發光二極體、發光二極體發光效率和強度的調製方法
2023-10-11 12:47:09 3
發光二極體、發光二極體發光效率和強度的調製方法
【專利摘要】本發明提供一種發光二極體發光效率和強度的調製方法，通過在N型區和/或P型區的材料具有壓電性的發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變,形變引起的壓電場對發光二極體的發光效率和強度進行調製。相應的，本發明還提供一種發光二極體。本發明通過在PN結髮光二極體中引入合適的應力，對發光二極體能帶進行調製，增加二極體中用於電光轉換的電流，同時在PN結附近引入能帶彎曲。彎曲形成的電子和空穴勢阱可以將載流子吸引並束縛到PN結附近，局域的電子和空穴濃度的增加和束縛會使電子和空穴複合效率增加，從而增加發光二極體的內量子效率。
【專利說明】發光二極體、發光二極體發光效率和強度的調製方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體器件領域，特別涉及一種發光二極體和發光二極體發光效率和強度的調製方法。
【背景技術】
[0002]半導體發光二極體在化學、生物、醫學和軍事領域具有廣泛的應用，內部光量子效率和光取出效率是影響發光二極體效率的兩項重要因素。發光二極體的內量子效率反應了注入電子轉換為光子的效率。光取出效率反應了發光光子從發光二極體發射出去的效率。外量子效率是實際發射出的光子與注入電子的比值，由內量子效率和光取出效率共同決定。發光二極體的發光強度是注入電子數目、外量子效率和單個光子能量的乘積。由於全內反射效應引起光取出效率低，基於簡單PN結型的半導體薄膜發光二極體的內量子效率雖然可達到80%，但外量子效率只有3%左右。基於納米線或納米棒與薄膜形成的複合結構的發光二極體可以避免全內反射效應從而顯著提高光取出效率。然而已有報導中基於微納米線的紫外發光二極體的發光效率只有?2%，甚至低於薄膜型的紫外發光二極體。可能由於微納米線結構中較多的表面和晶體缺陷使基於微納米線的發光二極體的內量子效率降低所致。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是提供一種發光二極體發光效率和強度的調製方法，克服現有技術中發光二極體內量子效率和光取出效率低的問題。
[0004]為實現上述目的，本發明提供一種發光二極體發光效率和強度的調製方法，所述發光二極體的N型區和/或P型區的材料具有壓電性，在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變，所述形變引起的壓電場對發光二極體的發光效率和強度進行調製。
[0005]優選地，所述發光二極體由半導體薄膜和半導體薄膜上的壓電微納米線組成，所述壓電微納米線基本垂直於所述半導體薄膜，所述在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變步驟具體為，在所述壓電微納米線的頂端施加應力，使所述微納米線發生形變。
[0006]優選地，所述發光二極體由半導體薄膜和壓電微納米線組成，所述壓電微納米線平行於所述半導體薄膜並且部分固定在所述半導體薄膜上，所述在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變步驟具體為，
[0007]在所述壓電微納米線的兩端施加彎折力，使發光二極體發生形變；
[0008]或者，
[0009]在所述壓電微納米線上施加基本垂直與所述半導體薄膜的應力，使發光二極體發生形變。
[0010]優選地，所述發光二極體由P型半導體薄膜和N型半導體薄膜層疊形成，所述在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變步驟具體為，在所述發光二極體的兩端施加壓應力，施加應力的方向與通過發光二極體PN結電流方向基本平行。
[0011]優選地，所述發光二極體由P-型半導體薄膜和n-型寬禁帶直接帶隙半導體微納米線組成。
