切割/晶片接合薄膜的製作方法

2023-10-18 14:15:14 2

專利名稱：：切割/晶片接合薄膜的製作方法
技術領域：
：本發明涉及將用於固著晶片狀工件(半導體晶片等)與電極部件的膠粘劑在切割前粘貼在工件(半導體晶片等)上的狀態下用於工件切割的切割/晶片接合薄膜。
背景技術：
：形成電路圖案的半導體晶片(工件)根據需要通過背面研磨調節厚度後，切割為半導體晶片(晶片狀工件)(切割工序)。切割工序中，一般是為了除去切斷層而在適度的液壓(通常是約2kg/cm2)下清洗半爭體晶片。然後，利用膠粘劑將所述半導體晶片固著到引線框等被粘物上(安裝工序)後，移至接合工序。所述安裝工序中，將膠粘劑塗布在引線框或半導體晶片上。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化是困難的，另外膠粘劑的塗布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了在切割工序中保持半導體晶片膠粘的同時在安裝工序中也提供必要的晶片固著用膠粘劑層的切割/晶片接合薄膜(例如，參照專利文獻l)。專利文獻1中記載的切割/晶片接合薄膜，是在支撐基材上設置能夠剝離的膠粘劑層的結構。即，在膠粘劑層的支撐下切割半導體晶片，然後拉伸支撐基材將半導體晶片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收，通過該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。該種切割/晶片接合薄膜的膠粘劑層，為了不產生不能切割或尺寸錯誤，希望具有對半導體晶片的良好保持力以及能夠將切割後的半導體晶片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性。但是，使這兩個特性平衡絕不容易。特別是在象利用旋轉圓刃等切割半導體晶片的方式等那樣要求膠粘劑層具有高保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割/晶片接合薄膜。因此，為了解決這樣的問題，提出了各種改進方法(例如，參照專利文獻2)。專利文獻2中公開了如下方法在支撐基材和膠粘劑層之間隔著可紫外線固化的粘合劑層，將其切割後進行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，從而通過兩者間的剝離使半導體晶片的拾取變得容易。但是，通過該改進方法，有時也難以得到使切割時的保持力和之後的剝離性良好平衡的切割/晶片接合薄膜。例如，在10mmX10mm以上的大型半導體晶片或25~50(am的極薄半導體晶片的情況下，由於其面積大，因此一般的晶片接合機不能容易地拾取半導體晶片。_專利文獻1:日本特開昭60-57642號公報專利文獻2:日本特開平2-248064號公報
發明內容本發明鑑於上述問題而進行，其目的在於提供具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，該切割/晶片接合薄膜即使在半導體晶片為薄型的情況下，切割該薄型工件時的保持力和將通過切割得到的半導體晶片與該晶片接合薄膜一體地剝離時的剝離性之間的平衡特性也優良。本發明人為了解決上述現有問題，對切割/晶片接合薄膜進行了研究。結果發現，切割薄膜中所含的多官能性單體成分物質擴散至晶片接合薄膜中，由此切割薄膜與晶片接合薄膜的邊界面消失，從而拾取性下降，至此完成了本發明。艮P，本發明的切割/晶片接合薄膜，為了解決上述問題，其具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設置的晶片接合薄膜，其特徵在於，所述粘合劑層由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由CH^CHCOOR1(式中，R'為碳原子數610的烷基)表示的丙烯酸酯A、CH2=CHCOOR2(式中，R為碳原子數U以上的烷基)表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相對於丙烯酸酯A6090摩爾M，丙烯酸酯B為4010摩爾Q/。，所述含羥基單體的配合比例是相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100摩爾％在10~30摩爾％的範圍內，所述異氰酸酯化合物的配合比例是相對於所述含羥基單體100摩爾％在7090摩爾％的範圍內，所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成。CH2=CHCOOR'(式中，R'為碳原子數610的烷基)表示的丙烯酸酯A和CH2=CHCOOR2(式中，W為碳原子數11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B以相對於丙烯酸A60~卯摩爾％丙烯酸酯B為40~10摩爾％的配合比例包含在形成本發明的粘合劑層的丙烯酸類聚合物中。通過使丙烯酸酯A的配合比例為90摩爾。/。以下並且使丙烯酸酯B的配合比例為10摩爾％以上，可以提高粘合劑層在紫外線固化後對晶片接合薄膜的剝離性，可以使拾取半導體晶片時的拾取性良好。另一方面，通過使丙烯酸酯A的配合比例為60摩爾。/。以上並且使丙烯酸酯B的配合比例為40摩爾％以下，可以使紫外線固化前的切割薄膜與晶片接合薄膜的膠粘性良好，防止剝離。另外，通過使含羥基單體的配合比例相對於丙烯酸酯A與丙烯酸酯B的總量100摩爾％為10摩爾％以上，可以抑制紫外線固化後的交聯不足。結果，例如對於切割時粘貼在粘合劑層上的切割環，可以防止膠糊殘留的產生。另一方面，通過使所述配合比例為30摩爾％以下，可以防止由紫外線照射引起的交聯過度進行從而剝離困難並且拾取性下降。另外，本發明中，不使用多官能性單體，而使用分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，因此，不會出現該多官能性單體物質擴散至晶片接合薄膜中。