光電二極體自測試的製作方法

2023-10-09 15:39:04

專利名稱：光電二極體自測試的製作方法
光電二極體自測試
下文涉及光電二極體，尤其涉及蓋革模式(Geiger-mode )雪崩光電 二極體陣列。它特別適用於正電子發射層析術(PET)和單光子發射計 算層析術(SPECT)系統中使用的檢測器、光學成像裝置以及其中部署 了光傳感器陣列的其他應用。
PET系統包括檢測同時發生的511千電子伏特(keV)伽瑪光子的輻射敏 感檢測器，所述伽瑪光子指示檢查區域中發生的正電子衰變。檢測器包 括響應於接收的511keV伽瑪而產生低能量光子(典型地在可見光範圍內 或附近)脈沖串的閃爍物，每個脈衝串典型地包括在大約數十到數百納 秒(ns)的時間段上傳播的大約數百到數千光子。
是體積相對較大的基於真空管的裝置，其並不特別適用於需要高的空間 解析度的應用。最近，提出了矽光電倍增器(SiPM)。 SIPM包括檢測器 像素陣列，每個像素包括並聯地電連接的大約數千APD單元。各個不同 的APD單元在蓋革模式下操作，每個單元包括醉熄電路。SiPM可以提供 許多優點，包括相對緊湊的尺寸、良好的靈敏度以及良好的空間解析度。 而且，APD及其關聯的讀出電路系統(circuitry)通常可以在公共的半導 體^j"底上製造。2006年10月26日的題為Z)zg""/ S,7zco"屍/70tomw仏/ /zer ./c^ rOF-屍Er的PCT公開W02006/111 883A2公開了 一種包括APD和數字讀出 電^各的數字SiPM。
然而，如上面所指出的，典型的像素可以包括許多APD單元 。遺憾 的是，當安裝在掃描儀或其他裝置上時，具有高的暗計數或其他缺陷的 APD單元可能對APD製造產量和S i PM的性能產生有害的影響。
本申請的各方面解決了這些和其他問題。
依照第一方面， 一種光電檢測器包括半導體襯底和在襯底上製造的 多個光電檢測器單元。每個單元包括雪崩光電二極體和讀出電路。光電 檢測器也包括在襯底上製造並且被配置成測試這些單元的測試器。依照另 一方面， 一種方法包括使用半導體襯底上製造的電路系統測 量該襯底上製造的矽光電倍增器的單元的第一子集的性能特性。該方法 也包括對於所述單元的第二子集重複所述使用步驟。第一和第二子集中 的每一個包括多個單元。
依照另 一方面， 一種設備包括在半導體襯底上製造的多個雪崩光電 二極體單元。這些單元包括雪崩光電二極體和單元讀出電路。該設備也 包括在襯底上製造並且被配置成測量光電二極體單元的性能特性的電 路系統。
依照另一方面，提供了一種維護(service)輻射檢測設備的方法， 該輻射檢測設備包括在半導體襯底上製造的輻射檢測器。該方法包括使 用在襯底上製造的電路測量檢測器的性能特性以及使用測量的性能特 性維護所述正電子成像設備。
本領域普通技術人員在閱讀和理解下面的詳細描述時將會理解本 發明的其他另外的方面。
本發明可以採取不同部件和部件布置以及不同步驟和步驟布置的 形式。附圖僅用於說明優選實施例的目的，不應當被視為對本發明的限制。
圖l繪出了一-種PET系統。 圖2繪出了一種SiPM。 圖3繪出了一種單元讀出電路。 圖4繪出了一種測試電路。 圖5繪出了一種方法。
參照

圖1,在諸如組合的PET/CT成像系統100之類的系統100中 採用了多個SiPM陣列142。系統100的PET臺架(gantry)部分102包 括以通常為環形的或其他合適的布置設置在檢查區域108周圍的輻射敏 感檢測器106。閃爍物材料140將指示正電子湮沒的511keV伽瑪輻射轉 換成更低能量的光子。與閃爍物材料140光學通信的SiPM陣列142將 閃爍光子轉換成電信號。
