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一種用於電路板平整度測試的測試託盤及其製備方法與流程

2024-04-14 00:24:05 1



1.本發明屬於電路板製備技術領域,尤其涉及一種用於電路板平整度測試的測試託盤及其製備方法。


背景技術:

2.現有技術中,針對電路板平整度測試通常是將電路板放置於測試託盤中進行平整度測試。若測試託盤具有毛刺或者存在變形,將會直接影響電路板平整度測試結果的準確性。
3.例如:針對顯示器電路板平整度測試所用的測試託盤為型號039-cg託盤039-cg-cleaning-tray。039-cg-cleaning-tray是由銑床加工而成的,由於銑床加工效率和加工質量均很低,因此導致製備的測試託盤毛刺多且工件易變形,需要進行進一步處理,由此增加了測試託盤的製備成本。
4.為此,急需要提供一種質量好且不易變形的測試託盤,以提高電路板平整度檢測的準確性。


技術實現要素:

5.本發明提供一種用於電路板平整度測試的測試託盤及其製備方法。所述測試託盤毛刺少、易切削且成品變形量能夠有效控制,由此提高了電路板平整度檢測的準確性。
6.為實現上述目的,根據本技術實施例第一方面提供一種用於電路板平整度測試的測試託盤,所述測試託盤是利用陶瓷聚醚醚酮peek材料加工而成的,所述測試託盤上設置有用於盛放電路板並檢測所述電路板平整度的凹槽。
7.可選的,所述陶瓷peek材料為防靜電材料。
8.可選的,所述陶瓷peek材料的摩擦電壓為0-100v。
9.可選的,所述陶瓷peek材料的翹曲度為0-0.1mm。
10.為實現上述目的,根據本技術實施例第二方面提供一種用於電路板平整度測試的測試託盤的製備方法,所述製備方法包括如下步驟:採用滿足預設條件的陶瓷peek材料製備用於測試託盤的毛坯件;對所述毛坯件進行磨削和/或切削處理,得到磨削塊;對所述磨削塊進行應力釋放處理,得到測試託盤。
11.可選的,所述對所述毛坯件進行磨削和/或切削處理,得到磨削塊;包括:沿著所述毛坯件的厚度方向,對所述毛坯件的各個表面進行磨削處理,得到厚度均勻的第一磨削塊;沿著所述第一磨削塊的高度方向和寬度方向,分別對所述第一磨削塊進行磨削處理,得到預設尺寸的第二磨削塊;對所述第二磨削塊內的坯料依次標記序號,並對標記序號的第二磨削塊進行應力釋放處理;沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照預設尺寸進行切削處理,得到第三磨削塊;其中,所述第二磨削塊的厚度方向與所述毛坯件的厚度方向是同一方向。
12.可選的,所述沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照預設尺寸進
行切削處理,得到第三磨削塊;包括:沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照第一預設閾值進行切削處理形成凹槽,並對具有凹槽的第二磨削塊進行應力釋放處理;沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照第二預設閾值繼續進行切削處理,得到第三磨削塊。
13.可選的,所述對所述磨削塊進行應力釋放處理,得到測試託盤,包括:對所述磨削塊進行應力釋放;對釋放應力後的磨削塊進行平整度校正,得到測試託盤。
14.可選的,所述應力釋放的時間為2-10h。
15.可選的,所述凹槽的高度等於所述第一預設閾值和所述第二預設預設閾值之和。
16.與現有技術相比,本發明提供一種用於電路板平整度測試的測試託盤及其製備方法;屬於電路板製備技術領域,本實施例測試託盤一具體實施方式包括:測試託盤是利用陶瓷聚醚醚酮peek材料加工而成的,測試託盤上設置有用於盛放電路板並檢測電路板平整度的凹槽。測試託盤製備方法的一具體實施方式,至少包括如下步驟:首先,採用滿足預設條件的陶瓷peek材料製備用於測試託盤的毛坯件;其次,對毛坯件進行磨削和/或切削處理,得到磨削塊;最後,對磨削塊進行應力釋放處理,得到測試託盤。由此,通過選擇防靜電的陶瓷peek材料並結合邊加工邊釋放應力的方式製備測試託盤,減少了測試託盤的毛刺和變形量,提高了電路板平整度測試的準確性。
