發光封裝的製作方法

2023-11-03 03:12:22 5

相關申請的交叉引用

本申請根據35u.s.c.§119和35u.s.c.§365要求於2015年11月27日在韓國提交的第10-2015-0167641號韓國專利申請的優先權，其全部公開內容通過引用的方式併入此處。

本公開文本涉及一種發光封裝和照明器件。

背景技術：

發光器件是一種將電能轉換為光的半導體器件，並且作為替代現有螢光燈和白熾燈的下一代光源而受到關注。

與通過加熱鎢絲產生光的燈泡或者當通過高壓放電產生的紫外線與螢光體碰撞時產生光的螢光燈相比，發光二極體通過使用半導體器件產生光，並且消耗非常低的功率。

此外，由於發光二極體通過使用半導體元件的位勢差產生光，所以與現有光源相比，發光二極體具有長的使用壽命，具有快速響應特性和環境友好特性。

因此，已經進行了許多用發光二極體來替代現有光源的研究，並且發光二極體已經被越來越多地用作照明器件(例如，各種燈、液晶顯示器件、電子顯示器或路燈)的光源。

技術實現要素：

實施例提供了一種具有改進的電氣特性檢查可靠性的發光封裝和照明器件。

實施例提供了一種包括用於改善因氧化而腐蝕的引線框的發光封裝以及照明器件。

根據本公開文本的一個方面，提供了一種發光封裝，包括：第一引線框；第二引線框，沿第一方向與第一引線框間隔開；主體，耦接到第一引線框和第二引線框；以及發光元件，位於第一引線框上，其中第一引線框包括第一側部至第四側部，第一側部包括從主體的一個側表面向外突出的第一突起以及布置在第一突起的端部的第一接觸部，其中第二引線框包括第五側部至第八側部，第五側部包括從主體的側表面向外突出的第二突起以及布置在第二突起的端部的第二接觸部，並且其中第一接觸部和第二接觸部中的每一個包括覆蓋第二層的第一層。

本實施例的照明器件可以包括發光封裝。

附圖說明

圖1是示出根據一實施例的發光封裝的透視圖；

圖2是示出根據一實施例的發光封裝的平面圖；

圖3是示出根據一實施例的第一引線框和第二引線框的平面圖；

圖4是示出根據一實施例的第一引線框和第二引線框的透視圖；

圖5是示出沿圖3的b-b截取的第一引線框和第二引線框的剖視圖；

圖6和圖7是示出根據一實施例的單元發光封裝的製造工藝的視圖；

圖8是示出根據另一個實施例的第一引線框和第二引線框的平面圖；

圖9是示出根據另一個實施例的第一引線框和第二引線框的平面圖；

圖10是示出根據另一個實施例的發光封裝的平面圖；

圖11是示出沿圖10的d-d截取的發光封裝的剖視圖；

圖12是示出設置在一實施例的發光封裝中的發光晶片的剖視圖；

圖13是示出設置在該實施例的發光封裝中的發光晶片的另一個示例的剖視圖；

圖14是示出包括該實施例的發光封裝的顯示器件的透視圖；以及

圖15是示出包括該實施例的發光封裝的顯示器件的另一個示例的剖視圖。

具體實施方式

本公開文本的實施例可以被修改成其它形式或者可以彼此結合，並且本公開文本的範圍不限於將在下文描述的實施例。

雖然沒有在其它實施例中對已經在具體實施例中描述的內容進行描述，但是這些內容可以被解釋為同樣與其它實施例相關的內容，除非其它實施例做出相反的或相矛盾的描述。

例如，如果一個具體實施例描述了元件a的特徵，而另一個實施例描述了元件b的特徵，即使沒有明確描述將元件a和元件b結合的實施例，但它們也落入本公開文本的範圍內，除非它們彼此相對或相矛盾。

在下文中，將參考附圖描述用於實現目的的本公開文本的示例性實施例。

在本公開文本的實施例的詳細描述中，當描述第一元件形成在第二元件上或下時，應當理解，兩個元件可以直接彼此接觸，或者一個或多個元件布置在兩個元件之間。此外，上或下可以表示一個元件可以布置在另一個元件下以及布置在第二元件上。

半導體元件可以包括各種電子元件，這些電子元件包括發光元件和光接收元件，並且發光元件和光接收元件都可以包括第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層。

根據本實施例的半導體元件可以是發光元件。

當電子和空穴彼此重新耦接時，發光元件發出光，並且光的波長由材料的自然能帶隙決定。因此，發光可能根據材料的成分而不同。

圖1是示出根據一實施例的發光封裝的透視圖。圖2是示出根據一實施例的發光封裝的平面圖。圖3是示出根據一實施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。圖4是示出根據一實施例的第一引線框和第二引線框的透視圖。

如圖1至圖4所示，根據一實施例的發光封裝100可以包括第一引線框130、第二引線框140、主體120、保護元件160以及發光元件150。

發光元件150可以布置在第一引線框130上。發光元件150可以布置在第一引線框130的從主體120暴露的上表面上。已經描述了在該實施例中設置一個發光元件150，但是本公開文本不限於此而是可以包括兩個或更多個發光元件來提供陣列形式。發光元件150可以經由導線連接，但是本公開文本不限於此。發光元件150可以布置在主體120的中心部分，但是本公開文本不限於此。

保護元件160可以布置在第二引線框140上。保護元件160可以布置在第二引線框140的暴露於主體120的上表面上。保護元件160可以是齊納二極體、晶閘管、瞬態電壓抑制(tvs)等，但是本公開文本不限於此。作為示例描述的是，該實施例的保護元件160是保護髮光元件150免受靜電放電(esd)的齊納二極體。保護元件160可以經由導線連接至第一引線框130。

主體120可以包括半透明材料、反射材料和絕緣材料中的至少一種。對於從發光元件150發射的光，主體120可以包括其透射率高於其反射率的材料。主體120可以由樹脂基絕緣材料形成。例如，主體120可以由諸如聚鄰苯二甲醯胺(ppa)或環氧樹脂等樹脂、矽、金屬、光敏玻璃、藍寶石(al2o3)和印刷電路板(pcb)中的至少一種形成。主體120可以包括具有特定曲率的外表面或者具有成角度表面的外表面。主體120的俯視圖例如可以具有圓形或多邊形形狀。作為示例描述的是，該實施例的主體120具有包括第一外表面121至第四外表面124的多邊形形狀。

主體120可以耦接到第一引線框130和第二引線框140。主體120可以包括暴露第一引線框130和第二引線框140的上表面的一部分的空腔125。

空腔125可以包括暴露第一引線框130的第一底表面125a，以及暴露第二引線框140的第二底表面125b和第三底表面125c。第一底表面125a是安裝發光元件150的區域，並且可以與發光元件150的形狀對應。第一底表面125a還可以包括與保護元件160的導線連接的區域。第一底表面125a的角部可以具有特定曲率。第一底表面125a的具有特定曲率的角部可以通過不斷地保持發光元件150與空腔125的內表面之間的間隙來提高光學效率。第二底表面125b是使發光元件150的導線與第二引線框140連接的區域，並且可以布置在與第一引線框130相鄰的區域中。第三底表面125c是安裝保護元件160的區域，並且可以與第二底表面125b間隔開特定間隙，但是本公開文本不限於此。

