半導體雷射器件的製作方法

2023-10-31 03:14:42

專利名稱：半導體雷射器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種雷射器件，該器件可在光讀出器件、光傳輸、光碟系統或任何其他光檢測系統中用作光源。
迄今，已使用過各種類型的半導體雷射器件。諸如圖43和44所示的稱之為組合型的器件在本技術領域也已眾所周知。圖43和44通過除去保護樹脂層的中部縱剖面圖和透視圖，來表示已有技術的組合型半導體雷射器件。
圖43和44所示的已有技術雷射器件包括一個由鋁製成的襯底362，其一面鍍有鎳或金。襯底362包含有用焊料，例如銦固定在襯底電鍍表面上的輔助安裝座363。該輔助安裝座363實際上為矩形，且由外表面形成了鋁線365和366的矽製成。鋁線365穿過氧化矽膜364，用於給雷射二極體晶片369供電源，而鋁線366則用於從輔助安裝座363上獲得電流，正如後面將要討論的那樣，該電流是由於監視器元件367工作而在輔助安裝座363上產生的。
輔助安裝座363中部的鋁線365上形成一焊接面，通過澱積導電釺焊材料，將雷射二極體晶片369焊在該面上。雷射二極體晶片369有彼此相對的兩個雷射束髮射端面，安裝在輔助安裝座363上時，其中一個雷射束髮射端面369a向外發射雷射束，另一個發射端面369b向內側發射雷射束，在下文中，將向外發射雷射束的端面稱為前發射端面，將向內側發射雷射束的端面稱為後發射端面。在輔助安裝座363外表面中心區域，接近雷射二極體晶片369後發射端369b的部位，整體地製作有監視器元件367。這個監視器元件367由向輔助安裝座369的外表面擴散p-型雜質形成PN結而形成的光電二極體元件構成，而且與鋁線366作電連接。
鋁線365和366都用線W1和W2分別焊到與襯底362連接的撓性電路板371上形成的引線371a和371b上。該雷射二極體晶片有一負極，它藉助於焊接的線W4連接到焊點368上，通過製作在氧化矽膜364上的窗口與輔助安裝座363內連，從而保持雷射二極體晶片369的負極與襯底362的電連接關係。
襯底362本身用線W3與撓性電路板371的引線371C絲焊。
雷射二極體晶片369被覆著透明樹脂372，該樹脂不僅覆蓋著雷射二極體晶片369前發射端面369a，而且一直覆蓋到雷射二極體晶片369的內側，使得在後發射端369b與監視器元件367之間，形成互通的固體波導472a。
透明的樹脂372是採用環氧樹脂或矽酮樹脂，當它為液態時，澱積在雷射二極體晶片369上。由於表面張力的作用，當液態樹脂覆蓋在前發射端面369a上時，將會逐漸變成透明樹脂372的液態樹脂具有平滑表面膜。當這樣的液態樹脂硬化或固化時，在保持平滑形狀的同時，固化了樹脂的平滑表面膜，結果是，固化時形成平滑發射面。
包括輔助安裝座363，其上焊有雷射二極體晶片369和監視器元件367，撓性電路板371端部和焊絲W1到W4的組裝件還包覆以保護樹脂層373。
可是，發現如圖43和44所示的現有技術雷射器有以下問題。第一點，包覆在雷射二極體晶片369的前發射端面的透明樹脂372的厚度不可能被具體地限定。由於前發射端面369a與透明樹脂372間光的多重反射，透明樹脂372的厚度越厚，對雷射發射特性的幹擾往往越大。因此，現有技術的雷射器件就不能滿意地用於光碟錄和/或放系統。
圖45是用圖解說明當包覆雷射二極體晶片369的前發射端面369a的透明的樹脂372的厚度為1000μm時，所顯示的雷射發射特性。如圖45的曲線所示，因在前發射端面369a與透明樹脂372的表面間發生多重反射，所以，雷射束不具有單峰特性，從而這裡所示的現有技術的雷射器件不能用作光碟錄和/或放系統的光源。應當注意到，在圖45的曲線圖中，曲線θ∥表示相對有源層為水平方向的雷射束分布圖形，而θ⊥表示相對於有源層為垂直方向分布圖形。
第二點，萬一塗敷透明樹脂372不適當，以致其表面未能平行於前發射端面369a，就會出現另一個問題，即，由於透明作用，光軸會偏移。圖46說明當透明樹脂372的表面未能平行於前發射端面369a時，所顯示的雷射發射特性。從圖46的曲線中可以清楚地看出光軸明顯偏移了，所以，現有技術的雷射器件不能用作光碟錄和/或放系統的光源。
還有，當透明樹脂372覆蓋雷射二極體晶片369的前發射端面時，樹脂厚度要超過550μm的數值時，就應考慮使用不同性質的材料作為透明樹脂372的兩次塗敷樹脂層，以便作為減輕應力的裝置。但是，通過兩次塗敷樹脂層來形成透明樹脂372，會在每層塗敷樹脂與前發射端面369a之間產生雷射束的多次反射，使得雷射器件不能用作光碟錄和/或放系統的光源。
圖47是局部剖開的透視圖，表示目前市場上出售的半導體雷射器件的一般結構。參看圖47，現有技術的半導體雷射器件包括其上安有熱沉304的管座303。熱沉304其上承裝著半導體雷射晶片301，並用導線307與引線端做電聯接。管座303還有一安裝其上的監視器光電二極體晶片302，而且通過導線308與引線端306電聯接。安裝在管座303上的半導體雷射晶片301和監視器光電二極體晶片302，兩者都用其上有雷射束射出玻璃窗口309的管帽310基本上密封起來。
在圖47所示的現有技術半導體雷射器件結構中，因為管座303和管帽是彼此獨立的零件，又很貴，所以，不僅組裝複雜費時，而且難以減小半導體雷射器件的尺寸。
鑑於上述情況，曾提出如圖48和49所示的其他現有技術的半導體雷射器件。圖48是平面圖，表示在製造半導體雷射晶片過程中的支架，而圖49則是沿圖48的A-A線的剖面圖，表示單個半導體雷射晶片。
如圖48所示，插入式引線框架313(其中將引線框架和保持架部件集成在一起)有許多引線314，每個引線上安有半導體雷射晶片311。又將監視器光電二極體晶片312分別安裝在覆蓋了樹脂層315的各個半導體雷射晶片311的內側。
位於各個引線314兩側並且與之平行的兩根平行引線316和317都用相應的保持構件318與相應的引線314連接定位。各個半導體雷射晶片311和相應的監視器光電二極體晶片分別用導線319和320與引線316和317連接。切除引線框架313的引線314的根部，就可以獲得相應數量的半導體雷射器件。
根據圖48和49所示的現有技術的半導體雷射器件，因半導體雷射晶片311覆蓋著樹脂層315，所以，其好處是，可以不用管帽310，例如，圖47所示的半導體雷射器件的管帽。此處，因將單個的半導體雷射晶片311裝在插入式引線框架313上，所以，不僅簡化了半導體雷射器件的製造工藝過程，而且半導體雷射器件便宜，還能使尺寸緊湊。
然而，因為在圖48和49所示的每個半導體雷射器件的結構中都有用樹脂層包覆或裸露於外面的半導體雷射晶片311，監視器光電二極體晶片312以及導線319和320，所以問題在於，半導體雷射器件易受外力作用，並且要求在使用時極其小心。
作為其他的現有技術的半導體雷射器件，還有一種金屬封裝型，如圖50所示。所示的金屬封裝型半導體雷射器件包括管基321、安裝在管基321上的管座322、安裝在管座322的側面322a上的半導體雷射晶片323。安裝在管座322側面322a上並且與半導體晶片323隔一定位置的監視器光電二極體324、以及安裝在管座322的上表面322b的檢測光電二極體晶片325。管基321有一固定於其上的金屬管帽326以便密封該管座322，而所述的金屬管帽326有一在金屬管帽326頂面形成的玻璃窗口330。在金屬管帽326的頂面上還安裝了上表面形成全息圖(hologram)327a的玻璃塊327，以便蓋住玻璃窗口330。
使用圖50所示的半導體雷射器件時，從半導體雷射晶片323發射出來的第一雷射束，射向監視器光電二極體324，而第二雷射束則射向金屬管帽上的玻璃窗口330。於是，第二雷射束穿過玻璃窗口330和玻璃塊327，再從全息圖327a射向外面。從全息圖327a向外射出的第二雷射束，射向信息載體(未示出)，例如光碟，然後反射，射到全息圖327a上。反射到全息圖327a上的第二雷射束通過全息圖被衍射，再射到檢測光電二極體晶片325上。
在圖50所示的現有技術的半導體雷射器件中，因半導體雷射晶片323表面會受大氣中所含的溼氣組份的有害影響，並會由此降低雷射器的發射特性，所以要在金屬管帽326內充上隋性氣體，因此，不僅因為圖50所示的半導體雷射器件需用高價的惰性氣體和帶玻璃窗330的高價金屬管帽326，還因為充灌惰性氣體和金屬管帽326玻璃窗的鑲嵌都需要複雜的裝配過程，以致整個半導體雷射器件會變得很昂貴。
本發明的目的是，提供一種改進的半導體雷射器件，該器件既無雷射束髮射特性的單峰損失，又無光軸偏移，能滿意有效地用作光碟錄和/或放設備的光源。
本發明的另一個目的是，提供一種改進的半導體雷射器件，該器件能有效並很好地保護半導體雷射晶片、監視器光電二極體晶片以及使它們與對應導體相互電連接的導線，還能容易地製造出尺寸緊湊、成本低廉的器件。
