半導體雷射裝置和使用它的光拾取裝置的製作方法

2023-05-20 03:26:36 2

專利名稱：半導體雷射裝置和使用它的光拾取裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及光拾取裝置，特別是涉及具有透過型全息元件的半導體雷射裝置和使用它的光拾取裝置。
用於光碟裝置等的光拾取裝置，使用雷射對光碟等光學記錄媒體進行信息記錄和信息讀出，或者進行伺服信號檢出。近幾年，隨著光拾取裝置的小型化、輕量化和低價格化的要求，正在進行使用作為一種衍射元件的透過型全息元件的光拾取裝置的研究和開發。圖38表示用日本專利特開平3—76035號(G11B7/135)中公開的三光束法進行跟蹤伺服的具有透過型全息元件的光拾取裝置的大概結構。
在圖38中，作為光源手段的半導體雷射元件202在上面方向射出雷射束(光束)。從半導體元件202射出的雷射束，由第一全息元件(三分光衍射光柵)203，分開成0次衍射光、+1次衍射光和-1次衍射光的三束光束，透過第二全息元件204。
透過第二全息元件204的三束雷射束，由作為聚光手段的物鏡205，在光碟201上聚光，形成三個光點。由光碟201反射的雷射束(回授光束)，由第二全息元件204衍射，波面保持像散，再由光檢出元件206檢出。
這種光拾取裝置中，在光檢出元件206被接收的、從光碟201回授的光束，因在第一全息元件203沒有受到衍射，所以沒有光的損失。此外，為了使回授的光束向光檢出元件206的方向衍射而使用第二全息元件204，因而與使用稜鏡等的場合相比，獲得裝置的薄型化。
然而，前述的光拾取裝置中，不能在同一平面上設置半導體雷射元件202和光檢出元件206。為此，這些元件接線時，必須變化光拾取裝置的方向，工序數多。
另一方面，在日本專利特開平1—313987號(H01S3/18)中，公開了在罩蓋等內部裝有半導體雷射元件、信號檢出用受光元件和監視器用受光元件，並在該罩蓋上將作為分光元件的透過型全息元件做成一體的光拾取裝置。從半導體雷射元件射出的雷射透過透過型全息元件，在光學存儲媒體上匯聚，從含有再生信號等信息的光學記錄媒體來的回授光由信號檢出用受光元件接收。
在這種透過型全息元件一體化的光拾取裝置中，根據移動全息元件和固定它的罩蓋自身進行調整，以便回授光的聚光點射入信號檢出用受光元件。這種場合，因能平行移動全息元件的全息面，所以能調整全息元件的位置，以便從光學記錄媒體來的回授光射入信號檢出用受光元件。然而，因全息面的高度方向調整困難，所以難於使回授光很好地匯聚在信號檢出用受光元件的受光面上。
本發明的目的是提供在實現根據三光束法的良好跟蹤伺服的同時，簡單地進行引線接合，且三分光衍射光柵的製造和設置容易，光的利用效率高的光拾取裝置。本發明的另一目的是提供容易調整透過型全息元件的位置的半導體雷射裝置。
本發明的又一目的是提供使用容易調整透過型全息元件的位置的半導體雷射裝置的光拾取裝置。
依照本發明的光拾取裝置，具備射出光束的光源、朝和第一方向幾乎垂直的第二方向反射光源向第一方向射出的光束的反射構件、在使反射構件所反射的光束穿透的同時至少分開成三束光束的透過型衍射光柵、透過由衍射光柵得到的三束光束的透過型全息元件、在光學記錄媒體上匯聚透過全息元件的三束光束的聚光部和檢出由光記錄媒體反射並透過聚光部的回授光束的光檢出部。全息元件衍射回授光束後引導該光束到光檢出部，以免透過聚光部的回授光束射入透過型衍射光柵。
在這種光拾取裝置中，從光源來的向第一方向射出的光束由反射構件導向第二方向，該反射光束由透過型衍射光柵分光。此外，由全息元件衍射回授光束，以便透過聚光部的回授光束不射入透過型衍射光柵。從而，因能在同一平面上配置光源和光檢出部，所以能容易設置它們和對它們進行引線接合。而且，因透過型衍射光柵上三束光束幾乎垂直地射入，所以能以等間距和展寬間距形成衍射光柵面的凹凸。其結果是，製造和設置都容易，能良好地進行跟蹤伺服。此外，能減小透過型衍射光柵上的光的衍射角。其結果，分開的三束光束不會離開聚光部，能有效地射入聚光部，光的利用效率增大。進而，回授光束由光檢出部檢出，不會射入透過型衍射光柵，所以沒有光的損失。
光拾取裝置還具備支承光源、反射構件和光檢出部的基座，光源、反射構件和光檢出部也可以裝在基座上。第一方向是與基座的主平面幾乎平行的方向，第二方向是與基座的主平面幾乎垂直的方向。
透過型衍射光柵和透過型全息元件也可以由透光性構件形成一體。透光性構件具有在透過由反射構件反射的光束的同時至少分開成三束光束的透過型衍射光柵面和透過由衍射光柵面得到的光束的透過型全息面。尤其是，透過型衍射光柵面和全息面也可以與基座的主平面幾乎平行地配置。
光檢出部與反射構件相關地配置在與光源相反的一側配置是理想的。這種場合，因反射構件起到光遮蔽構件的作用，所以光檢出部的靈敏度提高。
以光源、反射構件和光檢出部的順序沿第一方向幾乎在一條直線上配置是令人滿意的。這種場合，因能減小光拾取裝置的厚度，裝置的薄型化成為可能。
光檢出部也可以含有第一和第二光檢出部，全息元件衍射回授光束將其引導到第一和第二光檢出部，以使透過聚光部的回授光束不射入透過型衍射光柵。這種場合，因回授光束由兩個光檢出部檢出，檢出的可靠性提高。也可以將第一光檢出部與反射構件相關地配置在光源的同一側，第二光檢出部與反射構件相關地配置在與光源相反的一側。
光記錄媒體配置成其記錄面與第一方向和第二方向幾乎平行，光拾取裝置也可以進而具備在與第一方向和第二方向幾乎垂直的方向反射透過全息元件的光束，並經由聚光部，引導到光記錄媒體的記錄面的其它反射構件。這種場合，光源與光記錄媒體間的距離能縮短，光拾取裝置的薄型化成為可能。
依照本發明的再一種式樣的半導體雷射裝置，具備半導體雷射元件、受光元件、配設半導體雷射元件和受光元件的配設構件、在透過從半導體雷射元件射出的雷射束的同時衍射基於該雷射束的回授光束並引導回授光束到受光元件的透過型全息元件和能支承透過型全息元件對配設構件作三維移動的支承構件。在透過型全息元件對配設構件位置已定的狀態下，支承構件或/和全息元件用粘接材料固定。
在這種半導體雷射裝置中，衍射從半導體雷射元件射出的雷射束的回授光束的透過型全息元件支承得能三維移動，以便該回授光束射入受光元件。因調整這種透過型全息元件的位置能改變回授光束的衍射方向，所以調整透過型全息元件的位置能容易地進行光學調整。
全息元件由支承構件配置在配設構件的上方，半導體雷射裝置還可具備將從半導體雷射元件射出的雷射束向配設構件上方反射後，引導到全息元件的反射構件。
配設構件包含具有收容半導體雷射元件和受光元件的凹部的絕緣性模製體和在絕緣性模製體中保持的多條引線，半導體雷射元件和受光元件可以和凹部內多條引線中的任一條電氣連接。這種場合，半導體雷射元件和受光元件受到配設構件的保護，而且也確保電氣連接的可靠性。此外，反射構件也可以配置在凹部內。這種場合，反射構件也受到配設構件的保護。
配設構件進而包含由絕緣性模製體保持的框架，半導體雷射元件也可以設置在凹部內框架上。這種場合，因半導體雷射元件的熱通過框架有效地發散，半導體雷射元件的長壽命化和高輸出化成為可能。此外，不用引線接合法等就能容易地進行半導體雷射元件的一個電極和框架的電氣連接。這種場合，只將半導體雷射元件的另一個電極用引線接合法等接於引線上即可，所以半導體雷射裝置的製作變得容易。
受光元件也可以在凹部內框架上設置。這種場合，因受光元件的熱通過引線有效地發散，能抑制受光元件靈敏度的降低。此外，不用引線接合法就能容易地進行受光元件的一個電極和框架的電氣連接。這種場合，只將半導體雷射元件的另一電極用引線接合法等電氣連接於引線上即可，所以半導體雷射裝置的製作變得比較容易。
絕緣性模體也可以有傾斜支承反射構件的傾斜部。此外，絕緣性模製體有在凹部內的底部形成的再下凹部，傾斜部也可以在再下凹部內形成。
反射構件也可含有反射由半導體雷射元件射出的雷射束，同時將該光束至少分成三束的反射型衍射光柵。至少三束的光束為0次回授光束、+1次回授光束和-1次回授光束是令人滿意的。這種場合，在光拾取裝置中，按三光束法跟蹤成為可能，同時能削減構件個數。
半導體雷射裝置也可以進而具備在使從半導體雷射元件射出的雷射束透過，同時至少將其分開成三束光束，並引導分開的光束到透過型全息元件的透過型衍射光柵。
此外，反射構件由反射鏡做成，半導體雷射裝置也可以進而具備在使由反射鏡反射的雷射束透過的同時，至少將其分開成三束光束的透過型衍射光柵。理想的是至少三束的光束為0次回授光束、+1次回授光束和-1次回授光束。
這種場合，在光拾取裝置中，按三光束法跟蹤成為可能。此外，因雷射與透過型衍射光柵的衍射光柵面幾乎垂直地射入，能等間距地形成衍射光柵面的凹凸。因而，透過型衍射光柵的位置調整變得非常容易。而且，不增大半導體雷射裝置的尺寸，與用反射型衍射光柵的場合相比，能增大透過型衍射光柵和半導體雷射元件間的距離。其結果是，因為能增大衍射光柵面凹凸的間隔，與用反射型衍射光柵的場合相比，透過型衍射光柵的製造變得容易。進而，當衍射光柵面的凹凸間距增大時，±1次衍射光等的衍射角減小。因而，在光拾取裝置中用半導體雷射裝置的場合，上述衍射光的光軸通過聚光部的較中心部，光的利用效率提高。
透過型衍射光柵也可以設置在支承構件上。此外，透過型衍射光柵也可以與支承構件形成一體。全息元件也可以與支承構件一體地形成。
全息元件和透過型衍射光柵由透光性構件整體成形。透光性構件也可以有互相對置的全息面和衍射光柵面，衍射光柵面配置在配設構件的側面。這種場合，能削減元件個數。
理想的是全息元件衍射回授光束、將其引導到受光元件中，以使回授光束不射入透過型衍射光柵。這種場合，因回授光束不射入透過型衍射光柵而射入受光元件，光沒有損失。
用半導體雷射元件、反射構件和受光元件的順序在一條直線上配置是理想的。在這種場合中，因反射構件也起遮蔽從半導體雷射元件來的雷射的遮蔽手段的作用，能防止這種雷射直接射入受光元件。此外，半導體雷射裝置的厚度能減小，由此，光拾取裝置的薄型化成為可能。
支持構件由多個構件組成，多個構件的組合也可以是在不同方向能互相移動的組合。這種場合，因能使各個構件個別地移動以調整全息元件的位置，全息元件的微調整變得容易。可能移動的各構件間用粘接材料固定。
前述不同的方向也可以是與入射雷射束的軸幾乎垂直的第一方向、與該軸幾乎平行的第二方向和以與雷射束軸幾乎一致的軸作為中心的旋轉方向。也就是說，前述旋轉方向可以是以對雷射束軸稍為傾斜的軸為中心的旋轉方向，也可以是以對與雷射束軸錯位的軸略為傾斜的軸為中心的旋轉方向。
多個構件也可以包含在配設構件上固定的第一構件、以沿第二方向的軸為中心能轉動且能沿第二方向移動的與第一構件組合的第二構件和保持全息元件、使雷射束幾乎垂直地射入全息元件且能在第一方向移動的、與第二構件組合的第三構件。
