從一基底移除殘餘物的方法

2023-11-11 14:45:37 3

專利名稱：從一基底移除殘餘物的方法
技術領域：
本發明是有關於製造用於半導體基底的裝置的一方法。且特別是有關於從一半導體基底移除殘餘物的一方法。
背景技術：
一般而言，微電子裝置，例如集成電路通常被製造於一半導體基底上，其中許多金屬層被互相連接以在該裝置中達成電子信號的傳遞。一公知微電子裝置製程包括一等離子體蝕刻製程。在等離子體蝕刻(plasma etch)製程中，包含有一金屬(例如鉭(Ta)、鈦(Ti)等等)的一或多膜層，或是一含金屬化合物(例如氮化鉭(TaN)、氮化鈦(TiN)等等)，將會部分或完全被移除，以形成該集成電路的一特徵(例如內連接線路(interconnect line)或接觸介層(contactvia)。
通常，等離子體蝕刻製程中會使用氣體化學物質，當該化學物質與例如被蝕刻層或蝕刻罩幕的材質反應時，一般會產生非揮發性副產物(non-volatileby-product)。此副產物會積聚在基底上而形成一殘餘物。因此，此殘餘物通常被稱為″蝕刻後殘餘物(post-etch residue)」。蝕刻後殘餘物會影響該基底後續的製程，例如，該殘餘物會汙染該基底上的膜層，或是影響後續膜層的形成。含金屬殘餘物亦會引起電路的短路而中斷或減緩該集成電路的運作。
公知用以移除殘餘物的方法，通常包括該基底的多重溼式處理(multiplewet treatment)，通過使用一含氧化學物質進行一中間體等離子體剝離製程(intermediate plasma strip process)。多重溼式處理以及中間體等離子體剝離製程(亦即，蝕刻與剝離製程)，會降低微電子裝置製程的生產力(productivity)。此外，含氧等離子體剝離製程也會在基底上形成難以移除的金屬氧化物。
因此，在製造微電子裝置時，用以從一基底移除殘餘物的一改良方法是有必要的。

發明內容
本發明是有關於一種從一基底移除殘餘物的方法。
該殘餘物通過將該基底暴露於一含氫等離子體中被移除。在該基底被暴露於該含氫等離子體之後，該基底也可以選擇性地被浸泡於含氟化氫的一水溶液中。此外，該殘餘物中，例如至少含有一金屬(例如鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉿(Hf)等等)。
為讓本發明的上述和其它目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為依據本發明方法的一實施例，所繪示之用以移除殘餘物的一流程圖；圖2A到2D為依據圖1的方法的一實施例所繪示之，移除具有的一膜堆的一基底上的殘餘物的剖面示意流程圖；圖3為依據本發明的一實施例所繪示的等離子體處理設備的一示意圖；以及圖4為依據本發明的一實施例所繪示的使用圖3的設備的一製程參數表。標號說明100程序 101、102、104、106、108、110步驟200晶圓、基底202膜堆204蝕刻罩幕 205抗反射層210阻障層208含金屬層206絕緣層222未保護區域224淺溝槽216、230殘餘物212側壁 228遺蹟300ASP反應器 302製程腔體306遠程等離子體 308控制器310第一部分312第二部分304基底臺座316側壁314真空泵 318蓋子
320蓮蓬頭322氣體混合空間324反應空間 360接地參考端326晶圓 328氣體填充燈330內建電阻加熱器332、366導管334氣體源316底部336排氣端338節流閥340支持系統 346微波能量源344氣體面板 342遠程等離子體腔體348微波產生器350調整配件352塗抹器362微波等離子體368入口端370開口356可讀取媒體354中央處理器400製程參數表402製程參數404製程參數的範圍406製程參數的值具體實施方式
本發明是有關於，在製造微電子裝置時，用以從一基底(例如，矽晶圓(silicon wafer)、砷化鎵(GaAs)晶圓等等)移除殘餘物的一方法。在本發明的一實施例中，本發明方法可用以移除的蝕刻後殘餘物至少含有一金屬(例如鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉿(Hf)等等)，或者是上述該些金屬的化合物。
圖1繪示依據本發明方法的一實施例的用以移除殘餘物的一流程圖。請參照圖1，其中程序(sequence)100包括用以處理具有至少一金屬層的一膜堆(film stack)的一製程。
圖2A到2D繪示依據本發明方法的一實施例的程序100中，移除具有的一膜堆的一基底上的殘餘物的剖面示意流程圖。圖2A到2D中的剖面圖是有關於用以處理該膜堆的各個的製程步驟。圖2A到2D並不是以實際比例繪示，而只是簡化的示意圖。
程序100，是從步驟101開始。接著，在步驟102中，在一晶圓200(例如圖2A所示的矽晶圓)上形成一膜堆202與蝕刻罩幕204。在本發明的一實施例中，膜堆202包括一阻障層(barrier layer)210、一含金屬層(metal-containinglayer)208，以及一絕緣層(insulating layer)206。
