螢光體及其製備方法、和使用該螢光體的發光裝置的製作方法

2023-06-10 14:22:16

專利名稱：：螢光體及其製備方法、和使用該螢光體的發光裝置的製作方法
技術領域：
：本發明涉及陰極射線管(CRT)、場致發射顯示器(FED)、等離子顯示器(PDP)等顯示器或螢光燈、螢光顯示管等照明裝置或液晶背照燈等發光器具中使用的含有氮的螢光體及其製造方法、螢光體混合物、螢光體片、以及組合了半導體發光元件(LED)和該螢光體的白色LED照明為代表的發光裝置。
背景技術：
：目前，作為照明裝置使用的放電式螢光燈或白熾燈等含有水銀等有害物質，存在壽命短等各種問題。但是，近年來陸續開發了近紫外/紫外藍色發光的高亮度LED,從該LED發出的近紫夕卜/紫外藍色的光和在其波長區域具有激髮帶的螢光體發出的光混合而獲得白色光，是否可以利用該白色光作為下一代的照明的研究、開發正在廣泛地進行。如果該白色LED照明被實用化，則存在如下優點電能向光轉換的效率高，產生的熱量少；因為由LED和螢光體構成，不會象以往的白熾燈那樣燒完，具有長的壽命；不含有水銀等有害物質；以及照明裝置可以小型化，可以得到理想的照明裝置。作為LED照明的方式，提出了二種方案，一個是使用高亮度的紅色LED、綠色LED、藍色LED的3原色LED來發出白色光的多片型方式，另一種是將發出近紫夕卜/紫外藍色光的高亮度LED和用該LED發出的近紫外/紫外藍色的光激發的焚光體組合，發出白色光的單片型方式。從用於照明的觀點比較這兩種方式時，特別是和多片型方式相比，單片型方式因為使用了發光光譜具有寬峰的螢光體，因此可以使發光光譜接近於太陽光的光譜，並能夠獲得演色性優異的白色光。另外，由於具有可使驅動電路筒單化和小型化、不需要用於混色的導光路、各LED的驅動電壓或光輸出不同、不需要考慮溫度特性等、以及低成本等諸多優點，因此，作為下一代照明，組合了LED和螢光體的單片型方式備受矚目。作為單片型方式的白色LED照明，有組合了高亮度藍色LED和由該LED發出的藍色光激發而發黃光的螢光體的白色LED照明，例如，有組合了高亮度藍色LED和黃色螢光體(Y,Gd)3(Al,Ga)5Ch2:Ce(YAG:Ce)、Tb3Al5012:Ce、Ca3Sc2Si3012:Ce、CaSc204:Ce等的白色LED照明。該白色LED照明因為是利用光的藍色和黃色存在補色關係，因此具有可以減少使用的螢光體的特徵。特別是，使用的黃色螢光體YAG:Ce由於在藍色波長460nm附近具有激發峰，因此可高效率地發光，並且由於發光波長處於亮度(可見度)最高的560nm附近，因此可獲得高亮度的白色LED照明。但是，由於該白色LED照明在可見光區域的長波長側的發光、即紅色成分的發光不足，因此成為帶藍色的白色發光，不能得到如白熾燈那樣的稍微帶有紅色的白色發光，存在演色性差的問題。但是，最近陸續開發了發光峰波長處於黃色到紅色範圍且發光光譜具有寬峰，並且在近紫外/紫外~藍色範圍具有良好的激髮帶的含有氮的螢光體，通過加入該螢光體，改善了演色性。另外，作為其他單片型方式，還有利用由發出近紫外/紫外光的LED和通過該LED發出的近紫外/紫外的光激發而發紅(R)光的螢光體、發綠(G)光的螢光體、發藍(B)光的螢光體獲得的光的混色來獲得白色光的方式。該由R、G、B等光獲得白色發光的方法具有如下特徵通過R、G、B的組合或混合比等，除了白色光以外，還可獲得任意發光色；並且由於通過使用R、G、B的混色關係而不是光的補色關係來得到白色發光，因此演色性優異。作為在該用途中使用的螢光體，如果是紅色螢光體，例如有Y202S:Eu、La202S:Eu、3.5MgO.0.5MgF2'GeO2:Mn、(La,Mn,Sm)202S'Ga203:Eu等，如果是綠色螢光體，例如有ZnS:Cu，Al、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu、BaGa2S4:Eu、SrAl204:Eu、BAM:Eu,Mn、(Ba,Sr，Ca，Mg)2Si04:Eu等，如果是藍色焚光體，例如有BAM:Eu、Sr5(P04)3Cl:Eu、ZnS:Ag、(Sr，Ca，Ba,Mg)1(P04)6Cl2:Eu等。但是，相對於3色螢光體中的其他顏色的螢光體具有寬峰的發光光譜，由於紅色焚光體具有尖的發光光譜，因此存在演色性變差，或者高溫下的發光特性差等問題。但是，對於這些問題，如上所述，正在陸續開發含有氮的溫度特性、激髮帶特性優異的發出從黃色到紅色的光的螢光體，以對這些問題進行改善。對於這些發光光譜的峰波長為黃色到紅色範圍且具有寬峰的螢光體，通過進一步開發在近紫外/紫外藍色範圍具有良好的激髮帶的含有氮的螢光體，可以解決發出從黃色到紅色的光的螢光體的大部分問題。作為上述含有氮的螢光體，代表性的有Ca2Si5N8:Eu、Sr2Si5N8:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Cax(Al,Si)12(O，N)16:Eu(0報專利文獻5:國際公開第2004/029177A1號小冊子專利文獻6:國際公開第2004/055910A1號小冊子
發明內容發明要解決的課題但是，這些含有氮的螢光體是對熱或水的耐久性優良，在近紫外/紫外到藍色的範圍具有平坦的激髮帶，並且發光光鐠具有寬峰的螢光體，但是用近紫外/紫外藍色的激發光激發時的發光效率沒有達到滿意的水平，得不到充分的發光強度和亮度。因此，雖然可以製作耐久性優異的白色LED照明，但由於發光強度和亮度不充分，將近紫外/紫外LED或藍色LED等與上述含有氮的螢光體組合來製作白色LED照明時，作為照明最重要的亮度不充分。另外，作為今後市場的要求，認為也要求發光效率好、亮度優異、演色性也優異的進行了以白色發光為代表多種發光的發光裝置。本發明就是考慮了上述課題而作成的，其目的在於，提供一種在綠色黃色的範圍具有寬的發光光語、並且在從近紫外/紫外到藍色的範圍具有寬且平坦的激髮帶、發光效率和亮度也優異的螢光體及其製造方法、使用該螢光體的螢光體混合物、螢光片和以白色LED照明為代表的發光效率良好且具有優異的亮度、演色性的發光裝置。解決課題的方法
技術領域：
：本發明人對於亮度優異、演色性也優異的發光裝置或光源進行了研究，結果發現，如果將發光效率良好、並且首先在520膽580nm範圍具有發光光語的最大峰(下面，有時將發光光譜的最大峰只記為最大峰)，對於在紫外到可見光(例如藍色光)的寬範圍波長的光具有激髮帶，發光波長寬的黃色或綠色螢光體與其他顏色的螢光體進行組合，則可以解決上述問題。即，通過組合該綠色螢光體、同樣對紫外到可見光(例如藍色光)的寬範圍波長的光具有激髮帶並且在波長590nm680nm範圍內具有發光光譜的最大峰的紅色焚光體、和/或在420nm500nm範圍內具有最大峰的藍色螢光體而製成螢光體混合物，如果將該螢光體組合物與多樣的光源(例如從紫外光到藍色光的光源)組合，則可以製造發光效率良好、在高亮度下演色性優異的可以進行白色發光為代表的多樣發光的發光裝置。因此，首先對在520nm580nm的範圍內具有發光光譜的最大峰的已知的綠色或黃色螢光體和專利文獻3中記載的螢光體進行了研究，可知該已知的綠色或黃色螢光體即使使用藍色LED或紫外LED作為激發光來進行發光，發光效率也低，不能得到高亮度的發光。因此，本發明人等為了解決上述課題，對含有多種氮的螢光體組成進行研究的結果表明，通過製備具有包括可以容易地置換Ce或Eu原子的位點的母體結構的螢光體，可以獲得在近紫外/紫外到藍色的範圍具有寬且平坦的激髮帶、在綠色到黃色的範圍發光強度和亮度強、且發光光譜具有寬峰的新型焚光體。另外，使用Eu等作為活化劑時，可獲得在黃色到紅色的範圍內發光強度和亮度都優異的螢光體。此外，通過發明一種螢光體混合物以及一種發光裝置，可以解決上述課題，所述螢光體混合物是將上述綠色螢光體、在波長420腿500nm範圍內具有發光光譜的最大峰的一種以上的藍色螢光體和/或在波長590nm680nm的範圍內具有發光光譜的最大峰的一種以上的紅色螢光體混合而得到的，所述發光裝置具有該螢光體混合物和在波長300nm500nm的範圍進行任意波長的發光的發光部。解決上述課題的第1方案是一種螢光體，由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是價數為II價的l種以上的元素，A元素是價數為III價的l種以上的元素，B元素是價數為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是l種以上的活化劑)，其中，4.0<(a+b)/m2.5,n>o,n=2/3m+a+4/3b—2/3o，用波長為300nm500nm範圍的光激發時，發光光i普中的峰^直波長在500nm650證的範圍。第2方案是第1方案所述的螢光體，其中，0.5Sa/m〇2.0，3.0<b/m<7.0,0<o/m^4.0。第3方案是第1或第2方案中所述的螢光體，其中，0.8Sa/mS1.5,3.0<b/m<6.0,0<o/m^3.0。第4方案是第1~第3方案中任一項所述的螢光體，其中，l.l<a/m^l.5,3.5芸b/m^4.5，0o，o鳴。第26方案是第25方案所述的螢光體混合物，其中，在上述波長590nm680nm範圍內具有發光光譜的最大峰的紅色螢光體是具有m=a=b=1,n=3的組成式的CaAlSiN3:Eu。第27方案是第21~第26方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，在上述波長420nm500nm範圍內具有發光光鐠的最大峰的藍色螢光體是選自BAM:Eu(BaMgAl10O17:Eu)、(Sr，Ca，Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu中的1種以上的螢光體。第28方案是第21~第27方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，上述螢光體混合物由平均粒徑(D50)為lpm50^im的螢光體構成。第29方案是一種螢光體片，其中，該螢光體片是在樹脂或玻璃中分散了第1~第14方案中任一項所述的螢光體或第21第28方案中任一項所述的螢光體混合物而製得的。第30方案是一種發光裝置，包括第1~第14方案中任一項所述的螢光體和發出第一波長的光的發光部，並且以上述第一波長的光的一部分或全部作為激發光，由上述螢光體發出與上述第一波長不同波長的光。第31方案是一種發光裝置，包括第21~第28方案中任一項所述的螢光體混合物和發出第一波長的光的發光部，並且以上述第一波長的光的一部分或全部作為激發光，由上述螢光體發出與上述第一波長不同波長的光。第32方案是一種發光裝置，包括第29方案所述的螢光體片和發出第一波長的光的發光部，並且以上述第一波長的光的一部分或全部作為激發光，由上述螢光體發出與上述第一波長不同波長的光。第33方案是第3032方案中任一項所述的發光裝置，其中，第一波長是350nm500nm的波長。第34方案是第3033方案中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的相關色溫度在10000K2000K的範圍。第35方案是第3034方案中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的相關色溫度在7000K2500K的範圍。第36方案是第3035方案中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的平均演色評價數Ra為80以上。第37方案是第3036方案中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的特殊演色評價數R15為80以上。第38方案是第3037方案中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的特殊演色評價數R9為60以上。第39方案是第3038方案中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光部是發光二極體(LED)。第40方案是一種螢光體，其由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是價數為II價的1種以上的元素，A元素是價數為III價的1種以上的元素，B元素是價數為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是l種以上的活化劑)，其中，4.0<(a+b)/m2.5，n>o,n=2/3m+a+4/3b—2/3o。第41方案是第40方案所述的螢光體，其中，0.5^a/m^l.5,3.5<b/m<6.5,0<o/m<4.0。第42方案是第40或第41方案所述的螢光體，其中，0.8^a/m^1.2,4.0^b/m^6.0,(Ko/m^3.0。第43方案是第40~第42方案中任一項所述的螢光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、原子價為II價的稀土元素中的一種以上的元素；A元素是選自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Bi中的一種以上的元素；B元素是選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的一種以上的元素；Z元素是選自稀土元素、過渡金屬元素中的一種以上的元素。第44方案是第40~第43方案中任一項所述的螢光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一種以上的元素；A元素是選自A1、Ga、In中的一種以上的元素；B元素是Si和/或Ge;Z元素是選自Eu、Ce、Pr、Tb、Mn中的一種以上的元素。第45方案是第40第44方案中任一項所述的螢光體，其中，M元素是Sr,A元素是Al,B元素是Si,Z元素是Eu和/或Ce。第46方案是第40第45方案中任一項所述的螢光體，其中，該螢光體由通式MmAaBbOoNn:Zz表示時，M元素和Z元素的摩爾比z/(m+z)的值為0細1~0.5。第47方案是第40第46方案中任一項所述的螢光體，其表示為Sr6Al6Si1803N32:Ce、SrAlSi3ON5:Ce、Sr3Al3Si906N13:Ce、Sr6Al6Si24O3N40:Ce、Sr3Al3Si1203N19:Ce、Sr3Al3Si1206N17:Ce、Sr6Al6Si2703N44:Ce、Sr2Al2Si902N14:Ce、Sr6Al6Si27012N38:Ce、Sr2Al2Si10ON16:Ce、Sr3Al3Si1503N23:Ce、SrAlSi502N7:Ce、Sr6Al6Si3603N56:Ce、SrAlSi6ON9:Ce、Sr3Al3Si1806N25:Ce、Sr6Al6Si1803N32:Eu、SrAlSi3ON5:Eu、Sr3Al3Si906N13:Eu、Sr6Al6Si24O3N40:Eu、Sr3Al3Si1203N19:Eu、Sr3Al3SiI206N17:Eu、Sr6Al6Si2703N44:Eu、Sr2Al2Si902N14:Eu、Sr6Al6Si27012N38:Eu、Sr2Al2Si!oON!6:Eu、Sr3Al3Si1503N23:Eu、SrAlSi502N7:Eu、Sr6Al6Si3603N56:Eu、SrAlSi6ON9:Eu、Sr3Al3Si1806N25:Eu。第48方案是第40第47方案中任一項所述的螢光體，其中，包含20.0重量％~27.0重量％的Sr、5.0重量％~9.0重量％的Al、30.0重量％~39.0重量％的Si、0.5重量％~6.0重量％的O、26.0重量％32.0重量％的N、超過0且為3.5重量％以下的Ce,並且以波長350nm500nm範圍的1種以上的單色光或連續光作為激發光進行照射時，發光光譜中的峰波長在500~600nm的範圍，發光光譜的色度(x，y)的x為0.3500~0.4500,y為0.5000~0.6000的範圍。第49方案是第40~第47方案中任一項所述的螢光體，其中，包含20.0重量%~27.0重量%的Sr、5.0重量%9.0重量%的Al、30.0重量%~39.0重量％的Si、0.5重量％~6.0重量％的0、26.0重量％~32.0重量％的N、超過0且為3.5重量％以下的Eu,並且以波長350腿500nm範圍的1種以上的單色光或連續光作為激發光進行照射時，發光光譜中的峰波長在550~650nm的範圍，發光光譜的色度(x,y)的x為0.45000.6000,y為0.35000.5000的範圍。第50方案是第49方案所述的螢光體，其中，以波長350nm550nm範圍的單色光作為激發光照射時，將照射使吸收該激發光而發光的光譜中的最大峰值的峰強度為最大的激發光時的該最大峰值的峰強度作為PH、將照射使吸收該激發光而發光的光譜中的最大峰值的峰強度為最小的激發光時的該最大峰值的峰強度作為PL時，(PH-PL)/PHS0.20。第51方案是第40~第50方案中任一項所述的螢光體，其中，在採用CoKa射線的粉末X射線衍射圖案中，將布拉格角(20)在28.5°29.5°、35.5°~36.5°、41.0。42.0。範圍的各個最大峰分別作為a、b、c，並將a對b的峰強度比作為I(a/b)、c對b的峰強度比作為1(c/b)時，符合0.20<I(a/b)、I(c/b)<1.50。第52方案是第40~第51方案中任一項所述的螢光體，其中，將在25。C下以波長為350nm550nm範圍的規定的單色光作為激發光進行照射時的發光光譜中的最大峰的相對強度的值作為P25,將在200。C下以上述單色光作為激發光進行照射時的上述最大峰的相對強度的值作為P2。0時，(P25-P200)/P25x100^35。第53方案是第40第52方案中任一項所述的螢光體，其中，該螢光體呈粉末狀。第54方案是第53方案所述的螢光體，其中，包含粒徑為20nm以下的一次粒子和該一次粒子凝聚的凝聚體，並且包含該一次粒子和凝聚體的螢光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0jim20.0jim。第55方案是一種螢光體混合物，其中，含有綠色螢光體、一種以上的藍色螢光體、和一種以上的紅色螢光體，種以上的元素，A元素是價數為m價的1種以上的元素，B元素是價數為IV價的l種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是在上述螢光體中起活化劑作用的元素，且4.0〈(a+b)/m〈7.0，0,5^a/m認2.0，3.0^b/m^7.0,0<o/m〇5.0，n=2/3m+a+4/3b-2z3o)表示，用波長為300nm420nm範圍的一種以上的單色光或連續光作為激發光進行激發時，在波長520nm580nm的範圍內具有發光光譜的最大峰，所述藍色螢光體在用波長為300nm420nm範圍的上述激發光進行激發時，在波長420nm500nm範圍內具有發光光譜的最大峰，所述紅色螢光體在用波長為300nm420nm範圍的上述激發光進行激發時，在波長590nm680nm範圍內具有發光光譜的最大峰。第56方案是第55方案所述的螢光體混合物，其中，在上述波長520nm580nm的範圍內具有發光光譜的最大峰的綠色螢光體包含0.5^a/m^2.0,4.0^b/m^6.0,CKo/m^3.0的焚光體。第57方案是第55或第56方案所述的螢光體混合物，其中，上述M元素是選自Ca、Mg、Sr、Ba、Zn中的1種以上的元素；上述A元素是選自A1、Ga、In中的l種以上的元素；上述B元素是選自Si、Ge、Sn中的l種以上的元素；上述Z元素是選自稀土元素、過渡金屬元素中的l種以上的元素。第58方案是第55第57方案的任一項所述的螢光體混合物，其中，上述Z元素是Ce。第59方案是第55第58方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，將以波長為300nm420nm範圍的規定的激發光進行激發時的溫度25°C下的發光強度作為P25,將照射上述規定的激發光時的溫度200。C下的發光強度作為P，時，上述各螢光體的(P25-P200)/P25為30%以下。