多區域垂直配向型液晶顯示面板、薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
2023-10-07 10:09:14
專利名稱：多區域垂直配向型液晶顯示面板、薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種顯示面板、主動元件陣列基板及其製造方法，且特別涉及一種多區域垂直配向型液晶顯示面板、薄膜電晶體陣列基板及其製造方法。
背景技術：
現有的液晶顯示器多朝向高亮度、高對比、大面積顯示與廣視角的趨勢發展，其中為了改善液晶顯示器的視角，已有多種廣視角技術被提出。目前較常見的廣視角液晶顯示器例如有多區域垂直配向式(Multi-DomainVertical Alignment，MVA)液晶顯示器、板內切換式(In-Plane Switching，IPS)液晶顯示器以及邊緣場切換式(Fringe Field Switching，FFS)液晶顯示器等等。就多區域垂直配向式液晶顯示器而言，其例如是在像素電極上形成多個條狀狹縫(slit)，並在相對的彩色濾光陣列基板上設置多個條狀凸起物(protrusion)，以通過狹縫與凸起物的搭配，使得液晶層內的液晶分子呈現多方向的傾倒，而達到廣視角顯示的效果。
請參照圖1所示，為一種公知多區域垂直排列型液晶顯示裝置中其中的一個像素的俯視示意圖。如圖1所示，基板(未表示)上設置有掃描配線102、數據配線104、薄膜電晶體120以及像素電極112。其中薄膜電晶體120包括有柵極106、通道層108以及源極/漏極110a/110b，且柵極106與掃描配線102電連接，源極110a與數據配線104電連接，而漏極110b通過接觸窗116而與像素電極112電連接。
特別是，為了增加液晶顯示器的視角，通常會在像素電極112中形成多個條狀狹縫114，且在具有彩色濾光層的另一基板(未表示)上設置多個條狀凸起物118。如此通過條狀狹縫114與條狀凸起物118的搭配，可以使得設置於兩基板之間的液晶分子呈現多方向的傾倒，進而達到增進液晶顯示器的視角範圍的目的。
雖然上述多區域垂直排列型液晶顯示器可以通過基板上的狹縫與凸起物的設計增加其視角範圍，而具有不錯的左右及上下的視角表現。但是，在中間調的顯示畫面下，正視或斜視此液晶顯示裝置時，仍會產生色偏的現象，而此現象對於液晶顯示裝置的顯示質量有很大的影響。請參照圖2所示，為公知的多區域垂直排列型液晶顯示裝置其施加電壓與透光率之間的關係圖，其中曲線R為正視時的V-T曲線(curve)，而曲線Q為斜視60度時的V-T曲線(curve)。由此關係圖中可知在低驅動電壓的操作狀況下時，斜視60度時的透光率會比正視時的透光率還大，此即表示在斜視時會發生漏光的現象，也會有偏白的情形。
發明內容
鑑於上述情況，本發明的目的就是提供一種薄膜電晶體陣列基板，其通過膜層的厚度變化來形成不同高度的結構，以增加液晶分子的傾倒方向，進而改善色偏或漏光等問題。
本發明的再一目的是提供一種多區域垂直配向型液晶顯示面板，其通過上述薄膜電晶體陣列基板來提供更多不同的液晶盒間隙(CELL GAP)，使得液晶分子具有更多的傾倒方向，進而改善色偏或漏光等問題。
本發明的又一目的是提供一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，適於製造上述薄膜電晶體陣列基板，用以液晶顯示面板內的液晶分子的傾倒方向，進而改善色偏或漏光等問題。
本發明的另一目的是提供一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的製造方法，適於製造上述多區域垂直配向型液晶顯示面板，以增加液晶分子的傾倒方向，並可改善色偏或漏光等問題。