附圖說明
17.後文將參照附圖以示例性而非限制性的方式詳細描述本發明的一些具體實施例。附圖中相同的附圖標記標示了相同或類似的部件或部分。本領域技術人員應該理解,這些附圖未必是按比例繪製的。附圖中:
18.圖1為本發明一實施例提供的一種用於電路板平整度測試的測試託盤的俯視結構示意圖;
19.圖2為本發明一實施例提供的測試託盤的側視結構示意圖;
20.圖3為本發明一實施例提供的一種用於電路板平整度測試的測試託盤製備方法的流程示意圖。
21.其中,10、凹槽,20、標記序號的坯料。
具體實施方式
22.為使本發明的目的、特徵、優點能夠更加的明顯和易懂,下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而非全部實施例。基於本發明中的實施例,本領域技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本發明保護的範圍。
23.如圖1所示,為本發明一實施例提供的一種用於電路板平整度測試的測試託盤的俯視結構示意圖。如圖2所示,為本發明一實施例提供的測試託盤的側視結構示意圖。
24.一種用於電路板平整度測試的測試託盤,所述測試託盤是利用陶瓷聚醚醚酮peek材料加工而成的,所述測試託盤上設置有用於盛放電路板並檢測所述電路板平整度的凹槽10。
25.具體地,利用陶瓷聚醚醚酮peek材料製備測試託盤,測試託盤上設置有若干個凹
槽,每個凹槽用於盛放待測試電路板。陶瓷聚醚醚酮是在聚醚醚酮中添加了陶瓷改性後的材料。由於陶瓷聚醚醚酮具有非常高的強度和剛度,以及良好的加工性能;因此採用陶瓷聚醚醚酮製備得到的測試託盤不易發生變形。
26.在優選的實施方式中,所述陶瓷peek材料為防靜電材料。由此,在使用測試託盤對電路板平整度檢測時,使得平整度檢測結果不受空氣以及水蒸氣的影響,提高了電路板平整度檢測的準確性。
27.在優選的實施方式中,所述陶瓷peek材料的摩擦電壓為0-100v;由此,減少了電路板和測試託盤由於接觸或摩擦導致電路板平整度檢測不準確的問題,提高了電路板平整度檢測的準確性。
28.在優選的實施方式中,所述陶瓷peek材料的翹曲度為0-0.1mm;由此通過選擇合適翹曲度的陶瓷peek材料,提高了測試託盤對電路板平整度檢測的準確性。
29.上述測試託盤的製備方法,至少包括如下步驟:
30.s1,採用滿足預設條件的陶瓷peek材料製備用於測試託盤的毛坯件;
31.s2,對毛坯件進行磨削和/或切削處理,得到磨削塊;
32.s3,對磨削塊進行應力釋放處理,得到測試託盤。
33.由此,本實施例採用防靜電陶瓷peek材料並結合邊加工邊釋放材料應力的方式製備測試託盤;由此,能夠較為容易地控制防靜電陶瓷peek材料的性能,不僅使加工後得到測試託盤毛刺少且易切削,而且成品變形量也可以有效控制,從而提高了測試託盤對電路板平整度的檢測的準確性。
34.在優選的實施方式中,所述對所述毛坯件進行磨削和/或切削處理,得到磨削塊;包括:沿著所述毛坯件的厚度方向,對所述毛坯件的各個表面進行磨削處理,得到厚度均勻的第一磨削塊;沿著所述第一磨削塊的高度方向和寬度方向,分別對所述第一磨削塊進行磨削處理,得到預設尺寸的第二磨削塊;對所述第二磨削塊內的坯料依次標記序號,並對標記序號的第二磨削塊進行應力釋放處理;沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料20按照預設尺寸進行切削處理,得到第三磨削塊;其中,所述第二磨削塊的厚度方向與所述毛坯件的厚度方向是同一方向。
35.本實施方式先沿著毛坯件厚度方向、寬度方向和長度方向分別對毛坯件進行切削處理,之後對切削處理後的磨削塊進行應力釋放,最後對磨削塊坯料標記序號,並對標記序號的坯料進行切削處理;由此,使用邊加工邊釋放材料應力的方式,能夠較為容易地控制材料的加工性能,提高了測試託盤的加工效率。
