保護膜覆蓋方法和保護膜覆蓋裝置的製作方法

2023-09-23 13:14:40 1

專利名稱：：保護膜覆蓋方法和保護膜覆蓋裝置的製作方法
技術領域：
：本發明涉及在半導體晶片等被加工物的被加工面覆蓋保護膜的保護膜覆蓋方法和保護膜覆蓋裝置。
背景技術：
：如本領域技術人員所公知，在半導體器件製造工序中，利用在矽等半導體基板的表面層疊有絕緣膜和功能膜的層疊體形成半導體晶片，在所述半導體晶片呈矩陣狀地形成有多個IC(integratedcircuit集成電路)、LSI(large-scaleintegration大規模集成電路)等器件。如此形成的半導體晶片利用被稱為間隔道的分割預定線將上述器件劃分開，通過沿所述間隔道切斷，從而製造出一個個器件。另外，對於以下所述的光器件晶片，沿間隔道將光器件晶片分割成一個一個的發光二極體、雷射二極體等光器件，並廣泛利用於電氣設備，所述光器件晶片形成為在藍寶石基板等的表面上利用呈格子狀地形成的間隔道劃分出多個區域，並在該劃分出的區域內形成有由氮化鎵類化合物半導體等層疊而成的光器件。作為沿間隔道分割這樣的半導體晶片或光器件晶片等晶片的方法，提出有以下方法通過沿著形成於晶片等被加工物的間隔道照射脈衝雷射光線來形成雷射加工槽，沿著該雷射加工槽利用機械斷裂裝置進行切斷。(例如，參照專利文獻1。)雷射加工與切削加工相比能夠提高加工速度，而且，即使是由像藍寶石那樣的硬度高的材料形成的晶片，也能夠比較容易地進行加工。然而，當沿晶片的間隔道照射雷射光線時，會產生如下所述的新的問題熱能集中於被照射的區域從而產生碎屑(debris)，該碎屑附著在器件的表面從而使器件的品質降低。為了消除由上述碎屑引起的問題，提出了如下所述的雷射加工機在晶片的被加工面上覆蓋聚乙烯醇(PolyvinylAlcohol)等保護膜，透過保護膜向晶片照射雷射光線。裝備於該雷射加工機的保護膜覆蓋裝置將晶片吸引保持於旋轉工作檯(spinnertable)，一邊使旋轉工作檯旋轉一邊向晶片的中心部供給聚乙烯醇等的液態樹脂，來進行旋轉塗覆。(例如，參照專利文獻2。)專利文獻1日本特開平10-305420號公報專利文獻2日本特開2007-201178號公報在利用上述旋轉塗覆在晶片的表面形成保護膜的方法中，例如在直徑為300mm的晶片的表面形成厚度為4μm的保護膜的情況下，使用1930cc的聚乙烯醇等的液態樹脂。然而，形成於直徑為300mm的晶片的表面的保護膜的液態樹脂量為0.3cc，所供給的液態樹脂的9899%被廢棄了，因而存在著非常不經濟的問題。
發明內容本發明是鑑於上述現狀而完成的，其主要的技術課題在於提供保護膜覆蓋方法和保護膜覆蓋裝置，在利用旋轉塗覆在晶片的表面形成保護膜的方法中，即使減少形成保護膜的液態樹脂的供給量也能夠在晶片的表面形成均勻的保護膜。為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供一種保護膜覆蓋方法，該保護膜覆蓋方法是在應該進行雷射加工的晶片的表面覆蓋液態樹脂以形成保護膜的方法，其特徵在於，該保護膜覆蓋方法包括以下工序晶片保持工序，將晶片以表面朝上的方式保持於旋轉工作檯；水層形成工序，形成對保持於旋轉工作檯的晶片的表面進行覆蓋的水層；第一液態樹脂滴下工序，向該水層中的晶片的中心部滴下液態樹脂；第一樹脂膜覆蓋工序，使旋轉工作檯旋轉，利用伴隨著晶片的旋轉而作用於水層的離心力，使水層飛散並使滴下的液態樹脂擴張，由此在晶片的表面覆蓋第一樹脂膜；第二液態樹脂滴下工序，向覆蓋有第一樹脂膜的晶片的中心部滴下液態樹脂；以及第二樹脂膜覆蓋工序，使旋轉工作檯旋轉，利用伴隨晶片的旋轉的離心力使液態樹脂沿第一樹脂膜向外周流動，由此來形成第二樹脂膜。上述晶片的背面粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上，在上述水層形成工序中，用水充滿由環狀框架的內周面和保護帶形成的區域，由此形成覆蓋晶片的表面的水層。