超直型太陽能電池用複合膜及其製造方法、以及亞直型太陽能電池用複合膜及其製造方法

2023-05-29 07:32:51

專利名稱：：超直型太陽能電池用複合膜及其製造方法、以及亞直型太陽能電池用複合膜及其製造方法
技術領域：
：本發明涉及具有透明導電膜和導電性反射膜這2層的複合膜及其製造方法，更詳細地說，涉及適用於超直(SuperStraight)型薄膜太陽能電池或亞直(Substraight)型太陽能電池的複合膜及其製造方法。本申請針對2007年9月12日申請的日本國專利申請第2007-236546號、2008年8月8日申請的日本國專利申請第2008-205849號、2008年8月8日申請的日本國專利申請第2008-205862號、2008年8月8日申請的日本國專利申請第2008-205867號、2008年8月8日申請的日本國專利申請第2008-205870號、2008年9月2日申請的日本國專利申請第2008-224497號、2008年9月2日申請的日本國專利申請第2008-224499號、2008年9月2日申請的日本國專利申請第2008-224508號、2008年9月2日申請的日本國專利申請第2008-224513號、以及2008年9月2日申請的日本國專利申請第2008-224515號主張優先權，在這裡援引其中的內容。
背景技術：
：目前，從環境保護的立場出發，清潔能源的研究開發正在向前推進。其中，太陽能電池由於其資源太陽光可無限擁有、無公害等原因而受到人們的矚目。以往，為了利用太陽能電池進行太陽光發電，一直以來使用的都是製造出單晶矽或者多晶矽的塊狀結晶，將其切片加工，作為厚板狀的半導體來利用的塊狀太陽能電池。但是，對於在塊狀太陽能電池中使用的上述矽結晶，結晶生長需要很多能量和時間，並且在後續的製造工序中也需要複雜的工序，因此大批量生產的效率難以提高，難以提供低價的太陽能電池。而使用了厚度為數微米以下的非晶矽等半導體的薄膜半導體太陽能電池(以下稱之為薄膜太陽能電池)，則是在玻璃或不鏽鋼等廉價基板上，僅需形成作為光電轉換層的半導體層即可。因此，這種薄膜太陽能電池，由於其薄型、重量輕、製造成本低、以及容易大面積化等原因，估計會成為今後太陽能電池的主流。薄膜太陽能電池根據其結構，有超直型和亞直型，在使得光線從透光性基板側入射的超直型太陽能電池中，通常採用按照基板-透明電極-光電轉換層-背面電極的順序形成的結構。而在亞直型太陽能電池中，則採用按照基材-背面電極-光電轉換層-透明電極的順序形成的結構。在光電轉換層由矽系材料形成的超直型太陽能電池中，有人正在研究通過採用按照透明電極、非晶矽、多晶矽、背面電極的順序形成的結構，以提高發電效率(例如，參照非專利文獻1)。在該非專利文獻1所示的結構中，非晶矽或多晶矽構成光電轉換層。尤其是當光電轉換層由矽系材料構成時，由於光電轉換層的吸光係數比較小，因此光電轉換層在數微米級的膜厚下，入射光的一部分透過光電轉換層，透過的光對發電沒有貢獻。因此，通常會將背面電極作為反射膜，或者在背面電極上形成反射膜，將吸收不了而透過光電轉換層的光通過反射膜反射，使其再返回到光電轉換層，從而提高發電效率。在關於薄膜太陽能電池的迄今為止的開發中，電極或反射膜都是通過濺射法等真空成膜法形成的。但是，通常來說，大型真空成膜裝置的保養及運轉需要很高成本，因此期待開發出一種通過將其替換為溼式成膜法從而更為廉價的製造方法。作為利用溼式成膜法形成的導電性反射膜的例子，公開了使用化學電鍍法來形成在光電轉換元件的背面側形成的反射膜的技術(例如，參照專利文獻1)。此外，作為更加簡便的方法，正在研究將銀等反射率高的金屬製成納米粒子，塗布其的方法(例如，參照專利文獻2)。另外，作為在基材表面形成呈現出強烈電鍍風格的金屬光澤的金屬塗膜的方法，可以例舉塗布金屬納米粒子的方法(例如，參照專利文獻3)。進而，在超直型太陽能電池中，對於採用基板-透明電極-光電轉換層-透明電極_背面反射電極這一結構的超直型太陽能電池的透明電極，可以例舉塗布使導電性氧化物微粒分散在分散介質中而形成的塗布液後，利用加熱法進行乾燥使其固化，從而形成位於基板側的透明電極的方法(例如，參照專利文獻4)。但是，上述專利文獻1中所述的化學電鍍法，採用了在表面側形成電鍍保護膜後，利用氫氟酸溶液對電鍍處理側進行處理，然後浸漬在化學電鍍液中等工序，因此不僅工序複雜而且估計會產生廢液。在上述專利文獻2、3所述的塗布金屬納米粒子的方法中，從塗布在基材表面的反射膜的基材側進行評價時的反射率(以下稱之為背面反射率)，與相當於相反側的露出面側的反射率(以下稱之為表面反射率)相比，有降低的傾向。推測這是因為在反射膜和基材之間產生了空孔，光在該空孔內部反覆反射，因此導致反射率降低。此外，推測通過空孔的反射光以比臨界角大的入射角向基材入射時，該反射光在空孔與基材的界面進行全反射，進行該全反射的反射光增加，因此反射率降低。另外，上述專利文獻2、3所述的塗布金屬納米粒子的方法，是利用塗布模具僅對導電性反射膜進行，而不是利用塗布模具形成導電性反射膜及透明導電膜這兩者。在上述專利文獻4中，僅僅是位於超直型太陽能電池中的基材側的透明導電膜採用溼式成膜法，對於位於背面反射電極側的透明導電膜，使用以往一直都採用的真空方法，即濺射法來形成。非專利文獻1柳田祥三等著，《薄膜太陽能電池的開發最前線_向著高效率化、量產化、促進普及邁進》(薄膜太陽電池O開発最前線高効率化·量産化·普及促進1二向汁工)，株式會社NTS，2005年3月，第113頁圖1(a)專利文獻1特開平05-95127號公報(權利要求0015段)專利文獻2特開平09-246577號公報(0035段)專利文獻3特開2000-239853號公報(權利要求3，0009段)專利文獻4特開平10-12059號公報(0028段，0029段)
發明內容本發明的第1目的在於提供在不降低背面反射率的情況下，具有採用溼式塗布法形成的透明導電膜及導電性反射膜的超直型薄膜太陽能電池用複合膜。本發明的第2目的在於提供具有高反射率、並且具有採用溼式塗布法形成的透明導電膜及導電性反射膜的亞直型太陽能電池用複合膜。本發明的第3目的在於提供儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，利用溼式塗布法，從而能夠更為廉價地製造超直型太陽能電池用複合膜或亞直型太陽能電池用複合膜的方法。本發明第1方式的超直型薄膜太陽能電池用複合膜，具有在超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜和、在透明導電膜上形成的導電性反射膜這2層，透明導電膜通過利用溼式塗布法塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成，導電性反射膜通過利用溼式塗布法塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成，出現在導電性反射膜的基材側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。在本發明第1方式的超直型薄膜太陽能電池用複合膜中，透明導電膜用組合物可以含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或非聚合物型粘合劑中的任一或兩者。透明導電膜用組合物中所包含的聚合物型粘合劑，可以是從丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物中選出的1種或2種以上。透明導電膜用組合物中所包含的聚合物型粘合劑，可以含有1種或者2種以上的鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。透明導電膜用組合物中所包含的非聚合物型粘合劑，可以是從金屬皂、金屬配位化合物、金屬醇鹽、滷代矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯中選出的1種或2種以上。作為非聚合物型粘合劑的金屬皂、金屬配位化合物或金屬醇鹽所包含的金屬可以是鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或銻。透明導電膜用組合物可以包含從矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑中選出的1種或2種以上。導電性反射膜可以包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。導電性反射膜的膜中所包含的金屬元素中的銀的比例可以是75質量％以上。導電性反射膜的厚度可以為0.05-2.0μm的範圍內。關於導電性反射膜的膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍內的粒子，按照數均計可以是70%以上。導電性反射膜用組合物含有75質量％以上的銀納米粒子作為金屬納米粒子，金屬納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性，金屬納米粒子按照數均計，可以含有70%以上一次粒徑在IO-IOOnm範圍內的金屬納米粒子。導電性反射膜用組合物可以含有如下金屬納米粒子0.02質量％以上且不到25質量％，該金屬納米粒子包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成。導電性反射膜用組合物可以含有1質量％以上的水和2質量％以上的醇類作為分散介質。導電性反射膜用組合物可以含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的1種或2種以上的添加物。導電性反射膜用組合物中所包含的有機高分子，可以是從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氫氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的有機金屬化合物，可以是從矽、鈦、鋁、銻、銦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。本發明第1方式的超直型薄膜太陽能電池用複合膜的製造方法，通過溼式塗布法，在通過第1透明導電膜疊層於基材上的超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上，塗布透明導電膜用組合物，從而形成透明導電塗膜，通過溼式塗布法，在透明導電塗膜上塗布導電性反射膜用組合物，從而形成導電性反射塗膜後，通過在130-400°c下燒結具有透明導電塗膜及導電性反射塗膜的基材，形成包含具有0.03-0.5μm厚度的第2透明導電膜、和具有0.05-2.0μm厚度的導電性反射膜的2層。在本發明第1方式的超直型薄膜太陽能電池用複合膜的製造方法中，溼式塗布法可以是噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。本發明第2方式的超直型太陽能電池用複合膜，具有在超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜和、在透明導電膜上形成的導電性反射膜，透明導電膜通過利用溼式塗布法，在光電轉換層上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，在導電性氧化物微粒的塗膜上利用溼式塗布法使粘合劑分散液浸漬、燒結，由此而形成，透明導電膜在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下，具有0.01-0.5μπι的厚度，導電性反射膜通過利用溼式塗布法，將包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物塗布於透明導電膜上、進行燒結而形成，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，出現在導電性反射膜的光電轉換層側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μπ以下。在本發明第2方式的超直型太陽能電池用複合膜中，粘合劑分散液可以含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者。粘合劑分散液中所包含的聚合物型粘合劑，可以是從丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物中選出的1種或2種以上。粘合劑分散液中所包含的聚合物型粘合劑，可以含有1種或者2種以上的鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。粘合劑分散液中所包含的非聚合物型粘合劑，可以是從烷氧基矽烷、滷代矽烷類、2_烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯中選出的1種或2種以上。導電性氧化物微粒的分散液可以包含從矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑中選出的1種或2種以上。導電性反射膜可以包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。導電性反射膜的膜中所包含的金屬元素中的銀的比例可以是75質量％以上。導電性反射膜的厚度可以為0.05-2.0μm的範圍內。關於導電性反射膜的膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍內的粒子，按照數均計可以是70%以上。導電性反射膜由導電性反射膜用組合物形成，所述導電性反射膜用組合物含有75質量％以上的銀納米粒子作為金屬納米粒子，金屬納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性，金屬納米粒子按照數均計，可以含有70%以上一次粒徑在IO-IOOnm範圍內的金屬納米粒子。導電性反射膜可以由含有如下金屬納米粒子0.02質量％以上且不到25質量％的導電性反射膜用組合物形成，該金屬納米粒子包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成。導電性反射膜可以由含有1質量％以上的水和2質量％以上的醇類作為分散介質的導電性反射膜用組合物形成。導電性反射膜可以由含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的1種或2種以上的添加物的導電性反射膜用組合物形成。導電性反射膜用組合物中所包含的有機高分子，可以是從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氫氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的有機金屬化合物，可以是從矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。本發明第2方式的超直型太陽能電池用複合膜的製造方法，通過溼式塗布法，在通過第1透明導電膜疊層於基材上的超直型太陽能電池的光電轉換層上，塗布導電性氧化物微粒的分散液和粘合劑分散液，形成透明導電塗膜，通過溼式塗布法，在透明導電塗膜上塗布導電性反射膜用組合物，形成導電性反射塗膜後，通過在130-400°C下燒結具有透明導電塗膜及導電性反射塗膜的基材，形成具有第2透明導電膜和導電性反射膜的複合膜，其中第2透明導電膜具有0.01-0.5μm的厚度，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，透明導電塗膜通過塗布導電性氧化物微粒的分散液形成導電性氧化物微粒的塗膜之後，通過溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬而形成，第2透明導電膜具有燒結導電性氧化物微粒的塗膜而成的導電性氧化物微粒層、以及對被覆導電性氧化物微粒層整個表面的上述粘合劑分散液的塗膜進行燒結而成的粘合劑層。在本發明第2方式的超直型太陽能電池用複合膜的製造方法中，溼式塗布法可以是噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。本發明第3方式的亞直型太陽能電池用複合膜是具有如下特徵的亞直型太陽能電池用複合膜，其具有在基材上形成的導電性反射膜和、在所述導電性反射膜上形成的透明導電膜這2層，導電性反射膜，通過利用溼式塗布法塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成，透明導電膜通過利用溼式塗布法塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成，出現在導電性反射膜的透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。在本發明第3方式的亞直型太陽能電池用複合膜中，透明導電膜用組合物可以含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者。透明導電膜用組合物中所包含的聚合物型粘合劑，可以是從丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物中選出的1種或2種以上。透明導電膜用組合物中所包含的聚合物型粘合劑，可以含有1種或者2種以上的鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。透明導電膜用組合物中所包含的非聚合物型粘合劑，可以是從金屬皂、金屬配位化合物、金屬醇鹽、滷代矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯中選出的1種或2種以上。作為非聚合物型粘合劑的金屬皂、金屬配位化合物或金屬醇鹽所包含的金屬可以是鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或銻。透明導電膜用組合物可以包含從矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑中選出的1種或2種以上。導電性反射膜可以包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。導電性反射膜的膜中所包含的金屬元素中的銀的比例可以是75質量％以上。導電性反射膜的厚度可以為0.05-2.0μm的範圍內。關於導電性反射膜的膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍內的粒子，按照數均計可以是70%以上。導電性反射膜用組合物含有75質量％以上的銀納米粒子作為金屬納米粒子，金屬納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性，金屬納米粒子按照數均計，可以含有70%以上一次粒徑在IO-IOOnm範圍內的金屬納米粒子。導電性反射膜用組合物可以含有如下金屬納米粒子0.02質量％以上且不到25質量％，該金屬納米粒子包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成。導電性反射膜用組合物可以含有1質量％以上的水和2質量％以上的醇類作為分散介質。導電性反射膜用組合物可以含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的1種或2種以上的添加物。導電性反射膜用組合物中所包含的有機高分子，可以是從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氫氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的有機金屬化合物，可以是從矽、鈦、鋁、銻、銦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。本發明第3方式的亞直型太陽能電池用複合膜的製造方法，通過溼式塗布法，在基材上塗布導電性反射膜用組合物，從而形成導電性反射塗膜後，在130-400°C下燒結具有導電性反射塗膜的基材，形成導電性反射膜，利用溼式塗布法在導電性反射膜上塗布透明導電膜用組合物，形成透明導電塗膜後，在130-400°C下燒結具有透明導電塗膜的基材，形成透明導電膜，由此形成包含導電性反射膜和透明導電膜的2層，其中導電性反射膜具有0.05-2.Oym的厚度，透明導電膜具有0.01-0.5μm的厚度。在本發明第3方式的亞直型太陽能電池用複合膜的製造方法中，溼式塗布法可以是噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。本發明第4方式的亞直型太陽能電池用複合膜具有在基材上形成的導電性反射膜和、在導電性反射膜上形成的透明導電膜，導電性反射膜通過利用溼式塗布法，在基材上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物形成導電性反射塗膜，燒結導電性反射塗膜而形成，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，透明導電膜通過利用溼式塗布法在導電性反射塗膜上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，利用溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結而形成，透明導電膜在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下，具有0.01-0.5μπι的厚度，出現在導電性反射膜的透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。在本發明第4方式的亞直型太陽能電池用複合膜中，粘合劑分散液可以含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者。粘合劑分散液中所包含的聚合物型粘合劑，可以是從丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物中選出的1種或2種以上。粘合劑分散液中所包含的聚合物型粘合劑，可以含有1種或者2種以上的鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。粘合劑分散液中所包含的非聚合物型粘合劑，可以是從烷氧基矽烷、滷代矽烷類、2_烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯中選出的1種或2種以上。導電性氧化物微粒的分散液可以包含從矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑中選出的1種或2種以上。導電性反射膜可以包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。導電性反射膜的膜中所包含的金屬元素中的銀的比例可以是75質量％以上。導電性反射膜的厚度可以為0.05-2.0μm的範圍內。關於導電性反射膜的膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍內的粒子，按照數均計可以是70%以上。導電性反射膜由導電性反射膜用組合物形成，所述導電性反射膜用組合物含有75質量％以上的銀納米粒子作為金屬納米粒子，金屬納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性，金屬納米粒子按照數均計，可以含有70%以上一次粒徑在IO-IOOnm範圍內的金屬納米粒子。