阻障層210與絕緣層206通常由一介電材料所形成，該介電材料包括，例如氮化矽(silicon nitride，Si3N4)、二氧化矽(silicon dioxide，SiO2)、二氧化鉿(hafnium dioxide，HfO2)等等，其厚度大約為30nm到60nm。含金屬層208中包括，例如氮化鉭(tantalum nitride，TaN)、鉭(tantalum，Ta)、鈦(titanium，Ti)、鎢(tungsten，W)等等，或者是該些材質的化合物，而其厚度大約為60nm到100nm。
膜堆202中的膜層，可以通過任何公知的薄膜沉積製程所形成，例如原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)、化學氣相沉積(chemical vapordeposition，CVD)、等離子體輔助化學氣相沉積(plasma enhanced CVD，PECVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)等等。微電子裝置的製造可以通過使用不同的製程機臺(processing reactor)，例如CENTURA、ENDURA，以及其它例如應用材料公司(Applied Materials，Inc.of Santa Clara，California)的半導體晶圓製造系統等來形成。
請參照圖2A，蝕刻罩幕204被形成於絕緣層206之上。當膜堆202的鄰接區域(adjacent region)222被曝光(expose)時，蝕刻罩幕204是用於保護膜堆202的一區域220。通常，蝕刻罩幕204包括一光阻(photoresist)罩幕(mask)，可以通過公知的一微影(lithographic)圖案化製程(patterning process)所製造。在本發明的一實施例中，一光阻層透過一圖案化罩幕被曝光、接著被顯影(develop)，而未被曝光的光阻則被移除。光阻罩幕204一般的厚度大約為200nm到600nm。
此外，蝕刻罩幕202可以是，例如一硬罩幕(hard mask)。該硬罩幕可以是，例如由二氧化矽(SiO2)、應用材料公司(Applied Materials，Inc.of Santa Clara，California)的先進圖案化薄膜(Advanced Patterning FilmTM，APF)，或是二氧化鉿(HfO2)所形成。
蝕刻罩幕204還可包括，例如以虛線繪示的一抗反射層205(可以選擇性地配置或不配置)，而可以在光阻曝光時，控制光線的反射。當製程尺寸縮小時，在微影製程中的蝕刻罩幕圖案轉換製程時，因為本身光學性質的限制，例如光的反射(reflection)等，會產生一不準確度(inaccuracy)。抗反射層205包括，例如，氮氧化矽(silicon oxi-nitride)、聚醯胺(polyamide)等等。
有關蝕刻罩幕204的製程，可參考例如，於2002年9月16日申請的美國專利申請案號(U.S.patent application serial number)10/245,130，其專利代理人案號(Attorney docket number)為7524。以及，於2002年6月8日申請的美國專利申請案號09/590,322，其專利代理人案號為4227。在此一併列入參考。
請參照圖2B，在步驟104中，通過等離子體蝕刻移除絕緣層206與含金屬層208的未保護區域(unprotected region)222。絕緣層206與含金屬層208，可以通過使用含氯(chlorine-based)氣體混合物，或是含氟(fluorine-based)氣體混合物被蝕刻。含氯氣體混合物包括，例如氯氣(chlorine，Cl2)、氯化硼(BCl3)以及鈍氣稀釋的氣體(inert diluent gas)，包括氬氣(argon，Ar)、氦氣(helium，He)、氖氣(neon，Ne)等等至少其中之一，以及少量的含碳(carbon-containing)氣體，例如四氟化碳(carbon tetrafluoride，CF4)等等。此外，含氟氣體混合物包括，例如四氟化碳(carbon tetrafluoride，CF4)、三氟化氫(CHF3)，或六氟化硫(SF6)以及一鈍氣稀釋的氣體，包括氬氣(argon，Ar)、氦氣(helium，He)、氖氣(neon，Ne)等等至少其中之一。