第一構件有大致以沿第二方向的軸為中心的園柱形空腔部。第二構件由在園周方向和第二方向能滑動地嵌合在園柱形空腔內的園柱體組成且至少有一個透過入射雷射束的光透過部。第三構件有在第一方向能滑動地與第二構件嵌合且至少有一個引導入射雷射束到全息元件的光透過部。第二構件和第三構件也可以用粘接材料固定。
多個構件也可以包含在配設構件上固定的第一構件和以沿第二方向的軸作為中心能轉動且能沿第二方向移動的與第一構件組合的第二構件。全息元件也可以能在第一方向移動且與第二構件組合。
第一構件有大致以沿第二方向的軸為中心的園柱形空腔部。第二構件由在園周方向和在第二方向能滑動地嵌合在園柱形空腔部內的園柱體組成且至少有一個引導入射雷射束到全息元件的光透過部。第二構件和全息元件也可以用粘接材料固定。
多個構件也可以包含組合成在配設構件上能在第一方向移動的第一構件和保持全息元件，使雷射束幾乎垂直地射入全息元件，且能以沿第二方向的軸作為中心轉動並在第二方向移動地與第一構件組合的第二構件。
第一構件有大致以沿第二方向的軸為中心的園柱形空腔部且在第一方向能滑動地與配設構件嵌合。第二構件由在園周方向和第二方向能滑動地嵌合在園柱形空腔部內的園柱體組成，且至少有一個引導入射雷射束到全息元件的光透過部。第一構件和第二構件也可以用粘接材料固定。
前述不同的方向也可以是與入射雷射束的軸幾乎垂直的第一方向，與該軸幾乎平行的第二方向和與第一方向和第二方向幾乎垂直的第三方向。
多個構件也可以包含在配設構件上固定的第一構件、能在第二方向移動地與第一構件組合的第二構件、能在第一方向移動地與第二構件組合的第三構件和保持全息元件，使雷射束幾乎垂直地射入全息元件，且能在第三方向移動地與第三構件組合的第四構件。
第一構件有空腔部。第二構件在空洞部內在第二方向能滑動地嵌合在空腔內，且至少有一個透過入射雷射束的光透過部。第三構件在第一方向能滑動地與第二構件嵌合且至少有一個透過入射雷射束到全息元件的光透過部。第四構件在第三方向能滑動地與第三構件嵌合且至少有一個引導入射雷射束到全息元件的光透過部。第二構件、第三構件和第四構件也可以用粘接材料固定。
多個構件也可以包含在配設構件上固定的第一構件、能在第二方向移動地與第一構件組合的第二構件和能在第一方向移動地與第二構件組合的第三構件。全息元件也可以在第三方向上可移動地與第三構件組合。
第一構件有空腔部，第二構件在第二方向能滑動地嵌合在第二構件內且至少有一個透過入射雷射束的光透過部。第三構件在第一方向能滑動地與第二構件嵌合且至少有一個引導入射雷射束到全息元件的光透過部。全息元件在第三方向能滑動地與第三構件嵌合。第二構件、第三構件和全息元件也可以用粘接材料固定。
多個構件也可以包含、能在第一方向移動地組合在配設構件上的第一構件、能在第二方向移動地與第一構件組合的第二構件和保持全息元件、使雷射束幾乎垂直地射入全息元件，且能沿第三方向移動地與第二構件組合的第三構件。
第一構件有空腔部且在第一方向能滑動地嵌合在配設構件上。第二構件在第二方向能滑動地嵌合在空腔部內，且至少有一個透過入射雷射束的光透過部。第三構件在第三方向能滑動地與第二構件嵌合且至少有一個引導射入的雷射束到全息元件的光透過部。第一構件、第二構件和第三構件也可以用粘接材料固定。
多個構件也可以包含能在第一方向移動地組合在配設構件上的第一構件和能在第二方向移動地與第一構件組合的第二構件。全息元件也可以沿第三方向可移動地與第二構件組合。
第一構件有空腔部且在第一方向能滑動地與配設構件嵌合。第二構件在第二方向能滑動地嵌合在空腔部內且至少有一個引導入射雷射束到全息元件的光透過部。全息元件在第三方向能滑動地與第二構件嵌合。第一構件、第二構件和全息元件也可以用粘接材料固定。
支承構件能在與入射雷射束的軸幾乎垂直的方向移動地與配設構件組合。全息元件也可以能大致用入射光束的軸作為中心轉動且能在與入射光束的軸幾乎平行的方向移動地與支承構件組合。
支承構件也可以有能在與入射雷射束的軸幾乎垂直的方向滑動地與配設構件嵌合且有大致以該軸作為中心的園柱形空腔部。全息元件由能在園周方向和與入射雷射束的軸幾乎平行的方向與園柱形空腔部滑動嵌合的園柱體組成。支持構件和全息元件也可以用粘接材料固定。
尤其是，在構成支承構件的多個構件互相嵌合的場合中，因能使各構件方向性良好地移動，所以能高精度進行透過型全息元件的調整。
此外，在支承構件中的一個構件能轉動的場合，也能調整透過型全息元件的全息面的方向。因而，能一邊防止透過型全息元件的全息面上回授光的波面散亂，一邊在所定位置設置透過型全息元件。
此外，在第一構件能在第一方向移動地與配設構件組合的場合，因支承構件的構成元件個數減少，所以能降低成本製作半導體雷射裝置。進而，透過型全息元件本體能在第一方向移動組合的場合，支承構件的構成元件個數減少，所以能低成本製作半導體雷射裝置。特別在支承構件能在第一方向移動地與配設構件組合、全息元件能在支承構件中轉動且能在第二方向移動地組合的場合，構成元件的個數減到很少，且透過型全息元件的微調整變得容易。
此外，在支承構件、構成支承構件的各構件或全息元件滑移的場合，因在滑動部分中沒有空隙，所以能在所定位置高精度設置透過型全息元件。又在用粘接材料固定時粘接材料不會流出附在不希望的地方。
全息元件也可以收容在支承構件的空腔部內。這種情況下，全息元件在被組裝入光拾取裝置等當中時受到保護。
透過型全息元件也可以使回授光束有像散。這種場合，透過型全息元件衍射回授光束的功能，最好除1次及-1次衍射外，還有使回授光束帶像散的功能。由此，在半導體雷射裝置使用於光拾取裝置的場合，可按像散法進行聚焦誤差檢出。
配設構件和支承構件也可以由樹脂做成。這種場合，半導體雷射裝置的輕量化、低成本和大量生產化成為可能。配設構件在其周邊還可以至少有一對相對的園弧部。這種場合，由於在光拾取裝置外殼的園狀開口部裝入這些園弧部，能使半導體雷射裝置旋轉。因此，光學系統的調整變得簡單。
本發明的又一種式樣的光拾取裝置，具備半導體雷射裝置。該半導體雷射裝置，具備半導體雷射元件、受光元件、配設半導體雷射元件和受光元件的配設構件、在透過從半導體雷射元件射出的雷射束的同時衍射基於該雷射束的回授光束並將該回授光束引到受光元件的透過型全息元件和支承透過型全息元件能對配設構件三維移動的支承構件。透過型全息元件對配設構件定好位的狀態下，用粘接材料固定支承構件或/和全息元件。
半導體雷射裝置進而可以含有在與第一方向幾乎垂直的第二方向反射從半導體雷射元件的第一方向射出的雷射束的反射構件和使由反射構件反射的雷射束透過的同時至少將該光束分成三束，並將該三束光引到全息元件的透過型衍射光柵。全息元件衍射回授光束並引導到受光元件，以便回授光束不射入透過型衍射光柵。


圖1是表示關於本發明第一實施例的光拾取裝置的大概結構的斜視圖。
圖2是表示第一實施例的光拾取裝置的大概結構的側視圖。
圖3是表示第一實施例的光學記錄媒體上的主光點m和副光點x，y的圖。
圖4是第一實施例的光拾取裝置的基座的頂視圖。
圖5是第一實施例的光拾取裝置的光檢出元件的頂視圖。
圖6是表示關於本發明第二實施例的光拾取裝置的大概結構的側視圖。
圖7是表示關於本發明第三實施例的光拾取裝置的大概結構的斜視圖。
圖8是表示第三實施例的光拾取裝置的大概結構的側視圖。
圖9是表示關於本發明第四實施例的光拾取裝置的大概結構的斜視圖。
圖10是表示第四實施例的光拾取裝置的大概結構的側視圖。
圖11是第四實施例的光拾取裝置的基座的頂視圖。
圖12是表示關於本發明第五實施例的光拾取裝置的大概結構的斜視圖。
圖13是表示關於本發明第六實施例的光拾取裝置的大概結構的斜視圖。
圖14是表示第六實施例的光拾取裝置的大概結構的側視圖。
圖15是表示關於本發明第七實施例的光拾取裝置的大概結構的斜視圖。
圖16是表示第七實施例的光拾取裝置的大概結構的側視圖。
圖17是光點尺寸法用的透過型全息元件的頂視圖。
圖18是光點尺寸法用的光檢出元件的頂視圖。
圖19是傅科法用的透過型全息元件的頂視圖。
圖20是傅科法用的光檢出元件的頂視圖。
圖21是關於本發明第八實施例的半導體雷射裝置的部分分解斜視圖。
圖22是第八實施例的半導體雷射裝置的剖視圖。
圖23是第八實施例的半導體雷射裝置的頂視圖。
圖24是第八實施例的半導體雷射裝置的配設構件的頂視圖。
圖25是表示在光拾取裝置中裝入第八實施例的半導體雷射裝置的狀態的關鍵部斜視圖。
圖26是關於本發明第九實施例的半導體雷射裝置的支承構件和全息元件的部分分解斜視圖。
圖27是第九實施例的半導體雷射裝置的支承構件和全息元件的分解斜視圖。
圖28是關於本發明第十實施例的半導體雷射裝置的支承構件和全息元件的部分分解斜視圖。
圖29是關於本發明第十一實施例的半導體雷射裝置的支承構件和全息元件的部分分解斜視圖。
圖30是關於本發明第十二實施例的半導體雷射裝置的分解斜視圖。
圖31是第十二實施例的半導體雷射裝置的剖視圖。
圖32是關於本發明第十三實施例的半導體雷射裝置的分解斜視圖。
圖33是第十三實施例的半導體雷射裝置的剖視圖。
圖34是表示第十三實施例的半導體雷射裝置的其它形態的剖視圖。
圖35是表示第十三實施例的半導體雷射裝置的另外的形態的剖視圖。
圖36是關於本發明第十四實施例的半導體雷射裝置的分解斜視圖。
圖37是第十四實施例的半導體雷射裝置的剖視圖。
圖38是表示以往的光拾取裝置的大概結構的圖。
下面，一邊參照附圖一邊詳細地說明本發明的實施例。
第一實施例圖1和圖2分別是表示用三光束法進行跟蹤伺服的第一實施例的光拾取裝置的大概結構的斜視圖和側面圖。在圖中，電極和接合線等沒有畫出，光的路線被簡化。
在圖中，基座(設置構件)2由n+型矽(Si)等導電性半導體材料或銅等導電性金屬材料做成，有良好的熱傳導性。這種基座2，有上水平面部2a和對該上水平面部2a成45°角度的傾斜部2b。
在基座2的上水平面部2a上，由n+型Si半導體基片做成的導電性散熱片3被模片鍵合併與基座2電氣連接。在散熱片3的上面，形成雷射束監視用PIN型光電二極體(輸出監視用光檢出部)3a。光電二極體3a由半導體基片、在其一端側表面部選擇形成的n-型擴散層和在其n-型擴散層的表面部選擇形成的P+型擴散層構成。
此外，在散熱片3上裝載射出雷射束的半導體雷射元件(光源)4。該半導體雷射元件4下方的電極被模片鍵合於散熱片3的另一表面部上。在半導體雷射元件4的上方設置另外的電極。
半導體雷射元件4，其發射前端面與基座2的傾斜部2b相對配置。這種半導體雷射元件4，在與散熱片3的表面部平行延伸且來圖示的激活區產生雷射束，從前端面一側射出光學記錄媒體信號檢出用的主雷射束，從後端面一側射出監視用的雷射束(未圖示)。
