TLC技術運用到3D快閃記憶體 存儲密度可再提升

2025-03-25 01:19:24

    泡泡網SSD固態硬碟頻道7月8日 三星已在自家的850 Pro系列SSD上採用了3D快閃記憶體技術(又稱V-NAND)晶片，而它看起來也會成為傳統快閃記憶體的有力繼任者。該方法避開了傳統平面(2D)製造過程中所面臨的「製程縮小、幹擾增大」等問題，從理論上來講，通過相互堆疊多層單元，V-NAND可實現更高的存儲密度。不過，多層堆疊並不是三星唯一的武器，因為該公司早就開始運用3bit的TCL技術了。

　　我們得知三星將把TLC技術運用到3D架構的V-NAND上。

　　在韓國首爾舉辦的SSD全球峰會上，三星在問答環節期間宣布了3bit V-NAND計劃。我們預計，三星會在今年晚些時候推出「更高存儲密度」的第二代入門級TLC V-NAND驅動器。

　　對於消費級固態硬碟來說，TLC的缺點在很大程度上有些無關緊要。在三星840系列SSD的耐久度實驗中，TLC產品甚至可在燒錄了數百TB的數據後才掛掉，而這已經遠遠超過了一般人的需要。

　　至於840 EVO系列SSD，更是巧妙地運用了SLC高速緩存來抵消TLC較慢的寫入速度。綜上所述，三星應該理應拿得出令消費者信服的TLC V-NAND產品。