在本發明的一實施例中，步驟104使用罩幕204作為一蝕刻罩幕，以及使用阻障層210作為一蝕刻終止層(etch stop layer)。特別是，在蝕刻含金屬層208時，蝕刻反應器的蝕刻終點(endpoint)偵測系統可以在一特定的波長監測等離子體發射(plasma emission)，以決定蝕刻製程的終點。公知上，如圖2所示，蝕刻製程會在阻障層210中形成一淺溝槽(shallow recess)224時終止。淺溝槽224的深度(depth)226大約小於等於15nm，例如，公知上大約是5nm到7.5nm之間。此淺溝槽224會促進含金屬層208(例如氮化鉭(TaN)在區域222中從阻障層210的移除。
步驟104可以在一蝕刻反應器中被實施，此蝕刻反應器包括，例如應用材料公司(Applied Materials，Inc.of Santa Clara，California)的CENTURA系統的一退耦等離子體源(Decoupled Plasma Source，DPS)反應器。退耦等離子體源反應器使用大約50KHz到13.56MHz的一射頻(radio-frequency，RF)電源，以產生一高密度(high density)感應耦接(inductively coupled)等離子體。
在步驟104中，從絕緣層206與含金屬層208移除之一部份的材料，會與蝕刻劑(etchant)氣體混合物(gas mixture)的成分(例如，含氯或含氟氣體等等)結合，或是與蝕刻罩幕204的成分(例如聚合物成分(polymeric component)等等)，而形成非揮發性化合物(non-volatile compound)。此非揮發性化合物會被再沉積(re-deposite)在基底200上而形成一殘餘物216(亦即，蝕刻後殘餘物(post-etch residue))。在蝕刻製程後，蝕刻後殘餘物216也可以在蝕刻罩幕204上、膜堆202之側壁(sidewall)212上，或是基底200的其它地方被發現。
在步驟104中，當一含金屬層(例如，層208)被蝕刻時，蝕刻後殘餘物216也包括了該金屬的原子(atom)(例如鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)等等)與/或該金屬的化合物(例如，金屬氯化物(metal chloride)、金屬氟化物(metal fluoride)、金屬氧化物(metal oxide)、金屬氮化物(metal nitride)等等)，在蝕刻製程中被形成。在本發明的一實施例中，此金屬化合物包括，例如氯化鉭(TaxCly)(此處x與y為整數)、氟化鉭(TaxFy)(此處x與y為整數)，以及氧化鉭(TaxOy)(此處x與y為整數)等。一般而言，含金屬蝕刻後殘餘物，比起其它類型的殘餘物，更難從基底上被移除。在基底200的後續製程中，殘餘物216也變成一汙染物(contaminant)。
請參照圖2C，在步驟106中，蝕刻罩幕204(例如光阻罩幕)與蝕刻後殘餘物216，從膜堆202與基底200被移除(或是被剝離)。在本發明的一實施例中，罩幕204與蝕刻後殘餘物216通過使用一含氫等離子體被移除。含氫等離子體包括，例如一或多個含氫氣體，包括氫(H2)、水蒸氣(H2O)等。含氫等離子體包括，例如一遠程等離子體(remote plasma)(亦即，在製程腔體的反應空間(reaction volume)外所激發(excite)的一等離子體)，包括例如在大約1GHz到10GHz之間被激發的一微波等離子體(microwave plasma)，或者是在大約0.05MHz到1000MHz之間被激發的一射頻(RF)等離子體。
步驟106可以在，例如CENTURA系統的一先進剝離與保護(AdvancedStrip and Passivation，ASP)反應器中被實施。先進剝離與保護(ASP)反應器(在圖3中有詳細的敘述)是為一下遊的(downstream)等離子體反應器，其中一微波等離子體被限制成只含有反應性電中性物質(reactive neutral)，以被提供到製程腔體的反應空間(reaction volume)。此等離子體限制減少了基底或形成於基底的電路的等離子體相關(plasma-related)的損害。此外，步驟106也可以在應用材料公司(Applied Materials，Inc.of Santa Clara，Califomia)的一DPS反應器或一AXIOM反應器中被實施。AXIOMS反應器也是一遠程等離子體反應器，並且在申請於2002黏10月4號的美國專利申請案號10/264,664中有詳細的敘述，其代理人案號為6094，在此一併列入參考。
通過使用CENTURA系統，在步驟104完成之後，基底200可以在真空(vacuum)下，從DPS反應器被傳送到，ASP、AXIOM或另一DPS反應器中，以進行步驟106。因此，在該製程環境(manufacturing environment)中，基底可以避免在非真空下會形成的汙染物。
