一種非晶矽光電池的製造方法
2023-12-07 23:27:11 1
專利名稱：一種非晶矽光電池的製造方法
技術領域：
本發明涉及非晶矽太陽能電池的製造工藝方法，特別涉及以玻璃為基底的一種非晶矽光電池的製造方法。
公知的以玻璃為基底的非晶矽光電池的製造方法可以概括為，在玻璃基片上的透明電極的製備，透明電極上的非晶矽層的製備，雷射加工非晶矽層，背電極層的製備，保護封裝，切割測試。一般工藝流程如下透明導電膜玻璃基片→雷射加工透明電極→清洗→沉積非晶矽層→雷射加工非晶矽層→背電極加工製備→背電極保護層加工製備→引出電極加工製備→切割測試或另一工藝流程如下透明導電膜玻璃基片→蝕刻加工透明電極→清洗→沉積非晶矽層→雷射加工非晶矽層→背電極加工製備→背電極保護層加工製備→引出電極加工製備→切割測試上面兩個工藝流程中，雷射加工非晶矽層的過程要求很嚴，通過雷射對非晶矽層的加工刻劃，實現了相鄰非晶矽光電池單元的透明電極與另一個非晶矽光電池單元的背電極的連通，從而，實現了相鄰非晶矽光電池單元間的相互串聯連接。由於採用了雷射加工技術，相對的工藝技術比較嚴格，且要有相當資金成本的雷射設備的投入。同時，由於雷射加工的直線性，不宜於對不規則圖形的非晶矽光電池單元的加工，而且，又由於雷射線的線徑很小，無法實現透明電極與背電極間的有一定寬度的大面積接觸的連接。
本發明的目的在於提供一種非晶矽光電池的製造方法，此方法的優點在於，取消了傳統的雷射加工非晶矽層的工藝過程，採用特殊的蝕刻非晶矽層的工藝過程取而代之，從而實現了非晶矽光電池及單元電池不受規則圖形的限制，和透明電極與背電極間的連接接觸不受寬度的限制，並且，具有設備投資極少，製造工藝簡單，加工速度快，製造成本低的特點。
本發明的目的是通過以下方式實現的本發明一種非晶矽光電池的製造方法的工藝流程如下透明導電膜玻璃基片→蝕刻加工透明電極→清洗玻璃基片→沉積非晶矽層→背電極的加工製備→蝕刻加工非晶矽層→導電連接層的加工製備→背電極保護層的加工製備→引出電極的加工製備→切割加工→測試採用本發明一種非晶矽光電池的製造方法所製造的非晶矽光電池，其結構由，玻璃基底(1)、透明電極(2)、非晶矽層(3)、背電極(4)、導通連接層(5)、背漆層(6)及引出電極(7)構成。
本發明一種非晶矽光電池的製造方法的具體製造工藝步驟為a、在一定尺寸規格的透明導電膜玻璃基片上，按一定數量集成排版的非晶矽光電池的透明電極圖形設計，將抗蝕油墨絲印於該玻璃基片的透明導電膜面上形成集成透明電極圖形的抗蝕油墨層並烘乾固化；b、將絲印好透明電極抗蝕保護油墨並乾燥後的玻璃基片，送入蝕刻透明導電膜的設備中，按透明導電膜蝕刻工藝將裸露的透明導電膜蝕刻乾淨；然後，採用去除抗蝕油墨的工藝將玻璃基片上的抗蝕油墨去除乾淨；c、將已去除抗蝕油墨的玻璃基片，送入無塵環境中的玻璃清洗機中，按清洗工藝清洗該玻璃基片；d、將已經步驟c清洗好的玻璃基片，在無塵環境中裝入基片玻璃夾具中，按非晶矽沉積工藝要求，預熱後送入非晶矽沉積爐中沉積非晶矽薄膜；e、在已如上製作的非晶矽薄膜的玻璃基片上，採用磁控濺射或真空蒸鍍工藝製作鋁膜電極層；f、在已如上製作的鋁膜電極層的玻璃基片上，按與透明電極圖形排版設計相對應的圖形，採用特殊的製造成形工藝形成鋁膜背電極；g、在已如上製作的鋁膜背電極的玻璃基片上，按蝕刻非晶矽層的排版設計圖形印製蝕刻非晶矽的抗蝕油墨圖層；h、將已如上印製蝕刻非晶矽的抗蝕油墨圖層的玻璃基片，送