此外，在本發明中，提供一種保護膜覆蓋裝置，該保護膜覆蓋裝置是在晶片的表面覆蓋液態樹脂以形成保護膜的裝置，其特徵在於，該保護膜覆蓋裝置具有旋轉工作檯，該旋轉工作檯在晶片粘貼在保護帶上的狀態下保持所述晶片，其中所述保護帶裝配於環狀框架；旋轉驅動構件，該旋轉驅動構件驅動所述旋轉工作檯旋轉；水供給機構，該水供給機構向晶片供給水，其中該晶片是保持於所述旋轉工作檯的、粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上的晶片；液態樹脂供給機構，該液態樹脂供給機構向晶片供給液態樹脂，其中該晶片是保持於所述旋轉工作檯的、粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上的晶片；以及控制構件，該控制構件控制所述旋轉驅動構件、所述水供給機構以及所述液態樹脂供給機構，所述控制構件執行下述工序水層形成工序，使所述水供給機構工作來向晶片供給水，形成覆蓋晶片的表面的水層，其中該晶片是保持於所述旋轉工作檯的、粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上的晶片；第一液態樹脂滴下工序，在實施所述水層形成工序後，使所述液態樹脂供給機構工作，向所述水層中的晶片的中心部滴下液態樹脂；第一樹脂膜覆蓋工序，在實施所述第一液態樹脂滴下工序後，使所述旋轉驅動構件工作，使所述旋轉工作檯旋轉，利用伴隨著晶片的旋轉而作用於水層的離心力，使水層飛散並使滴下的液態樹脂擴張，由此在晶片的表面覆蓋第一樹脂膜；第二液態樹脂滴下工序，在實施所述第一樹脂膜覆蓋工序後，使所述液態樹脂供給機構動作，向覆蓋有第一樹脂膜的晶片的中心部滴下液態樹脂；以及第二樹脂膜覆蓋工序，在實施所述第二液態樹脂滴下工序後，使所述旋轉驅動構件工作，使所述旋轉工作檯旋轉，利用伴隨晶片的旋轉的離心力使液態樹脂沿第一樹脂膜向外周流動，由此形成第二樹脂膜。根據本發明的保護膜覆蓋方法，形成對保持於旋轉工作檯的晶片的表面進行覆蓋的水層，向該水層中的晶片的中心部滴下液態樹脂，通過使旋轉工作檯旋轉，利用伴隨著晶片的旋轉而作用於水層的離心力，使水層飛散並且使滴下的液態樹脂擴張，從而在晶片的表面覆蓋第一樹脂膜，因此能夠在晶片的表面整體形成厚度均勻的第一樹脂膜。並且，通過向覆蓋有第一樹脂膜的晶片的中心部滴下液態樹脂並使旋轉工作檯旋轉，利用伴隨晶片的旋轉的離心力使液態樹脂沿第一樹脂膜向外周流動，從而形成第二樹脂膜，因此，由於液態樹脂是沿著親和性良好的第一樹脂膜向外周流動，因此能夠以很少的液態樹脂量在第一樹脂膜的整個表面形成厚度均勻的第二樹脂膜。圖1是裝備有依照本發明構成的保護膜覆蓋兼清洗裝置的雷射加工機的立體圖。圖2是作為被加工物即晶片的半導體晶片的立體圖。圖3是將圖1所示的裝配於雷射加工機的保護膜覆蓋兼清洗裝置的一部分剖開進行表示的立體圖。圖4是示出圖3所示的保護膜覆蓋兼清洗裝置的旋轉工作檯定位於被加工物搬入搬出位置的狀態的說明圖。圖5是示出圖3所示的保護膜覆蓋兼清洗裝置的旋轉工作檯定位於作業位置的狀態的說明圖。圖6是構成圖3所示的保護膜覆蓋兼清洗裝置的控制構件的方框結構圖。圖7是本發明的保護膜覆蓋方法中的水層形成工序的說明圖。圖8是本發明的保護膜覆蓋方法中的第一液態樹脂滴下工序的說明圖。圖9是本發明的保護膜覆蓋方法中的第一樹脂膜覆蓋工序的說明圖。圖10是本發明的保護膜覆蓋方法中的第二液態樹脂滴下工序的說明圖。圖11是本發明的保護膜覆蓋方法中的第二樹脂膜覆蓋工序的說明圖。圖12是示出使用圖1所示的雷射加工機實施的雷射加工工序的說明圖。圖13是通過圖12所示的雷射加工工序形成有雷射加工槽的半導體晶片的主要部分放大剖視圖。標號說明2裝置外殼；3:卡盤工作檯；4:雷射光線照射構件；41:雷射光線振蕩構件；42聚光器；5攝像機構；6顯示構件；7保護膜覆蓋兼清洗構件；71旋轉工作檯機構；711:旋轉工作檯；712:電動馬達；72:清洗液接收構件；74:液態樹脂供給機構；740液態樹脂供給構件；741液態樹脂供給噴嘴；75水供給機構；750水供給構件；751水噴嘴；76空氣供給機構；760空氣供給構件；761空氣噴嘴；10半導體晶片；11:盒；12:位置對準構件；13晶片搬出搬入構件；14第一晶片搬送構件；15第二晶片搬送構件；F環狀框架；T保護帶。具體實施例方式下面，參照附圖，對本發明所述的保護膜的覆蓋方法和保護膜覆蓋裝置的優選實施方式進行詳細說明。在圖1中，示出了裝備有依照本發明而構成的保護膜覆蓋裝置的雷射加工機的立體圖。圖1所示的雷射加工機1具有大致長方體狀的裝置外殼2。在該裝置外殼2內，配設有保持作為被加工物的晶片的卡盤工作檯3，該卡盤工作檯3能夠沿箭頭X所示的加工進給方向和與該加工進給方向X正交的分度進給方向Y移動。