噴水雷射切割用粘合片的製作方法

2023-10-26 08:02:02

專利名稱：：噴水雷射切割用粘合片的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種噴水雷射切割用粘合片，具體而言，本發明涉及一種在利用噴水雷射對半導體晶片和/或半導體關聯材料進行切割時起固定作用的噴水雷射切割用粘合片。
背景技術：
：一直以來，半導體晶片和半導體相關材料等通過使用旋轉刀片來切割，並分離為晶片和IC部件。在該切割工序中，通常，為了固定半導體晶片等而將半導體晶片粘接在粘合片上，並且，晶片等被切割為晶片狀後，通過拾取從粘合片上剝離下來。可是，在上述方法中，由於切割刀片產生的物理應力，引起切飛(夕、v7，一)或產生裂紋、碎片等缺陷，從而產生使這些晶片等的品質降低、該切割方法的生產性也降低這樣的問題。特別是，近年來，由於需要電子裝置小型化、薄膜化，上述問題變得尤為深刻。因此，作為代替使用切割刀片的半導體晶片等的切割技術，提出了使用雷射束的切割方法，特別是使用由液體噴射引導的雷射束進行的切斷、穿孑L、熔接、刻印和剝離等的材料加工方法(例如專利文獻1)。在該方法中，由於晶片等只暴露於來自上方的水流，因而可以防止旋轉刀片帶來的物理應力而引起的切飛等。另外，在使用該雷射技術的切割方法中，存在由於利用水流而引起的晶片等容易從固定它們的粘合片上剝離的問題，為此，提出了可以適用於噴水雷射切割的粘合片(例如，專利文獻2)。專利文獻1:日本W095/32834號專利文獻2:日本特開2001-316648號公報
發明內容發明要解決的課題本發明的目的在於提供一種粘合片，該粘合片通過在噴水雷射切割中使來自液體流的液體的透過性更加良好來防止在噴水雷射切割時發生晶片或IC部件等的剝離及晶片等的飛散、缺損等加工精度的降低，從而能夠對極薄的半導體晶片或材料進行加工。解決問題的方法
技術領域：
：本發明的噴水雷射切割用粘合片是在基材膜上層疊粘合劑層而形成的噴水雷射切割用粘合片，其特徵在於(l)所述基材膜有穿孔且粘合劑層的厚度為0.120jum;(2)粘合劑層具有lMPa以下的拉伸強度；和/或(3)粘合劑層表面與水的接觸角為90度以下。用於上述噴水雷射切割的粘合劑優選能量射線固化型粘合劑。另外，上述的基材膜優選為網狀膜。發明的效果根據本發明的噴水雷射切割用粘合片，由於其具有下述特徵，使在噴水雷射切割中來自液體流的液體容易使粘合劑層斷裂，且可準確地從基材膜的穿孔順利地通過。其中，所述粘合片的特徵為使用的基材膜有穿孔且其粘合劑層具有指定厚度、粘合劑層具有lMPa以下的拉伸強度、或粘合劑層表面與水的接觸角為90度以下。由此，可防止利用液體進行的切割中被加工物從粘合片上剝離。其結果，可防止晶片等的飛散、缺損等加工精度的降低，從而能夠對極薄的半導體晶片等進行加工。圖1為本發明的雷射加工用粘合片的平面示意圖。符號說明10雷射加工用粘合片11粘合劑層12基材膜具體實施例方式本發明的噴水雷射切割用粘合片主要包括基材膜和設置於基材膜上的粘合劑層。這裡所說的噴水雷射切割用粘合片是指下述粘合片其被用於使用由液體流(通常指水流)引導的雷射束進行的切割，且在切割時，當將該液體流(例如指定壓力以上的液體流)從粘合劑層一側直接或間接地引入到粘合片上時，可使該液體從粘合片的一側表面流向另一側表面。此時的指定壓力通常可以為幾MPa以上。作為基材膜，可列舉合成樹脂，例如聚乙烯和聚丙烯等聚烯烴(具體地，包括低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、拉伸聚丙烯、未拉伸聚丙烯、乙埽-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(曱基)丙烯酸共聚物、乙烯-(曱基)丙烯酸酯共聚物等)、聚酯、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚氨酯、EVA、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚醯胺、縮醛樹脂、聚苯乙烯、聚碸、聚碳酸酯、尼龍、氟樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物等含有橡膠成分的聚合物等的膜；PP、PVC、PE、PU、PS、PO或PET等聚合物纖維、人造纖維或乙酸纖維素等合成纖維、棉、絲綢或羊毛等天然纖維及玻璃纖維或碳纖維等由無機纖維構成的無紡布和織物(即，網狀膜)等。