聲表面波裝置及其製造方法
2024-02-19 19:30:15
專利名稱：聲表面波裝置及其製造方法
技術領域：
本發明涉及具有由氮化矽膜(SiN膜)、氧化矽膜(SiO膜)以及氧化氮化矽膜(SiON膜)中的至少一種構成的薄膜的聲表面波裝置及其製造方法。
背景技術：
歷來，SiN膜、SiO膜、以及SiON膜被廣泛採用於聲表面波裝置(以下稱SAW器件)。作為其用途，有調整SAW器件的頻率地微調膜、有用於提高溫度特性的膜之類的機能膜。這些機能膜是左右SAW器件性能的膜，因此涉及其製造必須形成穩定性好且再現性好的特點。
另外，近年來，為了對應SAW器件的小型化及輕量化之類的要求，在管殼的一部分已大多使用環氧樹脂等樹脂材料。這時，由於上述樹脂材料會使水分透過，因而透過管殼的樹脂材料部的水分將成為在主要以Al為中心的材料所構成的叉指形電極部(以下稱IDT)中產生腐蝕的原因，從而使作為SAW器件的持性劣化。
為此，用於提高耐溼性的保護膜形成技就顯得重要起來。關於各種膜，其形成方法為SiO膜採用一般稱為濺射法的RF濺射、DC濺射、RF磁控管濺射等，SiN膜、SiON膜採用等離子區CVD(Chemical Vapor Deposition)法(以下稱P-CVD)等成膜。
然而，在將所述的各薄膜作為機能膜形成於SAW器件的基片(壓電基板上的IDT)上時，其問題點為SAW器件的電氣特性被劣化了。特別是有關插入損耗的劣化，成為無法使機能膜的膜厚變厚的一個理由。例如，以所容許的劣化量的膜原形成(作為機能膜的)保護膜的話，則用於提高耐溼性的保護膜將無法實現充分的性能。這就是一個課題。
舉例而言，在2GHz帶寬的SAW濾波器中，為提高耐溼性而以P-CVD方法形成10nm的SiN膜時，可發現約有0.3dB的插入損耗的劣化。究其原因，可認為的是採用P-CVD方法所成膜的SiN膜並非是緻密的。
本發明的目的在於提供一種可能的製造方法，它將穩定地得到SAW器件，該器件抑制了特性的劣化，並且具有更為緻密的，由SiN膜、SiO膜及SiON膜中的至少一種作為機能膜。
另外，在SAW器件的壓電基板上採用鈮酸鋰(LiNbO3)的場合，由於成膜時無法提高壓電基板的溫度，對於必須加熱至300℃～400℃的P-CVD方式的成膜，就不可能適用於由LiNbO3所構成的壓電基板。
發明內容
為解決上述課題，本發明的SAW器件具有以下特徵，即在壓電基板上設置了IDT，用於提高耐氣候性的由SiN膜、SiO膜及SiON膜的至少一種構成的機能膜成膜在IDT上的至少一部分中，至少在一部分具有透溼性的構件中設置內裝具有IDT及機能膜的壓電基板的管殼，通過電子回旋加速器共振濺射法(以下將電子回旋加速器共振略稱為ECR，濺射法略稱為濺射)，形成上述機能膜。
上述SAW器件中，內裝具有叉指形電極部及機能膜的壓電基板的管殼，具有用倒裝接合法封裝壓電基板而且使用具有透溼性的樹脂密封所述壓電基板的結構。
上述SAW器件中，所述機能在室溫中成膜是令人滿意的。
根據上述構成，由於採用ECR濺射法使機能膜成膜，因而能形成更緻密的機能膜，確實提高耐氣候性。另外，採用ECR濺射法，在機能膜形成中不需加熱壓電基板，例如在室溫下就能形成上述機能膜，因此也能適用於因加熱而引起特性劣化的LiBbO3基板，同時能迴避對壓電基板上的IDT加熱而成為起因的熱電破壞。
這個結果在上述構成中，能提高耐氣候性，因而採用廉價的環氧樹脂等材料可實現小型化，而即便在管殼的至少一部分中使用具有透溼性的構件，也能降低因透過的水分而引起的經時特性劣化，從而能謀求降低成本。
另外，由於與壓電基板的線膨脹率的差異，在粘結性方面，SiN膜比SiO膜差。這時，機能膜具有SiN膜，氮濃度沿著膜厚方向而變化，這是令人滿意的。在氮濃度發生變化的機能膜的場合，希望表面一側的氮濃度變得比IDT一側的氮濃度大。進而，在上述機能膜中，表面一側成為SiN膜，IDT一介成為SiO膜，這是理想的狀態。