基於上述或其它目的，本發明提出一種薄膜電晶體陣列基板，其包括基板、多條數據配線、多條掃描配線及多個像素結構。其中，數據配線與掃描配線設置於基板上，以定義出多個像素區域，而像素結構分別設置於像素區域內，並電連接至數據配線與掃描配線，以通過數據配線與掃描配線進行驅動。每個像素結構包括薄膜電晶體、像素電極及介電襯層，其中薄膜電晶體設置於基板上，且電連接至數據配線與掃描配線。此外，像素電極設置於薄膜電晶體上方，並電連接至薄膜電晶體，且像素電極具有相互平行的多個主狹縫。另外，介電襯層設置於基板上，並位於部分像素電極與基板之間。
在本發明的較佳實施例中，上述主狹縫例如是對應於介電襯層的邊緣。
在本發明的較佳實施例中，每一介電襯層例如包含有第一子襯層與第二子襯層，且此第一子襯層與第二子襯層具有不同的高度。
在本發明的較佳實施例中，此像素電極還具有多個側翼狹縫(fine slit)，設置於主狹縫的兩側。
在本發明的較佳實施例中，各薄膜電晶體分別包括柵極、柵絕緣層、通道層、源極/漏極與保護層。其中，柵極設置於基板上，而柵絕緣層設置於基板上，且覆蓋柵極。此外，通道層設置於柵絕緣層上對應於柵極之處，而源極/漏極設置於通道層之上，並電連接至其所對應的像素電極。另外，保護層設置於基板上，並覆蓋通道層與源極/漏極。
在本發明的較佳實施例中，上述柵絕緣層與保護層例如還延伸至薄膜電晶體之外，以構成介電襯層。
本發明提出一種多區域垂直配向型液晶顯示面板，其主要包括上述薄膜電晶體陣列基板、對向基板與液晶層。其中，對向基板對應於薄膜電晶體陣列基板設置，而液晶層設置於薄膜電晶體陣列基板與對向基板之間。
在本發明的較佳實施例中，上述對向基板例如是彩色濾光基板。
在本發明的較佳實施例中，上述對向基板例如包含多個配向凸起物。此配向凸起物例如是呈條狀排列，且其延伸方向與主狹縫的延伸方向相互平行。
本發明提出一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，此方法先提供基板，此基板上劃分有多個像素區域。接著，於此基板上形成柵極金屬層，並圖案化此柵極金屬層，以於各像素區域內形成柵極。之後，於此基板上形成柵絕緣層，且此柵絕緣層覆蓋於柵極之上。接著，於柵絕緣層上對應於各柵極處分別形成通道層。然後，於基板上形成源極/漏極金屬層，並圖案化此源極/漏極金屬層，以於各通道層上形成源極/漏極。接著，於此基板上形成保護層，以覆蓋此源極/漏極及通道層。然後，圖案化此保護層與柵絕緣層，以於基板上的各像素區域內形成介電襯層。之後，於基板上形成電極層，並將其圖案化，以於各像素區域內形成具有多個主狹縫的像素電極。此像素電極是通過保護層而電連接至其所對應的源極/漏極，且有一部分的像素電極覆蓋其所對應的介電襯層。
本發明還提出一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的製造方法，其在形成上述薄膜電晶體陣列基板之外，還包括提供對向基板，以及形成液晶層於基板與對向基板之間等步驟。
在上述薄膜電晶體陣列基板與多區域垂直配向型液晶顯示面板的製造方法中，圖案化此保護層與柵絕緣層的步驟，例如包括進行一道光刻掩膜工藝，以於此保護層中定義接觸窗，其暴露出部分源極/漏極，並且同時於各像素區域內形成介電襯層。此外，圖案化此保護層與柵絕緣層的步驟，例如還包括進行另一道光刻掩膜工藝，以移除部分介電襯層。如此一來，即可於基板上形成具有不同高度的多個第一子襯層與多個第二子襯層。
本發明以薄膜電晶體陣列基板上原有的柵絕緣層與保護層作為介電襯層，因此可在不增加光刻掩膜數目的狀況下，通過改變介電襯層的厚度，以於液晶顯示面板內產生不同的液晶盒間隙，使液晶產生更多不同的傾倒方向，進而改善漏光或色偏等問題。
為讓本發明的上述和其它目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。
圖1為一種公知多區域垂直排列型液晶顯示裝置中其中的一個像素的俯視示意圖。
圖2為公知的多區域垂直排列型液晶顯示裝置其施加電壓與透光率之間的關係圖。
圖3為通過兩個不同高度的結構所量測而得的V-T曲線(curve)相互補償後所得的施加電壓與透光率之間的關係圖。
圖4A為本發明的第一實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的薄膜電晶體陣列基板的局部俯視圖。