其中，優選由聚烯烴形成、或含有由聚烯烴形成的層。由此，可確保下述兩個特性對雷射切割的適當的強度和膨脹性。另外，從另一方面考慮，優選為網狀膜。由此，可以使來自液體流的液體更加容易且準確地排出。基材膜可以是單獨一層結構，也可以是2層以上的多層結構。另外，當基材膜由纖維形成時，所述纖維可以是單絲或多絲中的任何一種，但為了使後述的基材膜的穿孔具有均一尺寸，優選為單絲。基材膜具有穿孔。該穿孔優選為貫穿厚度方向的孔，但也可以是在厚度方向由多個孔相連而達到貫穿的孔。特別優選基材膜的孔是當基材膜由網狀結構構成時的開口。基材膜的空隙率優選為390%左右。特別是當基材膜為網狀結構時，其平均開口徑優選為5800lam左右、5150ym左右、5-100iLim左右、進一步優選為550)Jm左右。這是為了確保與粘合劑的接觸面積、確保基材膜與粘合劑具有充分的密合性，同時確保粘合劑層表面的平滑性。另外，是為了使進行噴水雷射切割時使用的水容易透過基材膜，從而防止被加工物的飛散等。這裡所說的平均開口徑是指當孔基本為圓形時，平均開口徑是孔的直徑；當孔為多邊形等時，平均開口徑是其一邊的長度。另外，從另一方面考慮，孔的尺寸為例如10Mm23.0mm2左右，優選為25jun^左右以上、100lun^左右以上、1000|um2左右以上、O.lmm2左右以上，並且優選為3.0mm2左右以下、2.0mm2左右以下、l.lmm2左右以下、900pm2左右以下。為了使基材膜為網狀結構，例如，纖維直徑優選為10Mm150iam左右，考慮到液體的透過性，其直徑更優選為25]um80jum左右。為了防止粘合片破損或半導體晶片等在加工過程中斷裂，同時，為了降低製造成本，基材膜的厚度優選為10lam400jam,進一步優選為30~250Mm。另外，還可以對基材膜進行電暈放電處理、火炎處理、等離子體處理、濺射蝕刻處理或底塗(例如，底漆(primer))處理、氟處理等表面處理、利用藥液的脫脂處理等。這是為了增強基材膜與粘合劑的密合性。其中，優選進行底塗處理。本發明的基材膜的斷裂伸長率優選大於100%,更優選為150%。這是由於，通過拉伸基材膜，可以在切割步驟後容易從粘合片上對晶片等進行拾取。此外，基材膜的拉伸強度優選大於0.1N/20mm,更優選大於0.3N/20mm。這是為了避免粘合片本身的破損和/或斷裂。斷裂伸長率和拉伸強度可使用例如長5.0cm、寬20mm的試樣、採用拉伸試驗機進行測定。進行試驗時的拉伸速度為室溫下300mm/分(依照ASTMD1000標準)。斷裂伸長率可按下式求出。斷裂伸長率=(斷裂時的長度-原長度)/(原長度)x100%拉伸強度為斷裂時的測定值。粘合劑層由塗布在基材膜一面的粘合劑層構成。其粘合劑可以是壓敏型、熱敏型、光敏型中的任一種，但優選通過能量射線照射而固化型的粘合劑。由此，可以容易地將其從被加工物上剝離。作為能量射線，可採用例如紫外線、可見光線、紅外線等各種波長的光線，用於切割的雷射束為400nm以下的激發波長(例如，激發波長248nm的KrF準分子雷射、308nm的XeCl準分子雷射、YAG雷射的第三高次諧波(355nm)、第四高次諧波(266nm))、或400nm以上的激發波長(例如，可吸收經歷了多光子吸收過程的紫外線區域的光波、且可通過多光子吸收燒蝕而進行20um以下寬度的切割加工等的在波長750nm800nm附近的鈦寶石雷射等脈衝寬度在le一秒(0.000000001秒)以下的雷射等)，因此，優選使用不因所使用的切割裝置的雷射束的照射而固化的粘合劑。