36.在優選的實施方式中,所述沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照預設尺寸進行切削處理,得到第三磨削塊;包括:沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料20按照第一預設閾值;進行切削處理形成凹槽10,並對具有凹槽10的第二磨削塊進行應力釋放處理;沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料20按照第二預設閾值;繼續進行切削處理,得到第三磨削塊。
37.由此,採用兩次切削過程完成凹槽的加工,並且在每次切削過程中採用邊切削邊釋放應力的方式,不僅方便切削,而且能夠有效控制凹槽的切削,提高了測試託盤的可加工性。
38.在優選的實施方式中,所述對所述磨削塊進行應力釋放處理,得到測試託盤,包
括:對所述磨削塊進行應力釋放2-10h;對釋放應力後的磨削塊進行平整度校正,得到測試託盤。由此,減少了測試託盤的毛刺和變形量,提高了測試託盤對電路板平整度測試的準確性。
39.在優選的實施方式中,所述凹槽的高度等於所述第一預設閾值和所述第二預設預設閾值之和。
40.如圖3所示,為本發明一實施例提供的一種用於電路板平整度測試的測試託盤製備方法的流程示意圖。
41.一種用於電路板平整度測試的測試託盤的製備方法,包括如下步驟:
42.s301,採用滿足預設條件的陶瓷peek材料製備用於測試託盤的毛坯件;
43.s302,沿著毛坯件的厚度方向,對毛坯件的各個表面進行磨削處理,得到厚度均勻的第一磨削塊;
44.s303,沿著第一磨削塊的高度方向和寬度方向,分別對第一磨削塊進行磨削處理,得到預設尺寸的第二磨削塊;之後對第二磨削塊內的坯料依次標記序號;
45.s304,對標記序號的第二磨削塊進行應力釋放2-10h,並對釋放應力後標記序號的第二磨削塊進行平整度校正;
46.s305,沿著第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照第一預設閾值進行切削處理形成凹槽;
47.s306,對具有凹槽的第二磨削塊進行應力釋放2-10h,之後對釋放應力的磨削塊進行平正度校正;
48.s307,沿著第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照第二預設閾值繼續進行切削處理,得到具有預設規格凹槽的第三磨削塊;其中,第二磨削塊的厚度方向與毛坯件的厚度方向是同一方向;
49.s308,對第三磨削塊進行應力釋放2-10h,之後對釋放應力的磨削塊進行平正度校正,得到測試託盤。
50.具體地,選取摩擦電壓為0-100v、翹曲度為0-0.1mm、耐受溫度高於100℃、耐水煮、耐酸鹼、不易變形且加工精度為
±
0.05mm的防靜電陶瓷peek材料作為測試託盤的製作材料。採用製作材料製備測試託盤的毛坯件;然後,將毛坯件平放在平面磨床上,並沿著毛坯件的厚度方向對毛坯件的每個表面磨削去0.25毫米,從而確保磨削後的陶瓷peek坯料的厚度均為9
±
0.01毫米,得到第一磨削塊;之後,沿著高度方向和寬度方向分別對第一磨削塊進行磨削,得到高度為235mm且寬度為257mm的第二磨削塊;最後,在厚度方向上,依次對陶瓷peek材料在內的坯料進行標號,使用標記筆在每塊坯料上標上序號以排序。
51.去除第二磨削塊上的螺杆,放置2-10h以進行應力釋放,之後對釋放應力後標記序號的第二磨削塊進行平整度校正;最後,將標記序號的第二磨削塊置於銑床上,並對兩端多餘的部分進行切除。
52.沿著第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照3mm米切削深度;進行切削處理形成凹槽;然後去除整體磨削塊上的螺杆,放置2-10h以進行應力釋放,之後對釋放應力後標記序號的第二磨削塊進行平整度校正。
53.沿著所述第二磨削塊的厚度方向對標記序號的坯料按照5mm米切削深度繼續進行切削處理,得到具有8mm深度凹槽的第三磨削塊;其中,所述第二磨削塊的厚度方向與所述
毛坯件的厚度方向是同一方向。最後,去除整體磨削塊上的螺杆,放置2-10h以進行應力釋放,之後對釋放應力後標記序號的第三磨削塊進行平整度校正,得到測試託盤。