根據上述構成，作為機能膜具有SiN膜，機能膜沿其膜厚方向使氮濃度變化，例如將表面一側的氮濃度設定為大於IDT一側的氮濃度，由此，可以使提高耐溼性及改善對於壓電基板的粘結性這二方面都成立。
在上述SAW器件中，機能膜具有SiN膜，上述SiN膜的膜厚被設定在3nm以上及IDT的SAW波長的2.0％以上是令人滿意的。
根據上述構成，通過如上述那樣設定上述SiN膜，就能更確實地確保耐溼性。
在上述SAW器件，機能膜在最下層(電極側)具有氧化矽膜，在中間層具有氧化氮化矽膜，在最上層具有氮化矽膜是令人滿意的。
在上述SAW器件中，中間層也可以具有SiN膜與SiO膜相互迭層而成的多層結構。
根據上述構成，通過將上述SiN膜設定在最上層，就可能更確實地確保耐溼性。
為了解決所述的課題，本發明的其他SAW器件具有這樣的特徵，在壓電基板上設置了IDT，用於提高耐氣候性的SiN膜的機能膜通過ECR濺射法成膜在IDT上的至少一部分中，用至少具有部分透溼性的構件設置內裝具有IDT及機能膜的壓電基板的管殼，上述機能膜沿膜厚方向氮濃度發生變化。
在上述SAW器件中，所述機能膜其表面一側的氮濃度要比叉指形電極部一側的氮濃度大是令人滿意的。
根據上述構成，作為機能膜具有SiN膜，機能膜沿其膜厚方向使氮濃度變化，例如將表面一側的氮濃度設定為大於IDT一側的氮濃度，由此，使提高耐溼性及改善對於壓電基板的粘結性這二方面都能成立。
在上述SAW器件中，在所述機能膜上形成用於調整頻率的氧化矽膜。根據上述構成，通過在機能膜上形成用於調整頻率的氧化矽膜，就能夠在維持耐氣候性的同時對壓電基板上的IDT的頻率進行微調整。
為了解決所述的課題，本發明的SAW器件的製造方法具有以下特徵，在壓電基板上具有IDT的聲表面波裝置的製造方法中，通過ECR濺射法將用於提高耐氣候性的由SiN膜、SiO膜以及SiON膜中的至少一種構成的機能膜，成膜在IDT上的至少一部分中。
根據上述方法，採用ECR濺射法在IDT上形成了緻密的、高純度的SiN、SiO、SiON中的至少一種的機能膜，因此可以穩定地獲得SAW器件。這種器件減輕了採用別的成膜方法所出現的那種特性劣化。由此，即使對因特性劣化、SiN、SiO、SiON均無法成膜的SAW器件，其成膜也將成為可能，從而能實現可靠性高或謀求改善特性的SAW器件。
特別是即使對近年裡漸漸採用的管殼的一部分使用具有透溼性材料的SAW器件，由於能可能形成無特性劣化的SiN膜之類的膜，因此有可能更確實地實現具有更良好的電氣性能及高可靠性而低成本的SAW器件。
圖1表示本發明的SAW器件的說明圖，(a)為重要部位剖視平面圖，(b)為重要部位剖視正視圖，(c)為重要部位放大剖視圖。
圖2表示用於上述SAW器件的製造工序的ECR濺射裝置概略結構圖。
圖3分別表示上述SAW器件的SAW濾波器與以往的SAW濾波器及作為機能膜而無SiN膜的SAW濾波器中的各插入損耗的圖形。
圖4表示無SiN膜的SAW器件的說明圖，(a)為重要部位剖視平面圖、(b)為重要部分剖視正視圖、(c)為重要部位放大部面圖。
圖5分別表示上述SAW器件的SAW濾波器與以經的SAW濾波器中的對於S iN膜的膜厚的插入損耗關係的圖形。
圖6分別表示上述SAW器件的SAW濾波器中的SiN膜的各膜厚與插入損耗的經時變化關係的圖形。
圖7表示在上述SAW濾波器中的沿連續膜的膜厚方向的各元素含量變化圖形。
圖8表示有關上述SAW器件的管殼的一個變形例的概略剖視圖。
圖9表示上述管殼的立體圖。
標號說明
1a 壓電基板
1b IDT(叉指形電極部)
4 SiN膜(機能膜)
具體實施形態
下面，參照圖1至圖9對本發明的SAW器件的各種實施形態進行說明。本實施的第一形態中，按照圖1所示，SAW濾波器1被裝入管殼2內。
