多重反射層電極以及含有該電極的化合物半導體發光器件的製作方法

2023-11-30 04:25:01

專利名稱：多重反射層電極以及含有該電極的化合物半導體發光器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件的多重反射層電極，更具體而言，涉及一 種具有改善的熱穩定性和歐姆接觸特性的多重反射層電極以及含有該電極 的化合物半導體發光器件。
背景技術：
圖1是常規化合物半導體發光器件(LED) 50以及形成在p型氮化物 半導體層16上的常規p型電極30的結構剖面圖。圖2是示出其上p型電 極30被退火的化合物半導體LED 50的表面的照片，圖3是示出經退火的p 型電極30的聚結以及由於聚結導致的形成在p型電極30中的空洞(void) 32的掃描電子顯微鏡(SEM)剖面照片。參照圖1，常規半導體LED 50包括順序形成在藍寶石襯底10上的n 型氮化物半導體層12、有源層14和p型氮化物半導體層16，形成在n型 氮化物半導體層12 —側的n型電極20以及形成在p型氮化物半導體層16 上的p型電極30。此處，如果將正向電壓施加到LED電極、即n型電極20 和p型電極30，則有源層14的導帶中的電子與價帶中的空穴複合，並且由 於對應於帶隙的能量而從有源層14發出光，所述對應於帶隙的能量是價帶 與導帶之間的能量差。從有源層14發出的光被p型電極30反射並通過藍 寶石襯底IO發射到半導體LED 50之外。在其中半導體LED 50以這種方式 產生的光不直接發射到藍寶石襯底10而是被p型電極30反射並通過藍寶 石襯底IO發出的LED (下文中稱為倒裝晶片LED)中，由於p型電極30 必須反射光，所以p型電極30由具有高反射率的導電金屬形成，比如Ag。同時，具有大的直接帶隙能量(約2.8 eV或更大)的半導體對於藍光 發射是必須的。起初已經開發了主要利用II-VI族三元系材料發射藍或綠光 的半導體器件。然而，由於相對短的操作時間，在應用半導體器件時存在 問題。近來，在III-V族半導體中，已經研究了用於藍光發射的半導體器件。 其中，III族氮化物(主要是與GaN相關的化合物)半導體對於光、電和熱
刺激非常穩定並具有高的發光效率，因此被特別關注。如圖1所示，在利用III族氮化物半導體、比如GaN的LED中，作為 半導體發光器件，為了改善光提取效率，在p型氮化物半導體層16上，p 型電極30由比如Ag的具有高反射率的金屬形成。為了在p型氮化物半導 體層16上形成p型電極30，在p型氮化物半導體層16上沉積電極，然後 為了減小電阻而需要進行退火。然而，氮化物半導體的表面能和用於形成p型電極30的比如Ag的金 屬材料的表面能通常彼此顯著不同。眾所周知的是，由於表面能的差異， 在退火期間在p型電極30中發生聚結，如圖2和3的照片中所示。圖2是 其中在退火之後發生表面聚結的p型電極30的捕捉圖像的平面圖，圖3是 其中在退火之後發生聚結的p型電極30的SEM剖面照片。如圖2和3所 示，在p型氮化物半導體層16和p型電極30之間的界面處形成了多個空 洞32。可見，當在p型電極30中產生聚結時，就形成了多個空洞32。因 而，Ag電極30的反射率降低，整個LED的光輸出可能降低。發明內容本發明提供了一種氮化物基半導體發光器件，其防止了在製造半導體 發光器件時在p型電極中發生的聚結，由此抑制了利用氮化物半導體的發 光器件(LED)的光輸出的降低並顯示出高亮度。根據本發明的一個方面，提供了一種形成在化合物半導體發光器件的p 型半導體層上的多重反射層電極，所述化合物半導體發光器件包括n型半 導體層、有源層和p型半導體層，所述多重反射層電極包括疊置在所述p 型半導體層上的反射層；疊置在所述反射層上從而防止所述反射層聚結的 APL (聚結防止層)；以及插入在所述反射層和所述APL之間從而防止APL 的擴散的擴散阻擋物。所述多重反射層電極還可以包括接觸電極層，所述接觸電極層插入在 所述p型半導體層與所述反射層之間從而減小所述p型半導體層與所述反 射層之間的接觸電阻。所述接觸電極層可以由La基合金、Ni基合金、Zn 基合金、Cu基合金、熱電氧化物、摻雜氧化物(doped in oxide )、 ITO和 ZnO構成的組中選取的至少 一種材料形成。所述反射層可以由Ag、 Ag基合金和Ag基氧化物構成的組中選取的一
