迭代自對準圖案化的製作方法

2023-10-05 23:47:39

本發明涉及集成電路技術領域，更具體地，涉及迭代自對準圖案化。

背景技術：

當製造集成電路時，諸如金屬線的各種部件形成在半導體器件中。為了形成這些部件，光掩模用於將圖案形成在光刻膠層中。去除光刻膠層的區域將下面的襯底暴露至用於形成溝槽(隨後金屬將放置於其中)的蝕刻工藝。

由於形成在光刻膠層中的圖案變得越來越密集，所以很難使用單個光掩模在光刻膠層中形成圖案，這是因為納米範圍內的部件比光刻膠層暴露給的光源的解析度更小。在一些情況下，自對準多重圖案化技術用於產生更密集的部件。

自對準多重圖案化技術通常包括在芯軸層上方沉積間隔件材料的使用。然後，去除芯軸層並且剩餘的間隔件材料用作硬掩模。下面的層可以是用於形成另一個芯軸層的過渡層，通過使用硬掩模從間隔件材料圖案化過渡層。可重複該工藝以產生更密集的圖案，並且每個步驟利用附加的過渡層。希望使用成本效益高且有效的多重圖案化技術。

技術實現要素：

為了解決現有技術中存在的問題，本發明提供了一種用於自對準圖案化的方法，所述方法包括：提供襯底；形成包括多個芯軸部件的圖案化的芯軸層，所述圖案化的芯軸層形成在所述襯底上；在所述芯軸層上方沉積第一間隔件層，所述第一間隔件層包括第一類型的材料；各向異性地蝕刻所述第一間隔件層以在所述芯軸部件的側壁上留下第一組間隔件；去除所述芯軸層；在所述第一組間隔件的剩餘部分上方沉積第二間隔件層；以及 各向異性地蝕刻所述第二間隔件層以在所述第一組間隔件的側壁上形成第二組間隔件。

在上述方法中，其中，所述方法還包括去除所述第一間隔件層的所述第一組間隔件。

在上述方法中，其中，所述方法還包括去除所述第一間隔件層的所述第一組間隔件，其中，所述方法還包括：在所述第二間隔件層的剩餘部分上方形成第三間隔件層，所述第三間隔件層包括與所述第一間隔件層相同類型的材料。

在上述方法中，其中，所述方法還包括去除所述第一間隔件層的所述第一組間隔件，其中，所述方法還包括：實施蝕刻工藝以去除通過所述第二間隔件層暴露出的所述襯底的一部分。

在上述方法中，其中，所述方法還包括：在所述第二間隔件層上方形成介電層；進行化學機械拋光(CMP)工藝以暴露出所述第一間隔件層；以及去除所述第一間隔件層和所述介電層。

在上述方法中，其中，所述第一類型的材料包括介電材料。

在上述方法中，其中，所述介電材料包括氧化物、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)、碳化矽(SiC)、碳氮化矽(SiCN)、或碳氮氧化矽(SiOCN)中的至少一種。

在上述方法中，其中，所述第二間隔件層包括第二類型的材料，所述第二類型的材料包括導電材料。

在上述方法中，其中，所述第二間隔件層包括第二類型的材料，所述第二類型的材料包括非晶矽或非晶碳中的至少一種。

在上述方法中，其中，選擇所述芯軸部件的寬度、所述第一間隔件層的寬度和所述第二間隔件層的寬度以產生融合部件。

根據本發明的另一方面，提供了一種用於迭代自對準圖案化的方法，所述方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成圖案化的芯軸層；在所述芯軸層上方沉積第一間隔件層，使得所述第一間隔件層與所述芯軸層共形，所述第一間隔件層包括第一類型的材料；使用第一蝕刻劑對所述第一間隔件層實施第一各向異性蝕刻工藝，從而在所述芯軸層的側壁上留下第一組 間隔件；去除所述芯軸層；在所述第一組間隔件上方形成第二間隔件層，使得所述第二間隔件層與所述第一組間隔件共形，所述第二間隔件層包括與所述第一類型的材料不同的第二類型的材料；以及使用與所述第一蝕刻劑不同的第二蝕刻劑對所述第二間隔件層實施第二各向異性蝕刻工藝，從而在所述第一組間隔件的側壁上形成第二組間隔件。

