基板處理裝置和基板處理方法

2024-04-10 12:17:05

專利名稱：基板處理裝置和基板處理方法
技術領域：
本發明涉及一種基板處理裝置和基板處理方法，且更具體地涉及 一種對容納於處理室中的基板進行等離子體處理的基板處理裝置。
背景技術：
對作為基板的晶片進行等離子體處理例如蝕刻處理的基板處理裝 置，具有容納晶片並可抽真空的處理室(下文中稱作"室")，和在蝕刻處理過程中晶片安裝於其上的安裝臺(下文中稱作"基座")。在真 空室中產生等離子體，並由等離子體蝕刻晶片。基座具有控制晶片溫 度的控溫機構。在基座中設有例如由矽製成的環形聚焦環，以圍繞被安裝晶片的 外周部。聚焦環將室中的等離子體聚焦在晶片上。當對晶片進行等離子體處理時，晶片因暴露於等離子體的熱量而 溫度升高，因此基座的控溫機構冷卻晶片以使晶片的溫度保持恆定， 從而提高等離子體處理的均勻性(參見例如日本提前公開專利公開號2004-193567)。然而，在上述的常規基板處理裝置中，沒有對位於等離子體附近 的聚焦環等室內部件進行溫度管理，因此在聚焦環與等離子體之間進 行熱傳遞，同時在晶片的外周部和聚焦環之間進行熱傳遞。因此，等 離子體的狀態改變，且晶片上的等離子體的狀態變得不穩定。一般地，在基板處理裝置中，可以通過將晶片上的等離子體保持 在期望狀態並使晶片表面的處理溫度保持均勻來改善對晶片執行的等 離子體處理的均勻性。因而常規的基板處理裝置無法提高對晶片執行 的等離子體處理的均勻性。發明內容本發明提供了一種能夠提高對基板執行的等離子體處理的均勻性的基板處理裝置和基板處理方法。因此，本發明的第一方面提供了一種基板處理裝置，其具有容納 基板的處理室，並且利用處理室中產生的等離子體對容納於處理室中 的基板進行等離子體處理，該基板處理裝置包括適於朝向面向等離子 體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體的噴射機構。根據本發明的第一方面，朝向面向等離子體的處理室內部件的至 少一部分噴射控溫氣體。因而，在將基板容納於處理室中之前，可以 將處理室內部件的溫度控制在預定的處理時溫度。因此，在將基板容 納於處理室中並進行等離子體處理時，等離子體與處理室內部件之間 的傳熱量降至最小，使得基板上的等離子體能夠保持在期望狀態。此 外，基板的外周部與處理室內部件之間的傳熱量也降至最小，使得基 板表面的處理溫度能夠保持均勻。因此，可以提高對基板執行的等離 子體處理的均勻性。本發明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中噴射機構包 括噴射控溫氣體的噴嘴。根據本發明的第一方面，從噴嘴噴射控溫氣體。因而，能夠以有 效的方式控制處理室內部件的溫度。本發明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中噴射機構包 括測量處理室內部件溫度的溫度測量裝置。根據本發明的第一方面，測量處理室內部件的溫度。因而，能夠 以有效的方式將處理室內部件的溫度控制在預定的處理時溫度。本發明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中處理室內部 件是環形聚焦環，其設置在置於處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在 安裝臺上的基板的外周部。根據本發明的第一方面，將控溫氣體噴射到聚焦環的至少一部分 上。因而，在將基板容納於處理室中之前，能夠將聚焦環的溫度控制 在預定的處理時溫度。因此，在將基板容納於處理室中並進行等離子 體處理時，等離子體與聚焦環之間的傳熱量降至最小，使得基板上的 等離子體能夠保持在期望狀態。