種材料形成。所述Ag基合金可以包括從Al、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和 Pt構成的溶質元素組中選取的至少一種元素。所述擴散阻擋物可以由透明導電材料形成。所述透明導電材料可以包 括從Ti-N、 Mo-0 、 Ru-0 、 Ir-O和In-O構成的組中選取的至少 一種材料。 所述In-O還可以包括從Sn、 Zn、 Ga、 Cu和Mg構成的組中選取的至少一 種摻雜劑。添加到所述In-0的摻雜劑的含量可以是O.l -49原子百分比。的另一層的材料引起的對於所述Ag基反射層的熱穩定性和歐姆接觸特性 的影響。因而，所述擴散阻擋物防止了在氮化物基半導體層和所述Ag基反 射層之間的界面處形成空洞並防止了表面聚結的發生。所述APL可以由Al或Al基合金形成從而防止所述反射層的聚結。所 述Al基合金可以包括從Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的溶質元 素組中選耳又的至少 一種元素。根據本發明的另一方面，提供了一種形成在化合物半導體發光器件的p 型半導體層上的多重反射層電極，所述化合物半導體發光器件包括n型半 導體層、有源層和p型半導體層，所述多重反射層電極包括疊置在所述p 型半導體層上的反射層；疊置在所述反射層上從而防止所述反射層聚結的 APL (聚結防止層)；插入在所述反射層和所述APL之間從而防止APL的 擴散的擴散阻擋物；以及形成在所述APL上從而防止所述APL的氧化的氧 化防止層。所述擴散阻擋物的材料與所述p型半導體層的材料之間的表面 能差異可以比所述反射層的材料與所述p型半導體層的材料之間的表面能 的差異更小。所述氧化防止層可以由Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的組 中選取的至少一種材料形成。所述氧化防止層可以以單層或多層結構形成。根據本發明的另一方面，提供了一種化合物半導體發光器件，所述化 合物半導體發光器件包括n型電極；n型半導體層；有源層；p型半導體層；以及p型電才及，其中所述p型電極包括疊置在所述p型半導體層上 的反射層；疊置在所述反射層上從而防止所述反射層聚結的APL(聚結防 止層)；以及插入在所述反射層和所述APL之間從而防止APL的擴散的擴 散阻擋物述APL的氧化的氧化防止層。


通過參照附圖對其示例性實施例的詳細描述，本發明的以上和其他特徵及優點將變得更加明顯，其中圖1是常規化合物半導體發光器件的結構的示意性剖面圖；圖2是示出其上p型電極被退火的圖1的化合物半導體LED的表面的照片；圖3是掃描電子顯微鏡(SEM)剖面照片，示出了經退火的p型電極 的聚結以及由於聚結導致的形成在p型電極中的空洞；圖4是根據本發明 一 實施例的多重反射層電極的結構的剖面圖；圖5是根據本發明另一實施例的多重反射層電極的結構的剖面圖；以及圖6是含有根據本發明一實施例的多重反射層電極的化合物半導體發 光器件的示意性剖面圖。 d具體實施方式
現將參照附圖更充分的描述本發明，附圖中示出了本發明的示例性實 施例。圖4是根據本發明一實施例的多重反射層電極(p型電極)的結構的剖 面圖。參照圖4，根據本發明一實施例的多重反射層電極130包括順序疊置 在p型氮化物半導體層100上的反射層122、擴散阻擋物124以及聚結防止 層(APL) 126。反射層122由具有良好光反射特性的材料形成並反射入射到反射層 122上的光。反射層122可以由銀(Ag)、銀基合金或呈Ag-0形式的銀基 氧化物形成。此處，所述銀基合金可以包括從鋁(Al)、銠(Rh)、銅(Cu)、 鈀(Pd)、鎳(Ni)、釕(Ru)、銥(Ir)和鉑(Pt)所構成的溶質元素(solute element)組中選取的至少一種元素。為了減小p型氮化物半導體層100與反 射層122之間的接觸電阻，反射層122可以是具有光反射特性和歐姆接觸 特性兩者的反射歐姆接觸層。APL 126防止反射層122的聚結。APL 126可以由Al或Al基合金形成。