導電性反射膜可以由含有如下金屬納米粒子0.02質量％以上且不到25質量％的導電性反射膜用組合物形成，該金屬納米粒子包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成。導電性反射膜可以由含有1質量％以上的水和2質量％以上的醇類作為分散介質的導電性反射膜用組合物形成。導電性反射膜可以由含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的1種或2種以上的添加物的導電性反射膜用組合物形成。導電性反射膜用組合物中所包含的有機高分子，可以是從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氫氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的有機金屬化合物，可以是從矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。本發明第4方式的亞直型太陽能電池用複合膜的製造方法，通過溼式塗布法，在基材上塗布導電性反射膜用組合物形成導電性反射塗膜後，在130-400°C下燒結具有導電性反射塗膜的基材，形成導電性反射膜，通過溼式塗布法，在導電性反射塗膜上塗布導電性氧化物微粒的分散液和粘合劑分散液，形成透明導電塗膜後，在130-400°C下燒結具有透明導電塗膜的基材，形成透明導電膜，由此製造具有透明導電膜和導電性反射膜的複合膜，其中透明導電膜具有0.01-0.5μm的厚度，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，透明導電塗膜通過塗布導電性氧化物微粒的分散液形成導電性氧化物微粒的塗膜之後，通過溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬而形成，透明導電膜具有燒結導電性氧化物微粒的塗膜而成的導電性氧化物微粒層、以及對被覆導電性氧化物微粒層的整個表面的粘合劑分散液的塗膜進行燒結而成的粘合劑層。在本發明第4方式的亞直型太陽能電池用複合膜的製造方法中，溼式塗布法可以是噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。本發明第5方式的超直型太陽能電池用複合膜，具有在超直型太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜和、在透明導電膜上形成的導電性反射膜，透明導電膜通過利用溼式塗布法在光電轉換層上塗布導電性氧化物微粒的分散液形成導電性氧化物微粒的塗膜，利用溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結而形成，透明導電膜具有光電轉換層上的包含粘合劑成分的第1層、以及該第1層的體積的1-30%從所述第1層露出的不包含粘合劑成分的第2層，導電性反射膜通過利用溼式塗布法在透明導電膜上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物、進行燒結而形成，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，出現在導電性反射膜的光電轉換層側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。在本發明第5方式的超直型太陽能電池用複合膜中，粘合劑分散液可以含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者。粘合劑分散液中所包含的聚合物型粘合劑，可以是從丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物中選出的1種或2種以上。粘合劑分散液中所包含的聚合物型粘合劑，可以含有1種或者2種以上的鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。粘合劑分散液中所包含的非聚合物型粘合劑，可以是從烷氧基矽烷、滷代矽烷類、2_烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯中選出的1種或2種以上。導電性氧化物微粒的分散液可以包含從矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑中選出的1種或2種以上。導電性反射膜可以包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。導電性反射膜的膜中所包含的金屬元素中的銀的比例可以是75質量％以上。導電性反射膜的厚度可以為0.05-2.Oym的範圍內。關於導電性反射膜的膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍內的粒子，按照數均計可以是70%以上。導電性反射膜由導電性反射膜用組合物形成，所述導電性反射膜用組合物含有75質量％以上的銀納米粒子作為金屬納米粒子，金屬納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性，金屬納米粒子按照數均計，可以含有70%以上一次粒徑在IO-IOOnm範圍內的金屬納米粒子。導電性反射膜可以由含有如下金屬納米粒子0.02質量％以上且不到25質量％的導電性反射膜用組合物形成，該金屬納米粒子包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成。導電性反射膜可以由含有1質量％以上的水和2質量％以上的醇類作為分散介質的導電性反射膜用組合物形成。導電性反射膜可以由含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的1種或2種以上的添加物的導電性反射膜用組合物形成。導電性反射膜用組合物中所包含的有機高分子，可以是從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的金屬氫氧化物，可以是含有從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。導電性反射膜用組合物中所包含的有機金屬化合物，可以是從矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。本發明第5方式的超直型太陽能電池用複合膜的製造方法，利用溼式塗布法，在通過第1透明導電膜疊層於基材上的超直型太陽能電池的光電轉換層上，塗布導電性氧化物微粒的分散液和粘合劑分散液，形成透明導電塗膜，通過溼式塗布法，在透明導電塗膜上塗布導電性反射膜用組合物，形成導電性反射塗膜後，通過在130-400°c下燒結具有透明導電塗膜及導電性反射塗膜的基材，形成具有第2透明導電膜和導電性反射膜的複合膜，其中第2透明導電膜具有0.01-0.5μm的厚度，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，透明導電膜通過塗布導電性氧化物微粒的分散液形成導電性氧化物微粒的塗膜之後，通過溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬而形成，第2透明導電膜具有光電轉換層上的包含粘合劑成分的第1層、以及該第1層的體積的1-30%從第1層露出的不包含粘合劑成分的第2層。在本發明第5方式的超直型太陽能電池用複合膜的製造方法中，溼式塗布法可以是噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。根據本發明第1方式的超直型薄膜太陽能電池用複合膜，其具有在超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜和在透明導電膜上形成的導電性反射膜這2層，透明導電膜通過利用溼式塗布法，塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成，導電性反射膜通過利用溼式塗布法，塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成。因此，與利用濺射法等真空蒸鍍法形成的透明導電膜相比，形成低折射率的透明導電膜，由此在導電性反射膜上產生增反射效果，能夠得到充分的反射率。另外，出現在導電性反射膜的基材側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。因此，在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，能夠實現理論反射率的80%以上的高擴散反射率。此外，由於儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，而是利用溼式塗布法，因此能夠廉價地製造複合膜。根據本發明第2方式的超直型太陽能電池用複合膜，其具有在超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜和在所述透明導電膜上形成的導電性反射膜，透明導電膜通過利用溼式塗布法，在光電轉換層上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，在導電性氧化物微粒的塗膜上利用溼式塗布法使粘合劑分散液浸漬、燒結而形成，透明導電膜在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下，具有0.01-0.5μm的厚度。因此，在導電性反射膜上產生增反射效果，能夠得到充分的反射率。另外，出現在導電性反射膜的光電轉換層側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。因此，在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，能夠實現理論反射率的80%以上的高擴散反射率。進一步，由於儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，而是利用溼式塗布法，因此能夠廉價地製造複合膜。根據本發明第3方式的亞直型太陽能電池用複合膜，其具有在基材上形成的導電性反射膜和、在導電性反射膜上形成的透明導電膜這2層，導電性反射膜通過利用溼式塗布法塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成，透明導電膜通過利用溼式塗布法塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成。因此，與利用濺射法等真空蒸鍍法形成的透明導電膜相比，形成低折射率的透明導電膜，因而在導電性反射膜上產生增反射效果，能夠得到充分的反射率。另外，出現在導電性反射膜的透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。因此，在波長500-1200nm的範圍內，能夠實現理論反射率的80%以上的高擴散反射率。此外，由於儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，而是利用溼式塗布法，因此能夠廉價地製造複合膜。根據本發明第4方式的亞直型太陽能電池用複合膜，其具有在基材上形成的導電性反射膜和、在導電性反射膜上形成的透明導電膜，導電性反射膜通過利用溼式塗布法，在基材上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物形成導電性反射塗膜，燒結導電性反射塗膜而形成，導電性反射膜具有0.05-2.Oym的厚度，透明導電膜通過利用溼式塗布法在導電性反射塗膜上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，利用溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結而形成，透明導電膜在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下，具有0.01-0.5μm的厚度。因此，在導電性反射膜上產生增反射效果，能夠得到充分的反射率。另外，出現在導電性反射膜的透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。因此，在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，能夠實現理論反射率的80%以上的高擴散反射率。進一步，由於儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，而是利用溼式塗布法，因此能夠廉價地製造複合膜。根據本發明第5方式的超直型太陽能電池用複合膜，其具有在超直型太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜和、在透明導電膜上形成的導電性反射膜，透明導電膜通過利用溼式塗布法在光電轉換層上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，利用溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結而形成，透明導電膜具有光電變換層上的包含粘合劑成分的第1層、以及該第1層的體積的1-30%從所述第1層露出的不包含粘合劑成分的第2層。因此，在導電性反射膜上產生增反射效果，能夠得到充分的反射率。另外，出現在導電性反射膜的光電轉換層側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/ym2以下。因此，在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，能夠實現理論反射率的80%以上的高擴散反射率。進一步，由於儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，而是利用溼式塗布法，因此能夠廉價地製造複合膜。圖1是本發明實施方式1的超直型薄膜太陽能電池用複合膜的剖面的示意圖。圖2是本發明實施方式2的超直型太陽能電池用複合膜的剖面的示意圖。圖3是本發明實施方式2的超直型太陽能電池用複合膜的燒結前剖面的示意圖。圖4是本發明實施方式3的亞直型太陽能電池用複合膜的剖面的示意圖。圖5是本發明實施方式4的亞直型太陽能電池用複合膜的剖面的示意圖。圖6是在製造本發明實施方式4的亞直型太陽能電池用複合膜時所形成的透明導電塗膜的剖面的示意圖。圖7是本發明實施方式5的超直型太陽能電池用複合膜的剖面的示意圖。圖8是本發明實施方式5的超直型太陽能電池用複合膜的燒結前剖面的示意圖。圖9是在實施例E1-E37以及比較例El、E2中形成的薄膜太陽能電池的剖面的示意圖。圖10是在實施例E1-E37以及比較例E1、E2中形成的薄膜太陽能電池的俯視示意圖。附圖標記的說明111複合膜，Illa導電性反射膜，Illb第2透明導電膜，112光電轉換層，114基材，213光電轉換層，214第2透明導電膜，214a導電性氧化物微粒層，214b粘合劑層，215導電性反射膜，311基材，312複合膜，312a導電性反射膜，312b第2透明導電膜，313光電轉換層，314第1透明導電膜，411基材，412導電性反射膜，413第2透明導電膜，413a導電性氧化物微粒層，413b粘合劑層，513光電轉換層，514第2透明導電膜，514a導電性氧化物微粒層的第1層(第1粒子層)，514b導電性氧化物微粒層的第2層(第2粒子層)，515導電性反射膜。具體實施例方式以下，根據附圖，對實施本發明的最佳方式進行說明。(實施方式1)超直型薄膜太陽能電池通常如圖1所示，具有在基材114上按照第1透明導電膜(光的入射側的透明導電膜)113、光電轉換層112的順序疊層而成的層上，進一步形成第2透明導電膜111b，在該第2透明導電膜Illb上形成導電性反射膜Illa的結構。本發明實施方式1涉及包括在光電轉換層112上形成的第2透明導電膜111b、以及在該第2透明導電膜Illb上形成的導電性反射膜Illa這2層的超直型薄膜太陽能電池用複合膜111。在本發明實施方式1的複合膜111中，第2透明導電膜Illb是利用溼式塗布法塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成的。當第2透明導電膜Illb通過濺射法等真空成膜法形成時，該第2透明導電膜的膜的折射率，將由靶材料的材質所決定，因此，利用濺射法等真空成膜法形成的第2透明導電膜，難以得到期望的折射率。而利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜111b，由於是通過塗布作為導電性氧化物微粒與其他成分的混合物的透明導電膜用組合物而形成的，因此利用溼式塗布法形成的膜，能夠得到期望的低折射率。該第2透明導電膜Illb所具有的折射率為1.5-2。具有低折射率的第2透明導電膜111b，對接合的導電性反射膜Illa賦予光學設計上的增反射效果，因此，與和以往的利用濺射法等真空成膜法形成的高折射率的第2透明導電膜接合的導電性反射膜相比，能夠得到高反射率。另外，在本發明實施方式1的複合膜111中，導電性反射膜Illa通過在上述利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜Illb上，採用溼式塗布法塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成。因此，形成的導電性反射膜Illa能夠得到良好的成膜性和高擴散反射率。在玻璃等基材上成膜時，即便是利用濺射法等真空蒸鍍法成膜時，也能得到良好的成膜性和高擴散反射率，但是，在利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜Illb上，利用濺射法等真空蒸鍍法成膜的話，在第2透明導電膜Illb中殘留的溶劑會對成膜得到的導電性反射膜造成不良影響，因此難以成膜成具有高反射率的導電性反射膜。這樣，在本發明實施方式1的複合膜111中，通過具有低折射率的第2透明導電膜Illb所賦予的光學設計上的增反射效果、以及導電性反射膜Illa所具有的良好成膜性及高擴散反射率，能夠得到高反射率。進一步，由於出現在導電性反射膜Illa的基材114側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下，因此在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，成為可達到理論反射率80%以上的高擴散反射率的導電性反射膜111a。該波長範圍500-1200nm，大致囊括了所有將多晶矽作為光電轉換層時的可轉換波長。之所以將氣孔的平均直徑設定為IOOnm以下，是因為雖然通常來說反射光譜會顯示出在長波長側反射率高、在短波長側反射率低，但是氣孔的平均直徑超過IOOnm的話，反射率開始降低的拐點會更向長波長側偏移，因此不能得到良好的反射率。此外，之所以將氣孔的平均深度設定為IOOnm以下，是因為如果氣孔的平均深度超過IOOnm的話，反射光譜的坡度(傾斜度)就會變大，不能得到良好的反射率。之所以將氣孔的數密度設定為30個/μm2以下，是因為如果氣孔的數密度超過30個/μm2的話，長波長側的反射率降低，不能得到良好的反射率。氣孔的平均直徑優選為5nm-100nm，氣孔所處的平均深度優選為5nm-100nm，氣孔的數密度優選為2-30個/μm2以下。氣孔的平均直徑、氣孔所處的平均深度以及氣孔的數密度不到上述下限值的情況下，在燒結時，對銀納米粒子進行化學改性的保護劑的有機分子分解而生成的氣體的消除變得不充分，結果，由於殘留的有機分子的殘渣，導致可能出現導電性反射膜的導電性及反射率降低，因而不優選。另外，構成複合膜的導電性反射膜，由於包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質，因此能夠容易地使出現在導電性反射膜的第2透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，平均深度為IOOnm以下，並且使數密度為30個/μm2以下。此外，在構成該複合膜的導電性反射膜中，由於膜中所包含的金屬元素中的銀的比例為75質量％以上，因此能夠得到高反射率。如果不到75質量％的話，使用該組合物形成的導電性反射膜的反射率存在降低的傾向。另夕卜，由於構成複合膜的導電性反射膜的厚度為0.05-2.0μm,因此能夠得到太陽能電池所必需的電極的表面電阻值。進一步，關於構成複合膜的導電性反射膜在膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍的粒子，按照數均計為70%以上，因此能夠得到良好的導電性及高反射率。在本發明實施方式1的第2透明導電膜的形成中所使用的透明導電膜用組合物，包含導電性氧化物微粒，是該導電性氧化物微粒分散到分散介質中而成的組合物。作為在透明導電膜用組合物中所包含的導電性氧化物微粒，優選ITO(IndiumTinOxide銦錫氧化物)、AT0(AntimonyTinOxide摻銻氧化錫)的氧化錫粉末、或含有從Al、Co、Fe、In、Sn及Ti中選出的1種或者2種以上金屬的氧化鋅粉末等，其中，尤其優選ΙΤ0、ΑΤΟ、AZO(AluminumZincOxide摻鋁氧化鋅)、IZO(IndiumZincOxide摻銦氧化鋅)、TZO(TinZincOxide摻錫氧化鋅)。另外，導電性氧化物微粒在透明導電膜用組合物所包含的固形成分中所佔的含量比例，優選在50-90質量％的範圍內。之所以將導電性氧化物微粒的含量比例設定在上述範圍內，是因為如果不到下限值的話，導電性會降低，因而不優選，而如果超過上限值的話，密合性會降低，因此也不優選。其中，尤其優選在70-90質量％的範圍內。另外，導電性氧化物微粒的平均粒徑，為了在分散介質中保持穩定性，優選在IO-IOOnm的範圍內，其中尤其優選在20-60nm的範圍內。透明導電膜用組合物為包含通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者的組合物。作為聚合物型粘合劑，可以舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物等。另外，在聚合物型粘合劑中，優選包含鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。作為非聚合物型粘合劑，可以舉出金屬皂、金屬配位化合物、金屬醇鹽、滷代矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯等。另外，金屬皂、金屬配位化合物或金屬醇鹽中所包含的金屬是鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或者銻。這些聚合物型粘合劑、非聚合物型粘合劑通過加熱固化，能夠形成在低溫下具有低濁度率及體積電阻率的第2透明導電膜。這些粘合劑的含量比例，作為在透明導電膜用組合物中的固形成分中所佔的比例，優選在5-50質量％的範圍內，尤其優選在10-30質量％的範圍內。透明導電膜用組合物，優選根據使用的其他成分加入偶合劑。這是為了提高導電性微粒與粘合劑之間的結合性、以及提高由該透明導電膜用組合物形成的第2透明導電膜與疊層在基材上的層或者導電性反射膜之間的密合性。作為偶合劑，可以舉出矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑等。作為矽烷偶合劑，可舉出乙烯基三乙氧基矽烷(Ii二義卜U工卜***，>)、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。