蝕刻方法
2024-01-26 12:59:15 2
專利名稱：蝕刻方法
技術領域：
本發明涉及一種蝕刻方法，更詳細地說是涉及一種由矽構成的被處理體的蝕刻方法。
背景技術：
近年來，隨著半導體裝置集成度的增加，單個元件的尺寸漸趨小型化。所以，對旨在保證元件分離或存儲單元容量面積的矽基板上所形成的溝道(槽)或通孔(孔)，要求其有很高的縱橫比(溝道(或通孔)的深度/溝道(或通孔)的直徑)。以往對於在矽基板上形成溝道或通孔的方法，包括一種通過將含氟氣體等離子化並生成氟自由基而蝕刻矽基板的方法。在這種情況下，由於氟自由基與矽自發地進行反應， 所以室溫的蝕刻為各向同性。因此，現在採用的是在蝕刻矽基板形成溝道或通孔的一部分後，在其側壁上形成保護膜，進而進行蝕刻的方法(例如，參照專利文獻1)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 國際公開W02006/003962. 發明概要發明要解決的技術問題在上述現有方法中，是通過形成保護膜，來抑制側壁被蝕刻。但卻出現了問題，即因一邊重複執行蝕刻工序和保護膜形成工序，一邊形成溝道或通孔，而在這些側壁上產生凹凸或類似情況。再有，矽基板的蝕刻，是在矽基板上形成規定形狀的掩膜後，對暴出掩膜的部分進行的。此處，掩膜正下方部分，容易被氟自由基進入，保護膜容易受到損傷。因此， 還存在一個問題，即隨著蝕刻朝深度方向進行，側壁也被蝕刻，而無法得到想要的形狀的溝道或通孑L ο上述問題在要形成縱橫比高的溝道或通孔時變得顯著。因此，本發明的目的在於提供一種蝕刻方法，其對於由矽構成的被處理體，可以形成想要的縱橫比及形狀的溝道或通孑L。本發明的其他目的及優點通過下述內容將會變得顯而易見。
發明內容
解決技術問題的手段本發明的第一方式，是在處理室內產生等離子，蝕刻由設置在該處理室內的基板電極上的矽構成的被處理體的方法，其特徵在於具有使用含滷化氫氣體的蝕刻工序，其將含滷化氫氣體導入所述處理室內，蝕刻所述被處理體；使用含氟氣體的蝕刻工序，其將含氟氣體導入所述處理室內，蝕刻所述被處理體；保護膜形成工序，其濺鍍與所述被處理體相向配置的固體材料，在所述被處理體上形成保護膜；保護膜去除工序，其向所述基板電極施加高頻偏壓功率，去除所述保護膜的一部分，其中將使用含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序及保護膜去除工序以此順序重複進行。在上述重複工序中，將使用含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序及保護膜去除工序以此順序重複即可，也可將使用含氟氣體的蝕刻工序和保護膜形成工序的任意一個為最開始。本發明的第一方式，優選最開始進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。即優選在被處理體的表面上形成有規定形狀的掩膜，使用含滷化氫氣體蝕刻該掩膜正下方的矽。本發明的第一方式，在所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序之後，可將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重複進行。再有，本發明的第一方式，可在將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重複進行之後，進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。進而，本發明的第一方式，也可交互進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序、和將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重複進行的工序。