結果，防止切割薄膜與晶片接合薄膜的邊界面消失，可以實現更好的拾取性。所述含羥基單體優選為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二垸酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。另外，所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，優選為選自2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。另外，所述丙烯酸類聚合物的重均分子量優選在35萬至100萬的範圍內。通過使重均分子量為35萬以上，可以防止低分子量聚合物的比例減少，由此，可以防止例如切割時從在粘合劑層上粘貼的切割環上產生剝離。另外，由於可以防止紫外線照射後的交聯不足，因此在從粘合劑層上剝離切割環時，也可以防止產生膠糊殘留。另一方面，通過使重均分子量為100萬以下，可以提高在基材上形成粘合劑層時的作業性。粘合劑層的形成，例如可以通過在基材上塗布由所述丙烯酸類聚合物形成的粘合劑組合物的溶液然後進行乾燥來進行，如果丙烯酸類聚合物的重均分子量超過100萬，則粘合劑組合物溶液的粘度過大，因此該丙烯酸類聚合物的聚合以及塗布時的作業性降低。另外，所述粘合劑層的紫外線照射前的23t:下的拉伸彈性模量優選在0.43.5MPa的範圍內，紫外線照射後的23'C下的拉伸彈性模量優選在7100MPa的範圍內。通過使紫外線照射前的拉伸彈性模量(23°C)為0.4MPa以上，可以使切割半導體晶片時的半導體晶片的固定良好，結果可以抑制碎屑的產生。另外，剝離切割環時，可以防止產生膠糊殘留。另一方面，通過使拉伸彈性模量(23°C)為3.5MPa以下，可以防止切割時產生晶片飛散。另外，通過使紫外線照射後的拉伸彈性模量(23°C)為7MPa以上，可以提高拾取性。構成所述粘合劑層的所述丙烯酸類聚合物優選不包含丙烯酸作為單體成分。由此，可以防止粘合劑層與晶片接合薄膜的反應或相互作用，可以進一步提高拾取性。圖1是表示本發明的實施方式之一的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本發明的另一實施方式的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。圖3是表示通過所述切割/晶片接合薄膜中的晶片接合薄膜安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。符號說明1基材2粘合劑層3晶片接合薄膜4半導體晶片5半導體晶片6被粘物7焊線8密封樹脂9墊片10、11切割/晶片接合薄膜具體實施例方式(切割/晶片接合薄膜)關於本發明的實施方式，參照圖1和圖2進行說明。圖1是表示本實施方式中的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本實施8方式中另一個切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。其中，不需說明的部分省略，並且為了容易說明而具有擴大或者縮小等進行圖示的部分。如圖1所示，切割/晶片接合薄膜10為具有在基材1上設有粘合劑層2的切割薄膜和在該粘合劑層2上具有晶片接合薄膜3的結構。另外，本發明如圖2所示，也可以是僅半導體晶片粘貼部分上形成晶片接合薄膜3'的構成。所述基材1具有紫外線透過性，並且作為切割/晶片接合薄膜10、11的強度母體。例如可以列舉低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纖維素類樹脂、有機矽樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材l的材料，可以列舉所述樹脂的交聯物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸使用，根據需要也可以進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用經拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，切割後通過使其基材1熱收縮，能夠降低粘合劑層2與晶片接合薄膜3、3'的膠粘面積，從而容易回收半導體晶片。為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材1的表面可以進行常規表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電壓暴露、離子化放射線處理等化學或物理處理、利用底塗劑(例如，後述的粘合物質)的塗布處理。所述基材1，可以適當選擇使用同種或異種材料，根據需要也可以將多種混合使用。另外，為了對基材1賦予防靜電性能，可以在所述基材1上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度約30約500A的導電物質的蒸鍍層。基材1可以是單層也可以是2種以上的多層。基材1的厚度沒有特別限制，可以適當設定，一般為約5~約200,。所述粘合劑層2通過紫外線固化型粘合劑形成。紫外線固化型粘合劑可以通過紫外線照射使交聯度增大，從而容易使其粘合力下降。通過僅對圖2所示的粘合劑層2的與半導體晶片粘貼部分對應的部分2a進行紫外線照射，可以設置與其它部分2b的粘合力差。另外，通過使紫外線固化型的粘合劑層2與圖2所示的晶片接合薄膜3'的形狀一致地進行固化，可以容易地形成粘合力顯著下降的所述部分2a。由於在固化並且粘合力下降的所述部分2a上粘貼晶片接合薄膜3'，因此粘合劑層2的所述部分2a與晶片接合薄膜3'的界面具有拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分2b。