顯示屏的製備方法及裝置與流程

2024-03-26 16:43:05

本發明實施例涉及顯示屏加工工藝技術領域，尤其涉及一種顯示屏的製備方法及裝置。

背景技術：

隨著現代影像技術的日新月異，顯示屏的性能要求也越來越高。

顯示屏是由顯示面板、偏光片等器件組成。其中，偏光片是三層以上的高分子材料拉伸複合製成，厚度為0.1mm-0.25mm，一方面，不符合顯示屏輕薄化要求。

另一方面，由於偏光片材質類似塑料，而顯示面板是玻璃材質，因此在切割時需要分別進行切割。對於偏光片需採用衝切方式分成小片。對於顯示面板，通常用金剛石或合金刀輪切割，這樣偏光片和顯示面板各自需要一次裁切，製作流程複雜，生產效率低。

技術實現要素：

本發明實施例提供一種顯示屏的製備方法，能夠簡化顯示屏的製作流程，提高生產效率。

第一方面，本發明實施例提供了一種顯示屏的製備方法，包括：

在顯示面板表面上製備納米銀膜形成偏光片；

對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到預設尺寸的顯示屏。

第二方面，本發明實施例提供了一種顯示屏的製備裝置，包括：

偏光片形成模塊，用於在顯示面板表面上製備納米銀膜形成偏光片；

顯示屏獲取模塊，用於對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到預設尺寸的顯示屏。

本發明實施例提供了一種顯示屏的製備方法及裝置，通過在顯示面板表面上製備納米銀膜形成偏光片，對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到顯示屏，避免了顯示屏的多次切割，提高了生產效率。

附圖說明

圖1是本發明實施例一中的一種顯示屏的製備方法的流程圖；

圖2A是本發明實施例二中的一種顯示屏的製備方法的流程圖；

圖2B是本發明實施例二中的一種顯示屏的製備方法中掩膜板的示意圖；

圖3是本發明實施例三中的一種顯示屏的製備裝置的結構示意圖；

圖4是本發明實施例四中的一種顯示屏的製備裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用於解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便於描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部結構。

實施例一

圖1為本發明實施例一提供的一種顯示屏的製備方法的流程圖，本實施例可適用於各種顯示屏製備的情況，如圖1所示，具體包括：

S110、在顯示面板表面上製備納米銀膜形成偏光片。

其中，顯示屏主要由顯示面板、驅動板與電源板組成，應用於電腦、電視、平板電腦以及手機中。其中，顯示面板可以為LED(Light Emitting Diode，液晶顯示)顯示面板，也可以為OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機電雷射顯示)顯示面板，還可以是其他類型顯示屏的顯示面板；偏光片為能使按特定方向振動的光線通過，而不能使其它振動方向的光線通過(或通過率極小)的一種鏡片或者膜。顯示面板表面上製備一層偏光片可實現液晶顯示高亮度、高對比度特性，偏光片採用納米銀膜形成。其中，納米銀膜為各種製備方法製備關於納米級銀單質顆粒的膜，例如可以採用化學方法、微波法或者電化學還原法等製備方法，納米銀膜的製備原料可以以檸檬酸三鈉與硝酸銀為原料，也可以以1-甲基-3-丁基眯唑四氟硼酸鹽與硝酸銀為原料，或者還可以以其他材料為原料。製備出的納米銀膜可以採用懸塗、噴塗、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強化學氣相沉積法)氣相沉積等方法製備在顯示面板中，在採用光刻膠曝光工藝，或者其他方式將製備在顯示面板上的納米銀膜製備成符合要求的偏光片。

S120、對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到預設尺寸的顯示屏。

在本實施例中，由於納米銀膜的材質與顯示面板的玻璃材質特性相近，能夠與之緊密結合形成複合面板，即顯示屏，因此可以對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，並且採用原有顯示面板的切割方式，如金剛石、合金刀或者其他適宜玻璃材質面板的切割方式，得到預設尺寸的顯示屏。其中，預設尺寸可以設定為符合應用產品顯示屏的任意尺寸。顯示面板的尺寸也不進行限定，顯示面板的材料也可以為大尺寸玻璃蓋板、大尺寸薄膜材料或者大尺寸觸控螢幕材料等。

