液處理裝置的製作方法

2024-02-04 02:43:15

本申請的實施方式涉及液處理裝置。

背景技術：

以往，作為對半導體晶圓、玻璃基板等基板進行液處理的液處理裝置，公知有單張式的液處理裝置。單張式的液處理裝置具備：基板保持部，其保持例如基板的外周部而使基板旋轉；供給部，其向保持於基板保持部的基板的上表面供給處理液。

在這樣的液處理裝置中，期望的是減少已供給到基板的上表面的處理液向下表面的蔓延。因此，近年來，提出了一種液處理裝置，在該液處理裝置中，使基板支承於沿著基板的周向延伸的傾斜面而使基板的下表面與傾斜面在基板的大致整周上接觸，從而抑制處理液從基板的上表面向下表面蔓延。

然而，在基板翹曲了的情況下，在基板與傾斜面之間產生微小的間隙，處理液有可能從該間隙向基板的下表面側蔓延。因此，在上述的液處理裝置中，存在在處理後的基板的下表面周緣部產生液體殘留的情況。

另一方面，在專利文獻1中公開了一種液處理裝置，其中，在傾斜面設置有多個球面狀的支承構件，使用該支承構件來支承基板。具體而言，球面狀的支承構件以支承基板的下表面上的、距外周緣的距離為1mm～2mm的靠中心側的位置的方式配置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-93190號公報

技術實現要素：

發明要解決的問題

然而，在專利文獻1所記載的構造中，在以例如基板的圖案形成面為下表面來進行液處理的情況下，也有可能無法精度良好地放置基板、引起支承構件與圖案形成面之間的幹涉。

實施方式的一技術方案的目的在於提供一種能夠精度良好地放置基板、同時減少基板的下表面上的液體殘留的液處理裝置。

用於解決問題的方案

實施方式的一技術方案的液處理裝置具備傾斜部、多個支承構件、處理液供給部以及旋轉機構。傾斜部配置於基板的下方，具有從基板的外側朝向基板的內側下傾且沿著基板的周向延伸的傾斜面。多個支承構件相對於傾斜面突出地設置，從下方支承基板。處理液供給部向支承到多個支承構件的基板的上表面供給處理液。旋轉機構使傾斜部旋轉。另外，多個支承構件具有從基板的外側朝向基板的內側延伸的細長形狀。

發明的效果

根據實施方式的一技術方案，能夠精度良好地放置基板、同時減少基板的下表面上的液體殘留。

附圖說明

圖1是表示本實施方式的基板處理系統的概略結構的圖。

圖2是用於說明處理單元的結構的圖。

圖3是把持部和升降銷的動作說明圖。

圖4是旋轉板的立體圖。

圖5是旋轉板的俯視圖。

圖6是圖5中的a-a線剖視圖。

圖7是圖5中的h1部的放大圖。

圖8是圖7中的b-b線向視剖視圖。

圖9是圖5中的h2部的放大圖。

圖10是圖9中的c-c線向視剖視圖。

圖11是圖9中的d-d線向視剖視圖。

圖12是將本實施方式的旋轉板的與晶圓接觸的接觸部分放大的示意剖視圖。

圖13是表示第1變形例的乾燥促進處理的動作例的圖。

圖14是表示第2變形例的乾燥促進處理的動作例的圖。

圖15是表示第2變形例的乾燥促進處理的動作例的圖。

圖16是表示第3變形例的整流板的結構的圖。

圖17是表示第4變形例的支承構件的結構的圖。

附圖標記說明

w、晶圓；16、處理單元；23、晶圓保持旋轉部；23p、旋轉板；61、第1平坦部；62、傾斜部；63、第2平坦部；64、第1缺口部；65、第2缺口部；66、支承構件；67、墊高部。

具體實施方式

以下，參照附圖，詳細地說明本申請所公開的液處理裝置的實施方式。此外，本發明並不被以下所示的實施方式限定。

圖1是表示本實施方式的基板處理系統的概略結構的圖。以下，為了使位置關係清楚，對互相正交的x軸、y軸及z軸進行規定，將z軸正方向設為鉛垂朝上方向。

如圖1所示，基板處理系統1包括輸入輸出站2和處理站3。輸入輸出站2和處理站3相鄰地設置。

輸入輸出站2包括承載件載置部11和輸送部12。在承載件載置部11上可載置多個承載件c，該多個承載件c用於將多張基板、在本實施方式中為半導體晶圓(以下稱作晶圓w)以水平狀態收納。

