有機電致發光器件及其製備方法、顯示基板、顯示裝置製造方法
2023-10-18 03:55:54
有機電致發光器件及其製備方法、顯示基板、顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供一種有機電致發光器件及其製備方法、包含該有機電致發光器件的顯示基板和顯示裝置。本發明通過將量子點均勻分散於電致發光聚合物的纖維內部，可以有效防止量子點之間的團聚和自淬滅；利用電致發光聚合物與量子點之間的螢光共振能量轉移作用，得到較高的量子產率，可以提高量子點的發光效率；量子點通過螢光共振能量轉移效應實現發光，螢光共振能量轉移效應是能量轉移過程，對量子點無損傷，相對現有技術中的直接電荷注入方式，對量子點自身的損害更少，有利於提高其壽命。
【專利說明】有機電致發光器件及其製備方法、顯示基板、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示產品製造【技術領域】，具體地，涉及一種有機電致發光器件及其製備方法、包含該有機電致發光器件的顯示基板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]量子點發光二極體顯示器是基於有機發光顯示器的基礎上發展起來的一種新型顯示技術。不同的是，其電致發光結構包括量子點層。
[0003]現有的量子點發光二極體顯示器的電致發光結構包括陽極，空穴注入層、空穴傳輸層、量子點層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極。其中，電子由陰極經電子注入層，電子傳輸層、空穴阻擋層、注入到量子點層，空穴由陽極經空穴注入層，空穴傳輸層、注入到量子點層，電子和空穴在量子點層中複合發光。
[0004]與有機發光二極體顯示器件相比，量子點電致發光具有發光峰窄、色彩飽和度高、色域寬等優點。
[0005]當前量子點發光二極體顯示裝置依然存在一些問題，例如:
[0006]1.量子點易團聚而發生自淬滅現象、光效低、壽命短等問題；
[0007]2.量子點在電荷注入方式產生的激子易於發生俄歇複合，導致量子點發生電離而發生破壞，使用壽命降低；
[0008]3.大量的電荷注入使得量子點本身的物化性質發生改變(如氧化、還原效應)。
【發明內容】
[0009]本發明針對現有量子點發光二極體顯示裝置存在上述問題，提供一種有機電致發光器件及其製備方法、有機電致發光顯示基板，有機電致發光顯示裝置。
[0010]本發明的目的在於提供一種有機電致發光器件的製備方法，於，包括以下步驟:
[0011]將有機溶劑、電荷控制劑、電致發光聚合物、量子點混合獲得靜電紡絲溶液；
[0012]將上述靜電紡絲溶液通過靜電紡絲工藝，將量子點均勻分散於電致發光聚合物形成量子點有機電致發光膜。
[0013]優選的是，所述有機溶劑包括正己烷、環己烷、氯仿中的任意一種或多種。
[0014]優選的是，所述電荷控制劑包括二甲基亞醯胺。
[0015]優選的是，所述電致發光聚合物包括聚苯、梯形聚苯、聚茚並芴、聚芴及其衍生物中的任意一種或多種。
[0016]優選的是，所述量子點包括CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaAs、GaSb> HgS> HgSe> HgTe> InAs> InP、InSb、AlAs、A1P、A1P、AlSb 中任意一種或多種。
[0017]優選的是,所述量子點包括具有核殼結構的量子點。
[0018]優選的是，所述具有核殼結構的量子點包括CdSe/CdS，CdSe/CdS/ZnS中任意一種或多種。
[0019]優選的是，在所述靜電紡絲溶液中以質量百分比計包括電荷控制劑1-5% ;電致發光聚合物10-30% ;量子點物質1-5%和餘量的有機溶劑。
[0020]優選的是，所述的靜電紡絲工藝的中電紡電壓為15_40kV，針管直徑為3_5mm，靜電紡絲溶液的注射速度為0.2-2.0mL/h，形成靜電電場的兩電極的間距為10-30cm。
[0021]本發明提供一種有機電致發光器件，包括用於發光的量子點有機電致發光膜，其中，量子點均勻分散於所述量子點有機電致發光膜中。
[0022]優選的是，所述的量子點有機電致發光膜中相鄰量子點之間的平均距離為量子點平均粒徑的3-10倍。
[0023]本發明的另一個目的是提供一種有機電致發光器件，所述有機電致發光器件是採用上述方法製備的。
[0024]優選的是，所述有機電致發光器件包括量子點有機電致發光膜，所述量子點有機電致發光膜中相鄰量子點之間的平均距離為量子點平均粒徑的3-10倍。
[0025]本發明的另一個目的是提供一種有機電致發光顯示基板，所述的有機電致發光顯示基板包括上述的有機電致發光器件。
[0026]本發明的另一個目的是提供一種有機電致發光顯示裝置，所述的有機電致發光顯示裝置包括上述的有機電致發光顯示基板。
[0027]本發明的有益效果:本發明通過將量子點均勻分散於電致發光聚合物的纖維內部，可以有效防止量子點之間的團聚和自淬滅；利用電致發光聚合物與量子點之間的螢光共振能量轉移作用，得到較高的量子產率，可以提高量子點的發光效率；量子點通過螢光共振能量轉移效應實現發光，螢光共振能量轉移效應是能量轉移過程，對量子點無損傷，相對現有技術中的直接電荷注入方式，對量子點自身的損害更少，有利於提高其壽命。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]圖1為本發明實施例1中有機電致發光器件的結構示意圖；