主體120可以包括第一外表面121至第四外表面124，並且主體120的俯視圖可以具有矩形形狀。第一外表面121和第二外表面122可以沿第一方向x平行布置。在該實施例中，第一引線框130和第二引線框140的一部分可以從第一外表面121和第二外表面122暴露。在該實施例中，第一引線框130的第一側部130a可以從第一外表面121暴露。在該實施例中，第二引線框140的第五側部140a可以從第二外表面122暴露。第三外表面123和第四外表面124可以沿與第一方向x垂直的第二方向y平行布置。在該實施例中，第一引線框130和第二引線框140不從第三外表面123和第四外表面124暴露。也就是說，在該實施例中，第一引線框130和第二引線框140可以布置在第三外表面123和第四外表面124的內部。

第一引線框130和第二引線框140可以彼此間隔開特定間隙以耦接到主體120。發光元件150可以安裝在第一引線框130上，而保護元件160可以安裝在第二引線框140上。第一引線框130和第二引線框140可以沿第一方向x平行布置。第一引線框130可以沿第一方向x具有大於第二引線框140的寬度的寬度，但是本公開文本不限於此。第一引線框130和第二引線框140可以包括導電材料。例如，第一引線框130和第二引線框140可以包括鈦(ti)、銅(cu)、鎳(ni)、金(au)、鉻(cr)、鉭(ta)、鉑(pt)、錫(sn)、銀(ag)、磷(p)、鐵(fe)、錫(sn)、鋅(zn)以及鋁(al)中的至少一種，並且可以具有多個層。該實施例的第一引線框130和第二引線框140可以包括第二層l2以及覆蓋第二層l2的第一層l1。第二層l2可以是導電的、散熱的以及節約成本的導電材料。例如，第二層l2可以包括銅(cu)。第一層l1包括防止氧化的功能。第一層l1可以是抗氧化且高反射的導電材料。例如，第一層l1可以包括銀(ag)。該實施例已經描述了通過在銅(cu)的表面上鍍敷銀(ag)獲得的第一引線框130和第二引線框140，但是本公開文本不限於此。

第一引線框130可以包括第一側部130a至第四側部130d以及安裝發光元件150的上表面130e。第一側部130a至第四側部130d可以布置在第一引線框130的外部。

第一側部130a可以與主體120的第一側表面121對應。第一側部130a可以從主體120的第一側表面121暴露。第一側部130a可以從主體120的第一側表面121突出。

第一側部130a可以從主體120的第一側表面121暴露。第一側部130a可以包括向外突出的第一突起131以及布置在第一突起131的相對側的第一切口部133和第二切口部135。

第一突起131可以包括第一接觸部131a。第一接觸部131a可以包括用於在發光封裝100的檢查工序中輸入驅動信號的焊盤功能。也就是說，第一接觸部131a可以包括用於在檢查工序中輸入驅動信號的電接觸功能。第一突起131可以比第一切口部133和第二切口部135更向外突出。第一接觸部131a可以布置在第一突起131的端部。第一接觸部131a可以布置在第一切口部133和第二切口部135的外側。第一突起131和第一接觸部131a可以由抗氧化且反射率高的導電材料形成。例如，包括銀(ag)的第一層l1可以銀鍍敷在第一突起131和第一接觸部131a的表面上，但是本公開文本不限於此。第一接觸部131a沿與第一方向x垂直的第二方向y的第一寬度w1可以不小於300μm。當第一接觸部131a的第一寬度w1小於300μm時，可能導致檢查工序中的外部信號接觸缺陷。

一般的發光封裝可以通過切割第一引線框和第二引線框的突出區域而分成多個單元發光封裝。一般的發光封裝可以配置使得例如包括銅(cu)的第二層通過切割輸入有驅動信號的第一引線框和第二引線框的外表面的工藝而暴露。例如包括銅(cu)的第二層的接觸電阻高於銀(ag)或金(au)的接觸電阻，因此不適合於電接觸點。

在該實施例中，通過切割工藝暴露切口表面的第一切口部133和第二切口部135可以布置在與第一突起131的輸入驅動信號的第一接觸部131a偏離的區域中。例如，在該實施例中，第一切口部133和第二切口部135配置使得具有接觸電阻高於第一層l1的接觸電阻的第二層l2可以通過切割工藝暴露於外部。第一切口部133和第二切口部135可以布置在與電接觸點的第一接觸部131a偏離的區域中，使得可以抑制第一切口部133和第二切口部135的電氣特性的降低。

第一切口部133可以從第一突起131沿與第二方向y相反的方向延伸。第二切口部135可以從第一突起131沿第二方向y延伸。第一切口部133和第二切口部135可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此製造發光封裝100。第一切口部133和第二切口部135可以通過切割工藝形成在第一引線框130的第一側部130a上。例如，第一切口部133和第二切口部135配置使得第二層l2可以從第一層l1向外暴露。第一切口部133和第二切口部135可以具有從第一接觸部131a呈臺階狀的結構。第一接觸部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺階的高度h可以不小於10μm。例如，第一接觸部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺階的高度h可以為10μm至300μm。當第一接觸部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺階的高度h小於10μm時，第一切口部和第二切口部的一部分和檢查工序的連接部以及第一突起131的第一接觸部131a可以彼此接觸，因此，檢查工序的可靠性可能降低。當第一接觸部131a與第一切口部133和第二切口部135之間的臺階的高度h超過300μm時，暴露於發光封裝100的側表面的第一側部130a的面積增加，因此生產率可能降低，並且產品的設計也可能受到限制。第一切口部133沿第二方向y的第二寬度w2可以為100μm至500μm，但本公開文本不限於此。第二切口部135沿第二方向y的第三寬度w3可以為100μm至500μm，但本公開文本不限於此。第一切口部133和第二切口部135的第二寬度w2和第三寬度w3可以相同，但本公開文本不限於此。

第一切口部133可以包括從第一接觸部131a延伸的第一傾斜部133a以及從第一傾斜部133a延伸的第一邊緣部133b。第一邊緣部133b可以布置為比第一接觸部131a更接近主體120的最外側。也就是說，第一接觸部131a可以布置在第一邊緣部133b的外側上。第一邊緣部133b可以沿第一方向x與第一接觸部131a平行地間隔開。

第一傾斜部133a和第一邊緣部133b可以包括小於第一引線框130的厚度的水平寬度。例如，第一傾斜部133a和第一邊緣部133b可以包括50μm至300μm的水平寬度。當第一傾斜部133a和第一邊緣部133b的水平寬度小於50μm時，可能很難切割小的水平寬度。當第一傾斜部133a和第一邊緣部133b的水平寬度超過300μm時，由於大於第一引線框130的厚度的第一傾斜部133a和第一邊緣部133b的水平寬度，在切割工藝中在切口表面周圍可能產生裂紋或偏斜，並且切口表面上的裂紋或偏斜降低了其外觀的質量。