54.應力釋放一般有兩種情況:其一,在應力集中的部位,如斷裂端點和交叉部位等處發生形變或破壞,導致應力釋放。其二,並非應力集中的地區巖質相變、巖石力學性質變化或其他原因,致使強度降低,也會發生形變或破壞,造成應力釋放。上述兩種情況也是巖體失穩的兩個主要條件。進行構造穩定性分析,必須注意應力集中區及巖石軟弱結構等部位。在地殼中應力釋放的方式一般表現為斷層突然活動並伴生強烈地震;斷層長期緩慢蠕動;受力地塊局部地區劇烈變動;不同規模和不同幅度的大地形變等。上述不同情況的出現,主要是由當地的地質條件決定的。在進行地震預報和工程構造穩定性評價時,要分析哪些地區將要發生應力釋放以及釋放的方式、速度和可能造成的後果。
55.還有一種手段來釋放應力,就是時效。一種材料加工成形後,放在自然環境或一種特定(比較接近自然)的環境下,過上比較長的時間,這樣來釋放材料裡的應力。如一張鐵板,放在外面一段時間後,原來的平板,變得不平了。這就是應力釋放的結果。
56.需要說明的是,本實施例就是通過時效方式進行應力釋放。
57.以上結合具體實施例描述了本技術的基本原理,但是,需要指出的是,在本技術中提及的優點、優勢、效果等僅是示例而非限制,不能認為這些優點、優勢、效果等是本技術的各個實施例必須具備的。另外,上述公開的具體細節僅是為了示例的作用和便於理解的作用,而非限制,上述細節並不限制本技術為必須採用上述具體的細節來實現。
58.本技術中涉及的器件、裝置、設備、系統的方框圖僅作為例示性的例子並且不意圖要求或暗示必須按照方框圖示出的方式進行連接、布置、配置。如本領域技術人員將認識到的,可以按任意方式連接、布置、配置這些器件、裝置、設備、系統。諸如「包括」、「包含」、「具有」等等的詞語是開放性詞彙,指「包括但不限於」,且可與其互換使用。這裡所使用的詞彙「或」和「和」指詞彙「和/或」,且可與其互換使用,除非上下文明確指示不是如此。這裡所使用的詞彙「諸如」指詞組「如但不限於」,且可與其互換使用。
59.還需要指出的是,在本技術的裝置、設備和方法中,各部件或各步驟是可以分解和/或重新組合的。這些分解和/或重新組合應視為本技術的等效方案。
60.提供所公開的方面的以上描述以使本領域的任何技術人員能夠做出或者使用本技術。對這些方面的各種修改對於本領域技術人員而言是非常顯而易見的,並且在此定義的一般原理可以應用於其他方面而不脫離本技術的範圍。因此,本技術不意圖被限制到在此示出的方面,而是按照與在此公開的原理和新穎的特徵一致的最寬範圍。
61.為了例示和描述的目的已經給出了以上描述。此外,此描述不意圖將本技術的實施例限制到在此公開的形式。儘管以上已經討論了多個示例方面和實施例,但是本領域技術人員將認識到其某些變型、修改、改變、添加和子組合。
62.在本說明書的描述中,參考術語「一個實施例」、「一些實施例」、「示例」、「具體示例」、或「一些示例」等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例或示例中。而且,描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外,在不相互矛盾的情況下,本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特徵進行結合和組合。
63.此外,術語「第一」、「第二」僅用於描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此,限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或隱含地包括至少一個該特徵。在本發明的描述中,「多個」的含義是兩個或兩個以上,除非另有明確具體的限定。
64.以上所述,僅為本發明的具體實施方式,但本發明的保護範圍並不局限於此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內,可輕易想到變化或替換,都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此,本發明的保護範圍應以所述權利要求的保護範圍為準。

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