卡盤工作檯3具有吸附卡盤支撐座31和安裝在該吸附卡盤支撐座31上的吸附卡盤32，卡盤工作檯3通過未圖示的抽吸構件，將作為被加工物的晶片保持在該吸附卡盤32的表面即載置面上。此外，卡盤工作檯3構成為通過未圖示的旋轉機構而能夠轉動。在這樣構成的卡盤工作檯3的吸附卡盤支撐座31上，配設有用於固定後述環狀框架的夾緊器34。另外，雷射加工機1具備使上述卡盤工作檯3沿加工進給方向X進行加工進給的未圖示的加工進給構件、以及使上述卡盤工作檯3沿分度進給方向Y進行分度進給的未圖示的分度進給構件。圖示的雷射加工機1具有雷射光線照射構件4，該雷射光線照射構件4對保持於上述卡盤工作檯3的作為被加工物的晶片實施雷射加工。雷射光線照射構件4具有雷射光線振蕩構件41和使由該雷射光線振蕩構件41振蕩出的雷射光線聚光的聚光器42。另外，雷射加工機1具備使雷射光線振蕩構件41沿箭頭Z所示的聚光點位置調整方向移動的未圖示的移動構件，所述聚光點位置調整方向是與卡盤工作檯3的上表面即載置面垂直的方向。圖示的雷射加工機1具有攝像構件5，該攝像構件5對保持在上述卡盤工作檯3的吸附卡盤32上的被加工物的表面進行攝像，檢測出應該利用雷射光線進行加工的區域，該雷射光線是從上述雷射光線照射構件4的聚光器42照射出的雷射光線。該攝像構件5除了具有利用可見光進行攝像的通常的攝像元件(CCD:電荷耦合器件)之外，還具有向被加工物照射紅外線的紅外線照明構件、對由該紅外線照明構件照射出的紅外線進行捕捉的光學系統、以及輸出與由該光學系統捕捉到的紅外線對應的電信號的攝像元件(紅外線CCD)等，上述攝像構件5將拍攝到的圖像信號輸送至後述的控制構件。此外，圖示的雷射加工機1具有顯示構件6，該顯示構件6對由攝像構件5拍攝到的圖像進行顯不。圖示的雷射加工機1具有盒載置部11a，該盒載置部Ila用於載置對作為被加工物即晶片的半導體晶片10進行收納的盒。在盒載置部11a，以能夠通過未圖示的升降構件而上下移動的方式配設有盒工作檯111，在該盒工作檯111上載置盒11。半導體晶片10粘貼在裝配於環狀框架F的保護帶T的表面上，將該半導體晶片10在經由保護帶T支撐於環狀框架F的狀態下收納到上述盒11內。另外，半導體晶片10如圖2所示，在表面IOa通過呈格子狀地排列的多條分割預定線101劃分出多個區域，在該劃分出的區域內形成IC、LSI等器件102。如圖1所示，這樣構成的半導體晶片10以表面IOa即形成有間隔道101和器件102的面朝上的方式將背面粘貼到裝配於環狀框架F的保護帶T上。圖示的雷射加工機1具有晶片搬出搬入構件13，其將收納在上述盒11內的加工前的半導體晶片10搬出至配設於臨時放置部12a的位置對準構件12，並且將加工後的半導體晶片10搬入到盒11中；第一晶片搬送構件14，其將搬出到位置對準構件12的加工前的半導體晶片10搬送到後述的保護膜覆蓋兼清洗裝置7，並且將利用保護膜覆蓋兼清洗裝置7在表面覆蓋了保護膜的半導體晶片10搬送到上述卡盤工作檯3上；以及第二晶片搬送構件15，其將在卡盤工作檯3上加工過的半導體晶片10搬送至保護膜覆蓋兼清洗裝置7。接著，參照圖3至圖5對保護膜覆蓋兼清洗裝置7進行說明，該保護膜覆蓋兼清洗裝置7用於在加工前的被加工物即半導體晶片10的表面(被加工面)覆蓋保護膜，並且將覆蓋於加工後的半導體晶片10的表面的保護膜除去。圖示的實施方式中的保護膜覆蓋兼清洗裝置7包括旋轉工作檯機構71、以及包圍該旋轉工作檯機構71地配設的清洗液接收構件72。旋轉工作檯機構71包括旋轉工作檯711;電動馬達712，其作為驅動上述旋轉工作檯711旋轉的旋轉驅動構件；以及支撐構件713，其將上述電動馬達712支撐成能夠在上下方向移動。旋轉工作檯711具有由多孔性材料形成的吸附卡盤711a，該吸附卡盤711a與未圖示的抽吸構件連通。因此，旋轉工作檯711通過在吸附卡盤711a上載置作為被加工物的晶片，並利用未圖示的抽吸構件產生負壓，來將晶片保持在吸附卡盤711a上。電動馬達712的驅動軸712a的上端與上述旋轉工作檯711連接。上述支撐構件713具有多個(在圖示的實施方式中為三個)支撐腳713a;和分別與所述支撐腳713a連接、且安裝於電動馬達712的多個(在圖示的實施方式中為三個)空氣缸713b。關於這樣構成的支撐機構713，通過使空氣缸713b工作，能夠將電動馬達712以及旋轉工作檯711定位在被加工物搬入搬出位置和作業位置，上述被加工物搬入搬出位置為圖4所示的上方位置，上述作業位置為圖5所示的下方位置。