入蝕刻非晶矽的設備中蝕刻非晶矽層的連接窗口或連接區或無矽區，將連接窗口內或連接區內或無矽區內的非晶矽去除乾淨；i、在已如上製作的蝕刻非晶矽層後的玻璃基片上，按導通連接層的排版設計圖形印製導通連接層圖層，將相鄰的非晶矽光電池單元電池間通過非晶矽層的連接窗口或連接區實現相鄰背電極與透明電極的接觸連接；j、在已如上製作的導通連接層圖層的玻璃基片上，按保護漆的排版設計圖形印製保護漆圖層，將背電極、導通連接層圖層及非晶矽層與空氣保護隔絕；k、在已如上製作的保護漆圖層的玻璃基片上，按與保護漆圖形排版設計相對應的引出電極圖形排版設計要求，印製非晶矽光電池的引出電極；L、將已印製好引出電極的玻璃基片，按該種非晶矽光電池的尺寸規格及外形加工的工藝要求，將玻璃基片上集成排列的該種非晶矽光電池切割加工為單體非晶矽光電池；m、將已切割加工為單體的非晶矽光電池按電性能測試的技術要求進行測試。
下面詳細描述本發明一種非晶矽光電池的製造工藝過程首先，在已準備好的透明導電膜玻璃基片上，採用絲網印刷法將耐酸油墨按集成透明電極的排版設計圖形印於透明導電膜面上形成集成化排版的非晶矽光電池的透明電極圖形，並經90℃、幾分鐘的熱烘固化；然後，將此玻璃基片放入透明導電膜蝕刻設備裡的酸性蝕刻液中，透明導電膜酸性蝕刻液為鹽酸、水和硝酸按一定的比例配製而成的專用蝕刻液體，在恆溫50至60℃、腐蝕時間2至5分鐘的條件下蝕刻裸露的透明導電膜並去除乾淨；將已蝕刻過透明導電膜的玻璃基片，投入配比為5％左右的氫氧化鈉溶液中和純水中去除耐酸油墨並送入無塵環境中的玻璃清洗機中，將玻璃基片清洗乾淨，即得到制好的集成化排版的非晶矽光電池透明電極的玻璃基片；之後，將此玻璃基片在無塵淨化環境條件下裝入夾具中，送入預熱爐中在恆溫200℃下預熱2.5小時後，送入非晶矽沉積爐中，採用13.56MHz輝光放電分解矽烷、磷烷、乙硼烷的工藝方法，在200℃的環境溫度下，按非晶矽的沉積工藝要求，在玻璃基片透明電極面上均勻的沉積一層非晶矽膜層即非晶矽光電轉換層；將如上製作的玻璃基片，在無塵淨化環境條件下裝入鋁膜蒸鍍機中，採用真空蒸鍍鋁膜工藝方法，在玻璃基片上的非晶矽膜層上面，均勻蒸鍍一層厚度約0.5μ的鋁膜電極層，然後，在已蒸鍍好的鋁膜上面，按集成背電極的排版設計圖形印製特製的抗蝕油墨，烘乾固化後，放入特製的鋁膜蝕刻液中，按蝕刻鋁膜的工藝要求，將裸露的鋁膜蝕刻乾淨，並取出洗淨烘乾即得到集成化的鋁膜背電極；在如上製作的玻璃基片上，按蝕刻非晶矽層的排版設計圖形印製特製抗蝕油墨的圖層，烘乾固化後，放入特製的非晶矽蝕刻液中，按蝕刻非晶矽的工藝要求，將裸露的非晶矽層蝕刻乾淨，然後取出洗淨烘乾，即得到集成化排列的非晶矽層的連接窗口或連接區或無矽區；在如上製作的玻璃基片上，按導通連接層的排版設計圖形及印製工藝要求，印製導電油墨(如碳漿)圖層，烘乾固化後得到集成化的導通連接層圖層，該導通連接層將非晶矽光電池中的一個單元的透明電極，通過非晶矽層連接窗口或連接區，與相鄰的一個單元的背電極，按設計順序要求實現接觸連接，從而實現非晶矽光電池中單元電池間的串聯連接；在如上製作的玻璃基片上，按保護背漆層的排版設計圖形及印製工藝要求，印製保護背漆層圖層，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化保護背漆後取出既得到集成化的保護背漆層圖層；在如上製作的玻璃基片上，按引出電極的排版設計圖形及印製工藝要求，印製導電漿料(如銅漿)圖層，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化後得到集成化的引出電極圖層；將如上製作的玻璃基片，按照單體非晶矽光電池的外形技術要求，進行外形切割與加工後，即得到單體的非晶矽光電池；將加工得到的單體的非晶矽光電池，按照測試工藝技術要求進行電性能測試及外觀檢查，即可得到所需要的非晶矽光電池的成品。
