高頻疊加方法及使用了該方法的光碟裝置的製作方法
2023-12-08 12:19:51 1
專利名稱：高頻疊加方法及使用了該方法的光碟裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種在對光碟裝置記錄時將高頻分量疊加在半導體雷射器的驅動電流上來在光碟上記錄信息的高頻疊加方法及使用了該方法的光碟裝置，尤其涉及可高速、高密度記錄的高頻疊加方法及使用了該方法的光碟裝置。
背景技術：
在記錄型光碟中有僅可寫入一次的一次寫入型光碟(CD-R、DVD-R等)和可多次改寫的可重寫型光碟(CD-RW、DVD-RW等)。
作為光碟裝置的數據記錄時的動作，開始記錄數據時，必需首先使光學頭定位於期望盤上的道(紋)上，從期望的位置(切線方向位置)開始記錄。必需通過讀事先形成於盤上的地址信息來進行該定位。另外，為了實現與再現專用的盤(CD-ROM或DVD-ROM)進行再現互換，在用戶數據上附加對應於盤上記錄位置的地址信息並將其記錄到盤上。
在CD-R、CD-RW的情況下，通過使紋在半徑方向上進行微量蛇行(下面將此稱為擺動(Wobble)，將該再現信號稱為擺動信號)、並調製其頻率，以幀為單位(以x1倍速再現時相當於1/75秒)形成盤上的地址信息。另外，在DVD-R、DVD-RW的情況下，雖然使紋在半徑方向上進行微量蛇行、但不調製其頻率，將稱為LPP(脊的前置坑，Land Pre-Pit)的微小凹陷配置在上述蛇行的特定位置上，通過坑的有無來形成地址信息。
為了正確識別盤上位置並進行信息記錄，即使在記錄中也必需高精度讀擺動(識別地址信息)。但是，半導體雷射器受到來自盤的反射光的影響，半導體內部的共振狀態變化，其光輸出變化。由所謂返回光產生噪聲。尤其是可產生高輸出的半導體雷射器比再現專用的低輸出半導體雷射器更易受到返回光的影響，更易產生噪聲(高輸出半導體雷射器為了得到高輸出而降低雷射器端面的反射率，從而容易對外部產生高輸出。因此，返回光容易通過該端面進入雷射器內部的共振部，共振狀態變化，結果，容易產生噪聲)。
作為這種半導體雷射器的噪聲降低方法，已知在半導體雷射器的驅動電流上疊加高頻分量的高頻疊加方法。例如，在美國特許6,421,314號公報中公開了在再現動作時的半導體雷射器驅動電流上疊加高頻信號，同時在記錄動作時還使用共同的高頻疊加電路來進行在間隔(space)時(刪除時)和形成標記(mark)時最佳的頻率和/或振幅的高頻信號的疊加。
發明內容
如上所述，以前通過在半導體雷射器驅動電流上疊加高頻分量來降低由返回光產生的噪聲。
但是，當以疊加高頻分量後的半導體雷射器驅動電流為基礎來提供記錄電流時，則記錄電流上升沿位置或下降沿位置由於高頻分量的影響而變動，結果，存在標記始端的邊沿位置或終端邊沿位置變動的問題。該問題由於伴隨記錄型光碟高密度化的坑微小化或記錄速度的高速化而變為大問題。
因此，本申請的目的在於對使用了通過疊加高頻分量來降低由返回光引起的噪聲的方法的光碟裝置提供可在記錄數據時減少高頻分量影響的記錄方法/光碟裝置。
可通過以下手段來解決上述問題，即，(1)一種通過在光碟上形成標記或間隔來記錄信息的光碟裝置，其中，具備驅動電流生成裝置，用於提供由多個電平電流值構成、並由對應於標記長度的驅動波形構成的標記形成用半導體雷射器驅動電流和至少由1個電平電流值構成的間隔形成用半導體雷射器驅動電流；第一高頻疊加裝置，它使高頻分量疊加在上述間隔形成用半導體雷射器驅動電流上；和高頻疊加控制裝置，它控制上述高頻疊加電路，以便在比從間隔形成用半導體雷射器驅動電流向標記形成用半導體雷射器驅動電流的切換定時領先規定時間之後就停止高頻分量的疊加。
(2)一種通過照射來自雷射二極體的雷射在光碟上進行記錄的光碟記錄方法，其中，由以下步驟構成向上述雷射二極體提供對第一電流進行高頻疊加的電流的第一步驟；向上述雷射二極體提供不進行高頻疊加的第一電流的第二步驟；和向上述雷射二極體提供比上述第一電流大的第二電流的第三步驟，在上述第一步驟中，再現上述光碟的地址信息，在上述第三步驟中，在上述光碟上記錄數據。
圖1是表示當在半導體雷射器驅動電流上疊加高頻分量時，則由於高頻分量的相位、半導體雷射器驅動電流的變化定時發生了變動的狀態圖。
圖2是表示因高頻分量和標記形成驅動電流開始定時的相位變動引起的在標記始端部上的提供光能量之差、和因半導體雷射器振蕩延遲引起的標記形成用光輸出延遲的狀態圖。
圖3是表示比本發明的標記形成用雷射器驅動電流的開始定時(點P)領先Toff時間之後就停止高頻疊加的狀態的圖。
圖4是實施例1的結構圖(在間隔期間內進行HF疊加CD-R情況)。
圖5是高頻分量生成電路(HFM)15的結構圖。
圖6是半導體雷射器驅動部14的結構圖。
圖7是實施例1中寫策略(Write Strategy)及高頻疊加控制電路13-1的結構圖。
圖8是說明實施例1中寫策略及高頻疊加控制電路13-1的動作的時間圖(CD-R情況)。
圖9是說明實施例1中HF開/關(on/off)動作的時間圖(CD-R情況)。
圖10是實施例2的結構圖(在間隔及標記期間內進行HF疊加)。
圖11是實施例2中寫策略及高頻疊加控制電路13-2的結構圖。
圖12是說明實施例2中寫策略及高頻疊加控制電路13-2的動作的時間圖(CD-R情況)。
圖13是說明實施例2中HF開/關動作的時間圖(CD-R情況)。
圖14是說明實施例2中寫策略及高頻疊加控制電路13-2的動作的時間圖(CD-RW情況)。
圖15是說明實施例2中HF開/關動作的時間圖(CD-RW情況)。
圖16是實施例3的結構圖(使HF與記錄時鐘同步和控制HF的佔空比(Duty))。
圖17是實施例3中高頻分量生成電路(HFM)15-2的結構圖。
圖18是說明實施例3中高頻分量生成電路(HFM)15-2的HF佔空比控制動作的時間圖。
圖19是說明寫策略部的存儲寫策略參數的RAM(1)、RAM(2)的圖。
圖20是說明存儲HF開/關控制用定時參數的RAM(3)、RAM(4)的圖。
圖21是說明實施例3中HF開/關動作的時間圖(CD-R情況)。
圖22是說明實施例1中寫策略及高頻疊加控制電路13-2的動作的時間圖(CD-RW情況)。
具體實施例方式
使用現有技術來推進記錄型光碟的記錄速度高速化、高密度化時，標記始端邊沿位置或終端邊沿位置的變動變為大問題。首先，考察其原因。
根據如EFM調製和8-16調製等那樣把信息二值化後的調製信號來記錄向盤的信息記錄。二值中，一個對應於坑(標記)，另一個對應於脊(間隔)，如上述在盤上形成坑(標記)。坑(標記)和脊(間隔)的長度以記錄基準時鐘(以後也稱為chCLK)的周期Tw為單位，在EFM調製和8-16調製的情況下，其最短長度為3Tw。必需對應於應記錄的調製信號(以後也稱為NRZ信號)，在盤上形成對應長度的坑(標記)。
但是，在由上述調製信號來照射雷射的情況下，雷射在盤面上的光斑尺寸為與上述最短標記長度(3Tw)相等的尺寸，並且如上所述，因為一次寫入型盤或可重寫型盤利用由雷射照射引起的記錄層的熱變化，所以通過記錄層自身具有蓄熱和熱擴散等特性，盤上的坑(標記)長度和坑(標記)的始端邊沿位置和終端邊沿位置不同於期望長度和位置。結果，再現時變為跳動，增加了再現誤差率。
與之對應，在現有技術中，進行稱為所謂寫策略的記錄時記錄補償。具體而言，根據標記長度來變化標記形成的雷射照射開始定時和標記形成的雷射照射終止定時，以得到期望的標記始端邊沿位置和終端邊沿位置。另外，還採用了下述寫策略等還考慮脊(間隔)期間的熱影響，利用領先間隔長度和記錄標記長度的組合來補償標記形成的雷射照射開始定時，利用記錄標記長度和後續的間隔長度的組合來補償標記形成的雷射照射終止定時。以記錄基準時鐘周期Tw的1/20-1/30為單位來進行這些定時補償(邊沿補償)。
