載體的製作方法
2023-10-17 00:47:54
專利名稱：載體的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種載體，具體地講，涉及一種具有交錯排列的引腳及凹口圖案的載體。
背景技術：
在一些現有的電子裝置中，組件及主體電路間的連接是通過各向異性的導電膜(anisotropic conductive film，ACF)來進行，例如驅動晶片就是利用各向異性的導電膜與液晶顯示面板電連接。其中，各向異性的導電膜是以非導電性的合成樹脂及導電顆粒(particle)混合而成，而導電顆粒的中央部分為聚合物，且聚合物的外表包覆一層金屬導體，如金、鎳、錫等。各向異性的導電膜常被用於液晶顯示器的製造工藝中，而驅動晶片與液晶顯示面板的接合技術至少包括玻璃黏晶技術(chip on glass，COG)及薄膜黏晶接合技術(chip on film)。玻璃黏晶技術將驅動晶片通過各向異性的導電膜直接與液晶顯示面板的玻璃基板接合，且薄膜黏晶技術先將驅動晶片接合至一載體上，再以此具有驅動晶片的載體通過各向異性的導電膜與玻璃基板接合。
請參照圖1A～1B，其所顯示的是傳統上以薄膜黏晶技術所完成的半導體結構的二剖面圖。在圖1A～1B中，半導體結構10包括一基板11、一載體12、一晶片16及一各向異性的導電膜18，基板11具有一基板表面11a，基板表面11a具有多個接墊13。載體12包括一聚醯亞胺(polyimide，PI)薄膜14及多條引腳15，聚醯亞胺薄膜14具有一薄膜表面14a，這些引腳15彼此相互隔開地設置於薄膜表面14a上。晶片16設置於薄膜表面14a上，如圖1C所示，晶片16具有多個焊墊16a，這些焊墊16a通過多條連接線17與這些引腳15的一端電連接。各向異性的導電膜18黏接部分的基板表面11a及部分的薄膜表面14a，各向異性的導電膜18具有多個導電顆粒18a，部分的導電顆粒18a用以電連接這些引腳13的另一端及這些接墊13。
一般在COF製造工藝上會面臨到材料漲縮問題及接合強度問題，而材料漲縮問題主要是衍生出引腳15及接墊13的對位偏移，並造成因接觸面積不夠所引發的導通阻抗不足的問題，或者是因相鄰的兩引腳之間的間距(pitch)過小所形成的電路短路的問題。傳統上為增加引腳15及接墊13之間的導通阻抗，往往將圖1B的接墊13的寬度W1設計比引腳15的寬度W2還大，以解決因材料漲縮所引起的對位偏移的問題。然而，相鄰兩接墊13之間的間距亦隨之降低。
當載體12與基板11熱壓合時，各向異性的導電膜18因高溫高壓而軟化，並沿著基板表面11a往外流動，如圖1D所示。此時，部分的導電顆粒18a會貼近基板表面11a，且聚集在任意相鄰的兩接墊13之間。如此一來，將會增加二接墊13之間電連接的機率，且非常容易造成電路短路現象，又如圖1B所示。
發明內容
因此，本發明的目的是提供一種載體。其凹口圖案與引腳交錯排列的設計可以防止各向異性的導電膜(anisotropic conductive film，ACF)的導電顆粒聚集在基板的接墊間，避免產生電路短路現象，且提高各向異性的導電膜對於載體及基板的黏著強度。
根據本發明的目的，提供一種載體，其以一各向異性的導電膜與一基板熱壓合，基板具有多個接墊。載體包括一底材及多條引腳，底材具有一底材表面，底材表面具有多個凹口圖案。這些引腳設置於底材表面上，這些引腳的一端與這些凹口圖案交錯排列。這些引腳的這一端經由各向異性的導電膜與這些接墊電連接，且部分的該各向異性的導電膜於載體與基板熱壓合時分布於這些凹口圖案中。
根據本發明的再一目的，提出一種半導體結構，包括一基板、一載體及一各向異性的導電膜。基板具有一基板表面，基板表面具有多個接墊。載體包括一底材及多條引腳，底材具有一底材表面，底材表面具有多個凹口圖案。這些引腳設置於底材表面上，這些引腳的一端與這些凹口圖案交錯排列。各向異性的導電膜黏接部分的基板表面及部分的底材表面，用以電連接這些引腳的此端及這些接墊。當載體與基板熱壓合時，部分的各向異性的導電膜分布於這些凹口圖案中。
為讓本發明的上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉一優選實施例，並參考附圖，作詳細說明如下。
圖1A～1B所顯示的是傳統上以薄膜黏晶技術所完成的半導體結構的二剖面圖。
圖1C所顯示的是圖1A的載體及晶片的縮小仰視圖。
圖1D所顯示的是圖1B的導電顆粒流動於基板表面上的狀態的縮小俯視圖。
圖2所顯示的是依照本發明的實施例1的載體的俯視圖。
圖3所顯示的是圖2的載體通過各向異性的導電膜與基板熱壓合而形成一半導體結構的部分放大剖面圖。
圖4所顯示的是依照本發明的實施例2的載體的俯視圖。
附圖標記說明10、20 半導體結構11、21 基板11a、21a基板表面12、22、42 載體13、23 接墊14 聚醯亞胺薄膜14a 薄膜表面15、25 引腳16、26 晶片16a 焊墊17 連接線18、28 各向異性的導電膜18a、28a導電顆粒24、44 底材24a、44a底材表面29 通孔49 貫穿孔
具體實施例方式
實施例1請參照圖2，其所顯示的是依照本發明的實施例一的載體的俯視圖。在圖2中，載體22至少包括一底材24及多條引腳25。底材24具有一底材表面24a，底材表面24a具有多個凹口圖案。其中，各凹口圖案為一未貫穿底材24的溝槽或一貫穿底材24的通孔29。這些引腳25設置於底材表面24a上，這些引腳25與這些通孔29交錯排列。此外，底材表面24a上更設置一晶片26，晶片26與這些引腳25的另一端電連接。
如圖3所示，當載體22以各向異性的導電膜(anisotropic conductive film，ACF)28與一基板21熱壓合而形成一半導體結構20時，各向異性的導電膜28黏接部分的基板21的基板表面21a及部分的底材表面24a。各向異性的導電膜28具有多個導電顆28a，部分的各向異性的導電膜28的導電顆粒28a用以電連接這些引腳25及基板表面21a上的多個接墊23，使得晶片26與基板21電接連。由於載體22具有通孔29，部分的各向異性的導電膜28於高溫高壓時將往通孔29流動，使得導電顆粒28a比較容易聚集於通孔29中。如此一來，可以防止導電顆粒28a聚集在基板表面21a上的任意相鄰的兩接墊23之間，降低二接墊23之間電連接的機率，且避免產生電路短路現象。此外，由於各向異性的導電膜28與載體22的表面接觸面積將會增加，各向異性的導電膜28將載體22及基板21黏著的強度將會提高。