第60方案是第55第59方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，採用波長為300nm420nm範圍的上述激發光激發時的發光光譜中，相關色溫度在7000K2000K的範圍，在波長420nm680nm的範圍具有3個以上的發光峰，且在波長420nm780nm的範圍具有不間斷的連續的光譜。第61方案是第55~第60方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，在上述波長590nm680nm範圍內具有發光光譜的最大峰的紅色螢光體用組成式MmAaBbOoNn:Z(上述M元素是選自Ca、Mg、Sr、Ba、Zn中的1種以上的元素，上述A元素是選自Al、Ga、In中的l種以上的元素，上述B元素是選自Si、Ge、Sn中的l種以上的元素，上述Z元素是選自稀土元素、過渡金屬元素中的1種以上的元素，且11=2/3111+&+4/313-2/30，111=l，a^O,b^m,11>0,0>0)表示。第62方案是第55~第61方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，在上述波長590nm680nm範圍內具有發光光語的最大峰的紅色螢光體具有m=a=b=l、n=3的組成式CaAlSiN3:Eu。第63方案是第55第62方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，在上述波長420nm500nm範圍內具有發光光語的最大峰的藍色螢光體為選自BAM:Eu(BaMgAl,。On:Eu)、(Sr,Ca,Ba,Mg)。(P04)6Cl2:Eu中的一種以上的螢光體。第64方案是第55~第63方案中任一項所述的螢光體混合物，其中，上述焚光體組合物是各螢光體的平均粒徑(D50)為lnm20,1的粒子。第65方案是一種螢光體，其是由通式MmAaBbOoNn:Z表示的螢光體(M元素是價數為II價的1種以上的元素，A元素是價數為III價的1種以上的元素，B元素是價數為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是l種以上的活化劑)，其中，4.0<(a+b)/m<7.0，n〉o,1.2<a/m^2.0,3.0^b/m^4.5,0<o/m^l.5，n=2/3m+a+4/3b-2/3o，用波長300500nm範圍的光激發時，發光光譜中的峰波長為500nm600腿的範圍。第66方案是第65方案所述的螢光體，其中，M元素是選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一種以上的元素；A元素是選自A1、Ga、In中的一種以上的元素；B元素是Si和/或Ge;Z元素是選自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Mn中的一種以上的元素。第67方案是第65或第66方案所述的螢光體，其中，M元素是Sr,A元素是Al,B元素是Si，Z元素是Ce。第68方案是第65第67方案中任一項所述的螢光體，其中，該螢光體表示為通式MmAaBbOoNn:Zz時，M元素和Z元素的摩爾比z/(m+z)的值為0細1~0.5。第69方案是第65~第68方案中任一項所述的螢光體，其中，將在25。C下用波長300nm500nm範圍的規定的單色光作為激發光進行照射時的發光光譜的最大峰的相對強度的值作為P25、將在IO(TC下用上述規定的單色光作為激發光進行照射時的上述最大峰的相對強度的值作為Pu)。時，(P25-P100)/P25xl00,。第70方案是第65第69方案中任一項所述的螢光體，其中，含有粒徑50.0pm以下的一次粒子和該粒子凝聚的凝聚體，並且包含該一次粒子和凝聚體的螢光體粉末的平均粒徑(D50)為1.0pm50.0^im。發明效果第1第10中任一項方案所述的螢光體在從綠色到黃色、或從黃色到紅色的範圍內具有發光光譜的寬峰，在從近紫外/紫外到藍色的範圍具有寬且平坦的激髮帶，不僅發光強度和亮度高，而且對熱或水的耐久性優異。第11方案所述的螢光體由於在波長350nm500nm範圍內具有平坦的激髮帶，即使在用作單片型白色LED照明的激發光的近紫夕卜/紫外LED、藍色LED的發光波長中有多少的離散，各種顏色的發光強度的平衡也不會被破壞，從而可以穩定地製造相同色調的白色LED照明，在品質和製造成本兩方面有^尤點。第12方案所述的螢光體由於在200。C的高溫下也具有高的發光強度和高亮度，因此即使塗布在認為發光時處於高溫的LED片上時，發光強度和亮度也不降低，因而能獲得高亮度的單片型白色LED照明。另外，由於熱引起的發光特性的變化少，因此容易設計白色LED照明的發光色。按照第13、14方案所述的螢光體，由於得到的螢光體為粉末狀，因此可以作為糊劑在各種情況下塗布。並且，由於該螢光體的粒徑為1.0)im50.0(am,更優選粒徑為1.0|xm~20.0|am,因此可以提高塗布密度，從而可以得到發光強度和亮度高、色斑少的塗布膜。按照第15~第20方案中任一項所述的螢光體的製造方法，能以廉價的製造成本容易地製造第1第12方案中任一項所述的螢光體。第21~第28方案的螢光體混合物在照射規定的激發光時，能有效地發光，可以發出亮度、演色性優異的白色為代表的光。按照第29方案所述的螢光體片，通過組合該螢光體片和各種發光部，可以容易地製造多樣的發光裝置。按照第30~第39方案中任一項所述的發光裝置，能獲得具有期望的發光色、發光強度和亮度高的高效率的發光裝置。第40~第49方案中任一項所述的螢光體是在從綠色到黃色、或從黃色到紅色的範圍內具有發光光譜的寬峰,在從近紫外/紫外到藍色的範圍具有寬且平坦的激髮帶，並且不僅發光強度和亮度高，而且對熱或水的耐久性也優異的螢光體。第50方案所述的螢光體由於在波長350nm550nm的範圍具有平坦的激髮帶，即使在作為單片型白色LED照明的激發光使用的近紫夕卜/紫外LED、藍色LED的發光波長中有一些離散，各種顏色的發光強度的平衡也不會被破壞，能穩定地製造相同色調的白色LED照明，在品質和製造成本兩方面有優點。第52方案所述的螢光體由於在200°C的高溫下也具有高的發光強度和高亮度，即使塗布在認為發光時處於高溫的LED片上時，發光強度和亮度也不降低，因而可以獲得高亮度的單片型白色LED照明。並且因為由於熱)起的發光特性的變化少，容易設計白色LED照明的發光色。按照第53或54方案所述的螢光體，由於得到的螢光體為粉末狀，因此可以製成糊劑在各種情況下塗布。另外，由於該螢光體的粒徑為1.0^im20.0jim，因此可以提高塗布密度，從而可以獲得發光強度和亮度高的塗布膜。第55~第64方案涉及的焚光體混合物在照射規定的激發光時，能有效地發光，可以發出亮度、演色性優異的白色為代表的光。第65~第70方案中任一項所述的焚光體是如下所述的綠色焚光體在近紫夕卜/紫外到藍色的範圍具有平坦的激髮帶，並具有不僅在能夠獲得亮度的波長500nm600nm附近具有發光峰，且具有寬的發光光譜這樣的優異的初期發光特性，另外，耐熱性優異，即使在高溫環境下，與室溫(25。C)下相比，發光特性也幾乎不會變差。具體實施例方式下面說明本發明的實施方式，但本發明並不限定於此。本實施方式的螢光體是具有由通式MmAaBbOoNn:Z表示的母體結構的螢光體。其中，M元素是在上述螢光體中選自價數為II價的1種以上的元素。A元素是上述螢光體中價數為III價的1種以上的元素。B元素是上述螢光體中價數為IV價的l種以上的元素。O是氧。N是氮。Z是在上述螢光體中作為活化劑起作用的元素，是選自稀土元素或過渡金屬元素中的l種以上的元素。另夕卜，該螢光體的特徵為，(a+b)/m為4.0<(a+b)/m2.5的範圍，氧和氮的關係為n>o，氮滿足11=2/3m+a+4/3b-2/3o，用波長300nm500nm範圍的光激發時，發光光i普中的峰波長在500nm650nm範圍。具有上述特徵的本實施方式的螢光體在從綠色到黃色、或從黃色到紅色的範圍具有寬的發光光語，在近紫外/紫外到藍色/可見光(波長300nm500nm)這樣的寬範圍具有平坦的激髮帶，能高效率地發光，因而通過將該螢光體和適當的其他顏色螢光體混合，並與近紫外/紫外LED或藍色LED等發光部組合，可以獲得具有演色性優異的期望的發光色、發光強度和亮度高的高效率的發光裝置。本發明的螢光體與迄今為止提出的氮化矽系螢光體(例如，參見專利文獻l)、以矽鋁氧氮耐熱陶瓷為母體的螢光體(例如，參見專利文獻2、3、4)、氧氮化物螢光體(例如，參見專利文獻5、6)相比，由於發光強度強，因而亮度高，並且由於發光光語的峰是寬峰，因此可以製造亮度更高的白色LED照明。本發明的螢光體與以矽鋁氧氮耐熱陶瓷為母體的螢光體的構成元素一樣，但是矽鋁氧氮耐熱陶瓷螢光體用通式MmAaBbOoNn:Z表示時，(a+b)/m>12/1.5=8。另夕卜，作為侵入到矽鋁氧氮耐熱陶瓷母體結構中的M元素，只包括Ca或Y等離子半徑小的元素，比Ca或Y離子半徑大的Sr未進入母體結構中，與Sr是作為M元素的必須元素的本發明的螢光體是不同的組成。因為本實施方式的螢光體的激髮帶範圍寬，和YAG:Ce螢光體不同，能抑制由於發光元件(藍色LED)的離散引起的色調變化，並且在近紫外/紫外LED的發光波長300~420nm附近也具有高效率的激髮帶。因此，本實施方式的螢光體通過與發藍光的LED組合以及與發出近紫外/紫外光的LED組合，可以作為白色LED照明的綠色焚光體使用，所述發出近紫夕卜/紫外光的LED是與紅色、藍色、及其他螢光體混合而發出近紫夕卜/紫外光的LED。特別是，作為活化劑活化Eu的螢光體在波長350nm500nm的範圍照射單色激發光時，將照射使吸收該激發光而發光的光譜中的最大峰值的峰強度為最大的激發光時的該最大峰值的峰強度作為PH、將照射使吸收該激發光而發光的光譜中的最大峰值的峰強度為最小的激發光時的該最大峰值的峰強度作為PL時，(PH-Pl)/Phx100^20，更仇逸(Ph-PL)/PHxl00^10,且具有非常平坦的激髮帶。發光波長根據活化劑而不同，作為代表性的活化劑，活化Ce時，能獲得在從綠色到黃色的範圍、即波長470nm~75Onm的寬波長區域中具有半光譜幅值為100nm以上的寬峰的螢光體，活化Eu時，能獲得在從黃色到紅色範圍具有發光光譜的峰的螢光體。因此，對於活化Ce的活化劑，可以作為克服了現在使用的YAG:Ce螢光體或ZnS:Cu,Al螢光體的問題的螢光體而替代它們使用。另外，為了改善白色LED照明的演色性，對於活化Eu的活化劑，可以作為與最近開發的紅色螢光體Ca2Si5N8:Eu、Sr2Si5N8:Eu、Ba2Si5N8:Eu、Cax(Al，Si)12(O,N)16:Eu(0<x〇1.5)、CaAl2Si4N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu等不同的物質使用於白色LED照明中。往的在從綠色到黃色具有發光光譜的峰的ZnS:Cu，Al螢光體雖然在發光強度和亮度上沒有問題，但是存在耐久性、特別是對水的耐久性弱，或者用紫外線照射時亮度大幅降低的問題。因此，將ZnS:Cu,Al螢光體與多種顏色的螢光體混合，並與近紫外/紫外LED組合來製造白色LED照明時，該白色LED照明如果長時間使用，則特別是ZnS:Cu,Al螢光體的發光強度和亮度降低，從而導致色調發生變化。另外，該白色LED照明在點燈時，由於發光元件產生的熱或紫外線而使ZnS:Cu,Al螢光體的發光強度和亮度的降低，白色LED照明的亮度也伴隨著降低。其結果，該ZnS:Cu，Al螢光體有必要考慮發光強度和亮度的變化來配合螢光體混合粉末，難以製造品質穩定的白色LED照明。但是，本實施方式的螢光體和氮化矽螢光體或矽鋁氧氮耐熱陶瓷螢光體一樣，由於是含有氮的耐久性和耐溫度變化或水分強的螢光體，因此可以製作在高亮度下耐久性優異的白色LED照明。接著，對於通過使用本實施方式的螢光體而獲得演色性高的發光進行說明。作為照明用光源，雖然應該優選顏色的觀察方法與使用基準光時相同，但由於基準光是在可見光整個區域具有均勻的光的白色光源，而現有的白色LED照明在可見光區域的某個波長下光的強度高，在某個波長下光強度4氐，存在光強度的不均勻，因此在光強度不夠的波長區域，顏色再現性差，演色性降低。結果，為了獲得演色性高的發光，不僅需要在白色LED照明中使用的螢光體的發光光譜的峰是寬峰，而且必須是具有充分的發光強度的螢光體。具有上述母體結構的本實施方式的螢光體通過改變構成元素的種類、活化劑的種類，可以獲得在綠色黃色、或黃色紅色的範圍發光強度和亮度高，並具有半光譜幅值為80nm以上的寬峰的發光光譜的峰的螢光體。本實施方式的螢光體具有在綠色~黃色、或黃色紅色的範圍具有寬峰的發光光譜，並且在從近紫外/紫外到藍色的範圍具有寬且平坦的激髮帶，可以進行高效率的發光的詳細理由雖然還不清楚，但認為大致如下。m、a、b、o、n的^直在4.0<(a+b)/m2.5、n>o、n=2/3m+a+4/3b-2/3o的範圍，該螢光體採取的結晶結構中，活化劑可以規則地存在，另外，在發光中使用的激發能量的傳遞有效地進行，因此發光效率提高。另外可認為，該螢光體通過採用上述結構，由於成為化學上穩定的組成，因此在該焚光體中，對發光無貢獻的雜質相難以產生，從而能抑制發光強度的降低。即，產生很多雜質相時，每單位面積的螢光體量減少，另外，生成的雜質相吸收激發光或螢光體所產生的光，因此螢光體的發光效率降低，不能獲得高的發光強度。該推論還可以通過如下內容來證明，即，在對焙燒後的螢光體的X射線衍射測定中，m、a、b、o、n的值如果在上述範圍，則未確認到A1N、Si3N4者即使能確認時衍射強度也非常低，而m、a、b、o、n的值如果在上述範圍以外，則能夠確認A1N、Si3N4以及與對發光有貢獻的相不同的相的顯著的峰。因此，在對焙燒後的螢光體的X射線衍射圖案中，未看到上述雜質相的峰的特徵可認為是表示作為測定對象的螢光體具有高的發光強度或在近紫外/紫外到藍色的範圍具有寬且平坦的激髮帶。在本實施方式的螢光體的通式MmAaBbOoNn:Z中，該螢光體的m、a、b、o、n的值只要在4.0<(a+b)/m2.5、n>o、n=2/3m+a+4/3b-2/3o的範圍即可，更優選0.5^a/m^2.0、3.0<b/m<7.0、0<o/m^4.0，進一步優選0.8至a/m^1.5、3.0<b/m<6.0、0o但含有氧的螢光體。氧的合適含量根據螢光體中的Al和Si的摩爾比而變化，但是通過使該氧含量最佳化，可以獲得不僅螢光體的初期發光特性(25。C)提高，而且即使在溫度高的環境下發光特性和室溫(25。C)相比也幾乎不變差的螢光體。這是在謀劃改善溫度特性時，只用Al置換Si位點，由於Al和Si的離子半徑不同，結晶結構偏離適合發光的結構。另外，由於A1是三價的，而Si是四價的，因此在結晶中會引起價態不穩定的問題。但是，對應於置換Si位點的Al量，如果用O置換部分N位點，則能夠獲得最適合發光的結晶結構，進而母體結晶整體的價數也變為穩定的零，顯示出優異的發光特性。這裡，優選的氧量範圍是0〈o/mS4.0,分析焙燒後的螢光體的氧濃度時，相對於螢光體的質量，氧含量為超過0.5重量％但不到8.1重量％的含量時，發光特性良好且可以抑制玻璃化，從而成為可以充分實用的螢光體。另外，該氧量的範圍為0<o/m^3.0,更優選為(Ko/m^l.5的範圍，如果超過0.5重量％但不到5.0重量％,則發光強度更高，是優選的。並且，將根據組成分析結果計算的o值和由使用原料的配比計算出的o值進行比較時，產生若干偏差，認為這是因為從使用的原料的配比計算o時，沒有考慮如上所述的當初原料中含有的氧或附著在表面的氧、原料稱量時、混合時和焙燒時原料表面被氧化而混入的氧、以及焙燒後在焚光體表面吸附的氧等。另外，在含有氮氣和/或氨氣的氛圍氣中進行焙燒時，認為在焙燒時原料被氮化，使得o、n產生偏差。另夕卜，具有上述通式MmAaBbOoNn:Z的組成的螢光體中，M元素為十II價，A元素為+III價，B元素為+IV價的元素，氮為-m價的元素，因此，是m、a、b、o、n滿足n:2/3m+a+4/3b—2/3o的組成，各元素的價數總和為零，從而該焚光體成為更穩定的化合物，是優選的。特別是，在該焚光體中，a/m為l.l<a/m〇1.5、b/m為3.5〇b/m^4.5、o/m為0<o/m$1.5的範圍時，發光特性和耐熱性進一步提高，是更優選的組成。尤其是，在任何另一方面，上述M元素優選選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、原子價是II價的稀土元素中的一種以上的元素，更優選選自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一種以上的元素，最優選為Sr。另外，作為M元素，可以含有90%以上的Sr,用上述其他元素f^代其一部分。上述A元素優選選自Al、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Bi中的一種以上的元素，更優選選自Al、Ga、In中的一種以上的元素，最優選為Al。另外，作為A元素，可以是含有90%以上的Al,用上述其他元素取代其一部分。Al的氮化物A1N—般用作熱傳導材料或結構材料，容易獲得且便宜，並且環境負荷也小，是優選的。上述B元素優選選自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Mo、W、Cr、Pb、Zr中的一種以上的元素，更優選Si和/或Ge,最優選為Si。另外，作為B元素，可以含有90。/。以上的Si,用上述其他元素置換其一部分。Si的氮化物Si3N4—般用作熱傳導材料或結構材料，容易獲得且便宜，並且環境負荷小，是優選的。上述Z元素是在螢光體的母體結構中以置換M元素的一部分的形式混合的，選自稀土元素或過渡金屬元素中的1種以上的元素。在以使用了本實施方式的螢光體的白色LED照明為代表的各種光源中，從充分發揮演色性的觀點看，優選該焚光體的發光光譜的峰的半光譜幅值大的。並且，以該觀點看，Z元素優選選自Eu、Mn、Ce、Tb、Pr或Yb中的1種以上的元素。其中，如果使用Ce作為Z元素，則由於該螢光體在從綠色到黃色的寬範圍中顯示寬的發光強度高的發光光譜，因此優選作為以白色LED照明為代表的各種光源的活化劑。迄今為止提出的專利文獻1~6的氮化矽螢光體或矽鋁氧氮耐熱陶瓷或氧氮化物為母體的產品通過對Ce活化而發出綠色到黃色的光，但是如果與在相同的母體中活化Eu的情況相比，則發光強度大大降低，無法實用。但是，用Ce作活化劑時，本實施方式的螢光體是將組成最佳化以獲得寬且發光強度高的發光光譜的峰的螢光體，與迄今為止提出的各專利文獻的螢光體相比，可以獲得1.5倍以上的發光強度，認為這是可以充分實用化的特性。另外，由近紫外/紫外LED製作白色LED照明時，與作為綠色螢光體使用的ZnS:Cu,Al相比，由於本實施方式的螢光體的發光光語的峰非常寬，因此可以效率良好地製作演色性優異的白色LED照明。另外，需要注意的是，活化Eu時發光強度不會降低，在從黃色到紅色顯示寬且發光強度高的發光光語的峰。並且，通過選擇Z元素，本實施方式的螢光體中發光峰波長是可變的，並且通過對各種不同的Z元素進行活化，可以改變峰波長，通過進一步的增感作用，可以提高發光強度和亮度。在用通式MmAaBbOoNn:Zz(其中，4.0<(a+b)/m2.5，n>o，n=2/3m+a+4/3b-2/30)表示本實施方式的螢光體時，Z元素的添加量以M元素和活化劑Z元素的摩爾比z/(m+z)計，優選在0.0001~0.50的範圍。M元素和Z元素的摩爾比z/(m+z)只要在該範圍內，則可以避免由活化劑(Z元素)的含量過剩引起的濃度消光，以及由此帶來的發光效率的降低，另一方面，還能避免由活化劑(Z元素)的含量過少引起的有助於發光的原子不足，以及由此帶來的發光效率的降低。另外，該z/(m+z)值更優選在0.0010.30的範圍。但是，該z/(m+z)的值的範圍的最適值根據活化劑(Z元素)的種類和M元素的種類而有若干變動。並且，通過控制活化劑(Z元素)的添加量，可以設定使該螢光體的發光峰波長移動，在獲得的光源中調節亮度時是有益的。採用Sr作為M元素、Al作為A元素、Si作為B元素、Ce作為Z元素，且4.0<(a+b)/m<7.0,0.5^a/m^2.0,3.0<b/m<7.0,0<o/m^4.0,n=2/3m+a+4/3b-2/3o時，進行本發明的螢光體組成分析的結果是，含有19.5重量％29.5重量。/。的Sr、5.0重量。/。16.8重量。/。的Al、0.5重量％~8.1重量％的O、22.6重量。/。32.0重量。/。的N、超過0.0且為3.5重量。/。以下的Ce。