一種雙層氮化矽減反膜的製作方法

2023-12-05 23:32:21 3

專利名稱：一種雙層氮化矽減反膜的製作方法
技術領域：
本發明涉及減反膜製作技術領域，具體地說涉及一種雙層氮化矽減反膜的製作方法。
背景技術：
太陽能作為一種取之不盡的能源越來越受人們的關注，對太陽能的有效利用可以很好的落實可持續發展這一世界主題。目前主流的太陽能電池是矽電池，太陽能電池表面主要裝玻璃擋板作為保護，太陽能電池轉換效率損失的原因之一在於表面玻璃擋板對入射太陽光存在10%左右的反射損失，而減少表面陽光反射，提高太陽能電池轉換效率的有效途徑之一就是鍍減反膜。

發明內容
本發明的目的是提供一種雙層氮化矽減反膜的製作方法，提高太陽能電池的轉換效率。本發明所採用的技術方案是，提供一種雙層氮化矽減反膜的製作方法，按如下步驟依次執行A將經過清洗制絨、擴散、刻蝕後的晶體矽用管式PECVD沉積，得到高折射率氮化矽減反膜，PECVD參數設置為氨氣流量3-4. 5slm,矽烷流量700-850sCCm，壓強 1400-1700mTorr，射頻功率 3700-4000w，開關時間 5:30ms，時間 100_200s ；B得到高折射率氮化矽減反膜後，關閉矽烷流量1-2分鐘，同時保持氨氣流量和射頻功率不變；C將B步驟完成後得到的減反膜用管式PECVD再次沉積，得到雙層氮化矽減反膜， PECVD參數設置為氨氣流量4-5. 5slm，矽烷流量200-;350sccm，壓強1300_1500mTorr，功率 3700-4000w，開關時間 5:30ms，時間 380_450s。本發明的有益效果是在晶體矽太陽能電池上面鍍雙層氮化矽減反膜，能夠提高太陽能電池片表面的鈍化效果，並且降低電池片的反射率，對電池的短路電流和開壓都有一定的好處，從而提高太陽能電池的轉化效率。