在本發明之一實施例中，蝕刻罩幕204與蝕刻後殘餘物216，在ASP反應器中可以通過以下製程參數被移除。其中提供氫(H2)的一流率(flow rate)大約在1000sccm到5000sccm之間，水蒸氣(H2O)的一流率大約為50sccm或以下(亦即，一H2∶H2O的流量比的範圍包括，大約是100％的H2到20∶1之間)。並可以施加大約2.45GHz的1000W到2000W的一微波能量，並且可以維持晶圓N的溫度在大約100℃到300℃之間。並且該製程腔體的一壓力大約是介於1Torr與4Torr之間。步驟106的時間通常可以維持大約40秒到200秒之間。在本發明的另一實施例中，氫(H2)的一流率(flow rate)大約為3000sccm，水蒸氣(H2O)的一流率大約為30sccm(亦即，H2∶H2O的流量比的大約是100∶1)，一微波能量大約為1400W，晶圓的溫度大約維持在250℃，並且腔體氣壓大約為2Torr。
在步驟106中，蝕刻罩幕204與蝕刻後殘餘物216被剝離(strip)並且被揮發(volatilize)。然而，在步驟106之後，蝕刻後殘餘物216與蝕刻罩幕204的遺蹟(trace)228還可能遺留在膜堆202與基底200上。此外，在本發明的另一實施例中，步驟106的等離子體剝離製程也會產生殘餘物230的一薄膜(如圖2C所繪示)。
如圖2D所示，在步驟108中，殘餘物216或是230，會從膜堆202或是基底200的其它處被移除。在本發明的一實施例中，殘餘物216或230，可通過將基底200浸泡(dip)於含氟化氫(HF)的一水溶液中被移除。在本發明的一實施例中，該水溶液包括，例如含氟化氫的體積百分比為0.5％到12％之間的一水溶液。該含氟化氫的水溶液還可以包括，例如含硝酸(HNO3)的體積百分比為0.5％到15％之間的一水溶液，或者是含氯化氫(HCl)的體積百分比為0.5％到15％之間的一水溶液。在基底被浸泡於含氟化氫之水溶液之後，公知上該基底可以被去離子水衝洗(rinse)以移除任何有關氟化氫的遺蹟。在浸泡時，該含氟化氫水溶液可以被維持在大約10℃到30℃的一溫度範圍內。該溼式浸泡處理時間通常在1分鐘到10分鐘之間。在本發明的一實施例中，也可以使用含氟化氫的體積百分比為1％的一水溶液，維持在大約20℃的溫度下(亦即室溫(room temperature)下)大約5分鐘。
在步驟110中，程序100結束了。
在用以從基底移除殘餘物的本發明方法中，只有一溼式處理(wet treatment)步驟(例如，步驟108)，並且此溼式處理步驟，是在基底從製程環境為真空中被移出後所實施。其結果是，與公知殘餘物移除製程相較之下，程序100可以將製程的產出(throughput)提高大約四倍以上(通過在相同的單位時間中處理多數個晶圓)。
圖3繪示依據本發明的一實施例的應用材料公司(Applied Materials，Inc.of Santa Clara，California)的先進剝離與保護(Advanced Strip and Passivation，ASP)反應器300的一示意圖，可以被用以實施本發明。ASP反應器300包括一製程腔體302、一遠程等離子體源(remote plasma source)306，以及一控制器308。
製程腔體302通常為一真空腔體(vessel)，其中包括一第一部分310以及一第二部分312。在本發明的一實施例中，第一部分310包括一基底臺座(pedestal)304、一側壁(sidewall)316以及一真空泵314。第二部分312包括一蓋子(lid)318以及一氣體分配板(gas distribution plate)(例如一蓮蓬頭(showerhead))320，用以決定一氣體混合空間(mixing volume)322以及一反應空間(reaction volume)324。蓋子318與側壁316通常可以由一金屬(例如，鋁(aluminum，Al)或是不鏽鋼(stainless steel)等等)所構成，並且被電性連接到一接地參考端360。
基底臺座304用以在反應空間324中支撐一基底(例如晶圓)326。在本發明的一實施例中，基底臺座304包括，例如一輻射熱源(source of radiant heat)(例如氣體填充燈(gas-filled lamps)328)，以及一內建電阻加熱器(embeddedresistive heater)330與一導管(conduit)332。導管332，在晶圓326被基底臺座304支撐的表面，透過一溝槽(groove)(未繪示)從一氣體源334提供一氣體(例如，氦氣)到晶圓326的背面(backside)。該氣體可以促進介於晶圓326與基底臺座304之間熱交換(heat change)。因此，晶圓326的溫度可以被控制於，例如20℃到400℃之間。
真空泵314也提供形成於製程腔體302的底部316的一排氣端(exhaustport)336。真空泵314被用以維持製程腔體302在一預定的氣體壓力下，以及從該腔體抽出處理後氣體(post-processing gas)與揮發性化合物。在本發明的一實施例中，真空泵314包括，例如一節流閥(throttle valve)338用以控制製程腔體302中的氣體壓力。