而且，基板的外周部與聚焦環之間的 傳熱量也降至最小，使得基板表面的處理溫度能夠保持均勻。因此， 能夠提高等離子體處理的均勻性。本發明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中控溫氣體是 高溫氣體。根據本發明的第一方面，噴射作為控溫氣體的高溫氣體。因而， 能夠快速控制處理室內部件的溫度。因此，本發明的第二方面提供了一種基板處理裝置，包括容納基 板的處理室、置於處理室中且其上安裝基板的安裝臺、置於安裝臺上 以便圍繞被安裝基板的外周部的環形聚焦環、面向安裝臺布置並將處 理氣體噴入處理室中的氣體噴射系統，並且對容納於處理室中的基板 執行等離子體處理，其中氣體噴射系統朝向聚焦環的至少一部分噴射 控溫氣體。本發明的第二方面能夠提供一種基板處理裝置，其還包括測量聚 焦環溫度的溫度測量裝置。根據本發明的第二方面，測量聚焦環的溫度。因而，能夠將聚焦 環的溫度精確地控制在預定的處理時溫度。因此，本發明的第三方面提供了一種基板處理裝置，包括容納基 板的處理室、置於處理室中且其上安裝基板的安裝臺、和置於安裝臺 上以便圍繞被安裝基板的外周部的環形聚焦環，並且對容納於處理室 中的基板執行等離子體處理，其中在安裝臺中形成有噴射孔，通過該 噴射孔朝向聚焦環的至少一部分噴射控溫氣體。因此，本發明的第四方面提供了 一種由基板處理裝置執行的基板 處理方法，其中基板處理裝置具有容納基板的處理室並且利用處理室 中產生的等離子體對容納於處理室中的基板進行等離子體處理，該方 法包括在將基板容納於處理室中之前，朝向面向等離子體的處理室內 部件的至少一部分噴射控溫氣體的噴射步驟。本發明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其中噴射歩驟包 括測量處理室內部件的溫度的測量步驟。本發明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其還包括在執行噴射步驟之前將處理室中的壓力控制在665至1330帕(5至10託)的 壓力控制步驟。根據本發明的第四方面，將處理室中的壓力控制在665至1330帕 (5至10託)。因此，可以使從朝向處理室內部件噴射的控溫氣體向處理室內部件的傳熱效率達到最佳。本發明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，還包括在執行噴 射步驟之後並將基板容納於處理室中之前，將在噴射步驟中已被噴射 控溫氣體的處理室內部件放置至少一秒鐘的放置步驟。根據本發明的第四方面，將已被噴射控溫氣體的處理室內部件放 置至少一秒鐘。因此，從控溫氣體傳遞的熱量可靠均勻地分布在整個 處理室內部件上，因此能夠可靠地使處理室內部件的溫度變得均勻。本發明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其中處理室內部 件是環形聚焦環，其設置在置於處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在 安裝臺上的基板的外周部。本發明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其中控溫氣體是 高溫氣體。通過下面結合附圖進行的詳細描述，本發明的特徵和優點將會變 得更加明顯。


圖1是示意性地示出根據本發明第一實施方式的基板處理裝置的 結構的視圖。圖2是由圖1中所示的基板處理裝置執行的基板處理的流程圖。 圖3是示意性地示出根據本發明第二實施方式的基板處理裝置的 結構的視圖。圖4是示意性地示出根據本發明第三實施方式的基板處理裝置的 結構的視圖。
具體實施方式