其中，在CD-R情況下，幾年前為1-4倍速的記錄速度，現在為10-16倍速的記錄速度，認為今後可實現24-32倍速的記錄速度的高速化。另外，在DVD的情況下，現在雖然為1-2倍速，但設想今後高速化至4-8倍速。這些記錄基準時鐘的頻率fchCLK(周期Tw)在CDx10倍速下fchCLK＝43.218MHz(Tw＝23ns)，在x32倍速下為138.3MHz(7.2ns)，在DVDx1倍速下fchCLK＝26.16MHz(Tw＝38.2ns)，在x4倍速下為104.6MHz(9.6ns)，在x8倍速下為209.3MHz(4.8ns)。在這種記錄速度的情況下，所謂寫策略的記錄脈衝邊沿補償的lstep(1個步驟)時間(Tw/20的情況)在CDx10倍速下為1.2ns，在CDx32倍速下為0.36ns，在DVDx1倍速下為1.9ns，在DVDx4倍速下為0.48ns，在DVDx8倍速下為0.24ns。由此，推進高速化，當記錄脈衝的邊沿補償的1step時間變短時，則不能忽視此前在低速記錄下不成問題的記錄脈衝邊沿的變動。
記錄脈衝邊沿變動的一個重要原因是記錄中疊加的高頻分量的影響。該高頻分量的影響有以下三個。
1)驅動半導體雷射器的記錄電流的邊沿變動2)半導體雷射器的振蕩延遲引起的記錄用光脈衝的邊沿變動3)高頻疊加引起的光脈衝和記錄用光脈衝時間間隔變動引起的在標記始端部處的提供光能量的變動。
因為這些影響中的任一個都是由於高頻分量的最佳頻率和記錄基準時鐘頻率不同而來，所以都由於高頻分量的相位對於標記形成用記錄電流的邊沿位置發生變動而產生的。
圖1表示上述1)驅動半導體雷射器的記錄電流邊沿變動狀態。該例中，表示不是交流而是直流地相加高頻分量的實例。圖1(a)表示不疊加高頻分量的情況下的半導體雷射器驅動電流。圖中點P處驅動電流變化，為了記錄標記而增加電流(該點P也稱為記錄電流的上升沿)。與之相對，圖1(b)和(c)表示疊加了高頻分量情況下的記錄電流的變化。該圖是多重曝光下的照片，電流波形因高頻分量和標記記錄電流邊沿(點P)的相位變化而具有某一寬度。(b)是點P處高頻分量的值最小的情況(變為最小的頻度高的情況)，(c)是點P處最大的情況(變為最大的頻度高的情況)。通過(b)和(c)的比較可知，高頻分量疊加後的電流波形的上升沿位置因點P處的高頻分量的相位變化而變動。在(b)和(c)的比較中，邊沿位置變動為約1ns pp(峰-峰)，為上述寫策略中的邊沿補償的1step時間(在CDx32下為0.36ns，在DVDx8下為0.24ns)以上的大變動量。變動量的高頻分量的振幅越大、且高頻分量的頻率越低，該變動量就越變大。在該圖中，雖然說明了標記記錄的開始時刻，但終止時刻也產生同樣的變動。
用圖2來說明半導體雷射器振蕩延遲引起的記錄用光脈衝的邊沿變動(上述2)和3))。其中，表示CD-R和DVD-R從間隔變化為標記形成時的半導體雷射器驅動電流和光輸出的關係。另外，表示交流疊加了高頻分量的情況。(a)表示點P(標記形成用記錄電流上升沿位置)處高頻分量從負側返回零的相位情況，(b)表示點P處高頻分量從正側返回零的相位情況。在點P以後(標記形成區間)是停止疊加高頻分量的情況。
下面說明點P以前(間隔區間)的動作(高頻疊加產生的窄光脈衝串)。在CD-R和DVD-R中的點P以前的間隔(脊)區間內，為了以良好的S/N(信噪比)得到上述擺動信號、地址信息再現和伺服信號，而進行高頻疊加並驅動半導體雷射器以使平均光功率與通常再現時相等。此時，當將半導體雷射器的振蕩閾值電流假設為Ith時，通過疊加高頻分量，使半導體雷射器的驅動電流從Ith以下的電流變化到Ith以上的電流，之後再變為Ith以下，由此來產生窄的光脈衝。
具體而言，當使驅動電流從Ith以下高速變化到Ith以上時，半導體雷射器伴隨著振蕩延遲開始振蕩。(即使變到Ith以上也不馬上振蕩)。變為Ith以下的驅動電流值越小時(疊加的高頻分量的振幅越大)振蕩延遲時間就越變長。通常，振蕩延遲時間為1-2ns的量級。另外，高輸出的半導體雷射器在振蕩開始時伴隨緩和的振動來振蕩。此時的光譜不是單一頻率(被稱為單模)，而具有多個頻率分量(被稱為多模)。緩和振動後變為單模。高頻疊加通過利用振蕩延遲在緩和振動期間中停止振蕩(發光)，使具有多個頻率分量的窄的脈衝發光，從而降低返回光的影響。
下面說明點P以後(標記形成區間)的光輸出(記錄用光脈衝的邊沿延遲)。如上所述，半導體雷射器在驅動電流從Ith以下高速變化到Ith以上的情況下，伴隨振蕩延遲開始振蕩(即光輸出)。從而，根據標記形成用驅動電流開始時刻之前的電流值相位在Ith以下或Ith以上多少，振蕩延遲時間不同，標記形成用光輸出的開始(振蕩、光輸出開始)定時變動了。
在圖2(a-1)、(a-2)的情況下，因為從Ith以下變化到IPw，所以與高頻疊加時一樣產生振蕩延遲，延遲標記形成用光輸出的開始時間。(b-1)、(b-2)的情況下，因為從Ith變化到IPw，所以半導體雷射器線性動作(發光與驅動電流成正比的光輸出)，不產生(a-1)、(a-2)那種振蕩延遲。
因為標記形成用驅動電流的開始時間(點P)與高頻分量的相位不同步，所以點P和其前的高頻分量的值隨機變化，結果，標記形成用光輸出的開始定時隨機變動。
這裡，說明由高頻疊加的光脈衝與記錄用光脈衝之間的時間間隔變動而產生的標記始端部的供給光能量的變動。圖2中，當從標記形成用光輸出的開始定時附近的供給光功率的點看時，在(a-1)、(a-2)的情況下，高頻疊加的光脈衝與標記形成用光脈衝的間隔寬，(b-1)(b-2)的情況下，由高頻疊加的光脈衝與標記形成用光脈衝的間隔窄，高頻疊加的光脈衝與標記形成用光脈衝相鄰(最接近)。這就變為標記形成開始時向盤提供光能量之差，表示盤上形成的標記始端邊沿位置對應於高頻分量的相位隨機變化。特別是在(a-1)、(a-2)情況下，隨著提供能量小，通過振蕩延遲延遲了標記形成用光脈衝的開始定時，由此與(b-1)、(b-2)的情況相比，盤上的標記始端邊沿位置在時間上偏後。
上面表示了由於高頻分量疊加，盤上的標記開始位置通過高頻分量和標記形成用驅動電流的開始位置的隨機相位變化而變動。即，(1)若在標記形成用驅動電流的開始位置附近(前後)疊加高頻分量，則標記形成用驅動電流自身的上升沿變動。即使在標記形成用驅動電流的開始位置處停止高頻分量疊加，(2)振蕩延遲因此前的高頻分量值而變化，標記形成用光輸出的開始定時也變動。另外，(3)標記形成用光輸出的開始定時附近的光提供功率通過高頻分量與標記記錄用驅動電流的相位變動而變化。這些變動使盤上的標記開始位置隨機變動，使再現時產生跳動惡化。特別是，在高速記錄時跳動惡化的影響變大。另外，可以說以上的情況對標記終止位置也一樣。
下面用附圖來說明本發明的實施例。
(實施例1)實施例1是在記錄中的間隔期間內疊加高頻分量的例子，是通過第一高頻疊加控制電路(HF開/關控制電路)控制高頻分量的疊加開始、停止的實施例。例如是假定CD-R記錄的實施例。
圖4中表示實施例1的結構圖。1是控制器(DSP)，2是柔性電纜，3-1是內置了寫策略的半導體雷射器驅動電路。4是半導體雷射二極體，5是監視半導體雷射二極體的輸出功率用的前監視器用受光元件，6是將前監視器用受光元件5的輸出電流變換為電壓的電流、電壓變換電路，7是以規定定時採樣/保持上述電流、電壓變換電路6的輸出的採樣/保持電路，8是將採樣/保持電路7的輸出值控制到規定電平(再現電平)狀態的自動讀功率控制電路，9是由受光來自盤的反射光的多個受光元件構成的盤反射光受光元件，10是將盤反射光受光元件9的各輸出電流變換為電壓的電流、電壓變換電路。
在該實施例中表示上述控制器1和自動讀功率控制電路8配置在光碟裝置的主板側(固定側)，內置了寫策略的半導體雷射器驅動電路3-1、半導體雷射二極體4、受光元件5、9、電流、電壓變換電路6、10和採樣/保持電路7安裝在光學頭上的實例。對光學頭的控制信號和光學頭的輸入輸出信號通過柔性電纜2與主板側連接。