如前所述，圖1所示的切割/晶片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與晶片接合薄膜3粘合，能夠確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型粘合劑能夠以良好的膠粘、剝離平衡來支撐用於將半導體晶片固著到襯底等被粘物上的晶片接合薄膜3。圖2所示的切割/晶片接合薄膜11的粘合劑層2中，所述部分2b可以固定切割環。切割環例如可以使用由不鏽鋼等金屬製成的切割環或樹脂製成的切割環。所述紫外線固化型粘合劑是使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈10末端具有自由基反應性碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型紫外線固化型粘合劑。內在型紫外線固化型粘合劑不需要含有或者大部分不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間而在粘合劑中移動，可以形成穩定層結構的粘合劑層。本發明中，所述丙烯酸類聚合物由丙烯酸酯A、丙烯酸酯B、含羥基單體和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成。所述丙烯酸酯A由化學式CH^CHCOOR1(式中，W為碳原子數6~10的烷基、更優選碳原子數8~9的烷基)表示。另外，所述丙烯酸酯B由CH2=CHCOOR2(式中，R2為碳原子數11以上、更優選1226、進一步優選1622的垸基)表示。通過含有這樣的長鏈烷基單體，可以降低粘合劑的極性，提高紫外線固化後的剝離性。所述丙烯酸酯A與所述丙烯酸酯B的配合比例是相對於丙烯酸A60~90摩爾％丙烯酸酯B為4010摩爾％。如果使丙烯酸酯A的配合比例超過90摩爾％、並且丙烯酸酯B的配合比例小於10摩爾％，則紫外線固化後的粘合劑層2對於晶片接合薄膜3的剝離性下降，導致拾取半導體晶片時的拾取性下降。另一方面，如果使丙烯酸酯A的配合比例小於60摩爾％並且丙烯酸酯B的配合比例超過40摩爾％，則粘合劑層2對於晶片接合薄膜3的膠粘性下降，有時在切割時產生晶片飛散。所述丙烯酸酯A具體可以列舉例如丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸異壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸異癸酯等烷基的碳原子數為6~10(特別是碳原子數89)的直鏈狀或支鏈狀丙烯酸垸基酯等。這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，所述化學式表示的單體中，特別優選丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異壬酯等。作為所述丙烯酸酯B，只要是烷基的碳原子數為11以上的丙烯酸垸基酯則沒有特別限制，優選烷基的碳原子數為12以上(特別優選碳原子數16以上)的丙烯酸烷基酯。作為丙烯酸酯B中垸基的碳原子數上限，沒有特別限制，例如可以為30以下，優選26以下(進一步優選22以下)。作為丙烯酸酯B，具體可以列舉例如丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四垸酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯、丙烯酸二十烷酯、丙烯酸二十二垸酯等。這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。所述丙烯酸類聚合物中使用能夠與所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B共聚的含羥基單體作為必須成分。作為含羥基單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環己基)甲酯等。所述含羥基單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。所述含羥基單體的配合比例，相對於丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100摩爾％優選在1030摩爾°/。的範圍內，更優選在15~25摩爾％的範圍內。配合比例如果小於10摩爾％，則紫外線照射後交聯不足，切割時對於粘貼在粘合劑層上的切割環，有時產生膠糊殘留。另一方面，如果配合比例超過30摩爾％，則粘合劑的極性變高，與晶片接合薄膜的相互作用變高，由此剝離困難。所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等，根據需要可以含有與能夠與所述丙烯酸烷基酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸戊酯等烷基的碳原子數為1~5的丙烯酸烷12基酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸戊酯等烷基的碳原子數為1~5的甲基丙烯酸垸基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等含羧基單體；馬來酸酑、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺；丙烯腈；丙烯酸環烷酯(環己酯等)；甲基丙烯酸環烷酯等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優選為全部單體成分的40重量%以下。但是，所述含羧基單體的情況下，通過該羧基與晶片接合薄膜3中的環氧樹脂中的環氧基反應，粘合劑層2與晶片接合薄膜3的邊界面消失，有時兩者的剝離性下降。因此，含羧基單體的使用量優選為全部單體成分的0~3重量％以下。另外，這些單體成分中，構成本發明的粘合劑層2的丙烯酸類聚合物優選不含丙烯酸作為單體成分。這是因為有時丙烯酸物質擴散到晶片接合薄膜3中，使粘合劑層2與晶片接合薄膜3的邊界面消失，使剝離性下降。