圖4B為圖4A中沿A-A』及B-B』剖面線所示的剖面圖。
圖5為薄膜電晶體陣列基板的另一種實施方式的剖面圖。
圖6A為本發明的第二實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的薄膜電晶體陣列基板的局部俯視圖。
圖6B為圖6A中沿C-C』剖面線所示的剖面圖。
圖7A為本發明的第三實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的薄膜電晶體陣列基板的局部俯視圖。
圖7B為圖7A中沿D-D』剖面線所示的剖面圖。
圖8A為本發明的第四實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板其薄膜電晶體陣列基板部分的局部俯視圖。
圖8B為沿圖8A中的E-E』剖面線所繪製的剖面圖。
圖9A至9G為本發明的第一實施例中其薄膜電晶體陣列基板的製造流程示意圖。
圖10為在基板上形成不同高度的第一子襯層及第二子襯層的剖面圖。
圖11為本發明的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的示意圖。
主要元件標記說明102掃描配線104數據配線
106柵極108通道層110a源極110b漏極112像素電極114條狀狹縫116接觸窗118條狀凸起物120薄膜電晶體200多區域垂直配向型液晶顯示面板210薄膜電晶體陣列基板211基板212掃配線213數據配線214薄膜電晶體2141柵極2142柵絕緣層2143通道層2144源極2145漏極2146保護層2146a接觸窗2151主狹縫2151a側翼狹縫
215像素電極216像素區域217介電襯層2171第一子襯層2172第二子襯層220彩色濾光基板222配向凸起物230液晶層232液晶分子240對向基板h1液晶盒間隙h2液晶盒間隙h3液晶盒間隙具體實施方式
請參照圖3，其為應用本發明的多區域垂直排列型液晶顯示裝置其施加電壓與透光率之間的關係圖。如圖3所示，曲線A與曲線B分別表示由兩種不同的液晶盒間隙所量測到的V-T曲線(curve)，而曲線C則為曲線A與曲線B混合後所得到的V-T曲線(curve)。本發明即是在面板內形成不同的液晶盒間隙，以通過此不同的液晶盒間隙相互補償，來縮小正視與斜視時的V-T曲線(curve)間的差異，進而改善漏光或色偏等問題。
圖4A為本發明的第一實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的薄膜電晶體陣列基板的局部俯視圖，而圖4B為圖4A的多區域垂直配向型液晶顯示面板沿A-A』及B-B』剖面線所示的剖面圖。
請同時參照圖4A及4B，多區域垂直配向型液晶顯示面板200主要由薄膜電晶體陣列基板210、彩色濾光基板220以及液晶層230所構成。其中，此薄膜電晶體陣列基板210與彩色濾光基板220相互平行地設置，而液晶層230由多個液晶分子232所構成，且是夾置於薄膜電晶體陣列基板210與彩色濾光基板220之間。
薄膜電晶體陣列基板210主要包括基板211、多條掃描配線212、多條數據配線213與多個像素結構。掃描配線212與數據配線213設置於基板211上，以定義出呈矩陣形式排列的像素區域216。此外，像素結構是分別設置於這些像素區域216內，並電連接於掃描配線212與數據配線213。
每個像素結構包括薄膜電晶體214、像素電極215及介電襯層217。薄膜電晶體214分別位於像素區域216內，並電連接於掃描配線212與數據配線213，以通過掃描配線212與數據配線213進行驅動。每一薄膜電晶體214包括柵極2141、柵絕緣層2142、通道層2143、源極2144、漏極2145與保護層2146。其中，柵極2141設置於基板211之上，柵絕緣層2142位於基板211之上，且覆蓋此柵極2141。此外，通道層2143設置於柵絕緣層2142之上，且對應於柵極2141的位置。源極2144與漏極2145是設置於通道層2143之上，且源極2144電連接於數據配線213。在源極2144與漏極2145之上設置有保護層2146，以保護下方的柵極2141、柵絕緣層2142、通道層2143、源極2144與漏極2145免於受潮或是結構受損，而此保護層2146具有接觸窗2146a，使位於像素區域216內的像素電極215可通過此接觸窗2146a電連接至薄膜電晶體214的漏極2145。介電襯層217設置於基板211上，並位於部分像素電極215與基板211之間。