在公共半導體襯底上使用互補金屬氧化物半導體(CMOS)或其他 適當的製造技術製造的每個SiPM 142包括具有每個像素大約數千APD
7單元的光敏;險測器像素的規則或其他陣列。PET臺架部分102典型地包 括大約10000像素。如下面將要進一步詳細地描述的，SiPM陣列142 也包括用來測試APD單元的集成自測試電路系統以及允許抑制有缺陷 單元的執行的抑制邏輯。PET系統100也可以包括存儲APD單元的抑 制狀態的存儲器119。
CT部分104包括圍繞CT檢查區域112旋轉的輻射源110，例如x 射線管。輻射敏感檢測器114檢測橫穿檢查區域112的由x射線源發射 的輻射。
PET臺架部分i02和CT臺架部分104優選地被定位成與其對應的 沿公共縱軸或z軸設置的檢查區域108、 112鄰近。目標支撐116支撐 待成像的目標118,例如人類患者。目標支撐116與PET/CT系統100 的操作配合，通常可以在縱向移動，從而目標118可以在多個縱向位置 由PET和CT臺架部分102、 104進行掃描。
CT數據採集系統122處理來自CT檢測器1M的信號以產生指示沿 著通過檢查區域112的多條線或射線的輻射衰減的數據。CT重構器126 使用適當的重構算法重構所述數據以產生指示目標118的輻射衰減的體 積圖像數據。
PET數據採集系統120接收來自各個不同的SiPM的數據並且產生 包括由檢測器106檢測的湮沒事件列表的投影數據。更特別地，該投影 數據提供有關每個事件的LOR的信息，例如LOR的橫向和縱向位置、 它的橫向角度和方位角以及在TOF掃描儀的情況下的飛行時間(TOF ) 信息。可替換地，可以將該數據重分裝(rebm)成一個或多個正弦圖 (sinogram )或投影倉(bin )。
PET重構器129使用已知的迭代或其他技術重構PET投影數據以產 生指示目標118中放射性核素的分布的體積圖像數據。此外，PET重構 器129也使用來自CT重構器126的信息以便對PET數據進行衰減和其 他希望的校正。
工作站計算機用作操作員控制臺128。該控制臺128包括人類可讀 輸出裝置(例如監視器或顯示器)和輸入裝置(例如鍵盤和滑鼠)。駐 留在控制臺128上的軟體允許操作員觀看以及另外地處理由PET和CT 重構器129、 126產生的體積圖像數據。駐留在控制臺128上的軟體也 允許操作員通過建立希望的掃描協議、啟動和終止掃描以及以其他方式與掃描儀交互來控制系統100的操作。
應當理解的是，上面的內容是非限制性實例並且系統ioo的若干變
型也是可能的。因此，例如掃描儀的CT部分可以省略、定位成遠離PET 臺架部分102或者由諸如磁共振(MR)掃描儀之類的另一成像裝置替 換。也可以-沒想PET^r測器106的不同配置。而且，SiPM 142可以在 不同於PET系統100的系統中採用。非限制性實例包括SPECT系統、 螢光和光學成像系統、高能物理以及其他醫療和非醫療系統。在目的為 檢測光輻射或者波長落入光電二極體的敏感波長內的其他輻射的情況 下，也可以省略閃爍4勿140。
現在將參照圖2進一步描述實例SiPM 142像素，應當理解的是， 該SiPM可以包括若干這樣的像素。如圖所示，所述像素包括以MJ'J或 其他陣列組織的多個檢測器單元202!—q,所述陣列包括多個行204b和/ 或列206j-n。每個單元202包括經過偏壓以工作於蓋革才莫式的APD 208 以及讀出電^各系統210。
讀出電路210產生觸發輸出212和數據輸出214。觸發輸出212被 觸發或激活以指示APD 208檢測到光子。在測量光子到達時間的PET 或其他系統的情況下，各個不同的觸發輸出212操作時連接到時間-數字 轉換器(TDC)216,該時間-數字轉換器產生指示例如相對於公共掃描 儀或系統時鐘的光子到達時間的數字時間戳數據。數據輸出214包括指 示在讀取時段期間由APD 208檢測的光子數量的n位數據，其中n大於 或等於1。像素接口 218傳送到達和/或來自PET數據採集系統120上遊 部件的相關數據。