上述清洗液接收構件72包括清洗液接收容器721；支撐該清洗液接收容器721的三個(在圖3中示出兩個)支撐腳722；以及安裝在上述電動馬達712的驅動軸712a上的罩部件723。如圖4和圖5所示，清洗液接收容器721由圓筒狀的外側壁721a、底壁721b和內側壁721c構成。在底壁721b的中央部設置有孔721d，上述電動馬達712的驅動軸712a貫穿該孔721d，內側壁721c以從該孔721d的周緣向上方突出的方式形成。此外，如圖3所示，在底壁721b設有排液口721e，並且在該排液口721e連接有排水管724。上述罩部件723形成為圓盤狀，並具有從其外周緣向下方突出的罩部723a。如此構成的罩部件723被定位成當電動馬達712和旋轉工作檯711定位在圖5所示的作業位置時，罩部723a在構成上述清洗液接收容器721的內側壁721c的外側帶有間隙地與內側壁721c重疊。圖示的實施方式中的保護膜覆蓋兼清洗裝置7具有液態樹脂供給機構74，該液態樹脂供給機構74向保持於上述旋轉工作檯711的加工前的被加工物即半導體晶片10的表面(被加工面)供給液態樹脂。液態樹脂供給機構74具有樹脂供給噴嘴741，其向保持於旋轉工作檯711的加工前的半導體晶片10的表面(被加工面)供給液態樹脂；以及電動馬達742，其能夠正轉和反轉，用於使上述樹脂供給噴嘴741擺動，並且樹脂供給噴嘴741與液態樹脂供給構件740(參照圖4和圖5)連接。樹脂供給噴嘴741由水平地延伸的噴嘴部741a和從該噴嘴部741a向下方延伸的支撐部741b構成，支撐部741b配置成貫穿插入在設置於底壁721b的未圖示的貫穿孔中，並與液態樹脂供給構件740(參照圖4和圖5)連接，其中上述底壁721b構成上述清洗液接收容器721。另外，在樹脂供給噴嘴741的支撐部741b所貫穿的未圖示的貫穿孔的周緣裝配有對貫穿孔和支撐部741b之間進行密封的密封部件(未圖示)。圖示的實施方式中的保護膜覆蓋兼清洗裝置7具有水供給機構75，該水供給機構75用於向保持於上述旋轉工作檯711的加工後的被加工物即半導體晶片10供給水。水供給機構75具有水噴嘴751，其向保持於旋轉工作檯711的晶片供給水；以及電動馬達752，其能夠正轉和反轉，用於使上述水噴嘴751擺動，該水噴嘴751與水供給構件750(參照圖4和圖5)連接。水噴嘴751由水平地延伸且末端部向下方彎曲的噴嘴部751a、以及從該噴嘴部751a的基端向下方延伸的支撐部751b構成，支撐部751b配置成貫穿插入在設置於底壁721b的未圖示的貫穿孔中，並與水供給構件750(參照圖4和圖5)連接，其中上述底壁721b構成上述清洗液接收容器721。另外，在水噴嘴751的支撐部751b所貫穿的未圖示的貫穿孔的周緣，裝配有對貫穿孔和支撐部751b之間進行密封的密封部件(未圖示)。此外，圖示的實施方式中的保護膜覆蓋兼清洗裝置7具有空氣供給機構76，該空氣供給機構76用於向保持於上述旋轉工作檯711的加工後的被加工物即半導體晶片10供給空氣。空氣供給機構76具有空氣噴嘴761，其向保持於旋轉工作檯711的清洗後的晶片噴射空氣；以及電動馬達762，其能夠正轉和反轉，用於使上述空氣噴嘴761擺動，該空氣噴嘴761與空氣供給構件760(參照圖4和圖5)連接。空氣噴嘴761由水平地延伸且末端部向下方彎曲的噴嘴部761a、以及從該噴嘴部761a的基端向下方延伸的支撐部761b構成，支撐部761b配置成貫穿插入在設置於底壁721b的未圖示的貫穿孔中，並與空氣供給構件760(參照圖4和圖5)連接，其中上述底壁721b構成上述清洗液接收容器721。另外，在空氣噴嘴761的支撐部761b所貫穿的未圖示的貫穿孔的周緣，裝配有對貫穿孔和支撐部761b之間進行密封的密封部件(未圖示)。圖示的實施方式中的保護膜覆蓋兼清洗裝置7具有圖6所示的控制構件8。該控制構件8按照控制程序對上述旋轉工作檯機構71的電動馬達712和空氣缸713b、液態樹脂供給機構74的液態樹脂供給構件740和電動馬達742、水供給機構75的水供給構件750和電動馬達752、空氣供給機構76的空氣供給構件760和電動馬達762等進行控制。另外，控制構件8也可以兼用作使雷射加工機的各機構工作的控制構件。裝備了上述保護膜覆蓋兼清洗裝置7的雷射加工機1如上所述地構成，下面對其動作進行說明。如圖1所示，經由保護帶T支撐在環狀框架F上的加工前的半導體晶片10(以下，簡稱為半導體晶片10)以作為被加工面的表面IOa朝上的方式收納在盒11的預定位置。