一種直流合成場測量儀的校準裝置的製作方法

2024-03-22 12:50:05

專利名稱：一種直流合成場測量儀的校準裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及高壓輸變電工程電磁兼容技術領域，具體地指一種直流合成場測量儀 的校準裝置。技術背景
近年來我國直流輸電線路建設快速發展，直流輸電線路周圍的電磁環境問題愈來 愈引起人們的關注。直流合成場是直流輸電線路和變電站的主要電磁環境參數，隨著我國 對超高壓輸變電工程環境影響評價工作的開展，對直流合成場的監測已成為一項重要工 作，實現這些測量的手段是靠合成場強測量儀來完成的。直流輸電線路的合成場是導線上 電壓產生的靜電場與空間電荷產生的電場的矢量和，而目前國內一般用靜電場對直流合成 場測量儀進行校準，與實際輸電線路直流合成場的特點不符，存在一定的誤差，因此設計和 研製直流合成場測量儀的校準裝置十分迫切和必要。發明內容
本發明的目的就是要提供一種直流合成場測量儀的校準裝置，使用該裝置能消除 直流合成場測量儀的測量誤差。
為實現此目的，本發明所設計的直流合成場測量儀的校準裝置，它包括由下至上 依次布置的直流場接地極、直流場高壓極、控制極和離子流極、設置在直流場接地極中部的 校準孔、設置在校準孔下方的支持平臺，其中，所述直流場接地極和直流場高壓極之間設有 第一絕緣支柱，直流場高壓極和控制極之間設有第二絕緣支柱，控制極和離子流極之間設 有第三絕緣支柱，所述直流場接地極上還設有多個與直流場接地極絕緣的離子流接受板。
所述直流場接地極和直流場高壓極之間形成校準區，直流場高壓極和控制極之間 形成注入區，控制極和離子流極之間形成電荷產生區。
所述直流場接地極和直流場高壓極之間的間距為15cm 30cm，直流場高壓極和 控制極之間的距離為IOcm 20cm,控制極和離子流極之間的距離為IOcm 20cm。
所述直流場接地極為導電金屬板，所述直流場高壓極和控制極均為導電金屬網， 離子流極為導電金屬絲。
所述校準孔有兩個，一個為正方形校準孔，另一個為圓形校準孔。
所述離子流接受板為銅板，所述離子流接受板嵌入直流場接地極，使得離子流接 受板與直流場接地極位於同一平面。
所述離子流接受板通過環氧樹脂板與直流場接地極絕緣連接。
所述離子流接受板到直流場接地極邊緣的間距大於直流場接地極與直流場高壓 極之間的間距。
所述離子流接受板與直流場接地極之間連接有電流表。
所述支持平臺為絕緣支持平臺。
本發明在直流場接地極與高壓極間施加直流電源時產生的電場即為靜電場，控制極與離子流極相當於電暈籠，當二者電位差達到離子流極起暈時，離子流極產生的空間電 荷在電場的作用下穿過控制極和直流場高壓極達到校準區，在直流場接地極上表面就可得 到由靜電場和空間電荷場疊加而成的直流合成場，該直流合成場可用於合成場測量儀的校 準。通過校準後能消除直流合成場測量儀的測量誤差。