本發明的又一個目的是，提供一種改進的半導體器件，其中，用樹脂層覆蓋半導體雷射晶片，使整個器件具有滿意的環境穩定性。
根據本發明的第一實施方式，半導體雷射器件包括一基座、一半導體雷射晶片和包封雷射晶片的樹脂層。該樹脂層由單層合成樹脂製成，並覆蓋著雷射晶片的前發射端面。
而且，樹脂層厚度不大於500μm，其表面實際上平行於雷射晶片的前發射端面。
這樣，雷射束就從安裝在基座上且用由單層合成樹脂製成的樹脂層覆蓋的半導體雷射晶片的前發射端面發射出來。此外，因覆蓋雷射晶片前發射端面的樹脂層的厚度不大於500μm，所以，發自雷射晶片的雷射束不會因多次反射而受到影響，使束髮射特性呈單峰狀。
而且，覆蓋著雷射晶片前發射端面的樹脂表面與相應的前發射端面平行，因而由雷射晶片射出的雷射束不會產生透鏡效應，在雷射束髮射特性方面也就必然地不會發生光軸偏移。
更可取的是，基座可以為管座，而半導體雷射器件還可以包括安裝在管座上並且位於雷射晶片內側的光電二極體晶片，在這樣的裝置中，雷射束分別從安裝在管座上並由單層合成樹脂製作的樹脂層覆蓋著的雷射晶片的前、後發射端面射出。利用安裝在管座上並位於雷射晶片內側的監視器光電二極體，通過使雷射晶片的後發射端面所發射的雷射束射到監視器光電二極體晶片上，有效地監控雷射束的功率。
另外，因如上所述的覆蓋雷射晶片前發射端面的樹脂層厚度不大於500μm，而且其表面還平行於雷射晶片的前發射端面，所以，從雷射晶片前發射端面向外發射的雷射束呈現既無單峰損失又無光軸偏移的束髮射特性。
另一方面是，基座可以是引線框架，而可將雷射晶片通過一輔助安裝座安裝在引線框架的一條引線上。這種情況下，半導體雷射器件還可包括一個安裝在一條引線上並位於雷射晶片內側的監視器光電二極體，監視器光電二極體的光接收面基本上垂直於雷射晶片的後發射端面。
本裝置中，通過輔助安裝座將雷射晶片安裝在引線框架的引線上，並且用單層合成樹脂製成的樹脂層覆蓋在該雷射晶片上，從雷射晶片的前發射端面射出的雷射束能夠呈現以下發射特性，即，無單峰損失並且沒有光軸偏移，這是因為覆蓋雷射晶片前發射端面的樹脂層的厚度不超過500μm，而且其表面與雷射晶片的前發射端面相平行。
另一方面，利用安裝在引線上並位於雷射晶片內側的監視器光電二極體，可有效地監控從該雷射晶片的後發射端面射出的雷射束。
還有一個方案，基座可以是引線框架，在該引線框架的一條引線的一部分，就是雷射晶片往內的部位，是傾斜的，以便面對雷射晶片的後發射端面。這種情況下，將監視器光電二極體安裝在引線框架的一條引線的傾斜部分上。
根據這個方案的裝置，通過輔助安裝座將雷射晶片安裝在引線框架的引線上，並且在雷射晶片上覆蓋一層由單層合成樹脂製成的樹脂層，該樹脂層的厚度不大於500μm，其表面與雷射晶片的前發射端面平行，從這種雷射晶片的前發射端面射出的雷射束能夠呈現一種既無單峰損失又無光軸偏移的束髮射特性。
還有，用監視器光電二極體，能有效地監控從雷射晶片的後發射端面射出的雷射束，而這個光接收面傾斜的監視器光電二極體在引線上的安裝位置位於雷射晶片的內側，以便使之面對雷射晶片的後發射端面，因為，雷射束要有效地照射在監視器光電二極體的光接收面上。
再一個方案是，基座仍可以是引線框架，引線框架的一條引線的一部分，就是雷射晶片往內的部位是裡凹的，在這種情況下，將監視器光電二極體安裝在該引線框架的一條引線的凹部，使監視器光電二極體的光接收面基本上垂直於雷射晶片的後發射端面。
此處，將監視器光電二極體安裝在凹處，由於用樹脂覆蓋雷射晶片的前發射端面，而該樹脂是由單層合成樹脂製成的，厚度不大於500μm，而且其表面與雷射晶片的前發射端面平行，因此，從雷射晶片的前發射端面射出的雷射束，因該雷射晶片是通過輔助安裝座安裝在引線框架的一條引線上並且由單層合成樹脂構成的樹脂層覆蓋，樹脂層的厚度不大於500μm，其表面還與雷射晶片的前發射端面平行，所以，能夠呈現一種既無單峰損失又無光軸偏移的束髮射特性。
還有，從雷射晶片的後發射端面射出的雷射束能量能夠有效地投射到監視器光電二極體的光接收面上，而該監控器光電二極體安裝在雷射晶片往內位置的引線凹部，通過該管有效地加以監控。
根據本發明的第二實施方式，提供一種半導體雷射器件，它包括基座、半導體雷射晶片及密封該雷射晶片的樹脂層。在這種器件中，監視器光電二極體的光接收面接收雷射二極體晶片後端面射出的雷射束;安裝雷射晶片的安裝面要高於監視器光電二極體的光接收面。雷射二極體晶片和監視器光電二極體是這樣安裝在基座上的，以便使光接收面與雷射二極體晶片的後發射端面的雷射束髮射方向基本上彼此垂直。
更可取的是，基準標誌可以設在基座上的預定位置，用來模片鍵合雷射二極體晶片，和/或密封雷射二極體晶片的樹脂層可以具有不小於10μm的樹脂厚度。
根據本發明第二實施方式的半導體雷射器件，不僅能夠增加雷射束射到監視器光電二極體的效率，而且雷射器組件可做得尺寸緊湊。也就是說，利用基準標誌有利於這種器件的生產而且有利於增加模片鏈合的精度。若密封雷射二極體晶片的樹脂層厚度不小於10μm，則就能有效地保護半導體雷射器件不受環境溼氣帶來的任何有害影響。
根據本發明的第三實施方式，提供一種半導體雷射器件，它包括基座、安裝在基座上的半導體雷射晶片、密封雷射晶片的樹脂層、安裝在基座上並適於接收從雷射晶片射出的雷射束的監視器光電二極體、使雷射晶片與第1導體電連接的第1導線、使光電二極體晶片與第2導體電連接第2導線和整體地裝配到基座上，為的是至少密封雷射晶片、光電二極體晶片以及第1和第2導線，從而使它們免受外力損害的保護部件。
根據本發明第三實施方式的半導體雷射器件，因為在安裝了雷射晶片和光電二極體晶片的基座上固定安裝了保護部件，至少把雷射晶片、適於接收從雷射晶片射出的雷射束的光電二極體晶片、用於使雷射晶片與第1導體電連接的第1導線以及用於使監視器光電二極體與第2導體電連接的第2導線密封在該保護部件中，所以，能保護它們免受外力損傷。
最好，基座可以是引線框架的第一條引線，而保護部件則是一端用底座封閉的常規圓筒形管殼，引線框架的各引線則從管殼座伸出。
這種情況下，由於雷射晶片和監視器光電二極體晶片都被安裝在引線框架的引線上，引線又通過底座伸進一端由底座封閉的圓筒形管殼之內、因而使雷射晶片、監視器光電二極體晶片以及分別與這些晶片連接的第1和第2導線密封在保護部件內，使之不受外力損傷。
另一種方案，可用引線框架的各引線，分別構成基座、第1導體以及第2導體，而這裡，保護部件還是一端用底座封閉的常規圓筒形管殼且其內周面上開有至少兩個軸向槽，通過將最外兩個引線插入相應的槽內，把引線裝入保護部件中而使它們組合成一體。
根據本方案的裝置，當一端用底座封閉的圓筒形管殼被安裝在引線框架上時，其中一引線上安裝了雷射晶片和監視器光電二極體，且都用樹脂層覆蓋上，而其引線則分別通過第1和第2導線與雷射晶片及監視器光電二極體作電連接，因保護管殼的內周面上形成了槽，這些軸向槽成為最外側引線的導槽，將最外側引線的側邊插入相應的槽中。
保護部件可以是一種帶有窗口的封閉結構，該窗口可讓雷射晶片射出的雷射束穿過，使雷射束能射到保護部件的外面，而保護部件的內表面塗上了一層光吸收層。
在此情況下，因為密封雷射晶片、監視器光電二極體和導線的保護部件是帶有窗口的封閉結構，而窗口可讓雷射晶片射出的雷射束穿過，使雷射束能射到保護部件的外面，所以，能夠將通過窗口的任何可能進入保護部件的外來光有效地降至最低程度。即，通過窗口進入保護部件的少量光會被光吸收層吸收。所以，通過將有關外來光可能帶來的影響降至最低程度，可以精確地控制雷射晶片向外發射的雷射束的強度。
再一個方案，該保護件可以包含一個光學構件，它位於雷射晶片所射出的雷射束向保護部件外傳播的路徑上。
在使用光學構件的情況下，雷射晶片向外射出的雷射束穿過該光學構件。而且，射到外邊的雷射束與光學構件的特性密切相關。任何情況下，保護部件上都可以設置一個基準面，當其上安裝了雷射晶片的基座安裝到外部設備上時，就用該基準面來確定基準位置。
當其上已安裝了雷射晶片的基座要裝到外部設備上時，設置在保護部件上的基準面要實現與設備的基準面對接，所以，半導體雷射器件相對於外部設備的定位可以很好地、精確地控制。
根據本發明的第四實施方式，提供一種半導體雷射器件，它包括管座、安裝在管座上的半導體雷射晶片、安裝在管座上並適於接收雷射晶片射出的雷射束的監視器光電二極體晶片、安裝在管座上，用來密封雷射晶片和光電二極體晶片的管帽、以及設置在管帽上的全息圖，雷射晶片發射的雷射束經反射後投射到全息圖上。本半導體雷射器件可以包括一個檢測光電二極體，用來檢測由雷射晶片發射、然後經反射後的雷射束，或者還可以包括一層透明樹脂層，它密封了雷射晶片、監視器光電二極體和檢測光電二極體中的至少雷射晶片;但是也可以不包括上述檢測光電二極體以及上述透明樹脂層，或者不包括兩者中的一個。
根據本發明第四實施方式的半導體雷射器件，雖然使用了管帽，但既不使用昂貴的惰性氣體，也不用窗玻璃，象現有技術的器件那樣蒙上窗口的昂貴金屬管帽。因此，與現有技術的半導體雷射器件相比，能夠以低成本來製造該器件，而無需任何複雜的組裝工藝過程，但具有優良的環境穩定性。