[0012]相應地，本發明還提供一種發光二極體，所述發光二極體的N型區和/或P型區的材料具有壓電性；在所述發光二極體上施加應力時，發光二極體PN結區的能帶結構受到所述應力產生的壓電勢的調製。
[0013]優選地，所述發光二極體的結構為:
[0014]基底上的半導體薄膜；
[0015]所述半導體薄膜上的壓電微納米線和底電極，所述壓電微納米線基本垂直於所述半導體薄膜；所述半導體薄膜與壓電微納米線的摻雜類型相反；
[0016]所述壓電微納米線上的頂電極。
[0017]優選地，所述發光二極體的結構為:
[0018]基底上相隔設置的半導體薄膜和導電體；
[0019]所述半導體薄膜和導電體上的壓電微納米線，所述壓電微納米線平行於所述半導體薄膜並且部分固定在所述半導體薄膜上；所述半導體薄膜與壓電微納米線的摻雜類型相反；
[0020]所述壓電微納米線上的頂電極；所述半導體薄膜上的底電極。
[0021]優選地，所述發光二極體的結構為:
[0022]塑性基底上的相隔設置兩個導電體；
[0023]兩個所述導電體上的壓電微納米線，所述壓電微納米線橫跨在兩個所述導電體之間的溝槽上；
[0024]所述壓電微納米線上的半導體薄膜，所述半導體薄膜與壓電微納米線的摻雜類型相反；
[0025]所述壓電微納米線上的頂電極；所述半導體薄膜上的底電極。
[0026]優選地，所述半導體薄膜為P-型半導體，所述壓電微納米線為n_型寬禁帶直接帶隙半導體。
[0027]優選地，所述發光二極體的結構為:
[0028]基底上的第一半導體薄膜層；
[0029]所述第一半導體薄膜層上的第二半導體薄膜層和底電極，其中，所述第一半導體薄膜層和第二半導體薄膜層的摻雜類型相反；
[0030]所述第二半導體薄膜層上的頂電極。
[0031]與現有技術相比，本發明具有的有益效果是:
[0032]本發明提供的發光二極體發光效率和強度的調製方法，通過在N型區和/或P型區的材料具有壓電性的發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變，形變引起的壓電場對發光二極體的發光效率和強度進行調製。本發明通過在PN結髮光二極體中引入合適的應力，對發光二極體能帶進行調製，增加二極體中用於電光轉換的電流，同時在PN結附近引入能帶彎曲。彎曲形成的電子和空穴勢阱可以將載流子吸引並束縛到PN結附近，局域的電子和空穴濃度的增加和束縛會使電子和空穴複合效率增加，從而增加發光二極體的內量子效率。同時，通過使用半導體納米線可以減少全反射引起的光取出損耗，從而增加光取出效率。本發明在光電子、信息科學、環境和能源、生物醫學和材料科學等方面有廣泛的應用前景。
[0033]另外，採用可彎曲的塑性襯底的發光二極體，可以通過襯底的彎曲變形，調製發光二極體的發光強度和效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]通過附圖所示，本發明的上述及其它目的、特徵和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。並未刻意按實際尺寸等比例縮放繪製附圖，重點在於示出本發明的主旨。
[0035]圖1為本發明發光二極體的發光強度和效率的調製方法流程圖；
[0036]圖2為發光二極體的發光強度和效率的調製方法實施例一的示意圖；
[0037]圖3a和圖3b為發光二極體的發光強度和效率的調製方法實施例二的示意圖；
[0038]圖4為發光二極體的發光強度和效率的調製方法實施例三的示意圖；
[0039]圖5為本發明的發光二極體實施例四的結構示意圖；
[0040]圖6為本發明的發光二極體實施例五的結構示意圖；
[0041]圖7為本發明的發光二極體實施例六的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0042]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0043]其次，本發明結合示意圖進行詳細描述，在詳述本發明實施例時，為便於說明，所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發明保護的範圍。