現在將參考示出優選實施方式的附圖詳細描述本發明。首先，將描述根據本發明第一實施方式的基板處理裝置。圖1是示意性地示出根據本實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。基板處理裝置被構造成在作為基板的半導體裝置用晶片上進行作為等離子體處理的蝕刻處理。如圖1中所示，基板處理裝置IO具有室11 (處理室)，其中容納具有例如300毫米直徑的半導體裝置晶片(下文中僅稱作"晶片")W。圓柱形基座12設置於基板處理室11中作為安裝晶片W於其上的安裝 臺。在基板處理裝置10中，在室ll的內側壁與基座12的側面之間， 形成用作基座12上方的氣體從室11中排出的流動路徑的側排氣路徑 13。排氣板14沿著側排氣路徑13的途中設置。室11的內壁面覆蓋有 石英或氧化釔(Y203)。排氣板14是具有多個孔的板狀部件，用作將室11分隔成上部和 下部的隔板。在由排氣板14隔開的室11的上部(下文中稱作"反應 室")17的下述處理空間S中，產生後述等離子體。在室11的下部(下 文中稱作"排氣室(歧管)")18中，開口有將氣體從室11中排出的粗 抽排氣管15和主排氣管16。粗抽排氣管15連接有DP (幹泵)(未示 出)，主排氣管16具有通過包括可變蝶形閥的APC閥(自動壓力控制 閥)(未示出)與其連接的TMP (渦輪分子泵)(未示出)。排氣板14 捕捉或反射在反應室17的處理空間S中產生的離子和自由基，以防止 離子和自由基洩漏到歧管18中。粗抽排氣管15和主排氣管16通過歧管18將反應室17中的氣體 從室11中排出。具體地，粗抽排氣管15將室11中的壓力從大氣壓力 減小到低真空狀態，與粗抽排氣管15協同操作主排氣管16將室11中 的壓力從大氣壓力減小到高真空狀態(例如不超過133帕(1託)的壓 力)，處於比低真空狀態低的壓力。上述APC陶控制室ll中的壓力。通過下部匹配器20將下部射頻電源19連接到基座12上。下部射 頻電源19向基座12施加預定的射頻電力。基座12因而用作下部電極。 下部匹配器20減小從基座12的射頻電力的反射，以使對基座12的射 頻電力的供給效率達到最大化。內部具有靜電電極板21的靜電夾盤22設置在基座12的上部。靜 電夾盤22由鋁製成，且將陶瓷等熱噴塗在靜電夾盤22的上表面上。 當將晶片W安裝在基座12上時，晶片W設置於靜電夾盤22的上表 面上。而且，將直流電源23電連接到靜電夾盤22的靜電電極板21上。 一旦正的高直流電壓施加到靜電電極板21上，則在晶片W的面向靜 電夾盤22的表面(下文中稱作"晶片W的後表面")上產生負電位。因而在靜電電極板21與晶片W的後表面之間產生電位差，因此晶片W通過因電位差產生的庫侖力或詹森-拉別克(Johnsen-Rahbek)力被吸附到並保持在靜電夾盤22的上表面上。環形聚焦環24 (處理室內 部件)設置於基座12的上部以圍繞被吸附到並保持在靜電夾盤22的 上表面上的晶片W。聚焦環24由矽等導電部件製成。聚焦環24面向 處理空間S中產生的等離子體，並將處理空間S中的等離子體朝向晶 片W的前表面聚焦，因而提高了蝕刻處理的效率。在基座12內部設置有例如沿著基座12的圓周方向延伸的環形冷 卻劑室25。例如冷卻水或Galden (註冊商標)液等處於低溫的冷卻劑， 從冷卻器單元(未示出)通過冷卻劑室25循環。由低溫冷卻劑冷卻的 基座12通過靜電夾盤22冷卻晶片W。晶片W的溫度主要通過經冷卻 劑室25循環的冷卻劑的溫度和流量來控制。多個傳熱氣體供應孔27向靜電夾盤22的上表面上吸附並保持晶 片W的部分(下文中稱作"吸附面")開口。傳熱氣體供應孔27由傳 熱氣體供應管28連接至傳熱氣體供應單元(未示出)。傳熱氣體供應 單元通過傳熱氣體供應孔27將作為傳熱氣體的氦氣(He)提供到吸附 面與晶片W的後表面之間的間隙中。