參見附圖，其中相同的零件用相同的標號表示，從下述的最佳實施例的描述，本發明的上述和其他目的以及特點將變得更清楚，其中

圖1是按照本發明的第1實施例的半導體雷射器的一部分的剖面圖;
圖2是按照本發明的第2實施例的半導體雷射器件的一部分的剖面圖;
圖3是按照本發明第3最佳實施例的半導體雷射器件的平面圖;
圖4是從另一方向來觀察圖3所示的半導體雷射器件的縱剖視圖;
圖5是按照本發明第4實施例的半導體雷射器件的透視圖;
圖6是表示圖5所示引線框架的示意平面圖;
圖7是按照本發明第5實施例的半導體雷射器件的透視圖;
圖8是表示圖7所示引線框架的示意平面圖;
圖9是按照本發明第6實施例的半導體雷射器件的透視圖;
圖10是表示圖9所示引線框架示意平面圖;
圖11是表示本發明的雷射器件所呈現的雷射發射特性曲線;
圖12是按照本發明第7實施例的半導體雷射器件的示意透視圖;
圖13是圖12所示半導體雷射器件的中部縱剖視圖，圖14是表示用於製造圖12所示半導體雷射器件的引線框架的平面圖;
圖15是按照本發明第8實施例的半導體雷射器件的示意透視圖;
圖16是表示用於製造圖15所示半導體雷射器件的引線框架的平面圖;
圖17是表示按照本發明第9實施例的半導體雷射器件的樹脂厚度和劣化時間之間的關係圖表;
圖18是表示半導體雷射束保持良好特性的時間與工作電流的改變率之間關係的曲線圖;
圖19是按照本發明第10實施例的半導體雷射器件的示意透視圖;
圖20是圖19所示的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖21是用於製造圖19所示的半導體雷射器件的引線框件平面圖;
圖22是用於圖19所示的半導體雷射器件的保護部件透視圖，表示如何組裝該保護部件;
圖23是按照本發明第11實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖24是按照本發明第12實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖25是按照本發明第13實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖26是按照本發明第14實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖27是按照本發明第15實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖28是按照本發明第16實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖29是按照本發明第17實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖30(a)至30(f)說明按照本發明第18實施例的半導體雷射器件的製造步驟;
圖31和32是示意透視圖，表示將固定部件結構和引線框架裝入保護部件框架中的方法;
圖33是表示按照本發明第19實施例的半導體雷射器件的透視圖;
圖34是按照本發明第20實施例的半導體雷射器件的透視圖;
圖35是按照本發明第21實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖36是按照本發明第22實施例的半導體雷射器件的示意縱剖視圖;
圖37是圖36所示的半導體雷射器件的側視圖;
圖38是按照本發明第23實施例的半導體雷射器件的透視圖;
圖39是圖38所示的半導體雷射器件的側視圖;
圖40是按照本發明第24實施例的半導體雷射器件的剖視圖;
圖41是按照本發明第25實施例的半導體雷射器件的示意剖視圖;
圖42是與圖41相同的視圖，表示按照本發明第26實施例的半導體雷射器件。
圖43是現有技術的半導體雷射器件之一的縱剖視圖;
圖44是圖43所示的現有技術半導體雷射器件的透視圖;
圖45是曲線圖，表示現有技術的半導體雷射器件的雷射發射特性，其中半導體雷射晶片的前發射端面上的樹脂層厚度為10000μm;
圖46是曲線圖，表示現有技術的半導體雷射器件的雷射發射特性，其中覆蓋在半導體雷射晶片的前發射端面上的樹脂層的平直表面與前發射端面不平行;
圖47是切掉一部分後的透視圖，表示現有技術的另一種半導體雷射器件;
圖48是用於製造現有技術的又一種半導體雷射器件的引線框架平面圖;
圖49是沿圖48的A-A線的剖視圖;以及圖50是現有技術的再一種半導體雷射器件的縱剖視圖。
首先，參照表示本發明第1最佳實施例的半導體雷射器件的圖1，圖中示出了一個管座3(可以由引線框架替換)和模片鍵合於管座3外端部的雷射二極體晶片1。
從管座3的外端部到雷射二極體晶片1的表面，再到管座3的上表面，整個區域都用樹脂層覆蓋起來。該樹脂層2是這樣覆蓋的，正對雷射二極體晶片1的向外發射雷射束的端面(此後稱之為前發射端面)的樹脂層2的厚度不大於500μm，同時，該處樹脂層2的平直表面與前發射端面平行。樹脂層2可以由透明合成樹脂諸如矽酮樹脂或聚醯亞胺樹脂製成。
圖2表示本發明第2最佳實施例的半導體雷射器件。本實施例中，將雷射二極體晶片11模片鍵合於常規T剖面管座13的「T」形的垂直臂頂部，使雷射二極體晶片11的前發射端面11a可以與管座13的頂部端面齊平。在「T」形的垂直和橫向臂之間結合處，將監視器光電二極體15模片鍵合於管座13的緊靠垂直臂的橫向臂部。
還在圖2所示的實施例中，在管座13上塗覆樹脂層2，使其覆蓋管座13的垂直臂端面、和緊靠垂直臂的橫向臂部，同時還覆蓋雷射二極體晶片11和監視器光電二極體15。當然，面對雷射二極體晶片11的前發射端面的那部分樹脂層2，其樹脂厚度不大於500μm，而且其平直的表面與雷射二極體晶片11的前發射端面11a平行。
圖3和4表示本發明第3最佳實施例的半導體雷射器件。根據本實施例，為了提高生產率，要把許多雷射二極體晶片12和相應數目的監視器光電二極體25安裝在各引線24上。此時，將每個雷射二極體晶片21通過輔助安裝座26進行模片鍵合，要考慮到光入射到對應監視器光電二極體25上的光量。應注意，標號21a是表示每個雷射二極體晶片21的前發射端面，而標號28表示連條。
在圖3所示的半導體雷射器件中，各雷射晶片21和監視器光電二極體25都通過相應輔助安裝座26，被安裝在插入型引線框架24和27(用塑料固定件27固定成一體的一種引線框架)的各引線上。雖然未示出，但形成的樹脂層，要覆蓋每個雷射二極體晶片21的前發射端面，並且每個雷射二極體晶片21的前發射端面對的那個部分樹脂層的樹脂厚度不大於500μm，同時其平直的表面與前發射端面平行。
另一方面，在圖4所示的半導體雷射器件中，在已經與連條分開的一條引線24上，安裝有雷射二極體晶片21和監視器光電二極體25。雷射二極體晶片21和監視器光電二極體25則都用樹脂層2予以覆蓋，而雷射二極體晶片21的前發射端面21a正對的那部分樹脂層2的厚度不大於500μm，同時，其平直表面與相應的前發射端面平行。
應注意到，可以採用一種結構，使監視器光電二極體和輔助安裝座26結合成整體。
現在，參照圖5和圖6，說明本發明的第4最佳實施例，這裡，所示的半導體雷射器件是通過下列步驟製成的，首先衝壓引線34的一部分，形成一個常見的V-型槽，在引線34的端部部分留下安裝表面區，將雷射二極體晶片引線模片鍵合到引線34的安裝表面區，最後將監視器光電二極體35模片鍵合到V-型槽39的其中一個面上，一般來說，這個面朝向雷射二極體晶片31。還在本實施例中，用樹脂層2覆蓋雷射二極體晶片31和監視器二極體35，而雷射二極體晶片31的前發射端面正對的那部分樹脂層2的厚度不大於500μm，同時其平直的表面與發射端面31a平行。
圖6表示引線框架的形狀，其中通過一連條將一組如圖5所示的引線34連接在一起，製造圖5所示的半導體雷射器件時，就同這種引線框架。
如上所述，在本發明的第4最佳實施例中，因將監視器光電二極體35模片鍵合到引線34的V-型槽39的一個斜面上，該斜面又朝向模片鍵合在靠近這個引線34端部的安裝表面區上的雷射二極體晶片31，所以，從雷射二極體晶片31射出的雷射束無疑地會射到監視器光電二極體35上。因而，不需要象本發明的第3最佳實施例中所要求的那種輔助安裝座。
本發明第5最佳實施例的半導體雷射器件如圖7和8所示。根據本實施例，引線44的安裝監視器光電二極體45的那一部分是這樣的形狀，沿引線44的軸向向外，使安裝在引線44端部的雷射二極體晶片41射出的光，能夠更多地射到監視器光電二極體45上。
圖7表示半導體雷射晶片41及其周圍覆蓋樹脂層之前的情況。還在本實施例中，當用樹脂層覆蓋雷射二極體晶片41時，正對雷射二極體41的前發射端面那部分樹脂層，其樹脂厚度必須不大於500μm，同時，其平直的表面必須與雷射二極體41的前發射端面41a平行。
