使用預製金屬柱的金屬柱接合的製作方法
2023-10-09 19:05:34 3
使用預製金屬柱的金屬柱接合的製作方法
【專利摘要】本發明提供了一種方法，包括形成多個金屬柱。通過位於多個金屬柱中的相鄰金屬柱之間的薄弱部分互連多個金屬柱以形成金屬柱列。薄弱部分包括與多個金屬柱相同的金屬。多個金屬柱中的每一個的大部分都與多個金屬柱中與其相鄰的金屬柱分離。用金屬鍍多個金屬柱中的每一個的端部。將多個金屬柱設置在金屬柱保存器內。該方法還包括：從金屬柱保存器中取出一個金屬柱，並且將該金屬柱接合至金屬焊盤上。本發明還提供了一種包括金屬柱列的器件以及一種用於接合金屬柱的裝置。
【專利說明】使用預製金屬柱的金屬柱接合
[0001]本申請要求於2013年3月15日提交的標題為「Metal Post Bonding UsingPre-Fabricated Metal Posts」的第61/798，553號美國臨時申請的優先權，其全部內容結合於此作為參考。
【技術領域】
[0002]本發明總體涉及半導體，更具體地，涉及包括金屬柱列的器件、形成金屬柱列的方法以及用於接合金屬柱的裝置。
【背景技術】
[0003]在集成電路的接合中，焊料區、銅支柱等用於將器件管芯接合至封裝襯底。然而，管芯和封裝襯底會發生翹曲。另外，封裝工藝經常涉及對封裝件進行加熱的熱工藝。由於封裝件包括具有不同熱膨脹係數(CTE)的不同材料，所以應力被施加在接合後的封裝件上。例如，封裝襯底通常比器件管芯具有更大的CTE。這導致應力被施加至焊料區。由於應力還通過焊料區傳遞至器件管芯，因此導致器件管芯中的介電質分層。
[0004]解決這個問題的一種方法是將金屬柱用作器件管芯和封裝襯底的互連件。金屬柱比通常的焊料區和金屬支柱(metal pillar)長，因此可以吸收應力。通過將金屬引線接合在器件管芯和封裝襯底中的一個上，並且之後切割金屬引線來形成金屬柱。因此，金屬引線中剩餘的並且連接至接合球的部分是金屬柱。然而，該工藝具有非常低的生產量。另外，很難控制金屬引線長度的一致性。
【發明內容】
[0005]根據本發明的一個方面，提供了一種器件，其包括金屬柱列。其中，金屬柱列包括:多個金屬柱，多個金屬柱具有經過配置的尺寸以接合至集成電路器件；以及互連部分，將多個金屬柱連接為金屬柱列。
[0006]優選地,互連部分包括與多個金屬柱相同的金屬，並且多個金屬柱的每一個的大部分都與多個金屬柱中與其相鄰的金屬柱分離。
[0007]優選地，互連部分連續地連接至多個金屬柱，在互連部分和多個金屬柱之間沒有形成界面。
[0008]優選地，多個金屬柱的每一個都包括:內部；以及金屬材料，與內部的材料不同，金屬材料在多個金屬柱的每一個金屬柱的第一端處覆蓋內部。
[0009]優選地，多個金屬柱的每一個還包括:與第一端相對的第二端，並且內部在第二端處未被金屬材料覆蓋。
[0010]優選地,多個金屬柱包括直形金屬柱。
[0011]優選地，多個金屬柱包括彎曲金屬柱。
[0012]根據本發明的另一方面，提供了一種方法，包括:形成多個金屬柱，通過位於多個金屬柱的相鄰金屬柱之間的薄弱部分互連多個金屬柱以形成金屬柱列，薄弱部分包括與多個金屬柱相同的金屬，並且多個金屬柱的每一個的大部分都與多個金屬柱中與其相鄰的金屬柱分離；以及用金屬鍍多個金屬柱的每一個的端部。
[0013]優選地，形成多個金屬柱的步驟包括:在金屬薄膜的相對側上形成圖案化的光刻膠；以及蝕刻金屬薄膜，以形成多個金屬柱。
[0014]優選地，形成多個金屬柱的步驟包括:供給金屬膜使其穿過包括齒部的兩個滾軸之間，金屬薄膜通過滾軸模壓，以形成多個金屬柱。
[0015]優選地，在穿過兩個滾軸之間之後，由金屬膜同時形成多列金屬柱。
[0016]優選地，該方法還包括:用鎳層以及位於鎳層上方的金層來鍍多個金屬柱的每一個的端部。
[0017]優選地，該方法還包括:將多個金屬柱設置在金屬柱保存器中；從金屬柱保存器中取出多個金屬柱中的一個金屬柱；將多個金屬柱中的一個金屬柱接合至金屬焊盤；以及對多個金屬柱中剩餘的金屬柱重複取出和接合的步驟。