作為粘合劑層的形成材料，可使用含有橡膠類聚合物、(曱基)丙烯酸類聚合物等的公知的粘合劑，尤其優選(曱基)丙烯酸類聚合物。由此，當將其用作光敏型粘合劑時，不添加用於能量射線固化的特別的單體/低聚物成分等也可以進行固化。作為橡膠類聚合物，例如可以是天然橡膠(例如，聚異戊二烯等)、合成橡膠(例如，苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯類、丁二烯-丙烯腈類、氯丁二烯類橡膠等)中的任何一種。作為構成(曱基)丙烯酸類聚合物的單體成分，可列舉具有例如曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基和十二烷基等碳原子數在30以下、優選碳原子數為4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸烷基酯或曱基丙烯酸烷基酯。這些(曱基)丙烯酸烷基酯可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。作為上述以外的單體成分，可列舉例如丙烯酸、曱基丙烯酸、(曱基)丙烯酸羧基乙酯、(曱基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸等含有羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(曱基)丙烯酸2-羥基乙酯、(曱基)丙烯酸2-羥基丙酯、(曱基)丙烯酸4-羥基丁酯、(曱基)丙烯酸6-羥基己酯、(曱基)丙烯酸8-羥基辛酯、(曱基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯和(曱基)丙烯酸(4-雍基曱基環己基)曱酯等含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(曱基)丙烯酸磺丙酯和(曱基)丙烯醯氧基萘磺酸等含有磺酸基的單體；2-幾基乙基丙烯醯磷酸酯等含有磷酸基的單體；(曱基)丙烯醯胺、(曱基)丙烯酸N-羥基曱醯胺、(曱基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如曱基丙烯酸二曱基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯醯嗎淋、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。上述單體成分可單獨使用，也可以兩種以上組合使用。另夕卜，為了使(曱基)丙烯酸類聚合物交聯，還可以任意使用多官能單體。作為多官能單體，可列舉例如己二醇二(曱基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(曱基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(曱基)丙烯酸酯、新戊二醇二(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇二(曱基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯、環氧基(曱基)丙烯酸酯、聚酯(曱基)丙烯酸酯和氨基曱酸酯(曱基)丙烯酸酯等。上述多官能單體可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。考慮到其粘合性能等，多官能單體的使用量優選為所有單體成分的30重量％以下，進一步優選為20重量％以下。此外，優選使用具有碳-碳雙鍵等能量射線固化性的官能團的單體和/或低聚物。作為所述單體/低聚物，可列舉例如氨基曱酸酯(曱基)丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥曱基曱烷四(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯和1,4_丁二醇二(曱基)丙烯酸酯等。