圖8表示引線框架的形狀，其中用連條48將一組如圖7所示的引線44連接在一起，當製造如圖7所示的半導體雷射器件時，就用這種引線框架。圖8中，標號47則表示固定件。
圖9和10表示本發明的第6最佳實施例。根據本發明的這個第6實施例，引線54的端部是這樣的形狀，即製成通常的U-型槽59，而將監視器光電二極體55安裝在該槽內，其上安裝著監視器光電二極體55的表面區基本上平行於其上安裝著雷射二極體晶片51的安裝表面區，但是，這兩個表面區是相互偏離的，從而使雷射二極體晶片51射出的雷射束能夠射到監視器光電二極體55上。
圖9表示半導體雷射晶片51及其周圍覆蓋樹脂層之前的情況。還有在本實施例中，當用樹脂層覆蓋雷射二極體晶片51時，與雷射二極體51的前發射端面51a正對著的那部分樹脂層的厚度必須大於500μm，與此同時，其平直的表面必須與相應雷射二極體51的前發射端面51a平行。
圖10表示引線框架的形狀，其中連條58將一組如圖9所示的引線54連接在一起，當製造圖9所示的半導體雷射器件時，使用這種引線框架。圖10中的標號57表示固定件。
圖11表示半導體雷射器件所呈現的雷射發射特性，而該半導體雷射器件為本發明上述任意一個實施例所展示的半導體雷射器件，其中，半導體器件的前發射端面被樹脂層所覆蓋，其厚度不大於500μm，並且其表面與所述的前發射端面平行。從圖11所示的雷射發射特性可以看出，因為半導體雷射晶片的前發射端面被500μm厚的樹脂層所覆蓋，並且樹脂層為單合成樹脂製成的，所以，表示雷射束在水平方向分布圖形的曲線θ∥和表示雷射束在垂直方向分布圖形的曲線θ⊥都呈現單峰，這裡所說的水平方向和垂直方向是相對於發生雷射振蕩的有源層而言的。而且，由於與半導體雷射晶片的前發射端面正對的那部分樹脂層與這個前發射端面平行，因此，圖11所示的兩條曲線都沒有出現光軸偏移。
因此，根據上述任何一個實施例，本發明能夠提供一種可有效地用作光碟錄和/或放系統中的光源的半導體雷射器件，並且可以達到最佳效果。
還應注意;在實施本發明的上述任意一個實施例時，樹脂層的樹脂厚度完全可以不大於500μm。即使樹脂厚度選定為400、300、200或100μm，所製成的半導體雷射器件仍然能表現出令人滿意的特性。然而，如果樹脂厚度過薄，在環境溼氣的影響下，在半導體雷射晶片的前發射端面處會發生腐蝕，因此會導致雷射器件工作電流的很大改變，所以，最低允許樹脂厚度以10μm為好。
從上面的敘述，現在可以清楚地看出，按照本發明的第一種實施方式，由於用樹脂厚度不大於500μm的樹脂層去覆蓋半導體雷射晶片的前發射端面，同時，樹脂層平行於該端面，所以，半導體雷射晶片前發射端面射出的雷射束能夠呈現這樣的一種雷射發射特性，即不會出現鬆散的單峰，不會有光軸偏移。所以，本發明能夠提供一種可有效地用作光碟錄和/或放系統中的光源的半導體雷射器件。並且可以達到最佳效果。
還可以清楚地看出，根據本發明的第二實施方式，由於在半導體雷射晶片往內的管座部分上安裝了監視器光電二極體，該監視器光電二極體能監視半導體雷射晶片射出的雷射束的功率。所以，可以用監視器光電二極體來監視既不會有鬆散單峰又不會有光軸偏移的這樣一種雷射發射特性的雷射束。
進一步可清楚地看出，根據本發明的第三實施方式，由於，通過輔助安裝座將半導體雷射晶片安裝在引線上，與此同時，又將監視器光電二極體安裝在半導體雷射晶片往內的那個引線部分，因而，監視器光電二極體的光接收面垂直於半導體雷射晶片的後發射端面，所以，監視器光電二極體能接收來自半導體雷射晶片的後發射端面發射的雷射束。因此，很清楚，可以有效地監視既不會有鬆散單峰又無光軸偏移的這樣一種雷射發射特性的雷射束。
根據本發明的第四實施方式，由於將監視器光電二極體安裝在引線中形成的槽內，該槽位於半導體雷射晶片的內側，而該監視器光電二極體的光接收面垂直於半導體雷射晶片的後發射端面，所以，監視器光電二極體能容易地接收由半導體雷射晶片射出的雷射束。因此，很清楚，可以有效地監視既無鬆散單峰又無光軸偏移的這樣一種雷射發射特性的雷射束。
現在參照圖12到15說明本發明的第7實施例。如圖12和13所示，雷射二極體晶片71和光電二極體72安裝在引線框架的引線73上，並用透明樹脂層74密封。要注意，在引線框架引線73上，安裝雷射二極體晶片21的部分略高於安裝光電二極體72的那個部分。特別是，光電二極體72如此地安裝在引線框架的引線73的一個表面上，以致於雷射二極體晶片71的後端面可以垂直於光電二極體72的光接收面。
安裝在引線框架的引線73上的雷射二極體晶片71和光電二極體72，分別用導線W1和W2與引線框架的引線75和引線框架的引線76連接。
具體結合圖12和13，上述的半導體雷射器件結構可以用以下方法製造。如圖14所示，用連條78將幾套引線框架的引線73、75和76連接在一起，每套引線框架的引線73、75和76在適當位置用合成樹脂固定件77來固定。在每個引線框架的引線73上安裝雷射二極體晶片71和光電二極體72，分別焊接了引線W1和W2，使雷射二極體晶片71與引線框架的引線75連接，光電二極體72與引線框架的引線76連接;每個引線框架的引線73上的雷射二極體晶片71和光電二極體72都用透明樹脂74密封，然後，利用任意公知的切割技術，使每一套引線框架的引線73、75和76與連條78分離，由此製成了半導體雷射器件。
圖15和16表示本發明的第8實施例。本發明的這個第8實施例不同於前面討論的本發明的第7實施例，最好參見圖16，帶有相應固定件77的每套引線框架的引線73、75和76上設有定位孔80，連條78上設有定位槽81。
使用定位孔80和定位槽81的優點在於，能夠容易地將引線框架的引線組件82定位，以便將雷射二極體晶片71和光電二極體72精確地安裝在每個引線框架的引線73的各自預定的位置上。
根據本發明的第9實施例，半導體雷射器件中的雷射二極體晶片71和光電二極體72都用透明樹脂密封，圖17表示透明樹脂層74的厚度與半導體雷射器件的劣化情況之間的關係。圖17所示的數據是實驗結果，實驗是對七個具有不同樹脂層厚度的半導體雷射器件進行的，其實驗條件為溫度65℃、絕對溼度95%、變化雷射器的工作電流，並且每50小時檢查一次。圖18表示樹脂層厚度為0.1μm的半導體雷射器件能穩定的時間H與工作電流改變率△Iop之間的關係。
從圖17和18中可以容易地看出，當密封雷射二極體晶片和光電二極體的樹脂層厚度等於或者小於10μm時，則觀察到有劣化現象。然而，當樹脂厚度大於10μm時，則沒有劣化現象。這清楚地表明，密封雷射二極體晶片和光電二極體的樹脂層厚度應該大於10μm。
根據本發明的第7實施例，在監視器光電二極體上的雷射束入射效率可以增大，而且能夠以緊湊的尺寸裝配。
根據本發明的第8實施例，引線框架能夠精確地定位，因此，不僅雷射二極體晶片和光電二極體能夠被準確地安裝在各個引線框架上，從而提高了生產率，而且半導體雷射器件的精度也將會提高。
另外，將樹脂層的厚度選定為大於10μm，可以有效地防止在環境溼氣影響下的各種可能的損壞，使半導體雷射器件具有優異的環境穩定性。
本發明的第10實施例如圖19到22所示。根據本發明的第10實施例，在半導體雷射器件的製造過程中，利用了插入型扁平引線框架123，最好參見圖21。插入型扁平引線框架123具有許多公用引線124，在這些引線124上分別安裝半導體雷射晶片。
更具體地說，每個公用引線124的一端形成晶片安裝座125。在晶片安裝座125的上表面分別安裝半導體雷射晶片121。這個晶片安裝座125本身又設有一個常見的U形凹座125a，其縱向剖面通常為V形，它位於晶片安裝座125上的半導體雷射晶片121的內側，對此，圖20表示得最清楚。其次，將監視器光電二極體晶片122安裝在凹座125a中，晶片122的前下角深深地落入凹座125a中，同時，其光接收面122a如此地傾斜，以致使它面對半導體雷射晶片121的後端面121a。
用導線129和130，將每個半導體雷射晶片121和每個監視器光電二極體晶片122分別與有關公用引線124兩側的引線126和127電連接。其後，半導體雷射晶片121、監視器光電二極體晶片124以及其與各公用線124有關的導線129和130都用樹脂進行密封(密封的樹脂層未示出)。
這樣一來，從各個半導體雷射晶片121的後端面所發出的雷射束就能夠在向內方向上有效地射在相應監視器光電二極體晶片122的光接收面122a上，以便對雷射束的功率進行監視。
本發明的第10實施例的半導體雷射器件具有半導體雷射晶片121、監視器光電二極體122以及導線129和130，它們都裝在一個通常的圓筒形保護殼131內，殼131是由塑料製成的，並且其一端封閉，從而使半導體雷射晶片121、監視器光電二極體122以及導線129和130免受外力作用。