[0029]圖2為本發明實施例1中量子點有機電致發光膜的結構示意圖；
[0030]其中的附圖標記說明:
[0031]1.玻璃基板；2.陽極；3.空穴注入層；4.空穴傳輸層；5.量子點有機電致發光膜；51.量子點；52.有機電致發光聚合物；6.空穴阻擋層；7.電子傳輸層；8.電子注入層；
9.陰極。
【具體實施方式】
[0032]為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細描述。
[0033]實施例1
[0034]如圖1所示，本實施例提供一種有機電致發光器件的製備方法，包括以下步驟:
[0035]1.製備陽極、空穴注入層、空穴傳輸層
[0036]在玻璃基板I上採用現有技術的方法製備陽極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4，在此不再一一贅述。
[0037]2.製備靜電紡絲溶液
[0038]將有機溶劑、電荷控制劑、電致發光聚合物、量子點51混合獲得靜電紡絲溶液。
[0039]具體地，按以下質量百分比計配製靜電紡絲溶液，電荷控制劑1-5% ;電致發光聚合物10-30% ;量子點51物質1-5%和餘量的有機溶劑。
[0040]將上述質量百分比的電荷控制劑、電致發光聚合物、量子點51加入有機溶劑中，在200-400rpm下攪拌2_4h,得到靜電紡絲溶液。
[0041]其中，所述有機溶劑包括正己烷、環己烷、氯仿中的任意一種或多種。應當理解的是也可以是其它烴類或者滷化烴。
[0042]其中，所述電荷控制劑包括二甲基亞醯胺。應當理解的是也可以是其它醯胺類物質，用於使溶液帶電，進而進行靜電紡絲工藝。
[0043]其中，所述電致發光聚合物包括聚苯、梯形聚苯、聚茚並芴、聚芴及其衍生物中的任意一種或多種。上述電致發光聚合物可以發藍光，應當理解的是，其它類型的電致發光聚合物也是可行的，只要能在靜電紡絲工藝中製作成網狀纖維，並能將能量轉移給量子點51即可。
[0044]其中，所述量子點51 包括 CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaAs、GaSb> HgS> HgSe> HgTe> InAs> InP、InSb、AlAs、A1P、A1P、AlSb 中任意一種或多種。應當理解的是，量子點51可以是發紅光的量子點51，紅光量子點51的粒徑範圍為3.8-4.2nm ;也可以是發綠光的量子點51，綠光量子點51粒徑範圍為2.8-3.2nm。
[0045]具體量子點51的結構可以為具有核殼結構的量子點51。具體地，具有核殼結構的量子點51包括CdSe/CdS，CdSe/CdS/ZnS中任意一種或多種。
[0046]應當理解的是，有機發光聚合物的選擇和量子點51的選擇是相匹配的，需要將有機發光聚合物的能量轉移給量子點51使量子點51或有機發光聚合物和量子點51配合能發出三原色的色光，完成顯示功能；量子點51組分的質量可以依據具體應用的需要進行適當的選擇。
[0047]3.進行靜電紡絲
[0048]將上述靜電紡絲溶液通過靜電紡絲工藝在上述的空穴傳輸層4上，將量子點51均勻分散於電致發光聚合物形成量子點有機電致發光膜5。應當理解的是，靜電紡絲工藝步驟和設備為現有技術範疇在此不再一一贅述。
[0049]具體地，靜電紡絲工藝的按以下參數進行即可:電紡電壓為15_40kV，針管直徑為3-5mm，靜電紡絲溶液的注射速度為0.2-2.0mL/h，形成靜電電場的兩電極間距為10_30cm。通過控制上述參數獲得量子點有機電致發光膜5中相鄰量子點51之間的平均距離為量子點51平均粒徑的3-10倍。
[0050]4.製備空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極
[0051]繼續在量子點有機電致發光膜5上採用現有技術的方法製備空穴阻擋層6、電子傳輸層7、電子注入層8、陰極9，在此不再一一贅述。
[0052]本實施例中的有機電致發光器件的製備方法，將量子點通過靜電紡絲技術使有機溶劑迅速蒸發量子點被均勻的分散在纖維內部，可以有效防止量子點51之間的團聚和自淬滅，螢光強度大大增強；並且量子點被纖維保護，免受外界的溼氣和氧氣的影響，壽命也大大延長。利用電致發光聚合物與量子點51之間的螢光共振能量轉移作用，得到較高的量子產率，可以提高量子點51的發光效率；量子點51通過螢光共振能量轉移效應實現發光，螢光共振能量轉移效應是能量轉移過程，對量子點51無損傷，相對現有技術中的直接電荷注入方式，對量子點51自身的損害更少，有利於提高其壽命。
[0053]實施例2:
[0054]如圖2所示，本實施例提供一種有機電致發光器件，包括用於發光的量子點有機電致發光膜5，其中，量子點51均勻分散於所述量子點有機電致發光膜5中。其中，量子點有機電致發光膜5中包括形成網狀纖維的有機電致發光聚合物52。