讀出電路系統2i0也包括輸出使能(或者反過來看，輸出禁止)輸 入端220、復位輸入端222、抑制狀態存儲使能(或者反過來看，抑制 狀態存儲禁止)輸入端260以及抑制輸入端224。輸出使能輸入端220 使能與單元202的讀出連接的數據輸出212。復位輸入端222在測量時 ^:結束時或以其他方式復位單元202。在所示出的實施例中，各個不同 的單元202的輸出使能端220和復位輸入端222以及抑制狀態存儲使能 端260以逐行的方式連接，從而以逐行的方式使能和/或復位單元202。 抑制狀態存儲使能端260允許通過抑制輸入端224寫抑制狀態存儲器， 以便例如通過抑制易於暗計數過大或者以其他方式被確定有缺陷的單 元202的觸發216輸出來禁止該單元202的操作。SiPM 142也包括測試所述陣列中的單元202的測試電路系統226， 例如一個或多個單元測試電路228^m。如圖所示，這些測試電路228按 列方式布置，每個測試電^各228評估特定列206中的單元202的性能。 測試電路228包括輸入端230,該輸入端在所示實施例中接收由特定列 206中的單元202給出的數據214。測試電路228還產生評估輸出232, 其在所示實施例中操作時連接到所述列206中的單元202的抑制輸入端 224。
評估輸出232也由累加器234接收，所述累加器例如一個或多個計 數器，其累計所述陣列的像素或其他部分中的壞的(或者反過來說，好 的)單元202的數量。
SiPM也包括操作時連接到數據採集系統120的控制器250。控制器 250例如依照測試模式和工作模式控制一個或多個像素的操作，在所述 測試才莫式中，測試電路226用來測試單元的操作。
現在轉向圖3，實例讀出電路210包括輸出使能/復位電路302、猝 熄電路304、觸發電路306、單元抑制電路308以及光子計數器312。
觸發電路306產生觸發輸出信號212以指示APD 208已經檢測到光 子。光子計數器312在給定的讀取時段中對APD 208檢測到的光子數進 行計數以便產生光子計數數據輸出214。在1位的實施例中，計數器312 為l位計數器，例如鎖存器。也可以設想n位計數器，其中n大於或等 於2。猝熄電路304 (例如有源或無源猝熄電路)在雪崩之後使APD 208 猝熄。
抑制(或者反過來說，單元使能)電路308例如通過禁用APD 208、 觸發電路306或者光子計數器312中的一個或多個來抑制單元210的操 作。讀出電路210也包括存儲單元210的抑制狀態的抑制狀態存儲裝置 310，例如靜態隨機存取存儲器(SRAM)位、觸發器、鎖存器等等。抑 制狀態存儲使能信號260用來例如與抑制輸入端224上接收的抑制信號 配合，允許寫到抑制狀態存儲器310。
輸出使能(或者反過來看，禁止)和復位電路302響應於在單元復 位輸入端222上接收的信號而對光子計數器312進行復位並且對APD 208再充電。電路302也響應於在輸出使能輸入端220處接收的信號而 使能光子計數數據輸出214。
7〉開日為2006年10月26日且題為Z),gzto/ S,7zco" ^/wtowzi/"/ //^
10/or r6>F-屍醜r的PCT公開WO2006/111S83A2、 2005年4月22日提交的 美國臨時專利申請No. 60/674034以及2005年5月18日提交的美國臨 時專利申請No. 60/682226中也描述了讀出電路和成像系統，這些文獻 中的每一篇明確地通過引用全部合併於此。