如圖22所示，圓筒形保護殼131由上、下兩半圓筒132組成，其分開的部位與引線124、126和127穿過該圓筒保護殼131端壁的部位相同。在上、下殼體132和133的半圓壁132a和133的邊部，設有開口124a、126a和127a，當上、下殼體132和133組裝在一起而成為完整的圓筒形保護殼131時，兩個半圓端壁132a和133a上的開口124a、126a和127a結合成一體，使引線124、126和127能夠分別嵌入這些開口。
在製造半導體雷射器件的過程中，將半圓端壁132a和133a與圖21中所示的點劃線L-L對準，由此來確定每一對上、下殼體132和133與相應的一套引線124、126和127之間的位置，然後，將每一對上、下殼體132和133焊接在一起，以便密封相應的晶片安裝座125。可以用粘結劑或者熔焊技術，將上、下殼體132和133焊接成完整的圓筒形保護殼131。
在用上述方法將上、下殼體132和133安裝成完整的圓筒形保護殼131以後，用切割的方法在與連條相連的該引線124、126和127向內的各部位，使每一套引線124、126和127的公用引線124與連條123a分開，由此製成了單個的半導體雷射器件，其結構中，半導體雷射晶片121、監視器光電二極體122和導線129和130都封裝在保護殼131內。
而在現有技術的半導體雷射器件中，半導體雷射晶片、監視器光電二極體晶片和引線都暴露在外，而且沒有有效的防護措施，因此，如圖19到22所示的本發明第10實施例的半導體雷射器件的優點在於，其上安裝了半導體雷射晶片、監視器光電二極體晶片和導線的各引線124、126和127的自由端部分，有效地被普通杯形結構的圓筒形保護殼131所保護。因此，半導體雷射晶片121、監視器光電二極體晶片122以及導線129和130沒有暴露在外，並且被有效地防止受外力作用。
還有，由於本發明的第10實施例的半導體雷射器件是製作在插入型引線框架123上，因此，可以便利地簡化其製造過程，同時能夠以緊湊的尺寸組裝每個半導體雷射器件，降低了成本。
下面參照圖23說明本發明的第11實施例的半導體雷射器件，它類似於本發明的第10實施例，因此，在描述本發明的第11實施例時，在圖23中示出的並與圖19到22示出的相同的部分，將用與圖19到22中所用的相同標號來表示。
在前面所述的本發明的第10實施例中，已經展示了監視器光電二極體晶片，並已指出，該晶片位於一般V形剖面的凹座內，該凹座設在引線框架的每個公用引線的自由端。然而，根據圖23所示的本發明的第11實施例，每個公用引線124的自由端形成一個晶片安裝座125，監視器光電二極體122直接安裝在安裝座125上，並且其光接收面122a朝上。另一方面，半導體雷射晶片121安裝在輔助安裝座134上，它本身又安裝在晶片安裝座125上，其安裝位置如此確定，以致於從半導體雷射晶片121的後發射束的端面121a所發射的雷射束能夠射在監視器光電二極體晶片122的光接收面122a上。
在本發明的第11實施例的情況下，半導體雷射晶片121、監視器光電二極體晶片122和導線(未示出)都裝在圓筒形保護殼131內，並因此而沒有暴露在外。
在圖23所示的本發明的第11實施例中，監視器光電二極體晶片與輔助安裝座是分開的。但是，在圖24所示的本發明的第12個實施例中，監視器光電二極體晶片安裝在輔助安裝臺135中，並且被如此地設置，以致於半導體雷射晶片121的後端面和監視器光電二極體晶片的光接收面135a可以認為相關的位置關係與本發明的第11實施例相同。
在圖25所示的本發明的第13個實施例中，雖然圖中所示的由上、下殼體137和138組成的普通圓筒形保護殼136與圖19到22所示的本發明第10實施例中所用的保護殼131相類似，但是，圖25所示的保護殼136是由金屬製成的，為在溫度升高的情況下，保護殼仍具有較高的強度。
用金屬作保護殼136的材料造成一個問題，即公用引線124上、下殼體137和138的端壁137a和138a任何一個之間的熱絕緣問題。為此，根據圖25所示的第13實施例，各個通孔中填充熱絕緣材料39，例如低熔點的玻璃，這裡所說的通孔是在上、下殼體137和138焊接在一起變成一個完整的圓筒形防護殼136時，由上、下殼體137和138的上、下端壁137a和138a上的開口組合而成的;因此，每個引線124、126和127與圓筒形保護殼136的端壁上的對應孔之間所形成的間隙就被填充了。
應該注意的是，除了保護殼137之外，其它結構與圖19到22所示的本發明的第10實施例基本上相同。
在圖26所示的本發明的第14個實施例中，圖中所示的圓筒形保護殼142由上、下殼體143和144組成。在第13實施例所用的圓筒形保護殼136中，上殼體137的體積大於下殼體138的體積，本實施例與第13實施例不同，其圓筒形保護殼142的上殼體的體積小於下殼體144的體積，原因如下如圖26所示，在本發明的第14實施例中，利用成形工藝，將公用引線141的自由端部分做成如下形狀，即先向下傾斜形成141a，再水平延伸形成141b。雖然半導體雷射晶片121安裝在公用引線141的自由端部分的水平區段141b上，但監視器光電二極體晶片122卻安裝在其傾斜區段141a上，並且晶片122的光接收面122a朝向半導體雷射晶片121。對公用引線141的自由端部分採用這種特殊形狀的優點在於，能夠提高接收效率，這裡的接收效率是指，監視器光電二極體晶片122接收從半導體雷射器晶片121的後端面發出的雷射束的效率。
這樣，其安裝位置都低於公用引線141的上面部分的半導體雷射晶片121和監視器光電二極體晶片122，基本上由體積較大的下殼體144所包圍，而上殼體143則用來作為一個蓋，蓋住下筒體144的上部開口，從而確保半導體雷射晶片、監視器二極體和導線免受外力作用。
在圖27所示的本發明的第15實施例中，保護殼131的結構、以及半導體雷射晶片121、監視器光電二極體晶片122和保護殼131與公用引線124的安裝關係基本上都與圖19到22所示的第10實施例相同。
但是，圓筒形保護殼131的開口用蓋145封住，在蓋145上封裝有一個光學透鏡146，其安裝位置與半導體雷射晶片121的前端面121b對準。如圖27所示的這樣結構的特殊優點在於，從半導體雷射晶片121的前端面121b上所發出的雷射束可以由光學透鏡146來聚焦，使得傳出圓筒形保護殼131的雷射束具有較高的能量密度。
在圖28所示的本發明的第16實施例中，換掉圖27所示的第15實施例中所用的光學透鏡146，而在蓋145的那個部位安裝一個全息圖玻璃元件147，它對準半導體雷射晶片121的前端面121b。由於使用了全息圖玻璃元件147，因此，該組件可以成為一個全息圖雷射單元。
應該注意的是，在本發明的第16實施例中，保護殼131的結構，以及半導體雷射晶片121、監視器光電二極體晶片122和保護殼131與公用引線124實際係數的安裝關係，基本上都與圖19到22所示的第10實施例相同。
在圖29所示的本發明的第17實施例中，用光纖148將雷射束從保護殼131取出。如圖中所示的那樣，光纖148的一端固定地穿過蓋145，其端面148a面對半導體雷射晶片121的前端面121b。使用光纖148的特殊優點在於，從半導體雷射晶片121的前端面所發出的雷射束，能夠導向任意所要求的保護殼131的方向。
應該注意的是，在本發明的第7實施例中，保護殼131的結構，以及半導體雷射晶片121、監視器光電二極體晶片122和保護殼131與公用引線124實際上採用的安裝關係，基本上都與圖19到22所示的第10實施例相同。
圖30(a)到30(f)說明本發明第18最佳實施例的半導體雷射器件的各個連續的製造步驟。圖30(a)到30(f)所示的方法這樣設計和實施，以致於對單個半導體雷射器件來說，每個用來包封半導體雷射晶片、監視器光電二極體和導線常見圓筒形保護殼為一整體結構，以利於將各圓筒形保護殼固定在引線框架上。
如圖30(b)所示，採用圖30(a)所示構形的引線框架151，其中具有公用引線152;在每個公用引線152的自由端部或頂端，安裝半導體雷射晶片121，隨後將安裝監視器二極體晶片122，安裝在半導體雷射晶片121向內的位置處。將半導體雷射晶片121和監視器二極體晶片122安裝到各個公用引線152上的方式，雖然在第18實施例中，採用圖20所示的安裝方式，但也可以採用圖23、24或26所示的安裝方式。
然後，如圖30(c)所示，用金絲155將各公用引線152的半導體雷射晶片121(圖30(c)中未使用這個標號)與公用引線152一側的引線153進行電連接，同樣，將各公用引線152上的監視器光電二極體晶片122(圖30(c)中未使用這個標號)與公用引線152另一側的引線154進行電連接。
其後，如圖30(d)所示，製備保護殼15g，其中，一組保護殼157通過一些獨立的連接杆158而相互串接，每個保護殼157的結構將在後面說明。含有並列設置的引線152、153和154的各個組件插入到各個保護殼157中，同時每個公用引線152上的晶片121和122以及導線155和156也裝入到相應的保護殼157內。
