有機el元件和其製造方法、有機el面板、有機el發光裝置、以及有機el顯示裝置製造方法
2023-10-06 18:22:44
有機el元件和其製造方法、有機el面板、有機el發光裝置、以及有機el顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供了有機EL元件1，其具有：陽極2和陰極7，設置在陽極2和陰極7之間的、含有有機材料的發光層5，設置在陽極2和發光層5之間的空穴注入層3、和設置在發光層5和陰極7之間的電子注入層7。並且，空穴注入層3和電子注入層6都含有金屬原子和硫原子，所述空穴注入層3和電子注入層6中的硫濃度，作為所述空穴注入層3中含有的金屬和硫之比的硫濃度，以原子數比計為96～439ppm。
【專利說明】有機EL元件和其製造方法、有機EL面板、有機EL發光裝置、以及有機EL顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及有機場致發光元件(下文中稱作「有機EL元件」)的構造，特別是涉及抑制發光層劣化的技術，涉及該有機EL元件的製造方法、具有該有機EL元件的顯示面板、發光裝置、和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]近年來，使用有機半導體的各種功能元件的研究開發大有進展，作為代表性的功能元件，可以列舉出有機EL元件。有機EL元件是電流驅動型的發光元件，具有在由陽極和陰極構成的電極對之間設置含有由有機材料形成的發光層的功能層的構造。並且，有機EL元件通過場致發光現象進行發光，所述場致發光現象，是對電極對間施加電壓使從陽極注入功能層的空穴、和從陰極注入功能層的電子再結合而產生的。這樣，有機EL元件由於進行自發光所以視認性高，並且由於是完全固體元件所以耐衝擊性優異，因而其在各種有機EL顯示面板和有機EL顯示裝置中作為發光元件、光源的應用受到人們關注。
[0003]但有機EL元件若由於水滲入發光層而造成發光層劣化，則有機EL元件的發光特性和壽命劣化之虞。針對該問題，已經提出了例如，通過在面板周邊部等配置吸溼劑、來抑制水從外部向發光層滲入的有機EL顯示面板。而且提出了，通過配置封閉部件以覆蓋有機EL元件的層疊結構，從而抑制水從外部滲入發光層的有機EL元件(專利文獻I)。
[0004]現有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本特開2007-73499號公報
【發明內容】
[0007]發明要解決的課題
[0008]面對上述現有的有機EL元件，有要更切實地抑制由水的滲入造成的發光層劣化的要求。
[0009]本發明鑑於上述要求而完成，其目的在於，提供更切實地抑制由水的滲入造成的發光層劣化的有機EL兀件。
[0010]解決課題的手段
[0011]為了實現上述目的，本發明的一方案涉及的有機EL元件，具有:第I電極和第2電極，設置在所述第I電極和所述第2電極之間的、含有有機材料的發光層，以及設置在所述第I電極和所述發光層之間的第I功能層，所述第I功能層含有金屬原子和硫原子，所述第I功能層中的硫濃度，作為所述第I功能層中含有的金屬和硫之比的硫濃度，以原子數比計為 96 以上 439 以下 ppm(96 ?439ppm)。
[0012]發明效果
[0013]本發明的一方案所涉及的有機EL元件，能夠更切實地抑制由水的滲入造成的發光層劣化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1是顯示實施方式所涉及的有機EL元件I的構造的模式截面圖。
[0015]圖2是顯示圖1所示的有機EL元件I的製造方法的模式截面圖，(a)是顯示在基板上形成陽極的工序的截面圖，(b)是顯示在陽極上形成空穴注入層的工序的截面圖，(C)是顯示在空穴注入層上形成隔壁層的工序的截面圖。
[0016]圖3是顯示圖1所示的有機EL元件I的製造方法的模式截面圖，(a)是顯示在空穴注入層上形成空穴傳輸層和發光層的工序的截面圖，(b)是顯示在發光層上形成電子注入層和陰極的工序的截面圖。
[0017]圖4是顯示硫捕捉水的機理的圖，(a)是比較例所涉及的圖，(b)是圖1所示的有機EL元件I所涉及的圖。