本發明一種非晶矽光電池的製造方法的獨到之處在於，採用蝕刻非晶矽的加工工藝取代了公知的雷射切割非晶矽的加工工藝；採用通過蝕刻非晶矽加工得到的連接窗口或連接區，使相鄰單元透明電極與背電極的接觸連接而實現相鄰電池單元間的串並聯連接的連接方法，取代了公知的通過雷射切割非晶矽的雷射線槽內相鄰透明電極與背電極的接觸連接而實現相鄰電池單元間的串並聯連接的連接方法；本發明一種非晶矽光電池的製造方法產生的極積效果在於1、可以方便的同時適用於進行大批量工業化生產各種類型的非晶矽光電池和錶盤應用的非晶矽光電池。
2、所生產的非晶矽光電池同時適用於強、弱光的使用環境。
3、取消了雷射加工的工藝與設備，大幅度減小了工裝設備的投資，節省了成本。
4、所生產的非晶矽光電池不受外形及單元電池圖形的限制。
5、所生產的非晶矽光電池的單元電池間的透明電極與背電極的接觸面積較大。
6、生產工藝簡單，技術難度低，易於推廣應用。
本發明一種非晶矽光電池的製造方法的優點在於生產技術工藝簡單，適應性強；產品性能優越，產品適應性強，製造成本低；適於大批量生產應用，易於推廣。
本發明所製造的非晶矽光電池可以由m個單元電池組成，其中m是除1以外的正整數。
下面結合附圖並參照具體實施例進一步描述本發明。
圖1為本發明製造的非晶矽光電池結構截面示意圖。
1-玻璃基片，2-透明電極，3-非晶矽層，4-鋁膜背電極，5-導通連接層，6-保護背漆，7-引出電極圖2為本發明實施例一所述的尺寸為55mm×20mm×1.1mm的非晶矽光電池的俯視平面示意圖。
8-透明電極，9-非晶矽層連接窗口圖3、為本發明實施例二所述的一款φ27.5mm×0.6mm的指針式手錶的非晶矽光電池錶盤的俯視平面示意圖。
10-透明電極，11-日曆透明窗口，12-中心錶針孔，13-定位圓口實施例1參照圖一，本實施例採用本發明方法所製造的非晶矽光電池尺寸為55mm×20mm厚度為1.1mm，由4個單元電池組成，輸出電壓2伏，電流20mA。
投片玻璃基片規格為355mm×406mm厚度為1.1mm的ITO透明導電膜玻璃，在此基片上非晶矽光電池的排版設計為17排7列共計119片。
圖二所示為本實施例一所製造的非晶矽光電池的俯視圖。
本實施例所製造的非晶矽光電池的製造工藝過程如下a、在投片玻璃基片上按所製造的非晶矽光電池的透明電極圖形以17排7列的119片排版設計，用120T絲網製成的透明電極絲印網版，將耐酸抗蝕油墨絲印於該玻璃基片的透明導電膜面上形成集成透明電極圖形，然後，送入烘箱中在90℃溫度下烘2分鐘固化後取出；b、將如上製作的玻璃基片送入腐蝕透明導電膜設備的透明導電膜蝕刻液中，在恆溫60℃的條件下，將裸露的透明導電膜蝕刻乾淨，然後取出投入5％的氫氧化鈉溶液中和純水中去除耐酸油墨，並經玻璃清洗機按清洗工藝將蝕刻透明導電膜後的玻璃基片清洗乾淨，至此，即製得本實施例一的四個單元電池的透明電極(8)；