在組件如圖30(d)所示的那樣插入保護殼159中以後，切斷保護殼構架159的連接杆158，並且切斷引線框架151的引線152、153和154，使這些組件各自分開，由此製成了其結構如圖20，所示的半導體雷射器件。
上面提到的保護殼構架159中的每個保護殼157具有圖31和32所示的構形。它為一般的圓筒形，其內周面上設有兩個周向分開的軸向槽158和159，當晶片121和122安裝到公用引線152上以後，把含有引線152、153和154的組件插入這種圓筒形保護殼157中時，則利用所說的軸向槽158和159來插接組件中的引線153和154。
為了確保各個組件在相應的圓筒形保護殼157中定位，在將引線153和154分別插入圓筒形保護殼157的內周面上的周向分開的軸向槽158和159中，而使組件插入圓筒形保護殼157中以後，將粘接樹脂粘附在圓筒形保護殼157的圓周端面160的相關位置上，藉助於粘附的樹脂161和161使引線153和154牢固地連接在保護殼157中，對此圖32表示得最清楚。
應注意，當軸向槽158和159具有足夠的長度，使半導體雷射晶片121、監視器光電二極體122以及導線155和156都完全裝入圓柱形保護殼157內時，它們才能得到有效令人滿意的保護。
本發明的第19實施例如圖33所示。在本實施例中，所用的保護殼與圖19到22所示的保護殼131相同。
如圖33所示，位於保護殼131中的公用引線162的端部呈一般的T形，與「T」的形狀中的橫線和豎線相對應，所述的引線162包含橫條163和軸向條164。半導體雷射晶片121安裝在引線162的橫條163的中部。公用引線162的軸向條164中與橫條163鄰接的部分被折彎，傾斜向下，提供一個傾斜的安裝區域來安裝監視器光電二極體晶片122，使晶片122面向半導體雷射晶片121。安裝在公用引線162的橫條163中部的半導體雷射晶片121通過導線168與引線166電連接，同時，安裝在公用引線162的軸向條164的傾斜安裝區域上的監視器光電二極體晶片122通過導線167與引線165電連接。
應該注意，在本發明的第19實施例中，公用引線162的橫條163的長度大於圓筒形保護殼131的內徑，並且公用引線162被可靠地夾在圓柱形保護殼131的上、下殼體132和133之間。
而且，在本發明的第19實施例中，引線165和166的自由端部分被折彎，使其呈「L」形，當它與公用引線162一起使用時，其自由端被夾在圓筒形保護殼131的上、下殼體132和133之間。
因此，根據本發明的第19實施例，保護殼131以其上、下殼體132和133的側壁和底部固定到引線162、165和166上，從而，使圓筒形保護殼131能夠固定定位。應注意，在上述本發明的第19實施例中，監視器光電二極體晶片122安裝在公用引線162的軸向條164的傾斜安裝區域上，使半導體雷射晶片121發出的雷射束能有效射到監視器光電二極體晶片122上。然而，本發明不總是局限於此，也可以用如圖23所示的同樣方式，將半導體雷射晶片121安裝在公用引線162的輔助安裝座上，同時，將公用引線的軸向條做成平直的，即公用引線的軸向條沒有被折彎。
圖34是透視圖，表示本發明的第20個實施例的半導體雷射器件。本實施例中所用的保護殼為圓筒形，其一端封閉，但沿平行於縱軸向切掉一部分。更具體地說，保護殼171含有一個U形體和一個端壁171a，並且與引線172、173和174模壓成整體。這些引線172、173和174從端壁171a的相反面向外伸出並垂直於該端壁171a。半導體雷射晶片安裝在位於保護殼171的殼體內的引線172的端部位置上，同時，監視器光電二極體晶片122以傾斜的方式安裝在引線172上，在軸向半導體雷射晶片121往內的位置，從而使其光接收面對著半導體雷射晶片121。
利用導線175將半導體雷射晶片121與引線173電連接，同時利用導線176將監視器光電二極體晶片122與引線174電連接。本發明的第20實施例的特殊優點在於，由於保護殼171沿縱向切掉了一部分，且切掉的部分在安裝半導體雷射晶片121的一側，使引線172、173和174都顯露出來，因此，能夠容易地和有效地將晶片和導線焊接到引線172、173和174上。
圖35是側剖視圖，表示本發明的半導體雷射器件的第21實施例。圖中所示的保護殼181為普通圓筒形保護殼，其兩端部分用兩個端壁封住。與圖19到22所示的圓筒形保護殼一樣，這種圓筒形保護殼181也可以分成上、下殼體182和183。引線184的一端被固定地夾在上、下殼體182和183的相應端壁182a和183a之間，在引線184的端部安裝半導體雷射晶片121和監視器光電二極體晶片122，晶片122與晶片121相鄰，就軸向來說位於晶片121的內側，並且晶片122傾斜地安裝，使監視器光電二極體晶片122的光接收面朝向半導體雷射器片121。
在上、下殼體182和183的端壁182b和183b之間的連接中間部分，即，在圓筒形保護殼181的靠近半導體雷射晶片121的那個端壁的中心部分，設有通孔182c，用來作為雷射束的通道，使雷射束能夠從半導體雷射晶片121射到圓筒形保護殼181的外面。這樣，除了與半導體雷射晶片121的前端面所對的一部分之外，圓筒形保護殼181完全封閉了所有的元器件，使任何可能的外界光線所造成的影響降低到最低程度。
而且，在圖35所示的21實施例中，圓柱形保護殼181的整個內表面上塗有一層光吸收層186，因而，從半導體雷射晶片121的後端面所發出的雷射束的一部分和/或通過通孔182c進入保護殼內的外部光線，能夠被光吸收層186吸收。
根據圖35所示的本實施例，從半導體雷射晶片121的前端面所發出的雷射束的強度可以被精確地控制。而且，即使從半導體晶片121的後端面發出的雷射束被監視器光電二極體晶片122的表面反射時，所反射的雷射束可以被光吸收層186吸收，因此，可以完全避免所反射的雷射束輻射到防護筒181的外面。從而，在所發射的雷射束的遠場圖中不會出現波紋。
圖36和37分別是透視圖和剖視圖，表示本發明的第22實施例的半導體雷射器件。本實施例中所用的保護殼191為一般的U型結構，它與引線192、193和194模壓成一整體。半導體雷射晶片121通過輔助安裝座134安裝在引線192的端部，而監視器光電二極體晶片122直接安裝在引線192上，晶片122位於晶片121的內側。
位於U型保護殼191內的引線192、193和194的各個端面都做成基準面192a、193a和194a，這三個基準面位於同一平面內，在引線192上要這樣安裝半導體雷射晶片121，其前端面121b與基準面192a、193a和194a都平齊。
將引線192、193和194的各端面製成基準面192a、193a和194a會有效地提高本發明的半導體雷射器件與外部系統配合的精度。而且保護殼191的橫截面為U形有利於兼顧半導體雷射晶片121和其它元器件的安裝，將該半導體雷射器件安裝到其它外部系統上，以及半導體雷射晶片121的生產率之間的均衡。
圖38和39分別為透視圖和側視圖，表示本發明的第23實施例的半導體雷射器件。本實施例中所用的保護殼195為一般的U形結構，它包括一個普通的矩形基座196和一對與該基座196垂直的側壁197和198。用印刷電路技術，在基座196的內表面196a上製成引線198和一組引線199的印刷圖形。在引線198的端部設有輔助安裝座134，半導體雷射晶片121安裝在輔助安裝座134上，而監視器光電二極體晶片122則直接安裝在引線198上，並且晶片122位於晶片121的內側。由半導體雷射晶片121發射並隨後被反射的雷射束傳遞了一個光信號，適於探測該光信號的探測器光電二極體晶片100安裝在基座196的側面196b上。
本實施例中所用的U形保護殼195也有基準面，是由與安裝探測器光電二極體晶片100的側面196b相鄰的側壁197和198的端面197a和197a形成的，但是，作為基準面的端面197a和197a比側面196b稍稍向外伸出一點距離。
最好參見圖39，將一個全息圖玻璃片101安裝到保護殼195的基準面197a和197a上，以便構成一個全息圖雷射單元。應注意，側壁197和197的另一端面197b和197b，即遠離安裝探測器光電二極體晶片100的側面196b的那個端面，也可以作為基準面。
圖40表示本發明的第24實施例的半導體雷射器件。本實施例涉及對圖19到22所示的保護殼131的改進，更具體地說，涉及一種結構，其中，保護殼110正好安裝在引線框架112上的引線113、114和115的端部。
如圖40所示，本實施例中所用的保護殼110與圖19到22所示的保護殼131一樣，可以分成上殼體111和下殼體，上殼體111的底部111a和下殼體的底部夾住引線113、114和115，使上殼體111固定定位。注意，圖40中僅僅以剖視的方式示出了上殼體111。