在此，所述丙烯酸類聚合物，優選不含多官能性單體作為共聚用單體成分。由此，多官能性單體不會物質擴散至晶片接合薄膜中，可以防止由粘合劑層2與晶片接合薄膜3的邊界面消失而導致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸類聚合物中，使用分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作為必須成分。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-oc,a-二甲基苄基異氰酸酯等。所述異氰酸酯化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的配合比例，相對於含羥基單體100摩爾％優選在7090摩爾％的範圍內，更優選在7585摩爾％的範圍內。配合比例如果低於70摩爾％，則有時紫外線照射後的交聯不足，切割時對於粘貼在粘合劑層上的切割環，有時產生膠糊殘留。另一方面，配合比例如果超過90摩爾％，則粘合劑的極性變高，與晶片接合薄膜的相互作用變高，由此剝離困難，拾取性下降。所述丙烯酸類聚合物可以通過將所述單體混合物聚合而得到。聚合可以以溶液聚合、乳化聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止汙染潔淨的被粘物等方面考慮，優選低分子量物質的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優選為約35萬至約100萬、更優選約45萬至約80萬。重均分子量的測定通過GPC(凝膠滲透色譜法)進行，是通過聚苯乙烯換算而算出的值。另外，為了調節紫外線照射前的粘合力或者紫外線照射後的粘合力，所述粘合劑中也可以適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑進行反應的方法。使用外部交聯劑的情況下，其使用量根據與要交聯的基礎聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途來進行適當確定。一般相對於所述基礎聚合物100重量份優選配合約20重量份以下、更優選0.110重量份。另外，粘合劑中根據需要除所述成分之外還可以使用以往公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。在所述丙烯酸類聚合物中引入自由基反應性碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以採用各種方法，從分子設計方面考慮，在聚合物側鏈中引入自由基反應性碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉下述方法預先將具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，使具有能夠與該羥基反應的異氰酸酯基及自由基反應性碳碳雙鍵的所述異氰酸酯化合物在保持自由基反應性碳碳雙鍵的紫外線固化性的狀態下進行縮合或加14成反應。所述內在型的紫外線固化型粘合劑，可以單獨使用所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內配合紫外線固化性單體成分或低聚物成分。作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性的低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合比例，可以根據所述粘合劑層的種類適當確定能夠使粘合劑層的粘合力下降的量。一般而言，相對於構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5至約500重量份、優選約40至約150重量份。所述紫外線固化型粘合劑中優選含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、oc-羥基-ot，a，-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等a-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-l-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；l-苯基-l,2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；滷化酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的配合比例，相對於構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0.05至約20重量份。在切割/晶片接合薄膜10的粘合劑層2中，可以對粘合劑層2的一部分進行紫外線照射使得所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，使用基材l的至少單面的、與半導體晶片粘貼部分3a對應的部分以外的部分的全部或者一部分被遮光的基材，在其上形成紫外線固化型粘合劑層2後進行紫外線照射，使與半導體晶片粘貼部分3a對應的部分固化，可以形成使粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作能夠形成光掩模的遮光材料。另外，紫外線照射積分光量優選為50~500mJ/cm2。通過使積分光量在所述範圍內，可以在保持能夠防止切割時產生半導體晶片的晶片飛散的程度的膠粘性的同時，在拾取時得到良好的拾取性。由此，可以高效製造本發明的切割/晶片接合薄膜10。另外，紫外線照射時因氧而產生固化障礙時，優選從紫外線固化型粘合劑層2的表面遮斷氧(空氣)。