此處，Al基合金可以包括從Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的溶 質元素組中選取的至少一種元素。擴散阻擋物124插入在反射層122和APL 126之間並防止用於形成APL 126的材料朝向反射層122擴散。擴散阻擋物 124可以由透明導電材料形成。此處，所述透明導電材料可以包括從氮化鈦(Ti-N)、氧化鉬(Mo畫O)、氧化釕(Ru-O)、氧化銥(Ir-O)和氧化銦(In-0 ) 所構成的組中選取的至少一種材料。In-0可以進一步包括從錫(Sn)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銅(Cu)和鎂(Mg)構成的組中選取的至少一種摻雜齊寸。 添加到In-0的摻雜劑的含量被控制在0.1-49原子百分比，從而能夠改善 擴散阻擋物124的歐姆接觸特性。在圖4中，反射層122、擴散阻擋物124和APL126中的每一個可以形 成至1 - 1000nm的厚度。當APL 126的厚度過大時，可能增大電阻。另一 方面，當APL126的厚度過小時，聚結防止效果下降，APL126的厚度需要 被適當地調整。可以根據整個半導體器件的尺寸和反射層122的厚度來決 定APL 126的厚度。例如，反射層122的厚度在50nm至1000nm的範圍並 且可以是200nm。因此，當反射層122的厚度為200nm時，APL 126的厚 度可以在1 -200nm之內。更優選地，APL 126的厚度可以是約100-200nm。 在這種情況下，擴散阻擋物124的厚度可以是50 - 100nm。在順序沉積反射層122、擴散阻擋物124和APL126之後，可以在300。C 至600°C下對疊置的所得結構進行退火。可以利用半導體製造工藝中常用的 氣相沉積或者利用電子束蒸鍍來形成各個材料層，所述氣相沉積例如是化 學氣相沉積(CVD)、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)或物理氣相沉積(PVD )。現將更詳細的描述圖4所示的多重反射層電極(P型電極)的特性。更 具體而言，由於比如Ag、 Ag基合金或呈Ag-O形式的Ag基氧化物的反射 層122材料的表面能與p型氮化物半導體層100的材料的表面能大大不同， 所以在疊置反射層122之後的退火期間發生聚結。在圖4中，為了防止聚 結，在反射層122之上疊置由導電材料、即Al或Al基合金形成的APL 126， 所述導電材料與p型氮化物半導體層100的表面能之間的表面能差異較小。 Al基合金包括從Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的溶質金屬(solute metal)組中選取的至少一種材料。由於這些所選材料與p型氮化物半導體 層100的材料的表面能之間具有小的表面能差異並具有良好的電導率，所10 以所述材料疊置在反射層122之上，可以執行聚結防止功能並可以用作電 極。在APL 126的疊置方法中，利用普通電子束蒸鍍器通過電子束產生的 反射層材料的金屬蒸汽和聚結防止層材料的金屬蒸汽順序暴露於襯底並因 此以多重薄膜結構疊置。接著，在300。C至600。C下執行退火5分鐘。可以 在至少包括氧的氣氛下進行退火。在這種情況下，在本發明中退火時間和 氣氛並非非常重要，可以進行30分鐘或更長時間的退火。當在反射層122 上疊置APL 126時，APL 126的材料的表面能與p型氮化物半導體層100 的材料的表面能之間的差異較小。因此，可能在APL 126和p型氮化物半 導體層100中類似地產生在後續退火期間有可能產生的變形。因此，APL 126 防止了反射層122在退火期間聚結，使得反射層122的表面保持在平坦狀 態。