[0018]圖5是顯不硫濃度和相對壽命值之間的關係的圖。
[0019]圖6是顯不硫濃度和相對發光效率之間的關係的圖。
[0020]圖7是具有圖1所示的有機EL元件I的顯示面板的外觀圖。
[0021]符號說明
[0022]I有機EL元件
[0023]2 陽極
[0024]3、13空穴注入層
[0025]4空穴傳輸層
[0026]5發光層
[0027]6、16電子注入層
[0028]7 陰極
[0029]8隔壁層
[0030]10 基板
[0031]11平坦化層
[0032]12直流電源
【具體實施方式】
[0033][獲得本發明的一方案的原委]
[0034]下面，在對一實施方案進行具體說明之前，對獲得一實施方案的原委予以說明。
[0035]近年來，具有有機EL元件的各種顯示裝置、光源被廣泛應用，要抑制有機EL元件的發光特性和壽命的劣化的要求愈加強烈。為此，本發明人想要通過抑制由水向發光層的滲入造成的發光層劣化，來滿足該要求。
[0036]研究的結果，本發明人注意到了，不僅外部的水會滲入發光層，而且在靠近發光層的位置產生的水也有可能會滲入發光層。作為該位置，有由有機材料形成的隔壁、基板、和平坦化膜等。並且本發明人想到了使用含有硫原子的功能層作為抑制水向發光層滲入的構造。結果清楚了，通過在有機EL元件中在電極和發光層之間形成含有硫原子的功能層，能夠抑制在該位置產生的水向發光層滲入，更切實地抑制由水的滲入造成的發光層劣化。本發明的方案是經過這樣的原委得到的。
[0037]下面，對一實施方案的有機EL元件進行說明，接著講述一實施方案的各性能確認實驗的結果和考察的結果。另外，各附圖上的部件的縮小比例與實際的不同。
[0038][一實施方案的概要]
[0039]本發明的一方案的有機EL兀件,具有第I電極、第2電極、和設置在所述第I電極和所述第2電極之間的含有有機材料的發光層、以及設置在所述第I電極和所述發光層之間的第I功能層，所述第I功能層含有金屬原子和硫原子，所述第I功能層中的硫濃度，作為所述第I功能層中含有的金屬和硫之比的硫濃度，以原子數比計為96?439ppm。
[0040]由此，能夠更切實地抑制有機EL元件中由水的滲入造成的發光層劣化。
[0041]而且，具有設置在所述第2電極和所述發光層之間第2功能層，所述第2功能層含有金屬原子和硫原子，所述第2功能層中的硫濃度，作為所述第2功能層中含有的金屬和硫之比的硫濃度，以原子數比計可以為96?439ppm。
[0042]而且，所述第I電極是陽極，所述第2電極是陰極，所述第I功能層可以以金屬氧化物WOx的狀態作為所述金屬原子含有W，所述第2功能層可以以金屬氟化物WOx的狀態作為所述金屬原子含有Na。
[0043]而且，所述第I功能層中的硫濃度也可以比所述第2功能層中的硫濃度大。
[0044]而且，還可以夾著所述第I電極在所述第I功能層的相反側設置由樹脂材料形成的平坦化層。
[0045][實施方式]
[0046]
[0047]1.構造
[0048](有機EL元件)
[0049]下面，參照附圖來具體說明本發明的實施方式。圖1是顯示本實施方式所涉及的有機EL元件I的構造的模式截面圖。另外，本實施方式中說明的有機EL顯示元件1，是將發光層發射的光從玻璃基板的相反側取出的頂部發光型。具體地說，是由設置在有機EL顯示元件I上的Al (鋁)形成的陰極的厚度極小，陰極具有透光性的構造。而且，有機EL顯示元件I是例如，通過溼式工藝來塗布製造有機功能層的塗布型。陽極和陰極與直流電源連接，從而能夠從有機EL元件的外部向有機EL元件供電。
[0050]具體如圖1所示,有機EL元件I是在形成有平坦化層11的基板10的一側主面上依次層疊作為第I電極的陽極2、作為第I功能層的空穴注入層3、空穴傳輸層4、發光層5、作為第2功能層的電子注入層6、作為第2電極的陰極7而構成的。發光層5等在相鄰的隔壁層8之間形成。而且，如上所述，陽極2和陰極7與直流電源12連接。下面，對各層進行具體說明。
[0051](基板10)