上述單體/低聚物可單獨使用一種，也可以2種以上組合使用。對於上述單體/低聚物的混合量沒有特殊限制，但考慮到其粘合性，相對於100重量份構成粘合劑的(甲基)丙烯酸類聚合物等的基礎聚合物，優選其混合量為5~500重量份左右，進一步優選為70150重量份左右。另外，構成光敏型粘合劑時，優選使用光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)S同、oc-羥基-a，a-曱基苯乙酮、曱氧基苯乙酮、2，2-二曱氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、2-曱基-l-[4-(曱硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-l等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻曱醚等苯偶姻醚類化合物；2-甲基-2-羥基丙基苯酮等a-P引哚類化合物；千基二曱基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；l-苯酮-l,l-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯曱酮、苯醯苯曱酸、3,3，-二曱基_4-曱氧基二苯曱酮等二苯曱酮類化合物；噻噸酮、2-氯瘞噸酮、2-曱基p塞噸酮、2,4-二曱基蓬噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯p塞噸酮、2,4-二乙基p塞噸酮、2,4-二異丙基遙噸酮等p塞噸酮類化合物；樟腦醌，卣代酮，醯基氧化膦和醯基膦酸酯等。上述光聚合引發劑可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。相對於100重量份構成粘合劑的基礎聚合物，光聚合引發劑的混合量優選為0.1~10重量份左右，進一步優選為0.5~5重量份左右。此外，為了提高基礎聚合物的重均分子量，還可以任意添加交聯劑。作為交聯劑，可列舉多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮雜環丙烷化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、酸酐化合物、多胺、含有羧基的聚合物等。上述交聯劑可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。使用交聯劑時，為了避免剝離粘合力過度下降，通常優選相對於100重量份基礎聚合物，交聯劑的使用量為0.015重量份左右。另外，除了上述成分以外，還可以任意含有以往公知的增粘劑、防老劑、填充劑、防老劑、著色劑等添加劑。丙烯酸類聚合物可通過下述方法製備例如，對1種或2種以上的單體或它們的混合物進行溶液聚合法、乳液聚合法、本體聚合法、懸浮聚合法等公知的方法。其中，優選溶液聚合法。在溶液聚合法中使用的溶劑可列舉例如乙酸乙酯、曱苯等極性溶劑。溶液濃度通常為20~80重量％左右。在聚合物的製備中，還可以使用聚合引發劑。作為聚合引發劑，可列舉過氧化氫、過氧化苯曱醯、叔丁基過氧化物等過氧化物類。上述聚合引發劑優選單獨使用，但也可以與還原劑組合製成氧化還原類聚合引發劑使用。作為還原劑，可列舉例如亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、鐵、銅、鈷鹽等離子化鹽；三乙醇胺等胺類；醛糖、酮糖等還原糖等。另外，還可以使用2,2，-偶氮-2-曱基丙脒酸鹽、2,2，-偶氮-2,4-二曱基戊腈、2，2，-偶氮-N，N，-二亞曱基異丁脒酸鹽、2，2，-偶氮二異丁腈、2,2，-偶氮-2-曱基-N-(2-羥乙基)丙醯胺等偶氮化合物。