[0044]為克服現有技術中發光二極體內量子效率和光取出效率低的問題，本發明提供一種發光二極體發光效率和強度的調製方法。該方法的技術方案為:在由壓電材料形成的發光二極體上施加應力，利用應力引起的壓電場對發光二極體的PN結區的能帶結構的改變來進行發光強度和效率的調製。本發明的發光二極體發光效率和強度的調製方法，適用於所述發光二極體的N型區和/或P型區的材料具有壓電性，具體流程參見圖1，包括步驟:在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變；所述形變引起的壓電場對發光二極體的發光效率和強度進行調製。
[0045]實施例一:
[0046]本實施例的發光二極體發光效率和強度的調製方法中，所述發光二極體由半導體薄膜和半導體薄膜上的壓電微納米線組成，參見圖2，半導體薄膜130和導電玻璃100相隔設置基底120上，導電玻璃100的厚度與半導體薄膜120基本相同，在半導體薄膜130和導電玻璃100形成一溝槽，壓電微納米線160平行於半導體薄膜並橫跨在所述溝槽上，即壓電微納米線160的一端固定在半導體薄膜130上，另一端固定在導電玻璃100上，壓電微納米線160與半導體薄膜110形成發光二極體。壓電微納米線160的固定在導電玻璃100上的一端的電極150和半導體薄膜上的電極140與電源180連接，驅動發光二極體發光。在壓電微納米線160上施加基本垂直基底120方向的應力170，使所述微納米線160發生形變(在圖中未示出)，所述形變在壓電微納米線160引起的壓電場對發光二極體的發光效率和強度進行調製。
[0047]半導體薄膜130和導電玻璃100形成一溝槽，所述溝槽的寬度可以為I u m-100 u m0
[0048]本實施例中，形成PN結的壓電微納米線160可以使用透明膠水或膠布將微納米線固定在導電玻璃100和半導體薄膜130上。所述的壓力170可以通過微納米移動臺產生，也可以是高精度壓電平移臺。
[0049]本實施例的方法可以適用在多種材料形成的PN結上，形成PN結的材料中，所述的半導體壓電微納米線的材料可以為ZnO、CdS、CdSe, GaN、GaSb, ZnSe, ZnS等I1-VI族和II1-V族材料，直徑約為0.1-5 u m。半導體薄膜可以為GaN、ZnO、CdS、CdSe和聚合物半導體等半導體材料。採用應力調製，通過應力使壓電材料發生形變而產生壓電勢，改變發光二極體PN結區的能帶結構，提高電子空穴複合效率，提高器件發光效率。
[0050]本實施例中的發光二極體由P-型半導體薄膜和n-型寬禁帶直接帶隙半導體微納米線組成。例如，P型GaN薄膜和N型ZnO微納米線形成發光二極體。
[0051]實施例二:
[0052]本實施例的發光二極體發光效率和強度的調製方法中，所述發光二極體由半導體薄膜和壓電微納米線組成，參見圖3a，在塑性材料襯底200上製備兩個金屬或透明導電薄膜230，並使兩個金屬或透明導電薄膜230之間形成溝槽，將具有壓電特性的半導體壓電微納米線210放在襯底上，壓電微納米線210平行於金屬或透明導電薄膜230並橫跨在所述溝槽上，即壓電微納米線230的兩端分別固定在金屬或透明導電薄膜230上，在半導體壓電微納米線210上設置聚合物半導體或無機半導體薄膜220和半導體微納米線210形成PN結，在兩個金屬或透明導電薄膜230上分別連上陽極電極240和陰極電極250，用透明膠水固定p-n結連接處，形成塑性發光二極體。在陽極電極240和陰極電極250之間連接電源驅動發光二極體發光。
[0053]兩個金屬或透明導電薄膜230之間形成溝槽的寬度可以為liim-100iim。
[0054]參見圖3b，在本實施例中的襯底200上施加彎折力，也就是在壓電微納米線210的兩端施加彎折力，使發光二極體發生形變。由於壓電材料發生形變而產生壓電勢，改變了發光二極體PN結區的能帶結構，因此，提高電子空穴複合效率，提高器件發光效率。
[0055]本實施例的方法可以適用在多種材料形成的PN結上，形成PN結的材料中，所述的半導體壓電微納米線的材料可以為ZnO、CdS、CdSe, GaN、GaSb, ZnSe, ZnS等I1-VI族和II1-V族材料，直徑約為0.1-5 u m。半導體薄膜可以為GaN、ZnO、CdS、CdSe和聚合物半導體等半導體材料。