輸送部2與承載件載置部11相鄰地設置，在輸送部12的內部具有基板輸送裝置13和交接部14。基板輸送裝置13具有用於保持晶圓w的晶圓保持機構。另外，基板輸送裝置13能夠在水平方向和鉛垂方向上移動並以鉛垂軸線為中心進行旋轉，其使用晶圓保持機構在承載件c與交接部14之間輸送晶圓w。

處理站3與輸送部12相鄰地設置。處理站3包括輸送部15和多個處理單元16。多個處理單元16以排列在輸送部15的兩側的方式設置。

輸送部15在內部具有基板輸送裝置17。基板輸送裝置17具有用於保持晶圓w的晶圓保持機構。另外，基板輸送裝置17能夠在水平方向和鉛垂方向上移動並以鉛垂軸線為中心進行旋轉，其使用晶圓保持機構在交接部14與處理單元16之間輸送晶圓w。

處理單元16用於對由基板輸送裝置17輸送過來的晶圓w進行預先設定的基板處理。

另外，基板處理系統1包括控制裝置4。控制裝置4例如是計算機，其包括控制部18和存儲部19。在存儲部19中存儲有用於對在基板處理系統1中執行的各種處理進行控制的程序。控制部18通過讀取並執行被存儲在存儲部19中的程序來控制基板處理系統1的動作。

此外，該程序既可以是存儲在可由計算機讀取的存儲介質中的程序，也可以是從該存儲介質安裝到控制裝置4的存儲部19中的程序。作為可由計算機讀取的存儲介質，存在例如硬碟(hd)、軟盤(fd)、光碟(cd)、光磁碟(mo)以及存儲卡等。

在如所述那樣構成的基板處理系統1中，首先，輸入輸出站2的基板輸送裝置13將晶圓w自載置於承載件載置部11的承載件c取出，並將取出後的晶圓w載置於交接部14。利用處理站3的基板輸送裝置17將被載置於交接部14的晶圓w自交接部14取出並將其輸入到處理單元16中。

在利用處理單元16對被輸入到處理單元16中的晶圓w進行處理之後，利用基板輸送裝置17將該晶圓w自處理單元16輸出並將其載置於交接部14。然後，利用基板輸送裝置13將載置於交接部14的處理完成後的晶圓w返回到載置部11的承載件c。

＜處理單元的結構>

接著，參照圖2說明處理單元16的結構。圖2是用於說明處理單元16的結構的圖。

如圖2所示，處理單元16具備：大致方形的殼體21；大致圓筒形狀的杯部22，其設置於殼體21內的大致中央部，上表面開口；晶圓保持旋轉部23，其配置於杯部22的內側，能夠保持晶圓w並且使晶圓w旋轉；刷子24，其向保持於晶圓保持旋轉部23的晶圓w供給處理液，並且與晶圓w的上表面接觸而對晶圓w的上表面進行清洗。

在殼體21，形成有用於利用基板輸送裝置17(參照圖1)將晶圓w相對於殼體21輸入輸出的未圖示的輸送口。在輸送口設置有未圖示的開閉器，在輸入輸出時，開閉器打開，在處理時開閉器關閉，輸送口關閉。

杯部22接住向晶圓w供給的處理液，從未圖示的排出通路排出處理液。

晶圓保持旋轉部23具有：旋轉軸23s，其與配置於殼體21的下方的馬達m連接而旋轉；旋轉板23p，其下表面的大致中央部安裝於旋轉軸23s。此外，馬達m和旋轉軸23s相當於「旋轉機構」的一個例子。

在旋轉軸23s形成有貫通該旋轉軸23s的中央部的導管23c。導管23c經由閥等流量調整機構25與n2氣體供給源26連接。在晶圓保持旋轉部23的旋轉板23p與由晶圓保持旋轉部23保持的晶圓w之間形成有空間，通過了導管23c的n2氣體從導管23c的上端向該空間流出，朝向外周流動。若晶圓保持旋轉部23和晶圓w旋轉，則旋轉板23p與晶圓w之間的空間相比於晶圓w上方的空間成為負壓。這樣一來，晶圓w的中心部撓曲，晶圓w的上表面的平坦性惡化，另外，液處理的均勻性也可能惡化。不過，向該空間供給了n2氣體，因此，可抑制晶圓w的中心部的撓曲。另外，n2氣體從旋轉板23p與晶圓w之間的空間吹出，因此，可獲得減少向晶圓w的上表面供給的處理液附著於下表面的效果。

