一種盲孔加工方法
2023-12-03 15:18:01 6
一種盲孔加工方法
【專利摘要】本發明公開了一種盲孔加工方法，包括：採用控深鑽工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鑽深度為b，其中，a大於3OZ，a減去b小於1OZ；採用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔；採用雷射鑽工藝將所述盲孔下方的介質層去除。本發明技術方案由於先採用控深鑽工藝加工盲孔至一定深度，再採用蝕刻工藝繼續加工；可以防止因控深鑽精度差在介質層厚度小於4mil的情況下對銅箔層的傷害，並減輕側蝕的影響，很容易加工出小孔徑的合格盲孔。
【專利說明】一種盲孔加工方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電路板【技術領域】，具體涉及一種盲孔加工方法。
【背景技術】
[0002]盲孔加工技術是電路板發展的關鍵技術之一。通常使用的盲孔加工技術包括蝕亥IJ、機械鑽和雷射鑽等。但是，對於銅箔厚度大於30Z且介質厚度小於4mil的厚銅電路板，現有技術很難加工出合格的盲孔。
[0003]採用控深鑽工藝時，如果銅厚大於30Z，則控深鑽的精度就無法有效控制，在介質厚度小於4mil時，容易傷害到盲孔下層的銅箔。。採用雷射鑽工藝時，厚度大於30Z的銅箔很難被鑽穿。採用蝕刻工藝時，如果銅厚大於30Z，則側蝕的問題會很嚴重，無法加工孔徑較小，例如小於8密耳(mil)的盲孔。
【發明內容】
[0004]本發明實施例提供一種盲孔加工方法，以解決現有技術對於厚銅電路板很難加工出合格盲孔的技術問題。
[0005]一種盲孔加工方法,包括:
[0006]採用控深鑽工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鑽深度為b，其中，a大於30Z，a減去b小於IOZ ；
[0007]採用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔；
[0008]採用雷射鑽工藝將所述盲孔下方的介質層去除。
[0009]本發明實施例技術方案先採用控深鑽工藝加工盲孔至一定深度，再採用蝕刻工藝繼續加工，可以減少如介質厚度太薄時控深鑽精度不足對銅箔層造成的傷害，並減輕側蝕的影響，很容易加工出小孔徑的合格盲孔。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是本發明實施例提供的盲孔加工方法的流程圖；
[0011]圖2至圖7是本發明實施例方法加工過程中各個步驟的電路板的示意圖。
【具體實施方式】
[0012]本發明實施例提供一種盲孔加工方法，可以解決現有技術對於厚銅電路板很難加工出合格盲孔的技術問題。以下進行詳細說明。
[0013]實施例一、
[0014]請參考圖1，本發明實施例提供一種盲孔加工方法，包括:
[0015]101、採用控深鑽工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鑽深度為b，其中，a大於30Z，a減去b小於10Z。
[0016]所說的電路板可以包括多層子板，其外層銅箔的厚度a大於30Z。本實施例中，盲孔加工過程分幾個階段進行。首先，採用控深鑽工藝在外層銅箔上鑽設盲孔，但不鑽穿該外層銅箔。假設控深鑽的深度為b，則應使a減去b小於10Z，即，外層銅箔留下小於IOZ —層不被鑽穿。
[0017]102、採用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔。
[0018]本步驟中，採用外用蝕刻工藝去除盲孔底部未被鑽穿的外層銅箔，使盲孔貫穿外層銅箔，具體步驟包括:先採用幹膜保護所述外層銅箔上除所述盲孔以外的區域；再採用蝕刻工藝將所述盲孔蝕刻加深，直到貫穿所述外層銅箔；然後去除所述幹膜。本步驟中，由於蝕刻深度小於10Z，側蝕的影響被降低到很小，不會對盲孔孔徑造成大的不良影響。
[0019]103、採用雷射鑽工藝將所述盲孔下方的介質層去除。
[0020]本步驟中，採用雷射鑽工藝沿著盲孔繼續加工盲孔下方的介質層，將外層銅箔和次外層銅箔之間的介質層燒蝕去除。該介質層的厚度優選為小於4mil。雷射鑽過程中，部分介質層會被去除，但也可能有部分介質層會碳化，形成碳化物遺留在盲孔中。於是，需要清除盲孔內因雷射鑽工藝產生的碳化物。具體應用中，可以採用高錳酸鉀藥水清除所述碳化物。然後，還可以採用清水等對盲孔做進一步清洗。