通過利用未圖示的升降構件使盒工作檯111上下移動，來將盒11的預定位置處收納的加工前的半導體晶片10定位在搬出位置。接著，被加工物搬出搬入構件13進行進退動作，從而將定位在搬出位置的半導體晶片10搬出至配設於臨時放置部12a的位置對準構件12。利用位置對準構件12使搬出至位置對準構件12的半導體晶片10對準預定位置。接著，利用第一晶片搬送構件14的迴轉動作將通過位置對準構件12進行了位置對準的加工前的半導體晶片10搬送至構成保護膜覆蓋兼清洗裝置7的旋轉工作檯711的吸附卡盤711a上，並將所述半導體晶片10吸引保持於該吸附卡盤711a(晶片保持工序)。此時，旋轉工作檯711定位在圖4所示的被加工物搬入搬出位置，樹脂供給噴嘴741、水噴嘴751和空氣噴嘴761如圖3和圖4所示地定位在從旋轉工作檯711的上方離開的待機位置。在實施了將加工前的半導體晶片10保持到保護膜覆蓋兼清洗裝置7的旋轉工作檯711上的晶片保持工序後，實施在半導體晶片10的被加工面即表面IOa覆蓋保護膜的保護膜覆蓋工序。在該保護膜覆蓋工序中，首先實施形成水層的水層形成工序，所述水層覆蓋了在旋轉工作檯711上保持的半導體晶片10的被加工面即表面10a。即，控制構件8使支撐構件713的空氣缸713b工作以將旋轉工作檯711定位於作業位置，並且使水供給機構75的電動馬達752工作以將水噴嘴751的噴嘴部751a如圖7所示地定位至保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的中央部上方。接著，控制構件8使水供給構件750工作，從水噴嘴751的噴嘴部751a供給水。像這樣供給的水在到達裝配有粘貼了半導體晶片10的保護帶T的環狀框架F的上表面後，水會充滿由環狀框架F的內周面和保護帶T形成的區域，由此，形成了覆蓋被保持在旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的厚度為13mm左右的水層100。在實施了上述的水層形成工序後，控制構件8使水供給機構75的電動馬達752工作以將水噴嘴751定位於待機位置。接著，控制構件8使液態樹脂供給機構74的電動馬達742工作，以將樹脂供給噴嘴741的噴嘴部741a如圖8所示地定位至保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的中央部上方。接著，控制構件8使液態樹脂供給構件740工作，以對覆蓋被保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的水層100中的、半導體晶片10的中心部，滴下預定量的液態樹脂110(第一液態樹脂滴下工序)。當作為被加工物的半導體晶片10的直徑為300mm的情況下，該第一液態樹脂滴下工序中滴下的液態樹脂110的量為Icc即可。另外，在第一液態樹脂滴下工序中滴下的液態樹脂110優選例如PVA(PolyVinylAlcohol聚乙烯醇)、PEG(PolyEthyleneGlycol聚乙二醇)、PEO(PolyEthyleneOxide聚氧化乙烯)等水溶性的保護劑(resist)。在如上所述地實施了第一液態樹脂滴下工序後，實施第一樹脂膜覆蓋工序，在該第一樹脂膜覆蓋工序中，控制構件8如圖9(a)所示地使旋轉工作檯機構71的電動馬達712工作，使旋轉工作檯711旋轉，隨著半導體晶片10的旋轉，作用於水層100的離心力使得水層飛散，並且使滴下的液態樹脂110擴張，由此，如圖9(b)所示地在半導體晶片10的被加工面即表面IOa覆蓋第一樹脂膜120。在該第一樹脂膜覆蓋工序中，控制構件8使旋轉工作檯機構71的電動馬達712工作，使旋轉工作檯711向箭頭所示方向以500rpm的旋轉速度旋轉10秒鐘，從而進行旋轉乾燥。此時，優選的是，控制構件8使空氣供給機構76的電動馬達762工作，將空氣噴嘴761的噴嘴部761a如圖9(b)所示地定位至保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的中央部上方，然後一邊使空氣供給構件760工作以向覆蓋於半導體晶片10的被加工面即表面IOa的第一樹脂膜120供給空氣，一邊使空氣噴嘴761的噴嘴部761a在所需角度範圍進行擺動。