[0018]優選地，取出多個金屬柱中的一個金屬柱的步驟包括:使用劈刀的切割刃以從金屬柱列中切割出多個金屬柱的一個金屬柱；將多個金屬柱的一個金屬柱推向劈刀中的槽的端部；以及使多個金屬柱的一個金屬柱夾緊在槽的端部。
[0019]根據本發明的又一方面，提供了一種裝置，包括:金屬柱保存器，被配置為存儲互連以形成列的多個金屬柱；以及劈刀。其中，劈刀被配置為:取出多個金屬柱中的最前面的一個金屬柱；並且將多個金屬柱中的最前面的一個金屬柱接合在金屬焊盤上。
[0020]優選地，金屬柱保存器還包括供給機構，其被配置為向前推動金屬柱列。
[0021]優選地，劈刀包括被配置為從金屬柱列中切割出多個金屬柱中的最前面的一個金屬柱的切割刃，並且該裝置還包括夾具，該夾具被配置為:將多個金屬柱中的一個金屬柱推向劈刀中的槽的端部；以及使多個金屬柱的一個金屬柱夾緊在槽的端部。
[0022]優選地，多個金屬柱中的每一個都是直形金屬柱，並且金屬柱保存器和槽具有被配置為適合多個金屬柱的直形的內部空間。
[0023]優選地，多個金屬柱的每一個都是彎曲金屬柱，並且金屬柱保存器和槽具有被配置為適合多個金屬柱的彎曲的內部空間。
[0024]優選地，劈刀被配置為通過超聲波接合來接合多個金屬柱中的最前面的一個金屬柱。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]為了更完整地理解實施例及其優勢，現在結合附圖來參考以下描述，其中:
[0026]圖1和圖2是根據一些示例性實施例的金屬柱的透視圖；
[0027]圖3A至圖4C示出了根據一些示例性實施例的用於形成金屬柱的示例性形成工藝；
[0028]圖5和圖6示出了根據一些示例性實施例的從金屬柱保存器中取出直形金屬柱；
[0029]圖7示出了根據一些示例性實施例的從金屬柱保存器中取出彎曲金屬柱；
[0030]圖8示出了根據一些示例性實施例的將金屬柱接合在金屬焊盤上；以及
[0031]圖9示出了根據一些示例性實施例的多劈刀(mult1-capillary)接合。
【具體實施方式】
[0032]以下詳細論述了本發明的實施例的製造和使用。然而，應當理解，本發明提供了許多可以在各種具體環境中實現的可應用的創造性構思。所論述的特定實施例僅是示意性的，並且不限制本發明的範圍。
[0033]根據各個示例性實施例提供了金屬柱製造工藝以及將預製的金屬柱接合在封裝部件上的方法。示出了形成金屬柱以及接合金屬柱的中間階段。論述實施例的變形。在通篇的各個視圖和說明性實施例中，相似的參考數字用於代表相似的元件。
[0034]圖1示出多個金屬柱20的透視圖。根據一些實施例，金屬柱20包括銅。在可選實施例中，金屬柱20包括鋁、鎢、錫等。金屬柱20可以用於形成集成電路的封裝件中的接合引線，並且可以用於將諸如器件管芯、中介層、封裝襯底、印刷電路板(PCB)的兩個封裝部件接合在一起。可選地，金屬柱20用作探測集成電路的探針。因此，根據金屬柱20的用途確定它們的長度和寬度。在一些實施例中，金屬柱20的長度L在約60 μ m至約500 μ m的範圍內，而金屬柱20的寬度W在約15 μ m至100 μ m的範圍內。在示出的示例性實施例中，金屬柱20形成列120。
[0035]每一個金屬柱20的大部分都與相鄰的金屬柱20分離，並且可以與其物理分離。在一些實施例中，小的薄弱部分22保留在相鄰的金屬柱20之間，並且將金屬柱20互連為列120。因而，部分22用作金屬柱20的互連部分。在一些實施例中，如圖1所示，兩個相鄰金屬柱20通過一個薄弱部分22互連。在可選實施例中，兩個相鄰的金屬柱20通過兩個或更多的薄弱部分22互連。薄弱部分22可以比每一個金屬柱20的主要部分都要更薄，從而更弱，因此可以如期望的那樣將其破壞而不會破壞金屬柱20。