作為鋁偶合劑，可舉出下述式(1)所示的含有乙醯烷氧基的鋁偶合劑。另外，作為鈦偶合劑，可舉出下述式(2)-(4)所示的具有焦磷酸二烷基酯基(77·>>A4口*777·4卜基)的鈦偶合劑、以及下述式(5)所示的具有磷酸二烷基酯基的鈦偶合劑。formulaseeoriginaldocumentpage20—-(1)formulaseeoriginaldocumentpage20--------(2)formulaseeoriginaldocumentpage20.........(3)formulaseeoriginaldocumentpage20.........(4)formulaseeoriginaldocumentpage20---------(5)偶合劑的含量比例，作為在透明導電膜用組合物中所佔的固形成分的比例，優選在0.2-5質量％的範圍內，其中尤其優選在0.5-2質量％的範圍內。構成透明導電膜用組合物的分散介質，除了水之外，還可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、異佛爾酮等酮類；甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等烴類；N，N-二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲基亞碸等亞碸類或乙二醇等二醇類；乙基溶纖劑等二醇醚類等。為了得到良好的成膜性，分散介質的含有比例優選在80-99質量％的範圍內。另外，根據使用的成分，優選加入低電阻化劑或水溶性纖維素衍生物等。作為低電阻化劑，優選從鈷、鐵、銦、鎳、鉛、錫、鈦及鋅的無機酸鹽以及有機酸鹽中選出的1種或2種以上。例如，可以舉出乙酸鎳與氯化鐵的混合物、環烷酸鋅、辛酸錫和氯化銻的混合物、硝酸銦和乙酸鉛的混合物、乙醯乙酸鈦和辛酸鈷的混合物等。這些低電阻化劑的含有比例，優選相對於導電性氧化物粉末為0.2-15質量％。水溶性纖維素衍生物雖然是非離子化活性劑，但是與其他表面活性劑相比，即便是少量添加，其使導電性氧化物粉末分散的能力也非常高，並且，通過添加水溶性纖維素衍生物，形成的第2透明導電膜的透明性也得到提高。作為水溶性纖維素衍生物，可舉出羥丙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。水溶性纖維素衍生物的添加量，優選在0.2-5質量％的範圍內。本發明實施方式1的導電性反射膜的形成中所使用的導電性反射膜用組合物，是金屬納米粒子分散在分散介質中而成的組合物。上述金屬納米粒子含有75質量％以上的銀納米粒子，優選含有80質量％以上的銀納米粒子。之所以將銀納米粒子的含量限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為75質量％以上的範圍，是因為如果不到75質量％的話，利用該組合物形成的導電性反射膜的反射率會降低。另外，銀納米粒子，被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。之所以將化學改性金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數限定為1-3的範圍，是因為當碳原子數為4以上時，保護劑難以被燒結時的熱消除或分解(分離、燃燒)，在上述膜內殘留有很多有機殘渣，從而會變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率降低。銀納米粒子按數均計，含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，優選75%以上。一次粒徑在10-50nm範圍內的金屬納米粒子的含量，之所以設定為按數均計，相對於全部金屬納米粒子100%為70%以上的範圍，是因為如果不到70%的話，金屬納米粒子的比表面積增大，有機物所佔的比例變大，即便是通過燒結時的熱容易消除或者分解(分離、燃燒)的有機分子，該有機分子所佔的比例多，因此膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，從而導致導電性反射膜的導電性及反射率降低，或者金屬納米粒子的粒度分布變寬而導電性反射膜的密度變得容易降低，引起導電性反射膜的導電性及反射率降低。進一步，之所以將上述金屬納米粒子的一次粒徑限定在10-50nm的範圍內，是因為按照統計學的方法，一次粒徑處於10-50nm範圍內的金屬納米粒子與經時穩定性(經年穩定性)相關的緣故。另一方面，銀納米粒子以外的金屬納米粒子，是包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成的金屬納米粒子，該銀納米粒子以外的金屬納米粒子，相對於全部金屬納米粒子100質量％，含有0.02質量％以上且不到25質量％，優選含有0.03質量％-20質量％。銀納米粒子以外的金屬納米粒子的含量，之所以限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為0.02質量％以上且不到25質量％的範圍，是因為不到0.02質量％的話，雖然沒有特別大的問題，但是在0.02-25質量％範圍內時，具有耐候性試驗(在溫度100°C且溼度50%的恆溫恆溼槽內保持1000小時的試驗)後的導電性反射膜的導電性及反射率，與耐候性試驗前相比不會惡化的特徵，而在25質量％以上時，剛燒結之後的導電性反射膜的導電性及反射率降低，並且耐候性試驗後的導電性反射膜，與耐候性試驗前的導電性反射膜相比，導電性及反射率均降低的緣故。本發明實施方式1的導電性反射膜的形成中所使用的導電性反射膜用組合物，含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油選出的1種或2種以上的添加物。由於作為添加物包含在組合物中的金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物或矽油，與第2透明導電膜之間的化學性結合或者錨固效果增大、或者使燒結工序中的金屬納米粒子與第2透明導電膜之間的潤溼性得以改善，從而能夠在不損害導電性的情況下，提高與第2透明導電膜的密合性。使用不包含上述金屬氧化物等的組合物形成導電性反射膜的話，形成的導電性反射膜的表面粗糙度雖然變大，但是對於導電性反射膜表面的凹凸形狀存在使光電轉換效率最佳的條件，僅僅是表面粗糙度大的話，不能形成光電轉換效率優異的導電性反射膜表面。而像本發明實施方式1的組合物那樣，通過調整金屬氧化物等的種類、濃度等，能夠形成具有最佳表面粗糙度的表面。添加物的含量，為構成金屬納米粒子的銀納米粒子的質量的0.1_20%，優選為0.2-10%。添加物的含量不到0.的話，有可能出現平均直徑大的氣孔，或氣孔的密度變高。添加物的含量超過20%的話，會對形成的導電性反射膜的導電性造成不良影響，導致出現體積電阻率超出2Χ10_5Ω·cm的不良情況。作為添加物使用的有機高分子，可以使用從聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone；以下稱之為PVP)、PVP的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。具體來說，作為PVP的共聚物，可舉出PVP-甲基丙烯酸酯共聚物、PVP-苯乙烯共聚物、PVP-乙酸乙烯共聚物等。另外，作為水溶性纖維素，可舉出羥丙基甲基纖維素、甲基纖維素、羥乙基甲基纖維素等纖維素醚。作為添加物使用的金屬氧化物，可以舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。複合氧化物具體為ΙΤ0、ΑΤΟ、IZO等。作為添加物使用的金屬氫氧化物，可舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。作為添加物使用的有機金屬化合物，可以舉出從矽、鈦、鋁、銻、銦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬和錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。例如，金屬皂可舉出乙酸鉻、甲酸錳、檸檬酸鐵、甲酸鈷、乙酸鎳、檸檬酸銀、乙酸銅、檸檬酸銅、乙酸錫、乙酸鋅、草酸鋅、乙酸鉬等。另外，金屬配位化合物，可以舉出乙醯丙酮鋅配位化合物、乙醯丙酮鉻配位化合物、乙醯丙酮鎳配位化合物等。另外，金屬醇鹽可以舉出異丙醇鈦、矽酸甲酯、、y7「丙基三甲氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷等。作為添加物使用的矽油，可以採用直鏈矽油及改性矽油兩者。改性矽油，可以使用還在聚矽氧烷的側鏈的一部分導入了有機基團的物質(側鏈型)、在聚矽氧烷的兩末端導入了有機基團的物質(兩末端型)、在聚矽氧烷的兩末端中的任一個中導入了有機基團的物質(單末端型)、以及在聚矽氧烷的側鏈的一部分和兩末端導入了有機基團的物質(側鏈兩末端型)。改性矽油有反應性矽油和非反應性矽油，但是這兩種均可以作為本發明實施方式1的添加物來使用。此外，所謂反應性矽油，顯示出氨基改性、環氧基改性、羧基改性、甲醇改性、巰基改性、以及異種官能基改性(環氧基、氨基、聚醚基)，所謂非反應性矽油，顯示出聚醚改性、甲基苯乙烯基改性、烷基改性、高級脂肪酸酯改性、氟改性、以及親水特殊改性。構成導電性反射膜用組合物的分散介質，優選包含醇類、或者含醇類水溶液。作為分散介質使用的醇類，可以舉出從甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、異冰片己醇及赤蘚醇選出的1種或2種以上。含醇水溶液，相對於全部分散介質100質量％，含有1質量％以上、優選為2質量％以上的水、以及2質量％以上、優選為3質量％以上的醇類。例如，當分散介質僅由水和醇類構成的情況下，含有的水為2質量％時，就含有醇類98質量％，當醇類含有2質量％時，水就含有98質量％。水的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為1質量％以上的範圍，是因為如果不到1質量％的話，通過溼式塗布法塗布導電性反射膜用組合物得到的膜在低溫下難以燒結，並且燒結後的膜的導電性和反射率降低；醇類的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為2質量％以上的範圍，是因為如果不到2質量％的話，和上述一樣，利用溼式塗布法塗布組合物得到的膜在低溫下難以燒結，而且燒結後的電極的導電性和反射率會降低。進一步，分散介質，即對金屬納米粒子表面進行化學改性的保護分子，優選含有羥基(-0H)或羰基(-C=0)中的任一或兩者。在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羥基(-0H)的話，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用，在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羰基(-C=0)的話，和上述一樣，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用。製造使用的導電性反射膜用組合物的方法如下所述。(a)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時首先，將硝酸銀溶解到去離子水等水中，製備金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水等水中，在得到的濃度為10-40%的檸檬酸鈉水溶液中，在氮氣等惰性氣體的氣流中直接加入粒狀或粉狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在上述惰性氣體氣流中邊攪拌上述還原劑水溶液，邊在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。其中，優選使金屬鹽水溶液的添加量為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過對各溶液的濃度進行調整，即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也保持在30-60°C。另外，上述兩水溶液的混合比，調製成作為還原劑加入的亞鐵離子的當量為金屬離子的當量的3倍，也即滿足(金屬鹽水溶液中的金屬離子的摩爾數)X(金屬離子的價數)=3X(還原劑水溶液中的亞鐵離子)這一關係式。金屬鹽水溶液的滴加結束後，進一步持續攪拌混合液10-300分鐘，配製包含金屬膠體的分散液。將該分散液在室溫下放置，利用傾析或離心分離法等將沉降的金屬納米離子的凝集物分離之後，在該分離物中加入去離子水等水製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而繼續利用醇類進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為2.5-50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力分離粗粒子，由此配製成銀納米粒子按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，即配製成按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為70%以上。這樣，獲得化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。接著，對得到的分散體進行調整，使最終的金屬含量(銀含量)相對於分散體100質量％為2.5-95質量％的範圍。另外，分散介質為含醇類水溶液時，優選將溶劑的水及醇類分別調整為以上及2%以上。此外，組合物中進一步含有添加物的話，通過在分散體中按照期望的比例添加從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的一種或者2種以上的添加物而進行。對添加物的含量進行調整，使其相對於得到的組合物100質量％在0.1-20質量％的範圍內。由此，得到銀納米粒子分散於分散介質的組合物，其中該銀納米粒子被碳骨架的碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。(b)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為蘋果酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2的分散體。(c)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為乙醇酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1的分散體。(d)化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時作為構成銀納米粒子以外金屬納米粒子的金屬，可以舉出金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳。除了將配製金屬鹽水溶液時所使用的硝酸銀替換為氯金酸、氯鉬酸、硝酸鈀、三氯化釕、氯化鎳、硝酸亞銅、二氯化錫、硝酸銦、氯化鋅、硫酸鐵、硫酸鉻或硫酸錳之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。另外，在化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2時，除了將配製金屬鹽水溶液時所用的硝酸銀替換為上述種類的金屬鹽外，與上述(b)或者上述(c)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2的分散體。作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外金屬納米粒子的情況下，例如，將包含用上述(a)的方法製造的銀納米粒子的分散體作為第1分散體，將包含用上述(d)的方法製造的銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散體作為第2分散體的話，混和75質量％以上的第1分散體與不到25質量％的第2分散體，使第1分散體和第2分散體的合計含量為100質量％。此外，第1分散體不僅限於包含用上述(a)的方法製造的銀納米粒子的分散體，包含用上述(b)的方法製造的銀納米粒子的分散體或者包含用上述(c)方法製造的銀納米粒子的分散體也可以使用。接著，對本發明實施方式1的複合膜的製造方法進行說明。在本發明實施方式1的複合膜的製造方法中，首先，利用溼式塗布法，在通過第1透明導電膜疊層於基材上的超直型太陽能電池的光電轉換層上，塗布上述透明導電膜用組合物。這裡所說的塗布，是使燒結後的厚度為0.03-0.5μm,優選為0.05-0.1μm的厚度。接著，在溫度20-120°C、優選為25-60°C下，將該塗膜乾燥1_30分鐘，優選2_10分鐘。這樣形成透明導電塗膜。接著，通過溼式塗布法，在透明導電塗膜上塗布上述導電性反射膜用組合物。這裡所說的塗布，是使燒結後的厚度為0.05-2.(^!11，優選為0.1_1.5μπι的厚度。接著，在溫度20-120°C、優選為25-60°C下，將該塗膜乾燥1_30分鐘，優選2_10分鐘。這樣形成導電性反射塗膜。上述基材，可以使用包含玻璃、陶瓷或高分子材料的透光性基板中的任一種、或者從玻璃、陶瓷、高分子材料以及矽中選出的2種以上的透光性疊層體。作為高分子基板，可以舉出由聚醯亞胺或PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)等有機聚合物形成的基板。進而，上述溼式塗布法，尤其優選噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。但是，並不限於這些塗布法，可以使用任何方法。噴塗法是利用壓縮空氣將分散體霧狀化然後塗布到基材上、或者對分散體本身加壓使其霧狀化然後塗布到基材上的方法；點膠機(dispenser)塗布法是例如將分散體裝入到注射器中，推動該注射器的活塞來從注射器前端的微細噴嘴排出分散體從而塗布在基材上的方法；旋塗法是在旋轉的基材上滴下分散體，通過其離心力將該滴下的分散體擴散到基材周緣的方法；刮刀塗布法是可水平方向移動地設置與刮刀前端隔開規定縫隙的基材，向比該刮刀上遊側的基材上供給分散體，使基材向下遊側水平移動的方法；狹縫塗布法是使分散體由狹窄的狹縫流出從而在基材上塗布的方法；噴墨塗布法是在市售的噴墨印表機的墨盒中填充分散體，在基材上進行噴墨式列印的方法；網版印刷法是使用紗線作為圖案指示材料，通過在其上製成的原版圖像，將分散體轉移到基材上的方法；膠版印刷法是使附於膠版的分散體不直接附著到基材上，而是從膠版一次性轉印到橡膠片材上，再從橡膠片材轉移到基材上，利用墨水的疏水性的印刷方法；鑄模(die)塗布法是利用歧管將供給到鑄模的分散體進行分配，從狹縫推壓到薄膜上，然後塗布到移動的基材表面上的方法。鑄模塗布法有條縫塗布方式、滑動塗布方式、幕簾塗布方式。最後，在大氣中或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境中，將具有塗膜的基材在130-40(TC、優選150-350°C的溫度下，保持5_60分鐘，優選保持15-40分鐘進行燒結。其中，之所以塗布透明導電膜用組合物使燒結後的第2透明導電膜的厚度為0.03-0.5μm的範圍，是因為如果燒結後的厚度不到0.03μm、或者超過0.5μm的話，就不能得到充分的增反射效果。另外，之所以塗布導電性反射膜用組合物使燒結後的導電性反射膜的厚度為0.05-2.0μm,是因為如果不到0.05μm的話，表面電阻值變得過高，不能充分得到作為太陽能電池的電極所必需的導電性，而超過2.0μm的話，雖然在特性上沒有不良情況發生，但是材料使用量比原本需要的要多，造成材料的浪費。之所以將具有塗膜的基材的燒結溫度限定為130-400°C，是因為不到130°C的話，在複合膜中的第2透明導電膜中，會出現表面電阻值變得過高這一不良現象。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。此外，超過400°C的話，就不能利用低溫方法這一生產上的長處，即會導致製造成本增大生產性降低。此外，尤其是非晶矽、微晶矽、或者使用它們的混合型矽太陽能電池對熱較弱，由於燒結工序，會導致轉換效率降低。之所以將具有塗膜的基材的燒結時間限定為5-60分鐘，是因為如果燒結時間不到下限值的話，在複合膜的第2透明導電膜中，會發生表面電阻值過高的不良情況。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。燒結時間超過上限值的話，對特性雖然沒有影響，但是會導致製造成本比原本需要的增大，生產性降低。進而，會導致太陽能電池單元的轉換效率降低這一不良情況。根據以上，能夠形成本發明實施方式1的複合膜。如上所述，本發明實施方式1的製造方法，通過使用溼式塗布法，能夠儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，因此能夠更為廉價地製造複合膜。(實施方式2)超直型薄膜太陽能電池通常具有在基材上按照第1透明導電膜(光的入射側的透明導電膜)、光電轉換層的順序疊層，進而在光電轉換層上形成第2透明導電膜，在該第2透明導電膜上形成導電性反射膜的結構。本發明實施方式2涉及一種超直型太陽能電池用複合膜，其具有在超直型太陽能電池的光電轉換層上形成的第2透明導電膜、以及在該第2透明導電膜上形成的導電性反射膜。圖2是示意性地表示本發明實施方式2的複合膜的剖面的圖。本發明實施方式2的複合膜216的特徵性結構如圖2所示，(1)使用溼式塗布法，在光電轉換層213上塗布導電性氧化物微粒的分散液形成導電性氧化物微粒的塗膜，使用溼式塗布法在該導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結，從而形成第2透明導電膜214；以及(2)第2透明導電膜214在導電性氧化物微粒層214a的整個表面被粘合劑層214b被覆的狀態下，具有0.01-0.5μπι的厚度。當第2透明導電膜通過濺射法等真空成膜法形成時，該第2透明導電膜的膜的折射率由靶材料的材質所決定，因此，在利用濺射法等真空成膜法形成的第2透明導電膜中，難以得到期望的折射率。而在利用溼式塗布法形成第2透明導電膜時，由於通常是通過塗布導電性氧化物微粒或其他成分混合而成的組合物形成，因此利用溼式塗布法形成的膜，通過調整組合物的成分，能夠得到期望的低折射率。該第2透明導電膜所具有的折射率為1.5-2。具有低折射率的第2透明導電膜，對接合的導電性反射膜賦予光學設計上的增反射效果，因此，與利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜接合的導電性反射膜，與和以往利用濺射法等真空成膜法形成的高折射率的第2透明導電膜接合的導電性反射膜相比，能夠得到高反射率。對於利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜，可以舉出例如將同時含有導電性氧化物微粒和粘合劑成分調製而成的組合物塗布之後，進行燒結而形成的單一的第2透明導電膜。而本發明實施方式2的複合膜中的第2透明導電膜，首先在光電轉換膜上形成不含粘合劑成分的導電性氧化物微粒的塗膜，在該導電性氧化物微粒層上塗布不包含導電性氧化物微粒的粘合劑分散液，之後在規定的溫度下燒結而形成。即本發明實施方式2的複合膜中的第2透明導電膜214，如圖2所示，在上層形成不包含導電性氧化物微粒的粘合劑層214b。