監控存儲陣列的單元間距的結構以及方法
2024-03-23 11:01:05
專利名稱：監控存儲陣列的單元間距的結構以及方法
技術領域：
本發明涉及監控存儲陣列質量的方法，具體的說，涉及一種監控存儲陣 列的單元間距的結構以及方法。
背景技術：
靜態隨才;Wl"儲器(Static Random Access Memory, SRAM)存儲陣列在現 代超大M^莫集成電路晶片中應用非常廣泛，存儲陣列質量的好差對集成電路 晶片具有決定性的影響，因此必須設計很多測試結構來監控存儲陣列是否存 在問題。在SRAM存儲陣列的各項參數中存儲陣列間距是一個非常重要的參數 指標，存儲陣列間距越小意味著在相同面積下存儲容量可以越大，所以確定 一個合理的間距值是相當重要的，設計一種監控SRAM存儲陣列的單元間距 的方法以及結構也成為業界的一個研究熱點。發明內容本發明的主要目的是提供一種監控存儲陣列的單元間距的結構以及方 法，其可以有效地監控SRAM存儲陣列的單元監控是否符合要求。為達到上述目的，本發明提供一種監控存儲陣列的單元間距的結構，用 於監控靜態隨機存儲器存儲陣列中任意兩個相鄰靜態隨機存儲器之間的間距 值是否符合要求,所述相鄰靜態隨機存儲器分別連出構成第 一以及第二端子， 橫跨過所述相鄰靜態隨機存儲器的多晶矽連出構成第三端子，P型阱區連出 構成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場氧電晶體，其中，所 述寄生的場氧電晶體的溝道長度為待監控的間距值，所述相鄰靜態隨機存儲 器、橫跨過所述相鄰靜態隨機存儲器的多晶矽、以及P型阱區均通過接觸孔 由金屬線連出。 本發明還提供一種監控存儲陣列的單元間距的方法，用於監控靜態隨機 存儲器存儲陣列中任意兩個相鄰靜態隨機存儲器之間的間距值是否符合要 求，其中，所述相鄰靜態隨機存儲器分別連出構成第一以及第二端子，橫跨 過所述相鄰靜態隨機存儲器的多晶矽連出構成第三端子，P型阱區連出構成 第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場氧電晶體，所述方法首先 提供所述靜態隨機存儲器常態工作條件，接著測量所述寄生的場氧電晶體的 參數，最後根據所述寄生的場氧電晶體的參數判斷待監控的間距值是否符合 要求，其中，所測量的所述寄生場氧電晶體的參數至少包括漏電流、閾值電 壓以及穿通電流。本發明所述的監控存儲陣列的單元間距的結構通過引出端子形成寄生的 場氧電晶體，通過測量寄生的場氧電晶體的參數，從而判斷待測間距值是否 符合要求，是一種簡單而有效的設計方案。
通過以下對本發明的一個較佳實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其發明的目的、具體結構特徵和優點。其中，附圖為圖1為本發明的監控存儲陣列的單元間距的結構的一個較佳實施例的示 意圖。
具體實施方式
以下根據結合附圖，具體說明本發明的一個較佳實施方式。 圖1為本發明的監控存儲陣列的單元間距的結構的一個較佳實施例的示 意圖。如圖所示，本發明的監控存儲陣列的單元間距的結構l用於監控靜態 隨機存儲器(SRAM)存儲陣列中任意兩個SRAM單元10之間的間距值d 是否符合要求。需要說明的是，為了清楚地顯示本發明的監控存儲陣列的單 元間距的結構，在圖1中僅畫出兩個相鄰的SRAM單元10，但本領域的技 術人員應當知曉將本發明監控結構可以用於多於兩個SRAM單元組成的存 儲陣列，僅需在任意相鄰的SRAM單元之間建立本發明所述的監控結構或者 應用本發明所述的監控方法即可。