製程腔體302也包括，例如用於夾持(retain)與釋放(release)晶圓326、用於偵測製程終點，以及用於內部診斷(internal diagnostic)等的公知系統。該些系統已經被整合於圖3繪示的支持系統(support system)340中。
遠程等離子體源306包括，例如一微波能量源346、一氣體面板(gaspanel)344，以及一遠程等離子體腔體342。微波能量源346包括，例如一微波產生器348、一調整配件(tuning assembly)350，以及一塗抹器(applicator)352。微波產生器348通常可以產生大約200W到3000W、頻率為大約0.8GHz到3GHz的微波。塗抹器352被連接到遠程等離子體腔體342，以將提供給遠程等離子體腔體342的一製程氣體(或是氣體混合物)賦予能量而變成一微波等離子體362。
氣體面板344使用一導管(conduit)366來傳送製程氣體到遠程等離子體腔體342。氣體面板344(或是導管366)包括以下裝置(未繪示)，例如質量流(mass flow)控制器(controller)與關閉閥(shut-off valve)，以控制每個提供到腔體342的用於蝕刻的氣體的氣體壓力與流率(flow rate)。在微波等離子體362中，製程氣體被游離(ionize)並解離(dissociate)以形成反應物種(reactive species)。
該反應物種透過蓋子318上的一入口端(inlet port)368被導入混合空間322。為了減少等離子體對晶圓326上形成的裝置的損害，在氣體透過蓮蓬頭(showerhead)320上的多數個開口(opening)370到達反應空間324之前，製程氣體364的離子物種(ionic species)會在混合空間322中被實質地電中和(neutralized)。
為了增進上述的製程腔體300的控制，控制器308可以包括，例如任意公知上可用於工業模塊(industrial setting)以控制多數個腔體與子處理器(sub-processor)的計算機。其中中央處理器(CPU)354的內存(memory)或是計算機的可讀取媒體(readable medium)356，可以包括，例如一或多個可讀取(readilyavailable)內存例如隨機存取內存(random access memory，RAM)、只讀存儲器(read only memory，ROM)、軟盤(floppy disk)、硬碟(hard disk)，或是任何其它數字儲存形式(digital storage form)，並且可以配置於本地(local)或是遠程。該支持電路(support circuit)358被連接到中央處理器(CPU)354，用以支持上述公知方法中的處理器(processor)。支持電路包括，例如快速緩衝貯存區(cache)、電源供應器(power supply)、時脈電路(clock circuit)、輸入/輸出電路以及子系統(sub-system)等。本發明方法通常可以，例如以一軟體程序(software routine)儲存在，例如內存356中。軟體程序也可以藉由一第二中央處理器(CPU)(未繪示)被儲存與/或被執行，而第二中央處理器(CPU)可以是一遠程系統，並且在由中央處理器(CPU)所控制的硬體之外。
圖4為一製程參數表400，列示使用ASP反應器的等離子體剝離製程的製程參數。第402行為用於本發明的實施例的製程參數，第404行為該些製程參數的範圍，而第406行為依據本發明的一實施例的用於等離子體剝離製程的製程參數之值。應當注意的是，使用不同的等離子體反應器時會有不同的製程參數值與範圍。
本發明可以在其它半導體系統中被實施，其中該些製程參數可以被熟悉此技藝者調整以獲得最佳的結果，然而，應當注意，這些程序亦在本發明的專利實施範圍內。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種從一基底移除殘餘物的方法，其特徵在於，包括提供在一表面上具有一金屬殘餘物的一基底；以及將該基底暴露於一含氫等離子體中，以揮發該金屬殘餘物。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，該金屬殘餘物包括一含金屬殘餘物與一聚合殘餘物至少其中之一。
3.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，該含金屬殘餘物中所含的一金屬包括鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉿(Hf)至少其中之一。
4.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，該含氫等離子體包括氫(H2)與水蒸氣(H2O)至少其中之一。