在上述方法中，其中，所述方法還包括：在所述第二間隔件層上方形成介電層，使得所述介電層形成在所述第二間隔件層的部件之間並且覆蓋所述第二間隔件層的部件。

在上述方法中，其中，所述方法還包括：在所述第二間隔件層上方形成介電層，使得所述介電層形成在所述第二間隔件層的部件之間並且覆蓋所述第二間隔件層的部件，其中，所述方法還包括實施平坦化工藝以暴露出所述第一間隔件層。

在上述方法中，其中，所述方法還包括：在所述第二間隔件層上方形成介電層，使得所述介電層形成在所述第二間隔件層的部件之間並且覆蓋所述第二間隔件層的部件，其中，所述方法還包括實施平坦化工藝以暴露出所述第一間隔件層，其中，所述方法還包括：實施幹蝕刻工藝以去除所述第一間隔件層，所述幹蝕刻工藝在所述第一類型的材料和所述第二類型的材料之間具有選擇性。

在上述方法中，其中，所述方法還包括：在所述第二間隔件層上方形成介電層，使得所述介電層形成在所述第二間隔件層的部件之間並且覆蓋所述第二間隔件層的部件，其中，所述方法還包括實施平坦化工藝以暴露出所述第一間隔件層，其中，所述方法還包括：實施幹蝕刻工藝以去除所述第一間隔件層，所述幹蝕刻工藝在所述第一類型的材料和所述第二類型的材料之間具有選擇性，其中，所述方法還包括形成第三間隔件層，使得所述第三間隔件層與所述第二間隔件層的剩餘部分共形，所述第三間隔件層包括所述第一類型的材料。

在上述方法中，其中，所述方法還包括：在所述第二間隔件層上方形成介電層，使得所述介電層形成在所述第二間隔件層的部件之間並且覆蓋所述第二間隔件層的部件，其中，所述方法還包括實施平坦化工藝以暴露 出所述第一間隔件層，其中，所述方法還包括：實施幹蝕刻工藝以去除所述第一間隔件層，所述幹蝕刻工藝在所述第一類型的材料和所述第二類型的材料之間具有選擇性，其中，所述方法還包括形成第三間隔件層，使得所述第三間隔件層與所述第二間隔件層的剩餘部分共形，所述第三間隔件層包括所述第一類型的材料，其中，所述方法還包括：去除所述第三間隔件層的一部分以暴露出所述第二間隔件層；以及實施幹蝕刻工藝以去除所述第二間隔件層，所述幹蝕刻工藝在所述第一類型的材料和所述第二類型的材料之間具有選擇性。

在上述方法中，其中，所述第一蝕刻劑選擇性地去除所述第一類型的材料，而保留所述第二類型的材料基本完整，並且所述第二蝕刻劑選擇性地去除所述第二類型的材料，而保留所述第一類型的材料基本完整。

根據本發明的又一方面，提供了一種用於迭代自對準圖案化的方法，所述方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成圖案化的芯軸層；在所述芯軸層的側壁上形成第一組間隔件，所述第一組間隔件包括第一類型的材料；去除所述芯軸層；在所述第一組間隔件的側壁上形成第二組間隔件，所述第二組間隔件包括第二類型的材料；去除所述第一組間隔件；在所述第二組間隔件的側壁上形成第三組間隔件，所述第三組間隔件包括所述第一類型的材料；以及去除所述第二組間隔件。

在上述方法中，其中，所述第一類型的材料是介電材料並且第一幹蝕刻工藝使用氟基氣體。

在上述方法中，其中，所述第二類型的材料是導電材料並且第二幹蝕刻工藝使用氯基氣體。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明的各方面。應該強調的是，根據工業中的標準實踐，沒有按比例繪製各種部件。實際上，為了清楚地討論，可以任意地增加或減小各種部件的尺寸。