半導體雷射晶片121安裝在引線113的晶片安裝座116上，同時，監視器光電二極體晶片122安裝在引線113上，並位於晶片安裝座116的內側。
而且，根據本發明的第24實施例，在與底部111a相對的另一面設置蓋111b，它具有一個孔111c，並且與防護罩110一體成形。這個蓋111b具有一定的厚度，以致於當上、下殼體安裝在一起成為一個完整的保護殼時，相應的引線114和115的端部114a和115a以及引線112的晶片安裝座116的兩個側端116a和116a被固定地夾在上殼體111的蓋111b和下殼體的相似蓋(圖40中未示出)的結合面之間。從而，利用蓋111b和底部111a，將保護殼110固定到引線113、114和115上。所以，根據圖40所示的這個實施例，能夠可靠地固定上述空心保護殼110。
當上述任意一個實施例的半導體雷射器件用來作光碟錄和/或放系統的光源的情況下，並且當半導體雷射晶片、監視器光電二極體晶片和導線都用樹脂層密封時，最好正對半導體雷射晶片的前端面部位上，樹脂層的樹脂厚度不超過500μm，同時，這部分樹脂層平行於半導體雷射晶片的前端面。這是因為，當該半導體雷射器件用來作光碟錄和/或放系統的光源時，由於覆蓋在前端面上的樹脂層而引起的任何可能的光軸偏移，以及前端面和樹脂層的表面之間任何可能的多次光反射，都會帶來問題。
圖11表示半導體雷射器件的雷射發射特性，在該半導體雷射器件中，雷射二極體晶片的前端面被樹脂層所覆蓋，該樹脂層平行於所述的端面，並且其樹脂厚度不大於500μm。從圖11所示的雷射發射特性中可以看出，由於半導體雷射晶片的前端面被500μm厚的樹脂層所覆蓋，並且該樹脂層為單一的合成樹脂，因此，表示雷射束在水平方向分布圖形的曲線θ∥和表示雷射束在垂直方向分布圖形的曲線θ⊥都呈現單峰，這裡所說的水平方向和垂直方向是相對於發生雷射振蕩的有源層而言的。
而且，由於在半導體雷射晶片的前端面部分上，樹脂層平行於該前端面，因此，圖11所示的兩條曲線都沒有出現光軸偏移。
從而，根據上述任意一個實施例，本發明已經能夠提供一種最有利於用來作為光碟錄和/或放系統中的光源的半導體雷射器件。
應該注意，在實施本發明的上述任意一個實施例時，樹脂層的樹脂厚度完全可以不超過500μm。甚至當樹脂厚度選定為400、300、200或100μm時，所製成的半導體雷射器件仍具有令人滿意的特性。但是，如果樹脂層的厚度太薄，則在半導體雷射晶片的前端面上，由於受環境溼氣的影響，就會出現腐蝕現象，並且這會使雷射器件的工作電流產生相當大的改變，所以，最低允許樹脂厚度最好為10μm。
從以上說明可以清楚看出，按照本發明的第一種實施方式，由於半導體雷射晶片和監視器光電二極體晶片安裝在管座上，並用樹脂層來密封;保護殼整體固定到管座引線上，並且至少將半導體雷射晶片、監視器光電二極體晶片、與半導體雷射晶片電連接的第一導線和與監視器光電二極體晶片電連接的第二導線包圍在其中而予以保護，因此，能夠有效地防止半導體雷射晶片、監視器光電二極體晶片和導線受外力作用。所以，半導體雷射器件的使用以及製造工藝就變得容易了。
按照本發明的第二種方式，由於管座是由引線框架上的一根引線構成的，而保護殼的形狀為一種普通的圓筒形，其一端封閉，上述引線穿過該圓筒形保護殼的端壁伸出，因此，位於保護殼內的半導體雷射晶片和監視器光電二極體晶片可以安裝在引線框架上，從而，簡化了半導體雷射器件的製造過程，同時，可以使半導體雷射器件的製造尺寸緊湊，製造成本降低。
還有，按照本發明的第三種實施方式，管座、第一導體和第二導體由引線框架上的各個引線構成，以及防護殼的形狀為一種普通的圓筒形，其一端封閉，並且其內周面上設有兩個周向隔開的槽，使最外側的兩根引線能夠分別插入上述兩個槽中，從而使上述引線與保護殼固定成一體。因此，當引線裝入保護殼中時，利用槽作為引線插入保護殼中的導向槽，可容易地進行安裝。所以，根據本發明，利用連接杆將多個保護殼連接在一起，構成保護殼構架，一組成套的引線可以容易地安裝到上述構架上的保護殼中，由此提高了生產率。
而且，按照本發明的第四種實施方式，保護殼為一個密封的結構，只不過在其上開有一個孔，用來作為雷射束的通路，該雷射束是從半導體雷射晶片的前端面上發出的，此外，在保護殼的內表面上塗覆了一層光吸收層。因此，不僅可以有效地屏蔽了外部光線進入保護殼內，而且還可以利用光吸收層來吸收沒有射出保護殼的部分雷射束以及通過上述孔進入保護殼內的少量光線。所以，不僅可以使使用方便，而且還可以使外部光線所引起的任何可能的影響降低到最低程度，由此，從半導體雷射晶片射到保護殼外的雷射束的強度可以得到精確地控制。
另外，在保護殼上，在雷射束從半導體雷射器射出保護殼外所經過的部位上，設置光學部件，這不僅使用方便，而且還能使雷射束獲得光學部件的特性。
還有，在保護殼上用某些表面作基準面，利用該基準面，將其中安裝有半導體雷射晶片的保護殼本體安裝到不同的設備中。因此，本發明的半導體雷射器件可以容易地安裝在外部設備中。同時，保護殼上的基準面提供了一個基準位置，管座應該以該基準位置相對於外部設備定位。因此，不僅安裝容易，而且還能夠精確地確定半導體雷射晶片的雷射束所射中的位置。
現在參照圖41，該圖表示本發明的第25實施例，標號201表示基座;標號表示一個固定安裝在基座201上的管座;標號203表示一個安裝在基座202的側表面202a上的半導體雷射晶片，標號204表示一個安裝在管座202的側表面202a上的監視器光電二極體晶片;標號205表示一個安裝在管座202的上表面202b上的探測器光電二極體。
半導體雷射晶片203及其周圍的管座202的部分側表面202a由透明樹脂層211所覆蓋，這種樹脂可以是例如有機矽樹脂。透明樹脂層211的一個表面對著監視器光電二極體晶片204，而另一個表面則背對監視器光電二極體晶片204，這兩個表面區相互平行，如果它們不相互平行，則其光軸會由於透鏡效應而產生偏移。上述兩個表面所對應的樹脂層211部分的厚度不超過500μm。如果這兩部分的樹脂層211的樹脂厚度太厚，那麼，由於光線在半導體雷射晶片203的雷射束髮射端面與透明樹脂層211的表面之間的多重反射會擾亂了雷射束的發射特性，其影響程度達到如此地步，以致於該半導體雷射器件不能長時間地用來作為光碟錄和/或放系統中的光源。下面將討論這種半導體雷射器件的一種雷射發射特性，在這種半導體雷射器件中，雷射二極體晶片的雷射發射端面上覆蓋了一層與之平行的樹脂層，其樹脂厚度不超過500μm。
從圖11中可以看出，由於半導體雷射晶片203的雷射發射端面被500μm厚的樹脂層所覆蓋，並且該樹脂層為單一的合成樹脂製成的，因此，表示雷射束在水平方向分布圖形的曲線θ∥和表示雷射束在垂直方向分布圖形的曲線θ⊥都呈現單峰，這裡所說的水平方向和垂直方向是相對於發生雷射振蕩的有源層而言的。
而且，由於在半導體雷射晶片的前端面部分上，樹脂層平行於該前端面，因此，圖11所示的兩條曲線都沒有出現光軸偏移。
換句話說，根據圖41所示的結構，可以提供一種有效地用來作為光碟錄和/或放系統中的光源的半導體雷射器件，並且可以達到最佳效果。
應該注意，在實施本發明時，樹脂層的樹脂厚度完全可以不超過500μm。甚至當樹脂厚度選定為400、300、200或100μm時，所製成的半導體雷射器件仍具有令人滿意的特性。但是，如果樹脂層的厚度大小，則在半導體雷射晶片的前端面上，由於環境溼氣的影響，就會出現腐蝕現象，並且這會使雷射器件的工作電流產生相當大的改變，所以，最低允許樹脂厚度最好為10μm。
由塑料製成的帽206固定地安裝在基座201上，將管座202、半導體雷射晶片203以及光電二極體晶片204和205全部封裝起來。塑料帽206的端壁上設有孔206a，該孔206a正對著管座202，並且，在塑料帽206的端壁上固定地安裝一個玻璃塊207，將孔206a蓋住。在玻璃塊207上與孔206a相對的另一面上設置一個全息圖207a。塑料帽206僅僅用來支承玻璃塊207，並且不需要窗玻璃。
上述結構的半導體雷射器件的工作情況如下半導體雷射器件203向監視器光電二極體晶片204發射第一雷射束，並且還向玻璃塊207發射第二雷射束;根據與監視器光電二極體晶片204所接收的光量成正比的電流，由半導體雷射晶片203發射的第一雷射束的強度被控制在一個預定的值上;由半導體雷射晶片203發射的第二雷射束的強度基本上與第一雷射束的強度成正比，因此，通過控制第一雷射束的強度，使第二雷射束的強度間接得到控制。另一方面，由半導體雷射晶片203發射的第二雷射束射出塑料殼206，穿過玻璃塊207射向光碟(未示出)，然後從光碟上反射，射到全息圖207a上。反射到全息圖207a上的雷射束被衍射，並且某些衍射的雷射束穿過玻璃塊207，然後被探測器光電二極體晶片205探測到。這樣，控制第一雷射束的強度，使第二雷射束的強度保持預定的值，並且將第二雷射束投射到光碟上，以致於從光碟上所反射的雷射束能夠被探測器光電二極體晶片205探測到，就可以獲得一個代表光碟上所記錄的信息的信號。從而，使得這種塑料封裝型的半導體雷射器件具有信號探測能力。