[0036]在一些實施例中，金屬柱20的端部20』可以鍍有改進金屬柱20的抗氧化性和粘合性的金屬材料。根據一些實施例，例如，在每一個金屬柱20的端部都鍍上鎳層24。此外，可以在鎳層24上鍍上金層26。在一些實施例中，金層26覆蓋同一金屬柱20中的鎳層24的一部分而不是全部。可以使用化學鍍來鍍鎳層24和金層26。可選地，可以實施化學鎳金(ENIG)、化學鍍鎳化學鍍鈀(ENEP)、化學鍍鎳鈀浸金(ENEPIG)、浸錫(ImSn)、浸銀(ImAg)、浸金(ImAu)等來鍍金屬柱20的端部20』。在一些實施例中，鍍每一個金屬柱20的一端，而不鍍另一端。但是，在可選實施例中，兩端都可被鍍。在其他實施例中，兩端都沒有被鍍。在可選實施例中，金屬柱20鍍有毯式表面保護層，毯式表面保護層可以具有與所論述的材料和結構相同的材料和結構。雖然未詳細示出，但是位於相鄰金屬柱20上的鎳層24和金層26可以相互分離。
[0037]圖2根據可選實施例示出了金屬柱20。除了使金屬柱20彎曲以形成微彈簧之外，這些實施例類似於圖1中的實施例。例如，金屬柱20可以具有如圖2中所示的N形(具有之字形圖案)。因為當彎曲金屬柱處於應力之下時，其形狀可以很容易地改變，所以彎曲金屬柱20適於吸收應力。
[0038]圖3A至圖4C示出用於形成金屬柱20的示例性工藝。圖3A和圖3B分別示出了根據一些實施例的形成金屬柱20時的頂視圖和截面圖。參考圖3A，提供金屬膜30。金屬膜30包括與金屬柱20的基材相同的材料，並且可以包括銅、鋁、鎢、錫或它們的合金。光刻膠32形成在金屬膜30的相對兩側並且被圖案化。如圖3B所示，位於金屬膜30相對兩側的光刻膠32的圖案可以彼此重疊，圖3B是由圖3A中的平面截線3B-3B獲得的截面圖。在一些實施例中，如圖3A所不,光刻膠32包括在第一方向(圖3A中的Y方向)上縱向延伸的多個帶部32A，多個帶部32A之間通過間隔相互分離。此外，光刻膠32還包括在X方向延伸的帶部32B，其中，光刻膠部分32B互連光刻膠部分32A。帶部32A用於使金屬柱20的主要部分彼此分離。在隨後的工藝中，帶部32B用於形成薄弱部分22 (圖1)。
[0039]然後，將金屬膜30和位於金屬膜上的光刻膠32浸入蝕刻溶液中(未不出)以蝕刻金屬膜30。因此，形成如圖1所示的金屬柱20。在蝕刻金屬膜30的過程中，由於蝕刻是各向同性的，所以金屬柱20的截面圖的形狀可以具有圓化倒角。由於如圖3A中的光刻膠部分32B的保護，形成薄弱部分22 (圖2)。通過適當地調整帶部32B (圖3A)的尺寸，由於各向同性蝕刻，金屬膜30中被帶部32B覆蓋的部分被部分蝕刻，但是並沒有完全被去除。在從蝕刻溶液中取出金屬膜30和光刻膠32之後，去除光刻膠32。在隨後的步驟中，在金屬柱20上形成層24和層26 (圖1)。在將要形成彎曲金屬柱20 (圖2)的實施例中，實施機械彎曲工藝，以使金屬柱20彎曲為期望的形狀。
[0040]圖4A、圖4B和圖4C示出了根據可選實施例的金屬柱20在形成過程中的截面圖和俯視圖。如截面圖4A所示，首先，金屬膜30在線軸34上捲動。儘管圖4A中未示出，但是金屬膜30可以是長形金屬帶。兩個滾軸36彼此相對放置，而金屬薄膜30穿過它們之間。滾軸36如所不方向39旋轉,從而模壓金屬膜30。經過模壓後的金屬膜30被拉向線軸40,並且在線軸40上捲動。箭頭38代表將力施加在滾軸36上以模壓金屬膜30。在用滾軸36豐旲壓之後，金屬I旲30形成金屬柱20，而金屬柱20也在圖1中不意性地不出。還如圖1中所示，雖然金屬柱20的大部分彼此分離，但是金屬柱20仍然通過薄弱部分22連接，以形成長金屬柱列120 (圖4C)。由互連金屬柱20形成的列120在捲軸40上捲動。
[0041]圖4B示出圖4A中所示的系統的一部分的放大圖。根據一些實施例，滾軸36具有齒部42，根據得到的金屬柱20的期望形狀來設計齒部42的形狀。相對的兩個滾軸36的齒部42的一些部位之間可以具有小間隙(未示出)，形成薄弱部分22 (圖1)。相對的兩個滾軸36的齒部42的其他一些部位相互接觸，因此相鄰金屬柱20中的大部分相互分離。