[0052]基板10是成為有機EL元件I的基材的部分。在基板10的表面上，雖然圖中沒有示出，但形成有用於驅動有機EL元件I的TFT (薄膜電晶體)。而且，基板10由無鹼玻璃形成。基板10的材料不局限於此，可以使用例如鈉玻璃、無螢光玻璃、磷酸類玻璃、硼酸類玻璃、石英、丙烯酸類樹脂、苯乙烯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、環氧類樹脂、聚乙烯、聚酯、矽類樹脂、或氧化鋁等絕緣性材料中的任一種。[0053](平坦化層11)
[0054]平坦化層11是在基板10上形成、用於使基板10表面的凹凸平坦化的層。而且，平坦化層11夾著陽極2設置在空穴注入層3的相反側，其由丙烯酸類樹脂形成。平坦化層11的材料不局限於此，也可以由例如苯乙烯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、環氧類樹脂、矽類樹脂等樹脂材料形成。
[0055](陽極2)
[0056]陽極2在基板10上的TFT的上方形成。陽極2由鋁合金和ITO(氧化銦錫)的層疊結構構成。陽極2的厚度為，例如鋁合金為400nm、ITO為15nm。陽極2不局限於此，例如，可以使用由銀合金、與IZO(氧化銦鋅)、ZnO中的任一者形成的層疊結構等。
[0057](空穴注入層3)
[0058]空穴注入層3，設置在陽極2和發光層5之間，含有WOx(氧化鎢)和硫原子。在空穴注入層3中含有的WOx的組成式中，X是大致0.5 < X < 2的範圍的實數。另外，空穴注入層3，並不局限於含有WOx的構造，只要是含有空穴注入性材料而構成即可。這裡所說的空穴注入性材料是指空穴從陽極2向空穴注入層3移動容易的材料。更具體地說，空穴注入性材料是指，在陽極2和空穴注入層3接觸時，陽極2的費米能級、與空穴注入層3的價電子帶中的最淺能級之間的能量勢壘比規定值小的材料。
[0059]空穴注入層3中的硫濃度，可以以根據S (硫)/W(鎢)的質量比換算出的S/W原子數比求出。而且，該硫濃度 為96以上439以下ppm(96~439ppm)。空穴注入層3的厚度為 5nm。
[0060](空穴傳輸層4)
[0061]空穴傳輸層4使用TFB (聚(9，9_ 二辛基芴/N-(4_ 丁基苯基)二苯基胺))等，但並不局限於此。空穴傳輸層4的材料包括聚芴類、聚苯撐乙烯撐類、接枝型、樹枝型、塗布型的低分子類，只要是能夠溶解在溶劑中，能夠通過塗布形成薄膜的即可，不論其種類如何。
[0062]通過由胺類有機分子構成空穴傳輸層4，能夠將由空穴注入層3傳導來的空穴，有效地注入到在空穴傳輸層4上層形成的功能層。即、在胺類有機分子中，由於HOMO的電子密度以氮原子的非共價電子對為中心進行分布，所以該部分成為空穴的注入位點。這樣，通過在空穴傳輸層4中包含胺類有機分子，能夠在空穴傳輸層4側形成空穴的注入位點。
[0063]另外,空穴傳輸層4與在陽極2和發光層5之間含有的層的組合，若從陽極2向發光層5的空穴注入順暢則可以省略。
[0064](發光層5)
[0065]發光層5由有機高分子即F8BT (聚(9，9_ 二正辛基芴-交替共聚-苯並噻二唑))形成。但發光層5的材料不局限於F8BT，還可以使用公知的有機材料。發光層5的材料可以
使用例如，類喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物K惡唑
化合物、^惡'二唑化合物、紫環酮(perinone)化合物、吡咯並吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、熒蒽化合物、並四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、批唑啉衍生物及批唑啉酮衍生物、若丹明化合物、寬(chrysene)化合物、菲化合物、環戊二烯化合物、芪化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、螢光素化合物、吡喃貧> 化合物、噻喃知言化
合物、硒雜環己二烯榻'化合物、碲雜環己二烯每t化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚苯化合