圖1A至圖1M是根據本文所述原理的一個實例的示出了用於迭代自對準圖案化的說明性工藝的圖。

圖2A至圖2B是根據本文所述原理的一個實例的示出了用於自對準圖案化技術的圖案的圖。

圖3是根據本文所述原理的一個實例的用於迭代自對準圖案化的說明性方法的流程圖。

具體實施方式

以下公開提供了多種不同實施例或實例，用於實現所提供主題的不同特徵。以下將描述組件和布置的特定實例以簡化本發明。當然，這些僅是實例並且不旨在限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實施例，也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成其他部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。另外，本發明可以在多個實例中重複參考符號和/或字符。這種重複用於簡化和清楚，並且其本身不表示所述多個實施例和/或配置之間的關係。

此外，在此可使用諸如「在…之下」、「在…下面」、「下面的」、「在…之上」、以及「上面的」等的空間關係術語，以容易的描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件(多個元件)或部件(多個部件)的關係。除圖中所示的方位之外，空間關係術語將包括使用或操作中的裝置的各種不同的方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉90度或在其他方位)，並且通過在此使用的空間關係描述符進行相應地解釋。

如上所述，希望改進自對準圖案化技術的效率。根據本文所述原理的一個實施例，由第一類型的材料製成的間隔件層形成在圖案化的芯軸層上方。然後，暴露且去除芯軸部件。之後，剩餘的間隔件層部件用作用於形成在第一間隔件層部件上方的第二間隔件層的芯軸。第二間隔件層由具有對第一類型的材料具有蝕刻選擇性的第二類型的材料製成。該圖案化技術可在由第一類型的材料製成的間隔件層和由第二類型的材料製成的間隔件層之間反覆地交替，直到圖案到達理想的密度。然後，可將圖案轉印至下面的襯底。

圖1A至圖1M是示出了用於迭代自對準圖案化的說明性工藝的圖。根 據本實例，圖1A示出了形成在襯底102上的芯軸層104。在一個實例中，襯底102是半導體襯底，諸如半導體晶圓。襯底102可由諸如矽的半導體材料製成。在一些實例中，諸如鍺或III-V族半導體材料的其他材料可用於襯底102。襯底可包括其上將形成圖案的附加層。

可使用各種光刻技術圖案化芯軸層104。圖案化的芯軸層104包括具有第一間距108的部件106。芯軸層104可由通常用於芯軸層的標準材料製成。

圖1B示出了形成在芯軸部件上方的第一間隔件層110。沉積第一間隔件層110，使得其與下面的芯軸部件106共形。因此，第一間隔件形成在芯軸部件106的側壁以及芯軸部件106的頂部上。第一間隔件層110由第一類型的間隔件層材料製成。下文將提供有關所使用的間隔件層材料的更多細節。

在一個實例中，使用化學汽相沉積(CVD)工藝形成第一間隔件層110。CVD工藝包括將襯底暴露於揮發性前體，該揮發性前體反應和/或分解以在襯底上形成沉積層。在一個實例中，用於沉積第一間隔件層110的CVD工藝是低壓CVD(LPCVD)工藝。這種CVD工藝使用反應室內的低壓，諸如亞大氣壓。在一個實例中，用於形成第一間隔件層110的CVD工藝是等離子體增強CVD(PECVD)工藝。PECVD工藝使用等離子體來提高前體的反應速率。這樣可允許在較低溫度下進行CVD工藝。

圖1C示出了去除工藝112以去除第一間隔件層110的一部分以暴露出芯軸部件106的頂部，從而留下位於芯軸部件106的側壁上的第一組間隔件114。在一個實例中，去除工藝112是各向異性蝕刻工藝，諸如，幹蝕刻工藝。各向異性蝕刻工藝是指主要在一個方向上發生蝕刻。在各向異性蝕刻工藝中，基本去除位於芯軸部件106和襯底102上的第一間隔件層110的部分，而芯軸部件106的側壁上的部分基本保持完整。幹蝕刻是通過將材料暴露於離子轟擊而去除材料的工藝。幹蝕刻工藝使用諸如碳氟化合物、氧、氯、三氯化硼的反應氣體的等離子體和其他氣體的等離子體。離子轟擊驅逐暴露的表面的部分。去除工藝112還去除了第一間隔件層110，使得暴露出襯底102。

