日期2012年10月11日 優先權日2012年10月11日
發明者楊海鵬, 尹傛俊, 塗志中, 金在光 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司