此外，從導管23c供給的氣體並不限於n2氣體，也可以是氬氣等其他非活性氣體、乾燥空氣等。導管23c、流量調整機構25以及n2氣體供給源26相當於氣體供給部的一個例子。

刷子24由可在水平面內轉動且可上下運動的臂24a支承。在臂24a內形成有供向晶圓w供給的處理液流動的導管24c。導管24c經由閥等流量調整機構27與處理液供給源28連接。臂24a轉動並下降，刷子24與晶圓w的上表面接觸的同時(或稍靠前)、來自處理液供給源28的處理液(例如脫離子水)在導管24c內流動，從設置於刷子24的基端的開口24b向晶圓w的上表面供給。由此，通過刷子24與晶圓w的上表面接觸，對晶圓w的上表面進行清洗，並且，能夠利用處理液對由刷子24去除了的微粒、殘留物等進行衝洗。

在本實施方式中，晶圓w以使圖案形成面朝向下方的狀態被把持部23g把持，利用刷子24對與圖案形成面相反的一側的面進行處理。

此外，在此，設為處理單元16具備刷子24，但也可以是，處理單元16還具備向晶圓w的上表面噴出處理液的噴嘴。

旋轉板23p是具有圓板形狀的構件，配置於晶圓w的下方。在旋轉板23p的周緣部設置有多個(圖2中，僅圖示1個)把持部23g，多個把持部23g通過按壓晶圓w的周緣部來從側方把持晶圓w。

各把持部23g具有：杆構件23l，其可繞轉動軸23t轉動；把持片23a，其通過隨著杆構件23l的轉動而轉動，從而能夠與晶圓w的周緣部接觸。在各杆構件23l的下方設置有可與杆構件23l的一端抵接的頂板41。頂板41沿著水平方向延伸，在鉛垂方向上被圍坐的多個支柱構件42從下方支承。多個支柱構件42被沿著水平方向延伸的臂構件43從下方支承，臂構件43利用升降機構44進行上下運動。

另外，在旋轉板23p的周緣部設置有多個(圖2中僅圖示1個)升降銷23h，該升降銷23h在與基板輸送裝置17(參照圖1)之間進行晶圓w的交接之際、從下方支承晶圓w的周緣部而使晶圓w上下運動。升降銷23h沿著鉛垂方向延伸，被沿著水平方向延伸的臂構件51支承。臂構件51利用升降機構52進行上下運動。

在此，參照圖3說明上述的把持部23g和升降銷23h的動作。圖3是把持部23g和升降銷23h的動作說明圖。

如圖3所示，在晶圓w的輸入時，頂板41利用升降機構44向上方移動，將把持部23g的杆構件23l的一端向上方頂起。因此，設置於杆構件23l的另一端的把持片23a向外方傾斜。另外，在晶圓w的輸入時，升降銷23h利用升降機構52向上方移動，成為配置於比旋轉板23p高的位置的狀態。

輸入到殼體21的晶圓w從基板輸送裝置17向升降銷23h交接。之後，若升降銷23h下降到預定位置，則頂板41下降。由此，頂板41與杆構件23l之間的接觸狀態被解除，杆構件23l以轉動軸23t為中心轉動，與此相伴把持片23a按壓於晶圓w的周緣部。通過多個把持部23g的把持片23a按壓晶圓w的周緣部，晶圓w被把持。在該狀態下，若馬達m旋轉，則旋轉板23p和安裝到旋轉板23p的把持部23g旋轉，在旋轉板23p上被把持部23g把持著的晶圓w旋轉。