第二切口部135可以包括從第一接觸部131a延伸的第二傾斜部135a以及從第二傾斜部135a延伸的第二邊緣部135b。也就是說，第一接觸部131a可以布置在第二邊緣部135b的外側上。第二邊緣部135b可以沿第一方向x與第一接觸部131a平行地間隔開。

第二傾斜部135a和第二邊緣部135b可以包括小於第一引線框130的厚度的水平寬度。例如，第二傾斜部135a和第二邊緣部135b可以包括50μm至300μm的水平寬度。當第二傾斜部135a和第二邊緣部135b的水平寬度小於50μm時，可能很難切割小的水平寬度。當第二傾斜部135a和第二邊緣部135b的水平寬度超過300μm時，由於大於第一引線框130的厚度的第二傾斜部135a和第二邊緣部135b的水平寬度，在切割工藝中在切口表面周圍可能產生裂紋或偏斜，並且切口表面上的裂紋或偏斜降低了其外觀的質量。

第一切口部133和第二切口部135可以沿第二方向y彼此對稱。第一傾斜部133a和第二傾斜部135a可以彼此對稱，並且第一邊緣部133b和第二邊緣部135b可以沿第二方向y彼此重疊。第一邊緣部133b和第二邊緣部135b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第二側部130b可以與第二引線框140相鄰布置。第二側部130b可以面對第二引線框140的第六側部140b。第二側部130b由於主體120而不暴露於外部。第一引線框130可以包括位於第二側部130b的相對端處的沿第二方向y彼此對稱的第三傾斜部138a和第四傾斜部138b。第三傾斜部138a和第四傾斜部138b與主體120的耦合力可以隨著主體120與第一引線框130和第二引線框140之間的接合面積增大而提高。例如，主體120可以通過注塑工藝耦接至第一引線框130和第二引線框140。第三傾斜部138a和第四傾斜部138b可以在主體120的注塑工藝中改進第一引線框130和第二引線框140之間的注入流(injectionflow)。第三傾斜部138a和第二側部130b限定的第一傾斜角θ1可以大於90°並且可以小於180°。此外，第三傾斜部138a和第三側部130c限定的第二傾斜角θ2可以大於90°並且可以小於180°。第一傾斜角θ1和第二傾斜角θ2可以相同或不同。

第四傾斜部138b的傾斜角可以採用第三傾斜部138a的特性。

第三側部130c和第四側部130d可以彼此對稱並且可以具有平坦表面。第三側部130c和第四側部130d由於主體120而不暴露於外部。第三側部130c和第四側部130d可以布置在主體120中。第三側部130c可以布置在第二邊緣部135b與第三傾斜部138a。也就是說，第三側部130c可以從第二邊緣部135b延伸。第三側部130c可以從第三傾斜部138a延伸。第四側部130d可以布置在第一邊緣部133b與第四傾斜部138b之間。第四側部130d可以從第一邊緣部133b延伸。第四側部130d可以從第四傾斜部138b延伸。

第一引線框130可以包括位於其下表面上的第一臺階部136。第一臺階部136可以沿第一引線框130的下表面的外圍布置。該實施例的第一臺階部136可以布置在第二側部130b至第四側部130d的下方。第一臺階部136可以與第一側部130a間隔開特定間隙。因為第一側部130a暴露於外部，使得切割工藝帶來的外力集中於第一側部130a中，所以為了強度，第一臺階部136可以與第一側部130a間隔開。第一臺階部136可以是凹陷的，並且第一臺階部136的橫截面可以是臺階狀的，但是本公開文本不限於此。第一臺階部136增大了與主體120的接觸面積，從而提高了與主體120的耦接力。此外，第一臺階部136可以由於臺階結構而抑制外部水分的滲透。第一臺階部136可以通過蝕刻第一引線框130的下表面的外圍的一部分來形成，但是本公開文本不限於此。第一臺階部136的厚度可以是第一引線框130的厚度的50％，但是本公開文本不限於此。例如，第一臺階部136的厚度可以不小於第一引線框130的厚度的50％。當第一臺階部136的厚度小於第一引線框130的厚度的50％時，在第一引線框130的製造工藝中，在第一臺階部136周圍可能發生變形，例如扭曲。因此，考慮到第一引線框130的形狀的變形，第一臺階部136的厚度可以不小於第一引線框130的厚度的50％。

第一引線框130可以包括多個第一通孔137。多個第一通孔137可以包括提高與主體120的耦接力的功能。多個第一通孔137可以增大主體120與第一引線框130之間的接合面積，因此可以提高主體120與第一引線框130之間的耦接力。例如，第一通孔137可以從第一引線框130的上表面130e延伸到第一引線框130的下表面。第一通孔137可以與第一側部130a相鄰布置。第一通孔137可以布置在第一引線框130的與第一側部130a相鄰的角處，但是本公開文本不限於此。第一通孔137的位置和直徑可以自由改變。第一通孔137可以在與第一引線框130的下表面接觸的區域中包括臺階部(未示出)，但是本公開文本不限於此。

第二引線框140可以包括第五側部140a至第八側部140d，以及安裝保護元件160的上表面140e。第五側部140a至第八側部140d可以布置在第二引線框140的外部。

第五側部140a可以與主體120的第二側表面122對應。第五側部140a可以從主體120的第二側表面122暴露。第五側部140a可以從主體120的第二側表面122向外突出。

第五側部140a可以從主體120的第二側表面122暴露。第五側表面140a可以包括向外突出的第二突起141以及布置在第二突起141的相對側的第三切口部143和第四切口部145。

第二突起141可以包括第二接觸部141a。第二接觸部141a可以包括用於在發光封裝100的檢查工序中輸入驅動信號的焊盤功能。也就是說，第二接觸部141a可以包括用於在檢查工序中輸入驅動信號的電接觸功能。第二突起141可以比第三切口部143和第四切口部145更向外突出。第二接觸部141a可以布置在第二突起141的端部。第二接觸部141a可以布置在第三切口部143和第四切口部145的外側。第二突起141和第二接觸部141a可以由抗氧化且反射率高的導電材料形成。例如，例如包括銀(ag)的第一層可以鍍敷在第二突起141和第二接觸部141a的表面上，但是本公開文本不限於此。第二接觸部141a沿與第一方向x垂直的第二方向y的第四寬度w4可以不小於300μm。當第二接觸部141a的第四寬度w4小於300μm時，可能導致檢查工序的外部信號接觸缺陷。第一突起131和第二突起141可以布置在發光封裝100的彼此對稱的第一外表面121和第二外表面122上。第一接觸部131a和第二接觸部141a可以布置在發光封裝100的彼此對稱的第一外表面121和第二外表面122上。