此外，在與光電轉換層213的界面附近的下層，由其整個表面被粘合劑層214b所被覆、其一部分由於粘合劑分散液的塗布而浸漬的導電性氧化物微粒層214a構成。該導電性氧化物微粒層214a通過燒結，粒子的一部分燒結，確保了高導電性。在本發明實施方式2的複合膜中，由於第2透明導電膜按照如上構成，因此與具有通過一起含有導電性氧化物微粒與粘合劑成分的組合物形成的單一第2透明導電膜的複合膜相比，與作為基底的光電轉換層的密合性優異。另外，由於在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下形成，因此經時變化小。第2透明導電膜214的厚度為0.01-0.5μm，另外導電性反射膜215的厚度為0.05-2.0μm。另外，導電性反射膜215，通過在第2透明導電膜214上，利用溼式塗布法塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成。因此，形成的導電性反射膜具有能得到良好的成膜性及高擴散反射率的特徵。在玻璃等基材上成膜時，即便是利用濺射法等真空蒸鍍法成膜時，也能得到良好的成膜性和高擴散反射率，但是，在利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜上利用濺射法等真空蒸鍍法成膜的話，在第2透明導電膜中殘留的溶劑會對成膜後的導電性反射膜造成不良影響，因此難以成膜成具有高反射率的導電性反射膜。這樣，在本發明實施方式2的複合膜中，通過利用溼式塗布法形成的具有低折射率的第2透明導電膜所賦予的光學設計上的增反射效果、以及導電性反射膜所具有的良好成膜性及高擴散反射率，能夠得到高反射率。另外，具有如下特徵，即出現在導電性反射膜215的光電轉換層213側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，成為可實現理論反射率80%以上的高擴散反射率的導電性反射膜。該波長範圍500-1200nm，大致囊括了所有將多晶矽作為光電轉換層時的可轉換波長。之所以將氣孔的平均直徑設定為IOOnm以下，是因為雖然通常來說反射光譜會顯示出在長波長側反射率高、在短波長側反射率低，但是氣孔的平均直徑超過IOOnm的話，反射率開始降低的拐點會更向長波長側偏移，因此不能得到良好的反射率。此外，之所以將氣孔的平均深度設定為IOOnm以下，是因為如果氣孔的平均深度超過IOOnm的話，反射光譜的坡度(傾斜度)就會變大，不能得到良好的反射率。之所以將氣孔的數密度設定為30個/μm2以下，是因為如果氣孔的數密度超過30個/μm2的話，長波長側的反射率降低，不能得到良好的反射率。氣孔的平均直徑優選為5nm-100nm，氣孔所處的平均深度優選為5nm-100nm，氣孔的數密度優選為2-30個/μm2以下。氣孔的平均直徑、氣孔所處的平均深度以及氣孔的數密度不到上述下限值時，在燒結時，由於對銀納米粒子進行化學改性的保護劑的有機分子分解而生成的氣體的消除會變得不充分，結果，由於殘留的有機分子的殘渣，導致有可能出現導電性反射膜的導電性及反射率降低，因而不優選。另外，構成複合膜的導電性反射膜，由於包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質，因此能夠容易地使出現在導電性反射膜的第2透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，平均深度為IOOnm以下，並且數密度為30個/μm2以下。此外，在構成該複合膜的導電性反射膜中，膜中所包含的金屬元素中的銀的比例為75質量％以上，因此能夠得到高反射率。如果不到75質量％的話，使用該組合物形成的導電性反射膜的反射率存在降低的傾向。另外，由於構成複合膜的導電性反射膜的厚度為0.05-2.0μm，因此能夠得到太陽能電池所必需的電極的表面電阻值。進一步，關於構成複合膜的導電性反射膜在膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍的粒子，按照數均計為70%以上，因此能夠得到良好的導電性及高反射率。在形成用於構成第2透明導電膜的導電性氧化物微粒層時，優選使用ITOandiumTinOxide銦錫氧化物)、ATO(AntimonyTinOxide摻銻氧化錫)的氧化錫粉末、或含有從Al、C0、Fe、In、Sn及Ti中選出的1種或者2種以上金屬的氧化鋅粉末等導電性氧化物微粒，其中，尤其優選ITO、ΑΤΟ、AZO(AluminumZincOxide摻鋁氧化鋅)、IZO(IndiumZincOxide摻銦氧化鋅)、TZO(TinZincOxide摻錫氧化鋅)。另外，為了得到充分的導電性和良好的成膜性，導電性氧化物微粒的平均粒徑優選在2-lOOnm的範圍內，其中尤其優選在5-50nm的範圍內。導電性氧化物微粒層，對上述導電性氧化物微粒分散到分散介質中而成的分散液進行調整，通過溼式塗布法塗布該分散液。關於該分散介質，除了水之外，還可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、異佛爾酮等酮類；甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等烴類；N，N-二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲基亞碸等亞碸類或乙二醇等二醇類；乙基溶纖劑等二醇醚類等。分散液中的分散介質的含量比例，出於得到良好成膜性的目的，優選在50-99.99質量％的範圍內。分散液中的導電性氧化物微粒的含量比例，優選在0.01-50質量％的範圍內。之所以將導電性氧化物微粒的含量比例限定在上述範圍內，是因為不到下限值的話，難以形成均勻的膜，因此不優選；而超過上限值的話，難以形成500nm以下厚度的導電性反射膜，因此不優選。在導電性氧化物微粒的分散液中，優選根據使用的其他成分加入偶合劑。這是為了提高導電性微粒與粘合劑之間的結合性、以及提高第2透明導電膜與光電轉換層或導電性反射膜之間的密合性。作為偶合劑，可以舉出矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑等。作為矽烷偶合劑，可舉出乙烯基三乙氧基矽烷(Ii二義卜U工卜***，>)、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。作為鋁偶合劑，可舉出下述式(6)所示的具有乙醯烷氧基的鋁偶合劑。另外，作為鈦偶合劑，可舉出下述式(7)-(9)所示的具有焦磷酸二烷基酯基(77·>>A4口*777·4卜基)的鈦偶合劑、以及下述式(10)所示的具有磷酸二烷基酯基(77·>>*777·4卜基)的鈦偶合劑。formulaseeoriginaldocumentpage29(C8H17O)4Ti[P(OC13H27)2OH]---------(10)粘合劑分散液可以含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者作為粘合劑成分。其中聚合物型粘合劑，可以舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物等。另外，在聚合物型粘合劑中，優選含有鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。作為非聚合物型粘合劑，可以舉出金屬皂、金屬配位化合物、金屬醇鹽、滷代矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯等。另外，在金屬皂、金屬配位化合物或金屬醇鹽中所包含的金屬為鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或銻。這些聚合物型粘合劑、非聚合物型粘合劑通過加熱固化，能夠形成在低溫下具有低濁度率及體積電阻率的第2透明導電膜。粘合劑分散液中的這些粘合劑的含量比例，優選在0.01-50質量％的範圍內，尤其優選在0.5-20質量％的範圍內。在粘合劑分散液的調整中，優選使用與形成導電性氧化物微粒層時所用分散液的製備中所用分散介質同種的分散介質。為了形成均勻的膜，分散介質的含量比例優選在50-99.99質量％的範圍內。另外，根據使用的成分，優選加入低電阻化劑或水溶性纖維素衍生物等。作為低電阻化劑，優選從鈷、鐵、銦、鎳、鉛、錫、鈦及鋅的無機酸鹽以及有機酸鹽中選出的1種或2種以上。例如，可以舉出乙酸鎳與氯化鐵的混合物、環烷酸鋅、辛酸錫和氯化銻的混合物、硝酸銦和乙酸鉛的混合物、乙醯乙酸鈦和辛酸鈷的混合物等。這些低電阻化劑的含有比例，優選為0.1-10質量％。另外，通過添加水溶性纖維素衍生物，形成的第2透明導電膜的透明性也得到提高。作為水溶性纖維素衍生物，可舉出羥丙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。水溶性纖維素衍生物的添加量，優選在0.1-10質量％的範圍內。形成本發明實施方式2的複合膜中的導電性反射膜時所使用的導電性反射膜用組合物，是金屬納米粒子分散在分散介質中而成的組合物。上述金屬納米粒子含有75質量％以上的銀納米粒子，優選含有80質量％以上的銀納米粒子。之所以將銀納米粒子的含量限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為75質量％以上的範圍，是因為如果不到75質量％的話，利用該組合物形成的導電性反射膜的反射率會降低。另外，銀納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。之所以將化學改性金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數限定為1-3的範圍，是因為當碳原子數為4以上時，保護劑難以被燒結時的熱消除或分解(分離、燃燒)，在上述膜內殘留有很多有機殘渣，從而會變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率降低。銀納米粒子按數均計，含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，優選含有75%以上。一次粒徑在10-50nm範圍內的金屬納米粒子的含量，之所以限定為按數均計相對於全部金屬納米粒子100%為70%以上的範圍，是因為如果不到70%的話，金屬納米粒子的比表面積增大，從而有機物所佔的比例變大，即便是通過燒結時的熱容易消除或者分解(分離、燃燒)的有機分子，由於該有機分子所佔的比例多，因此膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，從而導致導電性反射膜的導電性及反射率降低，或者金屬納米粒子的粒度分布變寬而導電性反射膜的密度變得容易降低，引起導電性反射膜的導電性及反射率降低。進一步，之所以將上述金屬納米粒子的一次粒徑限定在10-50nm的範圍內，是因為按照統計學的方法，一次粒徑處於10-50nm範圍內的金屬納米粒子與經時穩定性(經年穩定性)相關的緣故。另一方面，銀納米粒子以外的金屬納米粒子，是包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成的金屬納米粒子，該銀納米粒子以外的金屬納米粒子，相對於全部金屬納米粒子100質量％，含有0.02質量％以上且不到25質量％，優選含有0.03質量％-20質量％。銀納米粒子以外的金屬納米粒子的含量，之所以限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為0.02質量％以上且不到25質量％，是因為不到0.02質量％的話，雖然沒有特別大的問題，但是在0.02-25質量％這一範圍內時，具有耐候性試驗(在溫度100°C且溼度50%的恆溫恆溼槽內保持1000小時的試驗)後的導電性反射膜的導電性及反射率，與耐候性試驗前相比不會發生惡化這一特徵，而在25質量％以上時，剛燒結之後的導電性反射膜的導電性及反射率降低，並且耐候性試驗後的導電性反射膜，與耐候性試驗前的導電性反射膜相比，導電性及反射率均降低的緣故。另外，導電性反射膜用組合物，含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油選出的1種或2種以上的添加物。由於作為添加物包含在組合物中的金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物或矽油，與第2透明導電膜之間的化學性結合或者錨固效果增大、或者使燒結工序中的金屬納米粒子與第2透明導電膜之間的潤溼性得以改善，從而能夠在不損害導電性的情況下，提高與第2透明導電膜的密合性。使用不包含上述金屬氧化物等的組合物形成導電性反射膜的話，形成的導電性反射膜的表面粗糙度雖然變大，但是對於導電性反射膜表面的凹凸形狀，存在使光電轉換效率最佳的條件，因此僅僅是表面粗糙度大的話，不能形成光電轉換效率優異的導電性反射膜表面。而像本發明實施方式2的組合物那樣，通過調整金屬氧化物等的種類、濃度等，能夠形成具有最佳化表面粗糙度的表面。添加物的含量為構成金屬納米粒子的銀納米粒子的質量的0.1_20%，優選為0.2-10%。添加物的含量不到0.的話，有可能出現平均直徑大的氣孔，或者氣孔的密度變高。添加物的含量超過20%的話，會對形成的導電性反射膜的導電性造成不良影響，導致出現體積電阻率超出2Χ10_5Ω·cm的不良情況。作為添加物使用的有機高分子，使用從聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone；以下稱之為PVP)、PVP的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。具體來說，作為PVP的共聚物，可舉出PVP-甲基丙烯酸酯共聚物、PVP-苯乙烯共聚物、PVP-乙酸乙烯共聚物等。另外，作為水溶性纖維素，可舉出羥丙基甲基纖維素、甲基纖維素、羥乙基甲基纖維素等纖維素醚。作為添加物使用的金屬氧化物，可以舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。複合氧化物具體為ΙΤ0、ΑΤΟ、IZO等。作為添加物使用的金屬氫氧化物，可舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。作為添加物使用的有機金屬化合物，可以舉出從矽、鈦、鋁、銻、銦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。例如，金屬皂可舉出乙酸鉻、甲酸錳、檸檬酸鐵、甲酸鈷、乙酸鎳、檸檬酸銀、乙酸銅、檸檬酸銅、乙酸錫、乙酸鋅、草酸鋅、乙酸鉬等。另外，作為金屬配位化合物，可以舉出乙醯丙酮鋅配位化合物、乙醯丙酮鉻配位化合物、乙醯丙酮鎳配位化合物等。另外，作為金屬醇鹽，可以舉出異丙醇鈦、矽酸甲酯、彳〃7少卜丙基三甲氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷等。作為添加物使用的矽油，可以採用直鏈矽油及改性矽油兩者。改性矽油可以使用還在聚矽氧烷的側鏈的一部分導入有機基團的物質(側鏈型)、在聚矽氧烷的兩末端導入有機基團的物質(兩末端型)、在聚矽氧烷的兩末端中的任一個中導入有機基團的物質(單末端型)、以及在聚矽氧烷的側鏈的一部分和兩末端導入有機基團的物質(側鏈兩末端型)。改性矽油有反應性矽油和非反應性矽油，但是這兩種均可以作為本發明實施方式2的添加物來使用。此外，所謂反應性矽油，顯示出氨基改性、環氧基改性、羧基改性、甲醇改性、巰基改性、以及異種官能基改性(環氧基、氨基、聚醚基)，所謂非反應性矽油，顯示出聚醚改性、甲基苯乙烯基改性、烷基改性、高級脂肪酸酯改性、氟改性、以及親水特殊改性。構成導電性反射膜用組合物的分散介質，優選包含醇類、或者含醇類水溶液。作為分散介質使用的醇類，可以舉出從甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、異冰片己醇及赤蘚醇選出的1種或2種以上。含醇類水溶液，相對於全部分散介質100質量％，含有1質量％以上、優選為2質量％以上的水、以及2質量％以上、優選為3質量％以上的醇類為宜。例如，當分散介質僅由水和醇類構成的情況下，含有的水為2質量％時，就含有醇類98質量％，當醇類含有2質量％時，水就含有98質量％。水的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為1質量％以上的範圍，是因為如果不到1質量％的話，通過溼式塗布法塗布導電性反射膜用組合物得到的膜，在低溫下難以燒結，並且燒結後的膜的導電性和反射率降低；醇類的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為2質量％以上的範圍，是因為如果不到2質量％的話，和上述一樣，利用溼式塗布法塗布組合物得到的膜在低溫下難以燒結，而且燒結後的電極的導電性和反射率會降低。進一步，分散介質，即在金屬納米粒子表面進行化學改性的保護分子，優選含有羥基(-0H)或羰基(-C=0)中的任一或兩者。在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羥基(-0H)的話，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用，在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羰基(-C=0)的話，和上述一樣，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用。製備所使用的導電性反射膜用組合物的方法如下所述。(a)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時首先，將硝酸銀溶解到去離子水等水中，製備金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水等水中，在得到的濃度為10-40%的檸檬酸鈉水溶液中，在氮氣等惰性氣體的氣流中直接加入粒狀或粉狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在上述惰性氣體氣流中邊攪拌上述還原劑水溶液，邊在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。其中，優選使金屬鹽水溶液的添加量為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過對各溶液的濃度進行調整，使得即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也保持在30-60°C。另外，上述兩水溶液的混合比，配製成作為還原劑加入的亞鐵離子的當量為金屬離子的當量的3倍，也即滿足(金屬鹽水溶液中的金屬離子的摩爾數)X(金屬離子的價數)=3X(還原劑水溶液中的亞鐵離子)這一關係式。金屬鹽水溶液的滴加結束後，進一步持續攪拌混合液10-300分鐘，配製包含金屬膠體的分散液。將該分散液在室溫下放置，利用傾析或離心分離法等將沉降的金屬納米離子的凝集物分離之後，在該分離物中加入去離子水等水製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而連續利用醇類進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為2.5-50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力分離粗粒子，由此調整為銀納米粒子按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，即調整為按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為70%以上。這樣，得到化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。接著，對得到的分散體進行調整，使最終的金屬含量(銀含量)相對於分散體100質量％為2.5-95質量％。另外，當分散介質為含醇類水溶液時，優選將溶劑的水及醇類分別調整為以上及2%以上。此外，如果在組合物中進一步含有添加物的話，通過在分散體中按照期望的比例添加從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的一種或者2種以上的添加物而進行。對添加物的含量進行調整，使其相對於得到的組合物100質量％在0.1-20質量％的範圍內。由此，得到銀納米粒子分散於分散介質而成的組合物，其中該銀納米粒子被碳骨架的碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑化學改性。(b)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為蘋果酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2的分散體。(c)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為乙醇酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1的分散體。(d)化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時作為構成銀納米粒子以外金屬納米粒子的金屬，可以舉出金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳。除了將配製金屬鹽水溶液時所使用的硝酸銀替換為氯金酸、氯鉬酸、硝酸鈀、三氯化釕、氯化鎳、硝酸亞銅、二氯化錫、硝酸銦、氯化鋅、硫酸鐵、硫酸鉻或硫酸錳之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。另外，化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2時，除了將配製金屬鹽水溶液時所用的硝酸銀替換為上述種類的金屬鹽外，與上述(b)或者上述(C)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2的分散體。作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外金屬納米粒子的情況下，例如，將用上述(a)的方法製造的包含銀納米粒子的分散體作為第1分散體，將用上述(d)的方法製造的包含銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散體作為第2分散體的話，將75質量％以上的第1分散體與不到25質量％的第2分散體混合，使第1分散體和第2分散體的合計含量為100質量％。此外，第1分散體不僅限於用上述(a)的方法製造的包含銀納米粒子的分散體，用上述(b)的方法製造的包含銀納米粒子的分散體或者用上述(c)方法製造的包含銀納米粒子的分散體也可以使用。接著，對本發明實施方式2的複合膜的製造方法進行說明。在本發明實施方式2的複合膜的製造方法中，首先，如圖3所示，在通過第1透明導電膜212疊層於基材211上的超直型太陽能電池的光電轉換層213上，利用溼式塗布法，塗布將導電性氧化物微粒分散於分散介質中配製而成的上述分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜224a。在溫度20-120°C、優選為25_60°C下，乾燥該塗膜224a1-30分鐘，優選2-10分鐘。接著，通過溼式塗布法，在導電性氧化物微粒的塗膜224a上使上述粘合劑分散液浸漬，進行塗布以使導電性氧化物微粒的塗膜224a的整個表面被粘合劑分散液的塗膜224b被覆。