圖1D示出了去除工藝116以去除芯軸部件106。在去除工藝116之後，出現曾經其中是芯軸部件106的空隙118。去除工藝116可以是諸如幹蝕刻工藝的蝕刻工藝。在一些實例中，去除工藝116是溼蝕刻工藝。溼蝕刻工藝通常包括將材料浸入化學蝕刻劑中，使得化學去除材料的暴露部分。溼蝕刻工藝通常是各向同性的，是指它們在所有方向上蝕刻。將去除工藝設計為在第一間隔件層110和芯軸部件106的材料之間具有選擇性。這意味著去除工藝116去除芯軸部件106，而保留第一間隔件層110基本完整。

去除芯軸部件106之後，第一間隔件層110的剩餘部分從剩餘的側壁間隔件114形成部件114。這些第一間隔件層部件114具有間距120，該間距120受芯軸部件106的寬度和芯軸部件106的間距108的影響。如下文將給出的進一步詳細描述，第一間隔件層部件114可用作附加圖案化步驟的芯軸層。

圖1E示出了在通過第一間隔件層110的剩餘部分產生的第一間隔件層部件114上方形成第二間隔件層122。沉積第二間隔件層122，使得其與第一間隔件層部件114共形。因此，第二間隔件層122具有與第一間隔件層部件114的輪廓相似的輪廓。使用諸如LPCVD或PECVD工藝的CVD工藝可形成第二間隔件層122。因此，第二間隔件層122形成在第一間隔件層部件114的側壁和頂部上。第二間隔件層122可具有基本均勻的厚度。

第二間隔件層122可由具有相對於第一間隔件層110的材料類型的蝕刻選擇性的材料形成。根據本文所述原理，第一間隔件層由選自第一組材料的材料製成，以及第二間隔件層由選自第二組材料的材料製成。第二組材料內的材料具有相對於第一組材料內的材料的蝕刻選擇性。為了討論的目的，第一組材料內的材料將被稱為A類型材料且第二組材料內的材料將被稱為B類型材料。在一個實例中，A類型材料包括介電材料，諸如，氧化物、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)、碳化矽(SiC)、碳氮化矽(SiCN)、或碳氮氧化矽(SiOCN)。使用上述PECVD或LPCVD可沉積這種材料。此外，使用原子層沉積(ALD)可形成這種介電材料。B類型材料包括導電材料，諸如，非晶矽或非晶碳。使用PECVD或LPCVD可形成這種材料。

在這種情況下，A類型材料的材料和B類型材料的材料選擇為在各向 異性蝕刻期間具有高蝕刻選擇性以形成相應的間隔件。在一個實例中，使用氟基氣體的各向異性蝕刻工藝可用於去除A類型材料。這種工藝將去除A類型材料，而保留B類型材料基本完整。此外，使用氯基氣體的各向異性蝕刻工藝可用於去除B類型材料。這種工藝將去除B類型材料，而保留A類型材料基本完整。

在一個實例中，第一間隔件層110由A類型材料製成且第二間隔件層122由B類型材料製成。然而在一些實例中，第一間隔件層110由B類型材料製成且第二間隔件層122由A類型材料製成。A類型材料和B類型材料均具有良好的共形特性，使得可有效地沉積材料以與下面的部件共形。

圖1F示出了去除工藝124以去除第二間隔件層122的一部分從而暴露出第一間隔件層部件114的頂面。去除工藝124可以是諸如幹蝕刻工藝的各向異性蝕刻工藝。該工藝在第一間隔件層部件114的側壁上留下第二組側壁間隔件126。間隔件層之間的間隔基於第二間隔件層122的厚度。在一個實例中，如果第二間隔件層122由介電材料製成，則氟基蝕刻工藝用作去除工藝124。然而，如果第二間隔件層122由導電材料製成，則氯基幹蝕刻工藝用作去除工藝124。去除工藝124還可暴露出下面的未被第一間隔件層部件114保護的區域處的襯底102。