作為該方法，可以列舉例如用隔膜被覆粘合劑層2的表面的方法、或者在氮氣環境中進行紫外線等的紫外線照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從防止晶片切斷面的缺陷或者膠粘層的固定保持的兼具性等方面考慮，優選為約1至約50nm。優選2~30,、更優選5~25,。晶片接合薄膜3例如可以僅由膠粘劑層單層構成。另外，也可以形成將玻璃化轉變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當組合的兩層以上的多層結構。另外，由於在半導體晶片的切割工序中使用切削水，因此晶片接合薄膜3吸溼，有時含水率達到常態以上。如果以這樣的高含水率直接膠粘在襯底等上，則有時在後固16化階段膠粘界面處滯留水蒸汽，而產生隆起。因此，作為晶片膠粘用膠粘劑，通過形成用晶片膠粘劑夾著高透溼性的芯材的結構，在後固化階段水蒸汽透過薄膜而擴散，從而可以避免所述問題。從這樣的觀點考慮，可以形成在晶片接合薄膜3的芯材的單面或雙面上形成膠粘劑層的多層結構。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無紡纖維增強的樹脂襯底、矽襯底或玻璃襯底等。本發明的晶片接合薄膜3，以環氧樹脂作為主成分而形成。環氧樹脂中使半導體元件腐蝕的離子性雜質等含量少，因此優選。作為所述環氧樹脂，只要是作為膠粘劑組合物通常使用的即可，沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、莉型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲垸型環氧樹脂或四苯酚基乙烷型環氧樹脂。這是因為這些環氧樹脂與作為固化劑的酚樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。另外，晶片接合薄膜3根據需要可以適當組合使用其它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、或者熱固性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，作為環氧樹脂的固化劑優選酚樹脂。另外，所述酚樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳垸基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。所述環氧樹脂與酚樹脂的配合比例，例如以所述環氧樹脂成分中的環氧基每1當量酚樹脂中的羥基為0.52.0當量的方式進行配合是適當的。更優選為0.81.2當量。即，這是因為兩者的配合比例如果在所述範圍以外，則固化反應不充分，環氧樹脂固化物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6，6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸系樹脂。作為所述丙烯酸系樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一垸基、月桂基、十三垸基、十四垸基、硬脂基、十八垸基或者十二垸基等。18另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或丁烯酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙垸磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。晶片接合薄膜3的膠粘劑層中，為了預先具有某種程度的交聯，在製作時優選添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能性化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性、改善耐熱性。另外，晶片接合薄膜3的膠粘劑層中根據需要可以適當配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、矽垸偶聯劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述矽烷偶聯劑，可以列舉例如P-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、y-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。晶片接合薄膜3的厚度沒有特別限制，例如為約5至約10C^m、優選約5至約50jim。可以使切割/晶片接合薄膜10、11具有防靜電能力。由此，可以防止其膠粘時及剝離時等靜電的產生或者電路因由於靜電導致的工件19(半導體晶片等)帶電而遭破壞等。防靜電能力的賦予，可以通過在基材1、粘合劑層2或者晶片接合薄膜3中添加防靜電劑或導電物質的方法、在基材1上附設由電荷移動絡合物或金屬膜等形成的導電層等適宜的方式進行。作為這些方式，優選難以產生有可能使半導體晶片變質的雜質離子的方式。作為為了導電性的賦予、導熱性的提高等而配合的導電物質(導電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導電合金等的球狀、針狀、片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。但是，從能夠不漏電的觀點考慮，優選所述晶片接合薄膜3、3'為非導電性。所述切割/晶片接合薄膜10、11的晶片接合薄膜3、3'優選由隔膜保護(未圖示)。隔膜具有在供實際應用之前作為保護晶片接合薄膜3、3'的保護材料的功能。另外，隔膜還可以作為向粘合劑層2上轉印晶片接合薄膜3、3'時的支撐基材使用。隔膜在向切割/晶片接合薄膜的晶片接合膜3、3，上粘貼工件時剝離。作為隔膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行了表面塗布後的塑料薄膜或紙等。