另外，這裡所說的塗布，優選塗布為塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量，相對於塗布後的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的微粒總質量，為0.5-10的質量比(塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量/導電性氧化物微粒的質量)。如果不到下限值的話，難以得到充分的密合性，而超過上限值的話，表面電阻容易增大。其中，尤其優選質量比為0.5-3。在溫度20-120°C、優選為25-60°C下，乾燥該塗膜1_30分鐘，優選2_10分鐘。上述導電性氧化物微粒的分散液及粘合劑分散液的塗布，按照使燒結後形成的第2透明導電膜的厚度為0.01-0.5μm、優選為0.03-0.1μm的方式進行。這樣，形成包含導電性氧化物微粒的塗膜224a、以及粘合劑分散液的塗膜224b的透明導電塗膜224。接著，利用溼式塗布法在透明導電塗膜224上塗布上述導電性反射膜用組合物。這裡所說的塗布，是使燒結後的厚度成為0.05-2.0μm的厚度、優選成為0.1-1.5μm的厚度。接著，在溫度20-120°C、優選25-60°C下，乾燥該塗膜1_30分鐘，優選2_10分鐘。這樣形成導電性反射塗膜225。溼式塗布法尤其優選噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。但是，並不限於這些塗布法，可以使用任何方法。噴塗法是通過壓縮空氣將分散體霧狀化然後塗布到基材上、或者對分散體本身加壓使其霧狀化然後塗布到基材上的方法；點膠機(dispenser)塗布法是例如將分散體裝入到注射器中，通過推動該注射器的活塞來從注射器前端的微細噴嘴中排出分散體從而塗布在基材上的方法；旋塗法是在旋轉的基材上滴下分散體，通過其離心力將該滴下的分散體擴散到基材周緣的方法；刮刀塗布法是可水平方向移動地設置與刮刀前端隔開規定縫隙的基材，向比該刮刀上遊側的基材上供給分散體，使基材向著下遊側水平移動的方法；狹縫塗布法是使分散體由狹窄的狹縫流出從而在基材上塗布的方法；噴墨塗布法是在市售的噴墨印表機的墨盒中填充分散體，在基材上進行噴墨式列印的方法。網版印刷法是使用紗線作為圖案指示材料，通過在其上製成的原版圖像，將分散體轉移到基材上的方法；膠版印刷法是使附於膠版的分散體不直接附著到基材上，而是從膠版一次性轉印到橡膠片材上，再從橡膠片材轉移到基材上，利用墨水的疏水性的印刷方法；鑄模(die)塗布法是利用歧管將供給到鑄模的分散體進行分配，從狹縫推壓到薄膜上，然後塗布到移動的基材表面上的方法。鑄模塗布法有條縫塗布方式、滑動塗布方式、幕簾塗布方式。最後，在大氣中或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境中，將具有塗膜226的基材211在130-400°C、優選150-350°C的溫度下，保持5_60分鐘，優選保持15-40分鐘從而進行燒結。其中，之所以塗布導電性氧化物微粒的分散液及粘合劑分散液使燒結後的第2透明導電膜的厚度為0.01-0.5μm,是因為如果不到下限值的話，難以形成均勻的膜，而超過上限值的話，材料使用量比原本需要的要多，造成材料的浪費。之所以塗布導電性反射膜用組合物使燒結後的導電性反射膜的厚度為0.05-2.0μm,是因為如果不到0.05μm的話，表面電阻值變得過高，從而不能充分地得到作為太陽能電池的電極所需要的導電性，而超過2.Ομπι的話，雖然沒有特性上的不良情況，但是材料使用量比原本需要的要多，造成材料的浪費。之所以將燒結溫度限定為130-400°C，是因為不到130°C的話，會出現複合膜中的第2透明導電膜的表面電阻值變得過高這一不良現象。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。此外，超過400°C的話，就不能利用低溫方法這一生產上的長處，即會導致製造成本增大生產性降低。此外，尤其是非晶矽、微晶矽、或者使用它們的混合型矽太陽能電池對熱較弱，由於燒結工序，會導致轉換效率降低。之所以將具有塗膜的基材的燒結時間限定為5-60分鐘，是因為如果燒結時間不到下限值的話，會出現複合膜中的第2透明導電膜的表面電阻值變得過高這一不良現象。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。燒結時間超過上限值的話，對特性雖然沒有影響，但是會導致製造成本比原本需要的增大，生產性降低。進而，會導致太陽能電池單元的轉換效率降低這一不良情況。根據以上，能夠形成本發明實施方式2的複合膜。這樣，本發明實施方式2的製造方法，使用溼式塗布法，因而能夠儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，能夠更為廉價地製造複合膜。(實施方式3)亞直型太陽能電池通常如圖4所示，具有如下結構，即，具有在基材311上形成的複合膜312，在該複合膜312上按照光電轉換層313、第1透明導電膜(光的入射側的透明導電膜)314這一順序疊層而成的結構。複合膜312具有在基材311上形成的導電性反射膜312a、以及在該導電性反射膜312a上形成的第2透明導電膜312b。本發明實施方式3涉及亞直型太陽能電池用複合膜312，其具有在基材311上形成的導電性反射膜312a、以及在該導電性反射膜312a上形成的第2透明導電膜312b這2層。在本發明實施方式3的複合膜312中，導電性反射膜312a是通過利用溼式塗布法，在基材311上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成的。因此，形成的導電性反射膜312a能夠得到良好的成膜性和高擴散反射率。另外，在本發明實施方式3的複合膜312中，第2透明導電膜312b是通過利用溼式塗布法，塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成的。當第2透明導電膜通過濺射法等真空成膜法形成時，該透明導電膜的膜的折射率由靶材料的材質決定，因此，在利用濺射法等真空成膜法形成的第2透明導電膜中，難以得到期望的折射率。而在利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜312b中，由於是通過塗布透明導電膜用組合物這一導電性氧化物微粒與其他成分的混合物而形成的，因此利用溼式塗布法形成的膜，能夠得到期望的低折射率。該第2透明導電膜312b具有的折射率為1.5-2。具有低折射率的第2透明導電膜312b，對接合的導電性反射膜312a賦予光學設計上的增反射效果，因此，與該第2透明導電膜312b接合的導電性反射膜312a，和與以往利用濺射法等真空成膜法形成的高折射率的第2透明導電膜接合的導電性反射膜相比，能夠得到高反射率。這樣，在本發明實施方式3的複合膜312中，通過具有低折射率的第2透明導電膜312b所賦予的光學設計上的增反射效果、以及導電性反射膜312a所具有的良好成膜性及高擴散反射率，能夠得到高反射率。進一步，由於出現在導電性反射膜312a的第2透明導電膜312b側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下，因此在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，成為可實現理論反射率80%以上的高擴散反射率的導電性反射膜312a。該波長範圍500-1200nm，大致囊括了所有將多晶矽作為光電轉換層時的可轉換波長。之所以將氣孔的平均直徑設定為IOOnm以下，是因為雖然通常來說反射光譜會顯示出在長波長側反射率高、在短波長側反射率低，但是氣孔的平均直徑超過IOOnm的話，反射率開始降低的拐點會更向長波長側偏移，因此不能得到良好的反射率。此外，之所以將氣孔的平均深度設定為IOOnm以下，是因為如果氣孔的平均深度超過IOOnm的話，反射光譜的坡度(傾斜度)就會變大，不能得到良好的反射率。之所以將氣孔的數密度設定為30個/μπι2以下，是因為如果氣孔的數密度超過30個/μm2的話，長波長側的反射率降低，不能得到良好的反射率。氣孔的平均直徑優選為5nm-100nm，氣孔所處的平均深度優選為5nm-100nm，氣孔的數密度優選為2-30個/μm2以下。氣孔的平均直徑、氣孔所處的平均深度以及氣孔的數密度不到上述下限值的情況下，在燒結時，對銀納米粒子進行化學改性的保護劑的有機分子分解而生成的氣體的消除會變得不充分，結果，由於殘留的有機分子的殘渣，有可能出現導電性反射膜的導電性及反射率降低，因而不優選。另外，構成複合膜的導電性反射膜，由於包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質，因此能夠容易地使出現在導電性反射膜的第2透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，平均深度為IOOnm以下，並且數密度為30個/μm2以下。此外，在構成該複合膜的導電性反射膜中，由於膜中所包含的金屬元素中的銀的比例為75質量％以上，因此能夠得到高反射率。如果不到75質量％的話，使用該組合物形成的導電性反射膜的反射率存在降低的傾向。另外，由於構成複合膜的導電性反射膜的厚度為0.05-2.0μm,因此能夠得到太陽能電池所必需的電極的表面電阻值。進一步，關於構成複合膜的導電性反射膜在膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍的粒子，按照數均計為70%以上，因此能夠得到良好的導電性及高反射率。本發明實施方式3的第2透明導電膜的形成中使用的透明導電膜用組合物，包含導電性氧化物微粒，是該導電性氧化物微粒分散到分散介質中而成的組合物。作為在透明導電膜用組合物中所包含的導電性氧化物微粒，優選ITO(IndiumTinOxide銦錫氧化物)、AT0(AntimonyTinOxide摻銻氧化錫)的氧化錫粉末、或含有從Al、Co、Fe、In、Sn及Ti中選出的1種或者2種以上金屬的氧化鋅粉末等，其中，尤其優選ΙΤ0、ΑΤΟ、AZO(AluminumZincOxide摻鋁氧化鋅)、IZO(IndiumZincOxide摻銦氧化鋅)、TZO(TinZincOxide摻錫氧化鋅)。另外，導電性氧化物微粒在透明導電膜用組合物所包含的固形成分中所佔的含量比例，優選在50-90質量％的範圍內。之所以將導電性氧化物微粒的含量比例設定在上述範圍內，是因為如果不到下限值的話，導電性會降低，因而不優選，而如果超過上限值的話，密合性會降低，因此也不優選。其中，尤其優選在70-90質量％的範圍內。另外，為了在分散介質中保持穩定性，導電性氧化物微粒的平均粒徑優選在IO-IOOnm的範圍內，其中尤其優選為20-60nm的範圍內。透明導電膜用組合物為包含通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者的組合物。作為聚合物型粘合劑，可以舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物等。另外，在聚合物型粘合劑中，優選包含鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。作為非聚合物型粘合劑，可以舉出金屬皂、金屬配位化合物、金屬醇鹽、滷代矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯等。另外，金屬皂、金屬配位化合物或金屬醇鹽中所包含的金屬是鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或者銻。這些聚合物型粘合劑、非聚合物型粘合劑通過加熱固化，能夠形成在低溫下具有低濁度率及體積電阻率的第2透明導電膜。這些粘合劑的含量比例，作為在透明導電膜用組合物中的固形成分中所佔的比例，優選在5-50質量％的範圍內，尤其優選在10-30質量％的範圍內。在透明導電膜用組合物中，優選根據使用的其他成分加入偶合劑。這是為了提高導電性微粒與粘合劑的結合性、以及提高由該透明導電膜用組合物形成的第2透明導電膜與導電性反射膜或者光電轉換層之間的密合性。作為偶合劑，可以舉出矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑等。作為矽烷偶合劑，可舉出乙烯基三乙氧基矽烷(Ii二義卜U工卜***，^)、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。作為鋁偶合劑，可舉出下述式(11)所示的含有乙醯烷氧基的鋁偶合劑。另外，作為鈦偶合劑，可舉出下述式(12)-(14)所示的具有焦磷酸二烷基酯基(77>>^4口;t、7774卜基)的鈦偶合劑、以及下述式(15)所示的具有磷酸二烷基酯基的鈦偶合劑。formulaseeoriginaldocumentpage38……-(11)formulaseeoriginaldocumentpage38.........(12)formulaseeoriginaldocumentpage38.........(13)formulaseeoriginaldocumentpage38.........(14)formulaseeoriginaldocumentpage38---------(15)偶合劑的含量比例，作為在透明導電膜用組合物中所佔的固形成分的比例，優選在0.2-5質量％的範圍內，其中尤其優選在0.5-2質量％的範圍內。構成透明導電膜用組合物的分散介質，除了水之外，還可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、異佛爾酮等酮類；甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等烴類；N，N-二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲基亞碸等亞碸類或乙二醇等二醇類；乙基溶纖劑等二醇醚類等。為了得到良好的成膜性，分散介質的含有比例優選在80-99質量％的範圍內。另外，根據使用的成分，優選加入低電阻化劑或水溶性纖維素衍生物等。作為低電阻化劑，優選從鈷、鐵、銦、鎳、鉛、錫、鈦及鋅的無機酸鹽以及有機酸鹽中選出的1種或2種以上。例如，可以舉出乙酸鎳與氯化鐵的混合物、環烷酸鋅、辛酸錫和氯化銻的混合物、硝酸銦和乙酸鉛的混合物、乙醯乙酸鈦和辛酸鈷的混合物等。這些低電阻化劑的含有比例，優選相對於導電性氧化物粉末為0.2-15質量％。水溶性纖維素衍生物雖然是非離子化活性劑，但是與其他表面活性劑相比，即便是少量添加，其使導電性氧化物粉末分散的能力也非常高，並且，通過添加水溶性纖維素衍生物，形成的第2透明導電膜的透明性也得到提高。作為水溶性纖維素衍生物，可舉出羥丙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。水溶性纖維素衍生物的添加量，優選在0.2-5質量％的範圍內。形成本發明實施方式3的複合膜中的導電性反射膜時所使用的導電性反射膜用組合物，是金屬納米粒子分散在分散介質中而成的組合物。上述金屬納米粒子含有75質量％以上的銀納米粒子，優選含有80質量％以上的銀納米粒子。之所以將銀納米粒子的含量限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為75質量％以上的範圍，是因為如果不到75質量％的話，利用該組合物形成的導電性反射膜的反射率會降低。另外，銀納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。之所以將化學改性金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數限定為1-3的範圍，是因為當碳原子數為4以上時，保護劑難以被燒結時的熱消除或分解(分離、燃燒)，在上述膜內殘留有很多有機殘渣，從而會變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率降低。銀納米粒子按數均計，含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，優選含有75%以上。一次粒徑在10-50nm範圍內的金屬納米粒子的含量，之所以限定為按數均計，相對於全部金屬納米粒子100%為70%以上的範圍，是因為如果不到70%的話，金屬納米粒子的比表面積增大，有機物所佔的比例變大，即便是通過燒結時的熱容易消除或者分解(分離、燃燒)的有機分子，由於該有機分子所佔的比例多，因此膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率降低，或者金屬納米粒子的粒度分布變寬，導電性反射膜的密度變得容易降低，引起導電性反射膜的導電性及反射率降低。進一步，之所以將上述金屬納米粒子的一次粒徑限定在10-50nm的範圍內，是因為按照統計學的方法，一次粒徑處於10-50nm範圍內的金屬納米粒子與經時穩定性(經年穩定性)相關的緣故。另一方面，銀納米粒子以外的金屬納米粒子，是包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成的金屬納米粒子，該銀納米粒子以外的金屬納米粒子，相對於全部金屬納米粒子100質量％，含有0.02質量％以上且不到25質量％，優選含有0.03質量％-20質量％。銀納米粒子以外的金屬納米粒子的含量，之所以限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為0.02質量％以上且不到25質量％，是因為不到0.02質量％的話，雖然沒有特別大的問題，但是在0.02-25質量％這一範圍內時，具有耐候性試驗(在溫度100°C且溼度50%的恆溫恆溼槽內保持1000小時的試驗)後的導電性反射膜的導電性及反射率，與耐候性試驗前相比不會發生惡化這一特徵，而在25質量％以上時，剛燒結之後的導電性反射膜的導電性及反射率降低，並且耐候性試驗後的導電性反射膜，與耐候性試驗前的導電性反射膜相比，導電性及反射率均降低的緣故。本發明實施方式3的導電性反射膜的形成中所使用的導電性反射膜用組合物，含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油選出的1種或2種以上的添加物。由於作為添加物包含在組合物中的金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物或矽油，與第2透明導電膜的化學性結合或者錨固效果增大、或者使燒結工序中的金屬納米粒子與第2透明導電膜之間的潤溼性得以改善，從而能夠在不損害導電性的情況下，提高與第2透明導電膜之間的密合性。使用不包含上述金屬氧化物等的組合物形成導電性反射膜的話，形成的導電性反射膜的表面粗糙度雖然變大，但是對於導電性反射膜表面的凹凸形狀，存在使光電轉換效率最佳的條件，因此僅僅是表面粗糙度大的話，不能形成光電轉換效率優異的導電性反射膜表面。而像本發明實施方式3的組合物那樣，通過調整金屬氧化物等的種類、濃度等，能夠形成具有最佳化表面粗糙度的表面。添加物的含量為構成金屬納米粒子的銀納米粒子的質量的0.1_20%，優選為0.2-10%。添加物的含量不到0.的話，有可能出現平均直徑大的氣孔，或者氣孔的密度變高。添加物的含量超過20%的話，會對形成的導電性反射膜的導電性造成不良影響，導致出現體積電阻率超出2Χ10_5Ω·cm的不良情況。作為添加物使用的有機高分子，使用從聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone；以下稱之為PVP)、PVP的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。具體來說，作為PVP的共聚物，可舉出PVP-甲基丙烯酸酯共聚物、PVP-苯乙烯共聚物、PVP-乙酸乙烯共聚物等。另外，作為水溶性纖維素，可舉出羥丙基甲基纖維素、甲基纖維素、羥乙基甲基纖維素等纖維素醚。作為添加物使用的金屬氧化物，可以舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。複合氧化物具體為ΙΤ0、ΑΤΟ、IZO等。作為添加物使用的金屬氫氧化物，可舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。作為添加物使用的有機金屬化合物，可以舉出從矽、鈦、鋁、銻、銦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。例如，金屬皂可舉出乙酸鉻、甲酸錳、檸檬酸鐵、甲酸鈷、乙酸鎳、檸檬酸銀、乙酸銅、檸檬酸銅、乙酸錫、乙酸鋅、草酸鋅、乙酸鉬等。另外，作為金屬配位化合物，可以舉出乙醯丙酮鋅配位化合物、乙醯丙酮鉻配位化合物、乙醯丙酮鎳配位化合物等。另外，作為金屬醇鹽，可以舉出異丙醇鈦、矽酸甲基酯、「7「丙基三甲氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷等。作為添加物使用的矽油，可以採用直鏈矽油及改性矽油兩者。改性矽油，可以使用還在聚矽氧烷的側鏈的一部分導入有機基團的物質(側鏈型)、在聚矽氧烷的兩末端導入有機基團的物質(兩末端型)、在聚矽氧烷的兩末端中的任一個中導入有機基團的物質(單末端型)、以及在聚矽氧烷的側鏈的一部分和兩末端導入有機基團的物質(側鏈兩末端型)。改性矽油有反應性矽油和非反應性矽油，但是這兩種均可以作為本發明實施方式3的添加物來使用。此外，所謂反應性矽油，顯示出氨基改性、環氧基改性、羧基改性、甲醇改性、巰基改性、以及異種官能基改性(環氧基、氨基、聚醚基)，所謂非反應性矽油，顯示出聚醚改性、甲基苯乙烯基改性、烷基改性、高級脂肪酸酯改性、氟改性、以及親水特殊改性。構成導電性反射膜用組合物的分散介質，優選包含醇類、或者含醇類水溶液。作為分散介質使用的醇類，可以舉出從甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、異冰片己醇及赤蘚醇選出的1種或2種以上。含醇水溶液，相對於全部分散介質100質量％，含有1質量％以上、優選為2質量％以上的水、以及2質量％以上、優選為3質量％以上的醇類為宜。例如，當分散介質僅由水和醇類構成的情況下，含有的水為2質量％時，就含有醇類98質量％，當醇類含有2質量％時，水就含有98質量％。水的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為1質量％以上的範圍，是因為如果不到1質量％的話，通過溼式塗布法塗布導電性反射膜用組合物得到的膜在低溫下難以燒結，並且燒結後的膜的導電性和反射率降低；醇類的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為2質量％以上的範圍，是因為如果不到2質量％的話，和上述一樣，利用溼式塗布法塗布組合物得到的膜在低溫下難以燒結，而且燒結後的電極的導電性和反射率會降低。進一步，分散介質，即對金屬納米粒子表面化學改性的保護分子，優選含有羥基(-0H)或羰基(-C=O)中的任一或兩者。對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羥基(-0H)的話，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用，對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羰基(-c=o)的話，和上述一樣，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用。製造本發明實施方式3的導電性反射膜用組合物的方法如下所述。