[0056]本實施例中的發光二極體由P-型半導體薄膜和n-型寬禁帶直接帶隙半導體微納米線組成。例如，P型GaN薄膜和N型ZnO微納米線形成發光二極體。
[0057]實施例三:
[0058]本實施例的發光二極體發光效率和強度的調製方法中，所述發光二極體由半導體薄膜和半導體薄膜上的壓電微納米線組成，參見圖4，半導體薄膜310位於基底300上，壓電微納米線320基本垂直於所述半導體薄膜310，壓電微納米線320與半導體薄膜310形成發光二極體，半導體薄膜310上包括底電極330，壓電微納米線320上包括頂電極340。在發光二極體的底電極330和頂電極340之間連接電源驅動發光二極體發光；在壓電微納米線320的頂端施加沿著微納米線320的應力Fl，使所述微納米線發生形變(在圖中未示出)，所述形變在壓電微納米線320引起的壓電勢對發光二極體的發光效率和強度進行調製。
[0059]在本實施例中，在壓電微納米線320上施加壓力的方向不限於圖4中Fl所示的方向，可以有多種選擇，例如可以在於壓電微納米線320垂直的方向施加應力F2。
[0060]本實施例中的壓電微納米線可以為ZnO、CdS、CdSe、GaN、GaSb、ZnSe、ZnS等I1-VI族和II1-V族寬禁帶直接帶隙半導體材料，直徑約為0.1-5 Pm。所述的半導體薄膜的材料可以為GaN、ZnO、CdS、CdSe和聚合物半導體等半導體材料。
[0061]特別地，本實施例中的發光二極體由P-型半導體薄膜和n-型寬禁帶直接帶隙半導體微納米線組成。例如，P型GaN薄膜和N型ZnO微納米線形成發光二極體。
[0062]相應地，本發明還提供一種發光二極體，包括:基底；基底上的發光二極體，所述發光二極體的N型區和/或P型區的材料具有壓電性；在所述發光二極體上施加應力時，發光二極體PN結區的能帶結構受到所述應力產生的壓電勢的調製。所述發光二極體的N型區和/或P型區的材料可以為薄膜或者微納米線等材料。
[0063]下面結合附圖通過具體實施例詳細描述本發明的發光二極體。
[0064]實施例四:
[0065]本實施例中，提供一種發光二極體，所述二極體的發光強度和效率可以通過施加的應力加以調製。具體的，參見圖5，所述二極體包括:基底400上的第一半導體薄膜層410、所述第一半導體薄膜層410上的第二半導體薄膜層420和底電極430、所述第二半導體薄膜層420上的頂電極440，其中，所述第一半導體薄膜層410和第二半導體薄膜層420的摻雜類型相反。
[0066]本實施例中的第一半導體薄膜的材料可以為GaN、ZnO、CdS、CdSe和聚合物半導體等半導體材料，第二半導體薄膜可以為ZnO、CdS、CdSe、GaN、GaSb、ZnSe、ZnS等I1-VI族和II1-V族寬禁帶直接帶隙半導體材料。本實施例中的襯底400可以為矽、玻璃等襯底。
[0067]特別地，本實施例中的發光二極體由P-型半導體薄膜和n_型寬禁帶直接帶隙半導體薄膜組成。例如，P型GaN薄膜和N型ZnO薄膜形成本實施例的發光二極體。
[0068]本實施例的第一半導體薄膜和/或第二半導體薄膜的材料為壓電材料，當在第二半導體薄膜上施加應力F4時，應力引起壓電材料的形變而產生壓電勢，所述壓電勢對PN結區域的能帶結構進行調製，因此，應力可以調製本實施例所述發光二極體的發光強度和效率。
[0069]實施例五:
[0070]本實施例中，所述二極體的發光強度和效率可以通過施加的應力加以調製。具體的，參見圖6，所述發光二極體的結構為:基底500上相隔設置的半導體薄膜510和導電體520，半導體薄膜510和導電體520之間形成溝槽；所述半導體薄膜510和導電體520上的壓電微納米線，所述壓電微納米線540平行於所述半導體薄膜並且橫跨在所述溝槽上；所述半導體薄膜510與壓電微納米線540的摻雜類型相反；所述壓電微納米線上的頂電極540 ；所述半導體薄膜上的底電極550。