然而，另一方面，當APL 126疊置在反射層122上並被退火時，用於 形成APL 126的材料的一部分朝向反射層122擴散，銀基反射層122的熱 穩定性和歐姆接觸特性可能受到嚴重影響。因此，需要防止APL 126與反 射層122之間的擴散但不擾亂APL 126的功用的層。因此，為了滿足這種 需求，如圖4所示，在反射層122與APL 126之間附加的插入擴散阻擋物 124。這樣，與現有技術相比，能夠改善反射層122的熱穩定性和歐姆接觸 特性。此外，擴散阻擋物124防止了在p型氮化物半導體層IOO和Ag基反 射層122之間的界面處形成空洞並防止了表面聚結的產生。如果防止了反射層122的聚結以及從另一電極層到反射層122的雜質 材料的擴散，反射層122的反射率就不會降低且能夠保持高反射狀態。由 於與現有技術相比，含有根據圖4製造的多重反射層電極130的半導體發 光器件可以具有非常小的反射率減小量，所以可以期望得到光輸出特性的 改善。當在反射層122上僅形成擴散阻擋物124和APL 126時，可能增大 多重反射層電極130的整個接觸電阻。因此，可以在p型氮化物半導體層 IOO與反射層122之間插入可降低接觸電阻的附加電極。可以在p型氮化物 半導體層100和反射層122之間進一步插入降低p型半導體層100和反射 層122之間的接觸電阻的接觸電極層(未示出)。p型氮化物半導體發光器 件產生的光必須穿過接觸電極層(未示出)並必須到達反射層122。此外， 由於從反射層122反射的光必須再次穿過接觸電極層(未示出)，所以接觸 電極層(未示出)必須具有高透明度。'因此，為了滿足這種要求，接觸電 極層(未示出)可以由La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、熱 電氧化物、摻雜氧化物(doped in oxide )、 ITO和ZnO構成的組中選取的至 少一種材料形成。特別是，在其中，Zn-Ni合金、Ni-Mg合金和Zn-Mg合金 可以是更好的材料。此處，摻雜氧化物中的摻雜元素可以包括從Mg、 Ag、 Zn、 Sc、 Hf、 Zr、 Te、 Se、 Ta、 W、 Nb、 Cu、 Si、 Ni、 Co、 Mo、 Cr、 Mn、 Hg、 Pr和La構成的組中選取的至少一種。接觸電極層(未示出)可以形成至0.1 _200nm的厚度。如果接觸電極 層的厚度過大，整個反射率降低，如果接觸電極層的厚度過小，疊置效果 降低。因此，需要適當調整接觸電極層的厚度。可以根據整個半導體器件 的尺寸和反射層122的厚度來確定接觸電極層(未示出)的厚度。例如， 當反射電極層122的厚度是200nm時，接觸電極層的厚度可以是l - 200nm。 更優選地，接觸電極層的厚度可以是約3nm。優選地，在順序疊置接觸電 極層(未示出)、反射層122、擴散阻擋物124和APL 126之後，可以在300 。C至60(TC下退火疊置的所得結構。圖5是根據本發明另一實施例的多重反射層電極的結構的剖面圖。參 照圖5,多重反射層電極140包括順序疊置在p型氮化物半導體層100上的 反射層122、擴散阻擋物124、聚結防止層(APL) 126和氧化防止層128。 此處，已經描述了反射層122、擴散阻擋物124和APL126的功能、用於形 成它們的材料及其形成方法，因此，將省略對其的重複描述。當比如Cu的金屬材料用於形成APL 126時，由於APL 126的表面的氧 化，可能劣化電極的電流-電壓特性。'更具體而言，當為了防止在反射層 122中發生的聚結而在反射層122上形成擴散阻擋物124和APL 126時，在 反射層122表面上的聚結幾乎消失，然而，APL 126的表面被部分地氧化。 如果APL 126的表面以這種方式被氧化，則電極的電流-電壓特性劣化， 從而會大大提高化合物半導體發光器件的操作電壓。這種氧化會在半導體 發光器件的大批量生產時引起很大問題。因此，為了抑制APL 126的表面 氧化，可以在APL126上附加的形成氧化防止層128。特別是，氧化防止層 128疊置在APL 126上並抑制APL 126的氧化。因此，以這種方式，在APL 126上進一步形成了氧化防止層128，從而能夠抑制反射層122的聚結(這 是APL 126的作用)並能夠抑制APL 126的氧化(這是氧化防止層128的 作用)。氧化防止層128可以由Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的組