在該實施例中，通過切割工藝暴露切口表面的第三切口部143和第四切口部145可以布置在與第二突起141的輸入驅動信號的第二接觸部141a偏離的區域中。例如，在該實施例中，第三切口部143和第四切口部145配置使得具有接觸電阻高於第一層的接觸電阻的第二層可以通過切割工藝暴露於外部。第三切口部143和第四切口部145可以布置在與電接觸點的第二接觸部141a偏離的區域中，使得可以抑制第三切口部133和第四切口部135的電氣特性的降低。

第三切口部143可以從第二突起141沿與第二方向y相反的方向延伸。第四切口部145可以從第二突起141沿第二方向y延伸。第三切口部143和第四切口部145可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此製造發光封裝100。第三切口部143和第四切口部145可以通過切割工藝形成在第二引線框140的第五側部140a上。例如，第三切口部143和第四切口部145配置使得第二層可以從第一層暴露。第三切口部143和第四切口部145可以具有從第二接觸部141a呈臺階狀的結構。第二接觸部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺階的高度可以不小於10μm。例如，第二接觸部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺階的高度可以為10μm至300μm。當第二接觸部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺階的高度小於10μm時，第三切口部143和第四切口部145和檢查工序的連接部以及第二接觸部141a可能會彼此接觸，降低了檢查工序的可靠性。當第二接觸部141a與第三切口部143和第四切口部145之間的臺階的高度超過300μm時，暴露於發光封裝100的側表面的第五側部140a的面積增加，因此，生產率可能降低，並且產品的設計也可能受到限制。第三切口部133沿第二方向y的第五寬度w5可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限於此。第四切口部145沿第二方向y的第六寬度w6可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限於此。第三切口部143和第四切口部145的第五寬度w5和第六寬度w6可以相同，但是本公開文本不限於此。

第三切口部143可以包括從第二接觸部141a延伸的第五傾斜部143a以及從第五傾斜部143a延伸的第三邊緣部143b。第三邊緣部143b可以布置為比第二接觸部141a更接近主體120。也就是說，第二接觸部141a可以布置在第三邊緣部143b的外側。第三邊緣部143b可以沿第一方向x與第二接觸部141a平行地間隔開。

第四切口部145可以包括從第二接觸部141a延伸的第六傾斜部145a以及從第六傾斜部145a延伸的第四邊緣部145b。也就是說，第二接觸部141a可以布置在第五邊緣部145b的外側。第四邊緣部145b可以沿第一方向x與第二接觸部141a平行地間隔開。

第五傾斜部143a和第六傾斜部145a以及第三邊緣部143b和第四邊緣部145b的水平寬度可以採用第一傾斜部133a和第二傾斜部135a以及第一邊緣部133b和第二邊緣部135b的技術特徵。

第三切口部143和第四切口部145可以沿第二方向y彼此對稱。第五傾斜部143a和第六傾斜部145a可以彼此對稱，並且第三邊緣部143b和第四邊緣部145b可以沿第二方向y彼此平行地重疊。第三邊緣部143b和第四邊緣部145b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第六側部140b可以與第一引線框130相鄰布置。第六側部140b可以面向第一引線框130的第二側部130b。第六側部140b由於主體120而不暴露於外部。第二引線框140可以包括位於第六側部140b的相對端處的沿第二方向y彼此對稱的第七傾斜部148a和第八傾斜部148b。第七傾斜部148a和第八傾斜部148b可以增大主體120與第二引線框140之間的接合面積，從而提高主體120與第二引線框140之間的耦接力。例如，主體120可以通過注塑工藝耦接至第一引線框130和第二引線框140。第七傾斜部148a和第八傾斜部148b可以在主體120的注塑工藝中改進第一引線框130與第二引線框140之間的注入流。第七傾斜部148a和第六側部140b限定的傾斜角可以大於90°並且小於180°。此外，第七傾斜部148a和第七側部140c限定的傾斜角可以大於90°並且小於180°。這些傾斜角可以相同或不同。第八傾斜部148b的傾斜角可以採用第七傾斜部148a的特性。

第七側部140c和第八側部140d可以彼此對稱並且可以具有平坦表面。第七側部140c和第八側部140d由於主體120而不暴露於外部。第七側部140c和第八側部140d可以布置在主體120中。第七側部140c可以布置在第四邊緣部145b與第七傾斜部148a之間。第七側部140c可以從第四邊緣部145b延伸。第七側部140c可以從第七傾斜部148a延伸。第八側部140d可以布置在第三邊緣部143b與第八傾斜部148b之間。第八側部140d可以從第三邊緣部143b延伸。第八側部140d可以從第八傾斜部148b延伸。

第二引線框140可以包括位於其下表面上的第二臺階部146。第二臺階部146可以沿第二引線框140的下表面的外圍布置。該實施例的第二臺階部146可以布置在第六側部140b至第八側部140d的下方。第二臺階部146可以與第五側部140a間隔開特定間隙。因為第五側部140a暴露於外部，使得切割工藝帶來的外力集中於第五側部146中，所以為了強度，第二臺階部146可以與第五側部140a間隔開。第二臺階部146可以是凹陷的，並且第二臺階部146的橫截面可以是臺階狀的，但是本公開文本不限於此。第二臺階部146增大了與主體120的接觸面積，從而提高與主體120的耦接力。此外，第二臺階部146可以由於臺階結構而抑制外部水分的滲透。第二臺階部146可以通過蝕刻第二引線框140的下表面的外圍的一部分來形成，但是本公開文本不限於此。第二臺階部146的厚度可以是第二引線框140的厚度的50％，但是本公開文本不限於此。例如，第二臺階部146的厚度可以不小於第二引線框140的厚度的50％。當第二臺階部146的厚度小於第二引線框140的厚度的50％時，在第二引線框140的製造工藝中，在第二臺階部146周圍可能發生變形，例如扭曲。因此，考慮到第二引線框140的形狀的變形，第二臺階部146的厚度可以不小於第二引線框140的厚度的50％。

第二引線框140可以包括第二通孔147。第二通孔147可以包括提高與主體120的耦接力的功能。第二通孔147可以增大主體120與第二引線框140之間的接合面積，因此可以提高主體120與第二引線框140之間的耦接力。第二通孔147可以從第二引線框140的上表面140e延伸到第二引線框140的下表面。第二通孔147可以與第五側部140a相鄰布置。第二通孔147可以與第五側部140a相鄰布置並且與第二引線框140的中心部分相鄰布置，但是本公開文本不限於此。第二通孔147的位置和直徑可以自由改變。第二通孔147可以在與第二引線框140的下表面接觸的區域中包括臺階部(未示出)，但是本公開文本不限於此。

在該實施例中，因為具有表面類型的第一接觸部131a布置在第一引線框130的第一突起131的端部，具有表面類型的第二接觸部141a布置在第二引線框140的第二突起141的端部，並且第一接觸部131a和第二接觸部141a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1布置在第一接觸部131a和第二接觸部141a中，所以可以抑制氧化引起的腐蝕。

在該實施例中，因為第一引線框130的第一接觸部131a和第二引線框140的第二接觸部141a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1包括在第一接觸部131a和第二接觸部141a的表面上，所以可以改進檢查工序的可靠性。