如上所述，本發明的第25實施例中，由於半導體雷射晶片203上覆蓋了一層有機矽樹脂層211而將半導體雷射晶片203氣密密封起來，因此，不會因溼氣的影響而使半導體雷射晶片203的雷射束髮射端面的工作條件發生變化，從而避免了半導體雷射晶片203的任何可能的劣化。所以，不需要使用昂貴的惰性氣體和昂貴的金屬帽，例如現有技術中所要求的那些，也不需要複雜的封裝設備，包括填充隋性氣體以及將窗玻璃安裝到金屬帽上的設備。由於上述原因，因而能夠使這種半導體雷射器件沒有現有技術的器件那樣昂貴，並且能達到提高環境穩定性。
而且，由於半導體雷射晶片203上所覆蓋的透明有機矽樹脂層211具有耐熱性，因此，該透明樹脂層211不會受半導體雷射晶片203所產生的熱量和環境溫度的影響而出現任何變色和/或變形現象。
圖42表示本發明的第26實施例，由於第25實施例與第26實施例相似，因此，圖42中的那些與圖41所示的相同的部分所用的標號將與圖41中所用的標號相同。
在圖41所示的實施例中不同的透明樹脂層往往同樣用214表示，半導體雷射晶片203、監視器光電二極體晶片204和探測器光電二極體晶片205上分別覆蓋有透明的有機矽樹脂層214。但應該指出的是，覆蓋在半導體雷射晶片203上的透明樹脂層214的一個表面面對著監視器光電二極體晶片204，而另一個表面則背對監視器光電二極體晶片204，這兩個表面相互平行，不僅如此，而且，半導體雷射晶片203上的樹脂層214在上述兩個表面所對應的部位上的厚度不超過500μm。因此，可以避免因外部溼氣的影響而引起的半導體雷射晶片203、監視器光電二極體晶片204和探測器光電二極體晶片205的任何可能的特性劣化。
應該注意，儘管在圖41和42所示的兩個實施例中，採用塑料管帽206，但也可以用金屬帽或陶瓷帽來代替塑料帽。
還應該注意，儘管在圖41和42分別所示的兩個實施例中，用基座201和管座202所組成的組合件來安裝半導體雷射晶片203，但這種組合件可以用引線框架或印刷電路板來替代。在這種情況下，不需要將引線安裝到基座上，也不需要固定管座，從而提高了生產率。
如上所述，在本發明的第26實施例中，由於半導體雷射晶片203上覆蓋了一層有機矽樹脂層214而將半導體雷射晶片203氣密密封起來，因此，不會因溼氣的影響而使半導體雷射晶片203的雷射發射端面的工作條件發生變化，從而避免了半導體雷射晶片203的任何可能的劣化。所以，不需要使用昂貴的隋性氣體和昂貴的金屬殼，例如現有技術中所要求的那些，也不需要複雜的封裝設備，包括填充隋性氣體以及將窗玻璃安裝到金屬殼上的設備。由於上述原因，因而能夠使這種半導體雷射器件沒有現有技術的器件那樣昂貴，並且還能達到提高環境穩定性。
儘管參照附圖、結合實施例說明了本發明，但應該注意到，對本領域的普通技術人員來說，很明顯，有許多變化和改進。舉例來說，本發明中所用的透明樹脂為有機矽樹脂，但是，也可以採用環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂或可紫外線固化的樹脂。
這些變化和改進仍落在附屬的權利要求所限定的本發明的範圍內，除非它們已超出了權利要求所限定的範圍。
權利要求
1.一種半導體雷射器件，包括基座、半導體雷射晶片和密封雷射晶片的樹脂層，所述的樹脂層由單合成樹脂製成，且覆蓋著雷射晶片的向外發射雷射束的端面(後面將其稱為前發射端面)，所述的樹脂層的厚度不大於500μm，其表面實際上平行於雷射晶片的前發射端面。
2.按照權利要求1所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述的基座是一個管座，並進一步包括安裝在管座的雷射晶片以內位置上的監視器光電二極體。
3.按照權利要求1所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述的基座是引線框架，而所述的雷射晶片通過輔助安裝座在引線框架的一根引線上;還進一步包括一個監視器光電二極體，它安裝在所說的一根引線上，並位於雷射晶片往內的位置上，其中監視器光電二極體的光接收面基本上垂直於雷射晶片的向內發射雷射束的端面(後面將其稱為後發射端面)。
4.按照權利要求1所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述基座是引線框架，而該引線框架的一根引線的位於雷射晶片內側的部分是傾斜的，以便朝向雷射晶片的後發射端面;進一步又包括安裝在所述引線框架的一根引線的所述傾斜部分的監視器光電二極體。
5.按照權利要求1所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述的基座是引線框架，該引線框架的一根引線的位於雷射晶片內側的部分是內凹的;還進一步包括安裝在所述引線框架的一根引線的所述凹部的監視器光電二極體，其中監視器光電二極體的光接收面基本上垂直於雷射晶片後發射端面。
6.一種半導體雷射器件，包括基座、半導體雷射晶片的密封雷射晶片的樹脂層，安裝雷射晶片的安裝面高於用來接收從雷射二極體晶片後發射端面射出的雷射束的監視器光電二極體的光接收面，而所述的雷射二極體晶片和監視器光電二極體都安裝在所述的基座上，使所述的光接收面和從雷射二極體晶片的後發射端面射出的雷射束的發射方向基本上互相垂直。
7.按照權利要求6所述的半導體雷射器件，其特徵在於，在基座上設置基準標誌，用來使雷射二極體芯模片鍵合在預定位置上。
8.按照權利要求6或7所述的半導體雷射器件，其特徵在於，密封雷射二極體晶片的樹脂層厚度不小於10μm。
9.一種半導體雷射器件，包括基座、安裝在基座上的半導體雷射晶片、密封雷射晶片的樹脂層、安裝在基座上並適合於接收從雷射晶片射出的雷射束的監視器光電二極體晶片、用來使雷射晶片和第1導線電連接的第1導線和用來使光電二極體和第2導體電連接的第2導線、以及與基座組合成一體的保護部件;該保護部件至少密封了雷射晶片、光電二極體晶片及其第1和第2導線，從而使它們不受外力損傷。
10.按照權利要求9所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述基座是引線框架的一條引線而所述的保護部件則是常用的一端用底座封閉的圓筒型管殼，所述的引線框架的各引線穿過管殼的底座。
11.按照權利要求9的所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述基座，所述第1導體和所述第2導體分別由引線框架的引線構成，而其中的所述保護部件是常用的一端用底座封閉的圓筒型管殼，該管殼的內周面上至少開有兩個軸向槽，最外側的兩根引線分別插入對應的槽內而使所述的保護部件與引線組裝成一體。
12.按照權利要求9到11的任意一個權利要求所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述保護件為一密封的結構，該結構中有一窗口，從雷射晶片發出的雷射束穿過該窗口，而射到保護部件的外面，所述的保護部件的內表面還塗覆一層光吸收層。
13.按照權利要求9到12任意一個權利要求所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述保護部件包括一個光學構件，它位於雷射晶片射出雷射束向保護部件外傳播的路徑上。
14.按照權利要求9到13任意一個權利要求所述的半導體雷射器件，其特徵在於，所述保護部件上設有一個基準面，當已安裝了雷射晶片的基座裝配到外部設備上時，就用所述的基準面來確定基準位置。
15.一種半導體雷射器件，它包括半導體雷射晶片、適合於接收雷射晶片射出的雷射束的監視器光電二極體、用於檢測雷射晶片反射束的檢測光電二極體、用來引導反射束並使之射到檢測光電二極體晶片上的全息圖、以及將雷射晶片、監視器光電二極體和檢測光電二極體之中的至少雷射晶片密封起來的透明樹脂層。
16.一種半導體雷射器件，它包括基座、安裝在基座上的半導體雷射晶片、安裝在基座上並適於接收雷射晶片射出的雷射束的監視器光電二極體、安裝在基座上，使雷射晶片及光電二極體晶片密封在內的管帽、以及安裝在管帽上，用來引導雷射晶片反射束的全息圖。
全文摘要
一種半導體雷射器件，包括一個管座、一個半導體雷射晶片和一層覆蓋在雷射晶片上的樹脂層。管座可以有一個監視器光電二極體，安裝在雷射晶片的附近。覆蓋在雷射晶片上或者既覆蓋在雷射晶片上又覆蓋在監視器光電二極體晶片上的樹脂層是由單一的合成樹脂製成的，其厚度不超過500μm，並且其表面與雷射晶片的向外發射雷射束的端面基本上平行。
文檔編號H01S5/022GK1093837SQ93119979
公開日1994年10月19日 申請日期1993年12月24日 優先權日1992年12月24日
發明者增井克榮, 宮內伸幸, 谷善平, 竹川浩, 辻亮, 小川勝, 鹽本武弘 申請人:夏普公司