中選取的至少一種材料形成，並且氧化防止層128可以以單層或多層結構 形成。氧化防止層128可以形成至1 - 1000nm的厚度，特別是20 - 500nm的厚度。在於p型氮化物半導體層IOO上順序疊置反射層122、擴散阻擋物124、 APL 126和氧化防止層128之後，可以在300。C至600。C下退火疊置的所得 結構。可以在p型氮化物半導體層100與反射層122之間進一步插入減小p 型半導體層IOO和反射層122之間的接觸電阻的接觸電極層(未示出)。接 觸電極層(未示出)可以形成至0.1 -200nm的厚度。已經描述了用於形成 接觸電極層(未示出)的材料，因此，將省略對其的詳細描述。在於p型 氮化物半導體層100上順序疊置接觸電極層(未示出)、反射層122、擴散 阻擋物124、 APL 126和氧化防止層128之後，可以在300。C至600。C下退 火疊置的所得結構。圖6是含有根據本發明一實施例的多重反射層電極的化合物半導體發 光器件的示意性剖面圖。在圖6中示出了含有圖5所示的多重反射層電極140的化合物半導體 發光器件150。特別是，化合物半導體發光器件150包括順序疊置在襯底 IIO上的n型半導體層112、有源層114和p型半導體層116。化合物半導 體發光器件150進一步包括形成在n型半導體層112的蝕刻表面上的n型電 極120以及形成在p型半導體層116上的p型電極140。此處，將圖5所示 的多重反射層電極140用作p型電極140。更具體而言，p型電極140包括 順序疊置在p型半導體層116上的反射層122、擴散阻擋物124、聚結防止 層(APL) 126和氧化防止層128。已經描述了圖5所示的多重反射層電極 140的詳細結構並對其進行了說明，因此，將省略對其的重複描述。襯底110可以是Si、 GaAs、 SiC、 GaN和藍寶石襯底之一。n型半導體 層112是n-GaN基III-V族氮化物半導體層並且尤其可以是n-GaN層或 n-GaN/AlGaN層。p型半導體層116是p-GaN基III-V族氮化物半導體層並 且尤其可以是p-GaN層或p-GaN/AlGaN層。有源層114是GaN基III-V族氮化物半導體層，其由InxAlyGai-x-yN (O^x^l, OSy$l ， O^x+y^l )形成，並且尤其可以是InGaN層或AlGaN層。 此處，有源層114可以具有多量子阱(MQW)和單量子阱之一，並且有源 層114的結構不限制本發明的技術範圍。最優選地，例如，有源層114可以 形成為GaN/InGaN/GaN MQW或GaN/AlGaN/GaN MQW結構。在根據本發明的化合物半導體發光器件的結構中，如果在n型電極120 和p型電極140之間施加正向電壓，則有源層114的導帶中的電子與價帶 中的空穴複合，並且由於對應於帶隙的能量而從有源層14發出光，所述對 應於帶隙的能量是價帶與導帶之間的能量差。在這種情況下，從有源層114 發出的光被p型電極140反射並且可以通過村底110發射到半導體發光器 件150之外。在根據本發明的化合物半導體發光器件中，n型電極120可以由比如 Al、 Ag、 Au和Pd的金屬材料形成。此外，根據本發明的多重反射層電極 可以用作n型電極120。換言之，n型電極120可以包括順序疊置在n型半 導體層112上的反射層122、擴散阻擋物124、 APL 126和氧化防止層128。由於與現有技術相比，含有根據本發明的多重反射層電極140的化合 物半導體發光器件具有更小的反射率減小量，所以能夠期望得到光輸出特 性的改善。根據本發明，能夠得到具有改善的熱穩定性和歐姆接觸特性的多重反 射層電極以及含有該電極的化合物半導體發光器件。特別是，根據本發明， 使用了擴散阻擋物和聚結防止層(APL)，從而防止在反射層的表面上發生從而改善了反射層的熱穩定性和歐姆接觸特性。此外，在APL上疊置了氧 化防止層從而防止了 APL的氧化。因此，根據本發明，能夠得到具有非常 低的電阻的半導體發光器件的電極，並且能夠得到具有小的功耗的半導體 發光器件。此外，根據本發明，能夠進行半導體發光器件的穩定的大批量生產。儘管已經參考其示例性實施例具體表示並描述了本發明，但本領域普 通技術人員應理解的是，在不偏離由所附權利要求限定的本發明的精神和 範圍的前提下，可以對本發明進行形式和細節上的各種變化。