圖6和圖7是示出根據一實施例的單元發光封裝的製造工藝的視圖。

參考圖6和圖7，本實施例的金屬框架110可以包括多個引線框a。金屬框架110可以包括第一狹縫111、第二狹縫113、分離孔115、第一通孔137、第二通孔147以及多個第一連接器112和多個第二連接器114。

金屬框架110可以經由分離孔115沿第一方向x將第一引線框130和第二引線框140分離。

第一連接器112可以沿與第一方向x垂直的第二方向y布置在第一狹縫111與分離孔115之間。第一連接器112可以布置在切割線c上。

第二連接器114可以沿第二方向y布置在第二狹縫113與分離孔115之間。第二連接器114可以布置在切割線c上。

在本實施例中，如果在金屬框架110上完成主體120的注塑工藝，則沿切割線c切割金屬框架110以分離成單元發光封裝。

切割線c可以與主體120間隔開特定間隙。切割線c可以位於第一連接器112和第一狹縫111上，並且可以位於第二連接器114和第二狹縫113上。

這裡，第一狹縫111可以包括第一內表面111a至第四內表面111d，而第二狹縫113可以包括第五內表面113a至第八內表面113d。

切割線c可以穿過第一狹縫111的第一內表面111a以及第三內表面111c和第四內表面111d，並且可以穿過第二狹縫113的第五內表面113a以及第七內表面113c和第八內表面113d。

參考圖1至圖7，在本實施例中，通過包括第一狹縫111、第二狹縫113、分離孔115、第一通孔137、第二通孔147以及多個第一連接器112和多個第二連接器114的金屬框架110的結構，第一引線框130的第一接觸部131a和第二引線框140的第二接觸部141a可以與切割線c間隔開。例如，第一側部130a和第五側部140a分別包括第一突起131和第二突起141，具有表面類型的第一接觸部131a和第二接觸部141a分別布置在第一引線框130的第一突起131的端部和第二引線框140的第二突起141的端部。因此，因為第一接觸部131a和第二接觸部141a與切割線c間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1鍍敷在第一接觸部131a和第二接觸部141a的表面上，所以可以抑制氧化引起的腐蝕，並且第一層l1可以布置為電接觸點。

在本實施例中，因為第一引線框130的第一接觸部131a和第二引線框140的第二接觸部141a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層l1包括在第一接觸部131a和第二接觸部141a的表面上，所以可以提高檢查工序的可靠性。

圖8是示出根據另一個實施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。

如圖8所示，除了第一引線框230的第一側部230a和第二引線框240的第五側部240a之外，根據第二實施例的發光封裝可以採用根據圖1至圖5的實施例的發光封裝100的技術特徵。

第一引線框230的第一側部230a可以包括向外突出的第一突起231以及布置在第一突起231的相對側的第一切口部233和第二切口部235。第一突起231可以比第一切口部233和第二切口部235更向外突出。第一突起231可以包括第一接觸部231a。第一突起231和第一接觸部231a可以採用圖1至圖4的發光封裝的技術特徵。

第一切口部233可以從第一突起231沿與第二方向y相反的方向延伸。第二切口部235可以從第一突起231沿第二方向y延伸。第一切口部233和第二切口部235可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此製造發光封裝。第一切口部233和第二切口部235可以通過切割工藝形成在第一引線框230的第一側部230a上。例如，第一切口部233和第二切口部235的一部分可以配置使得例如包括銅(cu)的第二層可以從例如包括銀(ag)的第一層暴露。第一切口部233和第二切口部235可以具有從第一接觸部231a呈臺階狀的結構。第一接觸部231a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺階的高度h可以不小於10μm。例如，第一接觸部231a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺階的高度h可以為10μm至300μm。當第一接觸部231a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺階的高度h小於10μm時，可能因受到氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會接觸暴露於外部的第一切口部233和第二切口部235以及檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當第一接觸部131a與第一切口部233和第二切口部235之間的臺階的高度h超過300μm時，暴露於發光封裝100的側表面的第一側部230a的面積增加，因此生產率可能降低，並且產品的設計也可能受到限制。第一切口部233沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限於此。第二切口部235沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限於此。第一切口部233和第二切口部235的寬度可以相同，但是本公開文本不限於此。

第一切口部233可以包括從第一接觸部231a延伸的第一彎曲部233a以及從第一彎曲部233a延伸的第一邊緣部233b。第一邊緣部233b可以布置為比第一接觸部231a更接近主體120。也就是說，第一接觸部231a可以布置在第一邊緣部233b的外側上。第一邊緣部233b可以沿第一方向x與第一接觸部231a平行地間隔開。

第二切口部235可以包括從第一接觸部231a延伸的第二彎曲部235a以及從第二彎曲部235a延伸的第二邊緣部235b。第二邊緣部235b可以布置在第一接觸部231a的內側上。也就是說，第一接觸部231a可以布置在第二邊緣部235b的外側上。第二邊緣部235b可以沿第一方向x與第一接觸部231a平行地間隔開。

第一切口部233和第二切口部235可以沿第二方向y彼此對稱。第一彎曲部233a和第二彎曲部235a可以彼此對稱，並且第一邊緣部233b和第二邊緣部235b可以沿第二方向y彼此重疊。第一邊緣部233b和第二邊緣部235b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第二引線框240的第五側部240a可以包括向外突出的第二突起241以及布置在第二突起241的相對側的第三切口部243和第四切口部245。第二突起241可以比第三切口部243和第四切口部245更向外突出。第二突起241可以包括第二接觸部241a。第二接觸部241a可以布置在第二突起241的端部。第二突起241和第二接觸部241a可以採用圖1至圖4的發光封裝的技術特徵。

第三切口部243可以從第二突起241沿與第二方向y相反的方向延伸。第四切口部245可以從第二突起241沿第二方向y延伸。第三切口部243和第四切口部245可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此製造發光封裝。第三切口部243和第四切口部245可以通過切割工藝形成在第二引線框240的第五側部240a上。例如，第三切口部243和第四切口部245配置使得第二層可以從第一層暴露。第三切口部243和第四切口部245可以具有從第二接觸部241a呈臺階狀的結構。第二接觸部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺階的高度可以不小於10μm。例如，第二接觸部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺階的高度可以為10μm至300μm。當第二接觸部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺階的高度小於10μm時，可能因受到氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會接觸暴露於外部的第三切口部243和第四切口部245以及檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當第二接觸部241a與第三切口部243和第四切口部245之間的臺階的高度超過300μm時，暴露於發光封裝的側表面的第五側部240a的面積增加，因此生產率可能降低，並且產品的設計也可能受到限制。第三切口部243沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限於此。第四切口部245沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限於此。第三切口部243和第四切口部245的寬度可以相同，但是本公開文本不限於此。

第三切口部243可以包括從第二接觸部241a延伸的第三彎曲部243a以及從第三彎曲部243a延伸的第三邊緣部243b。第三邊緣部243b可以布置為比第二接觸部241a更接近主體。也就是說，第二接觸部241a可以布置在第三邊緣部243b的外側。第三邊緣部243b可以沿第一方向x與第二接觸部241a平行地間隔開。