本實施例通過在顯示面板表面上製備納米銀膜形成偏光片，對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到顯示屏，能夠有效簡化顯示屏的製作流程，提高了生產效率。

本實施例在上述實施例基礎上還包括：採用化學還原方法製備所述納米銀膜。其中，還原反應含有化學還原方法、電化學還原方法和光化學還原方法。化學還原方法是製備超細粉體納米銀粒子的有效和常用的方法之一，一般是指在液相條件下，通過氧化還原方法，製備出納米銀粒子。

由此，採用化學還原方法製備所述納米銀膜，可以達到製備過程簡單，成本低的有益效果。

實施例二

圖2A為本發明實施例二提供的一種顯示屏的製備方法的流程圖，本實施例在上述實施例的基礎上進行優化，提供了優化的在顯示面板表面上製備納米銀形成偏光片包括的處理方法，具體是：在顯示面板表面上形成預設厚度的納米銀膜；基於所述納米銀膜，塗抹一層光刻膠；在所述光刻膠表面上放置掩模版；提供一束光源，對所述光刻膠進行選擇性曝光並顯影，獲得未曝光的光刻膠與無光刻膠的納米銀膜；烘烤所述未曝光的光刻膠，並刻蝕所述無光刻膠的納米銀膜，得到所述偏光片。

相應的，本實施例的方法包括：

S210、在顯示面板表面上形成預設厚度的納米銀膜。

示例性的，所述納米銀膜以檸檬酸三鈉與硝酸銀為原料。在本實施例中，可以採用化學還原方法製備納米銀膜。具體的，在水相中，以檸檬酸三鈉為還原劑，二次蒸餾水為分散劑，在一定的溫度下，通過還原硝酸銀溶液製備了納米銀溶膠，其中，溶膠指通過水解和聚合作用，形成的有機或無機的納米或微米級的粒子，這些粒子通常帶有電荷，並由於電荷作用，吸附一層溶劑分子，形成由溶劑包覆的納米或微米粒子，即膠體粒子，這些膠體粒子由於帶有電荷而相互排斥，從而能以懸浮狀態存在於溶劑中，即形成溶膠。並且在製備納米膜原料中，檸檬酸三鈉的純度大於99％，硝酸銀純度大於99.8％。

然後，將化學還原方法製備的納米銀溶膠通過噴塗、旋塗、PECVD氣相沉積法或者其他方法在顯示面板表面上形成一層預設厚度的納米銀膜。其中，預設厚度為10μm。需要說明的是，由於工廠製備顯示面板尺寸較大，導致製備在顯示面板上的偏光片尺寸也較大，因此考慮成本，通常採用噴塗方式在顯示面板表面製備納米銀膜。

S220、基於所述納米銀膜，塗抹一層光刻膠。

其中，光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，受到光照後特性會發生改變。光刻膠包含正膠與負膠，在本實施例中採用的光刻膠為正膠。具體的，正膠經過曝光後，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被溶解，只留下未受到光照部分的圖形。基於所述納米銀膜，採用噴塗的方式塗抹一層光刻膠，保證光刻膠均勻塗抹。

S230、在所述光刻膠表面上放置掩模版。

其中，本實施例中的掩膜板為光掩膜版，也叫光罩，是曝光過程中原始圖形的載體，通過曝光過程，這些信息被傳遞到顯示面板上。掩模版的形狀有很多，根據工藝需求而製作成不同外形的掩膜板，在本實施例中製備偏光片的掩膜板如圖2B所示，將製備好的偏光片的掩膜板放置在光刻膠的表面，使得部分光刻膠位於偏光片掩膜板的下方，不直接暴露在表面。