其中，Sr、Al中估計有±1.0重量％的分析誤差，殘留的重量為Si和其他元素。並且，從避免螢光體的發光強度降低的觀點考慮，螢光體中的Fe、Ni、Co的各元素濃度優選為IOOPPM以下。另外，作為激發光，照射波長350nm500nm範圍的單色光或者這些單色光的混合光時，發光光譜的峰波長為500600nm的範圍。此時，該焚光體顯示充分的發光強度，發光光譜的色度(x，y)的x為0.3000~0.4500,y為0.5000~0.6000的範圍，顯示出優異的發光特性。另夕卜，採用Sr作為M元素、A1作為A元素、Si作為B元素、Eu作為Z元素，且4.0<(a+b)/m<7.0,0.5^a/m〇2.0,3.0<b/m<7.0，0o，0^0)表示的螢光體。例如，可以使用專利文獻1中記載的(Ca，Sr,Ba)2Si5Ns:Eu、特願2004-145718中記載的2.75SrO.Si3N4:Eu這樣的紅色螢光體，但從上述觀點看，更優選的是組成式CaAlSiN3:Eu表示的紅色螢光體。接著，對於本發明的螢光體混合物中包含的在波長420nm500nm範圍內具有發光光譜的最大峰的藍色螢光體進行說明。該藍色螢光體可以使用具有下面說明的激發特性和發光特性的公知的藍色萸光體。首先，可以使用進行高亮度的藍色發光的藍色螢光體，該藍色螢光體在照射波長區域250nm420nm、更優選波長區域300nm420腿範圍的光作為激發光時，具有高效率，並且在波長420nm500nm的範圍內具有發光光譜的最大峰的。另外，該發光光譜的半光譜幅值優選為30nm以上，更優選為50nm以上。作為具有以上激發特性和發光特性的藍色螢光體的例子，可列舉有BAM:Eu(BaMgAl10O17:Eu)、(Sr，Ca,Ba,Mg;h。(P04)6Cl2:Eu、或SrAlxSi6-xO！+XN8—x:Eu(0^x巨2)等。接著，對於獲得本發明的螢光體混合物的方法進行說明。混合由上述方法製作的綠色螢光體、紅色螢光體、和/或藍色螢光體，製作本發明的螢光體混合物。通過設定各螢光體的混合比，對該螢光體混合物照射波長300nm500nm範圍的任一種激發光時，可以使得到的發光光譜的相關色溫度為在10000K2000K之間的期望值。這裡，從照明用光源的觀點看，優選相關色溫度為7000K2500K之間的期望的值。具體地，測定各色的螢光體對目標的激發光的各自的發光光譜，模擬合成得到的發光光譜，可以求出用於獲得期望的相關色溫度的混合比例。關於得到的螢光體混合物的發光效率的評價方法，實際上與樹脂一起塗布在發光元件上，在使元件發光的狀態下進行比較時雖然是良好的，但是發光元件本身的效率的不均、或者由塗布狀態引起的不均等也為綜合的評價，不能說是均勻的評價。因此，對得到的螢光體混合物照射波長300nm500nm的範圍的任一種激發光，測定該螢光體組合物的發光特性時，基於JISZ8701規定的XYZ表色系統的計算方法求出亮度(Y)的值，以此作為評價方法。另外，對於演色性，也可以同樣地使用JISZ8726的評價方法進行評價，但是因為由發光元件的離散引起的對演色性的影響少，因此也可以用組裝了本發明的焚光體混合物的發光裝置來評價演色性。上述的各色焚光體由於具有50nm以上的優選半光譜幅值，因此在該螢光體混合物的發光時，發光光語相互重疊，不僅可以獲得在波長420nm750nm的範圍不間斷的連續的所謂寬的光譜，而且由於各色螢光體具有相同範圍的激髮帶，因此容易調整混合比例。更優選的是，在本發明的螢光體混合物發出的光的相關色溫度為7000K2500K的發光光語內，在波長420nm680nm的範圍具有3個以上的發光光譜，發光具有不間斷的連續的光譜。其結果，作為照明，可以獲得使人一見覺感到明亮的亮度，同時在波長420nm750nm的範圍具有寬的發光光語，因此成為演色性優異的發光。本發明的螢光體混合物優選發光強度不會隨溫度上升而降低的螢光體混合物，優選混合發光特性難以熱劣化的螢光體。特別是，將照射上述波長300nm500nm的範圍中的規定的激發光的螢光體在溫度25。C下的發光光譜的最大峰的發光強度的值作為P25、將照射上述規定的激發光時上述螢光體在溫度20(TC下的發光光譜的上述最大峰的發光強度的值作為P20G時，優選顯示((P25-P2。yP25)為30%以下的溫度特性的螢光體。例如，與本發明的螢光體一起列舉的有上述的BAM:Eu、(Sr,Ca,Ba，Mg)1Q(P04)6Cl2:Eu、BAM:Eu,Mn、ZnS:Cu,Al、CaAl2Si4N8:Eu、CaAlSiN3:Eu等。這些螢光體的溫度特性示於表1-1中。另外，只要滿足上述條件，則不限於該範圍。[表l_1]tableseeoriginaldocumentpage37本發明的螢光體混合物以粉末形態使用時，混合的各螢光體粉末的平均粒徑(D50)分別優選為50pm以下，更優選為20(im。這是因為，考慮焚光體粉末中的發光主要是在粉末粒子表面發生的，因此如果平均粒徑(D50)為50pm以下，則可以確保每單位重量粉末的表面積，從而可以避免亮度的降低。另外，在製造使用了該螢光體混合粉末的照明裝置時，將該螢光體混合物粉末製成糊狀，例如在發光體元件等上塗布時，能提高該粉末的密度，從而可以避免色斑、亮度的降低。另一方面，優選使本實施方式的螢光體混合物分散在樹脂中等，製成螢光體片的結構。樹脂為代表的各種樹脂或玻璃等。作為該螢光體片的使用例子，可以將該螢光體片與進行適當的發光的光源組合，進行規定的發光。另外，激發該焚光體片的激發光只要是波長250nm500nm的光即可，代表性的為LED等發光元件，也可以是由Hg放電的紫外線光源、採用雷射的光源等。通過將粉末狀的本發明的焚光體混合物與發出波長區域250nm500nm、優選發出300nm500nm的任意的光的發光部組合，可以製造各種照明裝置或主要用於顯示裝置的背照燈等。作為發光部，例如，可以使用從紫外到藍色發光的任意範圍的LED發光元件、發出紫外光的放電燈。並且，本發明的螢光體混合物與該LED發光元件組合時，可以製造各種照明單元或顯示裝置用背照燈等，本發明的焚光體混合物與該放電燈組合時，可以製造各種螢光燈、照明單元、或顯示裝置用背照燈等。本發明的螢光體的混合物與發光部組合的方法可以用公知的方法來進行，但在發光部中使用了LED的發光裝置的情況下，可以如下所述製造發光裝置。下面參照在發光部中使用了LED的發光裝置。圖26(A)(C)是炮彈型LED發光裝置的模式剖面圖，圖27(A卜(E)是反射型LED發光裝置的模式剖面圖。另外，在各圖中，相當的部分用同樣的符號表示，有時省略其說明。首先，使用圖26(A)，說明在發光部中使用LED,和上述螢光體混合物組合的發光裝置的一個例子。炮彈型LED發光裝置中，在引線框3的前端設置的杯狀容器5中設置LED發光元件2，它們在透光性樹脂4中鑄模。該實施方式中，上述焚光體混合物或在矽或環氧等具有透光性的樹脂中分散了上述螢光體混合物的混合物(下面記為混合物l)全部被埋入杯狀的容器5內。另外，上述混合物1用於透鏡部全體，或者也可以覆蓋透鏡部上部。接著，使用圖26(B),說明不同的發光裝置的一個例子。該實施方式中，在杯狀容器5上和LED發光元件2上面塗布混合物1。接著，使用圖26(C),說明另一個不同的發光裝置的例子。在該實施方式中，在LED發光元件2的上部設置螢光體混合物1。以上使用圖26(A)(C)說明的炮彈型LED發光裝置是從LED發光元件2發出向上的光，但是向下發出光的發光裝置也可以用同樣的方法來製造。例如，在該LED發光元件2的光的發出方向上設置反射面、反射板，使從同一發光元件2發出的光在反射面上反射，發射到外部的裝置是反射型LED發光裝置。因此，使用圖27(A)(E)說明反射型LED發光裝置和本實施方式的螢光體混合物組合的發光裝置的例子。首先，使用圖27(A)，說明在發光部中使用反射型LED發光裝置，並與本實施方式的螢光體混合物組合的發光裝置的一個例子。反射型LED發光裝置中，在一個引線框3的前端設置LED發光元件2,從該LED發光元件2發出的光是向下方通過反射面8反射而從上方發出。該實施方式中，在反射面8上塗布混合物1。並且，為了保護LED發光元件2，有時在反射面8形成的凹部內填充透明模壓材料9。接著，使用圖27(B),說明不同的發光裝置的一個例子。該實施方式中，在LED發光元件2的下部設置混合物1。接著，使用圖27(C)，說明不同的發光裝置的一個例子。在該實施方式中，在反射面8形成的凹部內填充混合物1。接著，使用圖27(D),說明不同的發光裝置的一個例子。在該實施方式中，為了保護LED發光元件2，在上述透明模壓材料9上部塗布混合物1。接著，使用圖27(E),說明不同的發光裝置的一個例子。在該實施方式中，在LED發光元件2的表面上塗布混合物1。炮彈型LED發光裝置和反射型LED發光裝置是根據用途進行分類的，反射型LED發光裝置有如下優點能夠製得較薄、能夠增大光的發光面積、並能夠提高光的利用效率等。使用以上說明的發光裝置作為高演色性照明用光源時，由於必須具有演色性優異的發光光譜，因此使用JISZ8726的評價方法，評價加入了包含本發明的螢光體的螢光體組合物的發光裝置的演色性。在JISZ8726的評價中，該光源的平均演色評價數Ra如果為80以上，則可以說是優異的發光裝置。並且，優選作為表示日本女性膚色的指標的特殊演色評價數R15為80以上，更優選作為表示紅色成分的指標特殊演色評價數R9為60以上，如果這樣的話，則可以說是非常優異的發光裝置。根據不要求演色性的用途或不同目的，不滿足上述指標也可以。因此，從進行波長300nm500nm範圍的任意的發光的發光部發出的光照射在包含本發明的螢光體的螢光體混合物上，製作該螢光體混合物進行發光的發光裝置。另外，作為發光部，使用進行波長460nm的發光的藍色LED和進行波長405nm的發光的紫外LED。而且，評價該發光裝置的發光光譜的演色性。結果，加入了包含本發明的螢光體的螢光體混合物的發光裝置的演色性在相關色溫度10000K2000K範圍，優選在7000K2500K下顯示Ra為80以上，R15為80以上，並且R9為60以上的高演色性，可知該發光裝置是高亮度且演色性非常優異的光源。實施例(實施例1)準備市售的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)，以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Ce=0.970:1:4.5:0.030的比例,稱量0.970摩爾SrC03、1.0摩爾A1N、4.5/3摩爾Si3N4、0.030摩爾Ce02,在大氣中使用乳缽混合。將混合的原料加入BN坩鍋中，在氮氣氛圍氣中(流動狀態)，在爐內壓0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到180CTC,在1800。C下保持、焙燒3小時後，用1小時從1800。C冷卻到200°C。然後，在大氣中使用乳缽將焙燒試料粉碎到適當的粒徑，得到混合組成式用Sr2Al2Si902Nw:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030)表示的實施例1的焚光體。得到的焚光體粉末的分析結果示於表1-2中，焚光體粉末的SEM照片(250倍)示於圖1中。得到的螢光體的組成分析結果接近於由構成元素的原子量、摩爾比求出的理論值。或多或少的偏差被認為是測定誤差或在螢光體製作中混入的雜質引起的。比表面積為0.285m2/g。並且從圖1可知，得到的螢光體粉末是20(im以下的l次粒子凝聚的凝聚體，用雷射都卜勒測定法測定平均粒徑(D50)時，D50為17.5pm,用SEM觀察的1次粒徑約為13.0pm,作為螢光體，優選為1.0(im20.0(im,比表面積為0.05m2/g~5.0m2/g的範圍。接著，測定實施例1的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表2，並記載於圖2、圖3中。圖2、圖3是縱軸採取實施例1的螢光體的發光強度作為相對強度，橫軸為光波長的圖。這裡，所謂發光光譜是指對螢光體照射某個波長的光或能量時，由焚光體發出的光的光譜。圖2是對實施例1的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時，用實線表示從螢光體發出的光的譜圖；圖3是同樣地照射波長為405nm的單色光作為激發光時，用實線表示從螢光體發出的光的譜圖。另外，發光光語、激發光錯的測定使用日本分光(林)公司製造的分光螢光光度計FP-6500。首先，使用圖2，對該螢光體的發光光譜進行說明。從圖2的實線可以看出，該螢光體的發光光譜在波長470nm750nm的寬的波長區域具有寬的峰，該峰的波長為559.3nm(此時的發光強度和亮度的相對強度為100%)。並且，求得的半光譜幅值為117.2nm。求出該發光光譜的色度(x，y)時，x=0.4156,y=0.5434。並且，粉末呈黃色的螢光色，目視也能確認黃色的發光色。實施例1的螢光體由於在寬的波長區域具有半光譜幅值非常寬的峰，因此在作為單片型白色LED照明用螢光體使用時，與使用具有尖峰的螢光體相比，可以製作演色性優異的白色LED照明。並且，在具有尖峰的螢光體的情況下，為了實現和太陽光接近的光譜，必須混合多種螢光體，而該螢光體由於具有寬峰，可以減少混合的螢光體種類的數目，從而可以廉價地製作白色LED照明。表2、圖3的實線表示照射波長405nm的單色光作為激發光時的發光光謙的測定結果，在405nm的激發波長中，在波長470nm750nm的寬的波長區域中具有寬峰，其峰波長為552.3nm(發光強度和亮度是將對該實施例1的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時的發光光譜的峰值作為相對強度100%)。並且，求出的半光譜幅值為119.5nm,該發光光譜的色度(x,y)為x-0.3730，y=0.5377。並且，用目視也能確認黃色的發光色。接著，使用圖4，對實施例1的螢光體的激發光譜進行說明。圖4是縱軸為螢光體的發光強度、橫軸為激發光的波長的圖。這裡，所謂激發光譜，是指使用各種波長的單色光作為激發光，激發被測定對象的螢光體，測定螢光體發出的一定波長的發光強度，並測定該發光強度的激發波長依賴性。在本測定中，對實施例1的螢光體照射波長為300nm570nm的單色光，測定該焚光體發出的波長為559.3nm的光的激發依賴性。圖4的實線是實施例1的螢光體的激發光譜。從該圖4的實線可以看出，該焚光體的激發光譜在波長為300nm附近到500nm的寬範圍的激發光下，顯示高強度的黃色發光。特別的，該螢光體在現在用作單片型白色LED照明用的激發光的藍色LED、近紫外/紫外LED的發光波長460nm、405nm附近，具有特別優異的激髮帶。對於之後it明的實施例2、實施例3、比專交例1、比專交例2、比專交例3的發光強度和亮度，也是以對實施例1的螢光體照射波長460nm的單色光作為激發光時的發光光譜的峰值作為相對強度100%。(實施例2)在實施例2中，除了將實施例1的各元素的摩爾比改為Sr:Al:Si:Ce=0.970:1:5:0.030以夕卜，與實施例1同樣地製作實施例2的螢光體。下面，描述詳細的製作方法。準備市售的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)，以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Ce=0.970:l:5:0.030的比例，稱量0.970摩爾SrC03、1.0摩爾A1N、5.0/3摩爾Si3N4、0.030摩爾Ce02,在大氣中使用乳缽混合。將混合的原料加入BN坩鍋中，在氮氣氛圍氣中(流動狀態)、爐內壓0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到1800°C,在1800。C下保持、焙燒3小時後，用1小時從1800。C冷卻到200°C。然後，在大氣中使用乳缽將焙燒試料粉碎到適當的粒徑，得到用混合組成式Sr3Al3Si,503N23:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030)表示的實施例2的萸光體。得到的螢光體粉末的分析結果示於表1-2中。獲得的螢光體的組成分析結果和實施例1一樣，接近於由構成元素的原子量、摩爾比求出的理論值。或多或少的誤差被認為是測定誤差或在螢光體製備中混入的雜質引起的。比表面積為0.302m2/g,並且用SEM粒徑觀察的l次粒徑約為12.3,,用雷射都卜勒測定法測得的平均粒徑(D50)為16.85pm,作為焚光體優選為1.0pm~20.0(am，比表面積為0.05m2/g~5.0m2/g的範圍。接著，測定實施例2的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表2，並記載於圖2、圖3中。圖2的單點劃線是示出照射波長460nm的單色光作為激發光時的發光光語的測定結果，該螢光體在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為559.2nm。並且，求出的半光譜幅值為116.4nm，求出的該發光光譜的色度(x,y)為x=0.4171,y=0.5427。並且，粉末呈黃色的螢光色，目視也可以確認黃色的發光色。表2、圖3中使用單點劃線，示出了照射波長為405nm的單色光作為激發光時的發光光譜的測定結果。實施例2的螢光體在405nm的激發波長下，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為552.5nm。並且，求出的半光譜幅值為118.0nm,該發光光譜的色度(x,y)為x=0.3783,y=0.5389。並且，目一見也可以確認黃色的發光色。圖4的單點劃線是實施例2的螢光體的激發光i普。在本測定中，對實施例2的螢光體照射波長為300nm570nm的單色光，測定該螢光體發出的波長為559.2nm的光的發光強度的激發依賴性。從圖4的單點劃線可以看出，該螢光體的激發光譜和實施例1一樣，在波長為300nm附近到500nm的寬範圍的激發光下，示出了高強度的黃色發光。實施例2和實施例l相比，雖然是Si、N的摩爾比大的組成，但與實施例1同樣地顯示優異的發光特性。(實施例3)在實施例3中，除了將實施例1的螢光體組成式Sr2Al2Si902Nt4:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)-0.030)所示的螢光體中的活化劑Ce置換成Eu以外，和實施例1同樣地製造實施例3的螢光體。以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Ce=0.970:1:4.5:0.030的比例，稱量0.970摩爾SrC03、L0摩爾A1N、4.5/3摩爾Si3N4、0.030/2摩爾Eu203。與實施例l同樣地，在表1-2中示出獲得的螢光體粉末的分析結果。[表1-2]tableseeoriginaldocumentpage43獲得的螢光體的組成分析結果接近於由構成元素的分子量、摩爾比求出的理論值。比表面積為0.291m2/g,並且用SEM粒徑觀察的1次粒徑約為13.1|im,用雷射都卜勒測定法測得的平均粒徑(D50)為17.27pm,用Eu作為活化劑時，組成分析結杲、比表面積、SEM徑和用Ce活化時能獲得幾乎相同的結果。接著，測定實施例3的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表2中，進而分別在圖2、圖3中示出照射激發波長Ex460nm、Ex405nm時的發光光譜。表2和圖2的雙點劃線示出了照射波長460nm的單色光作為激發光時的發光光譜的測定結果。根據表2、圖2的雙點劃線的激發波長Ex460nm下的該螢光體在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為613.8nm。並且，求出的半光譜幅值為115.6nm,求出的該發光光譜的色度(x,y)為x^0.5573,y=0.4330。並且，粉末呈橙色，目視也可以確認橙色的發光色。並且，表2和圖3的雙點劃線表示照射波長為405nm的單色光作為激發光時的發光光譜的測定結果。根據表2、圖3的雙點劃線，激發波長Ex405nm下的該螢光體在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為607.9nm。