[0042]圖4C示出圖4A中所示系統的頂視圖。如圖4A所示，在金屬膜30經過滾軸36之後，同時形成金屬柱20的多個列120，其中，同時形成的列120的總數可以在數十至數千的範圍內。從而，高效地形成金屬柱20。
[0043]在又一些實施例中，可以使用諸如電鑄技術的其他方法來形成金屬柱20。
[0044]如圖1和圖4C所示，可以將金屬柱列120設置在金屬柱保存器中以方便取出。只要可以保存多個金屬柱20，並且可容易地將其有效取出，那麼金屬柱保存器可以具有不同的設計。在一些示例性的實施例中，金屬柱20保存在金屬柱盒中。例如，圖5和圖6示出了將金屬柱20存儲在金屬柱盒44中並且逐個取出金屬柱20的示例性實施例。參考圖5，將金屬柱列120放置在金屬柱盒44中，而金屬柱盒44的尺寸和形狀被設計成適合於金屬柱列120和金屬柱20的尺寸和形狀。金屬柱盒44可以包括供給機構45，當拿出最前面的金屬柱20時,供給機構45用於推動金屬柱列120向前。例如,供給機構45可以包括彈簧。金屬柱盒44的前端44』是開口端，從而從前端44』中取出金屬柱20。
[0045]在可選實施例中，例如，金屬柱20不是被放置在直形金屬柱盒中，而是可捲動的，例如，類似於圖4A在線軸40上的捲動，並且成卷的金屬柱20可以被放置在適於相應卷的形狀的盒中。而且，相應的盒具有開口端，從而可取出金屬柱20。
[0046]如圖5中所不,在不例性取出工藝中，劈刀46用於取出金屬柱20。劈刀46包括切害I]刃48，當劈刀46移靠在金屬柱列120上時，切割刃48足夠鋒利以切穿薄弱部分22 (圖1)。因此，在金屬柱列120中最前面的金屬柱20與金屬柱列120分離。劈刀46包括槽50，槽50的寬度基本等於,並且稍微大於金屬柱20的寬度。根據一些實施例,在取出最前面的金屬柱20時,劈刀46可以對最前面的金屬柱20施加力，以向前拉動金屬列120 (朝著圖5中向右的方向)。此外，供給機構45還提供推力。因此，列120中的第二金屬柱20移動至最前面的金屬柱20之前所在的位置，並且在取出在前的金屬柱20之後，變為最前面的金屬柱。如圖5和圖6所示，在被切開之後，金屬柱20被夾具52推動到槽50中。接下來，如圖6中所示，夾具52將金屬柱20推向槽50的端部，並且使金屬柱20夾緊在劈刀46中。然後，可以將劈刀46從盒44移開。
[0047]如圖8所示，在被固定之後，金屬柱20的端部20』暴露在劈刀(capillary) 46的底部之外。然後，劈刀46可以將金屬柱20接合至金屬焊盤54，其中，在接合工藝期間，使用超聲波振動來幫助接合。金屬焊盤54可以是圖9中所示的封裝部件56和58的部分。在一些實施例中，由於金屬柱20的端部20』鍍有可以易於與金屬焊盤54形成接合的金屬，因此，所得到的接合具有很好的質量。此外，因為從金屬引線切割下來的引線的傳統引線端部沒有通過鍍層進行改進，所以接合的質量可以優於通過直接使用來自線軸的金屬引線的傳統接合而形成的接合。在使劈刀46中的金屬柱20接合後，劈刀46移回至盒44 (圖5)，以取出下一個金屬柱20，並且可以執行附加的接合。
[0048]圖7示出了根據一些實施例的彎曲金屬柱20 (還參考圖2)的存儲和取出。除了盒44和劈刀46中的槽50的內部空間的形狀和尺寸被設計成適合彎曲金屬柱20的形狀和尺寸之外，這些實施例與圖5和圖6中的實施例基本相同。例如，在圖7的實施例中，盒44和槽50的內部空間被設計成N形(參考圖2)。彎曲金屬柱20的接合與圖8所示的接合基本相同。
