硒稼矽銀化合物、硒稼矽銀非線性光學晶體及製法和用途的製作方法

2023-12-08 08:15:31 2

專利名稱：硒稼矽銀化合物、硒稼矽銀非線性光學晶體及製法和用途的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種硒稼矽銀化合物、硒稼矽銀非線性光學晶體(硒稼矽銀單晶)及該硒稼矽銀單晶的製備方法和該硒稼矽銀單晶用於製作的非線性光學器件的用途。
背景技術：
具有非線性光學效應的晶體稱為非線性光學晶體。這裡非線性光學效應是指倍頻、和頻、差頻、參量放大等效應。利用晶體的非線性光學效應，可以製成二次諧波發生器， 上、下頻率轉換器，光參量振蕩器等非線性光學器件。雷射器產生的雷射可通過非線性光學器件進行頻率轉換，從而獲得更多有用波長的雷射，使雷射器得到更廣泛的應用。根據材料應用波段的不同，可以分為紫外光區、可見和近紅外光區、以及中紅外光區非線性光學材料三大類。可見光區和紫外光區的非線性光學晶體材料已經能滿足實際應用的要求；如在二倍頻(532nm)晶體中實用的主要有 KTP (KTiOPO4)、BBO ( β-BaB2O4)、LBO (LiB3O5)晶體； 在三倍頻(355nm)晶體中實用的有BBO、LBO、CBO(CsB3O5)可供選擇。而紅外波段的非線性晶體發展比較慢；紅外光區的材料大多是ABC2型的黃銅礦結構半導體材料，如AgGaA (Q = S，Se, Te)，現有紅外非線性晶體存在的問題包括光損傷閾值太低、晶體生長困難和對Iym 左右的雷射的雙光子吸收等問題，直接影響了實際使用。紅外波段非線性光學晶體在光電子領域有著重要的應用，例如它可以通過光參量振蕩或光參量放大等手段將近紅外波段的雷射(如1.064μπι)延伸到中遠紅外區；也可以對中紅外光區的重要雷射(如CO2雷射， 10.6ym)進行倍頻，這對於獲得波長連續可調的雷射具有重要意義。因此尋找優良性能的新型紅外非線性光學晶體材料已成為當前非線性光學材料研究領域的難點和前沿方向之
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發明內容
本發明目的在於提供硒稼矽銀化合物，其化學式為A&_xGii4_xSixSe8，其中0. 85 < χ < 1. 15。本發明另一目的在於提供一種硒稼矽銀非線性光學晶體，其化學式為 Aghfe^—xSiJes，其中 0. 85 < χ < 1. 15。本發明再一目的在於提供該硒稼矽銀非線性光學晶體的製備方法。本發明還有一個目的在於提供該硒稼矽銀非線性光學晶體的用途。本發明的技術方案如下本發明提供的硒稼矽銀化合物，其化學式Ag4_xGa4_xSixSe8，其中0. 85 < χ < 1. 15。本發明提供的硒稼矽銀化合物的固相反應製備方法，其步驟如下將含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質k按照摩爾比Ag Ga Si Se = (4-x) (4-x) χ 8的比例配料並混合均勻後，加熱至600-750°C進行加熱固相反應， 其中0. 85 < χ < 1. 15 ；所述含Ag物質為單質銀、硒化銀或硒稼銀；所述( 物質為單質稼、 三硒化二稼或硒稼銀所述Si物質為單質矽或二硒化矽。
所述的加熱固相反應步驟是將上述含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質％ 配料研磨之後裝入石英管中，對石英管抽真空至10_3pa並進行熔化封裝，放入馬弗爐中，以 10-500C /小時的速率升溫至600-750°C，恆溫48-72小時，待冷卻後取出樣品；對取出的樣品重新研磨混勻再置於石英管中抽真空至10_3pa並進行再熔化封裝，再放入馬弗爐內升溫至600-750°C燒結M-48小時；將樣品取出，並搗碎研磨得粉末狀硒稼矽銀化合物。