在本實施例中，介電襯層217例如是由延伸於薄膜電晶體214之外的柵絕緣層2142與保護層2146所組成，而形成此介電襯層217的方法例如是在保護層2146中形成接觸窗2146a的同時，移除部分延伸於薄膜電晶體214之外的柵絕緣層2142與保護層2146。此外，像素電極215例如具有多個相互平行的主狹縫2151，而每個主狹縫2151對應於介電襯層217的邊緣。
彩色濾光基板220與薄膜電晶體陣列基板210相互平行，而液晶層230是由多個液晶分子232所組成，且設置於薄膜電晶體陣列基板210與彩色濾光基板220之間。其中，彩色濾光基板220的表面設置有多個配向凸起物222，其與像素電極215的主狹縫2151相搭配，以使液晶分子呈現不同方向的傾倒。在本實施例中，配向凸起物222例如是呈條狀，且其延伸方向與主狹縫2151的延伸方向相互平行。
由圖4A與4B可知部分像素電極215是直接形成於基板211之上，而部分的像素電極215是形成於介電襯層217之上，使得薄膜電晶體陣列基板210上的區域I與區域II間具有高度差，本發明即欲通過此兩個不同高度的區域，而產生多個領域，以縮小正視與斜視時的V-T曲線(curve)間的差異。更詳細地說，因區域I與區域II中具有不同的液晶盒間隙h1與h2，而會在區域I與區域II中產生不同大小的電場，使液晶產生不同的傾倒方向，進而達到自我補償的效果，以改善色偏與漏光的現象。
請參照圖5所示，為薄膜電晶體陣列基板210的另一種實施方式。此薄膜電晶體陣列基板210是在像素電極215上每一條主狹縫2151的兩側均連接多條側翼狹縫2151a，此側翼狹縫2151a將有助於增加多區域垂直配向型液晶顯示面板200的應答速度。
請參照圖6A所示，為本發明的第二實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板其薄膜電晶體陣列基板部分的局部俯視圖；圖6B所示，為沿圖6A中的C-C』剖面線所繪製的剖面圖。
此第二實施例的結構與第一實施例相似，不過，其介電襯層217被移除及保留下來的部分恰與第一實施例相反。此第二實施例同樣是通過具有不同的液晶盒間隙h1與h2的區域I與區域II來產生更多領域，以縮小正視與斜視時的V-T曲線(curve)間的差異。
請參照圖7A所示，為本發明的第三實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板其薄膜電晶體陣列基板部分的局部俯視圖；圖7B所示，為沿圖7A中的D-D』剖面線所繪製的剖面圖。
此第三實施例同樣是移除部分的介電襯層217，之後，再於基板211及部分介電襯層217上形成像素電極215。此第三實施例與第一實施例不同之處在於在像素電極215的兩相鄰主狹縫2151之間，僅有部分的介電襯層217被蝕刻掉，以在兩相鄰主狹縫2151之間形成不同的液晶盒間隙h1與h2。因此，通過此不同的液晶盒間隙，同樣可增加液晶的傾倒方向，進而達到自我補償的效果。
請參照圖8A所示，為本發明的第四實施例的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板其薄膜電晶體陣列基板部分的局部俯視圖；圖8B所示，為沿圖8A中的E-E』剖面線所繪製的剖面圖。在本實施例中，介電襯層217包括不同高度的第一子襯層2171及第二子襯層2172，其中通過此第一子襯層2171及第二子襯層2172可在多區域垂直配向型液晶顯示面板200內形成具有不同的液晶盒間隙h1、h2與h3的區域I、區域II與區域Ⅲ，以提供更多個領域。