上述化合物可單獨使用，也可以2種以上組合使用。反應溫度通常為5085。C左右，反應時間為1~8小時左右。特別是，為了防止對被加工物造成汙染等，優選丙烯酸類聚合物中低分子量物質的含量較少，丙烯酸類聚合物的數均分子量優選在30萬以上，進一步優選為80萬~300萬左右。粘合劑層的厚度可以在不會使粘合劑層從被加工物上剝離的範圍內適當調節，但考慮到下述各個方面，優選其厚度在0.1pm20um左右，所考慮的各個方面包括確保在切割時具有充分的粘結強度以使被加工物確實地固定；防止從粘合片上取下半導體晶片等之後在所述晶片等的內側殘留有非期待的粘合劑殘渣；可以由粘合劑層的斷裂而使水容易通過；在切割時將因雷射束的照射或液體流的振動而引發的粘合劑層的共振控制在最小限度；抑制振幅大小；防止晶片斷裂、崩裂等。其中，粘合劑層的厚度通常是指由整個粘合片的厚度-基材膜的厚度而求得的值，如圖1所示，當構成粘合片10的基材膜12為網狀膜時，將基材膜12的最表面作為厚度基準線A,將從該厚度基準線A到粘合劑層11的最表面的長度規定為粘合劑層的厚度D。另夕卜，在本發明中，粘合劑層的拉伸強度優選為lMPa以下。通過設定為上述的拉伸強度，利用液體流可使粘合劑層易於斷裂，從而可以使來自液體流的液體、即水的排出準確地進行。可通過例如增減多感應單體和/或交聯劑的比例等對使用的粘合劑的成分進行調節來適當調整拉伸強度。拉伸強度可通過如上所述的方法進行測定。此外，優選粘合劑層表面與水的接觸角為90度以下。通過使接觸角在上述範圍，可使粘合劑層對水的潤溼性良好，從而可使來自液體流的液體容易且準確地流向粘合片的反面。為了使其與水的接觸角為90度以下，粘合劑層優選從上述的材料等中適當選擇並組合使用。例如，作為使用的單體/低聚物成分，優選使用具有極性基團的成分。作為極性基團，可列舉氨基、醯胺基、烷氧基、羥基、酯基、氰基、硝基、羰基等。對於極性基的種類、導入的比例等，可以根據粘合劑以外的其它成分的種類、用量等、以及保存/穩定性等進行適當調節。本發明的粘合片可通過本
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中公知的薄片製造方法來形成。例如，首先準備基材膜。接著，在基材膜上層疊粘合劑。此時，可以直接在基材膜上進行塗布，或者也可以利用連續自動塗布法進行層疊，還可以在基材膜上壓延層疊粘合劑，其中，所述連續自動塗布法是將粘合劑塗布在塗敷有剝離劑的工藝材料上並進行乾燥，然後將所述粘合劑層疊在基材膜上的方法。上述的塗布可以利用例如逆輥塗布、凹版塗布、簾式噴塗、金屬模塗布、擠出以及其它可應用於工業生產的塗布法等各種方法。另外，準備的基材膜可以以基材膜的狀態形成穿孔，也可以在塗布粘合劑後在基材膜上形成穿孔。在本發明的粘合片中，優選具有1.5N/20mm以上、更優選具有3N/20mm以上的粘合強度。此外，所述粘合強度優選小於10N/20mm、更優選小於8N/20mm。即，隨著切割技術逐漸轉變為採用噴水雷射的技術，對於切割用粘合片的粘合力的臨界意義發生了變化，其結果，即使在更弱的粘合力下，也可以保證在切割時晶片等的良好粘合，同時還可以防止晶片或部件從粘合片上剝離。並且，通過降低初期粘合力，還可以使拾取時晶片或IC部件等的缺損等缺陷減少。特別是使用光敏型粘合劑時，可以使經能量射線照射後的粘合劑的粘合力有效、迅速、簡便地降低。另外，能量射線照射後的粘合強度優選小於0.2N/20mm、進一步優選小於0.18N/20mm這裡所說的粘合強度是在測定溫度23土3。C、剝離角度180。、剝離速度300mm/分(依照ASTMD1000標準)的條件下，在鏡狀矽片上進行測定時的測定值。實施例下面對本發明的噴水雷射切割用粘合片的實施例進行詳細說明。c基材膜的製備)利用纖維直徑55Mm的聚對苯二甲酸乙二醇酯纖維形成密度200根x200根/英寸、空隙面積32%、厚度90um的網狀膜。對該網狀膜進行電暈處理，將其作為基材膜。