這樣，在第一樹脂膜覆蓋工序中，使旋轉工作檯711旋轉，隨著半導體晶片10的旋轉，作用於水層100的離心力使水層飛散，並且使滴下的液態樹脂110擴張，從而在半導體晶片10的被加工面即表面IOa覆蓋第一樹脂膜120，因此能夠在半導體晶片10的整個表面IOa形成厚度均勻的第一樹脂膜120。另外，第一樹脂膜120的厚度在上述實施方式中為0.1μm左右。在實施了上述的第一樹脂膜覆蓋工序後，控制構件8實施向覆蓋有第一樹脂膜120的半導體晶片10的中心部滴下液態樹脂的第二液態樹脂滴下工序。即，控制構件8使液態樹脂供給機構74的電動馬達742工作，以將樹脂供給噴嘴741的噴嘴部741a如圖10所示地定位至保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的中央部上方。接著，控制構件8使液態樹脂供給機構740工作，以向覆蓋在保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa上的第一樹脂膜120的中心部滴下預定量的液態樹脂110。在被加工物即半導體晶片10的直徑為300mm的情況下，在該第二液態樹脂滴下工序中滴下的液態樹脂110的量為Icc即可。在實施了上述的第二液態樹脂滴下工序後，實施第二樹脂膜覆蓋工序，在該第二樹脂膜覆蓋工序中，控制構件8如圖11(a)所示地使旋轉工作檯機構71的電動馬達712工作，使旋轉工作檯711旋轉，並利用伴隨著半導體晶片10的旋轉的離心力，使滴下的液態樹脂110沿第一樹脂膜120向外周流動，從而形成第二樹脂膜130。在該第二樹脂膜覆蓋工序中，控制構件8使旋轉工作檯機構71的電動馬達712工作，使旋轉工作檯711向箭頭所示方向以500rpm的旋轉速度旋轉120秒鐘，從而進行旋轉乾燥。此時，優選的是，控制構件8使空氣供給機構76的電動馬達762工作，以將空氣噴嘴761的噴嘴部761a如圖11(b)所示地定位至保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的中央部上方，然後一邊使空氣供給構件760工作以向覆蓋於半導體晶片10的被加工面即表面IOa的第二樹脂膜130供給空氣，一邊使空氣噴嘴761的噴嘴部761a在所需角度範圍進行擺動。這樣，在第二樹脂膜覆蓋工序中，使旋轉工作檯711旋轉，並利用伴隨著半導體晶片10的旋轉的離心力，使滴下的液態樹脂110沿親和性良好的第一樹脂膜120向外周流動，從而形成第二樹脂膜130，因此能夠在第一樹脂膜120的整個表面形成厚度均勻的第二樹脂膜130。另外，第二樹脂膜130的厚度在上述實施方式中為4μιη左右。如上所述，根據本發明的保護膜覆蓋方法，通過在第一液態樹脂滴下工序和第二液態樹脂滴下工序中分別滴下Icc(共計2cc)的液態樹脂110，能夠在直徑為300mm的晶片的表面形成厚度為4μm左右的由第一樹脂膜120和第二樹脂膜130構成的保護膜。這樣，在本發明的保護膜覆蓋方法中，液態樹脂的使用量是利用現有的保護膜覆蓋方法在直徑為300mm的晶片的表面形成厚度為4μm左右的保護膜的情況下的1/101/15，非常經濟。在如上所述地實施了在半導體晶片10的被加工面即表面IOa覆蓋由第一樹脂膜120和第二樹脂膜130構成的保護膜的保護膜覆蓋工序後，使旋轉工作檯711定位於圖4所示的被加工物搬入搬出位置，並且解除對保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的吸引保持。接著，旋轉工作檯711上的半導體晶片10通過第二晶片搬送構件15被搬送至卡盤工作檯3的吸附卡盤32上，並吸引保持於該吸附卡盤32。通過未圖示的加工進給構件，將這樣吸引保持半導體晶片10的卡盤工作檯3定位至配設於雷射光線照射構件4的攝像構件5的正下方。當卡盤工作檯3被定位在攝像構件5的正下方時，利用攝像構件5以及未圖示的控制構件來實施圖案匹配等圖像處理，從而進行雷射光線照射位置的校準，上述圖案匹配等圖像處理用於進行沿預定方向形成於半導體晶片10的間隔道101、與沿間隔道101照射雷射光線的雷射光線照射構件4的聚光器42之間的位置對準。此外，對於形成在半導體晶片10的沿與上述預定方向垂直的方向延伸的間隔道101，也同樣地進行雷射光線照射位置的校準。此時，在半導體晶片10的形成有間隔道101的表面IOa上形成有保護膜110，而在保護膜110不透明的情況下，可以利用紅外線進行攝像來從表面進行校準。