內置了寫策略的半導體雷射器驅動電路3-1由以下構成要素構成。12是根據由控制器1提供的NRZ信號和後述的寫策略及由HF開/關控制器13-1提供的記錄時鐘chCLK來檢測標記長度、間隔長度和標記、間隔變化定時等的標記及間隔長度檢測電路，13-1是在低倍由控制器1提供的時鐘CLK後生成記錄時鐘chCLK的同時，輸出根據標記及間隔長度檢測電路12的輸出信號來控制高頻分量的疊加開/關的控制信號HF1_cont和選擇控制半導體雷射二極體4的輸出電平(記錄功率輸出電平Pw、刪除功率輸出電平Per、偏置功率電平Pb)的電平的控制信號OUTE_Pw、OUTE_Per、OUTE_Pb的寫策略和HF開/關控制器，14是對應於控制信號OUTE_Pw、OUTE_Per、OUTE_Pb來將對應於輸出電平Pw、Per、Pb的電流和對應於來自自動讀功率控制器8的電流Iapc_in的電流相加後輸出的半導體雷射器驅動部，15-1是生成對應於頻率FREQ和振幅AMP的高頻分量的高頻分量生成電路，17-1是設定高頻分量頻率的頻率設定用寄存器(FREQ1寄存器)，18-1是設定高頻分量振幅值AMP1的振幅設定用寄存器，21-1是生成通過寫策略和HF開/關控制器13-1提供的HF1_cont信號和控制器1提供的控制信號/WR(H＝Read，L＝Write)來開/關控制高頻分量生成電路15-1的輸出信號的HF控制邏輯電路，16是將半導體雷射器驅動部14和高頻分量生成電路15-1的輸出電流相加的加法電路，11是為了在內置了寫策略的半導體雷射器驅動電路3-1內部的各寄存器中設定值而將來自控制器1的串行數據變換為並行數據的串行接口電路。
下面說明實施例1各部分的結構和動作。圖6表示半導體雷射器驅動部14的結構。141是設定半導體雷射二極體4的輸出功率Pw的Pw寄存器，142是設定功率Per的Per寄存器，143是設定功率Pb的Pb寄存器。144是記錄電流用DA變換電路，145是電流放大輸入電流Iapc_in後輸出電流Iread的電流放大amp，146是將記錄電流用DA變換電路144的輸出電流Iwrite和電流放大amp145的輸出電流Iread相加的加法電路。Pw寄存器141、Per寄存器142和Pb寄存器143分別具有OE(輸出允許)端子，分別由寫策略和HF開/關控制器13-1提供的控制信號OUTE_Pw、OUTE_Per和OUTE_Pb來控制。通過這些控制信號將任一寄存器的輸出提供給記錄電流用DA變換電路144。記錄電流用DA變換電路144輸出對應於輸入值的電流，通過加法電路146來驅動半導體雷射二極體4。另外，記錄電流用DA變換電路144在控制信號/WR(H＝讀，L＝寫)為讀模式時其輸出變為禁止狀態(輸出電流＝零)。另外，Pw寄存器141、Per寄存器142和Pb寄存器143的設定值通過串行接口11由控制器1來設定。
圖5表示高頻分量生成電路(HFM)15-1的結構。151是輸出對應於設定高頻分量頻率的FREQ信號(FREQ1寄存器17-1的輸出)的控制電壓或控制電流的頻率設定用DA變換電路，152是輸出對應於設定高頻分量振幅值的AMP信號(AMP1寄存器18-1的輸出信號)的控制電壓或控制電流的振幅設定用DA變換電路，153是發生高頻分量的高頻分量用振蕩電路。由頻率設定用DA變換電路151的輸出來控制該高頻分量用振蕩電路153的振蕩頻率。154為可變電流增益放大電路，電流放大高頻分量用振蕩電路153的輸出後輸出。若該輸出電流為Ihf，則由振幅設定用DA變換電路152的輸出來控制Ihf的電流振幅。
另外，可變電流增益放大電路154通過寫策略和HF開/關控制器13-1提供的控制信號HF開/關cont來控制其輸出電流的開/關(輸出允許/禁止)。在HF開/關cont高時，輸出電流Ihf(開)，在低時斷開(關)。
圖7表示實施例1中寫策略和HF開/關控制器13-1的結構。寫策略和HF開/關控制器13-1由131的寫策略部和132的第一高頻疊加控制電路構成。
寫策略部131由以下構成要素構成。131-4是由相位比較器和帶分接頭的VCO(壓控振蕩器)構成的PLL(鎖相環)。相位比較器對控制器1提供的時鐘CLK和帶分接頭的VCO輸出信號chCLK進行頻率和相位比較，用其相位誤差來控制帶分接頭VCO的振蕩頻率和相位。該帶分接頭VCO的輸出信號chCLK作為記錄時鐘。另外，帶分接頭VCO由40個可變延遲元件構成，通過形成一個閉環來構成振蕩電路(環形振蕩器)。將各可變延遲元件的輸出作為分接頭來輸出。當把該分接頭輸出作成從subclk0～subclk39時，subclkn和subclkn+1的時間差變為記錄時鐘chCLK的周期Tw的1/40。該子時鐘subclk0-39被提供給後述的計時器，能夠以Tw/40為單位來進行對OUTE_Pw、OUTE_Per、OUTE_Pb和HF1_cont信號的控制。
131-1對應於標記間隔長度檢測電路12的檢測結果來以每個記錄時鐘chCLK的周期Tw為單位輸出預定的地址信號address_1、address_2和address_3。提供該地址信號作為後述的RMA(1)131-1、RAM(2)131-3和第一高頻疊加控制電路132的RAM(3)132-1的地址。
RAM(1)131-2和RAM(2)131-3是RAM(隨機存取存儲器)，存儲寫策略用參數。在本實施例中，如圖19所示，RAM(1)131-2存儲Tsfp(第一脈衝的開始定時)、Tslp(最後脈衝的開始定時)和Tecp(冷卻脈衝結束的定時)各16個參數和Tsmp(多個脈衝的開始定時)一個參數，共計49個參數。
Tsfp參數由領先的間隔長度3T、4T、5T和6T以上4種和記錄的標記長度3T、4T、5T和6T以上的4種組合構成的16個參數構成。其中，所謂Tsfp(3s-4m)表示領先的間隔長度為3T、記錄的標記長度為4T的情況下的第一脈衝的開始定時(距規定的基準定時的時間)。同樣，Tslp(4m-5s)表示記錄的標記長度為4T、後續的間隔長度為5T情況下的最後脈衝的開始定時(距規定的基準定時的時間)。
RAM(2)131-3存儲Tefp(第一脈衝結束的定時)和Telp(最後脈衝結束的定時)各16個參數和Temp(多個脈衝結束的定時)一個參數，共計33個參數。Tefp(3s-4m)表示領先的間隔長度為3T、記錄的標記長度為4T的情況下的第一脈衝結束的定時，Telp(4m-5s)表示記錄的標記長度為4T、後續的間隔長度為5T情況下的最後脈衝結束的定時。
RAM(1)131-2和RAM(2)131-3通過上述地址信號address_1、address_2來選擇對應的參數，輸出其定時數據。定時數據是以Tw/40為單位的距各規定的基準定時的時間。
Tsfp表示設定定時後功率向功率Pw遷移，Tefp表示設定定時後功率向功率Pb遷移，以下同樣，Tslp表示向Pw遷移，Telp表示向Pb遷移，Tecp表示向Per遷移，Tsmp表示向Pw遷移，Temp表示向Pb遷移。因此，RAM(1)131-2對應於address_1的值輸出表示由address_1選擇了的參數向Pw遷移或向Per遷移的信號Pw/Per。另一方面，RAM(2)131-3的定時參數因為是表示全部向Pb遷移的參數，所以不輸出對應於Pw/Per的信號。
RAM(1)131-2和RAM(2)131-3在對應於定時參數的地址值的情況下輸出對應的定時參數值，而在輸入了定時參數以外的地址的情況下輸出數據＝00h。
計時器(1)131-5以Tw為單位，對於由RAM(1)131-2提供的定時數據檢測其值是否有00h。檢測結果在00H的情況下不開始任何動作。在00h以外的情況下，使內部計時器動作，在對應的定時來輸出超時信號。
內置計時器測量將chCLK(Tw周期)和subclk0-39(Tw/40級)設定為基礎的定時。