供應到吸附面與晶片W的後表 面之間的間隙中的氦氣有效地將熱量從晶片W傳遞給靜電夾盤22。氣體導入噴頭29設置於室11的頂部面向基座12。上部射頻電源 31通過上部匹配器30連接到氣體導入噴頭29上並向氣體導入噴頭29 施加預定的射頻電力。氣體導入噴頭29因而用作上部電極。上部匹配 器30具有與上述下部匹配器20類似的功能。氣體導入噴頭29包括具有多個氣孔32的頂部電極板33，和可拆 卸地支撐頂部電極板33的電極支座34。緩衝室35設置在電極支座34 內，且從處理氣體供應源36導入處理氣體的處理氣體導入管37連接 至緩衝室35。氣體導入噴頭29將從處理氣體導入管37供應到緩衝室 35中的處理氣體經由氣孔32供應到反應室17中。在基板處理裝置10中，在尚未經過蝕刻處理的晶片W容納於室 11中並被吸附到和保持在靜電夾盤22的上表面上之後，將射頻電力施 加於基座12和氣體導入噴頭29，以將射頻電力施加於基座12與氣體 導入噴頭29之間的處理空間S。因此，在處理空間S中，從氣體導入噴頭29供應的處理氣體變成高密度等離子體以便產生離子和自由基， 因此尚未經過蝕刻處理的晶片W受到離子和自由基的蝕刻處理。連接至高溫氣體導入單元38的噴嘴39設置於反應室17中的聚焦 環24的上方。噴嘴39朝向聚焦環24的至少一部分噴射從高溫氣體導 入單元38導入並被控制在預定溫度的高溫氣體(控溫氣體)。此時， 高溫氣體的熱量傳遞給聚焦環24，以便升高聚焦環24的溫度。高溫氣體導入單元38具有根據從控制單元40接收到的控制信號， 將從氣體供應源(未示出)供應的氣體，例如具有高傳熱性和低反應 性的惰性氣體控制在預定溫度的加熱器等氣體溫度控制單元41;和根 據從控制單元40接收到的控制信號，對已由氣體溫度控制單元41控 制溫度的高溫氣體的導入的接通/關閉進行控制的導入控制單元42。測量聚焦環24的溫度的溫度測量裝置43設置於室11的側壁內。 溫度測量裝置43使用例如基本結構基於麥可遜幹涉儀結構的低相干 幹涉儀，通過參考從朝向聚焦環24照射的測量光分支的參考光與來自 聚焦環24的測量光的反射光的幹涉波形的變化，來測量聚焦環24的 溫度。而且，溫度測量裝置43將基於聚焦環24的測量溫度的溫度信 號傳送給控制單元40。應該注意到溫度測量裝置43可以設置在基座 12的內部，從其後表面測量聚焦環24的溫度。而且，溫度測量裝置 43並不局限於使用上述低相干幹涉儀的裝置，而可以是從上方觀察聚 焦環24的前表面並測量其溫度的溫度測量傳感器等。基於從溫度測量裝置43接收到的溫度信號，控制單元40將控制 信號傳送給氣體溫度控制單元41和導入控制單元42以使聚焦環24的 溫度能夠與預定的處理時溫度相等，具體為使處理空間S中產生的等 離子體與聚焦環24之間熱傳遞的量達到最小，並且使晶片W的外周 部與聚焦環24之間熱傳遞的量達到最小的溫度。在基板處理裝置10中，噴嘴39、高溫氣體導入單元38、溫度測 量裝置43和控制單元40構成控溫機構(噴射機構)，將聚焦環24的 溫度控制在上述預定的處理時溫度。在基板處理裝置10中，在尚未經過蝕刻處理的晶片W容納於室 11中之前，上述的控溫機構將聚焦環24的溫度控制在上述預定的處理 時溫度。在將晶片W送入和從室11中送出時使用的輸送口 44設置在室11的側壁中，且用於打開和關閉輸送口 44的閘閥45設置於輸送口 44中。 由基板處理裝置10的控制單元(未示出)的CPU根據用於蝕刻 處理的程序來控制上述基板處理裝置10的組成部件的操作。接著將描述由根據本實施方式的基板處理裝置執行的基板處理。 圖2是由圖1中所示的基板處理裝置10執行的基板處理的流程圖。 