[0049]參考圖8，示出了示例性封裝組件58，並且金屬柱20接合至封裝部件58上。封裝部件58可以是圖9中示意性示出的封裝部件56的一部分。在一些實施例中，封裝部件56(圖9)是其中包括多個晶片58的晶圓，晶片58可以包括包含電晶體的有源電路。在可選實施例中，封裝部件56是其中包括多個中介層晶片58的中介層晶圓，中介層晶片58可以不包括有源電路。在又一個可選實施例中，封裝部件56是其中包括多個封裝襯底58的封裝襯底帶，封裝襯底58可以是層壓襯底或積層襯底。在又一個可選實施例中，封裝部件56是探針卡，在其上接合金屬柱20，以用作探針。
[0050]圖8示出了根據一些實施例的作為晶片的示例性封裝部件58的截面圖。封裝部件58包括半導體襯底202，半導體襯底202可以是塊狀矽襯底或絕緣體上矽襯底。可選地，半導體襯底202可以包括包含III族、IV族和/或V族元素的其他半導體材料。集成電路204形成在半導體襯底202的表面202A處。集成電路204中可以包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。在可選實施例中，襯底202是中介層管芯、封裝襯底等。在封裝部件58是中介層管芯的實施例中，封裝部件58不包括諸如電晶體的有源器件。在一些實施例中，封裝部件58可以包括諸如電阻器和電容器的無源器件或者不包括無源器件。
[0051]在封裝部件58是器件管芯的實施例中，封裝部件58還可以包括位於半導體襯底202上方的層間介電層(ILD)205，以及位於ILD205上方的互連結構210。接觸插塞203形成在ILD205中，並且電連接至集成電路204。互連結構210包括介電層230、以及在介電層230中形成的金屬線206和通孔208。在一些實施例中，介電層230由低k介電材料形成。例如，低k介電材料的介電常數(k值)可以小於約2.8或小於約2.5。金屬線206和通孔208可以由銅、銅合金或其他含金屬的導電材料形成。可以使用單鑲嵌和/或雙鑲嵌工藝形成金屬線206和通孔208。
[0052]金屬焊盤54形成在互連結構210上方，並且可以通過金屬線206和通孔208電連接至電路204。示出的虛線212代表包括金屬線和通孔的電連接。金屬焊盤54可以是鋁焊盤或鋁銅焊盤。例如，金屬焊盤54可以包括在約1%和約100%之間的鋁(在這種情況下，金屬焊盤54是鋁焊盤)，以及少於約1%的銅。在一些實施例中，金屬焊盤54包括銅、鋁、鎳、鈀、金、銀等。金屬焊盤54還可以具有化學鎳金(ENIG)、化學鍍鎳化學鍍鈀(ENEP)、化學鍍鎳鈀浸金(ENEPIG)、浸錫(ImSn)、浸銀(ImAg)、浸金(ImAu)等的結構。通過這樣的結構，金屬焊盤54很好的接合至金屬柱20。
[0053]圖9示出使用多劈刀將金屬柱接合在封裝部件56上。如圖9所示，可以使用多個劈刀46，將金屬柱20同時接合至封裝部件56上。每一個劈刀46都可以帶有金屬柱保存器44，以供應金屬柱20，儘管多個劈刀46可以共用一個金屬柱保存器44。因此，可以實施同時接合，從而提高接合工藝的生產量。
[0054]在本發明的實施例中，使用高生產量工藝預製金屬柱。由於鍍層的形成，提高了金屬柱的可接合性。另外，在接合金屬柱時，接合方不需要實施在傳統工藝中使用的任何耗時的切割動作(諸如，使用電火花)。作為比較，在傳統的金屬形成工藝中，通過將金屬引線接合至金屬焊盤上，然後，切割金屬引線(例如，使用電火花)來形成金屬柱。因此，在本發明的實施例中，不需要用於形成電火花的裝置，並且接合裝置遠小於傳統劈刀。這使得多個劈刀能夠同時對同一封裝部件動作。因此，提高了接合工藝的生產量。另外，由於金屬柱是預製的，所以金屬柱的長度和形狀是統一的。
[0055]根據一些實施例,一種方法包括:從金屬柱保存器中取出金屬柱中的一個，並且將該金屬柱接合至金屬焊盤上，其中，金屬柱是預製的。
[0056]根據其他實施例，一種方法包括形成多個金屬柱。多個金屬柱通過多個金屬柱中的相鄰金屬柱之間的薄弱部分而互連以形成金屬柱列。薄弱部分包括與多個金屬柱相同的金屬。多個金屬柱中的每個的大部分都與多個金屬柱中與其相鄰的金屬柱分離。多個金屬柱中的每一個的端部都鍍有金屬。