並且，求出的半光譜幅值為114.2nm,該發光光譜的色度(x,y)為x=0.5083,y=0.4172。並且，目視也可以確認橙色的發光色。實施例3的萸光體雖然母體和實施例1的螢光體相同，但是通過將活化劑從Ce置換成Eu，可以維持發光強度幾乎不變並使發光光譜的峰向長波長移動(峰波長從Ce的約560謹轉移到Eu的約610nm)。迄今為止提出的氮化矽螢光體或矽鋁氧氮耐熱陶瓷螢光體雖然在改變活化劑時峰波長會轉移，但是會有發光強度大幅降低的問題，而本實施例3的母體對Ce和Eu的任何一種活化劑都能顯示出優異的發光強度。並且，實施例3的螢光體的峰波長約為610nm，有望作為用於顯示橙色發光的電燈色的白色LED照明用螢光體。另外，迄今為止提出的在氧氮化物或氮化物上活化Eu的發橙色光的螢光體的發光光譜的半光譜幅值不會超過lOOnm,但是本實施例3的螢光體的半光譜幅值約為120nm，是具有非常寬的發光光i普的螢光體。圖5是實施例3的螢光體的激發光譜。並且，圖5是和圖4一樣的圖。在本測定中，對實施例3的焚光體照射波長為300nm570nm範圍的單色光，測定該螢光體發出的波長為613.8nm的光的發光強度對激發光波長的依賴性。從該螢光體的激發光譜可以看出，該螢光體由波長在300nm附近到550nm的寬範圍的激發光激發，顯示出高強度的橙色發光。進而，在波長350nm500nm的範圍內，測定照射單色激發光時的發光強度的結果是，將吸收具有該規定波長的激發光而發光的光語的強度為最大的激發波長下的發光強度作為PH、將發光強度為最小的激發波長下的發光強度作為PrJ於，(PH-Pl)/Ph^0.10。即，使用波長為350nm550nm範圍的單色光作為激發光時的發光強度的離散在10.0%以下，顯示出平坦的激髮帶。現在，作為白色LED照明用螢光體使用的黃色螢光體(YAG:Ce)等雖然在460nm附近具有最高效率的激髮帶，但是因為在寬範圍中沒有效率好的激色LED的發光波長在YGA:Ce系黃色螢光體的最適合激發範圍以外，因此藍色和黃色的發光強度的平衡被打破，會有白色光的色調變化的問題。對此，實施例3的螢光體由於激髮帶平坦，在發光元件的發光波長離散時發光強度也幾乎恆定，各色的發光強度的平衡不會破壞，可以穩定地製造相同色調的白色LED照明，在品質和製造成本兩個方面具有優點。(比淨交例1)製造專利文獻1中記載的Sr2Si5N8:Ce(Ce/(Sr+Ce)-0.030)所示的螢光體，作為比較例1。比較例1的螢光體如下製作。準備Sr3N2(2N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的市售試劑作為原料，以各元素的摩爾比為Sr:Si:Ce=1.94:5.0:0.06的比例，分別稱量1.94/3摩爾Sr3N2、5.0/3摩爾SisN4、0.060摩爾CeO2，在氮氣氛下的球形箱子用乳缽混合。對於下面的製作方法，除了焙燒溫度為1600。C以外，採用與實施例1同樣的方法製作螢光體試樣。接著，與實施例1同樣地，測定比較例1的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表2、圖2和圖3(長虛線)。從圖2和圖3的長虛線可以看出，比較例1的螢光體顯示寬的發光光譜。並且，如圖2的長虛線所示，用波長460nm的光激發時，顯示在波長557.2nm具有峰的發光光譜，以實施例l的相對強度為100%時，發光強度的相對強度為28.5%,亮度的相對強度為32.6%。該發光光譜的色度為(x,y)為x=0.3716，y=0.5080。並且，如圖3的長虛線所示，比較例1的螢光體在用激發波長405nm的光激發時，顯示在波長562.0nm具有峰的發光光譜，以實施例1的相對強度作為100%時，發光強度的相對強度為56.4%,亮度的相對強度為62.1%。該發光光譜的色度(x,y)為x-0.3901，y=0.4985。並且目視也可以確認綠色的發光。(比4交例2)製造專利文獻2中記載的Sr,.5Al3Si9N!6:Ce(Ce/(Sr+Ceh0.030)所示的萸光體，作為比較例2。比較例2的螢光體如下製作。準備Sr3N2(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的市售試劑作為原料，以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Ce=1.455:3.0:9.0:0.045的比例分別稱量1.455/3摩爾Sr3N2、3.0摩爾A1N、9.0/3摩爾Si3N4、0.045摩爾Ce02,在氮氣氛下的球形箱子中使用乳缽混合。對於下面的製作方法，除了焙燒溫度為170(TC以外，採用與實施例1同樣的方法來製作螢光體試樣。接著，與實施例l同樣地，測定比較例2的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表2，並以短虛線示於圖2和圖3。從圖2和圖3的短虛線可以看出，比較例2的焚光體顯示寬的發光光譜。並且，如圖2的短虛線所示，用波長460nm的光激發時，顯示在波長560.8nm具有峰的發光光譜，以實施例1的相對強度為100%時，發光強度的相對強度為16.0%,亮度的相對強度為16.7%。該發光光譜的色度為(x,y)為x=0.3992，y=0.5116。並且，如圖3的短虛線所示，比較例2的焚光體在用單色405nm的光激發時，顯示在波長527.5nm具有峰的發光光譜，以實施例l的相對強度作為100%時，發光強度的相對強度為20.9%,亮度的相對強度為22.2%。該發光光譜的色度(x,y)為x=0.3316，y=0.4958。並且用目-見可以確認在由波長為460nm的光激發時為黃色發光，在由波長405nm的光激發時為綠色的發光。(比較例3)製造專利文獻3中記載的SrAl2SiO3N2:Ce(Ce/(Sr+Ce^0.030)所示的螢光體，作為比較例3。比較例3的焚光體如下製作。準備SrC03(3N)、A1N(3N)、Si02(3N)、Ce02(3N)的市售試劑作為原料，以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Ce-0.970:2.0:1.0:0.030的比例，分別稱量0.970摩爾SrC03、2.0摩爾A1N、1.0摩爾SiO2、0.030摩爾CeO2，在大氣中用乳缽混合。對於下面的製作方法，除了焙燒溫度為140(TC以外，採用與實施例1同樣的方法來製作螢光體試樣。接著，與實施例1同樣地，測定比較例3的螢光體的發光光譜，但是在用波長460nm、405nm的光激發時不發光，不能測定。但是，筒單評價中照射波長254nm、366nm的激發光時，用目視可以確認藍色的發光。另外，在1800。C的焙燒溫度下進行時，原料熔融。<對實施例1、2、3和比較例1、2、3的研究〉由表2的組成式可以看出，具有實施例1和實施例2、實施例3的新組成的螢光體與比較例1的不同是在構成元素中含有Al，並具有與比較例2的^^鋁氧氮耐熱陶瓷螢光體不同的組成式(矽鋁氧氮耐熱陶資的組成式Mx(Al,Si)12(0，N)16，0<x^l.5)，與比較例3的不同是氮比氧的摩爾比大。從表2、圖2和圖3的結果可以看出，實施例1、實施例2、實施例3的螢光體與比較例13的螢光體相比，用波長460nm的光激發時顯示3.(M咅以上的發光強度、2.5倍以上的亮度，用波長405nm的光激發時顯示1.5倍以上的發光強度和亮度，與現有的螢光體相比，是顯示高的發光強度和亮度的高效率的螢光體。tableseeoriginaldocumentpage47(實施例4~實施例l"對Ce活化量的研究實施例4實施例13中，對於混合組成式Sr2Al2Si902Nw:Ce表示的螢光體，測定改變活化劑Z元素(Ce)的濃度時的發光強度和亮度的變化。這裡，在製造測定試樣時，調整Sr和Ce的原料混合比以使活化劑Ce和Sr的關係為m+z-l。並且，除了調整實施例1中說明的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的各原料的混合比，改變Ce活化濃度以外，與實施例1同樣地製造螢光體試樣，測定製造的螢光體的發光強度和亮度。其中，Ce活化濃度Ce/(Sr+Ce)為0.001(實施例4)、0.005(實施例5)、0.010(實施例6)、0.020(實施例7)、0.025(實施例8)、0.030(實施例9)、0.035(實施例10)、0.040(實施例11)、0.050(實施例12)、O.IOO(實施例13)。該測定結果示於表3和圖6中。這裡，圖6是縱軸採取該各螢光體試樣的發光強度的相對強度、橫軸採取Sr和Ce的混合比Ce/(Sr+Ce)的值的圖。並且，發光強度和亮度中，將Ce/(Sr+Ce"0.040(實施例ll)的峰波長的發光強度的值作為100%。使用波長460nm的光作為激發光。從表3和圖6的結果可以看出，在Ce/(Sr+Ce)的值小的區域，隨著Ce/(Sr+Ce)值的增加發光強度和亮度上升，但在Ce/(Sr+Ce)=0.040附近達到峰值，然後隨著Ce/(Sr+Ce)值的增加發光強度和亮度降低。認為這是因為，Ce/(Sr+Ce)比0.040小的部分活化劑元素不足，Ce/(Sr+Ce)比0.040多的部分發現由活化劑元素《I起的濃度消光。另一方面，從表3的結果可以看出，在Ce/(Sr+Ce)的值增加的同時，如果除去Ce/(Sr+Ce)=0.001(實施例4)的數據，則確認了峰波長的值向長波長側轉移。並且，同時測定該發光強度和亮度，並測定發光光語的色度(x，y)，結果示於表3中。[表3]tableseeoriginaldocumentpage48(實施例14~實施例23)對Eu活化量的研究實施例14實施例23中，對於混合組成式Sr2Al2Si902Nw:Eu表示的螢光體，測定改變活化劑Z元素(Eu)的濃度時的發光強度和亮度的變化。這裡，在製造測定試樣時，與實施例413同樣地，調整Sr和Eu的原料混合比以使活化劑Eu和Sr的關係為m+z:l。並且，除了調整實施例3中說明的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、￡11203(3玲的各原料的混合比，改變Eu活化濃度以外，與實施例3同樣地製作螢光體試樣，測定製作的螢光體的發光強度和亮度。其中，Eu活化濃度Eu/(Sr+Eu)為0.001(實施例14)、0.005(實施例15)、0.010(實施例16)、0.020(實施例17)、0.025(實施例18)、0.030(實施例19)、0.035(實施例20)、0.040(實施例21)、0.050(實施例22)、O.IOO(實施例23)。該測定結果示於表4和圖7中。這裡，圖7是縱軸採取該各螢光體試樣的發光強度的相對強度、橫軸採取Sr和Eu的混合比Eu/(Sr+Eu)的值的圖。並且，發光強度和亮度中，將Eu/(Sr+Eu)=0.050(實施例22)的峰波長的發光強度值作為100%。使用波長460nm的光作為激發光。從表4和圖7的結果可以看出，在Eu/(Sr+Eu)的值小的區域，隨著Eu/(Sr+Eu)值的增加發光強度和亮度上升，但是在Eu/(Sr+Eu)=0.050附近達到峰值，然後隨著Eu/(Sr+Eu)值的增加發光強度和亮度降低。認為這是因為，Eu/(Sr+Eu)比0.050小的部分活化劑元素不足，Eu/(Sr+Eu)比0.050多的部分發現由活化劑元素引起的濃度消光。但是，與實施例4~13的Ce活化濃度的情況相比，在活化濃度高的區域中由濃度消光引起的發光強度降低慢。認為這是由於Eu和Ce的離子半徑不同，以及價數不同引起的。另一方面，從表4的結果可以看出，隨著Eu/(Sr+Eu)值的增加，如果除去Eu/(Sr+Eu)=O.OOl(實施例14)、Eu/(Sr+Eu)=0.050(實施例22)的數才居，則確認了峰波長的值向長波長側轉移。並且，同時進行該發光強度和亮度的測定，並測定發光光譜的色度(x,y)，結果示於表4中。[表4]tableseeoriginaldocumentpage49(實施例24實施例32)A1/Sr比的變更在實施例24~實施例32中，對於混合組成式Sr2AlaSi900Nn:Ce(Ce/(Sr+Ce)=0.030,n=2/3m+a+4/3b-2/3o，m=2.0,b=9,0，0^2.0)表示的焚光體，將Sr、Si的摩爾比分別固定在2、9,改變a/m比(這裡，a/m和Al/Sr具有相同的意思)，測定此時的發光強度和亮度的變化。這裡，在製造測定試樣時，只調整實施例1中所述的SrC03(3N)、AlN(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的各原料中的A1N(3N)的混合比，此外與實施例1同樣地製作螢光體試樣，測定製作的螢光體的發光強度和亮度。其中，調節的Al和Sr的混合比為Al/Sr=0.50(實施例24)、Al/Sr=0.75(實施例25)、Al/Sr=0.90(實施例26)、Al/Sr=l.OO(實施例27)、Al/Sr=UO(實施例28)、Al/Sr=1.25(實施例29)、Al/Sr=1.50(實施例30)、Al/Sr=2.00(實施例31)、Al/Sr=3.00(實施例32)。該測定結果示於表5和圖8中。這裡，圖8是縱軸採取該各螢光體試樣的發光強度的相對強度、橫軸釆取Sr和Al的混合比Al/Sr的值的圖。並且，發光強度和亮度中，將Al/Sr=l.O(實施例27)的峰波長的發光強度值作為100%。並且，示出將Al/Sr的值調節到0.503.00的結果。使用波長460nm的光作為激發光。從表5和圖8的結果可以看出，在A1/Sr值小的區域，隨著值的增加，發光強度和亮度上升，但是在A1/Sr-1.0(實施例27)附近達到峰值，然後發光強度和亮度降低。這是因為，如果大幅偏離Al/Sr=1.0,則在焙燒後的焚光體中殘留未反應的原料，或者會產生與發光的相不同的相，另外，Al/Sr達到1.5以上時X射線衍射峰強度降低，因此螢光體的母體結構的結晶性降低，進而適合發光的結構被破壞，從而產生對發光沒有貢獻的雜質相。由於這些原因，如果偏萬A1/Sf1.0,則發光強度和亮度降低，但是因為Al的適合量隨Si和氧的組成變化的變化很小，如果是小的偏差則影響很小，如果0.75〈A1/Sr〈1.5，則具有Al/Sr=1.0的80%以上的發光強度和亮度的值。[表5]tableseeoriginaldocumentpage50(實施例33~42)Si/Sr比的改變在實施例33實施例42中，對於混合組成式Sr2Al2SibO2Nn:Ce0.060(Ce/(Sr+Ce)=0.030,n=2/3m+a+4/3b—2/3o，其中，m=2.0,a-2.0)表示的螢光體，將Sr、Al的摩爾比分別固定在2、2,改變b/m比(這裡b/m和Si/Sr具有同樣的意思)，測定此時的發光強度和亮度的變化。這裡，在製造測定試樣時，只調整實施例1中所述的SrC03(3N)、AlN(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的各原料中的Si3N4(3N)W混合比，此外與實施例1同樣地製作螢光體試才羊，測定製作的螢光體的發光強度和亮度。調節的Si和Sr的混合比為Si/Sr=1.0(實施例33)、Si/Sr=1.5(實施例34)、Si/Sr=2.0(實施例35)、Si/Sr-3.0(實施例36)、Si/Sr=4.0(實施例37)、Si/Sr=4.5(實施例38)、Si/Sr=5.0(實施例39)、Si/Sr=5.5(實施例40)、Si/Sr=6.0(實施例41)、Si/Sr=7.0(實施例42)。對於該測定結果，參照表6和圖9進行說明。這裡，圖9是縱軸採取該各螢光體試樣的發光強度的相對強度，橫軸採取Sr和Si的混合比Si/Sr的值的圖。並且，發光強度和亮度中，將Si/Sr-4.5(實施例38)的峰波長的發光強度值作為100%。並且，示出將Si/Sr的值調節到1.07.0的結果。使用波長460nm的光作為激發光。[表6]tableseeoriginaldocumentpage51從圖9的結果可以看出，在Si/Sr值小的區域中，隨著Si/Sr值的增力口，發光強度上升，但在Si/Sr=4.5(實施例38)時達到峰值，Si/Sr超過4.5時，發光強度降低。認為這是因為，Si/Sr大幅偏離4.5時，與實施例2432中i兌明A1/Sr的情況一樣，在焙燒後的螢光體中殘留未反應的原料，或者會產生雜質相，進而X射線衍射峰強度降低，因此螢光體的母體結構的結晶性降低，適合發光的結構被破壞。特別是如果Si/Sr比4.5小，則可以確認在低角度側發現的峰消失，並出現新的峰，如果比4.5大，則可以確認低角度側發現的峰消失，因此如果大幅偏離Si/Sr=4.5的關係，則產生對發光沒有貢獻的雜質相，或者結晶性降低。但是，如果是小的偏差則影響很小，如果3.5芸Si/Sr^6.0,則具有Si/Sr=4.5的80%以上的發光強度和亮度的值。(實施例43實施例50)Sr摩爾比的變更在實施例43~實施例50中，對於混合組成式SrmAl2Si902Nn:Ce(Ce/(Sr+Ce)=0.030，n=2/3m+a+4/3b-2/3o,其中，a=2.0，b=9.0,o=2.0)表示的螢光體，將Al、Si的摩爾比分別固定在2、9，改變Sr的摩爾比，測定it匕時的發光強度和亮度的變化(這裡，a和Sr表示同樣的意思。a-Sr)。這裡，在製造測定試樣時，除了實施例1中所述的SrC03(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)以外，O始終為o=2.0,並追加八1203(3忖)原料來調節混合比，此外與實施例1同樣地製造螢光體試樣，測定製作的螢光體的發光強度和亮度。其中，調節的Sr的摩爾比為Sr-0.50(實施例43)、Sr=1.00(實施例44)、Sr=1.50(實施例45)、Sr=2.00(實施例46)、Sr=2.50(實施例47)、Sr=3.00(實施例48)、Sr=4.00(實施例49)、Sr=6.00(實施例50)。對於該測定結果，參照表7和圖IO進行說明。這裡，圖IO是縱軸採耳又該各螢光體試樣的發光強度的相對強度、橫軸採取Sr的摩爾比值的圖。並且，發光強度和亮度中，將Sr-2.00(實施例46)的峰波長的發光強度的值作為100%。並且，示出將Sr摩爾比的值調節到0.50~6.00的結果。使用波長460nm的光作為激發光。[表7〗tableseeoriginaldocumentpage53從圖IO的結果可以看出，Sr摩爾比小的0.50(實施例43)、l.OO(實施例44)中，用波長460謹、405nm的光激發時得不到發光。另外，照射波長366nm的紫外燈的光作為簡易評價時，通過目視可以確認藍色的發光色。認為這是因為，Sr摩爾比小的0.50、1.00中,Sr在作為Sr原料的SrC03的混合粉末中佔有的比例小，SrC03未良好地起到熔劑的作用，因而不生成發黃色光的相，生成了其他的相，因此採用短波長的激發光會發出藍色的光。並且，Sr摩爾比從l.OO慢慢增加時，隨著Sr摩爾比的增加發光強度和亮度上升，但是在Sr-2.00(實施例46)達到峰值，如果超過2.00，則發光強度降低。(實施例51實施例60)氧濃度的變更在實施例51~實施例60中，對於混合組成式Sr2Al2Si900Nn:Ce(Ce/(Sr+Ce)-0.030,n=2/3m+a+4/3b_2/3o,m=2.0,a=2.0,b-9.0)表示的焚光體，將Sr、Al、Si的摩爾比分別固定在2、2、9,改變o/m比(氧濃度)，測定此時的發光強度和亮度的變化。這裡，在製造測定試樣時，通過以規定的摩爾比加入Sr3N2(2N)、SrC03(3N)、A1N(3N)、A1203(3N)、Si3N4(3N)、Si02(3N)、Ce02(3N)的各原料來調節氧濃度，此外與實施例1同樣地製作螢光體試樣，測定製作的螢光體的發光強度和亮度。對於稱量原料時調節的o/m比為o/m=O.O(實施例51)、o/m=0.2(實施例52)、o/m=0.50(實施例53)的實施例，使用Sr3N2、A1203、AIN、Si3N4#為原料；對於o/m=l.OO(實施例54)、o/m=1.25(實施例55)、o/m=1.5(實施例56)、0/m^2.0(實施例57)、o/m=3.0(實施例58)的實施例，使用SrC03、A1203、A1N、Si02、SisN4作為原料；對於o/m=5.0(實施例59)、o/m=IO,O(實施例60)的實施例，使用Sr3N2、A1203、Si02、Si3N4作為原料。