c、將如上製作的玻璃基片在萬級淨化條件下裝入特製的非晶矽沉積夾具中，送入淨化環境中的預熱爐中，在200℃的恆溫下預熱2.5小時，然後立即送入淨化環境中的非晶矽沉積爐中，採用13.56MHz輝光放電分解矽烷、磷烷、乙硼烷，在200℃的溫度下，在玻璃基片透明導電膜面上沉積P-I-N型非晶矽膜層，其中P-型非晶矽層為摻硼的氫化碳化非晶矽膜，在透明導電膜面側，I-型本徵非晶矽層為氫化非晶矽膜，N-型非晶矽層為摻磷的氫化非晶矽膜；d、將如上製作的玻璃基片裝入真空鍍鋁機中，按真空蒸鍍鋁膜的工藝在非晶矽膜面上均勻地蒸鍍一層鋁膜電極層；e、將如上製作的玻璃基片按所製造的非晶矽光電池的背電極圖形以17排7列的119片排版設計，用120T絲網製成的背電極絲印網版，將抗蝕油墨絲印於該玻璃基片的鋁膜層上形成集成背電極圖形，然後，送入烘箱中烘乾固化後取出；f、將如上製作的玻璃基片送入蝕刻鋁膜設備的鋁膜蝕刻液中，在恆溫60℃的條件下，將裸露的鋁膜蝕刻乾淨，然後取出並經玻璃清洗機按清洗工藝將蝕刻鋁膜後的玻璃基片清洗乾淨，至此，即製得本實施例一的四個單元非晶矽光電池；g、將如上製作的玻璃基片按所製造的非晶矽光電池的非晶矽層的連接窗口的圖形以17排7列的119片排版設計，用120T絲網製成的非晶矽層的連接窗口絲印網版，將抗蝕油墨絲印於該玻璃基片上形成集成非晶矽層的連接窗口圖形，然後，送入烘箱中烘乾固化後取出；h、將如上製作的玻璃基片送入蝕刻非晶矽膜設備的非晶矽膜蝕刻液中，在恆溫60℃的條件下，將裸露的非晶矽膜蝕刻乾淨，然後取出並經玻璃清洗機按清洗工藝將蝕刻非晶矽膜後的玻璃基片清洗乾淨，至此，即製得本實施例一的四個單元電池的非晶矽層的連接窗口(9)，連接窗口的規格為8mm×0.4mm；i、將如上製作的玻璃基片按所製造的非晶矽光電池的導通連接層的圖形以17排7列的119片排版設計，用120T絲網製成的導通連接層的絲印網版，將高電導率、高附著力的碳漿絲印於該玻璃基片上形成集成導通連接層圖形，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化碳膜層後取出，至此，即製得本實施例一的四個單元電池的導通連接層，使四個單元電池通過非晶矽層的連接窗口及導通連接層實現了相鄰透明電極與背電極相互的串聯連接；j、將如上製作的玻璃基片按所製造的非晶矽光電池的保護背漆的圖形以17排7列的119片排版設計，用120T絲網製成的保護背漆絲印網版，將保護背漆絲印於該玻璃基片上形成集成保護背漆圖形，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化保護背漆後取出；k、將如上製作的玻璃基片按所製造的非晶矽光電池的引出電極的圖形以17排7列的119片排版設計，用120T絲網製成的引出電極絲印網版，將導電銅漿絲印於該玻璃基片上形成集成引出電極圖形，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化銅獎後取出，至此，即製得本實施例一的集成排版於尺寸為355mm×406mm厚度為1.1mm玻璃上的非晶矽光電池；L、將如上製作的玻璃基片放於精密玻璃切割機上，按非晶矽光電池規格要求55mm×20mm的尺寸切割為119片長方形的單體非晶矽光電池；m、將如上製作的非晶矽光電池放於光電池測試機上進行電性能測試，將電性能測試合格的非晶矽光電池進行清潔包裝入庫。
經如上所述的製作工藝過程，即製得了本實施例一的非晶矽光電池成品。