本發明的第二方式，是在處理室內產生等離子，將由設置在該處理室內的基板電極上的矽構成的被處理體蝕刻的方法，其特徵在於具有使用含滷化氫氣體的蝕刻工序，其將含商化氫氣體導入所述處理室內，蝕刻所述被處理體；保護膜形成工序，其濺鍍與所述被處理體相向設置的固體材料，在所述被處理體上形成保護膜；使用含氟氣體的蝕刻工序，其將含氟氣體導入所述處理室內的同時向所述基板電極施加高頻偏壓功率，去除所述保護膜的一部分的同時蝕刻所述被處理體，其中將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行。本發明的第二方式優選最開始進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。即優選在被處理體的表面形成有規定形狀的掩膜，使用含滷化氫氣體蝕刻該掩膜正下方的矽。本發明的第二方式，在所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序後，可將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行。再有，本發明的第二方式，也可在將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行後，進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。進而，本發明的第二方式，也可交互進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序，和將所述保護膜形成工序與所述使用含氟氣體的蝕刻工序以該順序重複進行的工序。在本發明的第一方式及第二方式中，優選所述含滷化氫氣體含有氟元素。在本發明的第一方式及第二方式中，所述滷化氫可以是從碘化氫、氯化氫及溴化氫的組中選出的至少一種。在本發明的第一方式及第二方式中，所述含氟氣體可以是包含從六氟化硫氣體、 三氟化氮氣體、氟氣、四氟化矽氣體、二氟化氙氣體、氟化碘氣體及碘化碳氟化合物氣體構成的組中選出的至少一種的氣體。在本發明的第一方式及第二方式中，所述固體材料，可以是使用從氟樹脂、矽、碳、 碳化矽、氧化矽及氮化矽的組中選出的材料構成的。發明效果根據本發明的第一方式，由於具有使用含滷化氫氣體的蝕刻工序、使用含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序、以及保護膜去除工序，將使用含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序及保護膜去除工序以此順序重複進行，所以成為可以對由矽構成的被處理體，形成想要的縱橫比及形狀的溝道或通孔。根據本發明的第二方式，由於具有使用含滷化氫氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序、以及使用含氟氣體的蝕刻工序，將保護膜形成工序和使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行，所以成為可以對由矽構成的被處理體形成想要的縱橫比及形狀的溝道或通孔。再有，在使用含氟氣體的蝕刻工序中，由於在去除保護膜的一部分的同時蝕刻被處理體，所以可以減少整體的工序數。
圖1是在本實施方式中使用的NLD方式的蝕刻裝置的示意圖。圖2是本實施方式中的使用含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序及保護膜去除工序的順序。圖3(a) (e)是矽基板的局部剖面示意圖。
具體實施例方式圖1示出了在本實施方式中使用的NLD (Magnetic Neutral Loop Discharge ；磁中性線放電)類型的蝕刻裝置。NLD類型，由於可以控制等離子的直徑和大小，所以與通常類型相比具有蝕刻精度高和能濺鍍的優點。在本發明中優選使用這種類型。但是，本發明並不僅限於NLD類型，也可以是能產生等離子的其他型式的蝕刻裝置。在圖1中，作為處理室的真空腔1，具備上部的等離子產生部2、以及下部的基板處理部3。基板處理部3上安裝有排氣口 4，排氣口 4連接在合適的排氣系統(圖中未示出) 中。再有，在等離子產生部2的外部安裝有3個磁場線圈5、6、7。通過這些磁場線圈，在真空腔1的內部形成磁中性線。