[0071]本實施例中的半導體薄膜510可以為GaN、ZnO、CdS、CdSe和聚合物半導體等半導體材料，壓電微納米線540可以為ZnO、CdS、CdSe、GaN、GaSb、ZnSe、ZnS等I1-VI族和II1-V族寬禁帶直接帶隙半導體材料。
[0072]特別地，本實施例中的發光二極體由P-型半導體薄膜和n-型寬禁帶直接帶隙壓電微納米線組成。例如，P型GaN薄膜和N型ZnO微納米線形成本實施例的發光二極體。
[0073]本實施例中的導電體可以為導電玻璃、金屬等導電材料，襯底400可以為矽、玻璃等襯底。本實施例的導體薄膜510和/或壓電微納米線540的材料為壓電材料，當在壓電微納米線540上施加應力F4時，應力引起壓電材料的形變而產生壓電勢，所述壓電勢對PN結區域的能帶結構進行調製，因此，應力可以調製本實施例所述發光二極體的發光強度和效率。
[0074]實施例六:
[0075]本實施例中，所述二極體襯底為塑性材料襯底，發光二極體的發光強度和效率可以通過彎折襯底產生的應力加以調製。具體的，參見圖7，所述發光二極體的結構為:塑性基底600上的相隔設置兩個導電體610和620 ;兩個所述導電體上的壓電微納米線630,所述壓電微納米線630橫跨在兩個所述導電體610和620之間形成的溝槽上；所述壓電微納米線上的半導體薄膜640，所述半導體薄膜640與壓電微納米線630的摻雜類型相反，形成PN結髮光二極體；所述壓電微納米線上的頂電極650 ;所述半導體薄膜上的底電極660。
[0076]本實施例中的半導體薄膜640可以為GaN、ZnO、CdS、CdSe和聚合物半導體等半導體材料，壓電微納米線630可以為ZnO、CdS、CdSe、GaN、GaSb、ZnSe、ZnS等I1-VI族和II1-V族寬禁帶直接帶隙半導體微納米線。
[0077]特別地，本實施例中的發光二極體由P-型半導體薄膜和n_型寬禁帶直接帶隙壓電微納米線組成。例如，P型GaN薄膜和N型ZnO微納米線形成本實施例的發光二極體。
[0078]本實施例中的導電體610和620可以為導電玻璃、金屬等導電材料,襯底600可以為有機物，例如塑料等可以彎曲變形的塑性襯底。本實施例的壓電微納米線630的材料為壓電材料，當在塑性襯底600上施加彎折力使襯底600發生彎曲時，位於導電體上的壓電微納米線630發生形變而產生壓電勢，所述壓電勢對PN結區域的能帶結構進行調製，因此，應力可以調製本實施例所述發光二極體的發光強度和效率。
[0079]實施例七:
[0080]本實施例中，所述發光二極體的發光強度和效率可以通過施加的應力加以調製。具體的，參見圖4，所述發光二極體的結構為:基底300上的半導體薄膜310 ;所述半導體薄膜310上的壓電微納米線320和底電極330，所述壓電微納米線320基本垂直於所述半導體薄膜310 ;所述半導體薄膜310與壓電微納米線320的摻雜類型相反；所述壓電微納米線320上的頂電極340。
[0081]本實施例中的半導體薄膜310可以為GaN、ZnO、CdS、CdSe和聚合物半導體等半導體材料，壓電微納米線320可以為ZnO、CdS、CdSe、GaN、GaSb、ZnSe、ZnS等I1-VI族和II1-V族寬禁帶直接帶隙半導體微納米線。
[0082]特別地，本實施例中的發光二極體由P-型半導體薄膜和n_型寬禁帶直接帶隙壓電微納米線組成。例如，P型GaN薄膜和N型ZnO微納米線形成本實施例的發光二極體。
[0083]本實施例中的襯底300可以為矽片、玻璃等襯底。本實施例的壓電微納米線320的材料為壓電材料，在壓電微納米線320的頂端施加沿著微納米線320的應力Fl，使所述微納米線發生形變(在圖中未示出)，所述形變在壓電微納米線320引起的壓電勢對PN結區域的能帶結構進行調製，因此，應力可以調製本實施例所述發光二極體的發光強度和效率。所述應力的方向並不限定為沿著納米線320的軸線方向，也可以為其他方向，例如垂直納米線320的軸線方向。
[0084]需要說明的是，本發明的實施例中所述的上電極和下電極是為了區別發光二極體的兩個電極，並不是對兩個電極位置的限定，在此，不應該限制本發明的保護範圍。