現在轉向圖4,實例測試電路228包括累加器402 (例如計數器或 加法器)、閾值404以及比較器406。累加器402對評估輸入端230處 接收的數據進行累計或者換句話說進行計數。比較器406將來自累加器 402的計數值與閾值404進行比較以便產生評估輸出信號232。可以提 供復位電路以便在給定單元202的評估之後復位累加器402。
在一個實施例中，在所述裝置的設計和/或製造期間將閾值404設置 為預定的固定值。在另一個實施例中，閾值404可通過閾值輸入端408 改變，在這種情況下，可以將希望的閾值(或者指示希望的值的狀態位) 存儲到在SiPM 142襯底上製造的存儲器中。所述希望的閾值可以由終 端用戶或維修工程師在操作或維護系統100方面通過控制臺128或其他 適當的用戶接口來確立。在系統IOO依照多種掃描或成像協議工作的情 況下，也可以通過系統上駐留的軟體或固件自動地或者通過用戶手工地 或者以其他方式一艮據選掉、的成像協議確立閾值404 。
在例如相對較低的計數率下或者在其中檢測器性能相對不受暗計 數率的影響的其他應用中，可以將閾值404確立為相對較高的值。相反 地，在對於暗計數相對敏感的應用或協議中，可以將閾值404確立為相 對較低的值。也可以根據測量的溫度或其他變量自動地或者以其他方式 調節閾值404。
通常有利的是，最小化各個不同的單元202的讀出電路210的面積， 因為這樣^U頃向於增大光電二極體208可用的面積。在一個實施例中， 單元202產生1位數據輸出信號212,累加器402包括每次評估輸入端 230處接收到數據信號時遞增的n位(其中n大於1 )計數器，並且通 過測試計數器402的最高有效位(MSB)，例如通過確定該MSB是否 已經置位來執行所述比較。在另一個實施例中，單元202產生n位數據 信號214,其中n大於或等於2。在讀取時段期間，讀取並復位數據214 若干次，並且累加器402包括增加各個不同的讀數的m位加法器。舉例 而言，單元202可以包括2位光子計數器312,所述加法器可以實現為 6位加法器。在SiPM 142的正常操作中，當單元202之一檢測到光子時產生觸 發信號212。像素讀出序列也被啟動，數據輸出214被讀取以便確定在 適當的讀取時段期間檢測到的光子數。然而，遺憾的是，觸發信號212 也可能響應於暗光子計數而產生。儘管有可能在系統工作期間識別並丟 棄暗光子計數，但是通常不希望響應於暗計數而啟動讀出序列，因為這 樣做傾向於增大像素死區時間(dead time)並且因而降低檢測器性能。 隨著每像素的單元202數的增加，這個問題更嚴重。
由於製造過程中的變化的原因， 一 些單元202可能更容易受到暗計 數的影響或者以其他方式易於出現缺陷。而且，暗計數率也可能隨著時 間的流逝或者隨著溫度或其他夕卜部參數的變化而變化。在前 一 種情形 下，製造的變化可能影響製造產量；同樣希望的是在生產過程中相對早 期地評估裝置的性能。在後一種情況下，可能同樣有利的是在SiPM142 安裝到掃描儀100或其他系統中之後檢測和/或響應暗計數率的變化。
現在將參照圖5描述操作。
在測試的性能特性為暗計數性能的情況下，在步驟502將SiPM置
於暗環境中。
在步驟504輸入測試模式。
在506，使能單元202行204或者其他希望的單元202組。
在508，測試行204中的單元202。因此，例如測量每個單元的暗
光子計數率並且將其與閾值進行比較。將暗計數率超過閾值的那些單元
202識別為有缺陷。
在510,例如通過抑制被識別的單元202的觸發輸出來抑制被識別
為有缺陷的那些單元202的操作。
在5 ] 2,對有缺陷的單元20 8的數量進行累計或計數。
在514，重複該過程，直到已經測試了每個希望的行204或組。應