第四切口部245可以包括從第二接觸部241a延伸的第四彎曲部245a以及從第四彎曲部245a延伸的第四邊緣部245b。第四邊緣部245b可以布置在第二接觸部241a的內側上。也就是說，第二接觸部241a可以布置在第四邊緣部245b的外側上。第四邊緣部245b可以沿第一方向x與第二接觸部241a平行地間隔開。

第三切口部243和第四切口部245可以沿第二方向y彼此對稱。第三彎曲部243a和第四彎曲部245a可以彼此對稱，並且第三邊緣部243b和第四邊緣部245b可以沿第二方向y彼此重疊。第三邊緣部243b和第四邊緣部245b可以沿第二方向y布置在相同的平面上。

第二實施例的發光封裝的製造方法可以採用圖1至圖7的實施例的技術特徵。

包括第一彎曲部233a和第一邊緣部233b的第一切口部233以及包括第二彎曲部235a和第二邊緣部235b的第二切口部235可以布置在第一接觸部231a的相對側，並且包括第三彎曲部243a和第三邊緣部243b的第三切口部243以及包括第四彎曲部245a和第四邊緣部245b的第四切口部245可以布置在第二接觸部241a的相對側。因為第一接觸部231a和第二接觸部241a可以通過第一至第四切口部233、235、243和245與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層位於第一接觸部231a和第二接觸部241a的表面上，所以可以抑制氧化引起的腐蝕。

在第二實施例中，因為第一引線框230和第二引線框240的第一接觸部230a和第二接觸部240a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層包括在第一接觸部230a和第二接觸部240a的表面上，所以可以提高檢查工序的可靠性。

圖9是示出根據另一個實施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。

如圖9所示，除了第一引線框330的第一側部330a和第二引線框340的第五側部340a之外，根據第三實施例的發光封裝可以採用根據圖1至圖5的實施例的發光封裝100的技術特徵。

第一引線框330的第一側部330a可以包括向外突出的第一突起331以及布置在第一突起331的相對側的第一切口部333和第二切口部335。第一突起331可以比第一切口部333和第二切口部335更向外突出。第一突起331可以包括第一接觸部331a。第一突起331和第一接觸部331a可以採用圖1至圖5的發光封裝的技術特徵。

第一切口部333和第二切口部335可以從第一突起331沿第二方向y延伸。第一切口部333和第二切口部335可以從第一突起331的相對端沿第二方向y延伸。第一切口部333和第二切口部335可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此製造發光封裝。第一切口部333和第二切口部335可以通過切割工藝形成在第一引線框330的第一側部330a上。例如，第一切口部333和第二切口部335的一部分可以配置使得例如包括銅(cu)的第二層可以從例如包括銀(ag)的第一層暴露。第一切口部333和第二切口部335可以具有從第一接觸部331a傾斜的結構。第一切口部333和第二切口部335可以隨著遠離第一接觸部331a而變得更接近第一引線框330的第二側部330b。第一切口部333可以布置在第一突起331與第四側部330d之間。第二切口部335可以布置在第一突起331與第三側部330c之間。第一切口部333和第二切口部335沿第一方向x的高度可以不小於10μm。例如，第一切口部333和第二切口部335沿第一方向x的高度可以是10μm至300μm。當第一切口部333和第二切口部335的高度小於10μm時，可能因氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會接觸暴露於外部的第一切口部333和第二切口部335和檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當第一切口部333和第二切口部335沿第一方向x的高度超過300μm時，暴露於發光封裝的一側的第一側部330a的面積顯著增加，使得生產率可能降低，並且產品的設計也可能受到限制。第一切口部333沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限於此。第二切口部335沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但是本公開文本不限於此。第一切口部333和第二切口部335的寬度可以相同，但是本公開文本不限於此。第一切口部333和第二切口部335可以沿第二方向y彼此對稱。第一切口部333和第二切口部335可以具有表面類型。第一切口部333與第一突起331之間的角度以及第一切口部333與第四側部130d之間的角度可以是鈍角。第二切口部335與第一突起331之間的角度以及第二切口部335與第三側部130c之間的角度可以是鈍角。

第二引線框340的第五側部340a可以包括向外突出的第二突起341以及布置在第二突起341的相對側上的第三切口部343和第四切口部345。第一突起331可以比第三切口部343和第四切口部345更向外突出。第二突起341可以包括第二接觸部341a。第二突起341和第二接觸部341a可以採用圖1至圖5的發光封裝的技術特徵。

第三切口部343可以從第二突起341沿與第二方向y相反的方向延伸。第四切口部345可以從第二突起341沿第二方向y延伸。第三切口部343和第四切口部345可以通過切割金屬框架的工藝形成，由此製造發光封裝。第三切口部343和第四切口部345可以通過切割工藝形成在第二引線框340的第五側部340a上。例如，第三切口部343和第四切口部345配置使得第二層可以從第一層暴露。第三切口部343和第四切口部345可以具有從第二接觸部341a傾斜的結構。第三切口部343和第四切口部345可以隨著遠離第二接觸部341a而變得更接近第二引線框340的第六側部140b。第三切口部343可以布置在第二突起341與第八側部140d之間。第四切口部345可以布置在第二突起341與第七側部140c之間。第三切口部343和第四切口部345沿第一方向x的高度可以不小於10μm。例如，第三切口部343和第四切口部345沿第一方向x的高度可以是10μm至300μm。當第三切口部343和第四切口部345的高度小於10μm時，可能因氧化而腐蝕的例如包括銅(cu)的第二層可能會接觸暴露於外部的第三切口部343和第四切口部345和檢查工序的連接部，這降低了檢查工序的可靠性。當第三切口部343和第四切口部345沿第一方向x的高度超過300μm時，暴露於發光封裝的一側的第五側部340a的面積顯著增加，使得生產率可能降低，並且產品的設計也可能受到限制。第三切口部343沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限於此。第四切口部345沿第二方向y的寬度可以為100μm至500μm，但本公開文本不限於此。第三切口部343和第四切口部345的寬度可以相同，但是本公開文本不限於此。第三切口部343和第四切口部345可以沿第二方向y彼此對稱。第三切口部343和第四切口部345可以具有表面類型。第三切口部343與第二突起341之間的角度以及第三切口部343與第八側部140d之間的角度可以是鈍角。第四切口部345與第二突起341之間的角度以及第四切口部345與第七側部140c之間的角度可以是鈍角。

第三實施例的發光封裝的製造方法可以採用圖5至圖6的實施例的技術特徵。

在第三實施例中，傾斜的第一切口部333和第二切口部335可以布置在第一接觸部331a的相對側，而第三切口部343和第四切口部345可以布置在第二接觸部341a的相對側上。因為第一接觸部331a和第二接觸部341a可以與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層位於第一接觸部331a和第二接觸部341a的表面上，因此可以抑制氧化引起的腐蝕。

在第三實施例中，因為第一引線框330的第一接觸部331a和第二引線框340的第二接觸部341a與切割線間隔開，使得例如包括銀(ag)的第一層包括在第一接觸部331a和第二接觸部341a的表面上，所以可以提高檢查工序的可靠性。