當然，除上述實施例之外，本發明例如還可於基板上形成兩種以上具有不同高度的子襯層，以使液晶產生更多不同的傾倒方向。
請參照圖9A至9G所示，為本發明的第一至第三實施例的薄膜電晶體陣列基板210的製造流程示意圖，其製造流程說明如下。
首先，提供基板211，此基板211上劃分有多個呈矩陣形式排列的像素區域216(如圖4A所示)。接著，如圖9A所示，於基板211的表面上全面性地形成柵極金屬層，並利用光刻/蝕刻(Photolithography/Etching)工藝將此柵極金屬層圖案化，以於各像素區域216(如圖4A所示)內形成柵極2141。之後，如圖9B所示，於基板211上形成柵絕緣層2142，且此柵絕緣層2142是覆蓋於柵極2141之上，而此柵絕緣層2142可利用等離子體化學氣相沉積法(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition，PECVD)等方式沉積於基板211之上。
接著，如圖9C所示，於柵絕緣層2142上對應於柵極2141之處形成通道層2143。然後，如圖9D所示，於基板211上形成源極/漏極金屬層，並利用光刻/蝕刻工藝將此源極/漏極金屬層圖案化，以於各通道層2143上形成源極2144與漏極2145。
之後，如圖9E所示，於基板211上形成保護層2146，以覆蓋此通道層2143、源極2144與漏極2145。接著，如圖9F所示，進行一道光刻掩膜工藝，以圖案化此保護層2146與柵絕緣層2142，以於保護層2146中定義出接觸窗2146a，並於像素區域216內定義出介電襯層217的位置。此介電襯層217是由柵絕緣層2142與保護層2146延伸於薄膜電晶體214之外的部分所組成。
接著，如圖9G所示，於基板211上形成電極層，並將其圖案化，以於各像素區域216內形成具有多個相互平行的主狹縫2151的像素電極215。此像素電極215是通過保護層2146上的接觸窗2146a而電連接至薄膜電晶體214上的漏極2145，部分像素電極215是覆蓋於介電襯層217之上，而另一部分的像素電極215則是直接形成於基板211之上，以於薄膜電晶體陣列基板210上形成兩個具有不同液晶盒間隙的區域。其中，隨著介電襯層217的位置的不同，便可形成如上述第一至第三實施例所述的薄膜電晶體陣列基板210。
此外，在上述圖9F所示的步驟之後，還可再增加一道光刻掩膜工藝，以移除部分的介電襯層217。如此一來，如圖10所示，便可於基板211上形成具有不同高度的多個第一子襯層2171及第二子襯層2172。然後，在基板211上形成像素電極215，即可形成第四實施例所示的薄膜電晶體陣列基板210。
請參照圖11，其為本發明的一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的示意圖。當製造多區域垂直配向型液晶顯示面板200時，即可再提供對向基板240，例如是彩色濾光基板，並形成液晶層230於利用上述薄膜電晶體陣列基板210與此對向基板240之間，即可形成本發明的第一實施例至第四實施例中所披露的多區域垂直配向型液晶顯示面板200。同樣地，此對向基板240上例如設置有多個配向凸起物222，以與像素電極215的主狹縫2151相搭配，而達到多區域垂直配向的目的。
綜上所述，在本發明的薄膜電晶體陣列基板中，於圖案化柵絕緣層與保護層時，形成介電襯層。如此一來，即可在不增加光刻掩膜數目的狀況下，通過改變液晶顯示面板的液晶盒間隙，使液晶產生更多不同的傾倒方向，進而改善漏光或色偏等問題。
雖然本發明已以較佳實施例披露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與改進，因此本發明的保護範圍當視權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種薄膜電晶體陣列基板，其特徵是包含基板；多個數據配線及多條掃描配線，設置於該基板上，以定義出多個像素區域；多個像素結構，設置於上述這些像素區域內，並電連接至上述這些數據配線與上述這些掃描配線，以通過上述這些數據配線及上述這些掃描配線進行驅動，各該像素結構包括薄膜電晶體，電連接至上述這些數據配線與上述這些掃描配線；像素電極，設置於該薄膜電晶體上方，並電連接至該薄膜電晶體，且該像素電極具有多個主狹縫；以及介電襯層，設置於該基板上，並位於部分該像素電極與該基板之間。