實施例1按照常規方法在乙酸乙酯中使40重量份丙烯酸曱酯、35重量份丙烯酸2-乙基己酯、20重量份丙烯醯嗎啉、5重量份丙烯酸進行共聚。由此，得到了含有重均分子量60萬的丙烯酸類共聚物的溶液。接著，向上述含有丙烯酸類共聚物的溶液中加入100重量份由季戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應而得到的紫外線固化型低聚物(在25。C下的粘度為lOPa.sec)、3重量份光聚合引發劑(商品名"IRGACURE651"、CibaSpecialtyChemicals公司製造)、以及2重量份多異氰酸酯化合物(商品名"CORONETL"、日本聚氨酯公司製造)，得到丙烯酸類紫外線固化型粘合劑溶液。將得到的紫外線固化型粘合劑溶液塗布於上述的基材膜上，使粘合劑層的厚度為5nm，獲得粘合片。實施例2除了塗布紫外線固化型粘合劑溶液、使粘合劑層的厚度為15wm以夕卜，採用與實施例l相同的方法得到粘合片。實施例3按照常規方法在乙酸乙酯中使60重量份丙烯酸曱酯、35重量份丙烯酸2-曱氧基乙酯、5重量份丙烯酸進行共聚。由此，得到含有重均分子量70萬的丙烯酸類共聚物的溶液。接著，向上述含有丙烯酸類共聚物的溶液中加入100重量份由季戊四醇三丙烯酸酯與二異氰酸酯反應而得到的紫外線固化型低聚物(在25。C下的粘度為10Pa'sec)、3重量份光聚合引發劑(商品名"IRGACURE651"、CibaSpecialtyChemicals公司製造)、以及2重量份多異氰酸酯化合物(商品名"CORONETL"、日本聚氨酯公司製造)，得到丙烯酸類粘合劑溶液。除了將得到的粘合劑溶液塗布在上述的基材膜上、使粘合劑層的厚度為15mm以外，採用與實施例l相同的方法得到粘合片。實施例4按照常規方法在曱苯中使48重量份丙烯酸乙酯、48重量份丙烯酸2-乙基己酯、4重量份丙烯酸2-羥基乙酯進行共聚。由此，得到含有重均分子量50萬的丙烯酸類共聚物的溶液。接著，向上述含有丙烯酸類共聚物的溶液中加入5重量份多異氰酸酯化合物(商品名"CORONETHL"、日本聚氨酯公司製造)，得到丙烯酸類紫外線固化型粘合劑溶液。除了將得到的紫外線固化型粘合劑溶液塗布在上述的基材膜上、使粘合劑層的厚度為5ym以外，採用與實施例1相同的方法得到粘合片。實施例5除了使粘合劑溶液中CORONETL的混合份數為5重量份，並將得到的紫外線固化型粘合劑溶液塗布在上述的基材膜上、使粘合劑層的厚度為15Mm以外，採用與實施例l相同的方法得到粘合片。實施例6除了將得到的紫外線固化型粘合劑溶液塗布在上述的基材膜上、使粘合劑層的厚度為30pm以外，採用與實施例l相同的方法得到粘合片。實施例7除了塗布得到的紫外線固化型粘合劑溶液、使粘合劑層的厚度為30ym以外，採用與實施例4相同的方法得到粘合片。實施例8按照常規方法在曱苯中使48重量份丙烯酸乙酯、48重量份丙烯酸2-乙基己酯、4重量份丙烯酸2-羥基乙酯進行共聚。由此，得到含有重均分子量50萬的丙烯酸類共聚物的溶液。接著，向上述含有丙烯酸類共聚物的溶液中加入io重量份多異氰酸酯化合物(商品名"CORONETHL"、日本聚氨酯公司製造)，得到丙烯酸類的粘合劑溶液。除了將得到的粘合劑溶液塗布在上述的基材膜上、使粘合劑層的厚度為5jam以外，採用與實施例l相同的方法得到粘合片。實施例9除了使粘合劑層的厚度為30jam以外，採用與實施例l相同的方法得到粘合片。比較例1除了使粘合劑層的厚度為30jiim以外，採用與實施例5相同的方法得到粘合片。(粘合劑層厚度的測定)對在實施例及比較例中得到的粘合片進行切片機切割，並對其截面進行Pt-Pd'減射處理後，利用SEM(日立制S-4800)觀察其二次電子圖像，測定粘合劑層的厚度D(參照圖1)。(水與粘合劑層表面的接觸角的測定)採用圖像處理式接觸角計(商品名FACE、接觸角計CA-X型)，使實施例和比較例中得到的粘合片的粘合劑層側向上，使用注射器向該粘合劑層表面滴加水，對滴加後經過1分鐘後的接觸角進行測定。