當指出的是，測試也可以在有缺陷單元202的數量超過希望的值的情況
下更早地終止。
在516,可以重複所述過程，對測試執行希望的多次。這種重複在 其中測量的值受到統計變化的影響的暗計數率或其他測量中是特別有 益的。在SiPM安裝到包括多個SiPM的PET IOO或其他系統中的情況 下，優選地在時間上並行地測試這些不同的SiPM。
在518，將測試的結果傳送到SiPM 142外部的裝置或系統，例如傳
12送到數據採集系統或者不在SiPM 142襯底上製造的電路部分。
在520,利用這些測試結果，動作的性質取決於諸如SiPM 142的壽 命周期階段之類的因素以及執行的測試的性質。
例如，可以將所述測試作為SiPM 142晶片製造和/或生產過程的一 部分來執行。在這種情形下，可以將有缺陷單元的數量與一個或多個閾 值進行比較，將SiPM 142丟棄或者分級以用於對識別的缺陷相對不敏 感的應用中。在SiPM 142包括多個像素的情況下，也可以確定有缺陷 單元或像素的總數，相應地將SiPM 142丟棄或分級。
可以在SiPM安裝到PET掃描儀102或其他系統中之後作為系統制 造測試的一部分或者在系統工作壽4^期間多次測試這些SiPM。例如， 可以在醫療保健設施(例如診所、醫院或診斷成像中心)或者其他終端 用戶位置結合系統的上電初始化過程、安裝和試運行、在準備掃描或其
這種情況下，可以合適地;奪須:試結果;專送給;喿作員:技術員或者i他用
戶。然後，可以評估這些測試結果並且例如通過替換有缺陷SiPM或其 他現場可替換單元(FRU)將其用於修復所述系統。為了促進相對更優 美的失效(graceful faiiLire ),系統100也可以被配置成僅在其中性能未 過度地退化的那些工作模式或協議下操作。
尤其在SiPM 142已經安裝到系統中的情況下，在522退出測試模 式並且將SiPM 142置於工作才莫式下。
在步驟524, SiPM 142用來執行成像或其他衝全查。 可以設想若千變型和可替換方案。例如，電路226可以被配置成測 量不同於暗計數率的性能特性，並且從測試導出的信息可以用於不同於 抑制單元202的操作的目的。因此，例如電路226可以被配置成測量單 元202的增益或其他參數，所述信息用來調節單元的操作或者調節單元 產生的輸出。
也可以設想測試電路228的不同數量和配置，就像可替換的測試電 ;洛228的復用方案一樣。例如，可以^是供單個測試電^各228;可以針對 每個單元202提供測試電路228。也可以同時測試兩行或多行204。應 當理解的是，為了解釋的一致性起見，術語列已經結合豎直列進行了說 明，術語行已經結合水平行進行了說明，並且所述單元可以以不同於水 平4亍和豎直列來分組。而且，單元202不必以行和列來分組，並且可以以其他適當的配置或布置來分組。
還應當指出的是，也可以將各個不同的單元的抑制狀態存儲到諸如 非易失性存儲器119之類的存儲器中，所述信息在系統上電時或者以其
他方式傳送到單元202。
儘管上面主要結合醫療PET系統進行了描述，但是應當理解的是， 所述SiPM 142可以用在其他的系統和應用中。
上面已經參照優選的實施例描述了本發明。本領域技術人員在閱讀 和理解前面的詳細描迷時可以想到若干修改和變化。可以預期的是，只 要所有這樣的修改和變化落入所附權利要求書或者其等效物的範圍內， 那麼本發明應當被視為包括了所有這樣的修改和變化。
權利要求
1.一種光電檢測器，包括半導體襯底；在該襯底上製造的多個光電檢測器單元(202)，每個單元包括雪崩光電二極體(208)和讀出電路(210)；測試器(226)，其在所述襯底上製造並且被配置成測試這些單元。
2. 權利要求l的光電檢測器，其中讀出電路包括根據測試器執行的 測試抑制單元的操作的抑制電路(308 )。