物、噻噸化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2，2』 -聯吡啶化合物的金屬配合物、席夫鹼與第III B族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等螢光物質等。發光層5的厚度為例如70nm。
[0066](電子注入層6)
[0067]電子注入層6含有NaF(氟化鈉)和硫原子。電子注入層6中的硫濃度，可以以根據S/Na的質量比換算出的S/Na的原子數比求出。而且,該硫濃度為96?439ppm。電子注入層6的厚度為例如5nm。
[0068](陰極7)
[0069]陰極7由Al形成。陰極7的厚度為例如5nm。
[0070](隔壁層8)
[0071]隔壁層8由感光性抗蝕劑材料例如丙烯酸類樹脂形成。但不局限於此，作為隔壁層8的材料，可以使用聚醯亞胺類樹脂、酚醛清漆型酚樹脂等具有絕緣性的有機材料。
[0072]2.有機EL元件I的製造方法
[0073]下面例示出有機EL顯示面板I的製造方法。
[0074]圖2和圖3是顯示有機EL元件I的製造方法的模式截面圖。
[0075]首先，如圖2(a)所示，在形成有平坦化層11的基板10上形成由Al合金和ITO形成的陽極2。具體地說，在室內導入反應性氣體的同時濺射靶材，從而在形成有平坦化層11的基板10上形成Al合金膜和ITO膜。
[0076]然後，在ITO膜上形成與陽極2對應的形狀的掩模圖案。然後，使用蝕刻液對形成有掩模圖案的Al合金、ITO膜進行蝕刻。
[0077]接下來，如圖2(b)所示，在陽極2上成膜含有WOx的空穴注入層3。由於使用了如W那樣的高熔點金屬，所以在空穴注入層3的成膜時使用濺射法。
[0078]進而，如圖2(c)所示，在空穴注入層3上形成隔壁層8。具體地說，先使用例如旋轉塗布法等層疊隔壁層8的材料層，使其覆蓋形成有空穴注入層3和平坦化層11的基板
10。接下來，在隔壁層8的材料層的上方形成掩模。掩模的形狀是在要形成隔壁層8的位置設置有開口的形狀。以該狀態使用光刻法進行圖案形成，從而形成隔壁層8。
[0079]接下來，如圖3(a)所示，在空穴注入層3上依次形成空穴傳輸層4和發光層5。具體地說，要形成空穴傳輸層4，只要在像素區域120中的空穴注入層3的表面上，通過例如噴墨法的溼式工藝滴加含有有機材料和溶劑的墨，並使溶劑揮發除去即可。發光層5也可以以同樣的方法成膜。另外，空穴注入層4和發光層5的形成方法並不局限於噴墨法。也可以通過例如旋轉塗布法、凹版印刷法、分墨法(dispenser method)、射嘴塗布法、凹版印刷、凸版印刷等公知方法滴加和塗布墨。
[0080]最後,如圖3 (b)所不,在發光層5上依次形成含有NaF的電子注入層6和含有Al的陰極7。由於使用Na、Al之類的低熔點金屬，所以在電子注入層6和陰極7的成膜時使用濺射法或真空蒸鍍法。
[0081]通過經歷以上工序，就完成了有機EL顯示面板I。[0082]3.通過空穴注入層3和電子注入層6中含有的硫原子進行水的捕捉
[0083]可以認為在有機EL元件I中，通過使滲入的水被空穴注入層3和電子注入層6中含有的硫原子捕捉，從而能夠抑制水向發光層5滲入，抑制發光層5劣化。此外，可以認為本構造中被捕捉的水是從由丙烯酸類樹脂形成的平坦化層11和隔壁層8產生的。下面對此進行具體說明。
[0084]圖4是顯示空穴注入層3和電子注入層6中含有的硫原子捕捉水的機理的圖。圖4(a)是比較例所涉及的圖，圖4(b)是本實施方式所涉及的圖。
[0085]在圖4(a)所示的比較例中，空穴注入層13和電子注入層16中不含硫原子。因此，在水從平坦化層11和隔壁層8滲入空穴注入層13和電子注入層16時，如果在空穴注入層13和電子注入層16中沒有被捕捉，水就會容易地滲入發光層5。這樣就會造成發光層5劣化。
[0086]另一方面，在圖4(b)所示的本實施方式中，空穴注入層3和電子注入層6中含有硫原子。另外，空穴注入層3中的硫濃度遠比電子注入層6中的硫濃度大。
[0087]如圖4 (b)所示，當水從平坦化層11和隔壁層8滲入空穴注入層3和電子注入層6時，水被空穴注入層3和電子注入層6內的硫原子捕捉，從而能夠抑制水滲入發光層5。通過這樣抑制水向發光層5滲入,能夠抑制發光層5劣化。