在定時數據不是00h，Pw/Per信號表示Pw的情況下(例如Tsfp)，從Pw輸出端子輸出超時_Pw信號。在Pw/Per信號表示Per的情況下(例如Tecp)，從Per輸出端子輸出超時_Per信號。計時器(2)131-5也同樣，對來自RAM(2)131-3的定時數據檢測是否為00h，在檢測結果不是00h的情況下，使內部計時器動作，在對應的定時來輸出超時_Pb信號。
輸出允許信號生成電路131-7根據計時器(1)131-5和計時器(2)131-6提供的超時_Pw、超時_Per和超時_Pb信號，生成OUTE_Pw、OUTE_Per和OUTE_Pb的控制信號。利用超時_Pw信號使OUTE_Pw變高(允許)，使其它控制信號變低(禁止)。另外，利用超時_Per信號使OUTE_Per變高，使其它控制信號變低。同樣，利用超時_Pb信號，使OUTE_Pb變高，使其它控制信號變低。由此，進行動作，使一個輸出允許信號變為允許，其它變為禁止，來選擇一個功率(Pw、Per、Pb之一)。
用圖22來說明寫策略部131的具體動作定時。圖22表示CD-RW或DVD-RW記錄時的動作。寫策略部131通過對應於對應的記錄媒體來設定定時參數，得到期望的半導體雷射器驅動電流，在CD-RW及DVD-RW的情況下，最複雜地、且各定時參數都有效地進行動作。在CD-R的情況下，僅通過特定的定時參數的動作就可得到期望的半導體雷射器驅動電流。因此，這裡通過CD-RW或DVD-RW記錄時的動作來說明寫策略部131的動作定時。
圖22的(1)是記錄時鐘chCLK，(2)是/WR信號，(3)是由寫策略部131的內部定時信號將控制器1提供的NRZ信號(H＝標記，L＝間隔)延遲一定時間(以Tw為單位)後的信號。(4)表示期望的半導體雷射器驅動電流。(10-1)表示計時器(1)131-5的動作，(10-2)表示計時器(2)131-6的動作。(11-1)表示超時_Pw信號，(11-2)表示超時_Per信號，(11-3)表示超時_Pb信號。另外，(5-1)表示OUTE_Pw控制信號，(5-2)表示OUTE_Per控制信號，(5-3)表示OUTE_Pb控制信號。
在圖22中，如(3)所示，T3-T5這3T區間和T9-T12這4T區間對應於標記。寫策略部131以(3)所示延遲了的NRZI信號為基準而動作。
如圖22(10-1)所示，計時器(1)131-5在T2區間的開始定時上取入Tsfp的定時數據，在T4的開始定時上取入Tslp的定時數據，在T5的開始定時上取入Tecp的定時數據。這些定時數據為不是00h的有效數據。同樣，在T8、T10、T11、T12的各開始定時上取入Tsfp、Tsmp、Tslp、Tecp的有效數據。在上述之外的T區間中，由RAM(1)131-2提供變為00h的無效數據，但作為無效數據，不取入。
在T2區間的開始，若取入有效數據(非00h)的Tsfp，則使內部計時器開始動作，如(11-1)所示，在與定時數據一致的定時上(以Tw/40為單位)輸出超時_Pw信號。在該圖中，用箭頭表示內部計時器的動作。箭頭的始端表示計時器開始，終端表示超時。如(11-1)和(11-2)所示，若計時器(1)131-5變為超時，則輸出由脈衝構成的超時_Pw信號和超時_Per信號。
同樣，如(10-2)所示，計時器(2)131-6在T2、T4、T8、T10和T11的開始定時上取入Tefp、Telp、Tefp、Temp和Telp的有效數據，使內部計時器開始動作，如(11-3)所示，在與定時數據一致的定時處輸出超時_Pb信號。
這裡，Tsfp、Tefp、Tslp、Telp和Tecp分別是對應於領先間隔長度、標記長度和後續的間隔長度的組合的參數值。在圖中，為了避免麻煩，不記入標記與間隔的組合值。
在圖22中，表示了標記長度為3T和4T的情況，在5T的情況下，把T10區間中表示的多個脈衝狀態(Tsmp、Temp)插入1T區間。在6T標記的情況下，將其插入2T區間。同樣，若標記長度變長，則重複該多個脈衝狀態，從延遲了的NRZI的標記終止2T前繼續為(Tslp、Telp)狀態、(Tecp)狀態。
輸出允許信號生成電路131-7對應於(11-1)、(11-2)、(11-3)所示超時信號，如(5-1)、(5-2)和(5-3)所示，應選擇對應的輸出電平(Pw、Per、Pb)，使對應的功率控制信號變高(允許)，其它控制信號變低(禁止)。
將該控制信號OUTE_Pw、OUTE_Per和OUTE_Pb供給半導體雷射器驅動部14，使其輸出電流變化。
圖8中表示實施例1中的寫策略部131的動作和其動作定時。圖中的(1)、(2)、(30與上述圖22相同，表示記錄時鐘chCLK、/WR信號和延遲了的NRZI信號。(4)表示CD-R記錄時期望的半導體雷射器驅動電流。(10-1)和(10-2)同樣表示計時器(1)131-5和計時器(2)131-6的動作。圖中的定時參數的表示中，字體用斜體表示的參數表示其值變為00H的無效數據。從而沒有表示計時器動作的箭頭。
在CD-R記錄的情況下，如(4)所示，由一個記錄脈衝來形成標記。利用標記和間隔組合來微小調整該標記形成用半導體雷射器驅動電流的開始定時和終止定時，調整記錄電流波形以使盤上的標記變為規定長度和規定開始、終止位置。通過標記和間隔長度的組合來改變各定時參數設定值的值，由此來進行該調整。因此，如(10-1)所示，使Tsfp和Tecp的定時參數變為有效數據，其它參數全部變為00h的無效數據。
Tsfp對應於標記記錄電流的開始定時，Tecp對應於標記記錄電流的終止定時。
當計時器(1)131-5用Tsfp變為超時時，則輸出由脈衝構成的超時_Pw信號。當計時器(1)131-5因Tecp變為超時時，則輸出由脈衝構成的超時_Per信號。對應於該超時信號，如圖中(5-1)和(5-2)所示，輸出OUTE_Pw信號和OUTE_Per信號。
圖7表示第一高頻疊加控制電路132的結構。RAM(3)132-1為與上述RAM(1)131-2和RAM(2)131-3一樣的RAM，存儲HF疊加開始、終止的定時參數HF1_on和HF1_off。RAM(3)132-1由地址生成電路131-1提供的地址信號address_3控制，將對應的地址存儲值作為定時數據輸出，同時，address_3通過HF1_on的地址值或HF1_off的地址值來輸出HF1_開/關信號。
計時器(3)132-2是與計時器(1)131-5相同結構的計時器。根據PLL131-4提供的subclk0-39的子時鐘(Tw/40級)和記錄時鐘chCLK(Tw周期)來進行設定時間的測量，若與設定值一致(若超時)，則輸出脈衝。內部計時器對HF1_off的定時數據開始動作後，若與設定定時一致，則變為超時，從HF1_off端子輸出脈衝。內部計時器對HF1_on的定時數據開始動作後，若與設定定時一致，則變為超時，從HF1_on端子輸出脈衝。HF1_on和HF1_off的定時數據是與上述寫策略部131一樣以Tw/40為單位的設定值。
132-3是RS觸發器，由HF1_on端子的脈衝置位，由HF1_off端子的脈衝復位。該RS觸發器132-3輸出為HF1_cont信號。
圖8的(12-1)和(6-1)中表示第一高頻疊加控制電路132的動作定時。在本實施例中，例如在T1區間的開始定時處將HF1_off的定時參數取入計時器(3)132-2中，開始內部計時器的動作。在本實施例中，因為在Tsfp的定時(標記記錄電流的開始定時)之前停止高頻分量的疊加，所以使HF1_off的定時參數的取入定時比Tsfp的取入定時領先1T。因為比Tecp的定時(標記記錄電流終止定時)延遲來開始高頻分量的疊加，所以使Tecp與HF1_on的定時參數的取入定時相同。如(6-1)所示，由HF1_off的超時來復位HF1_cont信號，由HF1_on的超時來置位(高)該信號。