所述硒稼矽銀化合物可按下述化學反應式製備(1) (4-X) Ag+ (4-x) Ga+xSi+8Se = AAg4_xGa4_xSixSe8 ；(2) (4-x)AgGaSe2+xSiSe2 = Ag4_xGa4_xSixSe8 ；(3) (4-x)Ag2Se+ (4-χ) Ga2Se3+2xSiSe2 = 2Ag4_xGa4_xSixSi58。本發明提供的硒稼矽銀化合物的氣相傳輸製備方法，還可為如下步驟按照摩爾比Ag Ga Si Se= (4-χ) (4-χ) χ 8 稱取單質 Ag、單質 feu 單質Si和單質Se，將所述單質Ag、單質( 和單質Si均勻混合後放在石英管的一端，將所述單質％放在石英管的另一端；將石英管抽真空密封后放入水平合成爐中，使放置單質％ 的一端位於水平合成爐的低溫區，放置單質Ag、單質( 和單質Si混合物的一端在水平合成爐的高溫區；升溫使低溫區溫度為300-400°C，高溫區溫度為600-800°C，保溫至少3小時， 再降至室溫，得到Ag4_xGa4_xSixSe8化合物，其中0. 85 < χ < 1. 15。本發明提供的硒稼矽銀非線性光學晶體，其特徵在於，其不具備對稱中心，屬四方晶系，空間群為Ii 2d，其晶胞參數為a = b = 5.9079 (8) A,c = 10. 463(2) Α, α = β = Y = 90°。本發明提供的硒稼矽銀非線性光學晶體的一種製備方法，其為高溫熔體自髮結晶法生長硒稼矽銀非線性光學晶體，其步驟為將粉末狀硒稼矽銀化合物加熱至熔化得高溫熔液並保持M-96小時後，以0. 1-10°C/小時的降溫速率降溫至室溫，得到紅色透明的硒稼矽銀晶體。本發明提供的硒稼矽銀非線性光學晶體的另一種製備方法，其可為坩堝下降法生長硒稼矽銀非線性光學晶體，其步驟如下將硒稼矽銀化合物放入晶體生長裝置中，緩慢升溫至原料熔化，待原料完全熔化後，晶體生長裝置以0. Ol-lOmm/h的速度垂直下降，在晶體生長裝置下降過程中進行硒稼矽銀非線性光學晶體生長，其生長周期為5-40天。上述製備方法中的粉末狀硒稼矽銀化合物可採用下述兩種方法製備一、採用加熱固相反應法製備粉末狀硒稼矽銀化合物，其步驟如下將含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質k按照摩爾比Ag Ga Si Se = (4-x) (4-x) χ 8的比例配料並混合均勻後，加熱至600-750°C進行加熱固相反應， 其中0. 85 < χ < 1. 15 ；所述含Ag物質為單質銀、硒化銀或硒稼銀；所述( 物質為單質稼、 三硒化二稼或硒稼銀所述Si物質為單質矽或二硒化矽。所述的加熱固相反應步驟是上述含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質％配料研磨之後裝入石英管中，對石英管抽真空至10_3pa並進行熔化封裝，放入馬弗爐中，以 10-500C /小時的速率升溫至600-750°C，恆溫48-72小時，待冷卻後取出樣品；對取出的樣品重新研磨混勻再置於石英管中抽真空至10_3pa並進行再熔化封裝，再放入馬弗爐內升溫至600-750°C燒結M-48小時；將樣品取出，並搗碎研磨得粉末狀硒稼矽銀化合物。所述硒稼矽銀化合物可按下述化學反應式製備
(1) (4-x) Ag+ (4-x) Ga+xSi+8Se = AAg4_xGa4_xSixSe8 ；(2) (4-x)AgGaSe2+xSiSe2 = Ag4_xGa4_xSixSe8 ；(3) (4-x)Ag2Se+ (4-x) Ga2Se3+2xSiSe2 = 2Ag4_xGa4_xSixSi58。二、採用氣相傳輸法製備粉末狀硒稼矽銀化合物其步驟如下按照摩爾比Ag Ga Si Se= (4-χ) (4-χ) χ 8 稱取單質 Ag、單質 feu 單質Si和單質Se，將所述單質Ag、單質( 和單質Si均勻混合後放在石英管的一端，將所述單質％放在石英管的另一端；將石英管抽真空密封后放入水平合成爐中，使放置單質％ 的一端位於水平合成爐的低溫區，放置單質Ag、單質( 和單質Si混合物的一端在水平合成爐的高溫區；升溫使低溫區溫度為300-400°C，高溫區溫度為600-800°C，保溫至少3小時， 再降至室溫，得到Ag4_xGa4_xSixSe8化合物，其中0. 