圖1G示出了去除工藝128以去除暴露的第一間隔件層部件114，而保留第二間隔件層122的部分基本完整。然後，第二間隔件層122的剩餘部分將形成第二間隔件層部件126。去除工藝128產生曾經其中是第一間隔件層部件114的空隙130。第二間隔件層部件126具有基於部件114的間距120和寬度的間距132。第二間隔件層部件126的寬度部分地基於第一間隔件層部件114的厚度。

去除工藝128是選擇性的，從而使得只去除用於第一間隔件層110的類型的材料。例如，如果第一間隔件層110由A類型材料製成且第二間隔件層122由B類型材料製成，則使用與A類型材料相關的各向異性蝕刻工藝，使得由B類型材料製成的第二間隔件層基本保持完整。

圖1H示出了在第二間隔件層部件126的剩餘部分上方沉積第三間隔件層134。第三間隔件層134形成在部件上方，使得其與部件126共形。因 此，第三間隔件層134的輪廓與第二間隔件層部件126的輪廓相似。此外，第三間隔件層134形成在部件126的側壁和頂部上。使用諸如LPCVD工藝或PECVD工藝的CVD工藝可形成第三間隔件層134。

第三間隔件層134由選自與第一間隔件層110相同類型的材料、和因此與第二間隔件層122不同類型的材料製成。例如，如果第一間隔件層110選自A類型材料的材料，那麼第三間隔件層134也選自A類型材料的材料。反之，如果第一間隔件層110選自B類型材料的材料，那麼第三間隔件層134也選自B類型材料的材料。更具體地，如果第一間隔件層110是介電材料，那麼第三間隔件層也是介電材料。因此，第三間隔件層134還具有相對於用於第二間隔件層122的類型的材料的蝕刻選擇性。

圖1I示出了介電層136形成在第三間隔件層134上的一個實施例。介電層136填充被第三間隔件層134覆蓋的第二間隔件層部件126之間的空間。因此，介電層136用作填充第二間隔件層部件126之間的間隙的填充層。

圖1J示出了去除介電層136的頂部和第三間隔件層134的頂部以暴露出部件126的頂部的平坦化工藝138。在一個實例中，平坦化工藝是化學機械拋光(CMP)工藝。CMP工藝包括將磨料應用於襯底上。磨料包括化學蝕刻劑和固體粒子。然後，拋光工具拋光襯底的表面。因此，通過固體粒子的機械效應和化學蝕刻劑的化學效應來平坦化表面。

圖1K示出了去除介電層136和第二間隔件層部件126的去除工藝140。在一個實例中，單蝕刻步驟是選擇性的，使得均去除介電層136和第二間隔件層部件126，而保留第三間隔件層部件144基本完整。在一個實例中，去除工藝140是兩步驟工藝。例如，第一步驟可去除介電材料136而保留第三間隔件層部件144和第二間隔件層部件126基本完整。然後，第二步驟去除第二間隔件層部件126而保留第三間隔件層部件144基本完整。

第三間隔件層部件144具有基於第二間隔件層部件126的間距132和第二間隔件層部件126的寬度的間距142。第三間隔件層部件144的寬度基於第三間隔件層的厚度。第三間隔件層部件144可用作與上述步驟相似的進一步步驟中的芯軸。具體地，該工藝可將先前沉積的間隔件層部件用 作當前間隔件層的芯軸而在A類型材料和B類型材料的間隔件層之間交替。

在一些實例中，芯軸層104可由與第二間隔件層相同類型的材料製成。例如，如果第一間隔件層110由A類型材料的材料製成並且第二間隔件層122由B類型材料的材料製成，那麼芯軸層104可由選自B類型材料的材料製成。反之，如果第一間隔件層110由B類型材料的材料製成並且第二間隔件層122由A類型材料的材料製成，那麼芯軸層104可由選自A類型材料的材料製成。