在基板處理部3上，安裝有基板電極8，作為被處理體的矽基板9載置於基板電極 8上。再有，基板電極8，通過阻塞電容器10，連接在施加射頻偏壓的高頻偏壓電源11上。在等離子產生部2和3個磁場線圈5、6、7之間，配置有用於產生等離子的3個高頻天線線圈12。這些高頻天線線圈12連接在高頻電源13上，設置為可沿3個磁場線圈5、 6、7在等離子產生部2上形成的磁中性線而施加交流電場。由此，可使磁中性線上產生放電等離子。等離子產生部2的頂板，電位上維持在懸浮狀態，作為浮動電極14而發揮作用。浮動電極14上設置有固體材料15。固體材料15，例如用氟樹脂、矽、碳、碳化矽、氧化矽或氮化矽等構成。高頻電源13至高頻天線線圈12的饋線，在中途岔開，經由變電容器16朝向浮動電極14。由此，從高頻電源13向浮動電極14間歇施加高頻功率，在浮動電極14上產生自偏壓。另外，也可用開關代替可變電容器16。再有，也可將浮動電極14用的高頻電源和高頻天線線圈12用的高頻電源分開安裝。真空腔1上連接有提供含滷化氫氣體的供給線路17，以及通過含氟氣體供給線路 18。在供給線路17的中途安裝有控制裝置19，控制含滷化氫氣體的供給、停止，以及供給中的流量。再有，供給線路18的中途安裝有控制裝置20，控制含氟氣體的供給、停止，以及供給中的流量。在供給線路18中，設置為提供稀有氣體的供給線路21連接在控制裝置20的下遊，含氟氣體和稀有氣體在氣體混合部22中混合。由此，可以向真空腔1提供這些混合氣體。再有，如通過控制裝置20停止含氟氣體的供給，則可僅將稀有氣體提供給真空腔1。另夕卜，在本實施方式中，也可將含氟氣體的供給線路和稀有氣體的供給線路分開安裝。作為滷化氫，例如可使用碘化氫、氯化氫或溴化氫。含滷化氫氣體可包含滷化氫以外的氣體，特別優選含有氟氣或氧氣。通過含有氟，蝕刻速度變大提高生產能力。再有通過含有氧，由滷化氫和矽的反應而形成的生成物分解，蝕刻順暢進行。含氟氣體可使用六氟化硫(SF6)氣體、三氟化氮(NF3)氣體、氟(F2)氣、四氟化矽 (SiF4)氣體、二氟化氙(XeF2)氣體、氟化碘(IF6或IF7)氣體或碘化碳氟化合物氣等，但優選使用六氟化硫。再有，可使用作為氬(Ar)、氙(Xe)、氪(Kr)或氮(N2)等作為稀有氣體。接著，用圖1的蝕刻裝置對蝕刻矽基板9的方法進行說明。首先，向真空腔1的內部導入含滷化氫氣體，蝕刻矽基板9。此處，採用在矽基板9 的表面，安裝著具有預定圖案的掩膜(圖中未示出)的基板。通過蝕刻露出掩膜的矽基板 9，可以在矽基板9上需要的位置上形成想要的形狀的溝道或通孔。另外，掩膜既可為SiO2 等無機物，也可為由丙烯酸樹脂或有機矽樹脂等構成的感光性抗蝕劑，或由環氧樹脂等構成的熱固性抗蝕劑。掩膜，在溝道或通孔的形成結束後，通過灰化等去除。具體是使控制裝置19運轉，向真空腔1的內部導入含滷化氫氣體。此時，使可變電容器16為OFF狀態，以使高頻功率不提供給浮動電極14。另一方面，使高頻偏壓電源11 為ON狀態，以使高頻功率提供給基板電極8。再有，從高頻電源13向高頻天線線圈12提供用於產生等離子的功率。由此，進行矽基板9的蝕刻。作為一個例子，使用HBr、SF6以及仏的混合氣體作為含滷化氫氣體，使用He氣體作為稀有氣體，設置真空腔內的壓力為2Pa、高頻電源的輸出為2000W，高頻偏壓電源的輸出為100W，高頻偏壓電源的頻率數為12. 56MHz來進行刻蝕時，蝕刻速度是5. 755 μ m/分。 另外，蝕刻氣體的各流量設置為HBr氣體為7kccm、SF6為50sccm、O2為lOOsccm。再有設置He氣體的壓力為1330Pa，溫度為-20°C，蝕刻時間為120秒。結果形成了具有光滑側壁的開孔部。通過使用滷化氫進行蝕刻，可得到各向異性形狀，即可在抑制溝道或通孔的內壁變為弓形狀態的同時，推進蝕刻。但是，在該蝕刻中，由於與掩膜的選擇比不會變大，因而有在進行蝕刻的同時掩膜消失的危險。因此，在規定深度的蝕刻完成時，將蝕刻氣體切換為含氟氣體。具體是通過控制裝置19停止含滷化氫氣體的供給，使控制裝置20運轉。由此，在氣體混合部22中，稀有氣體中混入含滷化氫氣體，向真空腔1的內部導入這些混合氣體。