一種分析晶片走線的靜電釋放能力的方法與流程
2024-03-21 21:12:05 2
本發明涉及晶片走線的靜電釋放能力，尤其涉及一種分析晶片走線的靜電釋放能力方法。
背景技術：
靜電對pcb板上的晶片可以產生三個危害：①吸引或排斥(吸附灰塵)；②與大地有電位差(可高達幾萬伏特，造成半導體器件的介質擊穿)；③會產生放電電流：靜電的能量雖然較小，但是放電過程十分短暫，往往是一瞬間就完成，只能提供爆炸性的擊穿能量，會產生極大的破壞力。靜電釋放(electro-staticdischarge，esd)就是預防靜電的產生或者消除產生的靜電，以保護設備正常工作。esd問題是晶片級別和pcb板級別的業界難題，現有技術中，大多是採用裝置來避免靜電的產生或者消除產生的靜電，但是還沒有提供分析晶片走線的esd的方法。
技術實現要素：
針對目前還未提供分析晶片走線esd的方法，本發明提供一種分析晶片走線的靜電釋放能力的方法。
本發明解決技術問題所採用的技術方案為：
一種分析晶片走線的靜電釋放能力的方法，所述晶片設置於一pcb板上，通過靜電槍對處於工作狀態的晶片的引腳在一預設電壓範圍內逐步調大電壓，以對晶片的各個走線進行打擊，從而找到靜電釋放能力最薄弱的地方。
優選的，所述預設電壓範圍為0.5kv～1.5kv，通過對所述晶片的io引腳施加0.5kv～1.5kv的電壓，來判斷所述晶片能否正常工作。
優選的，通過靜電槍對pcb上的走線在所述預設電壓範圍內逐步調大電壓，來找到靜電釋放能力最薄弱的地方。
優選的，所述預設電壓範圍為0.5kv～1.5kv，所述晶片包括usb接口，通過靜電槍在0.5kv～1.5kv的電壓範圍內逐步調大電壓，對usb接口的各走線進行打擊，來判斷該usb接口是否能正常工作。
優選的，所述預設電壓範圍為0.5kv～1.5kv，所述pcb板上包括一tf接口，通過靜電槍對tf接口的各個引腳在0.5kv～1.5kv的電壓範圍內逐步調大電壓，來判斷該tf接口是否能正常工作。
優選的，所述預設電壓範圍為1.5kv，所述晶片還包括通用存儲器晶片，通過靜電槍對通用存儲器晶片的ddr地址走線施加1.5kv的電壓，來判斷該通用存儲器晶片是否能正常工作。
優選的，所述預設電壓範圍為0.5kv～1.5kv，所述pcb板上包括晶振和復位電路，通過靜電槍對晶振和復位電路的引腳在0.5kv～1.5kv的電壓範圍內逐步調大電壓，來判斷該晶振和復位電路是否能正常工作。
本發明的有益效果：本發明通過對晶片以及pcb板的各走線在預設電壓範圍內逐步調大電壓，以對各走線進行打擊，從而找到晶片和板子上最薄弱的地方，來分析其靜電釋放的能力。
附圖說明
圖1為本發明的一個實施例的示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明，但不作為本發明的限定。
一種分析晶片走線的靜電釋放能力的方法，晶片設置於一pcb板上，通過靜電槍對處於工作狀態的晶片的引腳在一預設電壓範圍內逐步調大電壓，以對晶片的各個走線進行打擊，從而找到靜電釋放能力最薄弱的地方。
在系統工作狀態下，通過直接對所有的走線在預設電壓範圍內逐步調大電壓，來對各走線進行打擊，從而分析晶片esd的方法，來找到esd問題最薄弱的地方。本發明可以打擊晶片端和pcb板子上面的具體走線和模塊，從而找到所有關鍵薄弱點。
本發明優選的實施方式，預設電壓範圍為0.5kv～1.5kv，通過對晶片的io引腳施加0.5kv～1.5kv的電壓，來判斷晶片能否正常工作。