[0055]本實施例中的有機電致發光器件是通過將量子點51均勻分散於電致發光聚合物的纖維內部，可以有效防止量子點51之間的團聚和自淬滅；利用電致發光聚合物與量子點51之間的螢光共振能量轉移作用，得到較高的量子產率，可以提高量子點51的發光效率；量子點51通過螢光共振能量轉移效應實現發光，螢光共振能量轉移效應是能量轉移過程，對量子點51無損傷，相對現有技術中的直接電荷注入方式，對量子點51自身的損害更少，有利於提聞其壽命。
[0056]優選的，所述的量子點有機電致發光膜5其中，相鄰量子點51之間的平均距離為量子點51平均粒徑的3-10倍。這樣能夠使上述的效果得到提升。
[0057]實施例3
[0058]本實施例提供一種有機電致發光顯示基板，該有機電致發光顯示基板包括上述的有機電致發光器件。
[0059]實施例4
[0060]本實施例提供一種有機電致發光顯示裝置，該有機電致發光顯示基板包括上述的有機電致發光顯示基板。
[0061]有機電致發光器件是通過將量子點51均勻分散於電致發光聚合物的纖維內部，可以有效防止量子點51之間的團聚和自淬滅；利用電致發光聚合物與量子點51之間的螢光共振能量轉移作用，得到較高的量子產率，可以提高量子點51的發光效率；量子點51通過螢光共振能量轉移效應實現發光，螢光共振能量轉移效應是能量轉移過程，對量子點51無損傷，相對現有技術中的直接電荷注入方式，對量子點51自身的損害更少，有利於提高其壽命。
[0062]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不局限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，包括以下步驟: 將有機溶劑、電荷控制劑、電致發光聚合物、量子點混合獲得靜電紡絲溶液； 將上述靜電紡絲溶液通過靜電紡絲工藝，將量子點均勻分散於電致發光聚合物形成量子點有機電致發光膜。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，所述有機溶劑包括正己烷、環己烷、氯仿中的任意一種或多種。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，所述電荷控制劑包括二甲基亞醯胺。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，所述電致發光聚合物包括聚苯、梯形聚苯、聚茚並芴、聚芴及其衍生物中的任意一種或多種。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，所述量子點包括 CdS, CdSe, CdTe, ZnO、ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP、GaAs, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs,InP, InSb、AlAs、AlP、AlP、AlSb 中任意一種或多種。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，所述量子點為具有核殼結構的量子點。
7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，所述具有核殼結構的量子點包括CdSe/CdS，CdSe/CdS/ZnS中任意一種或多種。
8.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，在所述靜電紡絲溶液中以質量百分比計包括:電荷控制劑1-5% ;電致發光聚合物10-30% ;量子點物質1-5%和餘量的有機溶劑。
9.根據權利要求1所述的有機電致發光器件的製備方法，其特徵在於，所述的靜電紡絲工藝的中電紡電壓為15-40kV，針管直徑為3-5mm，靜電紡絲溶液的注射速度為0.2-2.0mL/h，形成靜電電場的兩電極的間距為10_30cm。
10.一種有機電致發光器件，其特徵在於，所述有機電致發光器件是採用如權利要求1-9任一項所述方法製備的。
11.根據權利要求10所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述有機電致發光器件包括量子點有機電致發光膜，所述量子點有機電致發光膜中相鄰量子點之間的平均距離為量子點平均粒徑的3-10倍。
12.根據權利要求10所述的有機電致發光器件，其特徵在於，在所述量子點有機電致發光膜的一側依次設有空穴傳輸層、空穴注入層、陽極；在所述量子點有機電致發光膜的另一側依次設空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、陰極。
13.一種有機電致發光顯示基板，其特徵在於，所述的有機電致發光顯示基板包括如權利要求10-12任一項所述有機電致發光器件。
14.一種有機電致發光顯示裝置，其特徵在於，所述的有機電致發光顯示裝置包括如權利要求13所述的有機電致發光顯示基板。
【文檔編號】H01L51/56GK104377318SQ201410498485
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年9月25日 優先權日:2014年9月25日
【發明者】何曉龍, 曹佔鋒, 姚琪 申請人:京東方科技集團股份有限公司