85 < χ < 1. 15。採用上述兩種方法均可獲得尺寸為毫米級的硒稼矽銀非線性光學晶體；使用大尺寸坩堝，並延長生長期，則可獲得相應較大尺寸硒稼矽銀非線性光學晶體。根據晶體的結晶學數據，將晶體毛坯定向，按所需角度、厚度和截面尺寸切割晶體，將晶體通光面拋光，即可作為非線性光學器件使用，該硒稼矽銀非線性光學晶體具有物理化學性能穩定，硬度較大，機械性能好，不易碎裂，不易潮解，易於加工和保存等優點；所以本發明還進一步提供硒稼矽銀非線性光學晶體的用途，該硒稼矽銀非線性光學晶體用於製備非線性光學器件，該非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊該硒稼矽銀非線性光學晶體後產生至少一束頻率不同於入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。本發明提供的硒稼矽銀非線性光學晶體的用途該硒稼矽銀非線性光學晶體用於製備非線性光學器件，所製備的非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊該硒稼矽銀非線性光學晶體後產生至少一束頻率不同於入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。本發明的硒稼矽銀化合物、該化合物的非線性光學晶體及其製備方法和用途具有如下效果在該硒稼矽銀非線性光學晶體的生長中晶體易長大且透明無包裹，具有生長速度較快，成本低，容易獲得較大尺寸晶體等優點；所獲得的硒稼矽銀非線性光學晶體具有比較寬的透光波段，硬度較大，機械性能好，不易碎裂和潮解，易於加工和保存等優點；該硒稼矽銀非線性光學晶體可用於製作非線性光學器件。


圖1是採用本發明硒稼矽銀非線性光學晶體製成的一種典型的非線性光學器件的工作原理圖，其中1是雷射器，2是入射雷射束，3是經晶體後處理及光學加工後的硒稼矽銀非線性光學晶體，4是所產生的出射雷射束，5是濾波片。圖2是硒稼矽銀非線性光學晶體的結構示意圖。
具體實施例方式實施例1，製備粉末狀硒稼矽銀化合物A&_xGa4_xSixS% (χ = 1)採用G-xMgGaSeJxSiSh = Ag4_xGa4_xSixSe8反應式用固相反應法製備硒稼矽銀化合物；
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上述原料中所含Ag、feu SiJe的摩爾比=3 :3:1:8所述AgGaSe2 為 10. 065 克，所述 SiSe3 為 1. 86 克；即 AgGak2 SiSe2 = 0. 03mol 0. Olmol ；其具體操作步驟是，在手套箱中按上述劑量分別稱取試劑，將它們放入研缽中，混合併仔細研磨，然後裝入Φ 12mmX20mm的石英管中，抽真空至10_3pa後用氫氧焰將石英管熔化封裝，放入馬弗爐中，緩慢升至700°C，其升溫速率為50°C /小時，恆溫48小時，待冷卻後取出，此時樣品較疏鬆，取出樣品重新研磨混勻，再置於石英管中抽真空封裝，在馬弗爐內於700°C燒48小時，這時樣品收縮成塊；此時，將其取出，放入研缽中搗碎研磨得粉末狀硒稼矽銀化合物產品。實施例2，製備粉末狀硒稼矽銀化合物A&_xGa4_xSixSi58 (χ = 1. 10)採用(4-x)Ag+ (4-x) Ga+xSi+8Se = Ag4_xGa4_xSixSe8 反應式用固相反應法製備硒稼矽銀化合物；上述原料中所含Ag、feu Si Je的摩爾比=2. 9 2. 9 1. 1 8所述Ag為2. 656克，所述( 為1. 717克，Si為0. 