對於該測定結果，參照表8和圖ll進行說明。這裡，圖ll是縱軸採用該各螢光體試樣的發光強度的相對強度、橫軸採用螢光體中氧濃度(重量％)的值。並且，發光強度和亮度中，將0/111=l.O(實施例54)的峰波長的發光強度的值作為100%。使用波長460nm的光作為激發光。從表8、圖ll的結果可以看出，在氧濃度增加到作為峰值的2.53.5重量％時和從峰值降低時，該各螢光體的發光強度和亮度都降低，氧濃度在4.0重量％以上時顯著降低。另外，氧濃度在10.0重量％以上時各螢光體熔融，成為3皮璃狀。[表8]tableseeoriginaldocumentpage54認為這是因為，氧濃度如果為4.0重量％以上，則螢光體的母體結構慢慢開始玻璃化，在10.0重量％以上完全玻璃化，結晶結構被破壞，結晶性降低。實際在對氧濃度不同的試樣進行X射線衍射測定時，可確認隨著氧濃度的增加，衍射的峰強度顯著降低，並且衍射峰的半光譜幅值逐漸變寬，在氧濃度上升的同時，該各螢光體玻璃化。如果螢光體的母體結構玻璃化，因為作為發光中心的Ce離子周圍的結構變得不規則，發光中心相互之間的間隔產生偏差，或者來自母體吸收激發光的能量不能有效地傳達到發光中心，因此存在某些地方能有效地發光，而其他地方完全不發光的情況等，因此作為焚光體整體的發光強度降低。因而，作為該螢光體中的氧濃度，只要為10重量％以下即可，但是考慮發光特性和焙燒後的粉末特性時，優選0.5重量%~8.1重量％以下(如果規定換算成摩爾比，則為0.0<o/mS4.0),更優選氧濃度為0.5重量％~5.0重量％(如果規定換算成摩爾比，則為0.0<o/m§3.0)的範圍內，這樣的話，被認為可以獲得充分的發光強度和亮度。接著，實施例6182是增加原料混合時的組成的Al量和氧量來製作試樣，並進4亍發光特性和溫度特性的比較。(實施例61)實施例61中，首先製造焙燒過的目標組成為SrAlL43Si^Oo.59N6.79:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce"0.030)的螢光體。作為原料準備市售的SrC03(3N)、A1N(3N)、A1203(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N),以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Ce-0.970:1.3:4.5:1.31:0.030的比例，稱量0.970摩爾SrC03、(1.31-0.976)/3摩爾A1203、1.3-((1.31-0.976)/3)x2摩爾AIN、4.5/3摩爾Si3N4、0.030摩爾CeO2,在大氣中使用乳缽混合。另外，如果用混合組成式表述，則為SrAlL3Si4.50.美!:Ce。實施例6182不是混合組成式，而是用目標組成表示。與實施例1同樣地，將混合的原料加入到BN坩鍋中，將爐內抽真空後，在氮氣氛中(流動狀態，20.0升/分鐘)、爐內壓為0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到1800°C，在1800。C下保持、焙燒3小時後，用1小時30分鐘從1800°C冷卻到5(TC。然後，在大氣中用乳缽將焙燒試樣粉碎至適當的粒徑，獲得組成式SrAlL43Si^Oo.59N6.79:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030)表示的實施例61的焚光體。獲得的螢光體粉末的分析結果、平均粒徑(D50)、比表面積(BET)示於表9。另外，Si用重量法(吸光光度法)測定、其他元素用ICP法測定，平均粒徑(D50)用雷射衍射散射法測定，比表面積用BET法測定。獲得的螢光體粉末的平均粒徑(D50)為24.40pm,比表面積為0.225m2/g,並可知作為螢光體4分末^尤選的衝立徑為1.0jim50.0(im。接著，測定實施例61的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表10以及圖12中。圖12是縱軸採取螢光體的發光強度的相對強度，橫軸採取光的波長的圖。這裡所說的發光光語是指對螢光體照射某波長的光或能量時，由螢光體放出的光的光譜。圖12的實線表示對實施例61的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時，從螢光體發出光的光語。從圖12可以看出，該螢光體的發光光譜在波長470nm750nm附近的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為556.0nm(將此時的發光強度的相對強度作為100%)。另夕卜，求出的半光譜幅值為117.1nm。求出該發光光譜的色度(x,y)時，為x-0.4045,y=0.5481。另外，粉末呈黃色的螢光色，目浮見也可以確認黃綠色的發光色。實施例61的螢光體因為在寬的波長區域中具有半光i普幅值100nm以上的半光譜幅值非常寬的峰，在作為白色LED照明用螢光體時，與使用具有尖峰的螢光體相比，可以製作亮度、演色性優異的白色LED照明。另外，在具有尖峰的焚光體的情況下，為了提高演色性，必須混合多種螢光體，但是因為該螢光體具有寬峰，可以減少混合的螢光體的種數或使用量，從而可以廉價地製作白色LED照明。並且，對實施例61的焚光體照射波長405nm的單色光作為激發光時，從螢光體發出的光的光譜示出表10中，並且在圖12中用虛線表示。用Ex405nm激發時，與Ex460nm的情況相比，發光強度提高了約20%。峰波長為531.5nm,半光語幅值為118.1nm,發光光譜的半光i普幅值為80nm以上。色度(x,y)為x=0.3476，y=0.5305。接著，使用圖13,對實施例61的螢光體的激發光譜進行說明。圖13是縱軸採用焚光體的發光強度、橫軸採取激發光的波長的圖。這裡所說的激發光譜是指使用各種波長的單色光作為激發光激發被測定對象的螢光體時，測定該螢光體發出的規定波長的發光強度，並測定該發光強度的激發波長的依賴性。在本測定中，對實施例61的螢光體照射波長為250nm550nm的單色光，測定該螢光體發出的波長556.0nm(綠色光)的發光強度的激發依賴性。從圖13可以看出，該螢光體在波長300nm附近500nm附近的寬範圍的激發光下顯示高強度的綠色發光。特別是，在波長400nm480nm的激發光下顯示最高的發光效率，現在，通過將作為單片型白色LED照明用激發光使用的發光波長為460nm的藍色LED或405nrn的近紫外/紫外LED組合，可以製造亮度高的發光裝置。接著，測定實施例61中得到的螢光體的發光強度的溫度特性。該測定結果示於表10中，並示於圖14中。將該螢光體升溫到25°C、50°C、IO(TC、150°C、200°C、250°C、300°C,到達測定溫度後，為了使試樣整體的溫度均勻化，在該溫度下保持5分鐘，然後進行發光強度的測定。並且，將溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值作為100%，測定各測定溫度下的發光強度作為相對強度。另外，在升溫時進行發光強度的測定後，進行冷卻，再在25。C下進行發光強度的測定。另外，在照射波長405nm的單色光作為激發光時，也進4亍相同的測定。圖14-1、2是縱軸採取將升溫前(25。C)下的發光強度作為100%時的相對強度、橫軸採取進行該螢光體的發光強度測定的測定溫度的圖，圖14-1是照射波長460nm的單色光作為激發光的情況，圖14-2是照射波長405nm的單色光作為激發光的情況。對於該圖14-1、2,用粗實線表示實施例61的焚光體的測定結果。從圖14-1的結果可以看出，對實施例61的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時，將使測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值作為100%時，在測定溫度IOCTC時為94.4%,在20(TC時為85.8%,在300°C時為73.4%。升溫後，進行冷卻，再於25。C下進行測定，為98.8%,幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。對實施例61的螢光體照射波長405nm的單色光作為激發光時(25。C),在將對實施例61的炎光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時(25T)的發光強度值作為100%時，顯示119.9%的發光強度。接著，從圖14-2的結果看出，將使測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度值作為100%時，測定溫度100。C時為92.0%,200。C時為80.9%,300。C時為66.5%。升溫後，進行冷卻，再於25。C下進行測定，為98.9%,幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。(實施例62)實施例62中，製造焙燒完的目標組成為SrAli,33Si4.。90o.65N7.。2:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce):0.030)的螢光體。原料混合時，以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Ce=0.970:1.25:4.75:1.31:0.030的比例，稱量0.970摩爾SrC03、(1.31—0.976)/3摩爾A1203、1.25—((1.31—0.976)/3)x2摩爾A1N、4.75/3摩爾Si3N4、0.030摩爾Ce02,除此之外與實施例61同樣地，得到組成式SrAl'.33Si4.。9O,N7.02:Ce(其中,Ce/(Sr+Ce)=0.030)表示的實施例62的螢光體。得到的螢光體粉末的分析結果、平均粒徑(D50)、比表面積(BET)示於表9中。得到的螢光體的比表面積為0.264m2/g。並可知平均粒徑(D50)是作為螢光體粉末優選的1.0(im50.0nm的粒徑。接著，與實施例61同樣地，測定實施例62的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表IO中。如表10所示，照射波長為460nm的單色光作為激發光時，該螢光體的發光光譜在與實施例61的螢光體同樣的波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為555.6nm。另外，求出半光譜幅值為115.6nm。求出該發光光譜的色度(x，y)為x=0.4040，y=0.5481。另外，粉末呈黃色的螢光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例62的螢光體的發光強度的相對強度為94.0%。接著，如表10所示，照射波長為405nm的單色光作為激發光時，該螢光體的發光光鐠在與實施例61的螢光體同樣的波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為533.5nm。並且，求出半光譜幅值為116.2nm,求出該發光光譜的色度(x，y)為x=0.3508，y=0.5340。並且，粉末呈黃色的螢光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例62的焚光體的發光強度的相對強度為110.9%。接著，對實施例62的螢光體照射波長為250nm550nm的單色光，測定該螢光體發出的波長為555.6nm的發光強度的激發依賴性時，該螢光體的激發光譜也與實施例61的螢光體一樣，在波長300nm附近到500nm的寬範圍的激發光下顯示高強度的綠色的發光。接著，與實施例61同樣地測定實施例62得到的螢光體的發光強度的溫度特性。該測定結果示於表10中，並且使用粗單點劃線與實施例61同樣地示於圖14-1、2中。從圖14-1的結果可以看出，對實施例62的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為93.0%，20(TC時為83.8%,300°C時為70.8%。升溫後，進行冷卻，再在25。C下進行測定，為98.4%，幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。從圖14-2的結果可以看出，對實施例62的螢光體照射波長為405nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為90.9%，200。C時為78.8%,300°C時為64.6%。升溫後，進行冷卻，再於25。C下進行測定，為98.6%,幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。實施例62的萸光體是A1、Si、N、0的摩爾比與實施例61的焚光體稍有不同的組成，但是與實施例61同樣地，顯示出優異的發光特性。(實施例63)實施例63中，製造焙燒完的目標組成為SrAlL28Si3.4。Oo.72N5.99:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030)的螢光體。以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:0:Ce=0.970:1.25:4.25:1.56:0.030的比例，稱量0.970摩爾SrC03、(1.56-0.976)/3摩爾A1203、1.25-((1.56—0.976)/3)x2摩爾A1N、4.25/3摩爾Si3N4、0.030摩爾Ce02，除此之外，與實施例61同樣地，獲得組成式SrAlL28Si3.4oOo.72N5.99:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0細)表示的實施例63的螢光體。得到的螢光體粉末的分析結果、平均粒徑(D50)、比表面積(BET)示於表9中。得到的螢光體的比表面積為0.231mVg。平均粒徑(D50)為作為螢光體粉末優選的1.0[im50.0nm的粒徑。接著，與實施例61同樣地，測定實施例63的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表10中。如表10所示，示出了照射波長為460nm、405nm的單色光作為激發光時的發光光語的測定結果，如果照射波長460nm的單色光作為激發光，則該螢光體與實施例61的螢光體同樣，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為555.6nm。並且，求出半光i普幅值為116.0nm。求出該發光光譜'的色度(x,y)為x=0.3996,y=0.5498。另夕卜，粉末為黃色的螢光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例63的螢光體的發光強度的相對強度為93.5%。接著，如表10所示，如果照射波長為405nm的單色光作為激發光，貝'j該螢光體的發光光譜與實施例61的螢光體同樣，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為530.4nm。另外，求出半光譜幅值為115.9nm，求出該發光光譜的色度(x,y)為x=0.3434,y=0.5302。並且，粉末是黃色的螢光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例62的螢光體的發光強度的相對強度為111.4%。接著，對實施例63的螢光體照射波長為250nm550nm的單色光，測定該螢光體發出的波長為555.6nm的發光強度的激發依賴性時，該螢光體的激發光譜也和實施例61的螢光體一樣，在波長300nm附近到500nm的寬範圍的激發光下顯示高強度的綠色的發光。接著，與實施例61同樣地測定實施例63中獲得的螢光體的發光強度的溫度特性。該測定結果示於表10中，並且使用粗二點劃線與實施例61同樣地示於圖14-1、2中。從圖14-1的結果可以看出，對實施例63的螢光體照射波長為460nrn的單色光作為激發光時，將測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為93.7%,200。C時為84.1%，30(TC時為69.6%。升溫後，進行冷卻，再於25。C下進行測定，為97.1%，幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。從圖14-2的結果可以看出，對實施例63的螢光體照射波長為405nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為91.0%，20(TC時為77.9%，300。C時為62.3%。升溫後，進行冷卻，再於25。C下進行測定，為97.5%,幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。實施例63的螢光體是A1、Si、N、0的摩爾比與實施例61、62的螢光體稍有不同的組成，但是與實施例61同樣地，顯示優異的發光特性。(實施例64)實施例64中，製造焙燒完的目標組成為SrAlu3Si4.320,N7.!3:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030)的螢光體。以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:0:Ce=0.970:1.0:4.5:1.06:0.030的比例，稱量0.970摩爾SrC03、(1.06-0.976)/3摩爾A1203、1.00-((1.06-0.976)/3)x2摩爾A1N、4.5/3摩爾Si3N4、0.030摩爾Ce02，除此之外，與實施例61同樣地，製備組成式SrAlu3Si"20。.64N7.,3:Ce(其中,Ce/(Sr+Ce)=0.030)表示的實施例64的螢光體。製備的螢光體粉末的分析結果、平均粒徑(D50)、比表面積(BET)示於表9中。得到的實施例64的螢光體的比表面積為0.254m2/g。平均粒徑(D50)為24.08(im。另夕卜，實施例64和之前所示的實施例1具有幾乎一樣的組成，但是比實施例1的原料混合量增加了0.06摩爾的氧量的混合組成。接著，與實施例61同樣地，測定實施例64的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表10中。如表10所示，照射波長為460nm的單色光作為激發光時，該焚光體的發光光譜與實施例61的螢光體同樣，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為559.2nm。並且，求出半光譜幅值為118.8nm。求出該發光光譜的色度(x,y)為x=0.4125,y=0.5431。並且該焚光體粉末呈黃色的焚光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例64的螢光體的發光強度的相對強度為94.6%。接著，如表10所示，照射波長為405nm的單色光作為激發光時，該螢光體與實施例61的螢光體一樣，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為551.0nm。並且，求出半光謙幅值為121.5nm,求出該發光光語的色度(x,y)為x=0.3699，y=0.5343。並且，該螢光體粉末呈黃色的螢光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例64的螢光體的發光強度的相對強度為105.3%。接著，對實施例64的螢光體照射波長為250nm550nm的單色光，測定該螢光體發出的波長為559.2nm的發光強度的激發依賴性時，該螢光體的激發光語也和實施例61的螢光體一樣，在波長300nm附近到500nm的寬範圍的激發光下顯示高強度的綠色的發光。接著，與實施例61同樣地測定實施例64中得到的螢光體的發光強度的溫度特性。該測定結果示於表10中，並使用虛線與實施例1同樣地示於圖14-1、2。