如圖2中所示，首先，在尚未經過蝕刻處理的晶片W容納於室ll 中之前，將室11中的壓力控制到例如665至1330帕(5至10託)的 壓力，使得從在後述步驟S22中從噴嘴39向聚焦環24噴射的高溫氣 體向聚焦環24的熱傳遞的效率達到最佳(步驟S21)。接著，使用溫度測量裝置43測量聚焦環24的溫度，並且從噴嘴 39向聚焦環24的至少一部分噴射高溫氣體(步驟S22)。在步驟S22 中，通過上述控溫機構將聚焦環24的溫度控制在上述預定的處理時溫 度。應該注意到聚焦環24由例如具有高傳熱性的矽製成，因此即使在 將高溫氣體噴射到聚焦環24的一部分上時，從高溫氣體傳遞的熱量也 均勻地分布在整個聚焦環24上，以便能夠均勻地升高整個聚焦環24 的溫度。然後，將在步驟S22中被噴射高溫氣體的聚焦環24放置至少一秒 鍾(步驟S23)。因此，在步驟S22中從高溫氣體傳遞的熱量可靠均勻 地分布在整個聚焦環24上，以使整個聚焦環24的溫度能夠確實地變 均勻。然後，將室ll中的壓力控制到適於傳送晶片W的壓力(步驟S24)。 因此，在將晶片W傳送到室11中時可以防止氣體及顆粒從外部流入 室11中。然後，將尚未進行蝕刻處理的晶片W傳送到室11中並安裝到靜 電夾盤22的上表面上(步驟S25)。然後，與步驟S21相似，將室11中的壓力控制在例如665至1330 帕(5至10託)的壓力，以使上述熱傳遞效率達到最佳(步驟S26)。然後，與步驟S22相似，利用溫度測量裝置43測量聚焦環24的 溫度，並從噴嘴39向聚焦環24的至少一部分噴射高溫氣體(步驟S27)。 同樣在步驟S27中，通過上述控溫機構將聚焦環24的溫度控制在預定的處理時溫度，繼而使晶片W在室11中待機(步驟S28)。因此，能夠將聚焦環24的溫度可靠地控制在預定的處理時溫度。然後，將晶片W吸附到並保持在靜電夾盤22的上表面上，並將 射頻電力施加於基座12和氣體導入噴頭29，使得將射頻電力施加到基 座12與氣體導入噴頭29之間的處理空間S中。因此，在處理空間S 中，從氣體導入噴頭29供應的處理氣體變成高密度等離子體，因此產 生離子和自由基。通過離子和自由基對尚未進行蝕刻處理的晶片W進 行蝕刻處理(步驟S29)。這裡，因為已將聚焦環24的溫度控制在上述 預定的處理時溫度，所以在處理空間S中產生的等離子體與聚焦環24 之間的傳熱量達到最小，使得晶片W上的等離子體能夠保持在期望狀 態。而且，晶片W的外周部與聚焦環24之間的傳熱量也達到最小， 使得晶片W表面上的處理溫度能夠保持均勻。然後，將已進行蝕刻處理的晶片W從室11中傳送出去(歩驟S30 )， 隨後處理終止。根據圖2所示的基板處理，在將尚未進行蝕刻處理的晶片W容納 於室11中之前，從噴嘴39向聚焦環24的至少一部分噴射高溫氣體， 以便將聚焦環24的溫度控制在預定的處理時溫度，之後，將晶片W傳 送到室11中並進行蝕刻處理。因而使處理空間S中產生的等離子體與 聚焦環24之間的傳熱量達到最小，以使晶片W上的等離子體能夠保 持在期望狀態。而且，晶片W的外周部與聚焦環24之間的傳熱量也 達到減小，以使晶片W表面上的處理溫度能夠保持均勻。因此，可以 提高蝕刻處理的均勻性。而且，在將晶片W傳送到室ll中之後，從 噴嘴39向聚焦環24的至少一部分噴射高溫氣體，並使晶片W在室11 中待機。因此，能夠將聚焦環24的溫度可靠地控制在預定的處理時溫 度。在本實施方式中，通過從噴嘴39向聚焦環24噴射高溫氣體來控 制聚焦環24的溫度，然而可替代性地通過向聚焦環24照射雷射來進 行控制。而且，在本實施方式中，從噴嘴39向聚焦環24噴射高溫氣體， 然而如果存在聚焦環24以外的、面向處理空間中產生的等離子體的任 何室內部件，則也向該室內部件噴射高溫氣體。因此，能夠將晶片W上的等離子體可靠地保持在期望狀態。下面將描述根據本發明第二實施方式的基板處理裝置。 