信號檢出用光檢出元件(信號檢出用光檢出部)5，從光碟等反射型光學記錄媒體1檢出返回的回授光束(反射光)，進行跟蹤伺服、聚焦伺服和再生。這種光檢出元件5，配置在基座2的上水平面部2a上，以使回授光束以外的光束不會實質上進入光檢出元件5。光檢出元件5的未圖示電極模片鍵合在基座2上，與基座2電氣連接。
反射鏡(反射構件)6固定在基座2的傾斜部2b上，將半導體雷射元件4的前端面一側射出的雷射束反射到上方。在反射鏡6的上方設置透過型三分光衍射光柵7。這種三分光用衍射光柵7，有在透光性基片上面按等間距形成的衍射光柵面7a。三分光用衍射光柵7，以其光柵面7a將反射鏡6反射的雷射束分成0次衍射光束、+1次衍射光束和-1次衍射光束，同時向上方將它們射出。下面稱0次衍射光束為主光束、+1次衍射光束為副光束X、-1次衍射光束為副光束Y。但在三束主光束的情況下，表示上述三種衍射光束。
在三分光衍射光柵7的上方，設置透過型全息元件8。全息元件8由透光性基板構成，在本實施例中，由凹凸的間距逐漸地變化的曲線群組成的全息面8a形成於透光性基板上表面。這種全息元件8在透過(0次衍射)前述0次衍射光束、+1次衍射光束和-1次衍射光束(主光束和副光束X，Y)的同時，1次衍射從光學記錄媒體反射回來的這些0次回授光束、+1次回授光束和-1次回授光束(主光束和副光束X，Y)，使其收斂(聚光)到光檢出元件5的光檢出部，以使它們不射入衍射光柵7的衍射光柵面7a。
又，這種全息元件8在產生具有對入射光束的光軸傾斜的光軸的±1次衍射光束的同時，帶來在與光束前進方向正交的一個方向和與這一方向正交的方向上收斂角不同地對這種±1次衍射光束進行聚光的作用(像散作用)。也就是說，這種全息元件8的全息面8a兼備分光鏡、聚光透鏡和園柱形透鏡的功能。
在透過型全息元件8的上方，設置作為聚光手段的物鏡。物鏡9在光學記錄媒體1的表面上匯聚透過全息元件8(0次衍射)的0次和±1次衍射光束(主光束和副光束X、Y)，分別形成主光點m和在主光點m兩側的副光點x，y。
如圖3所示，調配光拾取裝置的光學系統，使主光點m掃描應該再生的記錄軌跡，副光點x、y僅貼靠前述軌跡在主光點m的兩側掃描。又，物鏡9基於光檢出元件5的檢出信號，由未圖示的驅動機構驅動，進行聚焦和跟蹤調整。
圖4是光拾取裝置的基座2的頂視圖，詳細表示在圖1和圖2中未圖示的電極、接合線和光檢出元件5。
如圖所示，本實施例的光檢出元件5，含有為進行用像散法的聚焦伺服而在中心部設置的四角分立光檢出部A、B、C、D和為進行用三光束法的跟蹤伺服而在其兩側設置的光檢出部E、F。在四角分立光檢出部A、B、C、D的中心，射入全息元件8所1次衍射的主光束，在光檢出部E、F分別同樣地射入1次衍射的副光束X，Y。
1次衍射的主光束因全息元件8而具有前述的像散。由此，如圖5中圖解所示，物鏡9和光學記錄媒體1過於接近的場合，得到以光檢出部B和光檢出部C中心連接方向為長軸方向的橢園光點(圖中的虛線a)。在物鏡9和光學記錄媒體1的位置關係為聚焦良好的場合，在光檢出部A、B、C、D的中心得到園形光點(圖中的實線b)。物鏡9和光學記錄媒體1過於遠的場合，得到以光檢出部A和光檢出部D中心連接方向為長軸方向的橢園光點(圖中的虛線C)。因此，用未圖示的運算電路能得到下式的聚焦誤差(FE)信號。
FE信號＝(A1＋D1)－(B1＋C1)上式的FE信號，表示聚焦偏移量，而且在光學記錄媒體1過於接近的場合為負的信號，在良好聚焦的場合為0，在過於遠的場合為正的信號。
此外，在主光點很好跟蹤記錄軌跡的場合，光檢出部E、F中射入的副光束X，Y的強度相等，在主光點偏移到應再生記錄軌跡的任一側的場合，副光束X，Y中相應一方的光強度增大，因此，由未圖示的運算電路能求得下式的跟蹤誤差(TE)信號。
TE信號＝E1－F1由上式的TE信號，能得到表示主光點的偏移量和主光點移偏到記錄媒體哪一側的信息。
進而，由未圖示的運算電路能求得下式的再生信號。
再生信號＝A1＋B1＋C1＋D1又，上式的A1—F1表示在光檢出部A—F的檢出信號強度。
還有、在圖4中，在基座2的上水平面部2a上，隔著未圖示的二氧化矽(SiO2)等組成的絕緣層，形成由金等組成的中繼電極。光電二極體3a的電極18也用金等構成。半導體雷射元件4的上表面電極4a、光電二極體3a的電極18和各光檢出部A—F的電極19—24在分別對應的中繼電極10—17中用金等組成的接合線(圖中的粗線)電氣連接，中繼電極10—17在未圖示的運算電路等中用金等構成的接合線(圖中的粗線)電氣連接。半導體雷射元件4、檢出元件5的各光檢出部A—F和光電二極體3a在基座2的內表面形成的公共內表面電極(未圖示)上電氣連接。
前述光拾取裝置的再生、跟蹤伺服和聚焦伺服等按下述那樣進行。
從半導體雷射元件4的後端面一側射出的雷射束，由光電二極體3a接收，根據對應該受光量的信號，用未圖示的自動輸出控制(APC)電路進行控制，以便雷射束成為固定。
另一方面，從這種半導體雷射元件4的前端面一側射出的雷射束，用反射鏡垂直向上反射後，用三分光衍射光柵7，衍射成含有0次和±1次衍射光束(主光束和副光束X，Y)的多個光束。用三分光衍射光柵7分光的0次和±1次衍射光束(主光束和副光束X，Y)，從該方向射入透過型全息元件8。其後，用全息元件8、0次衍射(透過)的0次和±1次衍射光束(主光束和副光束X，Y)，由物鏡9作為前述的主光點m和副光點X，Y收斂(聚光)於光學記錄媒體1上。
含有從這些主光點m和副光點x，y來的信息的回授光束(主光束和副光束X，Y)，通過物鏡9後，用全息元件8、1次衍射，主光束射入光檢出元件5的光檢出部A—D，副光束X，Y射入光檢出部E、F。然後，光檢出元件5所得到的信號，用未圖示的運算電路運算，得到前述的再生信號、FE信號和TE信號。基於這種FE信號和TE信號，物鏡9由沒有圖示的驅動機構驅動，進行跟蹤伺服和聚焦伺服。
在本實施例中，從半導體雷射元件4的前端面一側射出的光束，在僅由反射鏡6轉向其上方的同時，該反射光束由透過型三分光衍射光柵7分光成三束主光。而且，光學記錄媒體1所反射的三束主光由透過型全息元件8、1次衍射後，將這些主光束導入反射鏡6一側的光檢出元件5中，以使那三束主光不在衍射光柵7被分光。
這樣，因能在同一基座(設置構件)2的同一平面上配置半導體雷射元件4和光檢出元件5，所以這些元件的設置和對這些元件的引線接合變得容易。此外，因對於三分光衍射光柵7的衍射光柵面7a，入射光束幾乎垂直地射入，所以能等間距形成衍射光柵面7a的凹凸，且因能增大三分光衍射光柵7和半導體雷射元件4間的距離，所以能展寬間距地形成衍射光柵面7a的凹凸。而且三分光衍射光柵7和半導體雷射元件4間的距離增大時，±1次衍射光(副光束X，Y)的衍射角變小。其結果，偏離物鏡9的光減少，光的利用效率提高。進而，因三束主光由光檢出元件5檢出，不會再次射入衍射光柵7的衍射光柵面7a，所以沒有光的損失。
以上的結果是，三分光衍射光柵7的製造和設置變得容易，也能方便地進行跟蹤伺服。
在本實施例中，全息元件8所1次衍射的主光束和副光束X，Y射入光檢出元件5，但也可以將一1次衍射的主光束和副光束X，Y射入光檢出元件5。
第二實施例圖6是表示進行三光束法跟蹤伺服和像散法聚焦伺服的第二實施例相關的光拾取裝置大概結構的側視圖。在第二實施例中，對與第一實施例相同部分及對應部分標註相同符號，省略其說明。此外，在圖6中詳細部分的符號沒有示出，電極和其它的詳細部分沒有圖示。
第二實施例和第一實施例的不同點是基座2與傾斜部2b相關地在與上平面部2a相反的一側也有一個上平面部2c，在該上平面部2c上也設置了光檢出元件35。
在圖6中，基座2由n+型Si等導電性半導體或銅等導電性金屬材料做成，具有良好的熱傳導性。基座2在上平面部2a和另一上平面部2c之間具有對上平面部2a成為45°角度的傾斜部2b。
在基座2的上平面部2c上，配置了具有與第一實施例的光檢出元件5相同結構的信號檢出用光檢出元件(光檢出部)35。這種光檢出元件35，在未圖示的電極一側模片鍵合在上平面部2c上，與基座2電氣連接。由光學記錄媒體1反射回來的前述0次和±1次回授光束(主光束和副光束X，Y)由全息元件8、-1次衍射，以便不通過衍射光柵7的衍射光柵面7a，向位於反射鏡6的後邊的光檢出元件35的光檢出部聚光。
在這種光拾取裝置中，和第一實施例相同，能良好地進行三光束法跟蹤伺服。此外，因半導體雷射元件4和信號檢出用光檢出元件5、35在同一基座2的同一平面上設置，對這些元件4、5、35的引線接合變得容易，這些元件4、5、35的安裝也變得容易。
在第二實施例的光拾取裝置中，根據用光檢出元件5檢出全息元件8所+1次衍射的回授光束而得的信號和根據用光檢出元件35檢出全息元件8所-1次衍射的回授光束而得的信號，由未圖示的加法運算電路做加法運算，根據這種加法運算得到的信號進行記錄信號再生，即進行三光束法跟蹤伺服和像散法聚焦伺服。因此，在第二實施例中，與第一實施例相比，基於回授光束的檢出信號強度增大，可靠性提高。
在第二實施例那樣，在採用兩個光檢出元件的場合，由全息元件8、+1次衍射的回授光束在一個光檢出元件聚光，-1次衍射的回授光束在另一個光檢出元件聚光，且在基座2上適當配置此二光檢出元件，以便對應的回授光束以外的光束實際不會射入兩個光檢出元件。
在前述第一和第二實施例中，全息元件8在其上表面有全息面8a，衍射光柵7在其上表面有衍射光柵面，但也可以在全息元件8的下表面設置全息面8a，也可以在衍射光柵7的下表面設置衍射光柵面7a。
第三實施例圖7和圖8是表示進行三光束法跟蹤伺服和像散法聚焦伺服的第三實施例相關的光拾取裝置大概結構的斜視圖和側視圖。在第三實施例中，對與第一實施例相同部分及對應部分標註相同符號，省略其說明。此外，在圖7和圖8中，電極等詳細部分未圖示。
第三實施例和第一實施例的不同點是採用全部區域有平坦上表面的基座2，在該基座2的上表面形成有傾斜面(傾斜部)2d的凹部2e，在該傾斜面2d設置反射鏡6，以及全息元件8的全息面8a的方向和衍射光柵7的衍射光柵面7a的方向不同。
在圖7和圖8中，基座2由與第一實施例相同的Si等半導體材料或銅等導電性金屬材料做成。在基座2的上平面部2a，形成具有與上平面部2a成45°角度的傾斜面2d的凹部2e。在該凹部2e的傾斜面2d上，固定反射鏡6。在反射鏡6的上方，配置透過型三分光用衍射光柵7。
第三實施例，除反射鏡6的設置方法不同點外，因具有與第一實施例實質上相同的結構，所以有與第一實施例相同的效果。
在第一—第三實施例中，採用具有導電性和良好的熱傳導性的基座，但也可以用非導電性和熱傳導性不好的樹脂等做成的基座。這種場合，可以不隔著絕緣層在基座2上形成電極。此外，基座2和散熱片3電氣上不連接，不採用在基座2的內表面設置公共電極的結構，需要在基座2上設置代替上述結構的散熱片3用的電極等的設計變化。以下的實施例表示基座2由非導電性材料做成的例子。