此時，使可變電容器16和高頻偏壓電源11為OFF狀態，以使高頻功率不提供給浮動電極14 和基板電極8。而且，從高頻電源13向高頻天線線圈12提供用於產生等離子的功率，進行矽基板9的蝕刻。採用使用含氟氣體的上述蝕刻，蝕刻通過氟自由基和矽的反應而順利進行。雖然該蝕刻可將與掩膜的選擇比增大，但由於變為各向同性而無法得到各向異性形狀。因此，產生溝道或通孔的內壁以拱狀擴展形成弓形。為防止其發生，設置為在側壁上形成保護膜，以保護側壁免於蝕刻。具體是設置為在規定時間進行使用含氟氣體的蝕刻後，通過控制裝置20停止含氟氣體的供給，僅將稀有氣體提供給真空腔1的內部。再有，在高頻偏壓電源11為OFF狀態下，將可變電容器16設為0N，同時提高高頻電源13的輸出。由此，不向基板電極8提供高頻功率，而將高頻功率施加給浮動電極14。而且，濺鍍設置在浮動電極14上的固體材料 15，在矽基板9上形成保護膜(圖中未示出)。例如，使用氟樹脂作為固體材料15時，在矽基板9上形成氟樹脂膜。接著，設置可變電容器16為OFF，停止向浮動電極14施加高頻功率。而且，設置高頻偏壓電源11為0N，將高頻功率施加給基板電極8。由此，除了溝道或通孔的側壁，而將在矽基板9的表面、和與其大致平行的面上形成的保護膜去除。另外，此時，也可使控制裝置 20運轉，導入含氟氣體，但也可不導入含氟氣體而導入稀有氣體。圖2是使用含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序及保護膜去除工序的順序。在此例中，以上述的各工序為一個循環，示出了三個循環的定時。另外，在圖2中，分別有信號 A示出了觸發信號，信號B示出了顯示含氟氣體的控制裝置20的控制定時的信號，信號C示出了顯示可變電容器16的控制定時的信號，信號D示出了顯示高頻電源13的控制定時的信號，信號E示出了顯示高頻偏壓電源11的控制定時的信號。在圖2中，第一個循環結束後，進行第二個循環，進而進行第三個循環。即在進行了第一個循環的蝕刻一保護膜形成一保護膜去除之後，進入第二個循環，進行使用了含氟氣體的蝕刻。由此，在通過保護膜防止對側壁的蝕刻的同時，可將矽基板在其深度方向上進一步蝕刻。蝕刻到了規定的深度時，再在側壁上形成保護膜。其後，進入第三個循環，同樣進行蝕刻一保護膜形成一保護膜去除。通過在第三個循環結束後往後也重複上述工序，可在保護側壁的同時，推進向矽基板的深度方向的蝕刻。另外，上述循環的重複次數根據想要的溝道或通孔的形狀來適當設定。圖3(a) (e)是矽基板的局部剖面示意圖，示出了採用本發明的蝕刻方法的各工序。首先，如圖3(a)所示，通過使用了滷化氫的蝕刻，將露出掩膜101的矽基板102蝕刻到規定的深度。接著，將蝕刻氣體更換為含氟氣體，進一步蝕刻矽基板102。由此，能得到圖3(b) 所示的形狀。接下來，停止含氟氣體的供給，如圖3(c)所示，在矽基板102上形成保護膜103。 保護膜103形成為被覆於掩膜101的頂部和開孔部104的內部。接著，保留開孔部104的側壁104a，將在矽基板102的表面和與其大致平行的面上形成的保護膜103去除。由此，得到圖3(d)所示的結構。此後，再進行使用含氟氣體的蝕亥IJ，進而更深地刻蝕矽基板102 (圖3 (e))。如此，採用本實施方式，在進行使用了含滷化氫氣體的蝕刻工序後，使用重複進行含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序及保護膜去除工序。由此，可在使溝道或通孔的側壁光滑的同時，將矽基板向其深度方向上蝕刻。這被認為是下述原因導致的。在僅重複進行氟自由基的各向同性的蝕刻工序和對側壁形成保護膜工序，同時形成溝道或通孔的現有方法中，難以形成沒有凹凸的光滑側壁。但是，如本發明那樣，採用使用了滷化氫的各向異性的蝕刻，可形成光滑的側壁。再有，掩膜正下方的部分，容易被氟自由基進入，保護膜容易受到損傷，但通過使用滷化氫進行蝕刻，也可將所述部分的氟自由基導致的損傷減少。而且，如果在此蝕刻之後，重複執行使用了含氟氣體的蝕刻和對側壁形成保護膜，推進向深度方向的刻蝕，則可在維持良好的形狀的同時，形成高縱橫比的溝道或通孔。