(a)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時首先，將硝酸銀溶解到去離子水等水中，製備金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水等水中，在得到的濃度為10-40%的檸檬酸鈉水溶液中，在氮氣等惰性氣體的氣流中直接加入粒狀或粉狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在上述惰性氣體氣流中邊攪拌上述還原劑水溶液，邊在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。其中，優選使金屬鹽水溶液的添加量為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過對各溶液的濃度進行調整，使即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也保持在30-60°C。另外，上述兩水溶液的混合比調整成作為還原劑加入的亞鐵離子的當量為金屬離子的當量的3倍，即滿足(金屬鹽水溶液中的金屬離子的摩爾數)X(金屬離子的價數)=3X(還原劑水溶液中的亞鐵離子)這一關係式。在金屬鹽水溶液的滴加結束後，進一步持續攪拌混合液10-300分鐘，配製包含金屬膠體的分散液。將該分散液在室溫下放置，利用傾析或離心分離法等將沉降的金屬納米離子的凝集物分離之後，在該分離物中加入去離子水等水製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而連續利用醇類進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為2.5-50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力分離粗粒子，由此調整成銀納米粒子按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，即調整成按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為70%以上。這樣，獲得化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。接著，對得到的分散體進行調整，使最終的金屬含量(銀含量)相對於分散體100質量％為2.5-95質量％的範圍。另外，分散介質為含醇類水溶液時，優選將溶劑的水及醇類分別調整為以上及2%以上。此外，如果在組合物中進一步含有添加物的話，通過在分散體中按照期望的比例添加從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的一種或者2種以上的添加物而進行。對添加物的含量進行調整，使其相對於得到的組合物100質量％在0.1-20質量％的範圍內。由此，得到銀納米粒子分散於分散介質而成的組合物，其中該銀納米粒子被碳骨架的碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。(b)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為蘋果酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2的分散體。(c)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為乙醇酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1的分散體。(d)化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時作為構成銀納米粒子以外金屬納米粒子的金屬，可以舉出金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳。除了將配製金屬鹽水溶液時所使用的硝酸銀替換為氯金酸、氯鉬酸、硝酸鈀、三氯化釕、氯化鎳、硝酸亞銅、二氯化錫、硝酸銦、氯化鋅、硫酸鐵、硫酸鉻或硫酸錳之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。另外，化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2時，除了將配製金屬鹽水溶液時所用的硝酸銀替換為上述種類的金屬鹽外，與上述(b)或者上述(c)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2的分散體。作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外的金屬納米粒子的情況下，例如，將用上述(a)的方法製造的含有銀納米粒子的分散體作為第1分散體，將用上述(d)的方法製造的含有銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散體作為第2分散體的話，混和75質量％以上的第1分散體與不到25質量％的第2分散體，使第1分散體和第2分散體的合計含量為100質量％。此外，第1分散體不僅限於用上述(a)的方法製造的含有銀納米粒子的分散體，用上述(b)的方法製造的含有銀納米粒子的分散體或者用上述(c)方法製造的含有銀納米粒子的分散體也可以使用。接著，對本發明實施方式3的複合膜的製造方法進行說明。在本發明實施方式3的複合膜的製造方法中，首先，利用溼式塗布法，在基材上塗布上述導電性反射膜用組合物。這裡所說的塗布，是使燒結後的厚度為0.05-2.0μm，優選為0.1-1.5μπι的厚度。接著，在溫度20-120°C、優選為25_60°C下，乾燥該塗膜1_30分鐘，優選2-10分鐘。這樣形成導電性反射塗膜。接著，在大氣中或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境中，將具有導電性反射塗膜的基材在130-400°C、優選在150-350°C的溫度下保持5-60分鐘，優選保持15-40分鐘，從而進行燒結，形成導電性反射膜。接著，利用溼式塗布法在該導電性反射膜上塗布透明導電膜用組合物。這裡所說的塗布，是使燒結後的厚度為0.03-0.5μm，優選為0.05-0.Ιμπι的厚度。接著，在溫度20-120°C、優選25-60°C下，乾燥該塗膜1-30分鐘，優選2-10分鐘。這樣形成透明導電塗膜。接著，在大氣中或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境中，將具有透明導電塗膜的基材在130-400°C、優選在150-350°C的溫度下保持5-60分鐘，優選保持15-40分鐘，從而進行燒結，形成第2透明導電膜。上述基材可以使用包含玻璃、陶瓷、金屬或高分子材料的基板中的任一種、或者從玻璃、陶瓷、高分子材料、金屬以及矽中選出的2種以上的透光性疊層體。作為高分子基板，可以舉出由聚醯亞胺或PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)等有機聚合物形成的基板。另外，上述溼式塗布法，尤其優選噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。但是，並不限於這些塗布法，可以使用任何方法。噴塗法是通過壓縮空氣將分散體霧狀化然後塗布到基材上、或者對分散體本身加壓使其霧狀化然後塗布到基材上的方法；點膠機(dispenser)塗布法是例如將分散體裝入到注射器中，通過推動該注射器的活塞來從注射器前端的微細噴嘴中排出分散體從而塗布在基材上的方法；旋塗法是在旋轉的基材上滴下分散體，通過其離心力將該滴下的分散體擴散到基材周緣的方法；刮刀塗布法是可水平方向移動地設置與刮刀前端隔開規定縫隙的基材，向比該刮刀上遊側的基材上供給分散體，使基材向著下遊側水平移動的方法；狹縫塗布法是使分散體由狹窄的狹縫流出從而在基材上塗布的方法；噴墨塗布法是在市售的噴墨印表機的墨盒中填充分散體，在基材上進行噴墨式列印的方法。網版印刷法是使用紗線作為圖案指示材料，通過在其上製成的原版圖像，將分散體轉移到基材上的方法；膠版印刷法是使附於膠版的分散體不直接附著到基材上，而是從膠版一次性轉印到橡膠片材上，再從橡膠片材轉移到基材上，利用墨水的疏水性的印刷方法；鑄模(die)塗布法是利用歧管將供給到鑄模內的分散體進行分配，從狹縫推壓到薄膜上，然後塗布到移動的基材表面上的方法。鑄模(die)塗布法有條縫塗布方式、滑動塗布方式、幕簾塗布方式。其中，之所以塗布導電性反射膜用組合物使燒結後的導電性反射膜的厚度為0.05-2.Oym,是因為如果不到0.05μm的話，表面電阻值變得過高，從而不能充分地得到作為太陽能電池的電極所需要的導電性，而超過2.Ομπι的話，雖然沒有特性上的不良情況，但是材料使用量比原本需要的要多，造成材料的浪費。另外，之所以塗布透明導電膜用組合物使燒結後的第2透明導電膜的厚度為0.03-0.5μm，是因為燒結後的厚度不到0.03μm或者超過0.5μm的話，不能得到充分的增反射效果。之所以將燒結溫度限定為130-400°C，是因為不到130°C的話，在複合膜的第2透明導電膜中，會出現表面電阻值變得過高這一不良現象。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。此外，超過400°C的話，就不能利用低溫方法這一生產上的長處，即會導致製造成本增大生產性降低。此外，尤其是非晶矽、微晶矽、或者使用它們的混合型矽太陽能電池對熱較弱，由於燒結工序，會導致轉換效率降低。之所以將具有塗膜的基材的燒結時間限定為5-60分鐘，是因為如果燒結時間不到下限值的話，在複合膜的第2透明導電膜中，會發生表面電阻值變得過高的不良情況。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。燒結時間超過上限值的話，對特性雖然沒有影響，但是會導致製造成本比原本需要的增大，生產性降低。進而，會導致太陽能電池單元的轉換效率降低這一不良情況。根據以上，能夠形成本發明實施方式3的複合膜。這樣，本發明實施方式3的製造方法，通過使用溼式塗布法，能夠儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，因此能夠更為廉價地製造複合膜。(實施方式4)亞直型薄膜太陽能電池通常具有如下結構，即具有在基材411上形成的複合膜414，在該複合膜414上按照光電轉換層415、第1透明導電膜(光的入射側的透明導電膜)416的順序疊層而成的結構。複合膜414具有在基材411上形成的導電性反射膜412、以及在該導電性反射膜412上形成的第2透明導電膜413。本發明實施方式4涉及亞直型太陽能電池用複合膜，其包含在亞直型太陽能電池的基材上形成的導電性反射膜、以及在該導電性反射膜上形成的第2透明導電膜。圖5是示意性地表示本發明實施方式4的複合膜的剖面的圖。本發明實施方式4的複合膜的特徵性結構在於如圖5所示，(1)利用溼式塗布法在基材411上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物形成導電性反射塗膜，通過燒結導電性反射塗膜，形成導電性反射膜412；⑵導電性反射膜412具有0.05-2.0um的厚度；(3)利用溼式塗布法，在導電性反射塗膜上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，通過溼式塗布法在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結，形成第2透明導電膜413；以及(4)第2透明導電膜413在導電性氧化物微粒層413a的整個表面被粘合劑層413b被覆的狀態下，具有0.01-0.5um的厚度。本發明實施方式4的複合膜414，其導電性反射膜412通過利用溼式塗布法在基材411上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成。因此，形成的導電性反射膜412能夠得到良好的成膜性及高擴散反射率。另外，本發明實施方式4的複合膜414，其第2透明導電膜413利用溼式塗布法形成。當第2透明導電膜通過濺射法等真空成膜法形成時，該第2透明導電膜的膜的折射率由靶材料的材質決定，因此，在利用濺射法等真空成膜法而形成的第2透明導電膜中，難以得到期望的折射率。而在利用溼式塗布法形成第2透明導電膜時，由於通常是通過塗布導電性氧化物微粒或其他成分混合而成的組合物形成，因此利用溼式塗布法形成的膜，通過對組合物的成分進行調整，能夠得到期望的低折射率。該第2透明導電膜所具有的折射率為1.5-2。具有低折射率的第2透明導電膜，對接合的導電性反射膜賦予光學設計上的增反射效果，因此，與利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜接合的導電性反射膜，和與以往利用濺射法等真空成膜法形成的高折射率的第2透明導電膜接合的導電性反射膜相比，能夠得到高反射率。禾IJ用溼式塗布法形成的第2透明導電膜中，可以舉出例如將同時含有導電性氧化物微粒和粘合劑成分配製而成的組合物塗布之後，進行燒結而形成的單一的第2透明導電膜。而本發明實施方式4的複合膜中的第2透明導電膜，首先在導電性發射塗膜上形成不含粘合劑成分的導電性氧化物微粒的塗膜，在該導電性氧化物微粒層上塗布不包含導電性氧化物微粒的粘合劑分散液，之後在規定的溫度下燒結從而形成。即本發明實施方式4的複合膜中的第2透明導電膜，如圖5所示，在上層形成不包含導電性氧化物微粒的粘合劑層413b。此外，在與導電性反射膜412的界面附近的下層，由其整個表面被粘合劑層413b被覆、且其一部分由於粘合劑層分散液的塗布而被浸漬的導電性氧化物微粒層413a構成。該導電性氧化物微粒層413a通過燒結，粒子的一部分燒結，確保了高導電性。在本發明實施方式4的複合膜中，由於第2透明導電膜按照如上構成，因此與具有通過同時含有導電性氧化物微粒與粘合劑成分的組合物形成的單一第2透明導電膜的複合膜相比，與作為基底的導電性反射膜的密合性優異。另外，由於在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下形成，因此經時變化小。這樣，在本發明的實施方式4的複合膜中，通過利用溼式塗布法形成的具有低折射率的第2透明導電膜所賦予的光學設計上的增反射效果、以及導電性反射膜所具有的良好成膜性及高擴散反射率，能夠得到高反射率。另外，其特徵在於，出現在導電性反射膜412的第2透明導電膜413側的接觸面上的氣孔的平均直徑為lOOnm以下，氣孔所處的平均深度為lOOnm以下，氣孔的數密度為30個/ym2以下。在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，成為可實現理論反射率80%以上的高擴散反射率的導電性反射膜。該波長範圍500-1200nm，大致囊括了所有將多晶矽作為光電轉換層時的可轉換波長。之所以將氣孔的平均直徑限定為lOOnm以下，是因為雖然通常來說反射光譜會顯示出在長波長側反射率高、在短波長側反射率低，但是氣孔的平均直徑超過lOOnm的話，反射率開始降低的拐點會更向長波長側偏移，因此不能得到良好的反射率。此外，之所以將氣孔的平均深度限定為lOOnm以下，是因為如果氣孔的平均深度超過lOOnm的話，反射光譜的坡度(傾斜度)就會變大，不能得到良好的反射率。之所以將氣孔的數密度限定為30個/ym2以下，是因為如果氣孔的數密度超過30個/ym2的話，長波長側的反射率降低，不能得到良好的反射率。氣孔的平均直徑優選為5nm-100nm，氣孔所處的平均深度優選為5nm-100nm，氣孔的數密度優選為2-30個/ym2以下。氣孔的平均直徑、氣孔所處的平均深度以及氣孔的數密度不到上述下限值的情況下，燒結時，由於對銀納米粒子進行化學改性的保護劑的有機分子分解而生成的氣體的消除會變得不充分，結果，由於殘留的有機分子的殘渣，導致有可能出現導電性反射膜的導電性及反射率降低，因而不優選。另外，構成複合膜的導電性反射膜包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質，因此能夠容易地使出現在導電性反射膜的第2透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為lOOnm以下，平均深度為lOOnm以下，並且數密度為30個/ym2以下。此外，在構成該複合膜的導電性反射膜中，由於膜中所包含的金屬元素中的銀的比例為75質量％以上，因此能夠得到高反射率。如果不到75質量％的話，使用該組合物形成的導電性反射膜的反射率存在降低的傾向。另外，由於構成複合膜的導電性反射膜的厚度為0.05-2.0um,因此能夠得到太陽能電池所必需的電極的表面電阻值。進一步，關於構成複合膜的導電性反射膜在膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍的粒子按照數均計為70%以上，因此能夠得到良好的導電性及高反射率。在形成構成第2透明導電膜的導電性氧化物微粒層時，優選使用IT0(IndiUmTinOxide銦錫氧化物)、ATO(AntimonyTinOxide摻銻氧化錫)的氧化錫粉末、或含有從Al、C0、Fe、In、Sn及Ti中選出的1種或者2種以上金屬的氧化鋅粉末等的導電性氧化物微粒，其中，尤其優選ITO、ATO、AZO(AluminumZincOxide摻鋁氧化鋅)、IZO(IndiumZincOxide摻銦氧化鋅)、TZO(TinZincOxide摻錫氧化鋅)。另外，為了得到充分的導電性和良好的成膜性，導電性氧化物微粒的平均粒徑優選在2-lOOnm的範圍內，其中尤其優選45在5-50nm的範圍內。導電性氧化物微粒層，是對上述導電性氧化物微粒分散到分散介質中而成的分散液進行調整，將該分散液通過溼式塗布法塗布而形成。該分散介質除了水之外，還可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、異佛爾酮等酮類；甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等烴類；N，N-二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲基亞碸等亞碸類或乙二醇等二醇類；乙基溶纖劑等二醇醚類等。分散液中的分散介質的含量比例，出於得到良好成膜性的目的，優選在50-99.99質量％的範圍內。分散液中的導電性氧化物微粒的含量比例，優選在0.01-50質量％的範圍內。之所以將導電性氧化物微粒的含量比例限定在上述範圍內，是因為不到下限值的話，難以形成均勻的膜，因此不優選；而超過上限值的話，難以形成lOOnm以下厚度的導電性反射膜，因此不優選。在導電性氧化物微粒的分散液中，優選根據使用的其他成分加入偶合劑。這是為了提高導電性微粒與粘合劑的結合性、以及提高第2透明導電膜與光電轉換層或導電性反射膜之間的密合性。作為偶合劑，可以舉出矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑等。作為矽烷偶合劑，可舉出乙烯基三乙氧基矽烷(If二義卜U工卜*****，>)、環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。作為鋁偶合劑，可舉出下述式(16)所示的含有乙醯烷氧基的鋁偶合劑。另外，作為鈦偶合劑，可舉出下述式(17)-(19)所示的具有焦磷酸二烷基酯基(77>*>/、°4口*7774卜基)的鈦偶合劑、以及下述式(20)所示的具有磷酸二烷基酯基的鈦偶合劑。formulaseeoriginaldocumentpage47粘合劑分散液含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者作為粘合劑成分。其中聚合物型粘合劑，可以舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物等。另外，在聚合物型粘合劑中，優選含有鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。作為非聚合物型粘合劑，可以舉出金屬皂、金屬配位化合物、金屬醇鹽、滷代矽烷類、2-烷氧基乙醇、雙酮以及乙酸烷基酯等。另外，在金屬皂、金屬配位化合物或金屬醇鹽中所包含的金屬為鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或銻。這些聚合物型粘合劑、非聚合物型粘合劑通過加熱固化，能夠形成在低溫下具有低濁度率及體積電阻率的第2透明導電膜。粘合劑分散液中的這些粘合劑的含量比例，優選在0.01-50質量％的範圍內，尤其優選在0.5-20質量％的範圍內。在粘合劑分散液的調整中，優選使用與形成導電性氧化物微粒層所用分散液的配製中使用的分散介質同種的分散介質。為了形成均勻的膜，分散介質的含量比例優選在50-99.99質量％的範圍內。另外，根據使用的成分，優選加入低電阻化劑或水溶性纖維素衍生物等。作為低電阻化劑，優選從鈷、鐵、銦、鎳、鉛、錫、鈦及鋅的無機酸鹽以及有機酸鹽中選出的1種或2種以上。例如，可以舉出乙酸鎳與氯化鐵的混合物、環烷酸鋅、辛酸錫和氯化銻的混合物、硝酸銦和乙酸鉛的混合物、乙醯乙酸鈦和辛酸鈷的混合物等。這些低電阻化劑的含有比例，優選為0.1-10質量％。另外，通過添加水溶性纖維素衍生物，形成的第2透明導電膜的透明性也得到提高。作為水溶性纖維素衍生物，可舉出羥丙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。水溶性纖維素衍生物的添加量，優選在0.1-10質量％的範圍內。形成本發明實施方式4的複合膜中的導電性反射膜時所使用的導電性反射膜用組合物，是金屬納米粒子分散在分散介質中而成的組合物。上述金屬納米粒子含有75質量％以上的銀納米粒子，優選含有80質量％以上的銀納米粒子。之所以將銀納米粒子的含量限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為75質量％以上的範圍，是因為如果不到75質量％的話，利用該組合物形成的導電性反射膜的反射率會降低。另外，銀納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。之所以將化學改性金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數限定為1-3的範圍，是因為當碳原子數為4以上時，保護劑難以被燒結時的熱消除或分解(分離、燃燒)，在上述膜內殘留有很多有機殘渣，從而會變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率降低。銀納米粒子按數均計，含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，優選含有75%以上。一次粒徑在10-50nm範圍內的金屬納米粒子的含量，之所以限定為按數均計相對於所有金屬納米粒子100%為70%以上的範圍，是因為如果不到70%的話，金屬納米粒子的比表面積增大，從而有機物所佔的比例變大，即便是通過燒結時的熱容易消除或者分解(分離、燃燒)的有機分子，由於該有機分子所佔的比例多，因此膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率降低，或者金屬納米粒子的粒度分布變寬，導電性反射膜的密度容易降低，引起導電性反射膜的導電性及反射率降低。進一步，之所以將上述金屬納米粒子的一次粒徑限定在10-50nm的範圍內，是因為按照統計學的方法，一次粒徑處於10-50nm範圍內的金屬納米粒子與經時穩定性(經年穩定性)相關的緣故。