3. 權利要求2的光電檢測器，其中讀出電路包括抑制狀態存儲裝置 (310 )並且抑制電路根據該存儲裝置存儲的抑制狀態抑制單元的操作。
4. 權利要求2的光電檢測器，包括時間-數字轉換器(216),其中讀 出電路包括觸發該時間-數字轉換器的操作的光子觸發電路(306 )並且 抑制電路根據測試電路執行的測試抑制該觸發電路的操作。
5. 權利要求l的光電檢測器，其中測試器測試單元的暗計數率。
6. 權利要求l的光電檢測器，包括第一列(206!)單元和第二列 (2062 )單元，其中測試器包括第一測試電路(228,)和第二測試電路 (2282 ),第一測試電路測試第一列中的單元的性能特性，並且第二測試電路測試第二列中的單元的性能特性。
7. 權利要求6的光電檢測器，包括第一行(204i)單元和第二行 (2042 )單元，其中第一測試電路在第一時間段期間測試第一行中的單元的性能特性以及在第二時間段期間測試第二行中的單元的性能特性， 並且其中第 一和第二時間段是不同的。
8. 權利要求l的光電檢測器，其中所述單元產生光子計數並且所述 測試器將單元產生的計數量與閾值進行比較。
9. 權利要求8的光電檢測器，其中所述閾值是可變的。
10. 權利要求l的光電檢測器，包括在所述襯底上製造的累加器 (234 )，其中所述測試器識別有缺陷的單元並且累加器(234 )產生指示被識別為有缺陷的單元的數量的值。
11. 權利要求l的光電檢測器，其中該光電檢測器形成包括人類接口 (128)的成像系統(100)的一部分，並且其中指示所述測試器執行的測試結果的信息通過該人類接口給出。
12. 權利要求l的光電檢測器，其中該光電檢測器形成正電子發射層析術設備的一部分。
13. —種方法，包括使用半導體襯底上製造的電路系統(226 )測量該襯底上製造的矽光電倍增器的單元(202 )的第一子集的性能特性；對於所述單元的第二子集重複所述使用步驟，其中第一和第二子集中的每一個包括多個單元。
14. 權利要求13的方法，包括對於所述第一和第二子集的單元中的每一個，比較測量的性能特性和希望的性能特性。
15. 權利要求13的方法，包括使用測量的性能特性調節單元的操作。
16. 權利要求13的方法，其中該方法包括使用測量的性能特性識別有缺陷的單元並且抑制被識別的單元的操作。
17. 權利要求13的方法，包括將值存儲到在所述襯底上製造的存儲器中並且使用存儲的值評估單元的測量的性能特性。
18. 權利要求13的方法，包括接收指示第 一性能特性值的第 一輸入；使用在所述襯底上製造的電路系統評估相對於第一性能特性值的單元的測量的性能特性；接收指示第二性能特性值的第二輸入；使用在所述襯底上製造的電路系統評估相對於第二性能特性值的所述單元的測量的性能特性。
19. 權利要求13的方法，其中所述矽光電倍增器形成依照多個工作協議操作的系統的一部分，並且該方法包括確定所述系統的工作協議；^f艮據所確定的協議確立測試參數；使用該測試參數以及單元的測量的性能特性測試該單元。
20. 權利要求13的方法，其中單元的性能特性隨著時變環境條件而變化並且該方法包括確定所述時變環境條件的值；根據所確定的值確立測試參數；使用該測試參數以及測量的性能特性測試所述單元。
21. 權利要求13的方法，其中所述性能特性包括暗計數率。
22. 權利要求13的方法，其中所述陣列的單元以行(204 )和列(206 )設置，所述第一子集包括第一行，所述第二子集包括第二行，並且使用包括同時測試位於多列中的每一列的單元，重複包括對於所述第二行重複所述使用步驟。
23. 權利要求13的方法，包括使用測量的性能特性識別有缺陷的單元並且確定被識別的有缺陷單元的數量。