另外，隨著向深度方向的蝕刻的順利進行，由於氟自由基導致的向掩膜正下方部分的化學侵蝕減少，所以幾乎沒有形成了光滑形狀的側壁在使用了含氟氣體的蝕刻工序中變為產生凹凸的狀態的危險。另外，本發明並不限於上述實施形式，可以在不脫離本發明的主旨的範圍內實施各種變形。例如，在上述實施方式中，在進行使用了含滷化氫氣體的蝕刻後，重複進行使用了含氟氣體的蝕刻、保護膜的形成、以及保護膜的去除。但是，本發明並不僅限於此。在本發明中，也可在重複進行使用含氟氣體的蝕刻、保護膜的形成、以及保護膜的去除後，進行使用含滷化氫氣體的蝕刻。再有，也可重複下述工序在使用含滷化氫氣體的蝕刻進行後，重複進行使用含氟氣體的蝕刻、保護膜的形成、以及保護膜的去除的工序，再在使用含滷化氫氣體的蝕刻進行後，重複進行使用含氟氣體的蝕刻、保護膜的形成、以及保護膜的去除。進而，也可重複下述工序在重複進行使用含氟氣體的蝕刻、保護膜的形成、以及保護膜的去除之後，進行使用了含滷化氫氣體的蝕刻，再在重複進行使用了含氟氣體的蝕刻、保護膜的形成、以及保護膜的去除之後，進行使用含滷化氫氣體的蝕刻。採用上述的任意一種情況，都可得到本發明的效果。再有，在上述實施方式中，在使用了含氟氣體的蝕刻時，設置高頻偏壓電源11為 OFF狀態，以不將高頻功率提供給圖1的基板電極8。但是，在本發明中，也可在施加高頻偏壓功率的同時，使用含氟氣體進行蝕刻。採用這種方方法，可同時進行矽基板的蝕刻和保護膜的去除。從而，可在使溝道或通孔的側壁光滑的同時，將矽基板向其深度方向刻蝕，在此效果之外，也能得到可減少整體的工序數的效果。在上述方法中，有向真空腔內導入含滷化氫氣體蝕刻矽基板的工序，以及重複下述操作的工序在濺鍍與矽基板相向設置的固體材料，在矽基板上形成保護膜後，通過向真空腔內導入含氟氣體的同時向基板電極施加高頻偏壓功率，在去除保護膜的一部分的同時蝕刻矽基板。此時，可在使用含滷化氫氣體的蝕刻工序之後，將保護膜形成工序和使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行。再有，也可在將保護膜形成工序和使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行之後，進行使用含商化氫氣體的蝕刻工序。進而，也可交互進行使用含滷化氫氣體的蝕刻工序、以及將保護膜形成工序與使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行的工序。附圖標記說明1真空月空2等離子產生部3基板處理部4 排氣口5，6，7磁場線圈
8基板電極9矽基板10阻塞電容器11高頻偏壓電源12高頻天線線圈13高頻電源14浮動電極15固體材料16可變電容器17，18，21 供給線路19，20控制裝置22氣體混合部101 掩膜102矽基板103保護膜104開孔部
權利要求
1.一種蝕刻方法，其在處理室內使等離子產生，蝕刻由設置在該處理室內的基板電極上的矽構成的被處理體，所述蝕刻方法，其特徵在於包括使用含滷化氫氣體的蝕刻工序，其向所述處理室內導入含滷化氫氣體，蝕刻所述被處理體；使用含氟氣體的蝕刻工序，其向所述處理室內導入含氟氣體，蝕刻所述被處理體；保護膜形成工序，其濺鍍與所述被處理體相向設置的固體材料，在所述被處理體上形成保護膜；保護膜去除工序，其向所述基板電極施加高頻偏壓功率，去除所述保護膜的一部分，將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重複進行。
2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特徵在於在最開始進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。
3.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特徵在於在所述使用含商化氫氣體的蝕刻工序之後，將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重複進行。
