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一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝的製作方法

2024-04-12 18:05:05


1.本發明涉及手機玻璃蓋板製備技術領域,具體為一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝。


背景技術:

2.玻璃蓋板也就是觸控螢幕表面的玻璃層,比如常常聽到的康寧第幾代說的就是這個玻璃蓋板,也是觸碰屏最容易損壞的一個部位,就是你手指頭碰得到的部件,手機玻璃蓋板也叫lens,是tp上邊的玻璃,玻璃鋼蓋板就是玻璃鋼製作的一種蓋板。
3.但目前的工藝都是一次完成的,沒有進行分次,導致蝕刻厚度不夠精準,導致良品率低,且加工工藝複雜,操作不夠方便。
4.本發明的目的在於提供一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,以解決上述背景技術中提到的問題。


技術實現要素:

5.為實現上述目的,本發明提供一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,包括如下工藝流程:蝕刻液製備、蝕刻準備、局部蝕刻減薄、清理蝕刻液、復蝕刻、清洗風乾、復檢;還包括如下工藝步驟:步驟1:蝕刻液製備,準備氫氟酸、硫酸和水,將氫氟酸和硫酸混合,混合後將混合液緩慢倒入到水中,混合過程中進行攪拌,待混合完成後得到蝕刻液;步驟2:蝕刻準備,表面檢測,通過工人進行檢測,檢測手機玻璃蓋板是否有劃痕、起泡、破損以及髒汙,如有劃痕、髒汙、破損和起泡將進行清理、研磨,如破損面積過大,側不繼續使用,將其標記為不合格產品,其餘的待研磨和清理後標記為合格產品;步驟3:局部蝕刻減薄,使用清洗液將合格的玻璃蓋板進行清洗,待清洗完成後將其烘乾,待烘乾後,將無菌布蓋上玻璃蓋板需要減薄的部分,無菌布大小需符合玻璃蓋板減薄部分的面積,將玻璃蓋板表面塗覆石蠟,石蠟先通過加熱進行融化,待融化後使用噴塗機噴灑在玻璃蓋板表面,保證噴塗均勻,且噴塗厚度薄,待玻璃蓋板噴塗石蠟完成後,將無菌布取下,將玻璃蓋放入到模板上,開始將蝕刻液滴入到玻璃蓋板需要減薄的部分,蝕刻完成後進行清理蝕刻液;步驟4:清理蝕刻液,準備清洗容器,將容器內添加鹼水,將玻璃蓋板放入容器中進行清洗,清洗過程中將鹼水通過攪拌棒進行攪拌,加工反應速度,使蝕刻液被清理,由於石蠟很難與鹼產生反應,因此不會被完全反應掉,進一步的,放入到清水中進行清理,清洗完成後進行復蝕刻;步驟5:復蝕刻,將清洗後的玻璃蓋板進行風乾,待風乾後再次放入到模具內進行蝕刻,蝕刻方式與步驟3一致,蝕刻完成後,進行清洗風乾,步驟6:清洗風乾,將玻璃蓋板放入步驟4的容器中進行清洗,清洗掉蝕刻液後,放入清水中進行清洗,清洗完成後將進行風乾,隨後,準備另一個容器,容器內添加乙醚,將玻璃蓋板放入容器中進行清洗,清理掉石蠟,清理完成後,放入清水中進行清洗,隨後進行風乾;步驟7:復檢,對蝕刻後的玻璃蓋板進行檢查,查看是否有流水紋或酸刻條紋,如有進行步驟2中的清理、研磨,不能修復的進行報廢處理,如無流水紋或酸刻條紋則為合格,對合格的玻璃蓋板進行包裝,完成加工。
6.優選的:所述步驟二中的氫氟酸、硫酸和水比例為5:1:2。
7.優選的:所述步驟三中蝕刻時長為5min-10min。
8.優選的:所述步驟五中蝕刻時長為3min-8min。
9.與現有技術相比,本發明的有益效果為:
10.本發明通過分次的蝕刻,利於控制住蝕刻的厚度,防止蝕刻的厚度過厚導致工件報廢,且蝕刻速率快,合格率高,操作簡單。
具體實施方式
11.為了便於理解本發明,下面將參照相關實施例,但是本發明可以通過不同的形式來實現,並不限於文本所描述的實施例,相反的,提供這些實施例是為了使對本發明公開的內容更加透徹全面。