從圖14-1的結果可以看出，對實施例64的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為90.5%，20(TC時為75.0%,30(TC時為54.3%。升溫後，進行冷卻，再於25。C進行測定，為81.0%,比初期發光強度降低了約20%。從圖14-2的結果可以看出，對實施例64的螢光體照射波長為405nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為89.3%,200。C時為72.3%,300°C時為51.9%。升溫後，進行冷卻，再於25。C進行測定，為84.6%,比初期發光強度降低了約20%。(實施例65)在實施例65中，製造焙燒完的目標組成為SrAh.Q7Si4.460o.7N7.22:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce"0.030)的螢光體。以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:O:Ce=0.970:1.0:4.75:1.06:0.030的比例,稱量0.970摩爾SrCO3、(1.06—0.976)/3摩爾A1203、1.00—((1.06-0.976)/3)x2摩爾A1N、4.75/3摩爾Si3N4、0.030摩爾Ce02,除此之外，與實施例61同樣地，製造組成式SrAlL07Si4.460o.7oN7,22:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030)表示的實施例65的焚光體。製造的焚光體粉末的分析結果、平均粒徑(D50)、比表面積(BET)示於表9中。獲得的螢光體的比表面積為0.212m"g。平均粒徑(D50)為25.44jim。接著，與實施例61同樣地，測定實施例65的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表10中。如表10所示，照射波長為460nm的單色光作為激發光時，該發光光語與實施例61同樣地，在波長470讓750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為558.1nm。另外，求出半光譜幅值為117.2nm,求出該發光光譜的色度(x,y)為x=0.4114，y=0.5445。並且該螢光體粉末呈黃色的螢光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例65的螢光體的發光強度的相對強度為93.4%。接著，如表10所示，照射波長為405nm的單色光作為激發光時，該螢光體的發光光譜與實施例61的螢光體同樣地，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為551.0nm。另夕卜，求出半光譜幅值為119.4nm,求出該發光光鐠的色度(x，y)為x=0.3728，y=0.5384。並且，該螢光體粉末呈黃色的螢光色，用目視也可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例65的螢光體的發光強度的相對強度為104.6%。接著，對實施例65的螢光體照射波長為250nm550nm的單色光，測定該螢光體發出的波長為558.1nm的發光強度的激發依賴性時，該螢光體的激發光譜也和實施例61的螢光體一樣，在波長300nm附近到500nm的寬範圍的激發光下顯示高強度的綠色的發光。接著，與實施例61同樣地測定實施例65中得到的螢光體的發光強度的溫度特性。該測定結果示於表10中，並使用細單點劃線與實施例1同樣地示於圖14-1、2。從圖14-1的結果可以看出，對實施例65的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫("。C)下的發光強度的值作為100%時,測定溫度為IO(TC時為90.4%,20(TC時為73.4%,300。C時為51.7%。升溫後，進行冷卻，再於25。C進行測定，為81.9%,比初期發光強度降低了約15%。從圖14-2的結果可以看出，對實施例65的螢光體照射波長為405nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為88.7%,20(TC下為70.4%,30(TC下為48.9%。升溫後，進行螢光體的冷卻，再於25T進行發光強度的測定，為85.4%，比初期發光強度降低了約15%。(實施例66)在實施例66中，製造焙燒完的目標組成為SrAlL(nSi4.7。Oo.65N7.52:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)-0.030)的螢光體。以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:0:Ce=0.970:1.0:5.00:1.06:0.030的比例，稱量0.970摩爾SrCO3、(1.06-0.976)/3摩爾A1203、1.00-((1.06_0.976)/3)x2摩爾A1N、5.00/3摩爾Si3N4、0.030摩爾CeO2,除此之外，與實施例61同樣地，製造組成式SrAh.o,Si4.7oO,N7.52:Ce(其中,Ce/(Sr+Ce)=0扁)表示的實施例66的焚光體。製造的螢光體粉末的分析結果、平均粒徑(D50)、比表面積(BET)示於表9中。得到的螢光體的比表面積為0.256m々g。平均粒徑(D50)為27.14pm。並且，實施例66是比之前所示的實施例2的原料混合量多0.06摩爾的氧量的混合組成。接著，與實施例61同樣地，測定實施例66的螢光體的發光光譜。該測定結果示於表10中。如表10所示，照射波長為460nm的單色光作為激發光時，該螢光體的發光光譜與實施例61同樣地，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰波長為559.2nm。並且，求出半光譜幅值為116.6nm，求出該發光光譜的色度(x,y)為x=0.4141，y=0.5444。並且該螢光體粉末呈黃色的螢光色，用目視還可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例66的螢光體的發光強度的相對強度為95.0%。接著，如表10所示，照射波長為405nm的單色光作為激發光時，該螢光體的發光光譜與實施例61的螢光體同樣地，在波長470nm750nm的寬波長區域中具有寬峰，其峰值波長為550.9nm。並且，求出半光譜幅值為118.5nm,求出該發光光譜的色度(x，y)為x=0.3753,y=0.5396。並且，該螢光體粉末呈黃色的螢光色，用目視可以確認綠色的發光色。將實施例61的螢光體的相對強度作為100%時，實施例66的螢光體的發光強度的相對強度為105,3%。接著，對實施例66的螢光體照射波長為250nm550nm的單色光，測定該螢光體發出的波長為559.2nm的發光強度的激發依賴性時，該螢光體的激發光譜也與實施例61的螢光體一樣，在波長300nm附近到500nm的寬範圍的激發光下顯示高強度的綠色的發光。接著，與實施例61同樣地測定實施例66中得到的螢光體的發光強度的溫度特性。該測定結果示於表10中，並使用細雙點劃線與實施例61同樣地示於圖14-1、2中。從圖14-1的結果可以看出，對實施例66的螢光體照射波長為460nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為90.4%，200。C時為76.9%，300°C時為60.1%。升溫後，進行冷卻，再於25。C進行測定，為98.2%,幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。從圖14-2的結果可以看出，對實施例66的螢光體照射波長為405nm的單色光作為激發光時，將該螢光體在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度值作為100%時，測定溫度為IO(TC時為89.0%,200。C時為73.2%,300°C時為55.5%。升溫後，進行螢光體的冷卻，再於25。C進行發光強度的測定，為98.6%,幾乎未發現降低，可以說是測定誤差的程度。(對實施例61~66的研究)從表IO、圖14-1、2的結果可以看出，Al/Sr在l.l<Al/SrS2.0範圍的實施例61~63的試樣與Al/Sr為1.0的實施例64~66的試樣相比，能獲得優異的發光特性。實施例61與實施例6466的試樣相比，初期發光強度提高約5.0%,特別是溫度特性大幅改善，在激發波長460nm下，與實施例64~66的試樣相比，在測定溫度100。C時才是高約4.0%,300。C時"^是高約10.0%以上，從而可以抑制發光強度的降低。另外，升溫後，進行該焚光體的冷卻，再於25X:進行測定時，對於與實施例6465的試樣相關的Al/Sr為1.0的試樣，與升溫前的發光強度相比，降低了約20%，而實施例6163的螢光體降低了約3.0%，幾乎沒有降低，對於熱是優異的。實施例66的螢光體的冷卻後的發光強度和實施例6163的螢光體一樣，幾乎沒有變差。另一方面，加熱時發光強度的降低與實施例64和實施例65的螢光體一樣大，比實施例6163的試樣差，在激發波長405nm下也是同樣的。實施例61~63的螢光體和實施例64~66的螢光體相比，通過進行Al濃度相對於生成相的氧/氮濃度的合適化，減少了雜質相，認為可提高發光特性或溫度特性。[表9]tableseeoriginaldocumentpage65表10tableseeoriginaldocumentpage65(粉末x射線衍射圖案)對於實施例61~66，在圖15中示出了由粉末X射線衍射法獲得的衍射圖案。由圖15的結果所示，本發明的螢光體的生成相在布拉格角度(2e)為12.5~13.50、17.018.0。、21.0~22.0。、22.5~23.50、26.5~27.50、28.529.5°、34.035.0°、35.5~36.5。、36.537.5。、41,042.0°、42.0~43.0。、56.5~57.5°、66.067.0。的範圍具有特徵峰。根據該衍射圖案，認為該螢光體的主生成相的結晶系是具有斜方晶系或單斜晶系的結晶相的螢光體。在a/m〇l.l(實施例6466)的情況下，在布拉格角度(26)35.5°~36.5°的範圍發現最強的衍射峰，但是與1.Ka/m^l0(實施例6163)的情況相比'強度)36.5。37.5。、41.0°~42.0。、42.0。43.0。發現的衍射峰與a/m^l.l時相比，1.Ka/m^2.0的情況下具有變強的特徵。〖人為這是由於Si位點的Al置換量變多，結晶的取向性發生變化，對發光沒有貢獻的雜質相減少，從而在高溫的環境下也顯示出優異的發光效率。由此，能獲得發光效率高、在高溫的環境下也顯示優異發光效率的螢光體。這裡，對於採用該粉末法的X射線衍射圖案的測定方法進行說明。測定的螢光體是在焙燒後使用乳缽、球磨等粉碎裝置粉碎成身見定(優選1.C^m50.0^im)的平均粒徑，平平地裝入到材質為鈦制的容器中，使用XRD裝置、理學電氣抹式會社製造的"RINT2000"進行測定。測定條件如下所示。使用測定機理學電氣抹式會社製造的"RINT2000"X射線燈泡CoKa管電壓40kV管電流30mA掃描方法2e/e掃描速度0.37分鐘耳又才羊間隔0.01°開始角度(26):10。停止角度(29):90°並且，對於布拉格角度(2e)的偏差，認為是由於X射線照射的試樣表面不平、X射線的測定條件特別是掃描速度的不同等產生的。因此，發現特徵的衍射峰的範圍認為允許有若干偏差。為了儘可能抑制該偏差，掃描速度控制在0.37分鐘的情況下，在螢光體試樣中混入Si，用X射線測定後補正Si峰的偏差，由此求出布拉格角度(20)。(真密度的測定)另夕卜，對實施例6163的試樣進行真密度測定時表明，分別為3.43g/cc、3.45g/cc、3.46g/cc,均顯示3.45g/cc附近的數值。並且，真密度的測定使用QUANTACHROME公司製造的UltrapycnometerlOOO。生成相中的雜質多時，由於真密度比上述值有增減，為了獲得良好的發光特性或溫度特性，本發明的螢光體的真密度只要在3.45g/cc±3%的範圍即可。(實施例67~72)實施例6772中，製造焙燒完的目標組成式SrAlaSi3.81O0.59Nn:Ce(Ce/(Sr+Ce)=0.030，n=2/3m+a+4/3b—2/3o，m=1.0,b=3.81，0=0.59)表示的螢光體中改變了a/m比(這裡，a/m和Al/Sr具有相同的意義)的試樣(實施例67~72),測定各試樣中作為發光強度的峰波長、色度(x,y)、25。C下的相對發光強度、溫度特性。其中，在製造實施例6772的螢光體時，除了只調整實施例61中說明的SrC03(3N)、A1203(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的各原料中的A1N(3N)的混合比以外，與實施例61同樣地製造各試樣，測定該製造的各試樣的發光強度和溫度特性。調節的Al和Si的混合比是Al/Sr=1.10(實施例67)、Al/Sr=1.21(實施例68)、Al/Sr=1.38(實施例69)、Al/Sr=1.43(實施例70)、Al/Sr=1.66(實施例71)、Al/Sr=2.21(實施例72)。在表11和圖16中示出了實施例6772中製造的各試樣的發光特性和溫度特性的結果。表11中所示的發光強度的測定中，將對實施例70的螢光體照射波長460nm的單色光作為激發光時(25i:)的發光強度的值作為100%，以相對強度示出實施例6772的試樣(25。C)的發光強度的值。接著，將每個試樣在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值規定為100%,示出了測定溫度從25。C上升到30(TC時的發光強度變化的測定結果。並且，在表11中，示出了將試樣升溫到30(TC後，再冷卻到25。C時的發光強度的值。並且，使用波長460nm的光作為激發光。圖16是溫度特性的測定結果，縱軸採取相對發光強度、橫軸採取進行發光強度的測定時的測定溫度的值，實施例67使用實線表示、實施例68使用粗單點劃線表示、實施例69使用粗雙點劃線表示、實施例70使用細單點劃線表示、實施例71使用短虛線表示、實施例72使用長虛線來表示。從表ll和圖16的結果可以看出，Al/Sr為1.43時，該焚光體顯示最優異的發光特性。順便說一下，在升溫前的25。C下，與Al/Sr為1.10時相比優異約8.0%,升溫時在全部溫度區域中，發光強度的降低小，顯示出優異的溫度特性。在測定溫度100。C下，和Al/Sr為I.IO的情況相比，可以抑制約4.5%發光強度的降低，在測定溫度300。C下，和Al/Sr為1.10的情況相比，可以抑制約20.0%發光強度的降低。在Al/Sr的值比1.43小的區域中，隨著該值的增加可以抑制升溫時的發光強度的降低，但在Al/Sr=1.43(實施例70)附近達到峰值，進而在Al/Sr的值增大時，發光強度的降低再次變大，Al/Sr-2.21(實施例72)時，在測定溫度100。C下，(P25—P100)/P25xl00>10.0。另外，在Al/Sr的值小的區域中，升溫/冷卻後的25。C的發光強度和升溫前相比，冷卻後大大降低，另一方面，在Al/Sr的值大的區域中，即使是升溫前也有初期發光強度低的問題。因而，為了獲得可以充分實用化的螢光體，Al/Sr的值優選為l.l<a/m^2.0的範圍內。認為這是由於，本發明的螢光體是與現有的氮化物、氧氮化物螢光體具有不同結構的氮化物、氧氮化物螢光體，該螢光體在由[SiN4]的四面體結構的Si的一部分被置換成Al、N的一部分被置換成O的結構組成網狀結構的間隙中嵌入了離子半徑大的Sr。即，可認為其原因是，與構成與本發明的螢光體相同的[SiN4]的四面體結構的網絡的Cax(Al,Si)!2(0,N:h6:Eu(其中，CKx芸1.5)的Ca相比，本發明的螢光體的Sr的離子半徑大，採取與嵌入Ca時不同的[SiN4]網狀結構，另外，通過採取不同的Si的Al置換量、N的O置換量，向發光特性優異的結構最合適化。並且，通過使該結晶結構最合適化，活化劑可以有規則地存在於該結晶結構中，並且可以有效地進行用於發光的激發能量的傳遞，因此認為能提高發光效率。並且，該結晶結構由於是由A1N或Si3N4的反應生成的具有高溫耐久性的氮化物、氧氮化物，因此升強度的降低。表11Al/Sr激發波長色度相對發光強度(25'C〕各測定溫度下的發光強度變化率r升溫過程)(冷卻後)(nm)Xy(X)25°C50°C100°C150。C200°C250°C300。C25。C實施例671.000559.70.4130.54291.3100.095.790.082.674.164.653.381.3實施例681.100558.20.4100,54594.3100.096.291.585.879.071.262.692.7實施例691.25D558.10.4050.54898.6100.D96.793.990.185.479,472.298.5實施例701.300556.00崩0.548100.0100.096.894.491.085.880.173.498.8實施例711.500556_20.4000.54672.4100.095.692LO87.482.175.969.397.6實施例722.000558,10.4050.54364.9100.093.987.981.274.667.560,B96.8(實施例7375)實施例73~75中，製造焙燒完的目標組成式SrAlaSi4.o90。.65Nn:Ce(Ce/(Sr+Ce)=0.030，n=2/3m+a+4/3b_2/3o,m=1.0,b=4.09,0=0.65)表示的焚光體中使a/m比(這裡a/m和Al/Sr具有相同的意義)變化的實施例7375的試樣，測定各試樣中作為發光強度的峰波長、色度(x，y)、25。C下的相對發光強度、溫度特性。這裡，在實施例73~75的螢光體的製造中，除了只調整實施例62中說明的SrC03(3N)、A1203(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的各原料中的A1N(3N)的混合比調整以外，與實施例62同樣地製造螢光體試樣，測定該製造的各試樣的發光強度和溫度特性。其中，調節的Al和Si的混合比是Al/Sr=1.07(實施例73)、Al/Sr=1.33(實施例74)、Al/Sr=1.60(實施例75)。在表12和圖17中示出了實施例73~75中製造的各試樣的發光特性和溫度特性的結果。表12中所示的發光強度的測定中，將對實施例75的螢光體照射波長460nm的單色光作為激發光時(25。C)的發光強度的值作為100%,並以相對強度示出了實施例7375(25。C)的發光強度的值。接著，將每個試樣在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值都規定為100%,示出了測定溫度從25。C上升到300。C時的發光強度變化的測定結果。另外，在表12中，示出了將試樣升溫到30(TC後，再冷卻到25。C時的發光強度的值。並且，使用波長460nm的光作為激發光。圖17是溫度特性的測定結果，縱軸為相對發光強度，橫軸為進行發光強度的測定時的測定溫度的值，實施例73使用實線表示、實施例74使用單點劃線表示、實施例75使用雙點劃線表示。從表12和圖17的結果可以看出，Al/Sr為1.33~1.60附近時，該螢光體顯示最優異的發光特性。即，在升溫前的25。C下，比Al/Sr為1.07的情況優異約9.0%,升溫時在全部溫度區域中，發光強度的降低小，顯示出優異的溫度特性。在測定溫度100。C下，與Al/Sr為1.07的情況相比，可以抑制約4.0%發光強度的降低，在測定溫度300。C下，與Al/Sr為1.07的情況相比，可以抑制約20%發光強度的降低。另外，Al/Sr為1.07時，升溫/冷卻後的25。C的發光強度比升溫前降低了約17%,而A1/Sr為1.33、1.60日於，幾乎沒有降低，可以說是測定誤差的程度。由以上可知，在實施例7375中，與實施例6772—樣，Al/Sr如果在l.l<a/m^2.0的範圍內，則可以獲得充分實用化的螢光體。