另一方面，銀納米粒子以外的金屬納米粒子，是包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成的金屬納米粒子，該銀納米粒子以外的金屬納米粒子，相對於全部金屬納米粒子100質量％，含有0.02質量％以上且不到25質量％，優選含有0.03質量％-20質量％。銀納米粒子以外的金屬納米粒子的含量，之所以限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為0.02質量％以上且不到25質量％，是因為不到0.02質量％的話，雖然沒有特別大的問題，但是在0.02-25質量％這一範圍內時，具有耐候性試驗(在溫度100°C且溼度50%的恆溫恆溼槽內保持1000小時的試驗)後的導電性反射膜的導電性及反射率，與耐候性試驗前相比不會發生惡化這一特徵，而在25質量％以上時，剛燒結之後的導電性反射膜的導電性及反射率降低，並且耐候性試驗後的導電性反射膜，與耐候性試驗前的導電性反射膜相比，導電性及反射率均降低的緣故。另外，導電性反射膜用組合物含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油選出的1種或2種以上的添加物。由於作為添加物包含在組合物中的金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物或矽油，與第2透明導電膜之間的化學性結合或者錨固效果增大、或者使燒結工序中的金屬納米粒子與第2透明導電膜之間的潤溼性得以改善，從而能夠在不損害導電性的情況下，提高與第2透明導電膜的密合性。使用不包含上述金屬氧化物等的組合物形成導電性反射膜的話，形成的導電性反射膜的表面粗糙度雖然變大，但是由於對於導電性反射膜表面的凹凸形狀，存在使光電轉換效率最佳的條件，因此僅僅是表面粗糙度大的話，不能形成光電轉換效率優異的導電性反射膜表面。而像本發明實施方式4的組合物那樣，通過調整金屬氧化物等的種類、濃度等，能夠形成具有最佳化表面粗糙度的表面。添加物的含量為構成金屬納米粒子的銀納米粒子的質量的0.1_20%，優選為0.2-10%。添加物的含量不到0.的話，有可能出現平均直徑大的氣孔，或者氣孔的密度變高。添加物的含量超過20%的話，會對形成的導電性反射膜的導電性造成不良影響，導致出現體積電阻率超出2Χ10_5Ω·cm的不良情況。作為添加物使用的有機高分子，使用從聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone；以下稱之為PVP)、PVP的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。具體來說，作為PVP的共聚物，可舉出PVP-甲基丙烯酸酯共聚物、PVP-苯乙烯共聚物、PVP-乙酸乙烯共聚物等。另外，作為水溶性纖維素，可舉出羥丙基甲基纖維素、甲基纖維素、羥乙基甲基纖維素等纖維素醚。作為添加物使用的金屬氧化物，可以舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。複合氧化物具體為ΙΤ0、ΑΤΟ、IZO等。作為添加物使用的金屬氫氧化物，可舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。作為添加物使用的有機金屬化合物，可以舉出從矽、鈦、鋁、銻、銦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。例如，金屬皂可舉出乙酸鉻、甲酸錳、檸檬酸鐵、甲酸鈷、乙酸鎳、檸檬酸銀、乙酸銅、檸檬酸銅、乙酸錫、乙酸鋅、草酸鋅、乙酸鉬等。另外，作為金屬配位化合物，可以舉出乙醯丙酮鋅配位化合物、乙醯丙酮鉻配位化合物、乙醯丙酮鎳配位化合物等。另外，作為金屬醇鹽，可以舉出異丙醇鈦、矽酸甲基酯、彳〃7少卜丙基三甲氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷等。作為添加物使用的矽油，可以採用直鏈矽油及改性矽油兩者。改性矽油，可以使用還在聚矽氧烷的側鏈的一部分導入有機基團的物質(側鏈型)、在聚矽氧烷的兩末端導入有機基團的物質(兩末端型)、在聚矽氧烷的兩末端中的任一個中導入有機基團的物質(單末端型)、以及在聚矽氧烷的側鏈的一部分和兩末端導入有機基團的物質(側鏈兩末端型)。改性矽油有反應性矽油和非反應性矽油，但是這兩種均可以作為本發明實施方式4的添加物使用。此外，所謂反應性矽油，顯示出氨基改性、環氧基改性、羧基改性、甲醇改性、巰基改性、以及異種官能基改性(環氧基、氨基、聚醚基)，所謂非反應性矽油，顯示出聚醚改性、甲基苯乙烯基改性、烷基改性、高級脂肪酸酯改性、氟改性、以及親水特殊改性。構成導電性反射膜用組合物的分散介質，優選包含醇類、或者含醇類水溶液。作為分散介質使用的醇類，可以舉出從甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、異冰片己醇及赤蘚醇選出的1種或2種以上。含醇類水溶液，相對於全部分散介質100質量％，含有1質量％以上、優選為2質量％以上的水、以及2質量％以上、優選為3質量％以上的醇類為宜。例如，當分散介質僅由水和醇類構成的情況下，含有的水為2質量％時，就含有醇類98質量％，當醇類含有2質量％時，水就含有98質量％。水的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為1質量％以上的範圍，是因為如果不到1質量％的話，通過溼式塗布法塗布導電性反射膜用組合物得到的膜在低溫下難以燒結，並且燒結後的膜的導電性和反射率降低；醇類的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為2質量％以上的範圍，是因為如果不到2質量％的話，和上述一樣，利用溼式塗布法塗布組合物得到的膜在低溫下難以燒結，而且燒結後的電極的導電性和反射率會降低。進一步，分散介質，即對金屬納米粒子表面進行化學改性的保護分子，優選含有羥基(-0H)或羰基(-C=0)中的任一或兩者。在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羥基(-0H)的話，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用，在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羰基(-C=0)的話，和上述一樣，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用。製備所使用的導電性反射膜用組合物的方法如下所述。(a)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時首先，將硝酸銀溶解到去離子水等水中，配製金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水等水中，在得到的濃度為10-40%的檸檬酸鈉水溶液中，在氮氣等惰性氣體的氣流中直接加入粒狀或粉狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在上述惰性氣體氣流中邊攪拌上述還原劑水溶液，邊在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。其中，優選使金屬鹽水溶液的添加量為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過對各溶液的濃度進行調整，使即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也保持在30-60°C。另外，上述兩水溶液的混合比調製成作為還原劑加入的亞鐵離子的當量為金屬離子的當量的3倍，也即滿足(金屬鹽水溶液中的金屬離子的摩爾數)X(金屬離子的價數)=3X(還原劑水溶液中的亞鐵離子)這一關係式。在金屬鹽水溶液的滴加結束後，進一步持續攪拌混合液10-300分鐘，配製包含金屬膠體的分散液。將該分散液在室溫下放置，利用傾析或離心分離法等將沉降的金屬納米離子的凝集物分離之後，在該分離物中加入去離子水等水製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而連續利用醇類進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為2.5-50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力分離粗粒子，由此調整成銀納米粒子按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，即調整成按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為70%以上。這樣，獲得化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。接著，對得到的分散體進行調整，使最終的金屬含量(銀含量)相對於分散體100質量％為2.5-95質量％的範圍。另外，分散介質為含醇類水溶液時，優選將溶劑的水及醇類分別調整為以上及2%以上。此外，如果在組合物中進一步含有添加物的話，通過在分散體中按照期望的比例添加從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的一種或者2種以上的添加物而進行。對添加物的含量進行調整，使其相對於得到的組合物100質量％在0.1-20質量％的範圍內。由此，得到銀納米粒子分散於分散介質而成的組合物，其中該銀納米粒子被碳骨架的碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。(b)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為蘋果酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2的分散體。(c)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為乙醇酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1的分散體。(d)化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時作為構成銀納米粒子以外金屬納米粒子的金屬，可以舉出金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳。除了將配製金屬鹽水溶液時所使用的硝酸銀替換為氯金酸、氯鉬酸、硝酸鈀、三氯化釕、氯化鎳、硝酸亞銅、二氯化錫、硝酸銦、氯化鋅、硫酸鐵、硫酸鉻或硫酸錳之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。另外，化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2時，除了將配製金屬鹽水溶液時所用的硝酸銀替換為上述種類的金屬鹽外，與上述(b)或者上述(c)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2的分散體。作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外金屬納米粒子的情況下，例如，將用上述(a)的方法製造的包含銀納米粒子的分散體作為第1分散體，將用上述(d)的方法製造的包含銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散體作為第2分散體的話，混和75質量％以上的第1分散體與不到25質量％的第2分散體，使第1分散體和第2分散體的合計含量為100質量％。此外，第1分散體不僅限於用上述(a)的方法製造的含有銀納米粒子的分散體，用上述(b)的方法製造的包含銀納米粒子的分散體或者用上述(c)方法製造的包含銀納米粒子的分散體也可以使用。接著，對本發明實施方式4的複合膜的製造方法進行說明。在本發明實施方式4的製造方法中，首先，在基材411上通過溼式塗布法塗布上述導電性反射膜用組合物。這裡所說的塗布，是使得燒結後的厚度為0.05-2.0μm、優選為0.1-1.5μπι的厚度。接著，在溫度20-120°C、優選25-60°C下，乾燥該塗膜1_30分鐘，優選2-10分鐘。這樣形成導電性反射塗膜。接著，在大氣中或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境中，將具有導電性反射塗膜的基材411在130-400°C、優選150-350°C的溫度下，保持5_60分鐘，優選保持15-40分鐘進行燒結，形成導電性反射膜412。接著，如圖6所示，通過溼式塗布法，在該導電性反射膜412上塗布導電性氧化物微粒分散於分散介質中並進行調整而得到的上述分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜423a。在溫度20-120°C、優選25-60°C下，乾燥該塗膜423a1_30分鐘，優選2_10分鐘。接著，通過溼式塗布法，在導電性氧化物微粒的塗膜423a上使上述粘合劑分散液浸漬，進行塗布使上述導電性氧化物微粒的塗膜423a的整個表面被粘合劑分散液的塗膜423b被覆。另外，這裡所說的塗布，優選使塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量，相對於塗布後的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的微粒的總質量，為0.5-10的質量比(塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量/導電性氧化物微粒的質量)。如果不到下限值的話，難以得到充分的密合性，而超過上限值的話，表面電阻容易增大。其中，尤其優選質量比為0.5-3。在溫度20-120°C、優選25-60°C下，乾燥該塗膜1_30分鐘，優選2_10分鐘。上述導電性氧化物微粒的分散液及粘合劑分散液的塗布，是按照使燒結後形成的第2透明導電膜的厚度為0.01-0.5μm、優選為0.03-0.1μm的方式進行的。這樣，形成包含導電性氧化物微粒的塗膜423a、以及粘合劑分散液的塗膜423b的透明導電塗膜423。接著，在大氣中或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境中，將具有透明導電塗膜423的基材411在130-400°C、優選150-350°C的溫度下，保持5-60分鐘，優選保持15-40分鐘，進行燒結，形成第2透明導電膜。溼式塗布法，尤其優選噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。但是，並不限於這些塗布法，可以使用任何方法。噴塗法是通過壓縮空氣將分散體霧狀化然後塗布到基材上、或者對分散體本身加壓使其霧狀化然後塗布在基材上的方法；點膠機(dispenser)塗布法是例如將分散體裝入到注射器中，通過推動該注射器的活塞來從注射器前端的微細噴嘴中排出分散體從而塗布在基材上的方法；旋塗法是在旋轉的基材上滴下分散體，通過其離心力將該滴下的分散體擴散到基材周緣的方法；刮刀塗布法是可水平方向移動地設置與刮刀前端隔開規定縫隙的基材，向比該刮刀上遊側的基材上供給分散體，使基材向著下遊側水平移動的方法；狹縫塗布法是使分散體由狹窄的狹縫流出從而在基材上塗布的方法；噴墨塗布法是在市售的噴墨印表機的墨盒中填充分散體，在基材上進行噴墨式列印的方法。網版印刷法是使用紗線作為圖案指示材料，通過在其上製成的原版圖像，將分散體轉移到基材上的方法；膠版印刷法是使附於膠版的分散體不直接附著到基材上，而是從膠版一次性轉印到橡膠片材上，再從橡膠片材轉移到基材上，利用了墨水的疏水性的印刷方法；鑄模(die)塗布法是利用歧管將供給到鑄模內的分散體進行分配，從狹縫推壓到薄膜上，然後塗布到移動的基材表面上的方法。鑄模(die)塗布法有條縫塗布方式、滑動塗布方式、幕簾塗布方式。其中，之所以塗布導電性反射膜用組合物使燒結後的導電性反射膜的厚度為0.05-2.Oym,是因為如果不到0.05μm的話，表面電阻值變得過高，從而不能充分地得到作為太陽能電池的電極所需要的導電性，而超過2.Ομπι的話，雖然沒有特性上的不良情況，但是材料使用量比原本需要的要多，造成材料的浪費。另外，之所以塗布導電性氧化物微粒的分散液及粘合劑分散液使燒結後的第2透明導電膜的厚度為0.01-0.5μm，是因為如果不到0.01μm的話，難以形成均勻的膜，而超過0.5μm的話，材料使用量比原本需要的要多，造成材料的浪費。之所以將燒結溫度限定為130-400°C，是因為不到130°C的話，會出現複合膜中的第2透明導電膜的表面電阻值變得過高這一不良現象。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時由於保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。此外，超過400°C的話，就不能利用低溫方法這一生產上的長處，即會導致製造成本增大生產性降低。此外，尤其是非晶矽、微晶矽、或者使用它們的混合型矽太陽能電池對熱較弱，由於燒結工序，會導致轉換效率降低。之所以將具有塗膜的基材的燒結時間限定為5-60分鐘，是因為如果燒結時間不到下限值的話，會出現複合膜的第2透明導電膜的表面電阻值變得過高的不良現象。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時由於保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此在燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。燒結時間超過上限值的話，對特性雖然沒有影響，但是會導致製造成本比原本需要的增大，生產性降低。進而，會導致太陽能電池單元的轉換效率降低這一不良情況。根據以上，能夠形成本發明實施方式4的複合膜。這樣，本發明實施方式4的製造方法，由於使用溼式塗布法，因而能夠儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，能夠更為廉價地製造複合膜。(實施方式5)超直型薄膜太陽能電池通常具有在基材上按照第1透明導電膜(光的入射側的透明導電膜)、光電轉換層順序疊層，進而在光電轉換層上形成第2透明導電膜，在該第2透明導電膜上形成導電性反射膜的結構。本發明實施方式5涉及超直型太陽能電池用複合膜，其具有在超直型太陽能電池的光電轉換層上形成的第2透明導電膜、以及在該第2透明導電膜上形成的導電性反射膜。圖7是示意性地表示本發明實施方式5的複合膜516的剖面的圖。本發明實施方式5的複合膜的特徵性結構在於如圖7所示，(1)在光電轉換層513上，通過溼式塗布法塗布導電性氧化物微粒的分散液，從而形成導電性氧化物微粒的塗膜後，利用溼式塗布法，在導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結，由此形成第2透明導電膜514；以及(2)第2透明導電膜514具有光電轉換層513上的含有粘合劑成分的第1層514a、以及該第1層514a的體積的1-30%從第1層514a露出的不含粘合劑成分的第2層514b。第2透明導電膜通過濺射法等真空成膜法形成時，該第2透明導電膜的膜的折射率由靶材料的材質決定，因此，利用濺射法等真空成膜法形成的第2透明導電膜中，難以得到期望的折射率。而利用溼式塗布法形成第2透明導電膜時，由於通常是通過塗布導電性氧化物微粒或其他成分混合而成的組合物而形成，因此利用溼式塗布法形成的膜，通過對組合物的成分進行調整，能夠得到期望的低折射率。該第2透明導電膜所具有的折射率為1.5-2。具有低折射率的第2透明導電膜，對接合的導電性反射膜賦予光學設計上的增反射效果，因此，與利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜接合的導電性反射膜，和與以往利用濺射法等真空成膜法形成的高折射率的第2透明導電膜接合的導電性反射膜相比，能夠得到高反射率。在利用溼式塗布法形成的第2透明導電膜中，可以舉出例如將同時含有導電性氧化物微粒和粘合劑成分配製而成的組合物塗布之後，進行燒結而形成的單一的第2透明導電膜。而本發明實施方式5的複合膜中的第2透明導電膜，首先在光電轉換層上形成不含粘合劑成分的導電性氧化物微粒的塗膜，在該導電性氧化物微粒的塗膜上塗布、並浸漬不含導電性氧化物微粒的粘合劑分散液，由此在導電性氧化物微粒的塗膜的一部分從塗布後的粘合劑分散液露出的狀態下被燒結，從而形成。即本發明實施方式5的複合膜中的第2透明導電膜514，如圖7所示，其下層由包含粘合劑成分的導電性氧化物微粒層，即第1層514a構成。另外，其上層由從粘合劑分散液露出而形成的不含粘合劑成分的導電性氧化物微粒層，即第2層514b構成。在本發明實施方式5的複合膜中，由於第2透明導電膜按照如上構成，因此與具有塗布並燒結同時含有導電性氧化物微粒與粘合劑成分的組合物而形成的單一的第2透明導電膜的複合膜相比，在構成太陽能電池單元時，作為決定轉換效率的因素之一的填充因子(7^77夕夕一)增大。之所以將第2層514b限定為是第1層514a的體積的1-30%，是為了得到充分的密合性和高填充因子。如果不到下限值的話，填充因子減小，而超過上限值的話，密合性降低。第2透明導電膜514的厚度為0.01-0.5μm，另外導電性反射膜515的厚度為0.05-2.Oμm。第2透明導電膜的厚度不到下限值的話，太陽能電池單元的短幅電流降低，而超過上限值的話，填充因子會顯著減小。其中，第2透明導電膜的厚度優選為0.05-0.1μm0導電性反射膜的厚度如果不到下限值的話，太陽能電池單元的短幅電流降低，而超過上限值的話，材料的使用量會比原本需要的多，造成材料的浪費。另外，導電性反射膜515，通過利用溼式塗布法，在第2透明導電膜514上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成。因此，形成的導電性反射膜具有能夠得到良好的成膜性及高擴散反射率的特徵。在玻璃等基材上成膜的情況下，即便利用濺射法等真空蒸鍍法來成膜，也能夠得到良好的成膜性及高擴散反射率。但是，利用濺射法等真空蒸鍍法，在使用溼式塗布法形成的第2透明導電膜上成膜的話，在第2透明導電膜中殘留的溶齊U，會給成膜後的導電性反射膜造成不良影響，因此難以成膜為具有高反射率的導電性反射膜。這樣，在本發明實施方式5的複合膜中，通過利用溼式塗布法形成的具有低折射率的第2透明導電膜所賦予的光學設計上的增反射效果、以及導電性反射膜所具有的良好成膜性及高擴散反射率，能夠得到高反射率。此外，其特徵在於，出現在導電性反射膜515的光電轉換層513側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，氣孔的數密度為30個/μm2以下。在使用透過率為98%以上的透光性基材時，在波長500-1200nm的範圍內，成為可實現理論反射率80%以上的高擴散反射率的導電性反射膜。該波長範圍500-1200nm，大致囊括了所有將多晶矽作為光電轉換層時的可轉換波長。之所以將氣孔的平均直徑限定為IOOnm以下，是因為雖然通常來說反射光譜會顯示出在長波長側反射率高、在短波長側反射率低，但是氣孔的平均直徑超過IOOnm的話，反射率開始降低的拐點會更向長波長側偏移，因此不能得到良好的反射率。此外，之所以將氣孔的平均深度限定為IOOnm以下，是因為如果氣孔的平均深度超過IOOnm的話，反射光譜的坡度(傾斜度)就會變大，不能得到良好的反射率。之所以將氣孔的數密度限定為30個/μm2以下，是因為如果氣孔的數密度超過30個/μm2的話，長波長側的反射率降低，不能得到良好的反射率。