第四實施例圖9和圖10是表示進行三光束法跟蹤伺服和像散法聚焦伺服的第四實施例有關的光拾取裝置大概結構的斜視圖和側視圖。在第四實施例中，對與第三實施例相同部分及對應部分標註相同符號，省略其說明。此外，在圖9和圖10中，電極等詳細部分末圖示。
第四實施例和第三實施例的最大不同點是在一直線上配置半導體雷射元件4、反射鏡6和光檢出元件5。
在圖9和圖10中，基座2由樹脂等非導電性材料做成。在基座2的上平面部2a，形成具有與上平面部2a成45°角度的傾斜面2d的凹部2e。在該凹部2e的傾斜面2d上，固定反射鏡6。這種反射鏡6，與前述那樣的半導體雷射元件4相對配置，在上方反射從半導體雷射元件4的前端面射出的雷射束。
光檢出元件5，隔著反射鏡6配置在與半導體雷射元件4相反側的基座2的上平面部2a上。也就是說，以半導體雷射元件4、反射鏡6和光檢出元件5的順序，這三部分在一直線上配置在上平面2a上。
這樣，光檢出元件5，位於反射鏡6的後面(反射鏡6的背面)，反射鏡6有作為光檢出元件5的光遮蔽構件的功能。其結果是，能防止由反射鏡6反射從半導體雷射元件4的前端面射出的雷射束而產生的雜光和從該前端面射出且展寬的雷射射入光檢出元件5。
圖11是該光拾取裝置的基座2的頂視圖。詳細示出圖9和圖10未圖示的電極、接合線和光檢出元件5。在圖11中，對與第一實施例及第三實施例相同部分及對應部分也標註相同符號，省略其說明。在本實施例中，因用非導電性基體作為基座2，所以設置散熱片3用的接出電極25和光檢出元件5用的接出電極26。
第四實施例除光檢出元件5的設置方法不同點外，具有與第三實施例實質上相同的結構，所以有與第三實施例相同的效果。進而，如前述那樣，因反射鏡6有作為光檢出元件5的光遮蔽構件的功能，光檢出元件5的靈敏度提高。此外，在第四實施例的結構中，因半導體雷射元件4、光檢出元件5和反射鏡6在一直線上，所以能減小基座2的寬度。其結果，利用以下說明的第五實施例的結構，能薄型化光拾取裝置。
通常，半導體雷射元件4和物鏡9間必須有一定的距離。例如，在小型雷射盤裝置中，前述距離必須有20mm。為了使光拾取裝置更加薄型化，例如採用全息元件8和物鏡9不配置在一直線上，而按全息元件8的全息面8a與物鏡9垂直的要求，在全息元件8和物鏡9間設置反射鏡等光反射手段的結構，是令人滿意的。以下，對有那樣結構的第五實施例進行說明。
第五實施例圖12是表示進行三光束法跟蹤伺服和像散法聚焦伺服的第五實施例相關的光拾取裝置大概結構的斜視圖。
第五實施例和第四實施例的不同點是在全息元件8和物鏡9間設置作為反射手段的反射鏡27。在第五實施例中，對與第四實施例相同部分及對應部分標註相同符號的同時，簡化圖示。
在第五實施例中，在一直線上配置半導體雷射元件4、反射鏡6和光檢出元件5的同時，在全息元件8和物鏡9間設置反射鏡27。由此，衍射光柵7的衍射光柵面7a和全息元件8的全息面8a與物鏡9和光學記錄媒體1的記錄面垂直。其結果，能在箭頭W所示的方向薄型化光拾取裝置。
在前述第一—第五實施例中，使用三分光衍射光柵7和透過型全息元件8，但也可以採用在互相對置的一面有三分光衍射光柵面而在另一面有全息面的透光構件。以下，將第一和第三實施例中應用這種透光構件的例子作為第六和第七實施例進行說明。
第六實施例圖13和圖14是表示進行三光束法跟蹤伺服和像散法聚焦伺服的第六實施例相關的光拾取裝置大概結構的斜視圖和側視圖。
第六實施例和第一實施例的不同點是用玻璃及樹脂等做成的透光構件30，代替三分光衍射光柵7和透過型全息元件8。在透光構件30的相向的一個面上形成透過型三分光衍射光柵面7a，另一個面上形成透過型全息面8a。透過型三分光衍射光柵面7a和透過型全息面8a的功能，因與第一實施例相同，所以省略說明。
第七實施例圖15和圖16是表示進行三光束法跟蹤伺服和像散法聚焦伺服的第七實施例相關的光拾取裝置大概結構的斜視圖和側視圖。
第七實施例和第三實施例的不同點是用玻璃及樹脂等做成的透光構件31，代替三分光衍射光柵7和透過型全息元件8。在透光構件31的相向的一個面上形成透過型三分光衍射光柵7a，另一個面上形成透過型全息面8a。透過型三分光衍射光柵面7a和透過型全息面8a的功能，因與第三實施例相同，所以省略說明。
在第一—第七實施例中，因半導體雷射元件4和光檢出元件5在同一平面上設置，所以元件設置容易。
又，在第一—第七實施例中，半導體雷射元件4和光檢出元件5在基座2的同一平面上設置，但基座2有相互平行地形成的上平面部組成的梯級部，半導體雷射元件4和光檢出元件5分別形成於不同的上水平面也可以。這種場合，能用該梯級部作為元件設置用的基準部，元件位置的決定變得更容易。
在前述實施例中，由像散法進行聚焦伺服，但也可以用其它方法進行聚焦伺服。例如，用具有圖17所示的柵條形狀的透過型全息面代替全息面8a，並且用圖18所示的光檢出元件代替光檢出元件5、35，藉助光點尺寸法進行聚焦伺服。
這種場合，主光束和副光束X，Y，在用全息元件分別二分光的同時，進行1次衍射(及—1次衍射)，將二主光束分別射入光檢出部A、C和光檢出部B、D，二副光束X、Y射入光檢出部E、F，形成各自的主光點m和副光點x、y。這種場合，FE信號、TE信號和再生信號如下式所示。
FE信號＝(A1－C1)－(B1－D1)TE信號＝E1－F1再生信號＝A1＋B1＋C1＋D1又，在上式中，A1—F1表示在圖18所示光檢出部A—F的檢出強度。
此外，用具有圖19所示柵條形狀的全息元件代替全息面8a，用圖20所示的光檢出元件代替光檢出元件5、35，也可以根據傅科法進行聚焦伺服。
這種場合，主光束和副光束X、Y，各自二分光後射入光檢出部A—H，形成各自的主光點m和副光點x、y。由此，FE信號、TE信號和再生信號為下式所示。
FE信號＝(A1＋D1)－(B1＋C1)TE信號＝(E1＋G1)－(F1＋H1)再生信號＝A1＋B1＋C1＋D1在上式中，A1—H1表示在圖20所示光檢出部A—H的檢出強度。
在第一—第七實施例中，光檢出元件5、35和具有光電二極體3a的散熱片3等在基座2上各自分立設置，但也可以同光電二極體3a一樣，用擴散法等半導體工藝，在基座2上直接形成光檢出元件5、35的光檢出部和光電二極體3a，或者它們中的至少一個。這種情況，也含有在基座2上設置光檢出元件5、35和光電二極體3a的情況。
在例如第一和第二實施例中應用上述結構的場合，用半導體工藝在板狀基座2上形成光檢出部後，利用粘接材料等安裝另成一件的傾斜部2b。這種場合，反射鏡也可以用直接形成的傾斜部。
進而，在前述透過型衍射光柵面和透過型全息面，因也能進行二次以上的衍射，所以最好設定光學系統，以便這些二次以上的衍射光束不進入光檢出部。然而，這些二次以上的衍射光束強度非常小，所以即使進入光檢出部也不會成為重大的問題。此外，光檢出部能如前述那樣選擇適合配置的位置，但在變換這些配置的場合，必須變換透過型全息元件的柵條形狀。此外，由透明(透光性)樹脂模製這樣的光拾取裝置，能獲得防止結露和降低成本。
第八實施例圖21及圖22是進行用光束法的跟蹤伺服機構及用像散法的調焦伺服的第8實施例的光拾取裝置用半導體雷射裝置的部分分解斜視圖及剖面圖。圖23是該半導體雷射裝置的頂視圖，圖24是該半導體雷射裝置的配設構件的頂視圖。又，在圖21—23，未圖示出接合線。
承載半導體雷射元件用的引線框架52及引出端子用的多條導線53由黑色樹脂構成的共同的絕緣性模製體54形成一體構成配設構件51。引線框架52用磷青銅、鐵或銅等導電性金屬形成十字形狀(參看圖24)，也具有散熱片的功能。導線53用銅等導電性金屬形成。在這裡，框架52兩側具有向外突出部是為了放熱及提高配設構件51的剛性。
絕緣性模製體54支承著框架52及引線53，同時在內部設置凹部55，使框架52及引線53的表面露出。也就是說，模塊54在其周圍形成框體以構成容納下述元件的容器。這裡框架52及引線53沿著1的方向配置，因此該容器可以做得小。
用矽等構成的導電性輔助支架(散熱片)56在凹部55內模片鍵合於露出的框架52上，與該框架電氣連接。在該導電性輔助支架56上形成其上表面的一部分上具有受光面的監控用的PIN型光電二極體57。
半導體雷射元件58在光電二極體57的受光面前方隔著未圖示的絕緣膜模片鍵合於導電性輔助支架56上。該半導體雷射元件58分別從前端面及後端面射出雷射，從後端面射出的雷射由光電二極體57接收作為監控光。
在半導體雷射元件58的前方配置反射型三分光衍射光柵(反射構件)59。在凹部55內、框架52上設有開口部52a，在開口部52a下面的絕緣性模製體54上形成有傾斜部54b的凹部54a。衍射光柵59固定於凹部54a的傾斜部54b。衍射光柵59的衍射光柵面59a將半導體雷射元件58的前端面射出的雷射分成0次、+1次及-1次的衍射光，同時將這些光向直角方向反射。
信號檢測用受光元件60在上表面具有受光面，在三分光衍射光柵59的後方(與半導體雷射元件58相反的一側)模片鍵合於凹部內的框架52上，與該框架52電氣連接。該受光元件60配置得使其受光面位於半導體雷射元件58的雷射發射點與三分光衍射光柵59的連線上。
由黑色樹脂構成的支承構件61包括第1構件63、第2構件64及第3構件65，組合於絕緣性模製體54的凹部55上。該支承構件61支承透過型全息元件62、且使其能在三維空間移動。全息元件62的全息面62a、根據入射光束產生具有相對於入射光束的光軸傾斜的光軸的±1次衍射光束，同時在垂直於光束行進方向、的互相垂直的兩個方向上焦距不同地將±1次衍射光束聚光(像散作用)。亦即，該全息元件62同時具有光束分離器、聚光透鏡及柱狀透鏡的功能。
在第1構件63的中央部設置可以嵌插第2構件64的圓柱狀空腔部63a。在第1構件63的兩側的上端部，形成用於調節插入空腔部63a的第2及第3構件64、65的位置的夾具能插入的調節用窗口63b。在第1構件63的空腔部63a內的下端設置用於防止第2構件64落下的凸起部63c(參照圖22)。在配設構件51的凹部55的周邊部設置梯級狀嵌合部55a。第1構件63嵌合於嵌合部55a，用紫外線硬化樹脂等粘接材料70a固定於配設構件51上，成為罩蓋。
第2構件64由內部有空腔的圓柱構件(圓筒構件)構成，其上端具有相向的梯形缺口構成的嵌合部64a。該第2構件64嵌插於第1構件63的空腔部63a內，可在圓周方向及垂直方向滑動。