圖10是示出根據另一個實施例的發光封裝的透視圖。圖11是示出沿圖10的d-d截取的發光封裝的剖視圖。

如圖10和圖11所示，除了發光元件150和保護元件160之外，第二實施例的發光封裝200可以採用圖1至圖6的發光封裝100的技術特徵。

發光元件150和保護元件160可以具有水平類型。例如，發光元件150和保護元件160可以包括耦接到第一引線框130和第二引線框140的導線。

例如，發光元件150可以包括第一電極和第二電極(未示出)，並且可以包括將第一電極和第一引線框130電連接的第一導線150w-1以及將第二電極和第二引線框140電連接的第二導線150w-2。

保護元件160可以包括第三電極和第四電極(未示出)，並且可以包括將第三電極和第一引線框130電連接的第三導線160w-1以及將第四電極和第二引線框140電連接的第四導線160w-2。

圖12是示出設置在實施例的發光封裝中的發光晶片的剖視圖。

如圖12所示，該發光晶片包括襯底511、緩衝層512、發光結構510、第一電極516以及第二電極517。襯底511可以是半透明或非半透明材料，並且可以包括導電或絕緣襯底。

緩衝層512減小了襯底511和發光結構510的材料的晶格常數之間的差異，並且可以由氮化物半導體形成。未摻雜有摻雜劑的氮化物半導體層可以進一步形成在緩衝層512與發光結構510之間，以提高晶體的質量。

發光結構510包括第一導電半導體層513、有源層514和第二導電類型半導體層515。

例如，該發光結構可以通過諸如第ii族-第iv族和第iii族-第v族等複合半導體來實現。第一導電類型半導體層513可以是單層或多層。第一導電類型半導體層513可以摻雜第一導電摻雜劑。例如，當第一導電類型半導體層513是n型半導體層時，其可以包括n型摻雜劑。例如，n型摻雜劑可以包括si、ge、sn、se和te，但是本公開文本不限於此。第一導電半導體層513可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第一導電半導體層513例如可以包括包括gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的至少一種的多個層的堆疊結構。

第一覆層(cladlayer)可以形成在第一導電半導體層513與有源層514之間。第一覆層可以由gan基半導體形成，並且第一覆層的帶隙可以不小於有源層514的帶隙。第一覆層可以由第一導電類型形成，並且可以包括約束載流子的功能。

有源層514布置在第一導電類型半導體層513上，並且選擇性地包括單量子阱結構、多量子阱(mqw)結構、量子線結構和量子點結構。有源層514包括阱層和勢壘層的周期。阱層包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，並且勢壘層可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。阱層和勢壘層的一個或多個周期例如可以通過使用ingan/gan、gan/algan、ingan/algan、ingan/ingan或inalgan/inalgan的堆疊結構形成。勢壘層可以由帶隙大於阱層的帶隙的半導體材料形成。

第二導電半導體層515形成在有源層514上。第二導電半導體層515可以由半導體複合材料實現，例如，第ii族-第iv族和第iii族-第v族複合半導體。第二導電類型半導體層515可以是單層或多層。當第二導電半導體層515是p型半導體層時，第二導電摻雜劑是p型摻雜劑並且可以包括mg、zn、ca、sr和ba。第二導電類型半導體層515可以摻雜第二導電摻雜劑。第一導電半導體層515可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤2，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第二導電半導體層515可以包括gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp中的任何一個。

第二導電半導體層515可以包括超晶格結構，並且超晶格結構可以包括ingan/gan超晶格結構或algan/gan超晶格結構。第二導電半導體層515的超晶格結構異常地擴散包括在電壓中的電流，並且可以保護有源層514。

已經描述了第一導電半導體層513是n型半導體層，第二導電半導體層515是p型半導體層，但是第一導電類型半導體層513可以是p型半導體層，而第二導電半導體層515是n型半導體層，本公開文本不限於此。極性與第二導電類型的極性相反的半導體，例如，n型半導體層(未示出)可以形成在第二導電半導體層515上。因此，發光結構510可以通過n-p結結構、p-n結結構、n-p-n結結構和p-n-p結結構中的任何一個來實現。

第一電極516布置在第一導電半導體層513上，而具有電流擴散層的第二電極517設置在第二導電半導體層515上。

圖13是示出設置在實施例的發光封裝中的發光晶片的另一個示例的剖視圖。

如圖13所示，將在第二示例中省略與圖9的發光晶片的相同構造的說明。在第二示例的發光晶片中，接觸層521可以布置在發光結構510下方，反射層524可以布置在接觸層521下方，支撐元件525可以布置在反射層524下方，並且保護層523可以布置在反射層524和發光結構510周圍。

在發光晶片中，接觸層521、保護層523、反射層524和支撐元件525可以布置在第二導電半導體層515下方。

接觸層521可以與發光結構510的下表面(例如，第二導電半導體層515)歐姆接觸。接觸層521可以由選自金屬氮化物、絕緣材料和導電材料中的材料形成，例如，可以由包括例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、銦鋅錫氧化物(izto)、銦鋁鋅氧化物(iazo)、銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鎵錫氧化物(igto)、氧化鋁鋅(azo)、氧化銻錫(ato)、氧化鎵鋅(gzo)、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf、其選擇性組合的材料形成。此外，接觸層521可以通過使用諸如izo、izto、iazo、igzo、igto、azo或ato等金屬材料和半透明導電材料形成為多層，並且例如，可以具有izo/ni、azo/ag、izo/ag/ni和azo/ag/ni的堆疊結構。阻擋對應於電極516的電流的電流阻擋層可以進一步形成在接觸層521的內部。

保護層523可以由選自金屬氧化物、絕緣材料和導電材料的材料形成，並且例如，可以由包括例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、銦鋅錫氧化物(izto)、銦鋁鋅氧化物(iazo)、銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鎵錫氧化物(igto)、氧化鋁鋅(azo)、氧化銻錫(ato)、氧化鎵鋅(gzo)、sio2、siox、sioxny、si3n4、al2o3和tio2的材料形成。保護層523可以通過使用濺射或沉積來形成，並且可以防止諸如反射層524等金屬將發光結構510的多個層短路。

反射層524可以包括金屬。例如，反射層524可以由ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf或其選擇性組合形成。反射層524具有的寬度可以大於發光結構510的寬度，以提高光反射效率。用於接合的金屬層、用於散熱的金屬層等可以進一步布置在反射層524與支撐元件525之間，但是本公開文本不限於此。

支撐元件525是基底襯底，並且可以由諸如銅(cu)、金(au)、鎳(ni)、鉬(mo)或銅-鎢(cu-w)等金屬或者載體晶片(例如，si、ge、gaas、zno或sic)來實現。接合層可以進一步形成在支撐元件525與反射層524之間。