[0088]另外，可以認為空穴注入層3和電子注入層6中的硫原子捕捉水的機理如下。可以認為空穴注入層3和電子注入層6內的硫原子含在例如磺基(SO3)、磺醯基(SO2)、巰基(SH)等中而存在。此時，在水滲入空穴注入層3和電子注入層6時，水被具有親水性的磺基、磺醯基、巰基等吸引、並被捕捉。可以認為空穴注入層3和電子注入層6內水的捕捉，如此地通過含有硫原子的官能團與水的相互作用而進行。
[0089]4.實驗
[0090](與電子注入層6相關的實驗概要)
[0091]由實驗的結果可知，若在電子注入層6中以一定範圍的濃度含有硫原子，就能夠抑制發光層5的劣化。關於這一點，將在下文進行具體說明。
[0092](硫濃度的下限)
[0093]認為若電子注入層6中含有的硫濃度比規定值小，則硫原子捕捉水的效果會變得不充分。因此，硫濃度存在下限條件。
[0094]圖5是顯示電子注入層6中的硫濃度和相對壽命值之間的關係的圖。圖5中的橫軸是硫濃度[ppm]，縱軸是相對壽命值[%]。為了求出這裡所說的硫濃度，先通過SIMS (二次離子質譜法)分析求出有機EL元件I的各層中含有的S的質量。進而求出電子注入層6中的S/Na的質量比，進而換算成S/Na的原子數比。
[0095]如圖5所示，硫濃度越大，則相對壽命值就變得越大。這裡關注相對壽命值急劇降低位置的硫濃度，電子注入層6中的硫濃度，只要是作為電子注入層6中含有的金屬和硫之比的硫濃度為96ppm以上就認為可以。
[0096](硫濃度的上限)
[0097]但當電子注入層6中含有的硫濃度大於規定值時，可以認為由發光層5中電子和空穴的再結合而產生的激子會變得容易失活，發光層5的發光效率降低。因此，硫濃度不僅存在上述下限條件，還存在上限條件。[0098]圖6是顯示電子注入層6中的硫濃度和相對發光效率[%]的圖。圖6中的橫軸是硫濃度[ppm]，縱軸是相對發光效率[%]。這裡所說的硫濃度，取根據SMS分析求出的S/Na的質量比換算出的S/Na的原子數比。
[0099]如圖6所示，硫濃度越大，則發光效率變得越小。這裡，關注發光效率急劇降低位置的硫濃度，只要電子注入層6中的硫濃度為439ppm以下，就認為可以。
[0100](結果和在空穴注入層3中的應用)
[0101]如上所述，電子注入層6中的硫濃度，只要是作為電子注入層6中含有的金屬和硫之比的硫濃度為96?439ppm，就能夠抑制發光層5的劣化。並且，不僅對於電子注入層6，而且對於空穴注入層3也可以說是同樣的。即，空穴注入層3中的硫濃度，只要是作為空穴注入層3中含有的金屬和硫之比的硫濃度為96?439ppm,就能夠抑制發光層5的劣化。
[0102]5.效果
[0103]有機EL元件1，通過在陽極2和發光層5之間形成含有硫原子的空穴注入層3，能夠抑制由水的滲入造成的發光層劣化。而且，通過在陰極7和發光層5之間也形成含有硫原子的電子注入層6，能夠更切實地抑制由水的滲入造成的發光層5的劣化。而且，空穴注入層3中的硫濃度比電子注入層6中的硫濃度還大。由此，能夠有效地抑制水從平坦化層11向發光層5滲入。通過以上效果，能夠更切實地抑制有機EL元件I的發光特性和壽命劣化。
[0104]另外，有機EL元件1，在陽極2和發光層5之間形成有含有硫原子的空穴注入層3，在陰極7和發光層5之間也形成有含有硫原子的電子注入層6。但不局限於此，只要在陽極2和發光層5之間形成含有硫原子的空穴注入層3，就能夠發揮本發明的效果。
[0105][變形例]
[0106]本發明的一方案所涉及的有機EL元件，並不局限於將一個元件單獨使用的構造。還可以將多個有機EL元件作為像素集成在基板上，構成有機EL發光裝置。這樣的有機EL發光裝置，可以通過適宜地設定各元件中的各層的膜厚來實施，可以作為例如照明裝置等利用。
[0107]1.有機EL元件的層構造
[0108]本發明的一方案所涉及的有機EL元件，不局限於實施方式所示的頂部發光型，SP也可以是底部發光型的構造。
[0109]2.空穴注入層的材料
[0110]在上述實施方式等中，空穴注入層含有WOx而構成，但不局限於這樣。作為空穴注入層，不局限於WOx，只要是含有任一種過渡金屬氧化物的構造即可。另外，過渡金屬是指W(鎢)、Mo(鑰)、V(釩)等。而且，不局限於氧化物，也可以是含有過渡金屬單質的構造。
