一種薄膜型太陽能電池的製作方法
2024-03-23 14:05:05 2
專利名稱：一種薄膜型太陽能電池的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種太陽能電池，特別涉及一種薄膜型太陽能電池。
背景技術：
目前在太陽能電池製造業中，晶體矽和多晶體矽為基材的產品佔主導地位，其市場佔有率約為80%以上。由於矽基材價格昂貴，生產成本高，這成為太陽能電池發展推廣的重大障礙。現有技術中，已有以非晶體矽薄膜為主體的薄膜型太陽能電池，它以玻璃為襯底，具有製作成本低，並能製成較大面積產品的優點，但其光熱穩定性差，光電轉換效率低， 穩定性也差，這些不可避免的缺點成為非晶體矽薄膜電池廣泛應用的壁壘。
實用新型內容本實用新型的目的是針對現有技術的不足，發明了一種薄膜型太陽能電池，不僅能減少對矽材料的浪費，還能顯著增強光熱穩定性，提高光電轉換效率和穩定性。為實現上述目的，本實用新型的技術方案是一種薄膜型太陽能電池，從底層到頂層依次包括玻璃基片、導電膜、非晶矽薄膜和納米級摻雜型矽薄膜。進一步地，優選的結構為玻璃基片為汽車級浮法玻璃。進一步地，優選的結構為導電膜的厚度為20 50nm。進一步地，優選的結構為 納米級摻雜型矽薄膜的晶粒大小為1 6nm，膜層厚度為30 60nm。由於在太陽能薄膜電池表面採用了納米級摻雜型矽薄膜，使得矽的使用量大大減少，降低了製造成本；另外，晶粒大小為1 6nm、膜層厚度為30 60nm的微晶結構，增強了太陽能薄膜電池的光熱穩定性，提高了光電轉換效率和穩定性，延長了太陽能薄膜電池的使用壽命。
圖1是本實用新型薄膜型太陽能電池的截面示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進一步說明，以使得本實用新型的優點更加明確。如圖1所示，薄膜型太陽能電池從底層到頂層依次為汽車級浮法玻璃1、導電膜2、 非晶矽薄膜3和納米級摻雜型矽薄膜4。其中，導電膜3的厚度為20 50nm。納米級摻雜型矽薄膜4的晶粒大小為1 6nm，膜層厚度為30 60nm。納米級摻雜型矽薄膜4膜層的膜料為h、Sn、ai和Cd的氧化物及其複合多元氧化物薄膜材料。採用磁控濺射法，對玻璃基片1進行濺射塗覆，依次形成導電膜2、非晶矽薄膜 3和納米級摻雜型矽薄膜4。需要注意的是，上述具體實施例僅僅是示例性的，在本實用新型的上述教導下，本領域技術人員可以在上述實施例的基礎上進行各種改進和變形，而這些改進或者變形落在本實用新型的保護範圍內。 本領域技術人員應該明白，上面的具體描述只是為了解釋本實用新型的目的，並非用於限制本實用新型。本實用新型的保護範圍由權利要求及其等同物限定。
權利要求1.一種薄膜型太陽能電池，其特徵在於從底層到頂層依次包括玻璃基片、導電膜、非晶矽薄膜和納米級摻雜型矽薄膜。
2.根據權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其特徵在於所述玻璃基片為汽車級浮法玻璃。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜型太陽能電池，其特徵在於所述導電膜的厚度為 20 50 nm。
4.根據權利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其特徵在於所述納米級摻雜型矽薄膜的晶粒大小為1 6 nm，膜層厚度為30 60匪。
專利摘要本實用新型公開了一種薄膜型太陽能電池，從底層到頂層依次包括玻璃基片、導電膜、非晶矽薄膜和納米級摻雜型矽薄膜。採用該技術方案後，不僅增強了太陽能薄膜電池的光熱穩定性，而且提高了光電轉換效率和穩定性，延長了太陽能薄膜電池的使用壽命。
文檔編號H01L31/0392GK202205766SQ201120312290
公開日2012年4月25日 申請日期2011年8月25日 優先權日2011年8月25日
發明者李攀登, 王志堅, 申偉, 趙霞 申請人:常州華美光伏材料有限公司