實施例2請參照圖4，其所顯示的是依照本發明的實施例二的載體的俯視圖。在圖4中，本實施例的載體42與實施例一的載體22不同的處在於底材的結構及凹口圖案的設計，其餘相同的部分沿用相同的附圖標記，不再贅述。在圖4中，載體42具有一底材44，底材44具有一底材表面44a。底材表面44a具有多個與這些引腳25交錯排列的凹口圖案，各凹口圖案為多個未貫穿底材44的凹槽或多個貫穿底材44的貫穿孔49。至於載體42以各向異性的導電膜與一基板熱壓合而形成一半導體結構的剖面結構如同圖3所示，在此不再以圖示表示。同樣地，本實施例的貫穿孔49的設計，可以降低二接墊之間電連接的機率，避免產生電路短路現象，且提高載體及基板之間的黏著強度。
然而，本領域中的普通技術人員可以明了本發明的技術並不局限在此，例如，底材為一聚醯亞胺(polyimide，PI)薄膜。其中，引腳以一黏著層設置於底材表面上。此外，基板為一玻璃基板，且這些接墊為多個金屬接墊。
本發明上述實施例所公開的載體，其凹口圖案與引腳交錯排列的設計可以防止各向異性的導電膜的導電顆粒聚集在接墊間，避免產生電路短路現象，且提高各向異性的導電膜對於載體及基板的黏著強度。
綜上所述，雖然本發明已以一優選實施例公開如上，然其並非用以限定本發明，本領域中的普通技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，當然可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍應以後附的權利要求書所界定的範圍為準。
權利要求
1.一種載體，以一各向異性的導電膜與一基板熱壓合，所述的基板具有多個接墊，所述的載體包括一底材，具有一底材表面，所述的底材表面具有多個凹口圖案；以及多條引腳，設置於所述的底材表面上，所述的引腳的一端與所述的凹口圖案交錯排列，所述的引腳的所述端經由所述的各向異性的導電膜與所述的接墊電連接，且部分的所述的各向異性的導電膜於所述的載體與所述的基板熱壓合時分布於所述的凹口圖案中。
2.如權利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為一溝槽。
3.如權利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為多個凹槽。
4.如權利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為一通孔。
5.如權利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為多個貫穿孔。
6.如權利要求1所述的載體，其中所述的底材為一聚醯亞胺薄膜。
7.如權利要求1所述的載體，其中所述的引腳以一黏著層設置於所述的底材表面上。
8.如權利要求1所述的載體，其中所述的基板為一玻璃基板。
9.如權利要求1所述的載體，其中所述的接墊為多個金屬接墊。
10.如權利要求1所述的載體，其中所述的底材表面上設置有一晶片，該晶片與該些引腳的另一端電連接。
11.一種半導體結構，包括一基板，具有一基板表面，所述的基板表面具有多個接墊；一載體，包括一底材，具有一底材表面，所述的底材表面具有多個凹口圖案；及多條引腳，設置於所述的底材表面上，所述的引腳的一端與所述的凹口圖案交錯排列；以及一各向異性的導電膜，黏接部分的所述的基板表面及部分的所述的底材表面，用以電連接所述的引腳的所述端及所述的接墊，當所述的載體與所述的基板熱壓合時，部分的所述的各向異性的導電膜分布於所述的凹口圖案中。
12.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的各凹口圖案為一溝槽。
13.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的各凹口圖案為多個凹槽。
14.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的各凹口圖案為一通孔。
15.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的各凹口圖案為多個貫穿孔。
16.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的底材為聚醯亞胺薄膜。
17.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的引腳以一黏著層設置於所述的底材表面上。
18.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的基板為一玻璃基板。
19.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的接墊為多個金屬接墊。
20.如權利要求11所述的半導體結構，其中所述的半導體結構還包括一晶片，設置於所述的底材表面上，用以與所述的引腳的另一端電連接。
全文摘要
一種載體，以一各向異性的導電膜與一基板熱壓合，基板具有多個接墊。載體包括一底材及多條引腳，底材具有一底材表面，底材表面具有多個凹口圖案。這些引腳設置於底材表面上，這些引腳的一端與這些凹口圖案交錯排列。這些引腳的這一端經由各向異性的導電膜與這些接墊電連接，且部分的該各向異性的導電膜於載體與基板熱壓合時分布於這些凹口圖案中。
文檔編號G02F1/136GK1560920SQ20041000546
公開日2005年1月5日 申請日期2004年2月19日 優先權日2004年2月19日
發明者李俊右, 陳慧昌 申請人:友達光電股份有限公司