在如上所述檢測出在保持於卡盤工作檯3上的半導體晶片10形成的間隔道101、並進行了雷射光線照射位置的校準之後，如圖所示將卡盤工作檯3移動至照射雷射光線的雷射光線照射構件4的聚光器42所在的雷射光線照射區域，將預定的間隔道101定位在聚光器42的正下方。此時，如圖12的(a)圖所示，將半導體晶片10定位成使間隔道101的一端(在圖12的(a)圖中為左端)位於聚光器42的正下方。接著，從雷射光線照射構件4的聚光器42照射脈衝雷射光線，同時使卡盤工作檯3向圖12的(a)圖中箭頭Xl所示的方向以預定的加工進給速度移動。然後，在如圖12的(b)圖所示、間隔道101的另一端(在圖12的(b)圖中為右端)到達聚光器42的正下方位置後，使脈衝雷射光線停止照射，並使卡盤工作檯3即半導體晶片10停止移動。在該雷射加工槽形成工序中，將脈衝雷射光線的聚光點P對準間隔道101的表面附近。通過實施上述雷射光線照射工序，如圖13所示，在半導體晶片10的間隔道101上形成雷射加工槽140。此時，如圖13所示，即使通過雷射光線的照射而產生了碎屑150，該碎屑150也會被保護膜130阻隔而不會附著到器件102和焊盤等上。在該雷射光線照射工序中，由於形成於半導體晶片10的被加工面即表面IOa的、由第一樹脂膜120和第二樹脂膜130構成的保護膜如上所述是大致均勻的，因此能夠形成穩定的雷射加工槽140。然後，對半導體晶片10的所有間隔道101實施上述雷射光線照射工序。另外，上述雷射光線照射工序例如在以下的加工條件下進行。雷射光線的光源YV04雷射器或者YAG雷射器波長355nm重複頻率50kHz輸出4W聚光點直徑9.2μm加工進給速度200mm/秒在沿著半導體晶片10的所有間隔道101實施了上述雷射光線照射工序後，使保持有半導體晶片10的卡盤工作檯3返回至最初吸引保持半導體晶片10的位置，並在此處解除對半導體晶片10的吸引保持。然後，利用第二晶片搬送構件15將半導體晶片10搬送至構成保護膜覆蓋兼清洗裝置7的旋轉工作檯711的吸附卡盤711a上，並吸引保持於該吸附卡盤711a。此時，如圖3和圖4所示，樹脂供給噴嘴741、水噴嘴751和空氣噴嘴761定位在從旋轉工作檯711的上方離開的待機位置。在將加工後的半導體晶片10保持在保護膜覆蓋兼清洗裝置7的旋轉工作檯711上後，實施清洗工序。即、將旋轉工作檯711定位在作業位置，並使水供給機構75的電動馬達752工作，以將水噴嘴751的噴嘴部751a定位至保持於旋轉工作檯711上的半導體晶片10的中心部上方。然後，使旋轉工作檯711以例如SOOrpm的旋轉速度旋轉，同時使水供給構件750工作以從噴嘴部751a噴出水。另外，噴嘴部751a由所謂的雙流體噴嘴構成，其供給壓力為0.2MPa左右的水，並且供給壓力大約為0.30.5MPa的空氣，這樣的話，水藉助於空氣的壓力而噴出，並能夠對半導體晶片10的被加工面即表面IOa有效地進行清洗。此時，使電動馬達752工作，使從清洗液供給噴嘴751的噴嘴部751a噴出的水在如下所述的所需角度範圍擺動，該所需角度範圍是從所述噴出的水噴到保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的中心的位置至使上述水噴到半導體晶片10的外周部的位置為止的範圍。其結果為，由於覆蓋在半導體晶片10的表面IOa上的由第一樹脂膜120和第二樹脂膜130構成的保護膜如上所述由水溶性樹脂形成，所以能夠容易地衝洗掉由第一樹脂膜120和第二樹脂膜130構成的保護膜，並且在雷射加工時產生的碎屑150也被除去。在上述清洗工序結束後，實施乾燥工序。即、將清洗液供給噴嘴751定位在待機位置，並使旋轉工作檯711以例如3000rpm的旋轉速度旋轉15秒左右。此時，優選的是，使空氣供給機構76的電動馬達762工作，以將空氣噴嘴761的噴嘴部761a定位至保持於旋轉工作檯711的半導體晶片10的被加工面即表面IOa的中央部上方，然後一邊使空氣供給構件760工作以向覆蓋於半導體晶片10的被加工面即表面IOa的第二樹脂膜130供給空氣，一邊使空氣噴嘴761的噴嘴部761a在所需角度範圍擺動。在如上所述地完成了加工後的半導體晶片10的清洗和乾燥後，使旋轉工作檯711停止旋轉，並將空氣供給構件76的空氣噴嘴761定位在待機位置。然後，將旋轉工作檯711定位在圖4所示的被加工物搬入搬出位置，並解除對保持在旋轉工作檯711上的半導體晶片10的吸引保持。