本實施方式在結構和操作上與上述第一實施方式基本相同，與第一實施方式的不同在於控溫機構的結構。因此與第一實施方式中相同的結構和操作特徵將不再贅述，下面僅描述與第一實施方式不同的特徵。圖3是示意性地示出根據本實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。如圖3中所示，氣體噴射噴頭47 (氣體噴射系統)設置於基板處 理裝置46中的室11的頂部。導入來自處理氣體供應源36的處理氣體並導入來自高溫氣體導入 單元38的高溫氣體的氣體導入管48，與氣體噴射噴頭47的緩衝室35 相連接。氣體噴射噴頭47將從氣體導入管48導入到緩衝室35中的處 理氣體通過氣孔32噴射到反應室17中，並將從氣體導入管48導入至 緩衝室35中的高溫氣體通過氣孔32向聚焦環24的至少一部分噴射。在本實施方式中，氣體噴射噴頭47、高溫氣體導入單元38、溫度 測量裝置43和控制單元40構成控溫機構(噴射機構)，將聚焦環24 的溫度控制在預定的處理時溫度。根據本實施方式，因為從將處理氣體噴射到反應室17中的氣體噴 射噴頭47向聚焦環24的至少一部分噴射高溫氣體，所以在對晶片W 進行蝕刻處理時使用簡單的結構能夠獲得與上述第一實施方式相同的 效果。接著將描述根據本發明第三實施方式的基板處理裝置。 本實施方式在結構和操作上與上述第一和第二實施方式基本相 同，與第一和第二實施方式的不同在於控溫機構的結構。因此與第一 和第二實施方式中相同的結構和操作特徵將不再贅述，下面僅描述與 第一和第二實施方式不同的特徵。圖4是示意性地示出根據本實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。如圖4中所示，在基板處理裝置49的基座12中，形成有噴射孔 51,導入來自高溫氣體導入單元38的高溫氣體的氣體導入管50與噴射孔51相連接，並且從噴射孔51向聚焦環24的至少一部分噴射高溫氣體。在本實施方式中，噴射孔51、高溫氣體導入單元38、溫度測量裝 置43和控制單元40構成控溫機構(噴射機構)，將聚焦環24的溫度 控制在預定的處理時溫度。根據本實施方式，因為從基座12中形成的噴射孔51向聚焦環24 的至少一部分噴射高溫氣體，所以在對晶片W進行蝕刻處理時使用簡 單的結構能夠獲得與上述第一實施方式相同的效果。在上述各實施方式中，進行蝕刻處理的基板不局限於半導體裝置 用的晶片，而可以是LCD (液晶顯示器)、FPD (平板顯示器)等中使 用的各種基板、光掩模、CD基板、印刷基板等。應該理解的是，還可通過提供具有存儲有實現上述任一實施方式 的功能的軟體程序代碼的存儲介質的計算機、並且使計算機的CPU讀 取並執行存儲在存儲介質中的程序代碼來實現本發明的目的。在此情況下，從存儲介質中讀取的程序代碼本身實現上述任一實 施方式的功能，因此程序代碼和存儲程序代碼的存儲介質構成本發明。用於提供程序代碼的存儲介質的實例包括RAM， NV-RAM，軟盤 (註冊商標)，硬碟，磁光碟，例如CD-ROM、 CD-R、 CD-RW、 DVD-ROM、 DVD-RAM、 DVD-RW或DVD+證的光碟，磁帶、非易 失性存儲卡和ROM。可選地，可以通過從連接到網際網路、商業網絡、 區域網等的未示出的另一計算機、資料庫等下載來提供程序代碼。而且，應該理解的是，不僅可以通過執行由計算機讀取的程序代 碼，還可以通過基於程序代碼的指令使操作計算機的OS (作業系統) 等執行部分或全部實際操作，來實現上述任一實施方式的功能。而且，應該理解的是，可以通過將從存儲介質讀取的程序代碼寫 入插入計算機中的擴展板中提供的存儲器、或者連接於計算機的擴展 單元中提供的存儲器中，然後基於程序代碼的指令使擴展板或擴展單 元中提供的CPU等執行部分或全部實際操作，來實現上述任一實施方 式的功能。程序代碼的形式可以是目標代碼、由解釋程序執行的程序代碼、 提供給OS的腳本(script)數據等等。