在SAW濾波器1中，是由鋁銅(ClCu)電極(箔)所設置的。該鋁銅電極(箔)系通過光刻法在由例如40±5°YcutX傳播LITaO3所構成的壓電基板1a上，形成複數個IDT(叉指形電極部)1b及相對上述IDT1b的輸入輸出端子1c。
IDT 1b具有2個電極指部，電極指部具有帶狀的基端部(bus bar)及由其基端部一端的側部沿正交方向延伸的複數個相互平行的電極指，將上述各電極指部中的電極指的側部按相互相對的形態組合於相互的電極指間。以這種狀態，IDT 1b具有上述各電極指部。
在這種IDT 1b中，通過分別設定各電極指的長度及寬度、相鄰的各電極指的間隔、以及(表示在相互的電極指間的處於組合狀態的相對面長度的)並叉寬度，就有可能設定信號變換特性及傳輸頻帶。進而，在SAW濾波器1中，用於確保後述的補片(vamp)接合法能進行的底座(Pad)層1d通過導體而形成於輸入輸出端子1c上。
另一方面，管殼2具有由氧化鋁之類的陶瓷所構成的有底箱狀的本體2a、覆蓋本體2a的開口並密封本體2a內部的作為蓋子的板狀陶瓷2b、以及將陶瓷蓋子(lid)2b相對於本體2a進行粘結的粘結劑部2c。在粘結劑部2c中，採用環氧樹脂。於是，SAW器件中，在管殼2的一部分中，便形成了由環氧樹脂構成的透溼部分。
另外，通過由金(Au)構成的補片3的補片接合法將SAW濾波器1安裝於本體2a內時，在本體2a的內表面上，與各輸入輸入端子1c分別相對面的位置便形成了由金(Au)構成的內部端子2d。
在SAW器件中，採用ECR濺射法把作為保護膜(機能膜)的SiN膜4進行成膜，以全面覆蓋除了補片接合法位置以補的IDT 1b、輸入輸出端子1c、底座層1d以及具有它們的壓電基板1a的整個表面。
採用SiN膜4是為了提高SAW濾波器1的電極(IDT等)的耐溼性。SAW濾波器1為了降低成本及實現無鉛化而採用管殼2的樹脂密封化及塑料管殼。
在一般條件下，通過P-CVD方式將SiN膜進行了成膜時，為了獲得充分的耐溼性(這裡，是在60℃，90～95％RH中，採用外加6V負載的耐溼負載試驗進行評價)，最低限度其膜厚也需有10nm左右。
但是，在採用P-CVD進行成膜的場合，SAW器件的特性產生較大劣大，在2GHz帶寬的梯式濾波器場合，如與未進行任何成膜的SAW器件相比較，則可發現有0.3dB程度以插入損耗的劣化。在使用於RF頻帶的SAW器件中，這個0.3dB是較大的，即使改善了電極的設計，仍是一個無法掩蓋的值。
接下來，就採用ECR濺射裝置使SiN膜成膜的場合進行說明。說明ECR濺射裝置的原理。以(NTTフテイ株式會社製造的固體源ECR等離子成膜裝置)為例進行說明(詳細請參照精密工學會志Vol.66/NO.4,2000 pp511～516「採用ECR等離子的高品質薄膜形成」)。
在磁場中，對於正在進行旋轉運動的電子，如加入與旋轉頻率相同的微波則將引起共振。這就是電子回施共振(ECR)。
採用ECR時，能高效率地使電子加速，從而可能產生高密度的等離子區。圖2所示為ECR濺射裝置的代表例(所述NTTアフテイ制的裝置的概略圖)。
成膜的工序進行如下。由等離子室11周圍的磁線圈12使賦予ECR條件的磁場產生。在這個狀態下，氣體13導入管離子室11內，外加微波14則發生等離子區。該等離子區被引起作為等離子流15到達基板16。
該裝置的特徵是在等離子流15的周圍作為靶子(Target)17配置了固體源，並具有能以13.56MHz的頻率施加RF功率18的機能。於是，利用等離子15就能將被濺射的固體源的各種元素與等離子流15一起同時成膜於基板16上。
固體源採用Si、導入氣體脂用Ar+N2，則在基板16上SiN成膜，如採用Ar+O2，則SiO成膜。另外，倘採用Ar+N2+O2，則SiON成膜。