4.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特徵在於在將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重複進行後，進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。
5.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其特徵在於交互進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序；以及將所述使用含氟氣體的蝕刻工序、所述保護膜形成工序及所述保護膜去除工序以此順序重複進行的工序。
6.一種蝕刻方法，其在處理室內產生等離子，蝕刻由該處理室內設置的基板電極上的矽構成的被處理體，所述蝕刻方法，其特徵在於包括使用含滷化氫氣體的蝕刻工序，其向所述處理室內導入含滷化氫氣體，蝕刻所述被處理體；保護膜形成工序，其濺鍍與所述被處理體相向設置的固體材料，在所述被處理體上形成保護膜；使用含氟氣體的蝕刻工序，其在向所述處理室內導入含氟氣體的同時向所述基板電極施加高頻偏壓功率，在去除所述保護膜的一部分的同時蝕刻所述被處理體，將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行。
7.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特徵在於在最開始進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。
8.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特徵在於在所述使用含商化氫氣體的蝕刻工序之後，將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行。
9.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特徵在於在將所述保護膜形成工序和所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行後，進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序。
10.根據權利要求6的所述蝕刻方法，其特徵在於 交互進行所述使用含滷化氫氣體的蝕刻工序；以及將所述保護膜形成工序與所述使用含氟氣體的蝕刻工序以此順序重複進行的工序。
11.根據權利要求1 10中任意一項中的所述蝕刻方法，其特徵在於 所述含滷化氫氣體包含氟元素。
12.根據權利要求1 11中任意一項所述蝕刻方法，其特徵在於所述滷化氫是從碘化氫、氯化氫及溴化氫構成的組中選出的至少一種。
13.根據權利要求1 12中任意一項所述蝕刻方法，其特徵在於所述含氟氣體，包含從六氟化硫氣體、三氟化氮氣體、氟氣、四氟化矽氣體、二氟化氙氣體、氟化碘氣體及碘化碳氟化合物氣體構成的組中選出的至少一種。
14.根據權利要求1 13中任意一項所述蝕刻方法，其特徵在於所述固體材料，使用從氟樹脂、矽、碳、碳化矽、氧化矽及氮化矽構成的組中選出的材料構成。
全文摘要
本發明提供一種蝕刻方法，可對由矽構成的被處理體形成想要的縱橫比及形狀的溝道或通孔。具有使用含滷化氫氣體的蝕刻工序，其向真空腔(1)內導入含滷化氫氣體蝕刻矽基板(9)；使用含氟氣體的蝕刻工序，其向真空腔(1)內導入含氟氣體蝕刻矽基板(9)；保護膜形成工序，其濺鍍浮動電極(15)，在矽基板(9)上形成保護膜；保護膜去除工序，其將高頻偏壓功率施加給基板電極(8)，去除保護膜的一部分，將使用含氟氣體的蝕刻工序、保護膜形成工序及保護膜去除工序以此順序重複進行。
文檔編號H01L21/3065GK102473633SQ20108003596
公開日2012年5月23日 申請日期2010年8月12日 優先權日2009年8月14日
發明者森川泰宏, 鄒弘綱 申請人:株式會社愛發科