圖1L示出了用於將第三間隔件層部件144的圖案轉印至下面的襯底102上的蝕刻工藝146。如圖圖案已達到其預期的密度或最終形式，那麼可將圖案轉印至下面的襯底102上。根據本實例，第三間隔件層部件144用作用於蝕刻工藝146的硬掩模。因此，蝕刻工藝146隻會影響未被第三間隔件層部件144覆蓋的區域。這樣在襯底102內產生部件，該部件與第三間隔件層部件144的圖案化相匹配。

圖1M示出了去除第三間隔件層部件144的去除工藝150。去除工藝150可以是蝕刻工藝，其對於第三間隔件層部件144是具有選擇性的，因此保留襯底102的材料基本完整。在一個實例中，去除工藝150可以是溼蝕刻工藝或幹蝕刻工藝。

圖2A至圖2B是示出了用於自對準圖案化技術的圖案的圖。具體地，圖2A和圖2B示出了如何選擇圖案化的芯軸層和間隔件層的厚度以達到期望的最終圖案。根據特定說明性實例，可設置芯軸層202中的芯軸部件之間的間隔以在最終圖案中產生特定部件。在一些情況下，最終圖案包括一組線，每條線具有相似的寬度。然而，在一些情況下，期望一些線具有大於相鄰線的寬度。通過調整芯軸層202中的芯軸部件之間的間隔可實現上述期望。

在本實例中，芯軸層202為使得第一部件201具有與相鄰的第二部件203的寬度210相等的寬度210。第一間隔件層204具有厚度214。第二間隔件層206具有厚度216，厚度216小於第一間隔件層204的厚度214。第三間隔件層208具有與第二間隔件層206相同的厚度216。

第一部件201和第二部件203具有間隔212，使得融合部件214最終形成在最終圖案中。在該實例中，融合部件具有厚度214，厚度214為形成在最終圖案中的其他部件的厚度218的約兩倍。可根據需要調整間隔212以為融合部件214產生期望的寬度。

在一些實例中，能夠調整其他因素以在具體位置產生融合部件。例如，通過調整第一間隔件層204的厚度214能夠形成融合部件。額外地或者可選地，通過調整第二間隔件層206或第三間隔件層208的厚度能夠產生融合部件。

圖2B示出了芯軸部件中的一個具有不同尺寸以產生融合部件222的實施例。具體地，芯軸層202具有第一部件201和第二部件205，第一部件201具有第一寬度210並且第二部件205具有第二寬度220。第二部件205的減小的寬度220導致第二間隔件層206的兩個相鄰部件融合在一起。這樣進而導致最終圖案中的融合部件222。

圖3是示出了用於迭代自對準圖案化的說明性方法的流程圖。根據本實例，方法300包括用於在襯底上形成芯軸層的步驟302。可將芯軸層的材料沉積在襯底上。然後，可使用諸如光刻的光刻技術圖案化芯軸層材料。在一些實例中，芯軸層可由與第二間隔件層相同類型的材料製成。例如，如果第一間隔件層由A類型材料的材料製成並且第二間隔件層由B類型材料的材料製成，那麼，芯軸層由選自B類型材料的材料製成。在本實例中，使用B類型材料形成芯軸層。

方法300還包括使用A類型材料在現有結構上方形成間隔件層的步驟304。對於第一次迭代，現有結構是芯軸部件。間隔件層與現有結構共形。使用諸如LPCVD或PECVD的CVD工藝可沉積間隔件層。在一個實例中，步驟304對應於圖1B示出的步驟。具體地，現有結構對應於芯軸部件106，而間隔件層對應於第一間隔件層110。

方法300還包括蝕刻以暴露出現有結構的步驟306。蝕刻可以是諸如幹蝕刻工藝的各向異性蝕刻工藝。蝕刻工藝暴露出下面的現有結構，現有結構在第一次迭代中是芯軸部件。在一個實例中，步驟306對應於圖1C。具體地，蝕刻工藝對應於去除工藝112。

方法300還包括蝕刻以去除現有結構的步驟308，現有結構在第一次迭代中是芯軸部件。蝕刻工藝暴露出下面的襯底。在一個實例中，步驟308對應於圖1D。具體地，蝕刻工藝對應於去除工藝116。