262克，Se為5. 365克，艮P Ag Ga Si Se = 0. 029mol 0. 029mol 0. Ollmol 0. 08mol ；其具體操作步驟是，在手套箱中按上述劑量分別稱取試劑，將它們放入研缽中，混合併仔細研磨，然後裝入Φ 12mmX20mm的石英管中，抽真空至10_3pa後用火焰將石英管熔化封裝，放入馬弗爐中，緩慢升至750°C，其升溫速率為10°C/小時，恆溫72小時，待冷卻後取出，此時樣品較疏鬆，取出樣品重新研磨混勻，再置於石英管中抽真空封裝，在馬弗爐內於600°C燒結M小時，這時樣品收縮成塊；此時，將其取出，放入研缽中搗碎研磨得製備粉末狀硒稼矽銀化合物產品。實施例3，製備粉末狀硒稼矽銀化合物A&_xGa4_xSixSi58 (χ = 0. 9)採用(4-x)Ag2Se+ (4-x) Ga2Se3+2xSiSe2 = 2Ag4_xGa4_xSixSe8 反應式用固相反應法製備硒稼矽銀化合物；上述原料中所含Ag、feu Si Je的摩爾比=3. 1 3. 1 0. 9 8所述A&Se 為 4.568 克，所述(^a2Sii3 為 5.833 克，SiS^ 為 1.674 克，艮P Ag2Se Ga2Se3 SiSe2 = 0. 0155mol 0. 0155mol 0. 009mol ；其具體操作步驟是，在手套箱中按上述劑量分別稱取試劑，將它們放入研缽中，混合併仔細研磨，然後裝入Φ 12mmX20mm的石英管中，抽真空至10_3pa後用火焰將石英管熔化封裝，放入馬弗爐中，緩慢升至600°C，其升溫速率為20°C /小時，恆溫48小時，待冷卻後取出，此時樣品較疏鬆，取出樣品重新研磨混勻，再置於石英管中抽真空封裝，在馬弗爐內於750°C燒結48小時，這時樣品收縮成塊；此時，將其取出，放入研缽中搗碎研磨得製備粉末狀硒稼矽銀化合物產品實施例4，氣相傳輸法製備粉末狀硒稼矽銀化合物A&_xGa4_xSixSi38 (χ = 1)選擇高純度的單質Ag、Ga、Si、k按照G-x) (4-χ) χ 8的摩爾比定量； 所述Ag為2. 714克，所述( 為1. 754克，所述Si為0. 236克，所述k為5. 297克，即 Ag Ga Si Se = 0. 03mol 0. 03mol 0. Olmol 0. 08mol ；將所述單質 Ag、Ga 禾口 Si混合放在石英管的一端，所述單質義放在石英管的另一端；將石英管抽真空密封后放入水平合成爐中，使放置單質％的一端位於水平合成爐的低溫區，放置單質Ag、fe和Si混合物的一端在水平合成爐的高溫區；升溫使低溫區溫度為400°C，高溫區溫度為600°C，保溫3 小時以上，再降至室溫，得到粉末狀硒稼矽銀化合物產品。實施例5，採用高溫熔體自髮結晶法製備硒稼矽銀晶體將實施例1、2、3或4中得到的硒稼矽銀粉末裝入Φ12πιπιΧ20πιπι的石英玻璃管中，
抽真空至10_3帕後，用氫氧焰封裝後置於管式生長爐中，緩慢升至850°C使原料完全熔化， 恆溫72小時，以l°C/h的速率緩慢降溫至室溫，關閉管式生長爐；待石英管冷卻後切開，可得到紅色透明的硒稼矽銀晶體。實施例6，採用坩堝下降法製備硒稼矽銀晶體將實施例1、2、3或4中得到的硒稼矽銀粉末裝入Φ20πιπιΧ30πιπι的石英玻璃管中， 抽真空至10_3帕後，用氫氧焰封裝後置於晶體生長爐中，緩慢升至850°C使原料完全熔化後，生長裝置以0. Ol-IOmm/小時的速度垂直下降，生長周期為5_20天；晶體生長結束後，生長裝置用20小時降至室溫，得到紅色透明的硒稼矽銀晶體。經測試，上述實施例5和6所製備的硒稼矽銀非線性光學晶體屬四方晶系，空間群為Ii2d,其晶胞參數為a = b = 5.9079 (8) A，c = 10.463 (2) Α，α = β = Y = 90 ；具有倍頻效應；圖2是該硒稼矽銀非線性光學晶體的結構示意圖。實施例7，將實施例6所得的硒稼矽銀晶體作透過光譜測定，該晶體在0. 