圖9表示實施例1的HF開/關控制動作。圖9的(1)、(2)、(3)、(4)、(5)和(6-1)與圖8相同。在OUTE_Pw高時，半導體雷射器驅動電流變為Ipw(變為Pw寄存器選擇狀態，在記錄電流Iw上加上讀電流Iread後的電流值)，在OUTE_Per高時，變為IPread(變為Per寄存器選擇狀態，在記錄電流Ier上加上Iread後的電流值)。CD-R時，通過將Per寄存器的設定值設為00h，則Ier＝0，使通常再現時的電流Iread與記錄中的間隔區間的電流Iread+Ier為相同值。
(7-1)是根據HF1_cont信號和/WR，用HF控制邏輯電路21-1生成的HF開/關_cont信號。該信號進行高頻分量生成電路(HFM)15-1的輸出電流的開/關控制。(8)表示高頻分量生成電路(HFM)15-1的輸出電流Ihf的開/關狀態。這裡，用Thf1_turn_off和Thf1_turn_on來表示輸出電流Ihf對HF_開/關_cont信號的控制延遲時間。通常，大的電流(數十mA量級的電流)的開/關控制產生不少控制延遲。
(4)所示Thf1_off時間表示截斷高頻分量Ihf之後到標記記錄開始定時(OUTE_Pw的開始邊沿)的時間。另外，所示Thf1_on表示從標記記錄終止定時(正確地說，當假定標記記錄電流的下降時間為Tf時，它是從OUTE_Pw終止開始經Tf時間之後)到高頻分量疊加開始的時間。
在本實施例中，考慮到Tsfp值(標記記錄開始的定時)的變化範圍來設定上述HFf1_off的定時參數值，以使Thf1_turn_off時間+Thf1_off時間在規定值以上。同樣，考慮到Tecp值(標記記錄終止的定時)的變化範圍來設定HFf1_on的定時參數值，以使Thf1_on時間在零以上。結果，Thf1_turn_off時間和Thf1_on時間可在零以上，可避免現有技術中所述的因高頻分量疊加引起的標記邊沿的變動。
圖3表示Thf1_off時間在高頻分量周期Tosc一半以上的情況。是對點P在點Q停止高頻分量疊加的實例。圖中的虛線是在圖2所示實例中在點P停止高頻疊加的情況。在(a)、(b)的情況下，因為從點Q開始停止點P的區間高頻分量的疊加，所以從點Q開始點P區間的半導體雷射器驅動電流都相同，在相同的定時上開始標記形成用光輸出。在圖2(a)的情況下，產生振蕩延遲並延遲，在(b)的情況下，沒有振蕩延遲就開始了標記形成用光輸出。
另外，通過變長Toff期間(Thf_off期間)，可減小(a)和(b)的高頻分量與標記形成驅動電流的開始定時的相位變動引起的在標記始端部處的提供光能量的變動。
在以上說明的實例中，如圖20(1-2)所示，RAM(3)132-1a中存儲的參數是HF1_off和HF1_on這兩個定時參數的情況。由此，若標記開始定時隨標記、間隔長度而變化，則高頻疊加的停止時間Thf1_on和Thf1_off時間變化。有必要將停止時間的最小值設定在標記始端和終端部處的提供光能量變動小且盤上的標記邊沿變動可忽視的程度。
如圖20(1-1)所示，也可以把RAM(3)132-1a中存儲的HF1_off和HF1_on的定時參數，與寫策略的定時參數一樣，對應於領先的間隔長度和記錄的標記長度的組合來將HF1_off設為16個參數，另外，對應於記錄的標記長度和後續的間隔長度的組合將HF1_on設為16個參數。此時，RAM(3)132-1a的地址信號address_3與寫策略部的RAM(1)131-2、RAM(2)131-3一樣，從地址生成電路131-1提供對應於標記、間隔長度的地址值。
由此，可以把HF1_off(as-bm)作成為，對應於Tsfp(as-bm)(這裡，a表示間隔長度，b表示標記長度)的設定值，對於間隔、標記長度的組合，經常使停止時間Thf1_off成為恆定。具體而言，這可以通過設定HF1_off(as-bm)以便在對應的間隔、標記長度的組合中兩者的設定值之差為恆定值來實現。結果，可以使全部長度的標記始端邊沿的高頻分量產生的影響相同。同樣，可以把HF1_on(bm-as)作成為對應於Tecp(bm-as)的設定值，對於標記、間隔長度的組合經常使停止時間Thf1_on成為恆定。結果，可以使全部長度的標記終端邊沿的高頻分量產生的影響相同。
另外，通過將特定時間參數值HF1_on(bm-as)設定為00h，可停止特定間隔長度下的高頻分量的疊加。例如，可在間隔長度短的情況下停止高頻分量的疊加。由此，在間隔長度短的情況下也可以增大Thf1_off和Thf1_on的期間，可更降低高頻分量疊加產生的影響(在標記始端、終端部上的光提供能量的變動)。
如上所述，在實施例1中，對於在CD-R等的間隔期間內疊加高頻分量的高頻疊加方法，領先於標記形成用半導體雷射器驅動電流的開始定時而停止Thf1_off時間高頻分量的疊加，同時，在標記形成用半導體雷射器驅動電流終止定時後在Thf1_on時間後開始疊加高頻分量，所以可避免標記形成用半導體雷射器驅動電流和標記形成用光輸出的開始時和終止時的高頻分量的影響(源於高頻分量控制延遲等的重疊所產生的影響和振蕩延遲變動的影響)。另外，通過增大Thf1_off和Thf1_on時間，可進一步減少高頻分量的影響(在標記始端、終端部處的提供光能量的變動)。
(實施例2)實施例2是在記錄中的間隔期間和標記期間內疊加高頻分量的實例，是利用第一高頻疊加控制電路控制間隔期間高頻分量的疊加開始、停止，利用第二高頻疊加控制電路控制標記期間高頻分量的疊加開始、停止的實施例。例如，是假設在再現時和記錄中在間隔期間內的高頻疊加、和把與其不同的條件的高頻分量在標記期間內進行疊加的CD-R記錄的實施例。另外，是假設進行再現時的高頻分量疊加和記錄時的在間隔期間內的高頻分量疊加，兩者高頻分量的頻率或振幅不同的CD-RW等的記錄的實施例。
圖10表示實施例2的結構圖。具有與實施例1相同的功能的裝置標以相同號碼。與實施例1不同之點是追加了設定第二條件高頻分量的頻率的FREQ2寄存器17-2；選擇FREQ1寄存器17-1和FREQ2寄存器17-2的輸出之一的切換電路19；設定第二條件高頻分量振幅的AMP2寄存器18-2；以及選擇AMP1寄存器18-1和AMP2寄存器18-2的輸出之一的切換電路20。還有一點是，在寫策略和HF開/關控制器13-1中設置第二HF開/關電路，作成了寫策略和HF開/關控制器13-2以便同時輸出HF1_cont信號和HF2_cont信號。另外一點是，把HF控制邏輯電路作成了HF控制邏輯電路21-2，它利用WR信號、HF1_cont信號及追加的HF2_cont信號輸出HF_1/2_選擇信號來控制上述切換電路19和20，同時，輸出HF_開/關_cont信號來控制高頻分量生成電路(HFM)15-1的高頻分量Ihf的輸出開始、停止。
圖11表示實施例2的寫策略和HF開/關控制器13-2的結構。與實施例1的寫策略和HF開/關控制器13-1的不同之點是，追加了第二高頻疊加控制電路133。
如圖11所示，第二高頻疊加控制電路133的結構是與第一高頻疊加控制電路132相同的結構。RAM(4)133-1存儲第二條件的HF疊加開始、終止定時參數HF2_on和HF2_off。在本實施例中，如圖20(2-1)所示，HF2_on和HF2_off參數是分別對應於標記、間隔長度的組合的16種參數。另外，如圖20(1-1)所示，在第一高頻疊加控制電路的RAM(3)132-1中存儲的HF1_on和HF1_off的參數是分別對應於標記、間隔長度的組合的16種參數。
RAM(4)133-1與RAM(3)132-1一樣，由地址生成電路131-1提供的地址信號address_4控制，將對應的地址的存儲值作為定時數據輸出，同時，address_4根據是HF2_on的地址值還是HF2_off的地址值來輸出HF2_開/關信號。