2.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵是上述這些主狹縫對應於上述這些介電襯層的邊緣。
3.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵是各該介電襯層包括第一子襯層與第二子襯層，且該第一子襯層與該第二子襯層具有不同的高度。
4.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵是各該像素電極還具有多個側翼狹縫，其設置於上述這些主狹縫的兩側。
5.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵是各該薄膜電晶體分別包括柵極，設置於基板上；柵絕緣層，設置於該基板上，並覆蓋該柵極；通道層，設置於該柵絕緣層上對應於該柵極處；源極/漏極，設置於該通道層上，並電連接至其所對應的該像素電極；以及保護層，設置於該基板上，並覆蓋該通道層與該源極/漏極。
6.根據權利要求5所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵是該柵絕緣層與該保護層還延伸至該薄膜電晶體之外，以構成該介電襯層。
7.一種多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是包含薄膜電晶體陣列基板，包括基板；多個數據配線及多條掃描配線，設置於該基板上，以定義出多個像素區域；多個像素結構，設置於上述這些像素區域內，並電連接至上述這些數據配線與上述這些掃描配線，以通過上述這些數據配線及上述這些掃描配線進行驅動，各該像素結構分別包括薄膜電晶體，電連接至上述這些數據配線與上述這些掃描配線；像素電極，設置於該薄膜電晶體上方，並電連接至該薄膜電晶體，且該像素電極具有多個主狹縫；以及介電襯層，設置於該基板上，並位於部分該像素電極與該基板之間；對向基板，對應於該薄膜電晶體陣列基板設置；以及液晶層，設置於該薄膜電晶體陣列基板與該對向基板之間。
8.根據權利要求7所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是上述這些主狹縫對應於上述這些介電襯層的邊緣。
9.根據權利要求7所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是各該介電襯層包括第一子襯層與第二子襯層，且該第一子襯層與該第二子襯層具有不同的高度。
10.根據權利要求7所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是各該像素電極還具有多個側翼狹縫，其設置於上述這些主狹縫的兩側。
11.根據權利要求7所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是各上述這些薄膜電晶體分別包括柵極，設置於基板上；柵絕緣層，設置於該基板上，並覆蓋該柵極；通道層，設置於該柵絕緣層上對應於該柵極處；源極/漏極，設置於該通道層上，並電連接至其所對應的該像素電極；以及保護層，設置於該基板上，並覆蓋該通道層與該源極/漏極。
12.根據權利要求11所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是該柵絕緣層與該保護層還延伸至該薄膜電晶體之外，以構成該介電襯層。
13.根據權利要求7所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是該對向基板為彩色濾光基板。
14.根據權利要求7所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是該對向基板上包含有多個配向凸起物。