(切割/晶片接合薄膜的製造方法)以下，以切割/晶片接合薄膜10為例對本發明的切割/晶片接合薄膜的製造方法進行說明。首先，基材1可以通過以往公知的制膜方法製成膜。作為該制膜方法，可以列舉例如壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的擠壓吹塑法、T形模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。然後，在基材1上塗布包含粘合劑的組合物後進行乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成粘合劑層2。作為塗布方式，可以列舉輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，塗布可以直接在基材1上進行，也可以塗布到表面進行過剝離處理的剝離紙等上後轉印到基材1上。然後，將用於形成晶片接合薄膜3的形成材料塗布在剝離紙上至預定厚度，並且在預定條件下進行乾燥而形成塗布層。通過將該塗布層轉印到所述粘合劑層2上，形成晶片接合薄膜3。另外，通過在所述粘合劑層2上直接塗布形成材料後在預定條件下進行乾燥，也可以形成晶片接合薄膜3。通過以上方法，可以得到本發明的切割/晶片接合薄膜10。(半導體裝置的製造方法)本發明的切割/晶片接合薄膜10、11在適當剝離晶片接合薄膜3、3'上任意設置的隔膜後以下述方式使用。以下，參照圖3以使用切割/晶片接合薄膜11的情況為例進行說明。首先，將半導體晶片4壓接在切割/晶片接合薄膜11中的晶片接合薄膜3'上，並將其膠粘保持而固定(安裝工序)。本工序在用壓接輥等擠壓工具擠壓的同時進行。然後，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶片4切割為預定的尺寸而小片化，形成半導體晶片5。切割例如可以從半導體晶片4的電路面一側按照常規方法進行。另外，本工序中，例如可以採用切入至切割/晶片接合薄膜10的、稱為全切的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現有公知的切割裝置。另外，由於半導體晶片由切割/晶片接合薄膜IO膠粘固定，因此能夠抑制晶片缺陷和晶片飛散，並且也能夠抑制半導體晶片4的破損。為了將在切割/晶片接合薄膜10上膠粘固定的半導體晶片剝離，進行半導體晶片5的拾取。拾取方法沒有特別限制，可以使用現有公知的各種方法。例如可以列舉用針從切割/晶片接合薄膜IO—側將各個半導體晶片5向上推，通過拾取裝置拾取被上推的半導體晶片5的方法等。21在此，由於粘合劑層2是紫外線固化型，因此拾取在對該粘合劑層2照射紫外線之後進行。由此，粘合劑層2對晶片接合薄膜3a的粘合力降低，使半導體晶片5的剝離變得容易。結果，可以在不損傷半導體晶片的情況下進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限制，可以根據需要適當設定。例如，紫外線照射積分光量優選為50~500mJ/cm2。在所述積分光量的範圍內，本發明的晶片接合薄膜不會因紫外線照射而過度進行交聯從而造成剝離困難，顯示良好的拾取性。另外，作為紫外線照射時使用的光源，可以使用前述的光源。拾取的半導體晶片5通過晶片接合薄膜3a膠粘固定在被粘物6上(晶片接合)。被粘物6載置於加熱臺(heatblock)9上。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者另外製作的半導體晶片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物、也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環氧、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等製成的有機襯底。但是，本發明不限於這些，也包括在安裝半導體元件、與半導體元件電連接後可以使用的電路襯底。晶片接合薄膜3為熱固型時，通過加熱固化將半導體晶片5膠粘固定在被粘物6上，提高耐熱強度。另外，半導體晶片5通過半導體晶片粘貼部分3a膠粘固定到襯底等上而得到的製品可以用於回流工序。之後，進行將襯底的端子部(內部端子)的前端與半導體晶片5上的電極焊盤(未圖示)通過焊線7進行電連接的絲焊，再用密封樹脂8將半導體晶片密封，並將該密封樹脂8後固化。由此，製作本實施方式的半導體裝置。實施例以下，更具體地例示說明本發明的優選實施例。但是，這些實施例所記載的材料或配合量等如果沒有特別限定的記載，則不應將本發明的範圍限定於此，只不過是舉例說明而已。另外，各例中，"份"如果沒有特別說明是重量基準。(實施例1)在具有冷凝管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中，加入51.7份丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為"2EHA")、39.0份丙烯酸硬脂酯(以下稱為"SA")、9.3份丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為"HEA")、0.2份過氧化苯甲醯及65份甲苯，在氮氣流中在6rC下進行6小時聚合處理，得到重均分子量58萬的丙烯酸類聚合物A。重均分子量如下所述。2EHA與SA與HEA的摩爾比為70摩爾比30摩爾比20摩爾。在該丙烯酸類聚合物A中加入IO.O份(相對於HEA為80摩爾％)2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(以下稱為"MOI")，在空氣氣流中在5(TC下進行48小時加成反應處理，得到丙烯酸類聚合物A'。然後，在100份丙烯酸類聚合物A'中加入8份多異氰酸酯化合物(商品名"〕口氺一卜L"，日本聚氨酯株式會社製造)和5份光聚合引發劑(商品名"^》力'年工7651"，汽巴特殊化學品公司制)，製作粘合劑溶液。將前述製備的粘合劑溶液塗布於PET剝離襯裡的經聚矽氧烷(silicone)處理的面上，在120'C加熱交聯2分鐘，形成厚度10pm的粘合劑層。