接著，將旋轉工作檯711上的加工後的半導體晶片10利用第一晶片搬送構件14搬出到配設於臨時放置部12a的位置對準構件12。將搬出到位置對準構件12的加工後的半導體晶片10利用被加工物搬出搬入構件13收納到盒11的預定位置。以上，基於圖示的實施方式對本發明進行了說明，但是本發明並不僅限於實施方式，可以在本發明的主旨的範圍內進行各種變形。例如，在上述實施方式中，示出了將保護膜覆蓋裝置配設於雷射加工機上的示例，但是也可以將保護膜覆蓋裝置作為獨立的裝置來構成。權利要求1.一種保護膜覆蓋方法，該保護膜覆蓋方法是在應該進行雷射加工的晶片的表面覆蓋液態樹脂以形成保護膜的方法，其特徵在於，該保護膜覆蓋方法包括以下工序晶片保持工序，將晶片以表面朝上的方式保持於旋轉工作檯；水層形成工序，形成對保持於旋轉工作檯的晶片的表面進行覆蓋的水層；第一液態樹脂滴下工序，向該水層中的晶片的中心部滴下液態樹脂；第一樹脂膜覆蓋工序，使旋轉工作檯旋轉，利用伴隨著晶片的旋轉而作用於水層的離心力，使水層飛散並使滴下的液態樹脂擴張，由此在晶片的表面覆蓋第一樹脂膜；第二液態樹脂滴下工序，向覆蓋有第一樹脂膜的晶片的中心部滴下液態樹脂；以及第二樹脂膜覆蓋工序，使旋轉工作檯旋轉，利用伴隨晶片的旋轉的離心力使液態樹脂沿第一樹脂膜向外周流動，由此來形成第二樹脂膜。2.根據權利要求1所述的保護膜覆蓋方法，其中，晶片的背面粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上，在所述水層形成工序中，用水充滿由環狀框架的內周面和保護帶形成的區域，由此形成覆蓋晶片的表面的水層。3.一種保護膜覆蓋裝置，該保護膜覆蓋裝置是在晶片的表面覆蓋液態樹脂以形成保護膜的裝置，其特徵在於，該保護膜覆蓋裝置具有旋轉工作檯，該旋轉工作檯在晶片粘貼在保護帶上的狀態下保持所述晶片，其中所述保護帶裝配於環狀框架；旋轉驅動構件，該旋轉驅動構件驅動所述旋轉工作檯旋轉；水供給機構，該水供給機構向晶片供給水，其中該晶片是保持於所述旋轉工作檯的、粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上的晶片；液態樹脂供給機構，該液態樹脂供給機構向晶片供給液態樹脂，其中該晶片是保持於所述旋轉工作檯的、粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上的晶片；以及控制構件，該控制構件控制所述旋轉驅動構件、所述水供給機構以及所述液態樹脂供給機構，所述控制構件執行下述工序水層形成工序，使所述水供給機構工作來向晶片供給水，形成覆蓋晶片的表面的水層，其中該晶片是保持於所述旋轉工作檯的、粘貼在裝配於環狀框架的保護帶上的晶片；第一液態樹脂滴下工序，在實施所述水層形成工序後，使所述液態樹脂供給機構工作，向所述水層中的晶片的中心部滴下液態樹脂；第一樹脂膜覆蓋工序，在實施所述第一液態樹脂滴下工序後，使所述旋轉驅動構件工作，使所述旋轉工作檯旋轉，利用伴隨著晶片的旋轉而作用於水層的離心力，使水層飛散並使滴下的液態樹脂擴張，由此在晶片的表面覆蓋第一樹脂膜；第二液態樹脂滴下工序，在實施所述第一樹脂膜覆蓋工序後，使所述液態樹脂供給機構動作，向覆蓋有第一樹脂膜的晶片的中心部滴下液態樹脂；以及第二樹脂膜覆蓋工序，在實施所述第二液態樹脂滴下工序後，使所述旋轉驅動構件工作，使所述旋轉工作檯旋轉，利用伴隨晶片的旋轉的離心力使液態樹脂沿第一樹脂膜向外周流動，由此形成第二樹脂膜t全文摘要本發明提供保護膜覆蓋方法和保護膜覆蓋裝置，在利用旋轉塗覆在晶片表面形成保護膜的方法中，即使減少液態樹脂的供給量也能夠形成均勻的保護膜。保護膜覆蓋方法包括晶片保持工序，將晶片表面朝上地保持於旋轉工作檯；水層形成工序，形成覆蓋晶片表面的水層；第一液態樹脂滴下工序，向水層中的晶片中心部滴下液態樹脂；第一樹脂膜覆蓋工序，使旋轉工作檯旋轉，利用作用於水層的離心力使水層飛散並使滴下的液態樹脂擴張，從而在晶片表面覆蓋第一樹脂膜；第二液態樹脂滴下工序，向覆蓋有第一樹脂膜的晶片的中心部滴下液態樹脂；和第二樹脂膜覆蓋工序，使旋轉工作檯旋轉，利用離心力使液態樹脂沿第一樹脂膜向外周流動以形成第二樹脂膜。文檔編號H01L21/56GK102013404SQ20101027483公開日2011年4月13日申請日期2010年9月6日優先權日2009年9月7日發明者北原信康申請人:株式會社迪思科