＜旋轉板的結構>

接著，使用圖4和圖5說明旋轉板23p的結構。圖4是旋轉板23p的立體圖，圖5是旋轉板23p的俯視圖。

如圖4和圖5所示，旋轉板23p具備第1平坦部61、傾斜部62以及第2平坦部63。

第1平坦部61具有直徑比晶圓w的直徑小的圓板形狀。在第1平坦部61的中央部，設置有用於向晶圓w的下表面供給n2氣體的開口部61a。

傾斜部62與第1平坦部61的外周緣連接地配置。傾斜部62具有比晶圓w的直徑大的直徑，並具有從晶圓w的外側(第2平坦部63)朝向晶圓w的內側(第1平坦部61)下傾的傾斜面。該傾斜面沿著晶圓w的周向延伸。具體而言，傾斜部62的傾斜面設置於第1平坦部61的外周緣的整周上。第2平坦部63具有與傾斜部62的外周緣連接的平坦面。

另外，旋轉板23p具備多個第1缺口部64、多個第2缺口部65、多個支承構件66以及多個墊高部67。

多個第1缺口部64是將旋轉板23p的外周緣中的與多個把持片23a相對應的各部分朝向徑向內側去除而成的。第1缺口部64到達傾斜部62的傾斜面的中途部。把持部23g的把持片23a可配置於該第1缺口部64。

多個第2缺口部65是將旋轉板23p的外周緣中的與多個升降銷23h相對應的各部分朝向徑向內側去除而成的。第2缺口部65比第1缺口部64大，到達傾斜部62的傾斜面的下部。升降銷23h經由該第2缺口部65進行上下運動。

此外，在本實施方式中，示出了3個第1缺口部64和3個第2缺口部65在旋轉板23p的外周部上隔開預定的間隔而交替地配置的情況的例子，但多個第1缺口部64和第2缺口部65的個數、配置並不限定於上述的例子。

多個支承構件66相對於傾斜部62的傾斜面突出地設置，從下方支承晶圓w的周緣部。該支承構件66具有從晶圓w的外側朝向內側、具體而言沿著第1平坦部61(換言之，晶圓w)的徑向延伸的細長形狀。

在此，參照圖6說明支承構件66的結構。圖6是圖5中的a-a線剖視圖。

如圖6所示，支承構件66具有以與傾斜部62的傾斜面62a相同的角度傾斜的傾斜面66a，在該傾斜面66a處支承晶圓w。支承構件66的傾斜面66a相對於傾斜部62的傾斜面62a的突出高度d1設定成可防止微粒從晶圓w的上表面側進入且將蔓延到晶圓w的下表面的處理液適度地排出的高度。例如，在從旋轉板23p的底面(第1平坦部61的上表面)到平坦面63a的高度是5mm時，突出高度d1設定成0.3mm左右的高度。

另外，支承構件66具有傾斜面66a和與第2平坦部63的平坦面63a連接的平坦面66b。平坦面66b設置於與第2平坦部63的平坦面63a相同的高度。

圖7是圖5中的h1部的放大圖。另外，圖8是圖7中的b-b線向視剖視圖。如圖7和圖8所示，多個支承構件66中的兩個與第1缺口部64相鄰地配置於第1缺口部64的周向兩側。

圖9是圖5中的h2部的放大圖。另外，圖10是圖9中的c-c線向視剖視圖，圖11是圖9中的d-d線向視剖視圖。

如圖9和圖10所示，多個支承構件66中的兩個也與第2缺口部65相鄰地配置於第2缺口部65的周向兩側。

另外，如圖9和圖11所示，在旋轉板23p的比第2缺口部65靠徑向內側的位置設置有對傾斜部62的傾斜面62a的一部分和第1平坦部61的平坦面61b的一部分進行墊高的墊高部67。

墊高部67與第2缺口部65和設置於第2缺口部65的兩側的兩個支承構件66連接。具體而言，墊高部67具有：平坦面67a，其與設置於第2缺口部65的兩側的兩個支承構件66的各傾斜面66a連接；傾斜面67b，其與平坦面67a和第1平坦部61的平坦面61b連接。

墊高部67中的平坦面67a的相對於第1平坦部61的平坦面61b的墊高高度d2設定成平坦面67a不與晶圓w的下表面接觸的高度。具體而言，墊高部67的平坦面67a的外周緣位於比晶圓w的外周緣靠徑向內側的位置，晶圓w在比墊高部67的平坦面67a高的位置處支承於支承構件66的傾斜面66a。