權利要求
1.一種形成在化合物半導體發光器件的p型半導體層上的多重反射層電極，所述化合物半導體發光器件包括n型半導體層、有源層和所述p型半導體層，所述多重反射層電極包括疊置在所述p型半導體層上的反射層；疊置在所述反射層上從而防止所述反射層聚結的聚結防止層；以及插入在所述反射層和所述聚結防止層之間從而防止所述聚結防止層的擴散的擴散阻擋物。
2. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，還包括形成在所述聚結防 止層上從而防止所述聚結防止層的氧化的氧化防止層。
3. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，其中所述反射層是反射歐 姆接觸層。
4. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，其中所述反射層由Ag、 Ag基合金和Ag基氧化物構成的組中選取的一種材料形成。
5. 根據權利要求4所述的多重反射層電極，其中所述Ag基合金包括 從Al、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的溶質元素組中選取的至少一 種元素。
6. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，其中所述擴散阻擋物由透 明導電材料形成。
7. 根據權利要求6所述的多重反射層電極，其中所述透明導電材料包 括從Ti-N、 Mo-O、 Ru-O、 Ir-0和In-0構成的組中選取的至少一種材料。
8. 根據權利要求7所述的多重反射層電極，其中所述In-O還包括從 Sn、 Zn、 Ga、 Cu和Mg構成的組中選取的至少一種4參雜劑。
9. 根據權利要求8所述的多重反射層電極，其中添加到所述In-O的 摻雜劑的含量是0.1 - 49原子百分比。
10. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，其中所述聚結防止層由 Al或Al基合金形成。
11. 根據權利要求10所述的多重反射層電極，其中所述A1基合金包 括從Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的溶質元素組中選取的至少 一種元素。
12. 根據權利要求2所述的多重反射層電極，其中所述氧化防止層由 Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的組中選取的至少一種材料形成。
13. 根據權利要求12所述的多重反射層電極，其中所述氧化防止層以 單層或多層結構形成。
14. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，還包括接觸電極層，所 述接觸電極層插入在所述p型半導體層與所述反射層之間並減小所述p型 半導體層與所述反射層之間的接觸電阻。
15. 根據權利要求14所述的多重反射層電極，其中所述接觸電極層由 La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、熱電氧化物、摻雜氧化物、 ITO和ZnO構成的組中選取的至少 一種材料形成。
16. 根據權利要求15所述的多重反射層電極，其中所述摻雜氧化物中 的摻雜元素包括從Mg、 Ag、 Zn、 Sc、 Hf、 Zr、 Te、 Se、 Ta、 W、 Nb、 Cu、 Si、 Ni、 Co、 Mo、 Cr、 Mn、 Hg、 Pr和La構成的組中選取的至少一種。