第3構件65由內部具有空腔的圓柱構件(圓筒構件)構成，下端具有與第2構件64的嵌合部64a相對應的凸狀的嵌合部65a。凸狀的嵌合部65a嵌插於凹狀的嵌合部64a內，且能在水平方向上滑動。在第3構件65的側部形成夾持孔65b，夾具有端部可插入夾持孔。在第3構件65的上端部固定著透過型全息元件62。該第3構件65隨著第2構件64被嵌插於第1構件63的圓柱狀空腔部63a內而被浮動嵌合於圓柱狀空腔部63a內，全息元件62得到第1構件63的保護。
第2及第3構件64、65在只是互相組合的狀態下，可以相對移動，因此，如圖22所示，此二構件在已配置於所希望位置的狀態下用紫外線硬化樹脂等粘接材料70b固定。在配設構件51的凹部55上固定著備有透過型全息元件62的支承構件61，以此密封凹部55的內部，防止不希望的光從外部進入凹部55內。
而且，在本實施例中，絕緣性模製體54在長度方向上有相對著的兩個圓弧部54c，一個圓弧部54c上有用來插調節工具的凹部54d，這樣，當該半導體雷射元件裝入拾取裝置外殼的圓狀開口部時可以轉動自如地調整。
如圖24所示，光電二極體57，半導體雷射元件58及信號檢測用受光元件60用金或其他材料製成的線(圖中的粗線)電氣連接於對應的框架52或其他引線53上。受光元件60由檢測再生信號及聚焦誤差信號用的4層光電二極體60a和其兩側上設置的跟蹤誤差信號檢測用的光電二極體60構成。在圖24中各光電二極體60a、60b的電極沒有標出來，光電二極體57及半導體雷射元件58的電極等也沒有標出來。
這種半導體雷射裝置的透過型全息元件62的位置調整在被裝入光拾取裝置或該裝置用的調節器的狀態下進行。下面參照圖25對半導體雷射裝置被安裝於光拾取裝置的狀態下的全息元件62的位置調整加以說明。最初，在上述的半導體雷射裝置中，配設構件51與第1構件63用粘接材料70a固定，只有第2及第3構件64、65處於可移動狀態。在圖25隻示出關鍵部分。
在圖25中，由反射鏡構成的反射構件68將上述半導體雷射裝置67射出的0次及±1次的衍射光朝垂直方向反射。由聚光透鏡等構成的聚光部69使反射構件68反射的0次及±1次衍射光匯聚於光碟等反射型光記錄媒體66上，分別形成主光點和在主光點兩側的付光點。調整配置光拾取裝置的光學系統，使主光點掃描要再生的記錄軌跡，而付光點則在主光點的兩側剛剛靠著記錄軌跡掃描。
首先使半導體雷射裝置67動作。在該動作狀態下，作為監控光從半導體雷射元件58的後端面射出的雷射被光電二極體57接收。與該受光量相對應的信號被送至未圖示的APC驅動電路(自動光輸出調整電路)，用該APC驅動電路控制前端面射出的雷射，使其輸出功率為所要求的值。
半導體雷射元件58的前端面射出的雷射由三分光衍射光柵59分成0次及±1次衍射光，同時被反射到透過型全息元件62端。三分光衍射光柵59反射的0次及±1衍射光在透過(0次衍射)透過型全息元件62後，用反射構件68大致垂直反射，再由聚光部69匯聚於光記錄媒體66。以此形成上述主光點及付光點。
光記錄媒體66反射的0次及±1次衍射光(回授光)包含該光記錄媒體66的信息。這些回授光按聚光部69和反射構件68的順序運行後，由透過型全息元件62射入受光元件60。
接著，一邊觀察信號檢測用的受光元件60，一邊調整透過型全息元件62在三維方向的位置。亦即，為了使含有上述信息的0次及±1次衍射光(回授光)在受到全息元件62的1次(或-1次衍射)衍射的同時，也透射並被信號檢測用受光元件60很好地接收(亦即，使上述主光點對應的0次衍射光被光電二極體60a很好接收，上述付光點對應的+1次及-1次衍射光分別被光電二極體60b很好接收)，使第2構件64在上下方向(垂直方向)移動或轉動，而使第3構件65沿水平方向移動。而後，以這樣的調整完成的狀態，如圖22所示，用樹脂等粘接材料70b將第2及第3構件64、65相對於第1構件63進行固定。
組裝有這樣的結構的半導體雷射裝置的光拾取裝置，可得到來自光電二極體60a的檢測信號的再生信號和聚焦誤差信號，同時可以從光電二極體60b的檢測信號得到跟蹤誤差信息。根據該聚焦誤差信號及跟蹤信號、用未圖示的驅動機構驅動聚光部69，進行聚焦及跟蹤。
本實施例的半導體雷射裝置，在第2及第3構件64、65固定之前、第2構件64可在垂直方向上滑動，而且第3構件65可以在水平方向上滑動及轉動，因而可以很容易使全息元件62三維移動。
結果，能方便地進行全息元件62的位置調整，使從半導體雷射元件58射出後經過三分光衍射光柵59、全息元件62、反射構件68及聚光部69的光，被光記錄媒體66反射，再次經過聚光部69及反射構件68，由全息元件62進行1次(或-1次)衍射後，所得回授光射入4層受光元件60a的中心。而且，第2及第3構件64、65分別相對於第1構件63及第2構件64滑移，因而可以很容易高精度地給全息元件62對位置。
特別是第2構件64及第3構件65以嵌合部64a、65a互相嚙合著，因此僅挾持第3構件65，就能使第2構件64與第3構件65一起移動。結果是，在使第2及第3構件64、65移動時，不必分別重新挾持它們，可以縮短全息元件62調整位置所需的時間。再者，這一結構的滑動部分不存在空隙，因而用樹脂等粘接材料70a、70b固定第1構件63與第2構件64、第2構件64與第3構件65時，不必擔心粘接材料70a、70b流入凹部55粘在元件上。
而且，半導體雷射元件58、3分光衍射光柵59及信號檢測用受光元件60裝於絕緣性模製體54的凹部55內，在該凹部內半導體雷射元件58及信號檢測用受光元件60與端子導出用引線53用接合線分別電氣連接。藉此對半導體雷射元件58、3分光衍射光柵59、信號檢測用受光元件60及接合線加以保護。
而且，半導體雷射元件58及受光元件60設於框架52上，因而半導體雷射元件58及受光元件60的放熱通過框架52有效地散發。從而半導體雷射元件58可以延長壽命並提高輸出功率，同時可以抑制受光元件60的靈敏度下降。
而且，由於框架52及各引線53的上表面處於同一平面上，半導體雷射元件58、受光元件60及光電二極體57接線方便。
又，半導體雷射元件58、3分光衍射光柵59及受光元件60依此順序配置於一條直線上，因而，3分光衍射光柵59起著遮光裝置的作用。以此可以防止半導體雷射元件58的前端面射出的雷射射入受光元件60。
再者，全息元件62裝於第1構件63的空腔部63a內，因而全息元件62在裝入光拾取裝置等當中時得到保護。
又，框架52及各引線53在同一方向上延伸，因而配設構件51的寬度可以做得小。從而，如上所述，做成通過反射構件68的介入，使半導體雷射裝置67的雷射出射方向大致平行於光記錄媒體66的記錄面，就可以使光拾取裝置在箭頭W的方向上做得薄。當然也可以不做得薄，而不設置反射構件68，採取使半導體雷射裝置67與光記錄媒體66的記錄而大致平行的結構。
第九實施例第九實施例與第八實施例的不同點僅在於支承構件的結構，因而用表示支承構件的一部分的分解斜視圖的圖26加以說明。在第九實施例中、與第八實施例相同或相對應的部分標以相同的符號，其說明略去。
支承構件71包括由樹脂構成的第1構件63、由樹脂構成的第2構件74、由樹脂或銅、鐵、鋁等金屬構成的第3構件75，組合於絕緣性模製體54的凹部55。該支承構件71支承著全息元件62、且使其能三維移動。
與第八實施例相同，在第1構件63的中央部設置嵌插第2構件74的圓柱狀空腔部63a。在第1構件63兩側的上端部，形成用來調節插入空腔部63a的第2及第3構件74、75的位置的窗部63b。在第1構件63的空腔部63a的下端，設置用來防止第2構件74落下的凸起部63c(參照圖22)。該第1構件63被固定於絕緣性模製體54的凹部55上(參照圖21及圖22)。
圖27是第2構件74及第3構件75的剖面圖。第2構件74由內部有空腔的圓柱構件(圓筒構件)構成。在第2構件74的兩側部的上端、形成由相向的凹狀導向溝構成的嵌合部74a。第2構件74被插入第1構件63的空腔部63a、且可在圓周方向和垂直方向上滑動。
第3構件75由剖面C字形的構件(中空體)構成。在第3構件75上固定著透過型全息元件62。在第3構件75的上表面設置使全息元件62的全息面露出的窗部75b。在第3構件75的下端部設置嵌合於第2構件74的嵌合部74a的爪狀的嵌合部75a。第3構件75的嵌合部75a嵌於第2構件74的嵌合部74a且能滑動。第3構件75的側部形成夾具的端部能插入的挾持孔75c。第3構件75也隨著第2構件74插入第1構件63的圓柱狀空腔部63a，浮動嵌合於該空腔部內，全息元件62得到第1構件63的保護。
第2及第3構件74、75隻是處於組合狀態、可以相對移動，因此，構件74、75被配置於所要求的位置後用樹脂等粘接材料固定起來。在配設構件51的凹部55的嵌合部55a、固定著具備透過型全息元件62的支承構件71，以此使凹部55內部得以密封，防止不希望要的光從外部進入凹部55內。
在本實施例中、第2及第3構件74、75與第8實施例一樣是可移動的，因而能得到與第8實施例一樣的效果。而且，第3構件75是將板狀材料彎折而成的，因而，在第九實施例、第3構件75的形成要比在第八實施例容易，便於批量生產。
第十實施例第十實施例只是在支承構件的構成上不同於第八實施例，因而用表示支承部的分解斜視圖的圖28加以說明。在第十實施例，與第八實施例相同的部分或對應的部分標以相同符號並略去其說明。
支承構件81由樹脂構成，包括第1構件63、第2構件84及第3構件85。支承構件81組裝於絕緣性模製體54的凹部55上，支承著透過型全息元件62、且使其能三維移動。
在第1構件63的中央部設置嵌插第2構件84的圓柱狀空腔部63a。在第1構件63的上端部形成用來調節被插於空腔部63a的第2及第3構件84、85的位置的兩個相向的窗部63b。在第1構件63的空腔部63a內的下端部設置用於防止第2構件84落下的凸起部63c(參照圖22)。第1構件63被固定於絕緣性模製體54的凹部55上(參照圖21及圖22)。本實施例的第1構件63除了窗部63b的位置不同外，都與第8實施例的第1構件63相同。
第2構件84由內部有空腔的圓柱構件(圓筒構件)構成。第2構件84的上部設有插入第3構件85的插入溝(嵌合部)84a。第2構件插於第1構件63的空腔部63a、且能在圓周方向及垂直方向滑動。
第3構件85由內部有空腔的矩形構件構成。在第3構件85的上表面固定著透過型全息元件62。第3構件85嵌合於第2構件84的插入溝84a、且能在水平方向滑動。第3構件85的端面上形成能插入夾具端部的挾持孔85a。第3構件85也隨著第2構件84插入第1構件63的圓柱狀空腔部63a，浮動嵌合於該空腔部內，全息元件62受到第1構件63的保護。
第2及第3構件84、85僅是處於組合狀態、能夠相對移動，因而在配置成所需位置的狀態下用樹脂等粘合材料固定。在配設構件51的凹部55的嵌合部55a固定具備透過型全息元件62的支承構件81，以此將該凹部內部加以密封、防止來自外部的不希望有的光線射入凹部55內。用本實施例也能得到與實施例8相同的效果。