12.需要說明的是,當元件被稱為「固設於」另一個元件,它可以直接在另一個元件上也可以存在居中的元件,當一個元件被認為是「連接」另一個元件,它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件,本文所使用的術語「垂直的」、「水平的」、「左」、「右」以及類似的表述只是為了說明的目的。
13.除非另有定義,本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常連接的含義相同,本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在於限制本發明,本文所使用的術語「及/或」包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
14.以下結合實施例對本發明作進一步詳細說明。
15.實施例一:
16.本發明提供一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,包括如下工藝流程:蝕刻液製備、蝕刻準備、局部蝕刻減薄、清理蝕刻液、復蝕刻、清洗風乾、復檢;還包括如下工藝步驟:步驟1:蝕刻液製備,準備氫氟酸、硫酸和水,將氫氟酸和硫酸混合,混合後將混合液緩慢倒入到水中,混合過程中進行攪拌,待混合完成後得到蝕刻液;步驟2:蝕刻準備,表面檢測,通過工人進行檢測,檢測手機玻璃蓋板是否有劃痕、起泡、破損以及髒汙,如有劃痕、髒汙、破損和起泡將進行清理、研磨,如破損面積過大,側不繼續使用,將其標記為不合格產品,其餘的待研磨和清理後標記為合格產品;步驟3:局部蝕刻減薄,使用清洗液將合格的玻璃蓋板進行清洗,待清洗完成後將其烘乾,待烘乾後,將無菌布蓋上玻璃蓋板需要減薄的部分,無菌布大小需符合玻璃蓋板減薄部分的面積,將玻璃蓋板表面塗覆石蠟,石蠟先通過加熱進行融化,待融化後使用噴塗機噴灑在玻璃蓋板表面,保證噴塗均勻,且噴塗厚度薄,待玻璃蓋板噴塗石蠟完成後,將無菌布取下,將玻璃蓋放入到模板上,開始將蝕刻液滴入到玻璃蓋板需要減薄的部分,蝕刻完成後進行清理蝕刻液;步驟4:清理蝕刻液,準備清洗容器,將容器內添加鹼水,將玻璃蓋板放入容器中進行清洗,清洗過程中將鹼水通過攪拌棒進行攪拌,加工反應速度,使蝕刻液被清理,由於石蠟很難與鹼產生反應,因此不會被完全反應掉,進一步的,放入到清水中進行清理,清洗完成後進行復蝕刻;步驟5:復蝕刻,將清洗後的玻璃蓋板進行風乾,待風乾後再次放入到模具內進行蝕刻,蝕刻方式與步驟3一致,蝕刻完成後,進行清洗風乾,步驟6:清洗風乾,將玻璃蓋板放入步驟4的容器中進行清洗,清洗掉蝕刻液後,放入清水中進行清洗,清洗完成後將進行風乾,隨後,準備另一個容器,容器內添加乙醚,將玻
璃蓋板放入容器中進行清洗,清理掉石蠟,清理完成後,放入清水中進行清洗,隨後進行風乾;步驟7:復檢,對蝕刻後的玻璃蓋板進行檢查,查看是否有流水紋或酸刻條紋,如有進行步驟2中的清理、研磨,不能修復的進行報廢處理,如無流水紋或酸刻條紋則為合格,對合格的玻璃蓋板進行包裝,完成加工。
17.一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,所述步驟二中的氫氟酸、硫酸和水比例為5:1:2。
18.一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,所述步驟三中蝕刻時長為5min-10min。
19.一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,所述步驟五中蝕刻時長為3min-8min。
20.上述結合實施例對本發明進行了示例性描述,顯然本發明具體實現並不受上述方式的限制,只要採用了本發明的方法構思和技術方案進行的這種非實質改進,或未經改進將本發明的構思和技術方案直接應用於其他場合的,均在本發明的保護範圍之內。