S240、提供一束光源，對所述光刻膠進行選擇性曝光並顯影，獲得未曝光的光刻膠與無光刻膠的納米銀膜。

其中，光源為紫外光。使用紫外光照射具有偏光片掩膜板的表面，由於在掩膜板下方的光刻膠接收不到光源，不與光照發生反應，該行為為未曝光；未處於掩膜板下方的光刻膠接收的到光源，那麼，未處於掩膜板下方的光刻膠將在光照的條件下發生反應，該行為為曝光，因為顯示面板上的光刻膠部分曝光，部分不曝光，因此稱為選擇性曝光。

用顯影劑將曝光部分的光刻膠清洗掉，然後用離子水將溶解的光刻膠衝走，顯現出納米銀膜，這樣就只剩下未曝光的光刻膠與無光刻膠的納米銀膜。

S250、烘烤所述未曝光的光刻膠，並刻蝕所述無光刻膠的納米銀膜，得到所述偏光片。

去除偏光片的掩膜板，使用一定的溫度加熱烘烤顯示面板，使得未曝光的光刻膠更加堅固的依附在顯示面板上。再用酸刻液將無光刻膠的納米銀膜蝕刻掉，只保留光刻膠下方的納米銀膜。未被光刻膠覆蓋的納米銀膜易與酸發生反應，而被光刻膠覆蓋的納米銀膜可以保留下來，得到相應的光柵，而該光柵則為偏光片，能實現偏光片的作用。

S260、對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到預設尺寸的顯示屏。

在本實施例中，將選擇性曝光方法製備納米銀膜作為偏光片後，由於偏光片緊密貼合顯示面板，因此可對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到預設尺寸的顯示屏。

本實施例通過製備納米銀膜，對納米銀膜進行選擇性曝光形成顯示面板的偏光片，不僅能製備輕薄化的偏光片，使得偏光片與顯示面板的貼服更服帖，而且能使得偏光片與顯示面板同時切割，簡化了生產工藝，節約了生產成本以及提高了生產效率。

實施例三

圖3為本發明實施例三提供的一種顯示屏的製備裝置的結構圖，本實施例可適用於各種顯示屏製備的情況，如圖1所示，具體包括：偏光片形成模塊31與顯示屏獲取模塊32。

偏光片形成模塊31，用於在顯示面板表面上製備納米銀膜形成偏光片；

顯示屏獲取模塊32，用於對所述顯示面板和偏光片同時進行切割，得到預設尺寸的顯示屏。

本實施例所述顯示屏的製備裝置用於執行上述各實施例所述的顯示屏的製備方法，其技術原理和產生的技術效果類似，這裡不再贅述。

實施例四

圖4為本發明實施例四提供的一種顯示屏的製備裝置的結構圖，如圖4所示：

在上述實施例的基礎上，所述偏光片形成模塊31具體用於：在顯示面板表面上形成預設厚度的納米銀膜；基於所述納米銀膜，塗抹一層光刻膠；在所述光刻膠表面上放置掩模版；提供一束光源，對所述光刻膠進行選擇性曝光並顯影，獲得未曝光的光刻膠與無光刻膠的納米銀膜；烘烤所述未曝光的光刻膠，並刻蝕所述無光刻膠的納米銀膜，得到所述偏光片。

在上述實施例的基礎上，還包括：納米銀膜製備模塊41。

納米銀膜製備模塊41，用於採用化學還原方法製備所述納米銀膜。

在上述實施例的基礎上，所述納米銀膜以檸檬酸三鈉與硝酸銀為原料。

在上述實施例的基礎上，所述預設厚度為10μm。

本實施例所述顯示屏的製備裝置用於執行上述各實施例所述的顯示屏的製備方法，其技術原理和產生的技術效果類似，這裡不再贅述。

注意，上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發明不限於這裡所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發明的保護範圍。因此，雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明，但是本發明不僅僅限於以上實施例，在不脫離本發明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發明的範圍由所附的權利要求範圍決定。