在本實施例，全息元件62被固定於第3構件85上，但也可以不使用第3構件85、而做成把全息元件本身嵌於第2構件84的插入溝84a中的結構。
第十一實施例第十一實施例僅在支承構件的結構上與第8實施例不同，因而用表示支承構件的部分分解斜視圖的圖29加以說明。在第十一實施例，與第八實施例相同或相對應的部分標以同樣的符號，略去其說明。
支承構件91由樹脂構成，它包括第1構件93、第2構件94、第3構件95及第4構件96。支承構件91組合於絕緣性模製體54的凹部55上，支承著透過型全息元件、且使其能三維移動。
在第1構件93的中央部設置嵌插第2構件94的方形空腔部93a。在第1構件93的上端部形成用來調節插於空腔部93a的第2、第3及第4構件94、95、96的位置的兩個相向的窗部93b。在第1構件93b的空腔部93a內的下端部，設置用來防止第2構件94落下的凸起部(未圖示)。第1構件93固定於絕緣性模製體54的凹部55上。
第2構件94由內部有空腔的方形構件構成。在第2構件94的上部形成兩個相向的梯形凹狀缺口構成的嵌合部94a。第2構件94被嵌插於第1構件93的空腔部93a且可在垂直方向上滑動。
第3構件95由內部有空腔的方形構件構成。在第3構件95的上部，形成與嵌合部94a處於垂直關係的、相向的凹狀缺口構成的嵌合部95a。在第3構件95的下部、形成與第2構件94的嵌合部94a對應、且與嵌合部95a垂直的凸狀的嵌合部95b。第3構件95的凸狀的嵌合部95b與第2構件94的凹狀的嵌合部94a嵌合、且能在水平方向上滑動。
第4構件96由內部具有空腔的方形構件構成。在第4構件96的上表面固定著全息元件62。在第4構件96的下部形成與第3構件95的嵌合部95a對應的凸狀的嵌合部96a。第4構件96的凸狀嵌合部96a與第3構件95的凹狀嵌合部95a嵌合，且能在水平方向上滑動。在第4構件96的側部形成插入夾具端部的挾持孔96b。
第3及第4構件95、96隨著第2構件94插入第1構件93的空洞部93a，浮動嵌合於該空腔部內，全息元件62受到第1構件93的保護。
第2第3及第4構件94、95、96隻是處於組合在一起的狀態、能夠相對移動，因而用樹脂等粘接劑將其固定於調配後的所需位置上。在配設構件51的凹部55的嵌合部55a固定著配備透過型全息元件62的支承構件91，以此將凹部55內部加以密封，防止不希望有的光線從外部射入凹部55內。
在本實施例，三維方向調節在互相垂直的直線方向上進行，這一點不同於上述第八至第十實施例，但可得到與第八實施例相同的效果。在本實施例，將空腔部93a做成方形，而將第2構件4做成方形構件，但其他形狀亦可。
而且，本實施例中，全息元件62被固定於第4構件96上，但不用第4構件96而將全息元件62本身嵌於第3構件95的嵌合部95a的結構也可使用。
第十二實施例圖30及圖31是第十二實施例的光拾取裝置用半導體雷射裝置的分解斜視圖及剖面圖。在圖30及圖31接合線未圖示出來。在第十二實施例、與第八實施例相同的部分或對應的部分標以相同的符號，只對不同點加以說明。
絕緣性模製體54不同於第八實施例，在其上部具有帶狀的導向溝54e。該導向溝54e具有與三分光衍射光柵59和受光元件60的連線平行的梯形凹狀嵌合部。
支承構件101由黑色樹脂構成，含有第1構件63及第2構件104。支承構件101組合於絕緣性模製片54的凹部55上，支承著透過型全息元件62、並使之可三維移動。
在第1構件63的中央，設置嵌插第2構件104的圓柱狀空腔部63a。在第1構件63的上端部，形成用於調節插入空腔部63a的第2構件104的位置的兩個相向的窗部63b。
在第1構件63的空腔部63a內的下端部，設有防止第2構件104落下的凸起部63c。再在第1構件63的底部設置帶狀的凸狀嵌合部63d，該嵌合部63d嵌入絕緣性模製體54的導向溝54e的凹狀嵌合部中，且可在水平方向上滑動。
第2構件104由上部固定著透過型全息元件62的圓筒構件構成，嵌插於第1構件63的空腔部63a、且可在圓周方向及垂直方向上滑動。在第2構件104的側部形成插入夾具端部的挾持孔104a。
第1構件63及第2構件104僅處於組合狀態，可能移動，因而如圖31所示，用樹脂等粘接材料70a、70b將其固定於配置在所希望的位置的狀態下。在配設構件51的凹部55上固定具有透過型全息元件62的支承構件101，以此將該凹部55內部加以密封，防止來自外部的不希望要的光射入凹部55內。
在本實施例的半導體雷射裝置中，在第1及第2構件63、104固定之前，第2構件104能在垂直方向滑動，且能轉動，並且第1構件63能在水平方向上滑動，因此可以很容易使全息元件62三維移動。結果是，可以很容易調整全息元件62的位置。而且還具有第1構件和第2構件63、104可滑移，因而能高精度地對好全息元件62的位置等與第八實施例相同的效果。又，第十二實施例、與第八實施例相比零件數少，因而成本低，且可得到與第八實施例相同的效果。
第十三實施例圖32及圖33是第十三實施例的光拾取裝置用半導體雷射裝置的分解斜視圖及剖面圖。在圖32及圖33沒有表示出接合線。在第十三實施例中，與第十二實施例相同或對應的部分標以相同符號、對不同點將加以說明。
第十三實施例與第十二實施例大不相同的是，使用反射鏡79代替反射型三分光衍射光柵59，在該反射鏡79的上方設置透過型3分光衍射光柵119這一點，以及絕緣性模製體54的嵌合部的形狀不同這一點。
反射鏡79固定於絕緣性模製體54的凹部54a的傾斜面54b上。絕緣性模製體54具有嵌合部55a，該嵌合部55a是藉助於將凹部55的邊緣部設計成梯級狀而形成的。
支承構件111由黑色樹脂構成，包含第1構件63及第2構件104。支承構件111組裝於絕緣性模製體54的凹部55上，支承透過型全息元件62、並使其可三維移動。
在第1構件63的中央設置嵌插第2構件104的圓柱狀空腔部63a。在第1構件63的上端部形成用來調節插於空腔部63a的第2構件104的位置的兩個相向的窗部63b。在第1構件63的下部、設置透過型3分光衍射光柵119，使3分光衍射光柵面59a對著圓柱狀空腔部63a。又在第1構件63的底部設置嵌合部63e，該嵌合部63e在長度方向上比絕緣性模製體54的嵌合部55a短，例如長度為0.6mm左右。該嵌合部63e嵌合於絕緣性模製體54的嵌合部55a上，並且能在水平方向上滑動。在第1構件63的兩側部設置V字形凹部63f。這些凹部63f是使第一構件63在水平方向上相對於配設構件51滑動時被挾持的部分。用於調節的窗部63b，其形狀與第十二實施例的窗部63b不同，具有V字形缺口，以便能決定第2構件104的初始位置。
第2構件104由上部固定著透過型全息元件62的圓筒構件構成，嵌於第1構件63的空腔部63a，且可在圓周方向及垂直方向滑動。而且在第2構件104的兩側部，設置具有與第1構件63的窗部63b的V字形狀相對應的形狀的挾持用的凸部114b。凸部114b的寬度做得比窗部63b的寬度還小，使第2構件104可在第1構件63的空腔部63a內沿圓周方向滑動。各凸部114b上形成可插入夾具的端部的挾持孔114a。
第1構件63和第2構件104隻是處於組合狀態，可以相對移動，因而如圖33所示，用樹脂等粘接材料70b將其固定於已調配的所需位置上。在配設構件51的凹部55上固定著配備透過型全息元件62的支承構件111，以此將凹部55內部密封，防止不希望要的光線從外部射入該凹部55內。
在本實施例的半導體雷射裝置中，在第1和第2構件63、104固定之前，第2構件104可在垂直方向滑動、且能轉動，而且第1構件63也能在水平方向上滑動，因而可以很容易使全息元件三維移動。結果是，全息元件62的位置就容易調整，而且該第1和第2構件63、104能滑移，可高精度地調整全息元件62的位置。
在使用本實施例的半導體雷射裝置的光拾取裝置中，從半導體雷射元件58的前端面射出的雷射光束經反射鏡79垂直向上反射後、射入透過型三分光衍射光柵119。射入該衍射光柵119的光束與上面所述一樣被分為0次及±1次衍射光束，這三束光透射過透過型全息元件62，與第八實施例的說明一樣，經聚光部匯聚於光記錄媒體上。光記錄媒體反射的三束光通過聚光部後，射入透過型全息元件62，避開透過型三分光衍射光柵119的衍射光柵面，經+1次(或—1次)衍射後由光檢出元件60接收。
再者，也可以在透過型三分光衍射光柵119的上表面設置衍射光柵面59a。又可以在配設構件51的上部設置透過型3分光衍射光柵59。
在本實施例中，在第1構件63的下端分體設置透過型3分光衍射光柵119，但是如圖34所示，也可以用透明樹脂將透過型3分光衍射光柵與第1構件63做成一整體、形成於第1構件63下部、在第1構件63的底面形成衍射光柵面59a。
又，在本實施例中，在第2構件104的上端分體設置透過型全息元件62，但是，如圖35所示，也可以用透明樹脂將透過型全息元件與第2構件104做成一體、在第2構件104的上表面形成全息面。這種情況下可以減少零件數目並減少製造工序。
第十四實施例圖36及圖37是第十四實施例的光拾取裝置用半導體雷射裝置的分解斜視圖和剖面圖。圖36和圖37中沒有標出接合線。在第十四實施例，與第十三實施例相同的部分或相應的部分標以相同的符號，對不同的地方將加以說明。
第十四實施例與第十三實施例差異大的地方是，使用與全息元件62a相對的面上具有3分光衍射光柵面59a的透過型全息元件122取代了分光衍射光柵119。
作為支承構件的第1構件63由黑色樹脂構成，組裝於絕緣性模製體54的凹部55上。第1構件63支承著透過型全息元件122，且使其能三維移動。
在該第1構件63的中央部設置嵌插全息元件122的圓柱狀空腔部63a。在第1構件63的上端部形成用於調節嵌插於空腔部63a的全息元件122的位置的兩個相向的窗部63b。在第1構件63的空腔部63a內的下端部，設置用於防止全息元件122落下的凸起部63c。又在第1構件63的底部設置嵌合部63e，該嵌合部63e在長度方向上比絕緣性模製體54的嵌合部55a短，例如長度為0.6mm左右。該嵌合部63e嵌於絕緣性模製體54的嵌合部55a，且可在水平方向上滑動。
透過型全息元件122由圓柱狀透明構件構成，其上表面形成透過型全息面62a，其下表面形成3分光衍射光柵面59a。透過型全息元件122嵌插於第1構件63的圓柱狀空腔部63a，且可在圓周方向和垂直方向上滑動。在透過型全息元件122的側部形成可插入夾具端部的挾持孔122a。