＜支承構件的作用>

接著，說明上述的支承構件66的作用。圖12是將本實施方式的旋轉板23p的與晶圓w接觸的接觸部分放大的示意剖視圖。

假設，使晶圓w與傾斜部62的傾斜面62a接觸而直接支承，利用傾斜面堵塞從晶圓w的上表面側到下表面側的路徑。通過設為該結構，可獲得抑制處理液l向晶圓w的下表面側蔓延的效果。然而，在晶圓w翹曲了的情況下，處理液有可能從在晶圓w與傾斜面之間產生的微小的間隙向晶圓w的下表面側蔓延。

處理單元在使用處理液來對晶圓w進行了處理之後、進行使晶圓w高速旋轉而利用離心力將殘存於晶圓w的處理液去除的乾燥處理。然而，蔓延到晶圓w的下表面側的處理液難以從由於晶圓w的翹曲而產生的微小的間隙排出，易於殘存於晶圓w的下表面側。因而，在以往的液處理裝置中，有可能在處理後的晶圓w的下表面周緣部產生液體殘留。

與此相對，在本實施方式的處理單元16中，如圖12所示，使晶圓w支承於從傾斜部62的傾斜面62a突出地設置的傾斜面66a。由此，在晶圓w與傾斜面62a之間設置有恆定的間隙，因此，能夠利用傾斜部62一定程度地防止處理液l向晶圓w的下表面側的蔓延、並且利用隨著晶圓w的旋轉而產生的離心力和n2氣體的作用將蔓延到晶圓w的下表面側的處理液l從該間隙向晶圓w的外方效率良好地排出。

另外，本實施方式的支承構件66具有從晶圓w的外側朝向內側延伸的細長形狀，因此，在局部上觀察時，利用細長形狀的平面以點接觸支承晶圓w的下表面周緣部的曲面。因而，即使是在如本實施方式那樣晶圓w的圖案形成面朝向下面的情況下，也能夠以與沒有形成圖案的部分即晶圓w的下表面周緣部接觸的方式使晶圓w精度良好地放置於支承構件66。因而，能夠以簡單的結構防止例如圖案形成面與支承構件66之間的幹涉等不良情況。

因而，根據本實施方式的處理單元16，能夠精度良好地放置晶圓w、並且減少晶圓w的下表面上的液體殘留。

另外，若僅設置支承構件66，則在第1缺口部64和第2缺口部65的周邊，與晶圓w之間的間隙有可能變大到所需以上。在該情況下，從導管23c(參照圖2)向晶圓w的下表面供給的n2氣體的流速在第1缺口部64和第2缺口部65的周邊相比於其他部分變低，微粒易於從第1缺口部64和第2缺口部65的周邊等進入。

因此，在本實施方式的處理單元16中，將兩個支承構件66分別配置於第1缺口部64的周向兩側和第2缺口部65的周向兩側。由此，第1缺口部64的周邊和第2缺口部65的周邊的n2氣體的流速的降低受到抑制，因此，能夠抑制微粒等從第1缺口部64的周邊和第2缺口部65的周邊進入。

另外，第2缺口部65形成得比第1缺口部64大，因此，存在第2缺口部65的周邊的n2氣體的流速的降低相比於第1缺口部64的周邊的n2氣體的流速的降低變大的可能性。因此，在本實施方式的處理單元16中，利用墊高部67對位於比第2缺口部65靠徑向內側的部分進行墊高。由此，位於比第2缺口部65靠徑向內側的部分處的與晶圓w之間的間隙變小，因此，能夠進一步抑制第2缺口部65的周邊的n2氣體的流速的降低。

＜變形例>

接著，說明本實施方式的處理單元16的變形例。首先，參照圖13說明第1變形例。圖13是表示第1變形例的乾燥促進處理的動作例的圖。

如圖13所示，也可以是，處理單元16在使用升降銷23h而使晶圓w自支承構件66分離開的狀態下向晶圓w的下表面供給n2氣體來促進在晶圓w的下表面殘存的處理液的乾燥。

具體而言，控制部18(參照圖1)在使用刷子24(處理液供給部的一個例子)來對晶圓w進行了處理之後，使晶圓w高速旋轉而將殘存於晶圓w的上表面的處理液去除。接著，控制部18在使晶圓w的旋轉停止之後，使用多個升降銷23h而使晶圓w自多個支承構件66分離開，在該狀態下，從導管23c(參照圖2)向晶圓w的下表面供給n2氣體。