所述相鄰SRAM單元10分別通過接觸孔20由金屬線30連出構成第一 以及第二端子，橫跨過所述相鄰SRAM單元10的多晶矽40通過接觸孔20 由金屬線30連出構成第三端子，P型阱區連出構成第四端子，由所述第一至 第四端子形成一寄生的場氧電晶體，其中，所述寄生的場氧電晶體T的溝道 長度d即為待監控的間距值。在實際.設計測試時，首先，提供SRAM常態工作條件。更詳細地說，相 鄰SRAM單元在正常工作時必定是一邊處於高電位， 一邊處於低電位，因此 在監控SRAM存儲陣列中的單元間距值時應當提供相應的條件，以保證監控 的準確。接著，測量所述寄生的場氧電晶體的參數。更詳細地說，這些參數至少 包括漏電流、閾值電壓以及穿通電流等。最後，根據所述寄生的場氧電晶體的參數判斷待監控的間距值是否符合 要求。更詳細地說，可以通過諸如漏電流、闊值電壓以及穿通電流等參數計 算出寄生的場氧電晶體的溝道長度d，即待監控的間距值，進而判斷該間距 值d是否符合要求。綜上所述，本發明提供了一種監控存儲陣列的單元間距的結構以及方法， 其通過測量寄生的場氧電晶體的參數，從而判斷待測間距值是否符合要求， 是一種簡單而有效的設計方案。需要特別說明的是，本發明的監控存儲陣列的單元間距的結構以及方法 不局限於上述實施例中所限定步驟執行順序，儘管參照較佳實施例對本發 明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明進行 修改或者等同替換，而不脫離本發明的精神和範圍，其均應涵蓋在本發明 的權利要求範圍當中。
權利要求
1、一種監控存儲陣列的單元間距的結構，用於監控靜態隨機存儲器存儲陣列中任意兩個相鄰靜態隨機存儲器之間的間距值是否符合要求，其特徵在於，所述相鄰靜態隨機存儲器分別連出構成第一以及第二端子，橫跨過所述相鄰靜態隨機存儲器的多晶矽連出構成第三端子，P型阱區連出構成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場氧電晶體，其中，所述寄生的場氧電晶體的溝道長度為待監控的間距值。
2、 根據權利要求1所述的監控存儲陣列的單元間距的結構，其特徵在於， 所述相鄰靜態P遺機存儲器、橫跨過所述相鄰靜態隨機存儲器的多晶矽、以及 P型阱區均通過接觸孔由金屬線連出。
3、 根據權利要求1所述的監控存儲陣列的單元間距的結構，其特徵在於， 通過測量所述寄生的場氧電晶體的參數,判斷待監控的間距值是否符合要求。
4、 根據權利要求3所述的監控存儲陣列的單元間距的結構，其特徵在於， 所測量的所述寄生的場氧電晶體的參數至少包括漏電流、閾值電壓以及穿通 電流。
5、 一種監控存儲陣列的單元間距的方法，用於監控靜態隨機存儲器存儲 陣列中任意兩個相鄰靜態隨機存儲器之間的間距值是否符合要求，其中，所 述相鄰靜態隨機存儲器分別連出構成第一以及第二端子，橫跨過所述相鄰靜 態隨機存儲器的多晶矽連出構成第三端子，P型阱區連出構成第四端子，由 所述第一至第四端子形成一寄生的場氧電晶體，所述方法首先提供所述靜態 隨機存儲器常態工作條件，接著測量所述寄生的場氧電晶體的參數，最後根 據所述寄生的場氧電晶體的參數判斷待監控的間距值是否符合要求。
6、 根據權利要求5所述的監控存儲陣列的單元間距的方法，其特徵在於， 所述相鄰靜態隨機存儲器、橫跨過所述相鄰靜態隨機存儲器的多晶矽、以及 P型阱區均通過接觸孔由金屬線連出。
7、 根據權利要求5所述的監控存儲陣列的單元間距的方法，其特徵在於， 所測量的所述寄生的場氧電晶體的參數至少包括漏電流、閾值電壓以及穿通 電流。
全文摘要
本發明提供一種監控存儲陣列的單元間距的結構以及方法，用於監控靜態隨機存儲器存儲陣列中任意兩個相鄰靜態隨機存儲器之間的間距值是否符合要求，其中，所述相鄰靜態隨機存儲器分別連出構成第一以及第二端子，橫跨過所述相鄰靜態隨機存儲器的多晶矽連出構成第三端子，P型阱區連出構成第四端子，由所述第一至第四端子形成一寄生的場氧電晶體，首先，提供所述靜態隨機存儲器常態工作條件，接著，測量所述寄生的場氧電晶體的參數，最後，根據所述寄生的場氧電晶體的參數判斷待監控的間距值是否符合要求。通過本發明的監控存儲陣列的單元間距的結構以及方法，可以有效地監控SRAM存儲陣列的單元監控是否符合要求，且具有簡單易實現的優點。
文檔編號H01L23/544GK101211895SQ20071017280
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月21日 優先權日2007年12月21日
發明者劍 胡, 坡 黎 申請人:上海宏力半導體製造有限公司