計時器(4)133-2是與計時器(3)132-2相同結構的計時器。根據PLL131-4提供的subclk0-39的子時鐘(Tw/40)和記錄時鐘chCLK(Tw周期)，進行設定時間的測量，若與設定值一致(若超時)，則輸出脈衝。對於HF2_off的定時數據，若與設定定時一致，則超時，並從HF2_off端子輸出脈衝。對於HF2_on的定時數據，若與設定定時一致，則超時，並從HF2_on端子輸出脈衝。HF2_on和HF2_off的定時數據與上述寫策略部131一樣是以Tw/40為單位的設定值。133-3是RS觸發器，由HF2_on端子的脈衝來置位，由HF2_off端子的脈衝來復位。該RS觸發器133-2的輸出為HF2_cont信號。
下面以在間隔期間(和讀期間)及標記期間內疊加不同條件的高頻分量為例，示出將實施例2適用於CD-R記錄中的實例。
圖12表示將實施例2適用於CD-R記錄的情況下的寫策略和HF開/關控制器13-2的動作定時。與實施例1的寫策略和HF開/關控制器13-1的動作定時不同之點是追加了圖中(12-2)所示的第二高頻疊加控制電路133的動作、和(6-2)所示的輸出信號HF2_cont。
本實施例中，例如在T2區間的開始定時上將HF2_on的定時參數取入計時器(4)133-2中，開始內部計時器的動作。第二高頻疊加控制電路控制標記期間的高頻分量的疊加開始、停止。為了在Tsfp的超時後開始高頻疊加，在與Tspf相同的定時上取入HF2_on定時參數。由於標記期間中的高頻分量的停止領先於Tecp(標記記錄電流終止定時)進行，所以比Tecp的取入定時領先1T取入HF2_off的定時參數。
如圖中(6-2)所示狀態，由HF2_off的超時(圖中箭頭的終端時間)來復位HF2_cont信號，由HF2_on的超時來置位(高)該信號。圖中表示在T2開始定時上的HF2_on引起的計時器(4)133-2動作的箭頭為虛線，這一點表示把在該定時上的標記、間隔長度的組合HF2_off(as-bm)的定時參數值作成00h，使計時器(4)133-2不動作。若將該定時參數值設定為00h以外的有效值，則進行例如虛線所示的動作。
這表明，對應於標記、間隔長度的組合，通過將HF2_on(as-bm)的值設為00h或有效值，可控制是否對特定標記進行高頻疊加。例如可僅對6T以上的標記進行高頻疊加。另外，與實施例1相同，通過設定HF1_(bm-as)的時間參數值(00h或有效數據)，可控制是否對特定間隔進行高頻疊加。
由此，停止在規定值以下的標記期間或間隔期間中的高頻分量的疊加，可更降低高頻分量疊加產生的影響(在標記始端部、終端部處的光提供能量的變動)。
圖13表示將實施例2適用於CD-R記錄情況下的HF開/關控制動作。與實施例1的不同之點是，在標記期間疊加了第二條件的高頻分量。圖13的(1)、(2)、(3)、(5)和(6-1)與實施例1的圖9相同。如上所述，(6-1)是第一高頻疊加控制電路132的輸出信號HF1_cont，(6-2)是本實施例中追加了的第二高頻疊加控制電路133的輸出信號HF2_cont。(7-1)和(7-2)是圖10所示HF控制邏輯電路21-2的輸出信號。HF控制邏輯電路21-2根據HF1_cont信號、HF2_cont信號及/WR信號生成(7-1)所示的HF_開/關_cont信號和(7-2)所示的HF_1/2_選擇信號。該HF_開/關_cont信號進行高頻分量生成電路(HFM)15-1的輸出電流Ihf的開/關控制。另外，如圖10所示，HF_1/2_選擇信號控制切換電路19和20。在HF_1/2_選擇信號為高的情況下，選擇FREQ1寄存器17-1的輸出和AMP1寄存器18-1的輸出，並使高頻分量生成電路(HFM)15-1生成第一條件的高頻信號。另外，在HF_1/2_選擇信號為低的情況下，選擇FREQ2寄存器17-2的輸出和AMP2寄存器18-2的輸出，並使高頻分量生成電路(HFM)15-1生成第二條件的高頻信號。間隔期間為第一條件的高頻分量疊加，標記期間為第二條件的高頻分量疊加。
圖13(8)表示高頻分量生成電路(HFM)15-1的輸出電流Ihf的開/關狀態。間隔期間的第一高頻分量疊加與實施例1相同。對於第二高頻分量疊加，用Thf2_turn_off和Thf2_turn_on表示輸出電流Ihf對HF_開/關_cont信號的控制延遲時間。
該圖的(4)所示的Thf2_off時間表示截斷第二高頻分量Ihf之後到標記記錄終止定時的時間。另外，Thf2_on時間表示從標記記錄開始定時開始到第二高頻分量疊加開始的時間。
在間隔期間內的第一高頻分量疊加中，用於使Thf1_turn_off時間+Thf1_off時間在規定值以上的HF1_off的定時參數HF1_off(as-bm)的設定和用於使Thf1_on時間在零以上的Thf1_on的定時參數HF1_on(bm-as)的設定與實施例1相同。
另外，即使在標記期間內的第二高頻分量疊加中，也可對應於Tecp值(標記記錄終止定時)來設定HF2_off的定時參數HF2_off(bm-as)的設定值，以便Thf2_turn_off時間+Thf2_off時間在規定值以上。另外，對應於Tsfp值(標記記錄開始的定時)來設定Thf2_on的定時參數HF2_on(as-bm)的設定值，以便Thf2_on時間在零以上。
結果，在標記記錄開始定時之前Thf1_off時間和其後Thf2_on時間之間停止高頻分量的疊加。另外，在標記記錄終止定時之前Thf2_off時間和其後Thf1_on時間之間停止高頻分量的疊加。
如上所述，在實施例2的在CD-R等間隔期間和標記期間內疊加不同條件的高頻分量的方法中，在標記形成用半導體雷射器驅動電流的開始定時前後的Thf1_off時間和Thf2_on時間之間停止高頻分量的疊加，同時，在標記形成用半導體雷射器驅動電流的終止定時前後的Thf2_off時間和Thf1_on時間之間停止高頻分量的疊加，所以可避免標記形成用半導體雷射器驅動電流和標記形成用光輸出的開始和終止時高頻分量的影響(源於高頻分量控制延遲等的重疊所產生的影響和振蕩延遲變動的影響)。另外，通過擴大上述高頻疊加停止區間，可進一步減少高頻分量的影響(在標記始端、終端部處的提供光能量的變動)。
另外，在間隔長度不足規定值的情況下不進行高頻分量的疊加。因此，可避免在間隔長度短的情況下高頻分量對後續標記形成用半導體雷射器驅動電流開始的影響。結果，可增大Thf1_off、Thf1_on的值，避免高頻分量的影響。
另外，在標記長度不足規定值的情況下不進行高頻分量的疊加。因此，在標記長度短的情況下，停止在標記形成區間內的高頻分量的疊加，可避免標記形成時的高頻分量的影響。結果，可增大Thf2_off、Thf2_on的值，避免標記形成時疊加的高頻分量的影響。
下面，作為在讀期間和間隔期間內疊加不同條件的高頻分量的實例，表示將實施例2適用於CD-RW記錄的實例。
圖14表示將實施例2適用於CD-RW記錄中的情況下的寫策略和HF開/關控制器13_2的動作定時。圖中(10)、(11)和(5)表示對圖中(4)所示的期望半導體雷射器驅動電流的寫策略部131的動作。(10-1)是計時器(1)131-5的動作，(10-2)是計時器(2)131-6的動作，(11-1)和(11-2)是計時器(1)131-5輸出的超時_Pw信號和超時_Per信號，(11-3)是計時器(2)輸出的超時_Pb信號。(5-1)的OUTE_Pw、(5-2)的OUTE_Per和(5-3)的OUTE_Pb信號是寫策略部131的輸出信號。前面已詳細描述了該CD-RW時的動作。
圖14(12)表示本實施例中HF開/關控制電路的動作。(12-1)表示第一高頻疊加控制電路132的動作，(12-2)表示第二高頻疊加控制電路133的動作。(12-1)所示的第一高頻疊加控制電路132的動作與上述適用於CD-R記錄情況下的動作(圖12)相同。
在CD-RW情況下，因為僅在記錄中的間隔期間內進行高頻分量的疊加，所以將其設定值HF2_on和HF2_off的參數值全部設定為00h，停止/WR＝L(寫)中第二HF_開/關控制電路133的動作。