15.根據權利要求14所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板，其特徵是上述這些配向凸起物呈條狀，且其延伸方向與上述這些主狹縫的延伸方向相互平行。
16.一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，其特徵是包含提供基板，其中該基板上劃分有多個像素區域；於該基板上形成柵極金屬層，並圖案化該柵極金屬層，以於各該像素區域內形成柵極；於該基板上形成柵絕緣層，且該柵絕緣層覆蓋上述這些柵極；於該柵絕緣層上對應於上述這些柵極的多個通道層；於該基板上形成源極/漏極金屬層，並圖案化該源極/漏極金屬層，以於各該通道層上形成源極/漏極；於該基板上形成保護層，以覆蓋上述這些源極/漏極及上述這些通道層；圖案化該保護層及該柵絕緣層，以於該基板上的各該像素區域內形成介電襯層；以及於該基板上形成電極層，並將其圖案化，以於各該像素區域內形成具有多個主狹縫的像素電極，該像素電極通過該保護層而電連接至其所對應的該源極/漏極，且部分該像素電極覆蓋其所對應的該介電襯層。
17.根據權利要求16所述的薄膜電晶體陣列基板的製造方法，其特徵是圖案化該保護層及該柵絕緣層的步驟，包括進行一道光刻掩膜工藝，以於該保護層中定義多個接觸窗，其對應暴露出部分各該源極/漏極，並且同時於各該像素區域內形成該介電襯層。
18.根據權利要求16所述的薄膜電晶體陣列基板的製造方法，其特徵是圖案化該保護層及該柵絕緣層的步驟，還包括進行另一道光刻掩膜工藝，以移除部分上述這些介電襯層，而於該基板上形成具有不同高度的多個第一子襯層與多個第二子襯層。
19.一種多區域垂直配向型液晶顯示面板的製造方法，其特徵是包含提供基板，其中該基板上劃分有多個像素區域；於該基板上形成柵極金屬層，並圖案化該柵極金屬層，以於各該像素區域內形成柵極；於該基板上形成柵絕緣層，且該柵絕緣層覆蓋上述這些柵極；於該柵絕緣層上形成對應於上述這些柵極的多個通道層；於該基板上形成源極/漏極金屬層，並圖案化該源極/漏極金屬層，以於各該通道層上形成源極/漏極；於該基板上形成保護層，以覆蓋上述這些源極/漏極及上述這些通道層；圖案化該保護層及該柵絕緣層，以於該基板上的各該像素區域內形成介電襯層；於該基板上形成電極層，並將其圖案化，以於各該像素區域內形成具有多個主狹縫的像素電極，該像素電極通過該保護層而電連接至其所對應的該源極/漏極，且部分該像素電極覆蓋其所對應的該介電襯層；提供對向基板；以及形成液晶層於該基板與該對向基板之間。
20.根據權利要求19所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板的製造方法，其特徵是圖案化該保護層及該柵絕緣層的步驟，包括進行一道光刻掩膜工藝，以於該保護層中定義多個接觸窗，其對應暴露出部分各該源極/漏極，並且同時於各該像素區域內形成該介電襯層。
21.根據權利要求20所述的多區域垂直配向型液晶顯示面板的製造方法，其特徵是圖案化該保護層及該柵絕緣層的步驟，還包括進行另一道光刻掩膜工藝，以移除部分上述這些介電襯層，而於該基板上形成具有不同高度的多個第一子襯層與多個第二子襯層。
全文摘要
一種多區域垂直配向型液晶顯示面板、薄膜電晶體陣列基板及其製造方法，此薄膜電晶體陣列基板包含有基板、多條數據配線、多條掃描配線與多個像素結構，此數據配線與掃描配線是設置於基板上，以定義出多個像素區域，而此像素結構是分別設置於各像素區域內，其包含有薄膜電晶體、像素電極與介電襯層，此薄膜電晶體是電連接於數據配線與掃描配線，而此像素電極是位於薄膜電晶體的上方，並電連接於薄膜電晶體且具有多個主狹縫，而此介電襯層是位於基板上，且位於部分的像素電極與基板之間，使液晶產生更多不同的傾倒方向。
文檔編號H01L21/02GK1924684SQ20051009856
公開日2007年3月7日 申請日期2005年9月2日 優先權日2005年9月2日
發明者黃俊益 申請人:中華映管股份有限公司