實施例2參照圖一，本實施例採用本發明方法所製造的非晶矽光電池為直徑φ27.5mm厚度0.6mm的具有日曆窗口及錶針孔的指針式手錶的錶盤非晶矽光電池成品。
圖三所示為本實施例二所製造的錶盤非晶矽光電池的俯視圖。
投片玻璃基片為規格為355mm×406mm厚度為1.1mm的ITO透明導電膜玻璃，在此基片上的排版設計為11排10列共計110片錶盤非晶矽光電池。
本實施例所製造的錶盤非晶矽光電池的製造工藝過程如下a、在投片玻璃基片上按所製造的錶盤非晶矽光電池的透明電極圖形以11排10列的110片排版設計，用120T絲網製成的透明電極絲印網版，將耐酸抗蝕油墨絲印於該玻璃基片的透明導電膜面上形成集成透明電極圖形，然後，送入烘箱中在90℃溫度下烘2分鐘固化後取出；b、將如上製作的玻璃基片送入腐蝕透明導電膜設備的透明導電膜蝕刻液中，在恆溫60℃的條件下，將裸露的透明導電膜蝕刻乾淨，然後取出投入5％的氫氧化鈉溶液中和純水中去除耐酸油墨，並經玻璃清洗機按清洗工藝將蝕刻透明導電膜後玻璃基片清洗乾淨，至此，即製得本實施例二的四個單元電池的透明電極(10)；c、將如上製作的玻璃基片在萬級淨化條件下裝入特製的非晶矽沉積夾具中，送入淨化環境中的預熱爐中，在200℃的恆溫下預熱2.5小時，然後立即送入淨化環境中的非晶矽沉積爐中，採用13.56MHz輝光放電分解矽烷、磷烷、乙硼烷，在200℃的溫度下，在玻璃基片透明導電膜面上沉積P-I-N型非晶矽膜層，其中P-型非晶矽層為摻硼的氫化碳化非晶矽膜，在透明導電膜面側，I-型本徵非晶矽層為氫化非晶矽膜，N-型非晶矽層為摻磷的氫化非晶矽膜；d、將如上製作的玻璃基片裝入真空鍍鋁機中，按真空蒸鍍鋁膜的工藝在非晶矽膜面上均勻地蒸鍍一層鋁膜電極層；e、將如上製作的玻璃基片按所製造的錶盤非晶矽光電池的背電極圖形以11排10列的110片排版設計，用120T絲網製成的背電極絲印網版，將抗蝕油墨絲印於該玻璃基片的鋁膜層上形成集成背電極圖形，然後，送入烘箱中烘乾固化後取出；f、將如上製作的玻璃基片送入蝕刻鋁膜設備的鋁膜蝕刻液中，在恆溫60℃的條件下，將裸露的鋁膜蝕刻乾淨，然後取出並經玻璃清洗機按清洗工藝將蝕刻鋁膜後的玻璃基片清洗乾淨，至此，即製得本實施例一的四個單元非晶矽光電池；g、將如上製作的玻璃基片按所製造的錶盤非晶矽光電池的非晶矽層的連接窗口的圖形以11排10列的110片排版設計，用120T絲網製成的非晶矽層的連接窗口絲印網版，將抗蝕油墨絲印於該玻璃基片上形成集成非晶矽層的連接窗口(9)及日曆透明窗口(11)圖形，然後，送入烘箱中烘乾固化後取出；h、將如上製作的玻璃基片送入蝕刻非晶矽膜設備的非晶矽膜蝕刻液中，在恆溫60℃的條件下，將裸露的非晶矽膜蝕刻乾淨，然後取出並經玻璃清洗機按清洗工藝將蝕刻非晶矽膜後的玻璃基片清洗乾淨，至此，即製得本實施例二的四個單元電池的非晶矽層的連接窗口(9)及錶盤日曆透明窗口(11)，連接窗口(9)規格為3mm×0.3mm，錶盤日曆透明窗口(11)規格為4mm×2.5mm；i、將如上製作的玻璃基片按所製造的錶盤非晶矽光電池的導通連接層的圖形以11排10列的110片排版設計，用120T絲網製成的導通連接層的絲印網版，將高電導率、高附著力的碳漿絲印於該玻璃基片上形成集成導通連接層圖形，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化碳膜層後取出，至此，即製得本實施例二的四個單元電池的導通