如圖中(6-1)和(6-2)所示，與上述CD-R情況不同之點是，在/WR＝H(讀)期間內，以HF1_cont信號為低(禁止)，HF2_cont信號為高(允許)的方式改變了/WR＝H期間兩者的電平設定。在前者CD-R情況下，如圖12的(6-1)和(6-2)所示，與CD-RW情況相反，在/WR＝H期間內，作成HF1_cont信號為高(允許)，HF2_cont信號為低(禁止)。
通過利用未圖示的HF_cont信號電平設定電路，根據/WR信號來置位、復位輸出HF1_cont和HF2_cont信號的RS觸發器132-3和133-3來進行該/WR＝H區間的HF1_cont和HF2_cont的電平設定，從控制器1通過串行接口設定其模式、由此來進行置位某一方或復位另一方。
通過該模式設定，在上述CD-R情況下，在/WR＝H(讀)期間和間隔期間內進行第一條件的高頻分量的疊加，並在標記期間內進行第二條件的高頻分量的疊加。與之相反，在上述CD-RW情況下，在/WR＝H(讀)期間內疊加第二條件的高頻分量，在間隔期間內疊加第一條件的高頻分量。
圖15表示將實施例2適用於CD-RW記錄情況下HF開/關控制動作。圖中(8)表示HF開/關控制結果的高頻分量生成電路(HEM)15-1的輸出電流Ihf的狀態。間隔期間的第一高頻分量疊加與上述CD-R情況相同。關於將Thf1_on和Thf1_off設定為規定時間以上，其意義與CD-R的情況相同。但是，因為對於功率Per疊加高頻分量，所以作為第一高頻分量條件(設定值)的FREQ1和AMP1的設定值、與在功率Pread中高頻疊加的CD-R的高頻分量設定值不同。
如上所述，即使在將實施例2適用於CD-RW的情況下，由於領先於標記形成用半導體雷射器驅動電流的開始定時就停止Thf_off時間高頻分量的疊加，同時，在標記形成用半導體雷射器驅動電流終止定時後、在Thf1_off時間後才開始疊加高頻分量，所以可減少高頻分量的影響(源於高頻分量控制延遲等的重疊產生的影響和在標記始端、終端部處的提供光能量的變動)。
(實施例3)實施例3是對實施例2，通過從控制器提供的時鐘CLK低倍頻來生成高頻分量使之與記錄時鐘同步、並使該低倍數N和高頻分量信號的佔空比可變，來實現最佳高頻疊加條件的實施例。
圖16表示實施例3的結構圖。具有與實施例1和實施例2相同功能的裝置標以相同號碼。與實施例2的不同之點是，變更了高頻分量生成電路(HFM)的內部結構(後述)。還有一點是追加了設定第一低倍數N1的分頻N1寄存器22-1、設定第二低倍數(N2)的分頻N2寄存器22-2和選擇一個寄存器輸出的切換電路25。另外一點是追加了設定第一高頻分量信號佔空比的佔空比1寄存器23-1、設定第二高頻分量信號佔空比的佔空比2寄存器23-2和選擇一個寄存器輸出的切換電路24。再有一點是，刪除實施例2中設定第二高頻分量頻率的FREQ2寄存器17-2(圖10)，成為僅有設定第一高頻分量的頻率的FREQ1寄存器17-1。
圖17表示實施例3中的高頻分量生成電路(HFM)15-2的結構。151是輸出對應於設定高頻分量頻率的FREQ1信號(FREQ1寄存器17-1輸出)的控制電壓或控制電流的頻率設定用DA變換電路，152是輸出對應於設定高頻分量振幅值的AMP信號(切換電路20(圖16)的輸出)的控制電壓或控制電流的振幅設定用DA變換電路，與實施例1和實施例2中的高頻分量生成電路(HFM)15-1(圖10)相同。
155是比較控制器1提供的時鐘CLK與HF用分頻電路157輸出的頻率和相位的相位比較電路，158是選擇頻率設定用DA變換電路151和相位比較電路155一方輸出的切換電路，156是對應於來自切換電路158的輸出電壓或輸出電流來改變其振蕩頻率的HF用VCO(或ICO電流控制振蕩器)。該HF用VCO與構成用於寫策略部131的PLL131-4的帶分接頭的VCO結構相同，例如將8個可變延遲元件連成環形來形成環形振蕩器。159是對應於佔空比_設置信號(切換電路24的輸出)，根據HF用VCO156的各分接頭輸出信號分接頭_0-分接頭-7來控制高頻分量信號的佔空比的HF佔空比控制電路。154是可變電流增益放大電路，與上述的高頻分量生成電路(HFM)15-1相同。
下面說明實施例3的高頻分量生成電路(HFM)15-2的動作。在切換電路158根據同步/非同步_sel信號選擇了頻率設定用DA變換電路151的輸出時，HF用VCO156與實施例1一樣在對應於FREQ1寄存器17-1的輸出值的頻率下振蕩。在選擇了那個HF用相位比較器155的輸出的情況下，在對應於該HF用相位比較器155輸出值的頻率下振蕩。由HF用分頻電路157對該HF用VCO156的輸出信號進行分頻。由分頻N1寄存器22-1、分頻N2寄存器22-2來設定分頻數N。分頻數為正的整數值，HF用VCO156的振蕩頻率與N成正比地變大。被N分頻了的信號在HF用相位比較器中與CLK的相位進行比較，由對應於相位差的輸出來控制HF用VCO的振蕩頻率。構成了所謂PLL。結果，HF用VCO的輸出信號與來自控制器1的時鐘CLK同步的同時，變為N倍的頻率。
HF用VCO156將構成VCO的8個可變延遲元件的各元件輸出作為分接頭輸出，輸出從分接頭_0至分接頭_7的信號，提供給HF佔空比控制電路159。
圖18表示HF佔空比控制電路159的動作定時。圖中(1)表示分接頭信號分接頭_0至分接頭_7。(2)表示HF佔空比控制電路159的輸出信號實例。(2-1)是原樣輸出分接頭_0信號的情況，此時的佔空比為50％。(2-2)是通過分接頭_0與分接頭_1的AND邏輯生成的，佔空比＝37.5％。(2-3)是通過分接頭_0與分接頭_2的AND邏輯生成的，佔空比＝25％。(2-4)是通過分接頭_0與分接頭_3的AND邏輯生成的，佔空比＝12.5％。
(2-5)至(2-7)是還使用分接頭_4至分接頭_7的信號生成的，(2-5)為佔空比＝75％下的倍頻信號，(2-6)為佔空比＝50％下的倍頻信號，(2-7)為佔空比＝25％下的倍頻信號。它們的生成邏輯如圖所示。如(2-5)至(2-7)所示，因為可生成HF用VCO156的振蕩頻率倍頻的高頻分量，所以可擴大頻率的可變範圍。
通過圖16所示佔空比1寄存器23-1和佔空比2寄存器23-2的設定值來選擇輸出(2-1)至(2-7)中的哪一個。
通過使高頻分量佔空比可變，而使半導體雷射二極體4的振蕩閾值Ith以上的驅動電流的時間tover可變。這與通常使佔空比50％的高頻分量的頻率可變而改變tover時間的情況基本等價。
圖21表示將實施例3適用於在間隔期間和標記期間內疊加高頻分量的上述CD-R記錄中的情況的動作定時。在本例中，如圖中(9)所示，當/WR信號在高(讀)區間內時、使同步/非同步sel信號為高(非同步)，當/WR信號在低(寫)區間內時、使之為低(時鐘同步)。因此，在讀期間中，與現有技術一樣進行對應於FREQ1寄存器17-1設定值的頻率的高頻分量的疊加。在寫期間中，HF用VCO156由HF用相位比較器155控制，輸出與控制器提供的時鐘信號CLK同步的信號。寫策略部131還使用由PLL131-4低倍來自控制器1的時鐘信號CLK後的記錄時鐘chCLK進行動作。因此，通過CLK來同步記錄時鐘和高頻分量的信號。
如圖21的(7-1)和(7-2)所示，在HF_開/關_cont信號為高(HF開)、HF_1/2_選擇信號為高(HF1)的情況下，選擇分頻N1寄存器22-1、佔空比1寄存器23-1和AMP1寄存器18-1，由高頻分量生成電路(HFM)15-2輸出對應的頻率、佔空比和振幅值的高頻分量，疊加在半導體雷射器驅動電流上。另外，在HF_1/2_選擇信號為低(HF2)的情況下，選擇分頻N2寄存器22-2、佔空比2寄存器23-2和AMP2寄存器18-2，將對應的頻率、佔空比和振幅值的高頻分量疊加在半導體雷射器驅動電流上。