權利要求
1.一種基板處理裝置，其具有容納基板的處理室並且利用所述處理室中產生的等離子體對容納於處理室中的所述基板進行等離子體處理，所述基板處理裝置包括噴射機構，適於朝向面向等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體。
2. 如權利要求1所述的基板處理裝置，其中所述噴射機構包括噴 射所述控溫氣體的噴嘴。
3. 如權利要求1所述的基板處理裝置，其中所述噴射機構包括測 量所述處理室內部件的溫度的溫度測量裝置。
4. 如權利要求1所述的基板處理裝置，其中所述處理室內部件是 環形聚焦環，其設置在置於所述處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在 所述安裝臺上的所述基板的外周部。
5. 如權利要求1所述的基板處理裝置，其中所述控溫氣體是高溫氣體。
6. —種基板處理裝置，包括容納基板的處理室、置於所述處理室 中且其上安裝所述基板的安裝臺、置於所述安裝臺上以便圍繞被安裝 基板的外周部的環形聚焦環、面向所述安裝臺布置並將處理氣體噴射 至所述處理室中的氣體噴射系統，並且對所述處理室中容納的所述基 板執行等離子體處理，其中所述氣體噴射系統向所述聚焦環的至少一部分噴射控溫氣體。
7. 如權利要求6所述的基板處理裝置，還包括測量所述聚焦環的 溫度的溫度測量裝置。
8. —種基板處理裝置，包括容納基板的處理室、置於所述處理室 中且其上安裝所述基板的安裝臺、和置於所述安裝臺上以便圍繞被安 裝基板的外周部的環形聚焦環，並且對所述處理室中容納的所述基板 執行等離子體處理，其中在所述安裝臺中形成有噴射孔，通過所述噴射孔向所述聚焦 環的至少一部分噴射控溫氣體。
9. 一種通過基板處理裝置執行的基板處理方法，所述基板處理裝 置具有容納基板的處理室並且利用所述處理室中產生的等離子體對容納於處理室中的所述基板進行等離子體處理，所述方法包括在將所述基板容納於所述處理室中之前，朝向面向等離子體的處 理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體的噴射步驟。
10. 如權利要求9所述的基板處理方法，其中所述噴射步驟包括 測量所述處理室內部件的溫度的測量步驟。
11. 如權利要求9所述的基板處理方法，還包括在執行所述噴射步驟之前，將所述處理室中的壓力控制在665至1330帕(5至10託)的壓力控制步驟。
12. 如權利要求9所述的基板處理方法，還包括在執行所述噴射 步驟之後並將所述基板容納於所述處理室中之前，將在所述噴射歩驟 中已被噴射控溫氣體的所述處理室內部件放置至少一秒鐘的放置步 驟。
13. 如權利要求9所述的基板處理方法，其中所述處理室內部件 是環形聚焦環，其設置在置於所述處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝 在所述安裝臺上的所述基板的外周部。
14. 如權利要求9所述的基板處理方法，其中所述控溫氣體是高 溫氣體。
全文摘要
一種能夠提高對晶片進行的等離子體處理的均勻性的基板處理裝置。晶片容納於基板處理裝置的室中，並受到使用處理室中產生的等離子體所執行的等離子體處理。控溫機構朝向面向等離子體的環形聚焦環的至少一部分噴射高溫氣體。
文檔編號H01L21/00GK101276737SQ20081008684
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月19日 優先權日2007年3月26日
發明者守屋剛, 山湧純 申請人:東京毅力科創株式會社