61 μ m-18 μ m波長範圍內透明；不易碎裂，易於切割、拋光加工和保存，不潮解；將實施例6所得的硒稼矽銀晶體放在附圖1所示裝置標號為3的位置處，在室溫下，用HCKYAG雷射器作光源，入射波長為 2090nm的紅外光，輸出波長為1045nm的雷射輸出，雷射強度與AgGaSii2相當。附圖1是採用本發明硒稼矽銀非線性光學晶體製成的一種典型的非線性光學器件的工作原理圖，其中1是雷射器，2是入射雷射束，3是經晶體後處理及光學加工後的硒稼矽銀非線性光學晶體，4是所產生的出射雷射束，5是濾波片；由雷射器1發出入射雷射束2 射入硒稼矽銀單晶體3，所產生的出射雷射束4通過濾波片5，而獲得所需要的雷射束；使用本發明的硒稼矽銀非線性光學晶體製作的器件可以是倍頻發生器，上、下頻率轉換器，光參量振蕩器等。雷射器1可以是摻鍃釔鋁石榴石(HckYAG)雷射器或其它雷射器，對使用Ho:YAG雷射器作光源的倍頻器件來說，入射光束2是波長為2090nm的紅外光， 通過硒稼矽銀非線性光學晶體產生波長為1045nm的倍頻光，出射光束4含有波長為2090nm 的基頻光和1045nm的倍頻光，濾波片5的作用是濾去基頻光成分，只允許倍頻光通過。
權利要求
1.一種硒稼矽銀化合物，其化學式Ag4_xGa4_xSixSi58，其中0.85 < χ < 1. 15。
2.—種權利要求1所述硒稼矽銀化合物的固相反應製備方法，其步驟如下將含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質％按照摩爾比Ag Ga Si Se = (4-x) (4-x) χ 8的比例配料並混合均勻後，加熱至600-750°C進行加熱固相反應， 其中0. 85 < χ < 1. 15 ；所述含Ag物質為單質銀、硒化銀或硒稼銀；所述( 物質為單質稼、 三硒化二稼或硒稼銀所述Si物質為單質矽或二硒化矽。
3.按權利要求2所述硒稼矽銀化合物的製備方法，其特徵在於，所述的加熱固相反應步驟是將上述含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質％配料研磨之後裝入石英管中， 對石英管抽真空至10_3pa並進行熔化封裝，放入馬弗爐中，以10-50°C /小時的速率升溫至 600-750°C，恆溫48-72小時，待冷卻後取出樣品；對取出的樣品重新研磨混勻再置於石英管中抽真空至10_3pa並進行再熔化封裝，再放入馬弗爐內升溫至600-750°C燒結M-48小時；將樣品取出，並搗碎研磨得粉末狀硒稼矽銀化合物。
4.一種權利要求1所述硒稼矽銀化合物的氣相傳輸製備方法，其步驟如下按照摩爾比Ag Ga Si Se = (4-χ) (4-χ) χ 8稱取單質Ag、單質fei、單質Si和單質％，將所述單質Ag、單質( 和單質Si均勻混合後放在石英管的一端，將所述單質％放在石英管的另一端；將石英管抽真空密封后放入水平合成爐中，使放置單質％的一端位於水平合成爐的低溫區，放置單質Ag、單質( 和單質Si混合物的一端在水平合成爐的高溫區；升溫使低溫區溫度為300-400°C，高溫區溫度為600-800°C，保溫至少3小時，再降至室溫，得到Ag4_xGa4_xSixSe8化合物，其中0. 85 < χ < 1. 15。
5.一種權利要求1所述的硒稼矽銀非線性光學晶體，其特徵在於，其不具備對稱中心， 屬四方晶系，空間群為I^2d，其晶胞參數為a = b = 5.9079 (8) A，c = 10. 463 (2) Α, α =β = Y = 90°。
6.一種權利要求5所述硒稼矽銀非線性光學晶體的製備方法，其為高溫熔體自髮結晶法生長硒稼矽銀非線性光學晶體，其步驟為將粉末狀硒稼矽銀化合物加熱至熔化得高溫熔液並保持M-96小時後，以0. I-IO0C / 小時的降溫速率降溫至室溫，得到紅色透明的硒稼矽銀晶體。