在RF濺射法及蒸鍍法的場合，基板需要加熱，而在實施形態所顯示的那樣，採用ECR濺射法場合，則無須特別對基板加熱，有可能室溫成膜。另外，在Si固體源的場合，以切升Si結晶的形式進行製造，因此有可能製造幾乎沒有不純物的固體源，其結果就能成膜出純度很高的膜。
這次因是SiN膜4的成膜，所以在固體源中，採用了自Si單結晶切開進行加工後的固體源。在以下條件下進行了成膜。
表1
圖3所示為在上述條件下採用ECR濺射法成膜的場合(圖3中的②)以及採用P-CVD法使膜厚10nm的SiN膜成膜的場合(圖3中的③)，SAW濾波器的各濾波器特性。
在上述條件下採用ECR法成膜的場合與未成膜的SAW濾波器(圖3中的①)相比，插入損耗幾乎沒有劣化。圖4(c)所示，未成膜的SAW濾波器1』系由圖1(c)所示的SAW濾波器1省去了SiN膜4。
圖5中，顯示了採用P-CVD法及ECR濺射法所分別使SiN膜成膜時的SAW濾波器插入損耗的膜厚依存性。由此結果也可明了採用了以ECR濺射法成膜的SiN膜作為保護膜的SAW器件，其特性劣化較少。
由圖5的結果，從SiN膜4的SAW器件特性劣化角度觀察，成膜上限值約為30nm(這次由於鉭酸鋰基板使用的2GHz帶寬濾波器，30nm相當於聲表面波(SAW)中心波長的2.0％)。
圖6顯示了採用ECR濺射法成膜的SiN膜(膜厚為1nm、3nm、5nm、10nm)的耐溼試驗結果。以插入損耗的劣化來觀察特性的劣化時，SiN膜的膜厚在1nm處能看到特性劣化，從耐溼性角度所要求的必要膜厚可以說在3nm以上。沒有SiN膜的，則為顯示於圖4(a)至(c)的SAW器件。
另外，在圖3、圖5中顯示的試驗結果中採用的各SAW器件均採用的是具有相同的IDT 1b及管殼2的規格的SAW器件，濾波器特性的差異起因於SiN膜4的有無以及成膜方法的不同。
ECR濺射法具有以下諸優點。SAW器件由於成膜時溫度的上升、下降，電荷將因其熱電性而蓄積於內部，往往使電極被破壞(熱電破壞)。為採取對策，另外設置了這樣一個工序，即不採用通常的電氣性連接，在外部將互為相對的IDT的各個電極相互連接起來，一旦成膜工序完成即馬上切斷其連接。但即使設置了這種連接仍無法完全避免IDT電極的破壞。因此，如EDR濺射法那樣，加熱工序少或可予以省略則對SAW器件的製造是有利的。
在壓電基板上採用LiNbO3基板時，通常用P-CVD使SiN成膜的溫度約達350℃，LiNdO3基板本身將劣化，插入損耗也將惡化。因此，P-CVD無法使用於LiNbO3基板，而ECR濺射法因在室溫下能成膜，所以即使對於易產生電極的熱電破壞的LiNbO3基板也能適用。
另外，作為ECR濺射法的其他優點，可舉出保護膜的平均性。與採用P-CVD法所得到的保護膜相比，由ECR濺射法所得到的保護膜更接近於平坦。保護膜因成膜於SAW的傳播部分，所以給予SAW器件的濾波器特性的影響將非常之大。
首先，採用P-CVD使保護膜成膜，在保護膜上發生空孔，保護膜對於電極、基板將形成均一的厚度，因而由上述空孔而成為凹凸較大的膜。這時，傳播該凹凸部分的SAW，其損耗變大。
然而，採用ECR濺射法所得到的保護膜，空孔的發生被抑制、保護膜很緻密、在電極的端面成楔形狀，接近於平坦、傳播該保護膜的SAW的損耗與P-CVD相比可以小得多。
進而，也可將氧化矽膜施加於保護膜上。通過施加上述氧化矽膜，在提高耐氣候性的同時，頻率調整也成為可能。採用ECR濺射法可以將氧化矽膜連續成膜。
下面，根據圖7對實施的第二形態進行說明。在實施的第二形態中，與實施的第一形態相同，作為用於提高耐溼性的保護膜設置了這樣一種保護膜。取代SiN膜4，按SiO膜～SiON膜～SiN膜的這個順序在IDT 1b上相互迭層而順序成膜的連續膜成了順序改變組成的保護膜。
這次，在以下條件下進行上述連續膜的成膜
表2
表3
表3的氣體流量的變化，(單位為sccmAr氣體，固定為40sccm)，階段①時的成膜速率為10nm/min，階段⑥時為4nm/min。
