一種igbt去米勒效應裝置的製作方法
2024-02-14 02:10:15 1
專利名稱：一種igbt去米勒效應裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種大功率IGBT驅動裝置，尤其涉及一種IGBT去米勒效應裝置。
背景技術：
絕緣柵雙極電晶體IGBT常用驅動裝置採用的保護措施，是使用雙向穩壓二極體抑制驅動裝置中產生的尖峰脈衝，大功率的IGBT驅動裝置為了防止米勒效應產生的電壓經常在G — E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。穩壓二極體的穩定電壓值一般要比門極電壓要高出幾伏，防止誤鉗位導致IGBT不能正常工作或損壞。還有穩壓二極體的穩壓速度也不能對微秒的尖峰電壓進行吸收，即在高頻進行時吸收速度跟不上。在G — E間 加上電容雖然可以減少米勒效應的影響，但是每次IGBT開通和關斷時電容都在起作用，使IGBT的開通和關斷時間變長，直接影響到IGBT的開通和關斷損耗，並增加了驅動裝置的功耗。
發明內容本發明的目的在於，克服現有技術的不足之處，提供一種IGBT去米勒效應裝置，防止誤鉗位導致IGBT不能正常工作或損壞。大功率IGBT在設備出現外部故障或比較大的電流，在關斷時會產生米勒效應，致使門極電壓升高，如果驅動裝置沒有相應的保護會使IGBT不能有效關斷或門極電壓高於要求的極限值而損壞。為了解決上述技術問題，本發明所述一種IGBT去米勒效應裝置，在門極驅動裝置中加入一個開關管對門極電壓進行鉗位，快速的將米勒效應產生的電壓進行抑制。並且不用增加IGBT的開通和關斷損耗，減少IGBT驅動裝置的輸出功率。一般IGBT驅動使用雙向穩壓二極體抑制驅動裝置中產生的尖峰脈衝，大功率的IGBT驅動裝置為了防止米勒效應產生的電壓經常在G — E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。穩壓二極體的穩定電壓值一般要比門極電壓要高出幾伏，防止誤鉗位導致IGBT不能正常工作或損壞。還有穩壓二極體的穩壓速度也不能對U秒的尖峰電壓進行吸收，即吸收速度跟不上。在G — E門加上電容雖然可以減少米勒效應的影響，但是每次IGBT開通和關斷是電容都在起作用，使IGBT的開通和判斷時間變長，直接影響到IGBT的開通和關斷損耗，並增加了驅動裝置的功耗。本發明所述一種IGBT去米勒效應裝置，整體結構簡單，操作使用方便，穩定性好，可靠性高。使用本發明所述的一種IGBT去米勒效應裝置，可以防止誤鉗位導致IGBT不能正常工作或損壞的問題。
附圖I是本發明所述一種IGBT去米勒效應裝置的結構圖。
具體實施方式
[0007]現參照附圖1，結合實施例說明如下大功率IGBT在設備出現外部故障或比較大的電流，在關斷時會產生米勒效應，致使門極電壓升高，如果驅動裝置沒有相應的保護會使IGBT不能有效關斷或門極電壓高於要求的極限值而損壞。為了解決上述技術問題，本發明所述一種IGBT去米勒效應裝置，在門極驅動裝置中加入一個開關管對門極電壓進行鉗位，快速的將米勒效應產生的電壓進行抑制。並且不用增加IGBT的開通和關斷損耗，減少IGBT驅動裝置的輸出功率。一般IGBT驅動使用雙向穩壓二極體抑制驅動裝置中產生的尖峰脈衝，大功率的IGBT驅動裝置為了防止米勒效應產生的電壓經常在G — E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。穩壓二極體的穩定電壓值一般要比門極電壓要高出幾伏，防止誤鉗位導致IGBT不能正常工作或損壞。還有穩壓二極體的穩壓速度也不能對U秒的尖峰電壓進行吸收，即吸收速度跟不上。在G — E門加上電容雖然可以減少米勒效應的影響，但是每次IGBT開通和關斷是電容都在起作用，使IG BT的開通和判斷時間變長，直接影響到IGBT的開通和關斷損耗，並增加了驅動裝置的功耗。在IGBT大電流關斷時產生米勒效應，致使IGBT的GE間電壓上升，由於關斷是由驅動裝置輸出的驅動電壓變低或者是負的電壓，米勒電壓加到GE上後電壓會通過RON流到驅動電源中，這時由於RON中有電流流過，使RON兩端產生電壓差，當壓差達到0. 5V左右時開關管就會導通，GE間的正向電壓會通過開關管直接短接放掉。這樣就把米勒效應電壓消除，保護IGBT有效關斷。在IGBT正常開通和關斷時，開關管不會開通，對原有驅動裝置沒有影響。本發明所述一種IGBT去米勒效應裝置，整體結構簡單，操作使用方便，穩定性好，可靠性高。使用本發明所述的一種IGBT去米勒效應裝置，可以防止誤鉗位導致IGBT不能正常工作或損壞的問題。
權利要求1.ー種IGBT去米勒效應裝置，其特徵在於在G — E之間加ー小容量電容，以吸收電壓的突變。
專利摘要一種IGBT去米勒效應裝置，在門極驅動裝置中加入一個開關管對門極電壓進行鉗位，快速的將米勒效應產生的電壓進行抑制。並且不用增加IGBT的開通和關斷損耗，減少IGBT驅動裝置的輸出功率。一般IGBT驅動使用雙向穩壓二極體抑制驅動裝置中產生的尖峰脈衝，大功率的IGBT驅動裝置為了防止米勒效應產生的電壓經常在G－E之間加一小容量電容，以吸收電壓的突變。穩壓二極體的穩定電壓值一般要比門極電壓要高出幾伏，防止誤鉗位導致IGBT不能正常工作或損壞。還有穩壓二極體的穩壓速度也不能對U秒的尖峰電壓進行吸收，即吸收速度跟不上。本實用新型整體結構簡單，操作使用方便，穩定性好，可靠性高。
文檔編號H02H7/20GK202374234SQ20112049786
公開日2012年8月8日 申請日期2011年12月5日 優先權日2011年12月5日
發明者劉文士 申請人:劉文士