[0021]至此，貫穿外層銅箔和緊鄰外層銅箔的介質層的盲孔已經加工完畢。後續，可以繼續採用常規工藝進行電路板加工，例如，沉銅電路，圖形轉移，阻焊加工等。
[0022]綜上，本發明實施例提供了一種盲孔加工方法，該方法先採用控深鑽工藝加工盲孔至一定深度，再採用蝕刻工藝繼續加工，使盲孔貫穿厚度大於30Z的外層銅箔，可以減少控深鑽深度過大、精度不足時對銅箔層造成的傷害，並減輕側蝕的影響，很容易加工出孔徑較小，例如小於8密耳(miI)的合格盲孔。
[0023]實施例二、
[0024]下面，結合加工過程中各個步驟的電路板的示意圖，對本發明實施例方法做進一步詳細的說明，包括以下步驟:
[0025]下料和層壓:如圖2所示，根據產品需要，提供若干依次間隔排列的介質層和銅箔層壓合到一起，最外側的兩面都是銅箔層，且外層銅箔201的厚度大於30Z ；
[0026]鑽孔:如圖3所示，在壓合後的電路板上鑽設出需要的通孔202 ；
[0027]控深鑽:如圖4所示，採用控深鑽工藝鑽穿部分層銅箔201，形成具有一定深度的盲孔203，此步驟中，盲孔203的加工深度小於外層銅箔201的厚度，盲孔203底部距離外層銅箔201的底部不超過IOZ ；
[0028]外層圖形:如圖5所不,在銅箔201表面設置幹膜204,但露出盲孔203,以保護盲孔203以外的區域；
[0029]外層蝕刻:如圖6所示，蝕刻所述盲孔203，將盲孔203底部的外層銅箔201蝕刻掉，使盲孔203加深至貫穿外層銅箔201，然後去除幹膜204 ；
[0030]雷射鑽:如圖7所示，採用雷射鑽工藝加工盲孔203底部，將下方的介質層205燒除掉或碳化，這裡所說的介質層205是外層銅箔201和次外層銅箔之間的介質層；
[0031]去鑽汙:將盲孔203內雷射鑽燒過形成的碳化物用高猛酸價藥水去除乾淨；
[0032]內層清洗:採用清水等清洗盲孔203內殘留的汙物；
[0033]其它流程:例如沉銅電路，圖形轉移，阻焊加工等。
[0034]採用上述流程加工盲孔，可以減輕側蝕的影響，加工出孔徑小於8密耳(mil)的合格盲孔。
[0035]本發明實施例方法特別適用於銅箔較厚而介質較薄，例如銅箔厚度超過30Z，介質厚度小於4mil的電路板。
[0036]以上對本發明實施例所提供的盲孔加工方法進行了詳細介紹，但以上實施例的說明只是用於幫助理解本發明的方法及其核心思想，不應理解為對本發明的限制。本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種盲孔加工方法，其特徵在於，包括: 採用控深鑽工藝在電路板的外層銅箔上加工盲孔，所述外層銅箔的厚度為a，控深鑽深度為b，其中，a大於30Z，a減去b小於IOZ ; 採用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔，使所述盲孔貫穿所述外層銅箔； 採用雷射鑽工藝將所述盲孔下方的介質層去除。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，還包括: 清除所述盲孔內因雷射鑽工藝產生的碳化物。
3.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述的清除所述盲孔內因雷射鑽工藝產生的碳化物包括: 採用高錳酸鉀藥水清除所述碳化物。
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述的採用蝕刻工藝繼續加工所述盲孔包括: 採用幹膜保護所述外層銅箔上除所述盲孔以外的區域； 採用蝕刻工藝將所述盲孔蝕刻加深，直到貫穿所述外層銅箔； 然後去除所述幹膜。
5.根據權利要求1至4中任一所述的方法，其特徵在於: 所述盲孔的孔徑不大於8mil。
6.根據權利要求1至4中任一所述的方法，其特徵在於: 所述盲孔下方的介質層的厚度小於4mil。
【文檔編號】H05K3/40GK103813653SQ201210447393
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月9日 優先權日:2012年11月9日
【發明者】劉寶林, 郭長峰, 崔榮 申請人:深南電路有限公司