24. 權利要求13的方法，其中所述電路系統包括多個計數器或加法器。
25. 權利要求13的方法，包括重複所述使用步驟和所述重複步驟多次。
26. 權利要求13的方法，包括作為所述矽光電倍增器的製造的一部分而執行所述使用和重複步驟，並且使用第 一測試電路，執行的測試的結果將該矽光電倍增器拒絕或分級。
27. 權利要求13的方法，包括在將所述矽光電倍增器安裝到成像系統中之後執行所述使用和重複步驟。
28. 權利要求27的方法，其中所述成像系統包括在第一半導體襯底上製造的第 一 矽光電倍增器和在第二半導體襯底上製造的第二矽光電倍增器，並且該方法包括對於所述第 一和第二矽光電倍增器同時執行所述使用和執行步驟。
29. 權利要求13的方法，包括使用所述矽光電倍增器檢測指示正電子湮沒的輻射。
30. 權利要求13的方法，包括使用測量的性能特性使能多個單元的操作並且產生指示被使能的單元檢測的輻射的圖像數據。
31.一種設備，包括在半導體襯底上製造的多個雪崩光電二極體單元(202),這些單元包括雪崩光電二極體(208 )和單元讀出電路(210);在所述襯底上製造並且被配置成測量這些光電二極體單元的性能特性的電路系統(226 )。
32. 權利要求31的設備，其中所迷電路系統包括第一測量電路和第二測量電路，所述第一電路被配置成測量所述單元的第一子集(206J中的每個單元的性能特性，並且所述第二電路被配置成測量所述單元的第二不同子集(2062 )中的每個單元的性能特性。
33. 權利要求32的設備，其中所述第一測量電路包括計數器。
34. 權利要求32的設備，其中所述性能特性包括暗計數率並且所述 電路系統被配置成測試所述單元中的每一個的暗計數率。
35. 權利要求3的設備，其中所述讀出電路包括 猝熄電路(304);光子觸發電路(306); 光子計數器(312)。
36. 權利要求31的設備，其中所述讀出電路包括單元抑制電路，該 單元抑制電路響應於所述電路系統執行的測量而抑制單元的操作。
37. —種維護輻射檢測設備的方法，該輻射檢測設備包括在半導體 襯底上製造的輻射敏感檢測器，該方法包括使用在所述襯底上製造的電路(226 )測量所述檢測器的性能特性； 使用測量的性能特性維護所述成像設備。
38. 權利要求37的方法，其中所述設備包括正電子成像設備並且所述檢測器檢測指示正電子湮沒的輻射。
39. 權利要求37的方法，其中所述檢測器包括雪崩光電二極體陣列。
40. 權利要求37的方法，其中使用電路包括使用該電路測試所述檢 測器的性能。
41. 權利要求40的方法，其中該方法包括根據測試結果抑制所述檢 測器的操作。
42. 權利要求37的方法，其中使用測量的性能特性包括替換所述檢測器。
43. 權利要求37的方法，包括使用測量的性能特性包括禁用所述成 像設備的功能。
44. 權利要求37的方法，其中所述設備包括醫療成像設備，該方法 包括將該成像設備安裝到醫療保健設施中並且使用測量的性能維護該 設備包括在醫療保健設施處使用測量的性能特性試運行所述設備。
全文摘要
光電檢測器陣列(142)包括多個光電檢測器單元(202)，例如雪崩光電二極體(208)和讀出電路(210)。陣列自測試器(226)測試單元(202)的暗計數或其他性能特性。該測試結合陣列(142)的製造而執行或者在將陣列(142)安裝到檢測系統(100)中之後執行。
文檔編號G01R31/26GK101688894SQ200880022085
公開日2010年3月31日 申請日期2008年5月27日 優先權日2007年6月25日
發明者G·普雷謝爾, T·弗拉克 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司