在這個①～⑥的階段中，SiO膜～SiON膜～SiN膜的連續膜在SAW器件上成膜約300nm。在各個階段中，使氣體流量連續地發生變化。
對上述連續膜的膜厚方向的各元素濃度(克分子％)進行了測量。其結果顯示於圖7中。該測量是用Ar氣體管將連續膜從其表面一側削除，通過例如原子吸光及ICP分析對已削除部分的元素的含量進行定量分別而進行的。
對在該條件下進行成膜的SAW濾波器特性進行測試(對照器件為2GHz帶寬的梯形濾波器)，與未成膜的相比，幾乎沒有劣化。
另外，將該器件放入用樹脂密封的管殼裡，通過耐溼負載試驗(60℃、90～95％RH的相對溼度中加以6V的負載)進行了評價，結果為經過1000H(小時)仍顯現充分的耐溼性。觀察試驗後的電極，未發現保護膜的剝離及裂縫。
表4
表4表示氣體流量的變化和折射率(單位sccmAr氣體為固定的40xccm)，成膜時的各階段中的折射率的測量結果。折射率為分析的關鍵指標，可以判明從siO(1.46)到SiN(1.97)為止是在連續地變化。另外，以SiO為最下層，因而能提高IDT 1b與連續層之間的粘結性。
下面，就涉及本發明實施的第三形態加以說明。在實施的第三形態中，設置了這樣一種多層膜，取代實施的第一形態中的SiN膜4，作為用於提高耐溼性的保護膜，其最下層(電極側)為SiO、中間層為SiN+SiO、最上層為SiN，以這種4層的多層結構而成膜的多層膜。
這次，以以下的條件進行了成膜。
表5
表6
通過該①～④階段，在SAW器件上，形成了具有最下層(電極側)為SiO、中間層為SiN+SiO、最上層為SiN那樣的4層多層結構的保護膜。測試以這種條件成膜的SAW濾波器的濾波特性(對照器件為2GHz帶寬的梯形濾波器)，與未成膜的相比，其結果幾乎無劣化。
另外，將該器件放入用樹脂密封的管殼裡，通過耐溼負載試驗(在60℃、90～95％RH的相對溼度中加以6V的負載)進行了評價，結果為經過1000H(小時)仍顯現充分的耐溼性。觀察試驗後的電極，未發現保護膜的剝離及裂縫。
從上述各實施的形態可明白本發明中，通過採用ECR濺射法無需對壓電基板1a進行加熱，因此不會發生在保護被形成時的溫度的上下所產生的IDT 1b等電極膜的破壞。另外，即便對於如鈮酸鋰(LiNbO3)基板那樣，一加熱基板特性就將發生變化的材料，本發明也有適用的可能。
上述的成膜條件作為一個例子，為提高成膜速率，可使氣體流量發生變化。另外，為說明SAW器件舉了一個例子，本發明並不受頻帶及SAW濾波器1的結構的約束。前面，曾列舉了採用補片接合法的例子，而即使是採用了引線接合法的SAW器件也同樣是有效的。
此外，在上述實施的各形態中，所舉的是盒子狀的管殼2的例子，而這並不受上述限定。例如，如圖8及圖9所示，也可為晶片尺寸的管殼22。上述晶片尺寸管殼22是這樣一種管殼，對多層基板24，用倒裝接合法將SAW濾波器1安裝以後，再如用密封樹脂26覆蓋那樣，在多層基板24上密封SAW濾波器1。這時，密封樹脂26是一種具有使水蒸氣透過的透溼性的構件。
在這種具有晶片尺寸管殼22的聲表面波裝置中，由於SAW濾波器1僅僅是用具有透溼性的密封樹脂26被密封的，因而與圖1所示的有底箱狀的管殼2相比，IDT 1b輸入輸出端子1c、底座層1d之類的，對SAW濾波器1的特性有影響的構件的保護是困難的。
然而，本發明中，通過由ECR濺射法所成膜的保護膜(機能膜)覆蓋了除SAW濾波器1的補片接合法的位置以外的IDT 1b、輸入輸出端子1c、底座層1d以及具有這些構件的壓電基板1a的表面上的全部，因而因由ECR濺射法所成膜的緻密的保護膜(機能膜)能提高耐氣候性，同時在SAW濾波器1的壓電基板1a中，即使在壓電基板1a與密封樹脂26相互接合的部分，保護膜(機能膜)也能成膜。
於是，本發明中，能防止來自水分特別易於侵入的壓電基板1a與密封樹脂26之間的界面的水分的侵入，進一步提高了耐氣候性。