圖1示出太陽能電池片生產工藝流程圖；圖2示出本發明雙層氮化矽減反膜結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明技術方案進行詳細說明圖1太陽能電池片生產工藝流程圖，即原材料經過清洗制絨、擴散、刻蝕、PECVD鍍膜、絲網印刷、分類檢測6道工序加工得到太陽能電池片。
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圖2是本發明雙層氮化矽減反膜結構示意圖，即晶體矽上表面依次鍍一層高折射率氮化矽、一層低折射率氮化矽。本發明雙層氮化矽減反膜的製作方法，按如下步驟依次執行A將經過清洗制絨、擴散、刻蝕後的晶體矽用管式PECVD沉積，得到高折射率氮化矽減反膜，PECVD參數設置為氨氣流量3-4. 5slm,矽烷流量700-850sCCm，壓強 1400-1700mTorr，射頻功率 3700-4000w，開關時間 5:30ms，時間 100_200s ；B得到高折射率氮化矽減反膜後，關閉矽烷流量1-2分鐘，同時保持氨氣流量和射頻功率不變；使氨氣分解成氫離子和[H]進入晶體矽矽體裡面中和一些懸鍵和雜質，從而有利於矽體表面的鈍化效果；C將B步驟完成後得到的減反膜用管式PECVD再次沉積，得到雙層氮化矽減反膜， PECVD參數設置為氨氣流量4-5. 5slm，矽烷流量200-;350sccm，壓強1300_1500mTorr，功率 3700-4000w，開關時間 5:30ms，時間 380_450s。實施例1A將經過清洗制絨、擴散、刻蝕後的晶體矽用管式PECVD沉積，得到高折射率氮化矽減反膜，PECVD參數設置為氨氣流量3slm，矽烷流量770sCCm，壓強1450mTorr，射頻功率 3700w，開關時間5:30ms，時間IOOs ；B得到高折射率氮化矽減反膜後，關閉矽烷流量2分鐘，同時保持氨氣流量和射頻功率不變；C將B步驟完成後得到的減反膜用管式PECVD再次沉積，得到雙層氮化矽減反膜， PECVD參數設置為氨氣流量5. 5slm,矽烷流量250sccm，壓強1360mTorr，射頻功率3700w， 開關時間5:30ms，時間為380s。雙層氮化矽減反膜的反射率比單層氮化矽減少15%，電流提高50mA，開壓有IOmV 的提升，最終電池效率有0. 15%的提升。實施例2A將經過清洗制絨、擴散、刻蝕後的晶體矽用管式PECVD沉積，得到高折射率氮化矽減反膜，PECVD參數設置為氨氣流量4. klm，矽烷流量700sCCm，壓強HOOmTorr，功率 3900w，開關時間5:30ms，時間150s ；B得到高折射率氮化矽減反膜後，關閉矽烷流量1分鐘，同時保持氨氣流量和射頻功率不變；C將B步驟完成後得到的減反膜用管式PECVD再次沉積，得到雙層氮化矽減反膜， PECVD參數設置為氨氣流量4. 5slm,矽烷流量200sccm，壓強1300mTorr，功率4000w，開關時間5:30ms，時間為450s。雙層氮化矽減反膜的反射率比單層氮化矽減少14.5%，電流提高45mA，開壓有 IOmV的提升，最終電池效率有0. 10%的提升。實施例3A將經過清洗制絨、擴散、刻蝕後的晶體矽用管式PECVD沉積，得到高折射率氮化矽減反膜，PECVD參數設置為氨氣流量4slm，矽烷流量850sCCm，壓強1700mTorr，功率 4000w，開關時間5:30ms，時間200s ；B得到高折射率氮化矽減反膜後，關閉矽烷流量1. 5分鐘，同時保持氨氣流量和射頻功率不變；C將B步驟完成後得到的減反膜用管式PECVD再次沉積，得到雙層氮化矽減反膜， PECVD參數設置為氨氣流量4slm，矽烷流量350sccm，壓強1500mTorr，功率3900w，開關時間5:30ms，時間為400s。雙層氮化矽減反膜的反射率比單層氮化矽減少16%，電流提高51mA，開壓有IlmV 的提升，最終電池效率有0. 16%的提升。最後所應說明的是，以上實施例僅用於說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施例對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神和範圍，其均應涵蓋在本發明的權利要求範圍中。
權利要求
1.一種雙層氮化矽減反膜的製作方法，其特徵在於按如下步驟依次執行A將經過清洗制絨、擴散、刻蝕後的晶體矽用管式PECVD沉積，得到高折射率氮化矽減反膜，PECVD參數設置為氨氣流量3-4. 5slm,矽烷流量700-850sCCm，壓強 1400-1700mTorr，射頻功率 3700-4000w，開關時間 5:30ms，時間 100_200s ；B得到高折射率氮化矽減反膜後，關閉矽烷流量1-2分鐘，同時保持氨氣流量和射頻功率不變；C將B步驟完成後得到的減反膜用管式PECVD再次沉積，得到雙層氮化矽減反膜，PECVD 參數設置為氨氣流量4-5. klm，矽烷流量200-350sccm，壓強1300_1500mTorr，射頻功率 3700-4000w，開關時間 5:30ms，時間 380_450s。
2.根據權利要求1所述的一種雙層氮化矽減反膜的製作方法，其特徵在於步驟A中 PECVD參數設置為氨氣流量3slm，矽烷流量770sccm，壓強1450mTorr，射頻功率3700w，開關時間5:30ms，時間100s。
3.根據權利要求1所述的一種雙層氮化矽矽減反膜的製作方法，其特徵在於步驟C 中PECVD參數設置為氨氣流量5. 5slm,矽烷流量250sccm，壓強1360mTorr，功率3700w，開關時間5:30ms，時間為380s。
4.根據權利要求1或2或3所述的一種雙層氮化矽矽減反膜的製作方法，其特徵在於， 步驟B中時間控制在2分鐘。
全文摘要
本發明公開了一種雙層氮化矽減反膜的製作方法，按如下步驟進行A將經過清洗制絨、擴散、刻蝕後的晶體矽用管式PECVD沉積，得到高折射率氮化矽減反膜；B得到高折射率氮化矽減反膜後，關閉矽烷流量1-2分鐘，同時保持氨氣流量和射頻功率不變；C將B步驟完成後得到的減反膜用管式PECVD再次沉積，得到雙層氮化矽減反膜。在晶體矽太陽能電池上面鍍雙層氮化矽減反膜，能夠提高太陽能電池片表面的鈍化效果，並且降低電池片的反射率，對電池的短路電流和開壓都有一定的好處，從而提高太陽能電池的轉化效率。
文檔編號H01L31/18GK102199760SQ20111011134
公開日2011年9月28日 申請日期2011年4月28日 優先權日2011年4月28日
發明者俞超, 劉娟, 周兵, 張健, 徐傑, 趙麗豔 申請人:浙江鴻禧光伏科技股份有限公司