連接層，使四個單元電池通過非晶矽層的連接窗口實現了相互的串聯連接；j、將如上製作的玻璃基片按所製造的錶盤非晶矽光電池的保護背漆的圖形以11排10列的110片排版設計，用120T絲網製成的保護背漆絲印網版，將保護背漆絲印於該玻璃基片上形成集成保護背漆圖形，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化保護背漆後取出；k、將如上製作的玻璃基片按所製造的錶盤非晶矽光電池的引出電極的圖形以11排10列的110片排版設計，用120T絲網製成的引出電極絲印網版，將導電銅漿絲印於該玻璃基片上形成集成引出電極圖形，然後，送入烘箱中，在恆溫160℃下，加熱半小時固化銅獎後取出，至此，即製得本實施例二的集成排版於為355mm×406mm厚度為1.1mm玻璃上的錶盤非晶矽光電池；L、將如上製作的玻璃基片放於精密玻璃切割機上，按35mm×35mm的尺寸切割為110片方形的單體錶盤非晶矽光電池；m、將如上製作的單體錶盤非晶矽光電池放於玻璃打孔機上，在單體錶盤非晶矽光電池的中心打出一個直徑φ1.80mm的邊緣光滑的通孔，即錶針孔(12)；n、將如上製作的單體錶盤非晶矽光電池放於精密玻璃切圓機上，將方形單體錶盤非晶矽光電池按電池規格要求切割為直徑φ27.50mm的外形；o、將如上製作的圓形錶盤非晶矽光電池放於精密玻璃磨口機上，按要求在兩個對稱定位點的位置磨出兩個定位圓口(13)；p、將如上製作的錶盤非晶矽光電池放於光電池測試機上進行電性能測試，將電性能測試合格的錶盤非晶矽光電池進行清潔包裝入庫。
經如上所述的製作工藝過程，即製得了本實施例二的直徑φ27.5mm厚度0.6mm的具有日曆窗口及錶針孔的指針式手錶的錶盤非晶矽光電池成品。
權利要求
1.一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於，所述的非晶矽光電池的製造方法的工藝過程為透明導電膜玻璃基片→蝕刻加工透明電極→清洗玻璃基片→沉積非晶矽層→背電極的加工製備→蝕刻加工非晶矽層→導電連接層的加工製備→保護層的加工製備→引出電極的加工製備→切割加工→測試；具體製造工藝步驟為a、在一定尺寸規格的透明導電膜玻璃基片上，按一定數量集成排版的非晶矽光電池的透明電極圖形設計，將抗蝕油墨絲印於該玻璃基片的透明導電膜面上形成集成透明電極圖形的抗蝕油墨層並烘乾固化；b、將絲印好透明電極抗蝕保護油墨並乾燥後的玻璃基片，送入蝕刻透明導電膜的設備中，按透明導電膜蝕刻工藝將裸露的透明導電膜蝕刻乾淨；然後，採用去除抗蝕油墨的工藝將玻璃基片上的抗蝕油墨去除乾淨；c、將已去除抗蝕油墨的玻璃基片，送入無塵環境的玻璃清洗機中，按清洗工藝清洗該玻璃基片；d、將已經步驟c清洗好的玻璃基片，在無塵環境中裝入基片玻璃夾具中，按非晶矽沉積工藝要求，預熱後送入非晶矽沉積爐中沉積非晶矽薄膜；e、在已如上製作的非晶矽薄膜的玻璃基片上，採用磁控濺射或真空蒸鍍工藝製作鋁膜電極層；f、在已如上製作的鋁膜背電極層的玻璃基片上，按與透明電極圖形排版設計相對應的圖形，採用特殊的製造成形工藝形成鋁膜背電極；g、在已如上製作的鋁膜背電極的玻璃基片上，按蝕刻非晶矽層的排版設計圖形印製蝕刻非晶矽的抗蝕油墨圖層；h、將已如上印製蝕刻非晶矽的抗蝕油墨圖層的玻璃基片，送入蝕刻非晶矽的設備中蝕刻非晶矽層的連接窗口或連接區或無矽區，將連接窗口內或連接區內或無矽區內的非晶矽去除乾淨；i