本發明的SAW器件是這樣一種結構，如上所述，在壓電基板上設置IDT，用於提高耐氣候性的由SiN膜、SiO膜及SiON膜的至少一種構成的機能膜成膜在IDT上的至少一部分中，用至少在一部分具有透溼性的構件設置內裝具有IDT及機能膜的壓電基板的管殼，用ECR濺射法形成上述機能膜。
因此，上述結構由於採用ECR濺射法使機能膜成膜，因而能形成更緻密的機能膜，能確實地提高耐氣候性。另外，採用ECR濺射法，機能膜形成無需加熱壓電基板，從而能抑制因對設置於壓電基板上的IDT的加熱而引起的不良影響。
上述結構中，因能提高耐氣候性，所以即使在用環氧樹脂等廉價並能小型化的將例如具有透溼性的構件應用於管殼中，也能減低因吸溼引起的經時特性劣化，達到謀求降低成本的效果。
權利要求
1.一種聲表面波裝置，其特徵在於，
在壓電基板上設置叉指形電極部，
用於提高耐氣候性的由氮化矽膜、氧化矽膜及氧化氮化矽膜的至少一種構成的機能膜，成膜在叉指形電極部上的至少一部分中，
至少在一部分具有透溼性的構件中，設置了內裝具有叉指形電極部及機能膜的壓電基板的管殼，
利用電子回旋加速器共振濺射法，形成所述機能膜。
2.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其特徵在於，
內裝具有叉指形電極部及機能膜的壓電基板的管殼，具有用倒裝接合法封裝壓電基板而且使用具有透溼性的樹脂密封所述壓電基板的結構。
3.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其特徵在於，
所述機能膜是在室溫下成膜的。
4.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其特徵在於，
所述機能膜具有氮化矽膜，將所述氮化矽膜的膜厚設定在3nm以上，並在叉指形電極部中的聲表面波的波長的2.0％以下。
5.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其特徵在於，
機能膜在最下層(電極側)具有氧化矽膜，在中間層具有氧化氮化矽膜，在最上層具有氮化矽膜。
6.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其特徵在於，
中間層具有氮化矽膜與氧化矽膜相互迭層的多層結構。
7.一種聲表面波裝置，其特徵在於，
在壓電基板上設置叉指形電極部，
用於提高耐氣候性的包含氮化矽膜的機能膜，利用電子回旋加速器共振濺射法，成膜在叉指形電極部上的至少一部分中，
至少在一部分具有透溼性的構件中，設置了內裝具有叉指形電極部及機能膜的壓電基板的管殼，
所述機能膜沿膜厚方向氮濃度發生變化。
8.如權利要求7所述的聲表面波裝置，其特徵在於，
所述機能膜表面一側的氮濃度比叉指形電極部一側的氮濃度大。
9.如權利要求1所述的聲表面波裝置，其特徵在於，
所述機能膜上形成用於調整頻率的氧化矽膜。
10.一種聲表面波裝置的製造方法，聲表面波裝置在壓電基板上具有叉指形電極部，其特徵在於，
利用電子回旋加速器共振濺射法，將用於提高耐氣候性的由氮化矽膜、氧化矽膜以及氧化氮化矽膜中的至少一種構成的機能膜，成膜在叉指形電極部上的至少一部分中。
全文摘要
本發明揭示一種能夠減低插入損耗，同時具有良好耐氣候性，可降低成本的聲表面波裝置及其製造方法。在壓電基板1a上設置了叉指形電極部。利用ECR濺射法，將用於提供耐氣候性的由氮化矽膜、氧化矽膜以及氧化氮化矽膜中的至少一種構成的機能膜4，成膜在叉指形電極部1b上的至少一部分中。
文檔編號H03H3/08GK1412945SQ0214733
公開日2003年4月23日 申請日期2002年10月17日 優先權日2001年10月17日
發明者荒木信成 申請人:株式會社村田製作所