圖1為本發明的使用狀態結構示意圖2為本發明中直流場接地極的結構示意圖3為本發明中離子流極的結構示意其中，I一直流場接地極、2—直流場高壓極、3—控制極、4一離子流極、5—校準孔、 6一第一絕緣支柱、7—第二絕緣支柱、8—第二絕緣支柱、9一尚子流接受:板、10一環氧樹脂 板、11 一電流表、12 一合成場測量儀、13 一支持平臺、14 一鎮烙絲。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本發明作進一步的詳細說明
圖中I和2所示的直流合成場測量儀的校準裝置，它包括由下至上依次布置的直 流場接地極1、直流場高壓極2、控制極3和離子流極4、設置在直流場接地極I中部的校準 孔5、設置在校準孔5下方的支持平臺13，其中，直流場接地極I和直流場高壓極2之間設 有第一絕緣支柱6，直流場高壓極2和控制極3之間設有第二絕緣支柱7，控制極3和離子 流極4之間設有第三絕緣支柱8，直流場接地極I上還設有多個與直流場接地極I絕緣的離 子流接受板9。上述第一絕緣支柱6、第二絕緣支柱7和第三絕緣支柱8均為絕緣有機玻璃 棒。
上述技術方案中，直流場接地極I和直流場高壓極2之間形成校準區，直流場高壓 極2和控制極3之間形成注入區，控制極3和離子流極4之間形成電荷產生區。
上述技術方案中，直流場接地極I和直流場高壓極2之間的間距為15cm 30cm， 直流場高壓極2和控制極3之間的距離為IOcm 20cm，控制極3和離子流極4之間的距離 為 IOcm 20cm。
上述技術方案中，直流場接地極I為導電金屬板優選為3mm厚的正方形鋁板，直流 場高壓極2和控制極3均為導電金屬網，離子流極4為導電金屬絲。上述導電金屬板為四 邊形或圓形，為四邊形時的邊長應大於lm，為圓形時的直徑應大於lm。直流場接地極1、直 流場高壓極2和控制極3的形狀、大小相同。另外，直流場高壓極2為16目的正方形不鏽 鋼絲網邊長為1400mm。
上述技術方案中，校準孔5有兩個，一個為正方形校準孔，另一個為圓形校準孔。 其中正方形校準孔邊長為72mm,圓形校準孔直徑為65mm,上述兩個校準孔5與被校準的合 成場測量儀12形狀和大小相同，校準時合成場測量儀12放置在直流場接地極I下面木質 支撐平臺上，合成場測量儀12的動片孔與校準孔5對齊。
上述技術方案中，離子流接受板9為銅板，所述離子流接受板9嵌入直流場接地極 I，使得離子流接受板9與直流場接地極I位於同一平面。
上述技術方案中，離子流接受板9通過環氧樹脂板10與直流場接地極I絕緣連接。
上述技術方案中，離子流接受板9到直流場接地極I邊緣的間距大於直流場接地 極I與直流場高壓極2之間的間距。以便監測校準區離子流大小。在合成場校準孔周圍開 孔安裝8個離子流接受板9,接受板為50 X 80mm的長方形2mm厚的銅板,接受板周圍用2mm 厚的環氧樹脂板10與直流場接地極I絕緣，並保持兩者上平面平齊，離子流接受板距9離 直流場接地極I邊沿25cm，校準時用以監測校準區離子流大小。
上述技術方案中，離子流接受板9與直流場接地極I之間連接有電流表11。在直 流場接地極I與直流場高壓極2之間施加直流電源時產生的電場即為靜電場。上述電流表 11測量離子流，用於計算標準合成場。
上述技術方案中，支持平臺13為絕緣支持平臺，優選木質支撐平臺。
上述技術方案中，離子流極4為由多根直徑為O. 02mm的鎳烙絲14等間距平行安 裝在離子流極角鋼邊框上形成，每根鎳烙絲的間距為50mm，控制極3與離子流極4相當於 電暈籠，當二者電位差達到離子流極起暈時，離子流極4產生的空間電荷在電場的作用下 穿過控制極3和直流場高壓極2達到校準區，在直流場接地極I上表面就可產生由靜電場 和空間電荷場疊加而成的直流合成場，利用該直流合成場可以準確的檢測合成場測量儀12 的測量精度，並對合成場測量儀12進行校準。
說明書未作詳細描述的內容屬於本領域專業技術人員公知的現有技術。
權利要求
1.一種直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於它包括由下至上依次布置的直流場接地極(I)、直流場高壓極(2)、控制極(3)和離子流極(4)、設置在直流場接地極(I)中部的校準孔(5)、設置在校準孔(5)下方的支持平臺(13)，其中，所述直流場接地極(I)和直流場高壓極(2)之間設有第一絕緣支柱(6)，直流場高壓極(2)和控制極(3)之間設有第二絕緣支柱(7)，控制極(3)和離子流極(4)之間設有第三絕緣支柱(8)，所述直流場接地極(I) 上還設有多個與直流場接地極(I)絕緣的離子流接受板(9)。
2.根據權利要求1所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述直流場接地極(I)和直流場高壓極(2)之間形成校準區，直流場高壓極(2)和控制極(3)之間形成注入區，控制極(3)和離子流極(4)之間形成電荷產生區。
3.根據權利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述直流場接地極(I)和直流場高壓極(2)之間的間距為15cm 30cm，直流場高壓極(2)和控制極 (3)之間的距離為IOcm 20cm，控制極(3)和離子流極(4)之間的距離為IOcm 20cm。
4.根據權利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述直流場接地極(I)為導電金屬板，所述直流場高壓極(2)和控制極(3)均為導電金屬網，離子流極(4)為導電金屬絲。
5.根據權利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述校準孔(5)有兩個，一個為正方形校準孔，另一個為圓形校準孔。
6.根據權利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述離子流接受板(9 )為銅板，所述離子流接受板(9 )嵌入直流場接地極(I )，使得離子流接受板(9 ) 與直流場接地極(I)位於同一平面。
7.根據權利要求6所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述離子流接受板(9 )通過環氧樹脂板(10 )與直流場接地極(I)絕緣連接。
8.根據權利要求6所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述離子流接受板(9 )到直流場接地極(I)邊緣的間距大於直流場接地極(I)與直流場高壓極(2 )之間的間距。
9.根據權利要求7所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述離子流接受板(9 )與直流場接地極(I)之間連接有電流表(11)。
10.根據權利要求1所述的直流合成場測量儀的校準裝置，其特徵在於所述支持平臺 (13)為絕緣支持平臺。
全文摘要
本發明所涉及的一種直流合成場測量儀的校準裝置，它包括由下至上依次布置的直流場接地極、直流場高壓極、控制極和離子流極、設置在直流場接地極中部的校準孔、設置在校準孔下方的支持平臺，直流場接地極和直流場高壓極之間設有第一絕緣支柱，直流場高壓極和控制極之間設有第二絕緣支柱，控制極和離子流極之間設有第三絕緣支柱，直流場接地極上還設有多個與直流場接地極絕緣的離子流接受板。本發明在直流場接地極上表面可形成由靜電場和空間電荷場疊加而成的直流合成場，該直流合成場可用於合成場測量儀的校準。通過校準後能消除直流合成場測量儀的測量誤差。
文檔編號G01R35/00GK102998649SQ20121054558
公開日2013年3月27日 申請日期2012年12月14日 優先權日2012年12月14日
發明者張建功, 張業茂, 鄔雄, 謝輝春, 幹喆淵, 劉興發, 趙軍, 張澤平 申請人:中國電力科學研究院, 國家電網公司