通過如此設置，能夠效率更良好地排出在晶圓w的下表面殘存的處理液。因而，能夠進一步減少晶圓w的下表面的液體殘留。

此外，控制部18包括具有cpu(中央處理單元，centralprocessingunit)、rom(只讀存儲器，readonlymemory)、ram(隨機存取存儲器，randomaccessmemory)、輸入輸出接口等的微型計算機、各種電路。該微型計算機的cpu通過將存儲到rom的程序讀出並執行，實現後述的控制。另外，存儲部19可利用例如ram、快閃記憶體(flashmemory)等半導體存儲器元件、或、硬碟、光碟等存儲裝置實現。

接著，參照圖14和圖15說明第2變形例。圖14和圖15是表示第2變形例的乾燥促進處理的動作例的圖。

如圖14所示，也可以是，在控制部18在上述的乾燥促進處理中使升降銷23h上升的情況下，以比在與基板輸送裝置17之間進行晶圓w交接的情況下使升降銷23h上升的速度快的速度使升降銷23h上升。這樣，通過使升降銷23h高速上升，蔓延到晶圓w的下表面側的處理液l分離成殘存於晶圓w的下表面的處理液l和殘存於傾斜部62的傾斜面62a或支承構件66的傾斜面66a的處理液l。由此，與使升降銷23h以通常的速度上升了的情況相比較，能夠減少殘存於晶圓w的下表面的處理液l的量。

之後，在控制部18使升降銷23h下降而使晶圓w接近了支承構件66之後，從導管23c(參照圖2)相對於晶圓w的下表面供給n2氣體。這樣，通過使升降銷23h下降而使晶圓w與傾斜部62之間的間隙變窄，與在圖14的狀態下供給n2氣體的情況相比較，抑制了n2氣體的流速的降低，因此，能夠從晶圓w的下表面效率良好地去除處理液l。

接著，參照圖16說明第3變形例。圖16是表示第3變形例的整流板的結構的圖。此外，在圖16中，為了容易理解，適當省略把持部23g、頂板41等地表示。

如圖16所示，處理單元16也可以具備整流板29。整流板29在杯部22的內部設置於比旋轉板23p靠下方的位置。整流板29具備配置於旋轉板23p與杯部22之間的周壁部29a、以及將周壁部29a固定於杯部22的固定部29b。周壁部29a具有沿著杯部22的內壁的形狀。

通過具備該整流板29，能夠抑制從杯部22的外側朝向內側的氣流在杯部22內紊亂(捲起)。因此，能夠效率良好地進行殼體21內部的排氣。

接著，參照圖17說明第4變形例。圖17是表示第4變形例的支承構件66的結構的圖。

在上述的實施方式中，對多個支承構件66沿著晶圓w的(換言之，第1平坦部61的)徑向延伸的情況的例子進行了說明，但是，如圖17所示，多個支承構件66也可以具有使徑向外側的端部(即第2平坦部63側的端部)比徑向內側的端部(即第1平坦部61側的端部)向晶圓w的旋轉方向後方側偏移而成的形狀。由此，能夠將蔓延到晶圓w的下表面側的處理液沿著支承構件66的側面效率良好地排出。

如上述那樣，實施方式的液處理裝置具備傾斜部、多個支承構件、處理液供給部以及旋轉機構。傾斜部配置於基板的下方，具有從基板的外側朝向基板的內側下傾且沿著基板的周向延伸的傾斜面。多個支承構件相對於傾斜面突出地設置，從下方支承基板。處理液供給部向支承到多個支承構件的基板的上表面供給處理液。旋轉機構使傾斜部旋轉。另外，多個支承構件具有從基板的外側朝向基板的內側延伸的細長形狀。

因而，根據實施方式的處理單元16，能夠防止與圖案形成面之間的幹涉、並且減少基板的下表面上的液體殘留。

此外，在上述的實施方式中，作為處理液供給部的一個例子，列舉具備用於噴出處理液的開口24b的刷子24而進行了說明，但處理液供給部並不限定於刷子24，也可以是噴出處理液的噴嘴。處理單元16未必需要具備刷子24。

進一步的效果、變形例能夠由本領域技術人員容易地導出。因此，本發明的更廣泛的形態並不限定於如以上那樣表述且敘述的特定的詳細和代表性的實施方式。因而，不脫離由權利要求書及其等效物定義的總結性的發明的概念的精神或範圍，可進行各種變更。