[0111]此時，空穴注入層中的硫濃度，可以以根據S/過渡金屬的質量比換算出的S/過渡金屬的原子數比求出。而且，該硫濃度，只要是作為空穴注入層中含有的金屬和硫之比的硫濃度為96?439ppm即可。
[0112]而且，空穴注入層，不局限於無機材料類，也可以是以PEDOT =PSS ((聚(3，4_乙撐
二氧噻吩)/ (聚苯乙烯磺酸))等為代表的有機材料。
[0113]3.電子注入層的材料
[0114]上述實施方式等構成為使電子注入層含有NaF，但不局限於此。作為電子注入層，不局限於NaF，只要是含有鹼金屬的氟化物或鹼土金屬的氟化物的構造即可。另外，鹼金屬是指Li (鋰)、Na (鈉)、K (鉀)、Rb (銣)、Cs (銫)、Fr (鍅)。而且，鹼土金屬是指Be (鈹)、Mg(鎂)、Ca(鈣)、Sr (鍶)、Ba(鋇)、Ra(鐳)。而且，作為電子注入層，不局限於氟化物，也可以是含有鹼金屬單質或鹼土金屬單質的構造。
[0115]此時，電子注入層中的硫濃度，可以以根據S/ (鹼金屬或鹼土金屬)的質量比換算出的S/(鹼金屬或鹼土金屬)的原子數比求出，該硫濃度，只要是作為電子注入層中含有的金屬和硫之比的硫濃度為96?439ppm即可。
[0116]4.有機EL元件的應用例
[0117]本發明的一方案所涉及的有機EL元件，可以應用於有機EL面板。通過應用於有機EL面板，能夠實現發光特性優異的有機EL面板。
[0118]上述有機EL顯示面板，可以單獨作為裝置，直接流通到銷售網絡。但不局限於此，也可以如圖7所示，具有本發明的一方案所涉及的有機EL元件的有機EL面板20被裝入到數碼電視等的發光裝置中流通。
[0119]有機EL面板，既可以配置I個有機EL元件，也可以配置多個發相同顏色光的與紅色、綠色、藍色的各像素對應的有機EL元件，還可以配置多個相同顏色的有機EL元件。
[0120]本發明的一方案所涉及的有機EL元件，還能夠應用於有機EL發光裝置和有機EL顯示裝置。有機EL發光裝置可以用於例如照明裝置等。有機EL顯示裝置可以用於例如有機EL顯示器等。
[0121]5.其它
[0122]雖然沒有在上述實施方式等中示出，但也可以在有機EL元件中進一步設置封閉部件或吸溼劑。
[0123]產業可利用性
[0124]本發明的有機EL元件，能夠在例如家用、公共施設或業務用的各種顯示裝置、電視裝置、便攜型電子設備用顯示器等中使用的有機EL裝置中很好地使用。
【權利要求】
1.一種有機EL元件，具有: 第I電極和第2電極， 設置在所述第I電極和所述第2電極之間的、含有有機材料的發光層，以及 設置在所述第I電極和所述發光層之間的第I功能層， 所述第I功能層含有金屬原子和硫原子， 所述第I功能層中的硫濃度，作為所述第I功能層中含有的金屬和硫之比的硫濃度，以原子數比計為96?439ppm。
2.如權利要求1所述的有機EL元件，具有設置在所述第2電極和所述發光層之間的第2功能層， 所述第2功能層含有金屬原子和硫原子， 所述第2功能層中的硫濃度，作為所述第2功能層中含有的金屬和硫之比的硫濃度，以原子數比計為96?439ppm。
3.如權利要求2所述的有機EL元件， 所述第I電極是陽極， 所述第2電極是陰極， 所述第I功能層以金屬氧化物WOx的狀態含有W作為所述金屬原子， 所述第2功能層以金屬氟化物NaF的狀態含有Na作為所述金屬原子。
4.如權利要求2所述的有機EL元件，所述第I功能層中的硫濃度比所述第2功能層中的硫濃度大。
5.如權利要求4所述的有機EL元件，夾著所述第I電極在所述第I功能層的相反側設置有由樹脂材料形成的平坦化層。
6.一種有機EL面板，具有多個權利要求1所述的有機EL元件。
7.一種有機EL發光裝置，具有權利要求1所述的有機EL元件、和驅動該有機EL元件的電路。
8.一種有機EL顯示裝置，具有權利要求1所述的有機EL元件、和驅動該有機EL元件的電路。
【文檔編號】G09F9/30GK103582961SQ201280027532
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年8月28日 優先權日:2012年6月4日
【發明者】三島孝介 申請人:松下電器產業株式會社