實施例7375和實施例6772相比，由於Si的摩爾比大，Al/Sr的最適合的範圍也稍稍不同。表12tableseeoriginaldocumentpage70(實施例76~79)實施例7679中，製造焙燒完的目標組成式SrAl,.43Si3.引0。Nn:Ce(Ce/(Sr+Ce)=0.030,n=2/3m+a+4/3b—2/3o,m=1.0，a=1.43,b-3.81)表示6勺焚光體中使o/m比(這裡0/m和0/Sr具有相同的意義)改變的實施例7679的試樣，測定各試樣中作為發光強度的峰波長、色度(x,y)、25。C下的相對發光強度、溫度特性。這裡，實施例7679的製造中，除了調整實施例61中說明的SrC〇3(3N)、A1203(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的各原料中的A1203(3N)、A1N(3N)的混合比以外，與實施例61同樣地製造焚光體試樣，測定該製造的各試樣的發光強度和溫度特性。其中，調整的O和Sr的混合比是O/Sr=0.48(實施例76)、O/Sr=0.59(實施例77)、O/Sr=0.70(實施例78)、O/Sr=0.81(實施例79)。在表13和圖18-1中示出了實施例76~79中製造的各試樣的發光特性和溫度特性的結果。表13所示的發光強度的測定中，將對實施例77的萸光體照射波長460nm的單色光作為激發光時(25。C)的發光強度的值作為100%，以相對強度示出了實施例7679的發光強度(25。C)的值。接著，將每個試樣在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值都規定為100%,示出了測定溫度從25。C上升到30(TC時的發光強度變化的測定結果。並且，在表13中，示出了將試樣升溫到30(TC後，再冷卻到25。C時的發光強度的值。並且，使用波長460nm的光作為激發光。圖18-1是溫度特性的測定結果，縱軸為相對發光強度，橫軸為進行發光強度測定的測定溫度的值，實施例76使用實線表示、實施例77使用單點劃線表示、實施例78使用雙點劃線表示、實施例79使用虛線表示。另外，圖18-2是示出各試樣中氧濃度與相對發光強度的關係的圖，縱軸表示相對發光強度，橫軸表示各試樣中的氧濃度。從表13和圖18-1、圖18-2的結果可以看出，0/Sr為0.59時，該焚光體顯示最優異的發光特性。即，在升溫前的25。C下，與0/Sr為0.48時相比優異約17.0%,升溫時在全部溫度區域中，發光強度的降低小，顯示出優異的溫度特性。在測定溫度100。C時，與O/Sr為0.48的情況相比，可以抑制約3.0%發光強度的降低,在測定溫度300。C時，與O/Sr為0.48的情況相比，可以抑制約6.0%發光強度的降低。尤其是，本實施例中，儘管將Al/Sr的值設定在1.43(實施例6772中的最佳值)，與其它各試樣相比，實施例76的溫度特性也稍差，但如果在本實施例的範圍內，各試樣的溫度特性與0/Sr的值無關，均能獲得良好的結果。另一方面，對於初期發光強度，0/Sr的值有大的影響，在作為最適合值的O/Sr=0.59附近時，可知與其他值相比上升了10%以上。並且，該0/Sr的值如果在0.0<o/mS1.5,更優選在0.CKo/m^l.0範圍內，則可以得到充分實用化的萸光體。可認為其原因是，本發明的螢光體中，雖然[SiN4]的四面體結構的Si的一部分被Al置換，但是只改變Al的置換量時，由於Al比Si的離子半徑大，因此結晶結構偏離適合發光的結構，另外，由於A1是三價，而Si是四價，因此母體結構整體的價數變得不穩定。但是，如果對應於置換Si位點的Al量，用比N離子半徑小的O置換N位點的一部分，則可以獲得最適合發光的結晶結構，另外，由於母體結構全體的價態變成穩定的零，認為可以顯示出優異的發光特性。表13tableseeoriginaldocumentpage71</table(實施例80~82)實施例8082中，製造焙燒完的目標組成式SrAh.33Si4.o90。Nn:Ce(Ce/(Sr+Ce)=0.030，n=2/3m+a+4/3b—2/3o，m=1.0,a=1.33,b-4.09)表示的螢光體中使o/m比(這裡。/m和O/Sr具有相同的意義)改變的實施例80~實施例82的試樣，測定各試樣中作為發光強度的峰波長、色度(x,y)、25"C下的相對發光強度、溫度特性。這裡，實施例80-82的製造中，除了調整實施例62中說明的SrC03(3N)、A1203(3N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)的各原料中的A1203(3N)、A1N(3N)的混合比以外，與實施例62同樣地製造焚光體試樣，測定該製造的各試樣的發光強度和溫度特性。調整的O和Sr的混合比是O/Sr-0.52(實施例80)、O/Sr=0.65(實施例81)、O/Sr=0.77(實施例82)。在表14和圖19-1中示出了實施例80-82中製造的各試樣的發光特性和溫度特性的結果。表14所示的發光強度的測定中，將對實施例81的螢光體照射波長460nm的單色光作為激發光時(25。C)的發光強度的值作為100%時，以相對強度示出了實施例80實施例82(25。C)的發光強度的值。接著，將每個試樣在測定溫度上升前的室溫(25。C)下的發光強度的值規定為100%，示出了測定溫度從25。C上升到30(TC時的發光強度變化的測定結果。並且，在表14中，示出了將試樣升溫到30(TC後，再冷卻到25。C時的發光強度的值。另外，使用波長460nm的光作為激發光。圖19-1是溫度特性的測定結果，縱軸是相對發光強度，橫軸是進行發光強度測定時的測定溫度的值，實施例80使用實線表示、實施例81使用單點劃線表示、實施例82使用雙點劃線表示。並且，圖19-2是表示各試樣中氧濃度與相對發光強度的關係的圖，縱軸表示相對發光強度，橫軸表示各試樣中的氧濃度。從表14和圖19-1、圖19-2的結果可以看出，本實施例中的螢光體在O/Sr為0.65時顯示最優異的發光特性。例如，在升溫前(25。C)下，與O/Sr的值為0.52的情況相比優異約5.0%,升溫時在全部溫度區域中，發光強度的降低非常小，顯示出優異的溫度特性。測定溫度100。C下，在(P25-Pio。yP25x100^10.0的範圍內可以抑制發光強度的降低，在測定溫度300。C下，與0/Sr值為0.52的情況相比，可以抑制約3.4%發光強度的降低。本實施例的螢光體的溫度特性由於Al/Sr的值為1.33(實施例7375中最佳的值)，如果在本實施例的範圍內，則與0/Sr的值無關，都能獲得良好的結果。但是，對於初期發光強度，0/Sr的值對其有影響，作為最適合值的O/Sr=0.65時影響最大，例如與O/Sr=0.77時相比大約高25.0%。並且，在實施例8082中，與實施例76~79同樣地，可知Al/Sr的值為0.0<o/m〇1.5,更優選為0.(Ko/m^l.0的範圍內時，可以獲得充分實用化的螢光體。這裡，實施例8082與實施例76~79相比，Al摩爾比、Si摩爾比不同。因此，實施例8082中o/m的最合適值的傾向與實施例7679稍微不同。特別是，在0/Sr=0.50附近的初期發光強度上有差別，實施例76~79與最適合值O/Sr=0.59的初期發光強度相比低約17.0%，而實施例8082與最適合值0/Sr=0.65相比只低約5.0%。因此可知，O/Sr的最合適值不是獨立決定的，根據Si位點的Al置換量而變化。表14tableseeoriginaldocumentpage73下面，在實施例83~92中，對使用上述實施例1和實施例61的螢光體的螢光體混合物和發光裝置進行評價。比較例48中，對使用現有的綠色螢光體的螢光體混合物和發光裝置進行評價。(實施例83)實施例83中，使用在波長460nm下發光的發光元件(LED)，激發本發明的實施例1的螢光體試樣SrAlSi4.50N7:Ce(其中，Ce/(Sr+Ce)=0.030)的螢光體，評價此時該焚光體的發光特性、演色性。特別是發光元件的發光波長只要在本焚光體的效率好的激發區域(300nm500nm)即可，並不限于波長為460nm。首先，使用氮化物半導體的藍色光的LED元件(發光波長467nm)製備發光部。進而，將實施例1中製備的螢光體、環氧樹脂、分散劑混合，製成混合物。另外，該樹脂優選可見光的透過率、折射率高的，如果滿足上述條件，則不限於環氧系，也可以是矽系樹脂。也可以向該分散劑中混合少量Si02的微粒子使用。接著，充分攪拌該混合物，用公知的方法塗布在該LED元件上，製作白色LED照明(發光裝置)。由於發光色和發光效率根據上述混合物的焚光體和樹脂比例、塗布厚度而發生變化，因此可以根據目標的色溫度來調節上述條件。對製作的白色LED照明通電20mA時的發光光譜示出圖20中。圖20是縱軸採取相對發光強度，橫軸採取發光波長(nm)的圖。並且，用實線表示實施例83中的白色LED照明的發光光譜。該螢光體由發光部發出的藍色光激發、發光，發出在波長400nm750nm的範圍具有連續的寬峰的發光光譜的白色光，從而可以得到白色LED照明。測定該發光的色溫度、色度和演色性，色溫度為6078K,x=0.317，y=0.374。並且，該白色LED燈的平均演色評價數(Ra)為73。並且，通過適當改變螢光體和樹脂的混合量，可以獲得不同色溫度的發光色。(實施例84)在實施例84中，與實施例83同樣地，^吏用在波長460nm下發光的發光元件(LED)，激發本發明的實施例61的SrAlL43Si3.8iOo.59N6.79:Ce的螢光體，評價此時該焚光體的發光特性、演色性。對採用與實施例83同樣的製造方法製作的白色LED照明通電20mA時的發光光譜示於圖21中。圖21是縱軸採取相對發光強度、橫軸採取發光波長(nm)的圖。接著，用實線表示實施例84中的白色LED照明的發光光譜。該螢光體由發光部發出的藍色光激發、發光，並發出波長400nm750nm範圍內具有連續的寬峰的發光光譜的白色光，從而可以得到白色LED照明。測定該發光的色溫度、色度和演色性，色溫度為6344K,色度為乂=0.3115，y=0.3649，平均演色評^介數(Ra)為72。(實施例85、86)在實施例85或實施例86中，向實施例61的螢光體再加入紅色螢光體，光體混合物的發光特性、演色性。另外，在本實施例中，使用CaSiAlN3:Eu作為該紅色螢光體，但也可以使用Sr4AlSi02N17:Eu、(Ca，Sr)Si5N8:Eu等具有氮的紅色螢光體、或者SrS:Eu、CaS:Eu等硫化物系的紅色螢光體。l)螢光體試樣的準備用實施例61說明的方法製造綠色螢光體SrAlL43Si3.8,0。.59N6.79:Ce(實施例61的螢光體)。另一方面，用下面的方法製造紅色螢光體CaSiAlN3:Eu。準備市售的Ca3N2(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N),以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Ce=0.970:1.00:1.00:0.030的比例稱量各原料,在氮氣氛中使用乳缽來混合。混合的原料以粉末的狀態在氮氣氛中以15。C/分鐘的升溫速度升溫到1500°C,在1500。C下保持、焙燒12小時後，從1500。C用1小時冷卻到20(TC,獲得組成式為CaSiAlN3:Eu的螢光體。將得到的試料粉^淬、分級，製備紅色螢光體試樣。2)焚光體混合物的製備對上述SrAh.43Si3.8!0。.59N6.79:Ce和CaSiAlN3:Eu兩種螢光體試樣分別測定用波長460nm的激發光激發時的發光光譜，通過模擬由該發光光譜求出兩混合比。該模擬的結果是，相關色溫度為5000K時(實施例85)時，為SrAlwSimOo.wNs.wCe/CaSiAlNyEu=98.0:2.0(摩爾比)，相關色溫度為3000K(實施例86)時，為SrAlL43SimOo.59N6.79:Ce/CaSiAlN3:Eu-95.0/5.0(摩爾比)。基於該結果稱量各螢光體並混合，從而得到螢光體混合物。根據發光部的發光波長(螢光體混合物的激發波長)或對該激發光的螢光體的發光效率，優選的混合比會有偏離該模擬結果的情況。在這樣的情況下，可以適當調整焚光體的混合比，從而與實際的發光光譜的形狀匹配。3)發光元件的評價與實施例83、84同樣地，準備具有氮化物半導體的紫外線的LED(發光波長460nm)作為發光部，在該LED上設置上述螢光體混合物和樹脂的混合物。該螢光體混合物與樹脂的混合比基於上述模擬結果來適當調節上述螢光體的混合比，以獲得相當於色溫度5000K的白晝色或相當於3000K的白熾燈色。並且，通過^^知的方法與該LED的發光部組合，製作白色LED照明(發光裝置)。該兩螢光體混合物通過發光部發出的藍色光激發、發光，放出在波長420nm750nm的範圍內具有寬峰的發光光語的白色光，得到白色LED照明。這裡，對製作的白色LED照明的發光元件通電20mA時的發光光i普示於圖21中。圖21中用單點劃線示出了設定為相當於色溫度5000K的白色LED照明的白晝色的發光光譜，用雙點劃線示出了設定為相當於色溫3000K的白色LED照明的白熾燈的發光光譜。這裡，在表15中記載了實施例85或實施例86的白色LED照明的亮度、色度、演色評價數、色溫度等測定數據的一覽表。測定該發光的色溫、色度和演色性時，對於實施例85的設定為相當於色溫度5000K的白色LED照明，色溫度為4987K,x=0.3454，y=0.3512，平均演色評價數(Ra)為90，特殊演色評價數的R9為84,R13為91，R15為91。對於實施例86的設定為相當於色溫度3000K的白色LED照明，色溫度為2999K,x=0.4362，y=0.4024,平均演色評價數(Ra)為95，特殊演色評價l史的R9為89，R13為99，R15為97。另外，在這些白色LED照明中，通過適宜改變混合的螢光體的混合量和樹脂混合量，可以獲得不同色溫度的發光色。[表15]tableseeoriginaldocumentpage76接著，對實施例87~89進行說明。實施例8789中，製造用波長405nm下發光的發光元件(LED)激發時進行相關色溫度6500K的發光的螢光體混合物，評價該螢光體混合物的發光特性、演色性。另外，在實施例89中，是加入2種紅色螢光體而獲得優異的演色性，同時提高了亮度的實施例。這裡，使用BAM:Eu(BaMgAl1017:Eu)和(Sr,Ca,Ba,Mg)K)(P04)6Cl2:Eu作為藍色螢光體，但並不限定於此，也可以組合Sr5(P04)3Cl:Eu、SrAlxSi6-x01+xN8—x:Eu(0^x^2)、(Ba,Sr,Ca,Mg)2Si04:Eu、(Ba,Sr,Ca)Si202N2:Eu表示的焚光體。(實施例87)1)萸光體的準備綠色螢光體Sr2Al2Si1ON16:Ce通過下面的方法製備並準備。準備市售的SrC03(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Ce02(3N)。將這些原剩-以各元素的摩爾比為Sr:Al:Si:Ce=0.970:1.5:0.030的比例，分別稱量0.970摩爾SrCO"I.O摩爾的AIN、5/3摩爾S"N4、0.030摩爾Ce02的各原料並進行混合。混合的原料以粉末的狀態在氮氣氛中(流動狀態，20.0L/分鐘)、爐內壓0.05MPa下以15。C/分鐘升溫到1800°C，在1800。C下保持、焙燒3小時後，從1800。C用1小時30分鐘冷卻到50°C。然後，在大氣中使用乳缽將焙燒試樣粉碎到適當的粒徑，準備混合組成式Sr2Al2Si,ON,6:Ce表示的螢光體。通過實施例85中"i兌明的方法製造紅色螢光體CaAlSiN3:Eu。藍色螢光體BAM:Eu(BaMgAhoOn:Eu)準備了市售品。2)螢光體混合物的製備對上述Sr2Al2Si1GON16:Ce、CaAlSiN3:Eu和BAM:Eu這三種螢光體，測定用波長405nm的激發光激發時的發光光譜，並通過才莫擬由該發光光譜求出焚光體混合物的相關色溫度為6500K時的相對混合比。模擬的結果是BAM:Eu/Sr2Al2Si10ON16:Ce/CaAlSiN3:Eu=47.6/49.5/2.9,基於該結果，稱量各螢光體，得到螢光體混合物。其中，用波長405nm的激發光激發時，BAM:Eu的發光光譜的半光語幅值為53.5nm，Sr2Al2Si1QON16:Ce的發光光譜的半光譜幅值為118.0nm,CaAlSiN3:Eu的發光光i普的半光語幅值為86.7,全部在50腿以上。但是，根據發光部的發光波長(螢光體混合物的激發波長)、由該發光波長激發的螢光體的發光效率，優選的混合比有偏離模擬結果的情況。這樣的情況下，可以適當調整螢光體的混合比，從而與實際的發光光語形狀相匹配。3)發光特性的評價對得到的螢光體混合物照射波長為405nm的光作為激發光，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫度為6512K,可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x=0.312,y=0.331。基於JISZ8701規定的XYZ表色系統的計算方法，由獲得的發光光譜求出亮度OO的值，將亮度作為100。實施例87的焚光體混合物的亮度與後述的比較例4的菱光體混合物的亮度相比，上升了18%左右。在圖22中用粗實線表示發光光鐠。另外，圖22是縱軸採取相對發光強度、橫軸採取發光波長(nm)的圖。該發光光譜在波長420nm750nm的範圍具有不間斷的連續的光譜，在波長420nm680nm的範圍具有3個發光峰。4)演色性的評價基於JISZ8726，進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為97,特殊演色評價數R9為93，R15為95，發揮出非常優異的演色性。實施例87和後述的實施例88、89、比較例46的亮度、色度、演色評價數、色溫度等測定數據的一覽表記載於表16中。(實施例88)l)螢光體的準備採用實施例87說明的方法準備Sr2Al2Si1QON16:Ce作為綠色螢光體。採用實施例85說明的方法準備CaAlSiN3:Eu作為紅色焚光體。準備市售的(Sr,Ca，Ba，Mg)!o(P04)6Cl2:Eu作為藍色螢光體。2)螢光體混合物的製備與實施例87同樣地進行模擬，求得(Sr，Ca,Ba,Mg)K)(P04)6Cl2:Eu/Sr2Al2Si1ON16:Ce/CaAlSiN3:Eu=64.5/33.1/2.4,基於該結果稱量各螢光體並混合，得到萸光體混合物。這裡，用波長405nm的激發光激發時的(Sr，Ca，Ba,Mg)K)(P04)6Cl2:Eu的發光光譜中的半光譜幅值為51.1nm。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫度為6502K,可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x=0.313，y=0.327。從得到的發光光譜求出亮度，以實施例87的亮度為100,本實施例的螢光體混合物的亮度為101。實施例88的螢光體混合物的亮度與後述的比較例5的螢光體混合物的亮度相比，上升了16%左右。在圖22中用粗單點劃線示出了得到的發光光i普。該發光光譜與實施例87同樣地，在波長420nm750nm的範圍具有不間斷的連續的光語，在波長420nm680nm的範圍具有3個發光峰。4)演色性的評價基於JISZ8726,進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為94，特殊演色評價數R9為60,R15為89，發揮出非常優異的演色性。(實施例89)在實施例89中，利用使用2種亮度、演色性更好的紅色螢光體的方法發光的螢光體混合物，評價該螢光體混合物的發光特性、演色性^、l)螢光體的準備採用實施例87說明的方法準備Sr2Al2Si1ON16:Ce作為綠色螢光體。採用實施例85說明的方法準備CaAlSiN3:Eu作為紅色螢光體。準備市售的BAM:Eu作為藍色螢光體。另外，用下面的方法製造第2紅色螢光體CaAl2SUN8:Eu。準備市售的Ca3N2(2N)、A1N(3N)、Si3N4(3N)、Eu203(3N)，以各元素的摩爾比為Ca:Al:Si:Eu=0.970:2:4:0.030的比例稱量各原料，在氮氣氛下的碌^形箱中使用乳缽進行混合。