圖14是示出包括實施例的發光封裝的顯示器件的透視圖。

如圖所示，本實施例的顯示器件1000可以包括：導光板1041；光源模塊1031，嚮導光板1041提供光；反射元件1022，位於導光板1041下面；光學片1051，位於導光板上面；顯示面板1061，位於光學片1051上面；以及底罩1011，容納導光板1041、光源模塊1031和反射元件1022。

底罩1011、反射片1022、導光板1041以及光學片1051可以限定為照明單元1050。

導光板1041用於擴散光，以提供表面光源。導光板1041由透明材料形成，例如，可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等丙烯酸樹脂以及包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、環烯烴共聚物(coc)和聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)的樹脂中的任何一種。

光源模塊1031將光提供到導光板1041的至少一個表面並且最終用作顯示器件的光源。

至少一個光源模塊1031設置為從導光板1041的一個側表面直接或間接提供光。光源模塊1031可以包括根據該實施例的發光封裝110，並且多個發光封裝110可以彼此間隔開一間隙布置在襯底1033上。

襯底1033可以是包括電路圖案(未示出)的印刷電路板(pcb)。然而，襯底1033可以包括金屬芯pcb(mcpcb)和柔性pcb(fpcb)以及普通pcb，但本公開文本不限於此。發光封裝110可以直接布置在底罩1011的側表面或散熱板上。

反射元件1022可以布置在導光板1041下面。反射元件1022可以反射輸入到導光板1041的下表面的光以提高照明單元1050的亮度。反射元件1022例如可以由pet、pc或pvc形成，但本公開文本不限於此。

底罩1011可以容納導光板1041、光源模塊1031以及反射元件1022。底罩1011可以包括具有頂部開放的箱體形狀的容納部1012，但本公開文本不限於此。底罩1011可以與頂罩耦接，但本公開文本不限於此。

底罩1011可以由金屬或樹脂形成，並且可以通過使用諸如按壓或擠壓等工藝來製造。另外，底罩1011可以包括導電材料或非金屬。

顯示面板1061例如是lcd面板，並且可以包括彼此相對的第一透明襯底和第二透明襯底以及置於第一襯底與第二襯底之間的液晶層。偏振板可以布置在顯示面板1061的至少一個表面上。顯示面板1061通過穿過光學片1051的光來顯示信息。顯示器件1000可以應用於各種便攜終端、筆記本電腦的顯示器、膝上型電腦的顯示器或者電視。

光學片1051可以布置在顯示面板1061與導光板1041之間。光學片1051可以包括至少一個透明片。光學片1051例如可以包括擴散片、至少一個稜鏡片以及保護片中的至少一種。擴散片可以包括擴散輸入光的功能。稜鏡片可以包括會聚輸入到顯示區域的光的功能。保護片可以包括保護稜鏡片的功能。

圖15是示出包括實施例的發光封裝的顯示器件的另一個示例的剖視圖。

如圖15所示，第二示例的顯示器件1100可以包括：底罩1152；襯底1120，其上安裝有發光封裝110；光學元件1154；以及顯示面板1155。

襯底1120和發光封裝110可以限定為光源模塊1160。底罩1152、至少一個光源模塊1160以及光學元件1154可以限定為照明單元1150。底罩1152可以耦接至頂罩，但是本公開文本不限於此。光源模塊1160可以包括襯底1120和布置在襯底1120上的多個發光封裝110。

這裡，光學元件1154可以包括透鏡、擴散板、擴散片、稜鏡片以及保護片中的至少一種。擴散板可以由pc或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)形成。擴散片可以擴散輸入光，稜鏡片可以會聚輸入到顯示區域的光，並且保護片可以保護稜鏡片。

光學元件1154布置在光源模塊1060上，以將從光源模塊1060發出的光用作表面光源，並且對該光進行擴散和會聚。

發光元件可以包括用作照明系統的光源的發光封裝，例如，可以用作諸如圖像顯示器件的光源或照明器件等光源。

邊緣型背光單元或直下背光單元可以用作圖像顯示器件的背光單元，電燈或燈泡類型可以用作照明器件的光源，或者可以使用移動終端的光源。

除了上述發光二極體之外，發光元件還包括雷射二極體。

與發光元件類似，雷射二極體可以包括具有上述結構的第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層。此外，對於在p型的第一導電類型半導體和第二導電類型半導體彼此接合之後電流流動時發出光的電致發光現象，光的方向性和相位之間存在差異。也就是說，雷射二極體可以配置為使得通過使用受激發射現象和增強幹涉現象，特定波長的光(單色束)具有相同的相位和相同的方向，並且由於這些特性，雷射二極體可以用於光學通信、醫療設備或半導體工藝設備。

光接收元件例如可以包括光電探測器，光電探測器是檢測光以將光的強度轉換成電信號的轉換器。光電探測器包括光學池(矽或硒)、光電導元件(硫化鎘、鎘硒)、光電二極體(例如，在可見盲光譜區或真正盲光譜區中具有峰值波長的pd)、光電電晶體、光子倍增器、光電管(真空或封裝氣體)或紅外(ir)檢測器，但是本公開文本不限於此。

此外，諸如光電探測器等半導體可以通過使用通常具有優異的光轉換效率的直接帶隙半導體來製造。此外，光電探測器具有各種結構，並且最普遍的結構包括使用p-n結的針型光電探測器、使用肖特基結的肖特基光電探測器以及金屬半導體金屬(msm)型光電探測器。

類似於發光元件，光電二極體可以包括具有上述結構的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，並且具有pn結或針結構。光電二極體通過施加反向偏壓或零偏壓進行工作，並且電子和空穴產生使得通過將光輸入到光電二極體，電流流動。然後，電流的大小可以與輸入到光電二極體的光的強度大體成比例。

光電池或太陽能電池是一種光電二極體，並且可以將光轉換成電流。與與發光元件類似，太陽能電池可以包括具有上述結構的第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層。

此外，通過使用p-n結的普通二極體的整流特性，太陽能電池還可以用作電子電路的整流器，並且可以應用於超高頻電路，超高頻電路應用于振蕩電路。

此外，上述半導體元件不一定是半導體，並且根據情況還可以包括金屬材料。例如，諸如光接收元件等半導體元件可以通過ag、al、au、in、ga、n、zn、se、p和as中的至少一種來實現，並且還可以通過使用摻雜p型或n型摻雜劑的半導體材料或者本徵半導體材料來實現。儘管已經主要描述了實施例，但這些實施例僅是示例性的，並且不限制本公開文本，並且本公開文本所屬領域的技術人員可以理解，在不脫離這些實施例的必要特性的情況下，可以進行各種修改和應用。例如，可以修改這些實施例的詳細元件。此外，應理解與權利要求書中限定的修改和應用有關的不同也落入本公開文本的範圍內。

該實施例的發光封裝可以通過設置暴露於主體的側表面的第一引線框和第二引線框的突起以具有在檢查工序中提供驅動信號的焊盤功能，從而利用第一層改進因氧化引起的腐蝕。

此外，因為本實施例的發光封裝在第一引線框和第二引線框的暴露於主體的側表面的突起的外圍處具有切口區域，所以可以通過抗氧化的導電突起提高檢查工序的可靠性。