[0057]根據又一些其他實施例，一種裝置包括:金屬柱保存器，被配置為保存互連以形成列的多個金屬柱；以及劈刀。劈刀被配置為取出多個金屬柱中的最前面的金屬柱，並且將多個金屬柱中最前面的金屬柱接合至金屬焊盤上。
[0058]雖然詳細描述了實施例及其優勢，但是應該理解，在不脫離由所附權利要求限定的實施例的精神和範圍的情況下，可以對本發明作出多種改變、替換和修改。此外，本申請的範圍不旨在限於說明書中描述的工藝、機器裝置、製造和物質組成、工具、方法和步驟的具體又實施例。本領域普通技術人員從本發明可以容易地理解，根據本發明可以利用現有的或今後將開發的、與本發明描述的相應實施例執行基本相同的功能或者實現基本相同的結果的工藝、機器裝置、製造、物質組成、工具、方法或步驟。因此，所附權利要求旨在將這樣的工藝、機器裝置、物質組成、工具、手段、方法或步驟包括在它們的範圍內。另外，每一個權利要求都構成獨立的實施例，並且多個權利要求和實施例的組合包括在本發明的範圍內。
【權利要求】
1.一種器件，包括: 金屬柱列，包括: 多個金屬柱，所述多個金屬柱具有經過配置的尺寸以接合至集成電路器件；以及 互連部分，將所述多個金屬柱連接為所述金屬柱列。
2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述互連部分包括與所述多個金屬柱相同的金屬，並且所述多個金屬柱的每一個的大部分都與所述多個金屬柱中與其相鄰的金屬柱分離。
3.根據權利要求2所述的器件，其中，所述互連部分連續地連接至所述多個金屬柱，在所述互連部分和所述多個金屬柱之間沒有形成界面。
4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述多個金屬柱的每一個都包括: 內部；以及 金屬材料，與所述內部的材料不同，所述金屬材料在所述多個金屬柱的每一個金屬柱的第一端處覆蓋所述內部。
5.一種方法，包括: 形成多個金屬柱，通過位於所述多個金屬柱的相鄰金屬柱之間的薄弱部分互連所述多個金屬柱以形成金屬柱列，所述薄弱部分包括與所述多個金屬柱相同的金屬，所述多個金屬柱的每一個的大部分都與所述多個金屬柱中與其相鄰的金屬柱分離；以及用金屬鍍所述多個金屬柱的每一個的端部。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，形成所述多個金屬柱的步驟包括: 在金屬薄膜的相對側上形成圖案化的光刻膠；以及 蝕刻所述金屬薄膜，以形成所述多個金屬柱。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，形成所述多個金屬柱的步驟包括:供給金屬膜使其穿過包括齒部的兩個滾軸之間，所述金屬薄膜通過所述滾軸模壓，以形成所述多個金屬柱。
8.一種裝置，包括: 金屬柱保存器，被配置為存儲互連以形成列的多個金屬柱；以及 劈刀，被配置為: 取出所述多個金屬柱中的最前面的一個金屬柱；並且 將所述多個金屬柱中的所述最前面的一個金屬柱接合在金屬焊盤上。
9.根據權利要求8所述的裝置，其中，所述金屬柱保存器還包括:供給機構，被配置為向前推動金屬柱列。
10.根據權利要求8所述的裝置，其中，所述劈刀包括:切割刃，被配置為從金屬柱列中切割出所述多個金屬柱中的所述最前面的一個金屬柱，並且所述裝置還包括夾具，所述夾具被配置為: 將所述多個金屬柱中的一個金屬柱推向所述劈刀中的槽的端部；以及 使所述多個金屬柱的所述一個金屬柱夾緊在所述槽的所述端部。
【文檔編號】H01L23/488GK104051387SQ201310479255
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年10月14日 優先權日:2013年3月15日
【發明者】蕭義理, 楊素純, 董志航, 史達元, 餘振華 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司