、在已如上製作的蝕刻非晶矽層後的玻璃基片上，按導通連接層的排版設計圖形印製導通連接層圖層，將相鄰的非晶矽光電池單元電池間通過非晶矽層的連接窗口或連接區實現相鄰背電極與透明電極的接觸連接；j、在已如上製作的導通連接層圖層的玻璃基片上，按保護漆的排版設計圖形印製保護漆圖層，將背電極、導通連接層圖層及非晶矽層與空氣保護隔絕；k、在已如上製作的保護漆圖層的玻璃基片上，按與保護漆圖形排版設計相對應的引出電極圖形排版設計要求，印製非晶矽光電池的引出電極；L、將已印製好引出電極的玻璃基片，按該種非晶矽光電池的尺寸規格及外形加工的工藝要求，將玻璃基片上集成排列的該種非晶矽光電池切割加工為單體非晶矽光電池；m、將已切割加工為單體的非晶矽光電池按電性能測試的技術要求進行測試。
2.如權利要求1所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於非晶矽光電池的非晶矽層的連接窗口或連接區的加工採用蝕刻加工技術的製造工藝方法。
3.如權利要求1所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於由導通連接層通過非晶矽層的連接窗口或連接區實現相鄰背電極與透明電極的接觸連接，從而實現相鄰的非晶矽光電池單元電池間的串聯連接。
4.如權利要求1或2所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於所製造的非晶矽光電池及其單元電池不受其圖形形狀的限制。
5.如權利要求1或2所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於同時適用於各種類型的非晶矽光電池的大批量工業化生產。
6.如權利要求1或3所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於所製造的非晶矽光電池的導通連接層是由導電漿料採用絲印工藝製得。
7.如權利要求1或2所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於所製造的非晶矽光電池是以一定數量集成化排列在大面積玻璃基片上進行生產的。
8.如權利要求1或2所述的一種非晶矽太陽能電池的製造方法，其特徵在於所製造的非晶矽光電池的結構包括玻璃基底，透明導電膜電極，非晶矽層，背電極，導通連接層，保護背漆，引出電極。
9.如權利要求1或2所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於所製造的非晶矽光電池可由m個電池單元組成，其中，m是除1以外的正整數。
10.如權利要求1或8所述的一種非晶矽光電池的製造方法，其特徵在於所製造的非晶矽光電池可由m個電池單元組成，其中，m是除1以外的正整數。
全文摘要
一種非晶矽光電池的製造方法，採用蝕刻非晶矽的製造工藝技術替代原有的雷射加工非晶矽的製造工藝技術，生產技術工藝簡單，適應性強，適於工業化大批量生產應用，易於推廣；本發明所製造的非晶矽光電池，具有不受外形及單元電池圖形的限制，產品性能優越，適應性強，生產成本低的特點。
文檔編號H01L31/04GK1741288SQ200410075029
公開日2006年3月1日 申請日期2004年8月23日 優先權日2004年8月23日
發明者周慶明, 吳忠明, 何威, 賴新聯 申請人:周慶明