如圖1所示，本發明是基於s905liptv兩層pcb板做測試和分析。在該實施例中，以其中一個io引腳——gpioao_8引腳作為實施例加以測試。當靜電槍對gpioao_8引腳施加0.5kv的電壓進行打擊，結果顯示工作正常，若出現異常，則需要進行整改調試。逐步調大施加到gpioao_8引腳施上的電壓，當對gpioao_8引腳施加的電壓達到1kv時，本發明的試驗結果顯示該引腳還能正常工作，若出現異常，則需要進行整改調試。繼續逐步調大施加到gpioao_8引腳施上的電壓，當對gpioao_8引腳施加的電壓達到1.5kv時，結果也顯示該引腳還能正常工作，同樣地，若出現異常，也需要對其進行整改調試。因此，可以得出gpioao_8引腳能夠承受0.5kv～1.5kv的靜電電壓。其他引腳也採用同樣的方法進行測試，在此不對結果一一贅述。
本發明優選的實施方式，通過靜電槍對pcb上的走線在預設電壓範圍內逐步調大電壓，來找到靜電釋放能力最薄弱的地方。
本發明優選的實施方式，預設電壓範圍為1kv～1.5kv，晶片包括usb接口，通過靜電槍在0.5kv～1.5kv的電壓範圍內逐步調大電壓，對usb接口的各走線進行打擊，來判斷該usb接口是否能正常工作。
在該實施例中，以usb_adm晶片的usb接口為例。通過對usb_adm晶片的usbhost_a_dm引腳施加0.5kv的電壓進行靜電打擊，測試結果表明該引腳可以正常工作，usb也工作正常。再對usb_adm晶片的usbotg_b_dm引腳施加1kv的電壓進行打擊時，測試結果表明usb不能正常工作，證明usbotg_b_dm引腳不能承受1kv的靜電釋放能力。利用同樣的方法，逐步調大施加給usbotg_b_dm引腳的電壓，對usb_adm晶片的其他各個引腳進行打擊，從而判斷其靜電釋放能力。
本發明優選的實施方式，預設範圍的電壓為0.5～1.5kv，pcb板上包括一tf接口，通過靜電槍對tf接口的各個引腳施加逐步調大的0.5～1.5kv的電壓，來判斷該tf接口是否能正常工作。
tf接口是非常脆弱的，在該實施例中，通過對tf接口的card_1_b引腳施加0.5kv的電壓，結果出現了死機現象，因此可以判斷出該card_1_b引腳不能承受0.5kv的靜電電壓。在該tf接口的card_2_b的引腳施加1.5kv的電壓時，同樣會出現死機現象，但是在被施加1kv的電壓時，tf接口可以正常工作，因此可以判斷出該card_2_b的引腳能承受1kv的靜電釋放能力。
本發明優選的實施方式，預設範圍的電壓為1.5kv，晶片還包括通用存儲器晶片，通過靜電槍對通用存儲器晶片的ddr地址走線施加1.5kv的電壓，來判斷該通用存儲器晶片是否能正常工作。在該實施例中，通過對通用存儲器晶片的ddr地址走線施加1.5kv的電壓，結果表明有時會出現死機現象。
本發明優選的實施方式，預設電壓範圍為0.5kv～1.5kv，pcb板上包括晶振和復位電路，通過靜電槍對晶振和復位電路的引腳在0.5kv～1.5kv的電壓範圍內逐步調大電壓，來判斷該晶振和復位電路是否能正常工作。
在該實施例中，通過對晶振電路的引腳施加1.5kv的電壓打擊，測試結果表明晶體附近gnd有時出現死機現象。而當晶振電路的引腳被施加0.5kv的電壓時，結果表明晶振電路可以正常工作。此外，當對復位電路施加1.5kv的電壓時，會出現電路重啟的現象。
以上僅為本發明較佳的實施例，並非因此限制本發明的實施方式及保護範圍，對於本領域技術人員而言，應當能夠意識到凡運用本發明說明書及圖示內容所做出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應當包含在本發明的保護範圍內。