圖21的(8)表示高頻分量生成電路(HFM)15-2的輸出電流Ihf的狀態。另外，(4)表示在半導體雷射器驅動電流上疊加了Ihf的狀態。
如上所述，在實施例3中，因為使高頻分量的信號與記錄時鐘同步，所以沒有實施例1和2那種高頻分量與標記記錄開始位置和終止位置的相位發生變動的情況，總是一定的相位關係，高頻分量對標記形成的始端和終端的影響總是恆定的。因此，除實施例2的效果外，還可避免伴隨高頻分量非同步性的在標記記錄開始和終止位置處的光提供功率的變動。
另外，對於高頻分量與記錄時鐘的同步化，因為可作成為基準時鐘CLK的低倍數N可變、高頻分量信號的佔空比可變，所以可得到期望的光輸出的脈衝寬度。因此，可等價地得到與設定為最佳頻率等價的光脈衝，可設定與現有的高頻分量發生方法等同的最佳條件。
另外，與現有技術相比，通過在低的頻率下來減小佔空比可等價得到與高的頻率疊加同等的效果，所以與現有技術相比，可降低高頻分量發生電路自身的動作頻率。另外，即使作為光碟裝置，也可通過設定低頻率的高頻分量來減輕裝置功率和不必要的輻射等。
(實施例4)在實施例1-3中，說明了為第一和第二高頻疊加控制電路而分別重新設置HF開/關控制用計時器的實例，但也可利用寫策略部的計時器來等價進行HF開/關控制。
另外，可使用寫策略部的輸出信號在讀區間和Per區間內進行HF疊加，也可以領行於標記記錄開始定時，以與Per相同的功率電平插入與Per不同的功率狀態(例如Pb或Per1等)，在間隔區間中進行HF的停止控制。
同樣，也可以在標記記錄終止定時後的規定時間內、以與Per相同的功率電平插入與Per不同的功率狀態(例如Pb或Per2等)，在間隔區間中進行HF的疊加開始控制。此時，也可形成HF控制邏輯電路，以便在Per期間內進行HF疊加，在Pb或Per1或Per2期間內使HF疊加停止。
因此，由於不必增加必需的計時器數量就可進行HF開/關控制，結果，可降低計時器電路的電路規模。
如上所述，根據本發明，可避免高頻分量疊加產生的標記始端和終端在盤上位置的變動。結果，可防止高速記錄中的跳動惡化。
權利要求
1.一種光碟記錄方法，照射來自雷射二極體的雷射，在光碟上形成標記和間隔，對信息進行記錄，其特徵在於，在間隔形成期間中，向上述雷射二極體提供進行了高頻疊加的驅動電流，相對於從間隔形成期間向標記形成期間變化的定時，提前一個規定的期間停止上述高頻疊加。
2.一種光碟記錄方法，照射來自雷射二極體的雷射，在光碟上形成標記和間隔，對信息進行記錄，其特徵在於，在間隔形成期間中，向上述雷射二極體提供進行了高頻疊加的驅動電流，相對於從標記形成期間向間隔形成期間變化的定時，在規定的期間之後開始上述高頻疊加。
3.一種光碟裝置，在光碟上形成標記和間隔，對信息進行記錄，其特徵在於，具備照射雷射的雷射二極體、驅動上述雷射二極體的雷射二極體驅動部、以及控制上述雷射二極體驅動部的控制部，上述控制部進行如下控制在間隔形成期間中，向上述雷射二極體提供上述雷射二極體驅動部進行了高頻疊加的驅動電流，此外，相對於從間隔形成期間向標記形成期間變化的定時，提前一個規定的期間停止上述提供。
4.一種光碟裝置，在光碟上形成標記和間隔，對信息進行記錄，其特徵在於，具備照射雷射的雷射二極體、驅動上述雷射二極體的雷射二極體驅動部、以及控制上述雷射二極體驅動部的控制部，上述控制部進行如下控制在間隔形成期間中，向上述雷射二極體提供上述雷射二極體驅動部進行了高頻疊加的驅動電流，此外，相對於從標記形成期間向間隔形成期間變化的定時，在規定的期間之後停止上述提供。
5.一種光碟裝置，在光碟上形成標記和間隔，對信息進行記錄，其特徵在於，具有照射雷射的雷射二極體、驅動上述雷射二極體並具有輸出高頻電流的高頻電流輸出單元和輸出直流電流的直流電流輸出單元的雷射二極體驅動部、檢測上述雷射二極體的輸出功率的前監視器、將上述前監視器的輸出電流變換成電壓的第1電流電壓變換電路、檢測來自上述光碟的反射光的盤反射光檢測元件、將上述盤反射光檢測元件的輸出電流變換成電壓的第2電流電壓變換電路、控制上述雷射二極體驅動部的控制部、以及連接上述雷射器驅動電路和上述控制部的柔性電纜，上述控制部進行如下控制在間隔形成期間中，向上述雷射二極體提供上述雷射二極體驅動部進行了高頻疊加的驅動電流，此外，相對於從間隔形成期間向標記形成期間變化的定時，提前一個規定的期間停止上述提供。
6.一種光碟裝置，在光碟上形成標記和間隔，對信息進行記錄，其特徵在於，具有照射雷射的雷射二極體、驅動上述雷射二極體並具有輸出高頻電流的高頻電流輸出單元和輸出直流電流的直流電流輸出單元的雷射二極體驅動部、檢測上述雷射二極體的輸出功率的前監視器、將上述前監視器的輸出電流變換成電壓的第1電流電壓變換電路、檢測來自上述光碟的反射光的盤反射光檢測元件、將上述盤反射光檢測元件的輸出電流變換成電壓的第2電流電壓變換電路、控制上述雷射二極體驅動部的控制部、以及連接上述雷射器驅動電路和上述控制部的柔性電纜，上述控制部進行如下控制在間隔形成期間中，向上述雷射二極體提供上述雷射二極體驅動部進行了高頻疊加的驅動電流，此外，相對於從標記形成期間向間隔形成期間變化的定時，在規定的期間之後停止上述提供。
7.一種光碟記錄方法，通過照射來自雷射二極體的雷射從而在光碟上進行記錄，其特徵在於，包括向上述雷射二極體提供對第一電流進行了高頻疊加的電流的第一步驟、向上述雷射二極體提供未進行高頻疊加的第一電流的第二步驟、以及向上述雷射二極體提供比上述第一電流大的第二電流的第三步驟，上述第一步驟、第二步驟和第三步驟在將標記和間隔形成於上述光碟上的記錄工作期間進行。
8.根據權利要求7所述的光碟記錄方法，其特徵在於，在上述第三步驟後，設置向上述雷射二極體提供對上述第二電流進行了高頻疊加的電流的第四步驟。
9.根據權利要求7或8所述的光碟記錄方法，其特徵在於，在上述第一步驟中，在上述光碟上形成間隔，在上述第三步驟中，在上述光碟上形成標記。
10.一種光碟記錄方法，通過照射來自雷射二極體的雷射從而在光碟上進行記錄，其特徵在於，包括向上述雷射二極體提供第一電流的第一步驟、向上述雷射二極體提供比上述第一電流小且未進行高頻疊加的第二電流的第二步驟、以及向上述雷射二極體提供對上述第二電流進行了高頻疊加的電流的第三步驟，上述第一步驟、第二步驟和第三步驟在將標記和間隔形成於上述光碟上的記錄工作期間進行。
11.根據權利要求10所述的光碟記錄方法，其特徵在於，在向上述雷射二極體提供對上述第一電流進行了高頻疊加的電流的第四步驟之後實施上述第一步驟。
12.根據權利要求10或11所述的光碟記錄方法，其特徵在於，在上述第一步驟中，在上述光碟上形成標記，在上述第三步驟中，在上述光碟上形成間隔。
13.根據權利要求7至12的任何一項所述的光碟記錄方法，其特徵在於，在提供上述第二電流時使用的高頻分量周期的1/2期間或更長期間持續進行上述第二步驟。
全文摘要
在數據記錄中，在間隔形成期間或間隔和標記形成期間在半導體雷射器驅動電流上疊加高頻分量來降低半導體雷射器噪聲的情況下，存在下述問題，因高頻疊加的控制電路延遲等、在標記形成開始定時和標記形成終止定時處高頻分量重疊起來，或當此前進行了疊加時，則在盤上形成的標記始端和終端的邊沿因高頻分量信號與記錄時鐘的不同步性而變動。本發明設置了高頻疊加控制裝置，在比標記形成用半導體雷射器驅動電流的終止定時領先了規定時間後就停止疊加高頻分量，並在比標記形成用半導體雷射器驅動電流的開始定時滯後了規定時間後才開始疊加高頻分量。由此可避免高頻分量疊加引起的標記始端和終端在盤上的變動。結果可防止高速記錄中的跳動惡化。
文檔編號G11B7/006GK1881422SQ20061010058
公開日2006年12月20日 申請日期2002年11月5日 優先權日2001年12月20日
發明者淺田昭廣, 榑林正明 申請人:株式會社日立製作所, 日立樂金資料儲存股份有限公司