(粘合劑層的拉伸強度的測定)使用萬能拉伸試驗機在脫模紙上形成在實施例和比較例中使用的粘合劑，以夾具間距10mm、寬10mm、速度300mm/分進行拉伸，用斷裂時的強度除以測定前的截面面積，作為拉伸強度。(切割條件)在實施例和比較例中得到的切割用粘合片上貼合被磨削成厚100mm的矽晶片，在下述條件下進行切割。雷射波長532nm切割速度50mm/s、70mm/s雷射直徑50pm噴水壓力8MPa晶片尺寸lmmxlmm晶片尺寸13.7cm(5cm)視為0的情況水的排出性良好，在晶片表面基本沒有殘留水，所有矽晶片被切割，切割線處的所有粘合劑均被切斷；視為O的情況水的排出性良好，在晶片表面基本沒有殘留水，所有矽晶片被切割，但在切割線處的粘合劑中有部分粘合劑未被切斷；視為A的情況水的排出性不良，在晶片表面的大部分殘留有水，矽晶片的部分部位存在未^f皮切割的部分；視為x的情況水的排出性不良，在晶片表面的大部分殘留有水，矽晶片上存在基本未被切割的部分。上述中，0或0的評價為良，A或x的評價為不良。_tableseeoriginaldocumentpage14由表1可知，當粘合劑層的厚度、粘合劑層的拉伸強度和粘合劑層表面與水的接觸角均在指定範圍內時，排水性非常好，在矽晶片表面沒有殘留水，所有晶片均被準確切割。並且，未發生晶片等的飛散和缺損，加工精度也較好。此外，切割線處的粘合劑層均被切斷，在切割後的拾取中晶片等的剝離也容易進行，未發生因剝離等而引起的缺陷。另外，當粘合劑層的厚度、粘合劑層的拉伸強度和粘合劑層表面與水的接觸角中的任一項在指定範圍以外時，在進行粘合劑層切斷時產生了一定的殘餘。另一方面，當粘合劑層的厚度、粘合劑層的拉伸強度和粘合劑層表面與水的接觸角均在本發明指定的範圍以外時，無法進行充分的排水，產生無法正常進行晶片的切割加工或者晶片等的飛散。工業實用性本發明的噴水雷射切割用粘合片不僅對於可通過由液體流引導的雷射束進行切割加工的對象，即半導體關聯材料(例如，半導體晶片、BGA封裝、印刷電路、陶瓷板、液晶裝置用玻璃部件、片材、電路基板、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體雷射的發光/受光元件基板、MEMS基板或半導體封裝等)等，而且對於所有種類的材料，都可以在廣泛的範圍內使用。權利要求1.一種噴水雷射切割用粘合片，該噴水雷射切割用粘合片是在基材膜上層疊粘合劑層而成的；其中，所述基材膜有穿孔，而且粘合劑層的厚度為0.1～20μm。2.根據權利要求1所述的噴水雷射切割用粘合片，其中，粘合劑層具有1MPa以下的拉伸強度。3.根據權利要求1或2所述的噴水雷射切割用粘合片，其中，水與粘合劑層表面的接觸角為90度以下。4.一種噴水雷射切割用粘合片，該噴水雷射切割用粘合片是在基材膜上層疊粘合劑層而成的；其中，粘合劑具有lMPa以下的拉伸強度。5.根據權利要求4所述的噴水雷射切割用粘合片，其中，水與粘合劑層表面的接觸角為90度以下。6.—種噴水雷射切割用粘合片，該噴水雷射切割用粘合片是在基材膜上層疊粘合劑層而成的；其中，水與粘合劑層表面的接觸角為90度以下。7.根據權利要求1~6中任一項所述的噴水雷射切割用粘合片，其中，粘合劑為能量射線固化型粘合劑。8.根據權利要求16中任一項所述的噴水雷射切割用粘合片，其中，基材膜為網狀膜。全文摘要本發明的目的在於提供一種粘合片，該粘合片通過在噴水雷射切割中使來自液體流的液體具有更加良好且穩定的透過性來防止在晶片或IC部件等的剝離時產生缺損等缺陷，從而可實現對極薄的半導體晶片或材料的加工。本發明的粘合片是在基材膜12上層疊粘合劑層11而成的噴水雷射切割用粘合片，其中，基材膜12是由纖維形成的網狀結構。文檔編號H01L21/301GK101542689SQ200880000519公開日2009年9月23日申請日期2008年4月15日優先權日2007年4月20日發明者三木翼,佐佐木貴俊,山本晃好,新谷壽朗,淺井文輝,高橋智一申請人:日東電工株式會社