17. 根據權利要求15所述的多重反射層電極，其中所述接觸電極層的 厚度為0.1 -200nm。
18. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，其中所述反射層、所述 擴散阻擋物和所述聚結防止層中每一個的厚度為1 - 1000nm。
19. 根據權利要求2所述的多重反射層電極，其中所述氧化防止層的 厚度為1 _ 1000nm。
20. 根據權利要求1所述的多重反射層電極，其中在順序疊置所述反 射層、所述擴散阻擋物和所述聚結防止層之後，在300。C至600。C下退火疊 置的所得結構。
21. 根據權利要求2所述的多重反射層電極，其中在順序疊置所述反 射層、所述擴散阻擋物、所述聚結防止層和所述氧化防止層之後，在300 。C至600。C下退火疊置的所得結構。
22. 根據權利要求15所述的多重反射層電極，其中在順序疊置所述接 觸電極層、所述反射層、所述擴散阻擋物、所述聚結防止層和所述氧化防 止層之後，在300。C至600。C下退火疊置的所得結構。
23. —種化合物半導體發光器件，包括 n型電才及；n型半導體層；有源層；p型半導體層；以及 p型電羊及，其中所述p型電極包括 疊置在所述p型半導體層上的反射層；插入在所述反射層和所述聚結防止層之間從而防止所述聚結防止層的 擴散的擴散阻擋物。
24. 根據權利要求23所述的化合物半導體發光器件，還包括形成在所 述聚結防止層上從而防止所述聚結防止層的氧化的氧化防止層。
25. 根據權利要求23所述的化合物半導體發光器件，其中所述反射層 由Ag、 Ag基合金和Ag基氧化物構成的組中選取的一種材料形成。
26. 根據權利要求25所述的化合物半導體發光器件，其中所述Ag基 合金包括從A1、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的溶質元素組中選取 的至少一種元素。
27. 根據權利要求23所述的化合物半導體發光器件，其中所述擴散阻 擋物由透明導電材料形成。
28. 根據權利要求27所述的化合物半導體發光器件，其中所述透明導 電材料包括從Ti-N、 Mo-O、 Ru-O、 Ir-0和In-O構成的組中選取的至少一 種材料。
29. 根據權利要求23所述的化合物半導體發光器件，其中所述聚結防 止層由Al或Al基合金形成。
30. 根據權利要求29所述的化合物半導體發光器件，其中所述A1基 合金包括從Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的溶質元素組中選取 的至少一種元素。
31. 根據權利要求24所述的化合物半導體發光器件，其中所述氧化防 止層由Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt構成的組中選取的至少一種材 料形成。
32. 根據權利要求24所述的化合物半導體發光器件，還包括接觸電極 層，所述接觸電極層插入在所述p型半導體層與所述反射層之間並減小所 述p型半導體層與所述反射層之間的接觸電阻。
33.根據權利要求32所述的化合物半導體發光器件，其中所述接觸電極層由La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、熱電氧化物、摻雜 氧化物、ITO和ZnO構成的組中選取的至少一種材料形成。
全文摘要
提供了一種多重反射層電極以及含有該電極的化合物半導體發光器件。所述多重反射層電極包括疊置在所述p型半導體層上的反射層；疊置在所述反射層上從而防止所述反射層聚結的聚結防止層；以及插入在所述反射層和所述聚結防止層之間從而防止所述聚結防止層的擴散的擴散阻擋物。
文檔編號H01L33/46GK101165928SQ200710105189
公開日2008年4月23日 申請日期2007年5月24日 優先權日2006年10月18日
發明者宋俊午, 崔光基, 成泰連, 洪賢其, 金慶國, 金顯秀 申請人:三星電機株式會社