然後，在該粘合劑層表面粘貼厚度10(^m的聚烯烴薄膜。之後，在5(TC保存24小時後，製作本實施例的切割薄膜。23<晶片接合薄膜的製作〉使相對於lOO份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業株式會社制，商品名八，夕口yW-197CM)為59份環氧樹脂1UER株式會社制，工匕。〕一卜1004)、53份環氧樹脂2(JER株式會社制，工匕°〕一卜827)、121份酚樹脂(三井化學株式會社制，商品名Sky夕7XLC-4L)和222份球狀二氧化矽(7K"^亍、乂夕義株式會社制，商品名SO-25R)溶解於甲乙酮中，製備成濃度23.6重量％。將該膠粘劑組合物的溶液塗布於作為剝離襯裡(隔膜)的由經聚矽氧烷脫模處理的厚度38pm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜，然後在13(TC乾燥2分鐘。由此，製作厚度25jam的晶片接合薄膜。另外，將晶片接合薄膜轉印到前述的切割薄膜的粘合劑層一側，得到本實施例的切割/晶片接合薄膜。〈重均分子量Mw的測定〉重均分子量Mw的測定通過GPC(凝膠滲透色譜法)進行。測定條件如下所述。另外，重均分子量經聚苯乙烯換算來計算。測定裝置HLC-8120GPC(製品名，東曹公司制)色譜柱TSKgelGMH-H(S)X2(商品編號，東曹公司制)流量0.5ml/分鐘注入量100pl柱溫40°C洗脫液THF注入試樣濃度0.1重量％檢測器差示折射計(實施例2~15)關於各實施例215，變更為下表1所示的組成及配合比例，除此以外，與所述實施例1同樣操作，製作切割/晶片接合薄膜。24tableseeoriginaldocumentpage25括號內的數值表示摩爾％。其中，HEA及4HBA中的括號內的數值表示相對於丙烯酸酯總量〗00摩爾％的摩爾％。另外，MOI及AOI中的括號內的數值表示相對於含羥基單體的摩爾％。另外，表1及後述的表2中記載的簡稱的含義如下所述。2EHA:丙烯酸-2-乙基己酯i-OA:丙烯酸異辛酯SA:丙烯酸硬脂酯VA:丙烯酸二十二垸酯BA:丙烯酸正丁酯HEA:丙烯酸-2-羥基乙酯4HBA:丙烯酸-4-羥基丁酯AOI:2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯C/L:多異氰酸酯化合物(商品名"〕口氺一卜L"，日本聚氨酯株式會社製造)(比較例1~7)關於各比較例17，除了變更為下表2所示的組成及配合比例以外，與所述實施例l同樣操作，製作切割/晶片接合薄膜。tableseeoriginaldocumentpage27(切割)使用各實施例及比較例的各切割/晶片接合薄膜，在以下要點下實際進行半導體晶片的切割，並評價各切割/晶片接合薄膜的性能。將半導體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進行背面研磨處理，將厚度0.15mm的鏡面晶片作為工件使用。從切割/晶片接合薄膜上剝離隔膜後，在其晶片接合薄膜上在4(TC下用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，並進行切割。另外，切割是進行全切而得到lmm見方的晶片尺寸。對於切斷後的半導體晶片及切割/晶片接合薄膜，確認有無晶片飛散。晶片飛散將即使半導體晶片有一個飛散時也評價為X，將無飛散時評價為〇。晶片磨削條件、粘貼條件及切割條件如下所述。磨削裝置fV7〕公司制，DFG-8560半導體晶片8英寸直徑(從厚度0.6mm背面磨削至0.15mm)<粘貼條件〉粘貼裝置日東精機制MA-3000II粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力0.15MPa粘貼時的級溫40°C切割裝置fV7〕公司制，DFD-6361切割環2-8-1(fj7〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl:f^7〕公司制2050HEDDZ2:f、7-公司制2050HEBB切割刀片轉數Zh40，000rpmZ2:40，000rpm刀片高度Zl:0.215mm(根據半導體晶片厚度決定(晶片厚度為75pm時，為0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A方式/階段式切割晶片晶片尺寸l.Omm見方(拾取)使用各實施例及比較例的各切割/晶片接合薄膜，在以下要點下實際進行半導體晶片的切割後進行拾取，並評價各切割/晶片接合薄膜的性能。—將半導體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進行背面研磨處理，將厚度0.075mm的鏡面晶片作為工件使用。從切割/晶片接合薄膜上剝離隔膜後，在其晶片接合薄膜上在4(TC下用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，並進行切割。另外，切割是進行全切而得到10mm見方的晶片尺寸。然後，對各切割/晶片接合薄膜進行紫外線照射，將它們進行拉伸，進行使各晶片間為預定間隔的擴展工序。另外，從各切割/晶片接合薄膜的基材一側通過用針上推的方式拾取半導體晶片，進行拾取性評價。具體而言，連續地拾取400個半導體晶片，顯示在後述條件下進行時的成功率。磨削裝置於V只〕公司制，DFG-8560半導體晶片8英寸直徑(從厚度0.6mm背面磨削至0.050mm)<粘貼條件〉粘貼裝置日東精機制MA-300011粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力0.15MPa粘貼時的級溫40°C切割裝置fV只〕公司制，DFD-6361切割環2-8-1(f一7〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl:於V只n公司制2050HEDDZ2:於V只〕公司制2050HEBB切割刀片轉數_Zl:40,000rpmZ2:40，000rpm刀片高度Zl:0.170mm(根據半導體晶片厚度決定(晶片厚度為50pm時，為0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A方式/階段式切割晶片晶片尺寸10.0mm見方紫外線(UV)照射裝置日東精機(商品名、UM-810型)紫外線照射積分光量300mJ/cm2另外，紫外線照射是從聚烯烴薄膜一側進行。