第1構件63與全息元件122隻是組裝在一起時可以移動，因而如圖37所示，用樹脂等粘合材料70a、70b將其固定於所要求的位置上。在配設構件51的凹部55上固定著透過型全息元件122和第1構件63，以此密封凹部55，防止不希望有的外來光射入凹部55的內部。
在本實施例的半導體雷射裝置中，在第1構件63和全息元件122固定之前，全息元件122是可以在垂直方向上滑動、也能轉動的，而且第1構件63也是能在水平方向上滑動的，因而可以很容易使全息元件122三維移動。其結果是，易於調整全息元件122的全息面62a的位置。而且該第1構件63和全息元件122可以滑移，所以能夠高精度地調整全息元件122的全息面62a。
在像第十三和十四實施例那樣使用反射鏡作為反射構件的情況下，可以使用透過型三分光衍射光柵。在這種結構的情況下，與第八至第十二實施例相比，可以不把半導體雷射裝置的尺寸做得大，而加大分光衍射光柵與半導體雷射元件之間的距離。以此，可以將3分光衍射光柵面的凹凸間距做得大，其結果是，±1次衍射光的角度可以減小。而且，在透過型3分光衍射光柵中，來自半導體雷射元件方面的光束大致垂直地射入衍射光柵面，因而即使衍射光柵面的凹凸間距相等，匯聚於光記錄媒體上的各聚光點的光強分布也對稱。在具有這樣的相等間距的凹凸的情況下，不管光束射入3分光衍射光柵面的哪個部分，特性都沒有變化，因而易於進行位置調整。
也可以在透過型全息元件122的側部設置與第十三實施例相同的凸部114b，在該凸部114b形成挾持孔122a。
變形例本發明不限於上述例子，構成支承部件的各構件，其移動方法也可以對上述任一實施例進行組合。例如，嵌合圖29的第1構件93，使其能相對於配設構件54、在水平方向上滑動，從而可以不使用第4構件96而將全息元件62固定於第3構件95上，或者也可以採取不用第3構件95和第4構件96、而將全息元件62本身嵌合於第2構件94的嵌合部94a上的結構。
又，在上述實施例中，支承構件、特別是第1構件兼作配設構件的罩蓋，但是，也可以採取使用具備罩蓋的配設構件、在該罩蓋上設置支承構件(例如第1構件)的結構。也就是說在配設構件是「外殼」的情況下，也可以在該配設構件上配設支承構件(例如第1構件)。而且元件等的電氣連接上也可以作適當變更。例如在上述實施例中，受光元件60直接與框架52電氣連接，但也可以將半導體雷射元件58與框架52直接電氣連接，或者也可以將受光元件60與引線53電氣連接。
又，在上述實施例中，使用反射構件將半導體雷射元件58的前端面射出的雷射束朝透過型全息元件的方向(上方)反射，而在使用面發光型半導體雷射元件的情況下沒有必要設置反射構件。
再者，在上述實施例中，第1、第2及第4構件內部有在上下方向延伸的空腔，至少是該內部空腔部分由透明材料構成，但也可以是第2、第3及第4構件本身也用透明材料形成。也就是說，本發明中透光部包括空腔部分和用透光性材料製成的部分。
又，在上述實施例中，使用全息元件作為衍射元件，但也可以用其他衍射元件代替全息元件。
權利要求
1.一種向光記錄媒體照射光束、同時檢測從所述光記錄媒體回授的光束的光拾取裝置，其特徵在於，該裝置具有發射光束的光源，將從所述光源向第1方向射出的光束反射到與所述第1方向大致垂直的第2方向的反射手段，使由所述反射手段反射的光束透過，同時將其分成至少三束的透過型衍射光柵、使所述衍射光柵得到的三束光透過的透過型全息元件，使透過所述全息元件的三束光聚焦於所述光記錄媒體的聚光手段，以及檢測被所述光記錄媒體反射、透過所述聚光手段的回授光束的光檢出手段；所述全息元件引導透過所述聚光手段的所述回授光束，使其不射入所述透過型衍射光柵，而衍射進入所述光檢出手段。
2.根據權利要求1所述的光拾取裝置，其特徵在於，還具備支承所述光源、所述反射手段及所述光檢出手段的基座，所述光源、所述反射手段及所述光檢出手段配置於所述基座上，所述第1方向為與基座的主平面大致平行的方向，所述第2方向為與所述基座的所述主平面大致成垂直的方向。
3.根據權利要求1或2所述的光拾取裝置，其特徵在於，所述透過型衍射光柵及所述透過型全息元件由透明構件形成一整體，所述透明構件具有在使由所述反射手段反射的光速透過的同時，將該光束分成至少3束的透過型衍射光柵面、和使所述衍射光柵面得到的所述光束透過的透過型全息面。
4.根據權利要求3所述的光拾取裝置，其特徵在於，所述透過型衍射光柵面及所述全息面配置得與所述基座的主平面大致平行。
5.根據權利要求1或2所述的光拾取裝置，其特徵在於，相對於反射手段、所述光檢出手段配置於與所述光源相反的一側。
6.根據權利要求1或2所述的光拾取裝置，其特徵在於，所述光源、所述反射手段和所述光檢出手段，按光源、反射手段、光檢出手段的順序沿著所述第1方向大致成一直線配置。
7.根據權利要求1或2所述的光拾取裝置，其特徵在於，所述光檢出手段包含第1及第2光檢出手段，所述全息元件使透過所述聚光手段的所述回授光束衍射、將其導向所述第1及第2光檢出手段，而不讓其射入所述透過型衍射光柵。
8.根據權利要求7所述的光拾取裝置，其特徵在於，所述第1光檢出手段、相對於所述反射手段、配置於所述光源的同一側，所述第2光檢出手段、相對於所述反射手段，配置於與所述光源手段相反的一側。
9.根據權利要求1或2所述的光拾取裝置，其特徵在於，所述光記錄媒體，其記錄面與所述第1方向及所述第2方向大致平行配置；所述光拾取裝置又具備將透過所述全息元件的所述光束朝與所述第1方向及第2方向大約垂直的方向反射、經所述聚光手段、引向所述光記錄媒體的所述記錄面的其他反射手段。
10.一種半導體雷射裝置，其特徵在於，該裝置具備半導體雷射元件，受光元件，配設所述半導體雷射元件及所述受光元件的配設構件，使從所述半導體雷射元件射出的雷射光束通過，同時使基於所述雷射光束的回授光束衍射、引向所述受光元件的透過型全息元件，以及支承所述透過型全息元件、使其能相對於所述配設構件作三維移動的支承構件，在所述透過型全息元件位置相對於配設構件確定位置後的狀態下，所述支承構件或/及所述全息元件由粘接材料固定。
11.根據權利要求10所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述全息元件由所述支承構件支承於所述配設構件上方，還具備將所述半導體雷射元件射出的雷射光束向所述配設構件上方反射、將其引導到所述全息元件的反射手段。
12.根據權利要求10所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述配設構件包含具有容納半導體雷射元件及所述受光元件的凹部的絕緣性模製體，以及保持於所述絕緣性模製體的多條引線，所述半導體元件及所述受光元件在所述凹部內與多條引線中的某引線電氣連接。
13.根據權利要求12所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述全息元件由所述支承構件配置於所述配設構件上方，還具備配置於所述凹部內、將所述半導體雷射元件射出的雷射光束向所述配設構件上方反射、引向所述全息元件的反射手段。
14.根據權利要求12所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述配設手段還包含由所述絕緣性模製體保持的框架，所述半導體雷射元件設置於所述凹部內，所述框架上。
15.根據權利要求14所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述全息元件由所述支承構件配置於所述配設構件上方，還具備被配置於所述凹部內、將所述半導體雷射元件射出的雷射光束向所述配設構件上方反射、引向所述全息元件的反射手段。
16.根據權利要求14所述的半導體雷射裝置，其特徵在於所述受光元件設置於所述凹部內、所述框架上。
17.根據權利要求13所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述絕緣性模製體具有傾斜支承所述反射手段的傾斜部。
18.根據權利要求17所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述絕緣性模製體具有形成於所述凹部內的底部的又一凹部，所述傾斜部形成於所述又一凹部內。
19.根據權利要求11所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述反射手段包含反射所述半導體雷射元件射出的雷射光束、同時將該光束分為至少三束的反射型衍射光柵。
20.根據權利要求10所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，還具備使所述半導體雷射元件射出的雷射光束透過、同時將該光束分為至少三束、將所述分開後的光束引向所述透過型全息元件的透過型衍射光柵。
21.根據權利要求11所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述反射手段由反射鏡構成，還具備使所述反射鏡反射的雷射光束透過、同時將其分為至少三束的透過型衍射光柵。
22.根據權利要求20所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述透過型衍射光柵設於所述支承構件上。
23.根據權利要求20所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述透過型衍射光柵與所述支承構件成一整體形成。
24.根據權利要求10所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述全息元件與所述支承構件成一整體形成。
25.根據權利要求20所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述全息元件及所述透過型衍射光柵由透明構件整體成形，所述透明構件具有相向的全息面和衍射光柵面，所述衍射光柵面配置於所述配設構件一端。
26.根據權利要求19所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述全息元件使所述回授光束衍射、將其引向所述受光元件，不讓該回授光束射入所述反射型衍射光柵。
27.根據權利要求20所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述全息元件使所述回授光束衍射、將其引向所述受光元件，不讓該回授光束射入所述透過型衍射光柵。
28.根據權利要求11所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述半導體雷射元件、所述反射手段及所述受光元件，依照半導體雷射元件、反射手段，受光元件的順序、大致成一直線配置。