5.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，該含氫等離子體的氫(H2)與水蒸氣(H2O)的一流量比，包括H2∶H2O為20∶1到100％的H2之一範圍內。
6.如權利要求1所述的方法，將該基底暴露於一含氫等離子體中的步驟，其特徵在於，包括提供氫(H2)與水蒸氣(H2O)的一流量比，包括H2∶H2O為20∶1到100％的H2的一範圍內；將該基底保持在100℃到300℃的一溫度範圍，以及1Torr到4Torr之間的一製程腔體氣壓下；施加1000W到2000W、2.45GHz的微波能量，以形成該含氫等離子體；以及將該基底暴露於該含氫等離子體中40到200秒。
7.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，在將該基底暴露於一含氫等離子體中的步驟之後，還包括將該基底浸泡於含氟化氫的一水溶液中。
8.如權利要求7所述的方法，其特徵在於，該水溶液包括含氟化氫的體積百分比為0.5％到12％之間的一水溶液。
9.如權利要求8所述的方法，其特徵在於，該水溶液還包括含硝酸(HNO3)的體積百分比為0.5％到15％之間的一水溶液。
10.如權利要求8所述的方法，其特徵在於，該水溶液還包括含氯化氫(HCl)的體積百分比為0.5％到15％之間的一水溶液。
11.如權利要求7所述的方法，其特徵在於，該基底被浸泡於該水溶液中1到10分鐘。
12.如權利要求7所述的方法，其特徵在於，將該基底浸泡於含氟化氫的該水溶液的步驟，包括將該基底浸泡於含氟化氫的體積百分比為0.5％到12％之間的一離子水溶液中，在10℃到30℃的一溫度範圍內，維持0.5到5分鐘。
13.一種從一基底移除金屬殘餘物的方法，其特徵在於，包括提供在一表面上具有一金屬殘餘物的一基底；以及將該基底暴露於一含氫等離子體中，以揮發該金屬殘餘物；以及將該基底浸泡於含氟化氫的一水溶液中。
14.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，該金屬殘餘物，包括一含金屬殘餘物與一聚合殘餘物至少其中之一。
15.如權利要求14所述的方法，其特徵在於，該含金屬殘餘物中所含的一金屬包括鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉿(Hf)至少其中之一。
16.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，該含氫等離子體包括氫(H2)與水蒸氣(H2O)至少其中之一。
17.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，該含氫等離子體的氫(H2)與水蒸氣(H2O)的一流量比，包括H2∶H2O為20∶1到100％的H2的一範圍內。
18.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，該水溶液包括含氟化氫的體積百分比為0.5％到12％之間的一水溶液。
19，如權利要求18所述的方法，其特徵在於，該水溶液更包括含硝酸(HNO3)的體積百分比為0.5％到15％之間的一水溶液。
20.如權利要求18所述的方法，其特徵在於，該水溶液還包括含氯化氫(HCl)的體積百分比為0.5％到15％之間的一水溶液。
21.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，該基底被浸泡於該水溶液中1到10分鐘。
22.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，將該基底暴露於一含氫等離子體中的步驟，包括提供氫(H2)與水蒸氣(H2O)的一流量比，包括H2∶H2O為20∶1到100％的H2的一範圍內；將該基底保持在100℃到300℃的一溫度範圍，以及1Torr到4Torr之間的一製程腔體氣壓下；施加1000W到2000W、2.45GHz的微波能量，以形成該含氫等離子體；以及將該基底暴露於該含氫等離子體中40到200秒。
23.如權利要求13所述的方法，其特徵在於，將該基底浸泡於含氟化氫的該水溶液的步驟，包括將該基底浸泡於含氟化氫的體積百分比為0.5％到12％之間的一離子水溶液中，在10℃到30℃的一溫度範圍內，維持0.5到5分鐘。
全文摘要
本發明公開了一種從一基底移除殘餘物的方法。該殘餘物通過將該基底暴露於一含氫等離子體中被移除。在該基底被暴露於該含氫等離子體之後，該基底也可以選擇性地被浸泡於含氟化氫的一水溶液中。
文檔編號H01L21/311GK1574203SQ200410045769
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月26日 優先權日2003年5月27日
發明者瑞穎, 顏春, 丁國文, 艾瑞兒斯·蘇珊 申請人:應用材料有限公司