關於拾取條件，分別通過下表3所示的條件進行。表3針全長10mm、直徑0.7mm、銳角15度、頂端R350pm針數(根)9針上推^(pm)250針上推速度(mm/秒)5夾頭保持時間(毫秒)1000擴展(mm/秒)3(拉伸彈性模量的測定方法)在將樣品尺寸設定為初期長度10mm、斷面積0.10.5mm2，測定溫度23°C、夾盤間距50mm、拉伸速度50mm/分鐘的測定條件下，在MD方向或TD方向進行拉伸試驗，測定各方向上樣品的伸長變化量(mm)。結果，在得到的S-S曲線的初期上升部分引切線，將該切線相當於100°/。伸長時的拉伸強度除以基材薄膜的斷面積，得到拉伸彈性模量。另外，對於紫外線照射後的拉伸彈性模量的測定，根據所述照射條件從聚烯烴薄膜一側照射紫外線之後進行。(剝離粘合力)從各切割/晶片接合薄膜上切出寬10mm的試片，將其粘貼於在40C的熱板上載置的矽鏡面晶片上。放置約30分鐘後，從切割薄膜一側照射紫外線，再使用拉伸試驗機測定剝離粘合力。測定條件是剝離角度15°、拉伸速度300mm/分鐘。另外，試片的保存及剝離粘合力的測定在溫度23'C、相對溼度50%的環境下進行。另外，紫外線的照射條件如下所述。紫外線(UV)照射裝置高壓水銀燈紫外線照射積分光量500mJ/cm231輸出功率75W照射強度150mW/cm表4tableseeoriginaldocumentpage32tableseeoriginaldocumentpage33權利要求1.一種切割/晶片接合薄膜，具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設置的晶片接合薄膜，其特徵在於，所述粘合劑層由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由CH2＝CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2＝CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，上述式中，R1為碳原子數6～10的烷基，R2為碳原子數11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相對於丙烯酸酯A60～90摩爾％，丙烯酸酯B為40～10摩爾％，所述含羥基單體的配合比例是相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100摩爾％在10～30摩爾％的範圍內，所述異氰酸酯化合物的配合比例是相對於所述含羥基單體100摩爾％在70～90摩爾％的範圍內，所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成。2.如權利要求1所述的切割/晶片接合薄膜，其特徵在於，所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。3.如權利要求l或2所述的切割/晶片接合薄膜，其特徵在於，所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。4.如權利要求1至3中任一項所述的切割/晶片接合薄膜，其特徵在於，所述丙烯酸類聚合物的重均分子量在35萬100萬的範圍內。5.如權利要求1至4中任一項所述的切割/晶片接合薄膜，其特徵在於，所述粘合劑層的紫外線照射前的、23'C下的拉伸彈性模量在0.43.5MPa的範圍內，紫外線照射後的、23°C下的拉伸彈性模量在7100MPa的範圍內。6.如權利要求1至5中任一項所述的切割/晶片接合薄膜，其特徵在於，構成所述粘合劑層的所述丙烯酸類聚合物不含丙烯酸作為單體成分。全文摘要提供一種切割/晶片接合薄膜，即使工件為薄型的情況下，工件切割時的保持力和將通過切割得到的晶片狀工件與晶片接合薄膜一體地剝離時的剝離性的平衡特性也優良。一種切割/晶片接合薄膜，具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設置的晶片接合薄膜，其特徵在於，所述粘合劑層由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由CH2＝CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2＝CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子內具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，上述式中，R1為碳原子數6～10的烷基，R2為碳原子數11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相對於丙烯酸酯A60～90摩爾％，丙烯酸酯B為40～10摩爾％，所述含羥基單體的配合比例是相對於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100摩爾％在10～30摩爾％的範圍內，所述異氰酸酯化合物的配合比例是相對於所述含羥基單體100摩爾％在70～90摩爾％的範圍內，所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成。文檔編號H01L23/00GK101645426SQ200910161128公開日2010年2月10日申請日期2009年8月4日優先權日2008年8月4日發明者大竹宏尚,村田修平,松村健,神谷克彥申請人:日東電工株式會社