[0085]以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制。任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬於本發明技術方案保護的範圍內。
【權利要求】
1.一種發光二極體發光效率和強度的調製方法，其特徵在於，所述發光二極體的N型區和/或P型區的材料具有壓電性，在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變，所述形變引起的壓電場對發光二極體的發光效率和強度進行調製。
2.根據權利要求1所述的發光二極體發光效率和強度的調製方法，其特徵在於，所述發光二極體由半導體薄膜和半導體薄膜上的壓電微納米線組成，所述壓電微納米線基本垂直於所述半導體薄膜，所述在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變步驟具體為，在所述壓電微納米線的頂端施加應力，使所述微納米線發生形變。
3.根據權利要求1所述的發光二極體發光效率和強度的調製方法，其特徵在於，所述發光二極體由半導體薄膜和壓電微納米線組成，所述壓電微納米線平行於所述半導體薄膜並且部分固定在所述半導體薄膜上，所述在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變步驟具體為， 在所述壓電微納米線的兩端施加彎折力，使發光二極體發生形變；或者， 在所述壓電微納米線上施加基本垂直與所述半導體薄膜的應力，使發光二極體發生形 變。
4.根據權利要求1所述的發光二極體發光效率和強度的調製方法，其特徵在於，所述發光二極體由P型半導體薄膜和N型半導體薄膜層疊形成，所述在所述發光二極體上施加應力使發光二極體發生形變步驟具體為，在所述發光二極體的兩端施加壓應力，施加應力的方向與通過發光二極體PN結電流方向基本平行。
5.根據權利要求2或3所述的發光二極體發光效率和強度的調製方法，其特徵在於，所述發光二極體由P-型半導體薄膜和n-型寬禁帶直接帶隙半導體微納米線組成。
6.一種發光二極體，其特徵在於，所述發光二極體的N型區和/或P型區的材料具有壓電性；在所述發光二極體上施加應力時，發光二極體PN結區的能帶結構受到所述應力產生的壓電勢的調製。
7.根據權利要求6所述的發光二極體，其特徵在於，所述發光二極體的結構為: 基底上的半導體薄膜； 所述半導體薄膜上的壓電微納米線和底電極，所述壓電微納米線基本垂直於所述半導體薄膜；所述半導體薄膜與壓電微納米線的摻雜類型相反； 所述壓電微納米線上的頂電極。
8.根據權利要求6所述的發光二極體，其特徵在於，所述發光二極體的結構為: 基底上相隔設置的半導體薄膜和導電體； 所述半導體薄膜和導電體上的壓電微納米線，所述壓電微納米線平行於所述半導體薄膜並且部分固定在所述半導體薄膜上；所述半導體薄膜與壓電微納米線的摻雜類型相反；所述壓電微納米線上的頂電極；所述半導體薄膜上的底電極。
9.根據權利要求6所述的發光二極體，其特徵在於，所述發光二極體的結構為: 塑性基底上的相隔設置兩個導電體； 兩個所述導電體上的壓電微納米線，所述壓電微納米線橫跨在兩個所述導電體之間的溝槽上； 所述壓電微納米線上的半導體薄膜，所述半導體薄膜與壓電微納米線的摻雜類型相反；所述壓電微納米線上的頂電極；所述半導體薄膜上的底電極。
10.根據權利要求7至9任一項所述的發光二極體，其特徵在於，所述半導體薄膜為P-型半導體，所述壓電微納米線為n-型寬禁帶直接帶隙半導體。
11.根據權利要求6所述的發光二極體，其特徵在於，所述發光二極體的結構為: 基底上的第一半導體薄膜層； 所述第一半導體薄膜層上的第二半導體薄膜層和底電極，其中，所述第一半導體薄膜層和第二半導體薄膜層的摻雜類型相反； 所述第二半導體 薄膜層上的頂電極。
【文檔編號】H01L33/00GK103681979SQ201210356845
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月21日 優先權日:2012年9月21日
【發明者】王中林, 楊青 申請人:國家納米科學中心