方法300還包括使用B類型材料形成附加間隔件層的步驟310。附加間隔件層與先前形成的間隔件層的剩餘部件共形。在一個實例中，步驟310對應於圖1E。具體地，附加間隔件層對應於第二間隔件層122。

方法300還包括蝕刻以暴露出現有結構的步驟312，在這種情況下現有結構是來自先前形成的間隔件層的剩餘部件。蝕刻可以是諸如幹蝕刻工藝的各向異性蝕刻工藝。在一個實例中，步驟312對應於圖1F。具體地，蝕刻工藝對應於去除工藝124。

方法300還包括蝕刻以去除來自先前形成的間隔件層的剩餘部件的步驟314。蝕刻工藝暴露出下面的襯底。在一個實例中，步驟314對應於圖1G。具體地，蝕刻工藝對應於去除工藝128。

在步驟316中，確定是否要再形成間隔件層。具體地，如果當前圖案是最終圖案，那麼不再形成層，並且方法進行至下一個步驟。但是，如果當前圖案不是最終圖案，那麼方法返回至步驟304。

步驟304的第二次迭代可對應於圖1H。在本次迭代中，形成的間隔件層對應於第三間隔件層134。在這種情況下的現有結構對應於第二間隔件層部件126。然後，根據需要多次重複該工藝直到實現最終圖案。在一些情況下，步驟308之後確定當前圖案是否為最終圖案。如果是最終圖案，那麼方法進行至步驟318。

方法300還包括將圖案轉印至襯底上的步驟318。如果現有圖案是最終圖案，則完成轉印。步驟318可對應於圖1L至圖1M中所述的步驟。已經轉印至襯底的最終圖案可用於各種目的。例如，如果圖案用於形成金屬線，那麼，形成在襯底中的圖案可填充有金屬材料。然後，CMP工藝可應用於晶圓以去除多餘的金屬材料。

根據本實例，一種用於自對準圖案化的方法包括：提供襯底；形成包括多個芯軸部件的圖案化的芯軸層，圖案化的芯軸層形成在襯底上；在芯軸層上方沉積第一間隔件層，第一間隔件層包括第一類型的材料；各向異 性地蝕刻第一間隔件層以在芯軸部件的側壁上留下第一組間隔件；去除芯軸層；在第一組間隔件的剩餘部分上方沉積第二間隔件層；以及各向異性地蝕刻第二間隔件層以在第一組間隔件的側壁上形成第二組間隔件。

一種用於迭代自對準圖案化的方法包括：提供襯底；在襯底上形成圖案化的芯軸層；在芯軸層上方沉積第一間隔件層，使得第一間隔件層與芯軸層共形，第一間隔件層包括第一類型的材料；使用第一蝕刻劑對第一間隔件層實施第一各向異性蝕刻工藝，從而在芯軸層的側壁上留下第一組間隔件；去除芯軸層；在第一組間隔件上方形成第二間隔件層，使得第二間隔件層與第一組間隔件共形，第二間隔件層包括不同於第一類型的材料的第二類型的材料；以及使用不同於第一蝕刻劑的第二蝕刻劑對第二間隔件層實施第二各向異性蝕刻工藝，從而在第一組間隔件的側壁上形成第二組間隔件。

一種用於迭代自對準圖案化的方法，該方法包括：提供襯底；在襯底上形成圖案化的芯軸層；在芯軸層的側壁上形成第一組間隔件，第一組間隔件包括第一類型的材料；去除芯軸層；在第一組間隔件的側壁上形成第二組間隔件，第二組間隔件包括第二類型的材料；去除第一組間隔件；在第二組間隔件的側壁上形成第三組間隔件，第三組間隔件包括第一類型的材料；以及去除第二組間隔件。

上面論述了若干實施例的部件，使得本領域的技術人員可以更好地理解本發明的各個方面。本領域的技術人員應該理解，可以很容易地使用本發明作為基礎來設計或更改其他用於達到與這裡所介紹實施例相同的目的和/或實現相同優點的工藝和結構。本領域的技術人員也應該意識到，這種等同構造並不背離本發明的精神和範圍，並且在不背離本發明的精神和範圍的情況下，可以進行多種變化、更換以及改變。