技術特徵:
1.一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,其特徵在於:包括如下工藝流程:蝕刻液製備、蝕刻準備、局部蝕刻減薄、清理蝕刻液、復蝕刻、清洗風乾、復檢;還包括如下工藝步驟:步驟1:蝕刻液製備,準備氫氟酸、硫酸和水,將氫氟酸和硫酸混合,混合後將混合液緩慢倒入到水中,混合過程中進行攪拌,待混合完成後得到蝕刻液;步驟2:蝕刻準備,表面檢測,通過工人進行檢測,檢測手機玻璃蓋板是否有劃痕、起泡、破損以及髒汙,如有劃痕、髒汙、破損和起泡將進行清理、研磨,如破損面積過大,側不繼續使用,將其標記為不合格產品,其餘的待研磨和清理後標記為合格產品;步驟3:局部蝕刻減薄,使用清洗液將合格的玻璃蓋板進行清洗,待清洗完成後將其烘乾,待烘乾後,將無菌布蓋上玻璃蓋板需要減薄的部分,無菌布大小需符合玻璃蓋板減薄部分的面積,將玻璃蓋板表面塗覆石蠟,石蠟先通過加熱進行融化,待融化後使用噴塗機噴灑在玻璃蓋板表面,保證噴塗均勻,且噴塗厚度薄,待玻璃蓋板噴塗石蠟完成後,將無菌布取下,將玻璃蓋放入到模板上,開始將蝕刻液滴入到玻璃蓋板需要減薄的部分,蝕刻完成後進行清理蝕刻液;步驟4:清理蝕刻液,準備清洗容器,將容器內添加鹼水,將玻璃蓋板放入容器中進行清洗,清洗過程中將鹼水通過攪拌棒進行攪拌,加工反應速度,使蝕刻液被清理,由於石蠟很難與鹼產生反應,因此不會被完全反應掉,進一步的,放入到清水中進行清理,清洗完成後進行復蝕刻;步驟5:復蝕刻,將清洗後的玻璃蓋板進行風乾,待風乾後再次放入到模具內進行蝕刻,蝕刻方式與步驟3一致,蝕刻完成後,進行清洗風乾,步驟6:清洗風乾,將玻璃蓋板放入步驟4的容器中進行清洗,清洗掉蝕刻液後,放入清水中進行清洗,清洗完成後將進行風乾,隨後,準備另一個容器,容器內添加乙醚,將玻璃蓋板放入容器中進行清洗,清理掉石蠟,清理完成後,放入清水中進行清洗,隨後進行風乾;步驟7:復檢,對蝕刻後的玻璃蓋板進行檢查,查看是否有流水紋或酸刻條紋,如有進行步驟2中的清理、研磨,不能修復的進行報廢處理,如無流水紋或酸刻條紋則為合格,對合格的玻璃蓋板進行包裝,完成加工。2.根據權利要求1所述的一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,其特徵在於:所述步驟二中的氫氟酸、硫酸和水比例為5:1:2。3.根據權利要求2所述的一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,其特徵在於:所述步驟三中蝕刻時長為5min-10min。4.根據權利要求3所述的一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,其特徵在於:所述步驟五中蝕刻時長為3min-8min。

技術總結
本發明提供一種手機玻璃蓋板的局部減薄工藝,包括如下工藝流程:蝕刻液製備、蝕刻準備、局部蝕刻減薄、清理蝕刻液、復蝕刻、清洗風乾、復檢。本發明通過分次的蝕刻,利於控制住蝕刻的厚度,防止蝕刻的厚度過厚導致工件報廢,且蝕刻速率快,合格率高,操作簡單。操作簡單。


技術研發人員:向中華 向陽
受保護的技術使用者:重慶象徵科技有限公司
技術研發日:2022.12.26
技術公布日:2023/3/28

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