7.按權利要求6所述硒稼矽銀非線性光學晶體的製備方法，其特徵在於，所述粉末狀硒稼矽銀化合物採用加熱固相反應法製備，其步驟如下將含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質％按照摩爾比Ag Ga Si Se = (4-x) (4-x) χ 8的比例配料並混合均勻後，加熱至600-750°C進行加熱固相反應， 其中0. 85 < χ < 1. 15 ；所述含Ag物質為單質銀、硒化銀或硒稼銀；所述( 物質為單質稼、 三硒化二稼或硒稼銀所述Si物質為單質矽或二硒化矽。
8.按權利要求7所述硒稼矽銀非線性光學晶體的製備方法，其特徵在於，所述的加熱固相反應步驟是將上述含Ag物質、含( 物質、含Si物質和單質％配料研磨之後裝入石英管中，對石英管抽真空至10_3pa並進行熔化封裝，放入馬弗爐中，以10-50°C /小時的速率升溫至600-750°C，恆溫48-72小時，待冷卻後取出樣品；對取出的樣品重新研磨混勻再置於石英管中抽真空至10_3pa並進行再熔化封裝，再放入馬弗爐內升溫至600-750°C燒結 24-48小時；將樣品取出，並搗碎研磨得粉末狀硒稼矽銀化合物。
9.按權利要求6所述硒稼矽銀非線性光學晶體的製備方法，其特徵在於，所述粉末狀硒稼矽銀化合物採用氣相傳輸法製備，其步驟如下按照摩爾比Ag Ga Si Se = (4-χ) (4-χ) χ 8稱取單質Ag、單質fei、單質Si和單質％，將所述單質Ag、單質( 和單質Si均勻混合後放在石英管的一端，將所述單質義放在石英管的另一端；將石英管抽真空密封后放入水平合成爐中，使放置單質義的一端位於水平合成爐的低溫區，放置單質Ag、單質( 和單質Si混合物的一端在水平合成爐的高溫區；升溫使低溫區溫度為300-400°C，高溫區溫度為600-800°C，保溫至少3小時，再降至室溫，得到Ag4_xGa4_xSixSe8化合物，其中0. 85 < χ < 1. 15。
10.一種權利要求5所述硒稼矽銀非線性光學晶體的製備方法，其為坩堝下降法生長硒稼矽銀非線性光學晶體，其步驟如下將硒稼矽銀化合物放入晶體生長裝置中，緩慢升溫至原料熔化，待原料完全熔化後，晶體生長裝置以0. Ol-lOmm/h的速度垂直下降，在晶體生長裝置下降過程中進行硒稼矽銀非線性光學晶體生長，其生長周期為5-40天，之後降溫至室溫得硒稼矽銀非線性光學晶體。
11.一種權利要求5所述的硒稼矽銀非線性光學晶體的用途，其特徵在於，該硒稼矽銀非線性光學晶體用於製備非線性光學器件，所製備的非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊該硒稼矽銀非線性光學晶體後產生至少一束頻率不同於入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。
全文摘要
本發明涉及硒稼矽銀化合物、硒稼矽銀非線性光學晶體及製法和用途；該硒稼矽銀化合物及晶體的化學式Ag4-xGa4-xSixSe8，0.85＜x＜1.15；可採用固相反應或氣相傳輸法製備硒稼矽銀化合物；採用高溫熔體自髮結晶法或坩堝下降等法生長硒稼矽銀非線性光學晶體；所得硒稼矽銀非線性光學晶體具有比較寬的透光波段，硬度較大，機械性能好，不易碎裂和潮解，易於加工和保存等優點；可用於製備非線性光學器件；所製備的非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊該硒稼矽銀非線性光學晶體後產生至少一束頻率不同於入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。
文檔編號C30B11/00GK102453960SQ201010528888
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月28日 優先權日2010年10月28日
發明者傅佩珍, 吳以成, 姚吉勇, 尹文龍, 梅大江 申請人:中國科學院理化技術研究所