29.根據權利要求10—28中的任意一項所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述支承構件由多個構件構成，所述多個構件組合在一起，但可以在不同的方向上相對移動。
30.權利要求29所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述不同方向是指大致垂直於入射的雷射光束的軸的第1方向、大致平行於所述軸的第2方向以及以大致沿著所述雷射光束的所述軸的軸為中心的旋轉方向。
31.根據權利要求30所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述多個構件包含固定於所述配設構件上的第1構件；能夠以沿著所述第2方向的軸為中心轉動且在所述第2方向上移動地與所述第1構件組合的第2構件；支承所述全息元件、使雷射光束大致垂直地射入所述全息元件，並且與所述第2構件組合、能在所述第1方向上移動的第3構件。
32.根據權利要求31所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述第1構件具有大致以沿著所述第2方向的軸為中心的圓柱狀空腔部，所述第2構件由嵌於所述圓柱狀空腔部，可在圓周方向及所述第2方向滑動的圓柱體構成，且至少有一個使所述入射雷射光束透過的光透過部，所述第3構件嵌於所述第2構件，可在所述第1方向上滑動，並且至少具有一個將所述入射雷射光束引向所述全息元件的光透過部，所述第2構件及所述第3構件用粘接材料固定。
33.根據權利要求30所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述多個構件包含固定於所述配設構件上的第1構件，以及能以沿著所述第2方向的軸為中心轉動、且能在所述第2方向上移動地與所述第1構件組合的第2構件，所述全息元件與第2構件組合、且能在所述第1方向上移動。
34.根據權利要求33所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述第1構件具有大致以沿著所述第2方向的軸為中心的圓柱狀空腔部，所述第2構件由嵌於圓柱狀空腔部內、可在圓周方向及所述第2方向滑動的圓柱體構成、而且至少有一個將所述入射的雷射光束引向所述全息元件的光透過部，所述第2構件及所述全息元件用粘接材料固定。
35.根據權利要求30所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述多個構件包括與所述配設構件組合、可在所述第1方向上移動的第1構件，以及支承所述全息元件，使雷射光束能大致垂直地射入所述全息元件，並與所述第1構件組合，能以沿所述第2方向的軸為中心轉動且在所述第2方向上移動的第2構件。
36.根據權利要求35所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述第1構件具有大致以在第2方向上的軸為中心的圓柱狀空腔部、且嵌於所述配設構件上，能在所述第1方向上滑動，所述第2構件由嵌於所述圓柱狀空腔部內且可在圓周方向及所述第2方向上滑動的圓柱體構成、並且至少具有一個將所述入射的雷射光束引向所述全息元件的光透過部，所述第1構件和所述第2構件由粘接材料固定。
37.根據權利要求29所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述不同的方向是指大致垂直於入射的雷射光束的軸的第1方向，與前述軸大致平行的第2方向，以及與前述第1方向和第2方向大致垂直的第3方向。
38.根據權利要求37所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述多個構件包括固定於所述配設構件的第1構件，與所述第1構件組合且能在所述第2方向上移動的第2構件，與所述第2構件組合且能在所述第1方向上移動的第3構件，以及支承所述全息元件，使雷射光束能大致垂直所述全息元件入射，並與所述第3構件組合，能在所述第3方向上移動的第4構件。
39.根據權利要求38所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述第1構件具有空腔部，所述第2構件嵌於所述空腔部，內能在所述第2方向上滑動，並且至少有一個使所述入射的雷射光束透過的光透過部，所述第3構件嵌於所述第2構件，能在所述第1方向上滑動、並且至少有一個使所述入射雷射光束透過的光透過部，所述第4構件嵌於所述第3構件，能在所述第3方向上滑動、並且至少有一個將所述入射雷射光束引向所述全息元件的光透過部，所述第2構件、所述第3構件及所述第4構件用粘接材料固定。
40.根據權利要求37所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述多個構件包括固定於所述配設構件上的第1構件，與所述第1構件組合且能在所述第2方向上移動的第2構件，以及與所述第2構件組合且能在所述第1方向上移動的第3構件，所述全息元件組裝於所述第3構件且能在所述第3方向上移動。
41.根據權利要求40所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述第1構件有空腔部，所述第2構件嵌在所述空腔部內，能在第2方向上滑動、並且至少有一個使所述入射的雷射光束透過的光透過部，所述第3構件嵌於所述第2構件，能在第1方向滑動、並且至少有一個將所述入射雷射光束引向所述全息元件的光透過部，所述全息元件嵌於所述第3構件，能在所述第3方向上滑動，所述第2構件、所述第3構件及所述全息元件用粘接材料固定。
42.根據權利要求37所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述多個構件包括與所述配設構件組合且能在所述第1方向上移動的第1構件，與所述第1構件組合且能在所述第2方向移動的第2構件，支承所述全息元件，使雷射光束能大致垂直地射向所述全息元件，並與所述第2構件組合，能在所述第3方向上移動的第3構件。
43.根據權利要求42所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述第1構件有空腔部，並且嵌於所述配設構件，能在第1方向上滑動，所述第2構件嵌於所述空腔部內，能在所述第2方向上滑動、並且至少有一個讓所述入射的雷射光束透過的光透過部，所述第3構件嵌於所述第2構件，能在所述第3方向上滑動、並且至少具有一個將所述入射雷射光束引向所述全息元件的光透過部，所述第1構件，所述第2構件及所述第3構件用粘接材料固定。
44.根據權利要求37所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述多個構件包括與所述配設構件組合且能在所述第1方向滑動的第1構件，以及與第1構件組合且能在所述第2方向上滑動的第2構件，並且所述全息元件與所述第2構件組合，能在所述第3方向上移動。
45.根據權利要求44所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述第1構件具有空腔部、並且嵌於所述配設構件，又可在所述第1方向上滑動，所述第2構件嵌於所述空腔部內，能在所述第2方向滑動、並且至少有一個將所述入射雷射光束引向所述全息元件的光透過部，所述全息元件嵌於所述第2構件且能在所述第3方向上滑動，所述第1構件、所述第2構件及所述全息元件用粘接材料固定。
46.根據權利要求10至28中的任何一項所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述支承構件與所述配設構件組合且能在大致垂直於入射的雷射光束的軸的方向上移動，所述全息元件與所述支承構件組合且能大致以所述軸為中心轉動又能在平行於所述軸的方向上移動。
47.根據權利要求46所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，所述支承構件嵌於所述配設構件，能在大致垂直於所述入射雷射光束的軸的方向上滑動、並且具有以所述軸為中心的圓柱狀空腔部，所述全息元件由嵌於所述圓柱狀空腔部內且能在圓周方向及大致平行於所述軸的方向滑動的圓柱體構成，所述支承構件及所述全息元件用粘接材料固定。
48.根據權利要求35所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，在所述第1構件的側部形成有V字形缺口的凹部，在所述第2構件的側部形成具有與所述缺口對應的形狀、且浮動嵌合於所述凹部的凸部。
49.根據權利要求35所述的半導體雷射裝置，其特徵在於，在所述第1構件的側部形成V字形的凹部。
50.一種向光記錄媒體照射光束、同時檢測從所述光記錄媒體回授的光束的光拾取裝置，其特徵在於，該裝置具備半導體雷射裝置；所述半導體雷射裝置具備半導體雷射元件、受光元件、配設所述半導體雷射元件及所述受光元件的配設構件、讓所述半導體雷射元件射出的雷射光束透過，同時使基於所述雷射光束的回授光束衍射，將所述回授光束引向所述受光元件的透過型全息元件，支承所述透過型全息元件並使其能相對於所述配設構件作三維移動的支承構件；在所述透過型全息元件相對於所述配設構件確定位置後的狀態下，用粘接材料將所述支承構件或/及所述全息元件加以固定。
51.根據權利要求50所述的光拾取裝置，其特徵在於，所述半導體雷射裝置還包括將所述半導體雷射元件向第1方向射出的雷射光束朝與所述第1方向大致垂直的第2方向反射的反射手段，使所述反射手段反射的雷射光束透過、同時將其分成至少三束、將所述三束光引向所述全息元件的透過型衍射光柵；所述全息元件將所述回授光束衍射，並引向所述受光元件，而不讓該回授光束射入所述透過型衍射光柵。
全文摘要
本發明揭示一種光拾取裝置，該裝置由反射構件反射從半導體雷射元件射出的雷射，在穿過透過型衍射光柵時至少分為三束光，再穿過透過型全息元件，由聚光部在光記錄媒體上匯聚。記錄媒體反射的回授光束透過聚光部不射入衍射光柵，而由全息元件衍射後導入受光元件的光檢出部。半導體雷射元件和受光元件配設於配設構件，支承構件支承全息元件並使其能對配設構件三維移動，在全息元件定位後由粘接材料固定支承構件或/和全息元件。
文檔編號G11B7/22GK1122503SQ95108720
公開日1996年5月15日 申請日期1995年7月28日 優先權日1994年7月29日
發明者田尻敦志, 森和思, 吉年慶一, 山口隆夫, 茨木晃, 新名達彥 申請人:三洋電機株式會社