將混合的原料在氮氣氛中以15。C/分鐘的升溫速度升溫到1700°C,在1700。C下保持、焙燒3小時後，用1小時/人1700。C冷卻到200。C,得到組成式CaAl2Si4Ns:Eu的螢光體。將其4分碎、分級。2)螢光體混合物的製備與實施例87同樣地進行才莫擬，求得BAM:Eu/Sr2Al2SiK)ONw:Ce/CaAl2Si4N8:Eu/CaAlSiN3:Eu=48.7/48.1/1.0/2.2,基於該結果稱量各螢光體並進行混合，得到焚光體混合物。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫度為6496K，可知具有目標的色溫度。另夕卜，測定該發光的色度為x-0.313,y=0.329。從獲得的發光光譜求得亮度，以實施例87的亮度為100，本實施例的螢光體混合物的亮度為107。實施例89的焚光體混合物的亮度與後述的比較例6的焚光體混合物的亮度相比，上升了2%左右。在圖22中用粗雙點劃線示出了獲得的發光光譜。該發光光譜與實施例87—樣，在波長420nm750nm的範圍具有不間斷的連續的光語，在波長420nm680nm的範圍具有3個發光峰。4)演色性的評價基於JISZ8726，進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為95,特殊演色評價數R9為92，R15為97,發揮出非常優異的演色性。接著，示為使用已知的綠色螢光體製造的螢光體混合物作為比較例。在比較例46中，製造用波長405nm下發光的發光元件(LED)激發時進行相關色溫為6500K的發光的螢光體混合物，評價該螢光體混合物的發光特性、演色性。對於比較例6來說，是使用2種紅色螢光體且提高了演色性和亮度的相對於實施例89的比4交例。(比較例4)l)螢光體的準備準備市售品ZnS:Cu,Al作為綠色螢光體。採用實施例85說明的方法準備CaAlSiN3:Eu作為紅色螢光體。準備市售的BAM:Eu作為藍色螢光體。2)螢光體混合物的製備與實施例87同樣地進行模擬，求得波長405nm的激發光中的螢光體混合物的發光光譜的相關色溫度為6500K時的相對混合比為BAM:Eu/ZnS:Cu,Al/CaAlSiN3:Eu=61.1/27.4/11.5，基於該結果稱量各螢光體並混合，獲得螢光體混合物。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，測定該焚光體混合物的發光的相關色溫度為6518K,可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x-0.311,y=0.337。從獲得的發光光i普求得亮度，以實施例87的亮度為100,本實施例的焚光體混合物的亮度為82。在圖22中用細虛線示出了獲得的發光光語。該發光光譜與實施例87—樣，在波長420nm750nm的範圍具有不間斷的連續的光i普，在波長420nm680nm的範圍具有3個發光峰。4)演色性的評價基於JISZ8726,進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為87，特殊演色評價數R9為6，R15為78。(比4支例5)1)螢光體的準備準備市售品ZnS:Cu,Al作為綠色焚光體。採用實施例85說明的方法準備CaAlSiN3:Eu作為紅色螢光體。準備市售的(Sr，Ca,Ba,Mg)K)(P04)6Cl2:Eu作為藍色螢光體。2)螢光體混合物的製備與實施例87同樣地進行模擬，求得波長405nm的激發光中的螢光體混合物的發光光譜的相關色溫度為6500K時的相對混合比為(Sr,Ca，Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu/ZnS:Cu,Al/CaAlSiN3:Eu=74.3/19.3/6.4，基於該結果稱量各螢光體並混合，得到螢光體混合物。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫度為6481K,可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x=0.313,y=0.329。從獲得的發光光譜求得亮度，以實施例87的亮度為100,本實施例的螢光體混合物的亮度為85。在圖22中用細單點劃線示出了獲得的發光光譜。4)演色性的評《介基於JISZ8726,進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為75，特殊演色評價數R9為-59，R15為57。(比較例6)在比較例6中，使用已知的綠色螢光體、兩種紅色螢光體和已知的藍色螢光體來製造如實施例89進行的那樣在波長405nm下發光的發光元件(LED)下激發時進行相關色溫6500K的發光的亮度、演色性高的螢光體混合物，並評價該螢光體混合物的發光特性、演色性。1)螢光體的準備準備市售品ZnS:Cu,Al作為綠色螢光體。並採用實施例89說明的方法準備CaAl2SUN8:Eu和CaAlSiN3:Eu作為紅色螢光體。準備市售的BAM:Eu作為藍色螢光體。2)焚光體混合物的製備與實施例89同樣地，求得波長405nm的激發光中的螢光體混合物的發光光譜的相關色溫度為6500K時的相對混合比為BAM:Eu/ZnS:Cu，A1/CaAl2Si4N8:Eu/CaAlSiN3:Eu=60.19/30.50/4.65/4.65，基於該結果稱量各螢光體並混合，獲得螢光體混合物。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫度為6568K,可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x=0.314,y=0.322。從獲得的發光光i普求得亮度，以實施例87的亮度為100,本實施例的螢光體混合物的亮度為105。在圖22中用細雙點劃線示出了獲得的發光光語。4)演色性的評價基於JISZ8726，進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為96，特殊演色評價數R9為84,R15為92。[表16]tableseeoriginaldocumentpage82接著，在實施例卯91中，製造波長405nm下發光的發光元件(LED)激發時進行相關色溫4200K的發光的螢光體混合物，評價該螢光體混合物的發光特性、演色性。實施例91是使用二種紅色螢光體且提高了演色性和亮度的實施例。(實施例卯)1)螢光體的準備與實施例87同樣地，準備Sr2Al2Siu)ONw:Ce作為綠色螢光體，準備CaAlSiN3:Eu作為紅色焚光體，準備BAM:Eu作為藍色螢光體。2)螢光體混合物的製備與實施例87同樣地，測定在用波長405nm的激發光激發BAM:Eu、Sr2Al2Si1ON16:Ce和CaAlSiN3:Eu這三種螢光體時的發光光謙，通過模擬由該發光光譜求出螢光體混合物的相關色溫度為4200K時的相對混合比。模擬的結果是BAM:Eu/Sr2Al2Si10ON16:Ce/CaAlSiN3:Eu=33.2/40.8/6.0,因而基於該結果稱量各螢光體並混合，獲得螢光體混合物。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，對獲得的螢光體混合物照射波長405nm的光作為激發光，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫為4205K,可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x=0.373,y=0.376。基於JISZ8701規定的XYZ表色系統的計算方法由獲得的發光光譜求得亮度(Y)的值，將亮度作為100。實施例90的螢光體混合物的亮度和後述的比較例7的螢光體混合物的亮度相比，上升了5%左右。該發光光譜在波長420nm750nm的範圍具有不間斷的連續的光譜，在波長420nm680nm的範圍具有3個發光峰。在圖23中用粗實線示出了獲得的發光光譜。並且，圖23和圖22—樣，是縱軸採取相對發光強度，橫軸採取發光波長(nm)的圖。4)演色性的評價基於JISZ8726，進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為95，特殊演色評價數R9為73,R15為92，發揮了非常優異的演色性。實施例90和後述的實施例91、比較例7和8的亮度、色度、演色評價數、色溫度等測定數據的一覽表記載於表17中。(實施例91)在實施例91中，利用使用了兩種亮度、演色性更好的紅色焚光體來制發光的螢光體混合物,'並評價該螢光體混合物的發光特性、、演色:。'1)螢光體的準備通過實施例87說明的方法製造綠色螢光體Sr2Al2Si1ON16:Ce。通過實施例85說明的方法製作CaAlSiN3:Eu作為紅色螢光體。並且通過實施例89說明的方法製備第二紅色螢光體CaAl2Si4N8:Eu。藍色螢光體準備了市售的BAM:Eu。2)螢光體混合物的製備通過與實施例87同樣的才莫擬，求出BAM:Eu/Sr2Al2Si10ON16:Ce/CaAl2Si4N8:Eu/CaAlSiN3:Eu=35.6/57.4/2.7/4.3,基於該結果稱量各螢光體並混合，獲得螢光體混合物。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫度為4189K,可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x=0.373,y=0.372。由得到的發光光語求出亮度，以實施例90的亮度作為100,本實施例的焚光體混合物的亮度為107。實施例91的螢光體混合物的亮度和後述的比較例8的螢光體混合物的亮度相比，上升了5%左右。在圖23中用粗單點劃線示出了獲得的發光光譜。該發光光譜和實施例87—樣，在波長420nm750nm的範圍具有不間斷的連續的光譜，在波長420nm680nm的範圍具有3個發光峰。4)演色性的評價基於JISZ8726,進行該焚光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為95,特殊演色評價數R9為80,R15為94，發揮了非常優異的演色性。接著，示出使用了已知的綠色螢光體的螢光體混合物作為比較例。在比較例78中，製造在波長405nm下發光的發光元件(LED)激發時進行相關色溫度為4200K的發光的螢光體混合物，並評價該螢光體混合物的發光特性、演色性。比較例8是加入2種紅色螢光體且演色性和亮度改善的相對於實施例91的比專交例。(比較例7)在比較例7中，製造進行相關色溫度為4200K的發光的焚光體混合物，並評價該螢光體混合物的發光特性、演色性。1)焚光體的準備準備市售品ZnS:Cu，Al作為綠色螢光體。準備CaAlSiN3:Eu作為紅色螢光體。準備市售的BAM:Eu作為藍色焚光體。2)螢光體混合物的製備採用與實施例87同樣的模擬，求得波長405nm的激發光中的螢光體混合物的發光光i普的相關色溫度為4200K時的相對混合比為BAM:Eu/ZnS:Cu，A1/CaAlSiN3:Eu=39.6/43.7/16.7，基於該結果稱量各焚光體並混合，使得，獲得螢光體混合物。3)發光特性的評價與實施例87同樣地，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫為4193K,可知具有目標的色溫度。進而，測定該發光的色度為x=0.374,y=0.378。從獲得的發光光譜求得亮度，以實施例90的亮度為100,本實施例的螢光體混合物的亮度為95。在圖23中用細虛線示出了獲得的發光光譜。該發光光譜和實施例87—樣，在波長420nm750nm的範圍具有不間斷的連續的光譜，在波長420nm680nm的範圍具有3個發光峰。4)演色性的評《介基於JISZ8726，進行該焚光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為70,特殊演色評價數R9為-53,R15為54。(比4交例8)在比較例8中，作為對應於實施例91的比較例，利用使用了已知的綠色螢光體、二種紅色螢光體、和藍色螢光體的方法製造用波長405nm下發光焚光體混合物，並評價該焚光體混合物^i發光特性、演色性r'1)螢光體的準備準備市售品ZnS:Cu,Al作為綠色螢光體。採用實施例85說明的方法製備CaAlSiN3:Eu作為紅色焚光體。並且採用實施例89說明的方法製備第二紅色焚光體CaAl2Si4N8:Eu。準備市售的BAM:Eu作為藍色螢光體。2)螢光體混合物的製備通過與實施例87同樣的模擬，求得波長405nm的激發光中的焚光體混合物的發光光語的相關色溫度為4200K時的相對混合比為BAM:Eu/ZnS:Cu,Al/CaAl2Si4N8:Eu/CaAlSiN3:Eu=52.0/29.5/9.2/9.3,基於該結果稱量各螢光體並混合，獲得螢光體混合物。3)發光特性的評價和實施例87—樣，測定該螢光體混合物的發光的相關色溫度為4167K，可知具有目標的色溫度。另外，測定該發光的色度為x=0.374,y=0.373。從獲得的發光光譜求得亮度，以實施例90的亮度為100,本實施例的焚光體混合物的亮度為102。在圖23中用細雙點劃線示出了獲得的發光光譜。4)演色性的評《介基於JISZ8726,進行該螢光體混合物的發光中的演色性的評價。平均演色評價數Ra為96,特殊演色評價數R9為92,R15為97。是實施例1的螢光體粉末的SEM照片。是示出用波長460nm的單色光照射實施例1~3和比較例1、2的螢光體時的發光光譜的圖。是示出用波長405nm的單色光照射實施例13和比較例1、2的萸光體時的發光光譜的圖。是示出實施例1和2的螢光體的激發光譜的圖。是示出實施例3的螢光體的激發光語的圖。是示出實施例4~13的螢光體中活化劑Z(Ce)的濃度和發光強度的關係的圖。是示出實施例1423的螢光體中活化劑Z(Eu)的濃度和發光強度的關係的圖。是示出實施例2432的螢光體中Al/Sr比和發光強度的關係的圖。[圖9]是示出實施例3342的螢光體中Si/Sr比和發光強度的關係的圖。[圖IO]是示出實施例4350的螢光體中Sr摩爾比和發光強度的關係的圖。是示出實施例5160的螢光體中氧濃度和發光強度的關係的圖。[圖12]是實施例61的焚光體的發光光譜。[圖13]是實施例61的螢光體的激發光譜。是示出用波長460nm的光激發實施例6166的螢光體時的發光強度的溫度特性測定結果的圖。是示出用波長405nm的光激發實施例61~66的焚光體時的發光強度的溫度特性測定結果的圖。是實施例6166的螢光體的X射線衍射圖案。是示出實施例6772的螢光體的發光強度的溫度特性測定結果的圖。是示出實施例7375的螢光體的發光強度的溫度特性測定結果的圖。是示出實施例7679的螢光體的發光強度的溫度特性測定結果的圖。是示出實施例76~79的螢光體的發光強度和氧濃度的關係的圖。是示出實施例80~82的螢光體的發光強度的溫度特性測定結果的圖。是示出實施例8082的螢光體的發光強度和氧濃度的關係的圖。是實施例83的白色LED照明的發光光譜。是實施例8486的白色LED照明的發光光譜。是實施例8789和比較例46的焚光體混合物中相關色溫為6500K時的發光光譜圖案。是實施例90、91和比較例7、8的螢光體混合物中相關色溫為4200K時的發光光譜圖案。是實施例92的螢光體混合物中相關色溫為6500K時的發光元件的光譜圖案。是示出現有的黃色螢光體YAG:Ce的激發光譜的圖。[圖26]是實施例的炮彈型LED的剖面圖。[圖27]是實施例的反射型LED的剖面圖。符號說明1.螢光體混合物2.LED發光元件3.引線才匡4.樹脂5.杯狀容器8.反射面9.透明模壓材料權利要求1.一種螢光體，由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是價數為II價的1種以上的元素，A元素是價數為III價的1種以上的元素，B元素是價數為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1種以上的活化劑)，其中，4.0＜(a+b)/m＜7.0，a/m≥0.5，b/a＞2.5，n＞o，n＝2/3m+a+4/3b-2/3o，用波長為300nm～500nm範圍的光激發時，發光光譜中的峰值波長為500nm～650nm的範圍。2.權利要求l所述的螢光體，其中，0.5^a/m^2.0,3.0<b/m<7.0,(Ko/m芸4.0。3.權利要求1或2所述的螢光體，其中，0.8^a/m〇1.5,3.0<b/m<6.0,0<o/m〇3.0。4.權利要求1~3中任一項所述的螢光體，其中，l.l<a/m^l.5，3.5^b/m^4.5，0o,o^0)。26.權利要求25所述的螢光體混合物，其中，在上述波長590nm680nm的範圍內具有發光光譜的最大峰的紅色螢光體是具有m-a-b:1，n=3的組成式的CaAlSiN3:Eu。27.權利要求2126中任一項所述的螢光體混合物，其中，在上述波長420nm500nm範圍內具有發光光譜的最大峰的藍色焚光體是選自BAM:Eu(BaMgAl!。Ow:Eu)、(Sr,Ca,Ba,Mg;h。(P04)6Cl2:Eu中的1種以上的炎光體。28.權利要求2127中任一項所述的螢光體混合物，其中，上述焚光體混合物由平均粒徑(D50)為1.0jim50(im以下的螢光體構成。29.—種焚光體片，其中，該螢光體片是在樹脂或玻璃中分散了權利要求1~14中任一項所述的焚光體或權利要求2128中任一項所述的焚光體混合物而製得的。30.—種發光裝置，包括權利要求114中任一項所述的螢光體和發出第一波長的光的發光部，並且以上述第一波長的光的一部分或全部作為激發光，由上述螢光體發出與上述第一波長不同波長的光。31.—種發光裝置，包括權利要求2128中任一項所述的螢光體混合物和發出第一波長的光的發光部，並且以上述第一波長的光的一部分或全部作為激發光，由上述螢光體發出與上述第一波長不同波長的光。32.—種發光裝置，包括權利要求29所述的螢光體片和發出第一波長的光的發光部，並且以上述第一波長的光的一部分或全部作為激發光，由上述螢光體發出與上述第一波長不同波長的光。33.權利要求3(K32中任一項所述的發光裝置，其中，第一波長是350nm500nm的波長。34.權利要求3033中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的相關色溫度在10000K2000K的範圍。35.權利要求3034中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的相關色溫度在7000K2500K的範圍。36.權利要求30-35中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的平均演色評價數Ra為80以上。37.權利要求3036中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的特殊演色評價數R15為80以上。38.權利要求3037中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光裝置的特殊演色評價數R9為60以上。39.權利要求30~38中任一項所述的發光裝置，其中，上述發光部是發光二極體(LED)。全文摘要本發明提供一種螢光體，其在綠色～黃色範圍具有發光光譜的寬峰，並具有可以使用近紫外/紫外光到藍色光的寬範圍的光作為激發光的寬且平坦的激髮帶，並且發光效率和亮度優異。所述螢光體由通式MmAaBbOoNn:Z表示(M元素是價數為II價的1種以上的元素，A元素是價數為III價的1種以上的元素，B元素是價數為IV價的1種以上的元素，O是氧，N是氮，Z是1種以上的活化劑)，其中，4.0＜(a+b)/m＜7.0，a/m≥0.5，b/a＞2.5，n＞o，n＝2/3m+a+4/3b-2/3o，用波長為300nm～500nm範圍的光激發時，發光光譜中的峰值波長為500nm～650nm範圍，由此可以解決上述課題。文檔編號H01L33/50GK101133137SQ20068000716公開日2008年2月27日申請日期2006年3月3日優先權日2005年3月4日發明者坂根堅之,永富晶申請人:同和電子科技有限公司