氣孔的平均直徑優選為5nm-100nm，氣孔所處的平均深度優選為5nm-100nm，氣孔的數密度優選為2-30個/μm2以下。氣孔的平均直徑、氣孔所處的平均深度以及氣孔的數密度不到上述下限值的情況下，燒結時，由於對銀納米粒子進行化學改性的保護劑的有機分子分解而生成的氣體的消除會變得不充分，結果，由於殘留的有機分子的殘渣，導致有可能出現導電性反射膜的導電性及反射率降低，因而不優選。另外，構成複合膜的導電性反射膜，由於包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質，因此能夠容易地使出現在導電性反射膜的第2透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，平均深度為IOOnm以下，並且數密度為30個/μm2以下。此外，在構成該複合膜的導電性反射膜中，由於膜中所包含的金屬元素中的銀的比例為75質量％以上，因此能夠得到高反射率。如果不到75質量％的話，使用該組合物形成的導電性反射膜的反射率存在降低的傾向。另外，由於構成複合膜的導電性反射膜的厚度為0.05-2.0μm,因此能夠得到太陽能電池所必需的電極的表面電阻值。進一步，關於構成複合膜的導電性反射膜在膜中所包含的金屬納米粒子，粒徑在10-50nm範圍的粒子，按照數均計為70%以上，因此能夠得到良好的導電性及高反射率。在形成第2透明導電膜時，優選使用ITO(IndiumTinOxide銦錫氧化物)、ATO(AntimonyTinOxide摻銻氧化錫)的氧化錫粉末、或含有從Al、Co、Fe、In、Sn及Ti中選出的1種或者2種以上金屬的氧化鋅粉末等導電性氧化物微粒，其中，尤其優選ΙΤ0、ΑΤΟ、AZO(AluminumZincOxide摻鋁氧化鋅)、IZO(IndiumZincOxide摻銦氧化鋅)、TZO(TinZincOxide摻錫氧化鋅)。導電性氧化物微粒的平均粒徑，從得到充分的導電性及良好的成膜性這一目的出發，優選在2-lOOnm的範圍內，其中尤其優選在5-50nm的範圍內。導電性氧化物微粒的塗膜，是對上述導電性氧化物微粒分散到分散介質中而成的分散液進行調整，利用溼式塗布法塗布該分散液而形成的。對於該分散介質，除了水之外，還可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、異佛爾酮等酮類；甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等烴類；N，N-二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺等醯胺類；二甲基亞碸等亞碸類或乙二醇等二醇類；乙基溶纖劑等二醇醚類等。為了得到良好的成膜性，分散液中的分散介質的含有比例優選在50-99.99質量％的範圍內。分散液中的導電性氧化物微粒的含有比例，優選在0.01-50質量％的範圍內。之所以將導電性氧化物微粒的含有比例限定在上述範圍內，是因為如果不到下限值的話，難以形成均勻的膜，因此不優選，而超過上限值的話，難以形成厚度為500nm以下的第2透明導電膜，因此也不優選。在導電性氧化物微粒的分散液中，優選根據使用的其他成分加入偶合劑。這是為了提高導電性微粒與粘合劑之間的結合性、以及提高第2透明導電膜與光電轉換層或導電性反射膜之間的密合性。作為偶合劑，可以舉出矽烷偶合劑、鋁偶合劑以及鈦偶合劑等。作為矽烷偶合劑，可舉出乙烯基三乙氧基矽烷(Ii二義卜U工卜***，^)、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。作為鋁偶合劑，可舉出下述式(21)所示的含有乙醯烷氧基的鋁偶合劑。另外，作為鈦偶合劑，可舉出下述式(22)-(24)所示的具有焦磷酸二烷基酯基(77>*>^<口;t、ζ77<卜基)的鈦偶合劑、以及下述式(25)所示的具有磷酸二烷基酯基的鈦偶合劑。formulaseeoriginaldocumentpage56粘合劑分散液含有通過加熱而固化的聚合物型粘合劑或者非聚合物型粘合劑中的任一或兩者作為粘合劑成分。其中聚合物型粘合劑，可以舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚苯乙烯、聚縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、纖維素以及矽氧烷聚合物等。另外，在聚合物型粘合劑中，優選含有鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽的水解反應物。作為非聚合物型粘合劑，可以舉出金屬皂、金屬配位化合物、金屬醇鹽、滷代矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-雙酮以及乙酸烷基酯等。另外，金屬皂、金屬配位化合物或金屬醇鹽中所包含的金屬為鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或銻。這些聚合物型粘合劑、非聚合物型粘合劑通過加熱固化，能夠形成在低溫下具有低濁度率及體積電阻率的第2透明導電膜。粘合劑分散液中的這些粘合劑的含量比例，優選在0.01-50質量％的範圍內，尤其優選在0.5-20質量％的範圍內。在粘合劑分散液的調整中，優選使用與形成導電性氧化物微粒層所用分散液的配製中使用的分散介質同種的分散介質。為了形成均勻的膜，分散介質的含量比例優選在50-99.99質量％的範圍內。另外，根據使用的成分，優選加入低電阻化劑或水溶性纖維素衍生物等。作為低電阻化劑，優選從鈷、鐵、銦、鎳、鉛、錫、鈦及鋅的無機酸鹽以及有機酸鹽中選出的1種或2種以上。例如，可以舉出乙酸鎳與氯化鐵的混合物、環烷酸鋅、辛酸錫和氯化銻的混合物、硝酸銦和乙酸鉛的混合物、乙醯乙酸鈦和辛酸鈷的混合物等。這些低電阻化劑的含有比例，優選為0.1-10質量％。另外，通過添加水溶性纖維素衍生物，形成的第2透明導電膜的透明性也得到提高。作為水溶性纖維素衍生物，可舉出羥丙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。水溶性纖維素衍生物的添加量，優選在0.1-10質量％的範圍內。形成本發明實施方式5的複合膜中的導電性反射膜時所使用的導電性反射膜用組合物，是金屬納米粒子分散在分散介質中而成的組合物。上述金屬納米粒子含有75質量％以上的銀納米粒子，優選含有80質量％以上的銀納米粒子。之所以將銀納米粒子的含量限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為75質量％以上的範圍，是因為如果不到75質量％的話，利用該組合物形成的導電性反射膜的反射率會降低。另外，銀納米粒子被碳骨架是碳原子數1-3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。之所以將化學改性金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數限定為1-3的範圍，是因為當碳原子數為4以上時，保護劑難以被燒結時的熱消除或分解(分離、燃燒)，在上述膜內殘留有很多有機殘渣，從而會變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率降低。銀納米粒子按數均計，含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，優選75%以上。一次粒徑在10-50nm範圍內的金屬納米粒子的含量，之所以限定為按數均計相對於全部金屬納米粒子100%為70%以上的範圍，是因為如果不到70%的話，金屬納米粒子的比表面積增大，從而有機物所佔的比例變大，即便是通過燒結時的熱容易消除或者分解(分離、燃燒)的有機分子，由於該有機分子所佔的比例多，因此膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，從而導致導電性反射膜的導電性及反射率降低，或者金屬納米粒子的粒度分布變寬，導電性反射膜的密度容易降低，引起導電性反射膜的導電性及反射率降低。進一步，之所以將上述金屬納米粒子的一次粒徑限定在10-50nm的範圍內，是因為按照統計學的方法，一次粒徑處於10-50nm範圍內的金屬納米粒子與經時穩定性(經年穩定性)相關的緣故。另一方面，銀納米粒子以外的金屬納米粒子，是包含從金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳中選出的1種或2種以上的混合組成或者合金組成的金屬納米粒子，該銀納米粒子以外的金屬納米粒子，相對於全部金屬納米粒子100質量％，含有0.02質量％以上且不到25質量％，優選含有0.03質量％-20質量％。銀納米粒子以外的金屬納米粒子的含量，之所以限定為相對於全部金屬納米粒子100質量％為0.02質量％以上且不到25質量％，是因為不到0.02質量％的話，雖然沒有特別大的問題，但是在0.02-25質量％這一範圍內時，具有耐候性試驗(在溫度100°C且溼度50%的恆溫恆溼槽內保持1000小時的試驗)後的導電性反射膜的導電性及反射率，與耐候性試驗前相比不會發生惡化這一特徵，而在25質量％以上時，剛燒結之後的導電性反射膜的導電性及反射率降低，並且耐候性試驗後的導電性反射膜，與耐候性試驗前的導電性反射膜相比，導電性及反射率均降低的緣故。另外，導電性反射膜用組合物，含有從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油選出的1種或2種以上的添加物。由於作為添加物包含在組合物中的金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物或矽油，與第2透明導電膜的化學性結合或者錨固效果增大、或者使燒結工序中的金屬納米粒子與第2透明導電膜之間的潤溼性得以改善，從而能夠在不損害導電性的情況下，提高與第2透明導電膜的密合性。使用不含上述金屬氧化物等的組合物形成導電性反射膜的話，形成的導電性反射膜的表面粗糙度雖然變大，但是由於對於導電性反射膜表面的凹凸形狀，存在使光電轉換效率最佳的條件，因此僅僅是表面粗糙度大的話，不能形成光電轉換效率優異的導電性反射膜表面。而像本發明實施方式5的組合物那樣，通過調整金屬氧化物等的種類、濃度等，能夠形成具有最佳化表面粗糙度的表面。添加物的含量為構成金屬納米粒子的銀納米粒子的質量的0.1_20%，優選為0.2-10%。添加物的含量不到0.的話，有可能出現平均直徑大的氣孔，或者氣孔的密度變高。添加物的含量超過20%的話，會對形成的導電性反射膜的導電性造成不良影響，導致出現體積電阻率超出2Χ10_5Ω·cm的不良情況。作為添加物使用的有機高分子，使用從聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone；以下稱之為PVP)、PVP的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上。具體來說，作為PVP的共聚物，可舉出PVP-甲基丙烯酸酯共聚物、PVP-苯乙烯共聚物、PVP-乙酸乙烯共聚物等。另外，作為水溶性纖維素，可舉出羥丙基甲基纖維素、甲基纖維素、羥乙基甲基纖維素等纖維素醚。作為添加物使用的金屬氧化物，可以舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氧化物或者複合氧化物。複合氧化物具體為ΙΤ0、ΑΤΟ、IZO等。作為添加物使用的金屬氫氧化物，可舉出包含從鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦及銻中選出的至少1種的氫氧化物。作為添加物使用的有機金屬化合物，可以舉出從矽、鈦、鋁、銻、銦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬或錫中選出的至少1種的金屬皂、金屬配位化合物或者金屬醇鹽。例如，金屬皂可舉出乙酸鉻、甲酸錳、檸檬酸鐵、甲酸鈷、乙酸鎳、檸檬酸銀、乙酸銅、檸檬酸銅、乙酸錫、乙酸鋅、草酸鋅、乙酸鉬等。另外，作為金屬配位化合物，可以舉出乙醯丙酮鋅配位化合物、乙醯丙酮鉻配位化合物、乙醯丙酮鎳配位化合物等。另外，作為金屬醇鹽，可以舉出異丙醇鈦、矽酸甲基酯、彳y7少卜丙基三甲氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷等。作為添加物使用的矽油，可以採用直鏈矽油及改性矽油兩者。改性矽油，可以使用還在聚矽氧烷的側鏈的一部分導入有機基團的物質(側鏈型)、在聚矽氧烷的兩末端導入有機基團的物質(兩末端型)、在聚矽氧烷的兩末端中的任一個中導入有機基團的物質(單末端型)、以及在聚矽氧烷的側鏈的一部分和兩末端導入有機基團的物質(側鏈兩末端型)。改性矽油有反應性矽油和非反應性矽油，但是這兩種均可以作為本發明實施方式5的添加物使用。此外，所謂反應性矽油，顯示出氨基改性、環氧基改性、羧基改性、甲醇改性、巰基改性、以及異種官能基改性(環氧基、氨基、聚醚基)，所謂非反應性矽油，顯示出聚醚改性、甲基苯乙烯基改性、烷基改性、高級脂肪酸酯改性、氟改性、以及親水特殊改性。構成導電性反射膜用組合物的分散介質，優選包含醇類、或者含醇類水溶液。作為分散介質使用的醇類，可以舉出從甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、異冰片己醇及赤蘚醇選出的1種或2種以上。含醇類水溶液，相對於全部分散介質100質量％，含有1質量％以上、優選為2質量％以上的水、以及2質量％以上、優選為3質量％以上的醇類為宜。例如，當分散介質僅由水和醇類構成的情況下，含有的水為2質量％時，就含有醇類98質量％，當醇類含有2質量％時，水就含有98質量％。水的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為1質量％以上的範圍，是因為如果不到1質量％的話，通過溼式塗布法塗布導電性反射膜用組合物得到的膜在低溫下難以燒結，並且燒結後的膜的導電性和反射率降低；醇類的含量，之所以限定為相對於全部分散介質100質量％為2質量％以上的範圍，是因為如果不到2質量％的話，和上述一樣，利用溼式塗布法塗布組合物得到的膜在低溫下難以燒結，而且燒結後的電極的導電性和反射率會降低。進一步，分散介質，即對金屬納米粒子表面進行化學改性的保護分子，優選含有羥基(-0H)或羰基(-C=0)中的任一或兩者。在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羥基(-0H)的話，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用，在對銀納米粒子等金屬納米粒子進行化學改性的保護劑中含有羰基(-C=0)的話，和上述一樣，組合物的分散穩定性優異，在塗膜的低溫燒結方面也具有有效的作用。製備所使用的導電性反射膜用組合物的方法如下所述。(a)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時首先，將硝酸銀溶解到去離子水等水中，配製金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水等水中，在得到的濃度為10-40%的檸檬酸鈉水溶液中，在氮氣等惰性氣體的氣流中直接加入粒狀或粉狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在上述惰性氣體氣流中邊攪拌上述還原劑水溶液，邊在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。其中，優選使金屬鹽水溶液的添加量為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過對各溶液的濃度進行調整，使得即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也保持在30-60°C。另外，上述兩水溶液的混合比，調整成作為還原劑加入的亞鐵離子的當量為金屬離子的當量的3倍，也即滿足(金屬鹽水溶液中的金屬離子的摩爾數)X(金屬離子的價數)=3X(還原劑水溶液中的亞鐵離子)這一關係式。在金屬鹽水溶液的滴加結束後，進一步持續攪拌混合液10-300分鐘，配製包含金屬膠體的分散液。將該分散液在室溫下放置，利用傾析或離心分離法等將沉降的金屬納米離子的凝集物分離之後，在該分離物中加入去離子水等水製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而連續利用醇類進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為2.5-50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力分離粗粒子，由此使銀納米粒子按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子70%以上，即按照數均計，使一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為70%以上。這樣，獲得化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。接著，對得到的分散體進行調整，使最終的金屬含量(銀含量)相對於分散體100質量％為2.5-95質量％。另外，分散介質為含醇類水溶液時，優選將溶劑的水及醇類分別調整為以上及2%以上。此外，如果在組合物中進一步含有添加物的話，通過在分散體中按照期望的比例添加從有機高分子、金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機金屬化合物以及矽油中選出的一種或者2種以上的添加物而進行。對添加物的含量進行調整，使其相對於得到的組合物100質量％在0.1-20質量％的範圍內。由此，得到銀納米粒子分散於分散介質而成的組合物，其中該銀納米粒子被碳骨架的碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。(b)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為蘋果酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為2的分散體。(c)化學改性銀納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1時除了將配製還原劑水溶液時所用的檸檬酸鈉替換為乙醇酸鈉之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1的分散體。(d)化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3時作為構成銀納米粒子以外的金屬納米粒子的金屬，可以舉出金、白金、鈀、釕、鎳、銅、錫、銦、鋅、鐵、鉻以及錳。除了將配製金屬鹽水溶液時所使用的硝酸銀替換為氯金酸、氯鉬酸、硝酸鈀、三氯化釕、氯化鎳、硝酸亞銅、二氯化錫、硝酸銦、氯化鋅、硫酸鐵、硫酸鉻或硫酸錳之外，與上述(a)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為3的分散體。另外，化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2時，除了將配製金屬鹽水溶液時所用的硝酸銀替換為上述種類的金屬鹽外，與上述(b)或者上述(c)同樣操作，製備分散體。由此，得到化學改性銀納米粒子以外金屬納米粒子的保護劑的有機分子主鏈的碳骨架之碳原子數為1或2的分散體。作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外的金屬納米粒子的情況下，例如，將用上述(a)的方法製造的含有銀納米粒子的分散體作為第1分散體，將用上述(d)的方法製造的含有銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散體作為第2分散體的話，混和75質量％以上的第1分散體與不到25質量％的第2分散體，使第1分散體和第2分散體的合計含量為100質量％。此外，第1分散體不僅限於用上述(a)的方法製造的含有銀納米粒子的分散體，用上述(b)的方法製造的含有銀納米粒子的分散體或者用上述(c)方法製造的含有銀納米粒子的分散體也可以使用。接著，對本發明實施方式5的複合膜的製造方法進行說明。在本發明實施方式5的製造方法中，如圖8所示，首先，在通過第1透明導電膜512疊層於基材511上的超直型太陽能電池的光電轉換層513上，利用溼式塗布法，塗布導電性氧化物微粒分散於分散介質中進行調整而成的上述分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜524a。這裡所說的塗布，是使燒結後的厚度為0.01-0.5μm、優選為0.05-0.1μm的厚度。在溫度20-120°C、優選25-60°C下，乾燥該塗膜524a1-30分鐘，優選2_10分鐘。接著，通過溼式塗布法，在導電性氧化物微粒的塗膜524a上使上述粘合劑分散液524b浸漬。此時，使粘合劑分散液524b完全浸漬到導電性氧化物微粒的塗膜524a的規定深度，以使燒結後形成的第2透明導電膜中，不含粘合劑成分的第2層露出第1層體積的1-30%。另外，這裡所說的塗布，優選塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量，相對於塗布後的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的微粒總質量，為0.05-0.5的質量比(塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量/導電性氧化物微粒的質量)。如果不到下限值的話，那麼難以得到充分的密合性，而超過上限值的話，表面電阻容易增大。包含浸漬了粘合劑分散液524b的導電性氧化物微粒的塗膜524a的透明導電塗膜524，在溫度20_120°C、優選25-60°C下，乾燥1-30分鐘，優選乾燥2-10分鐘。接著，利用溼式塗布法在透明導電塗膜524上塗布上述導電性反射膜用組合物。這裡所說的塗布，是使燒結後的厚度為0.05-2.0μm、優選為0.1-1.5μm的厚度。接著，在溫度20-120°C、優選25-60°C下，乾燥塗膜1_30分鐘，優選2_10分鐘。這樣形成導電性反射塗膜525。溼式塗布法，尤其優選噴塗法、點膠機(dispenser)塗布法、旋塗法、刮刀塗布法、狹縫塗布法、噴墨塗布法、網版印刷法、膠版印刷法或鑄模(die)塗布法中的任一種。但是，並不限於這些塗布法，可以使用任何方法。噴塗法是通過壓縮空氣將分散體霧狀化然後塗布到基材上、或者對分散體本身加壓使其霧狀化然後塗布到基材上的方法；點膠機(dispenser)塗布法是例如將分散體裝入到注射器中，通過推動該注射器的活塞從注射器前端的微細噴嘴中排出分散體從而塗布在基材上的方法；旋塗法是在旋轉的基材上滴下分散體，通過其離心力將該滴下的分散體擴散到基材周緣的方法；刮刀塗布法是可水平方向移動地設置與刮刀前端隔開規定縫隙的基材，向比該刮刀上遊側的基材上供給分散體，使基材向著下遊側水平移動的方法；狹縫塗布法是使分散體由狹窄的狹縫流出從而在基材上塗布的方法；噴墨塗布法是在市售的噴墨印表機的墨盒中填充分散體，在基材上進行噴墨式列印的方法。網版印刷法是使用紗線作為圖案指示材料，通過在其上製成的原版圖像，將分散體轉移到基材上的方法；膠版印刷法是使附於膠版的分散體不直接附著到基材上，而是從膠版一次性轉印到橡膠片材上，再從橡膠片材轉移到基材上，利用墨水的疏水性的印刷方法；鑄模(die)塗布法是利用歧管將供給到鑄模內的分散體進行分配，從狹縫推壓到薄膜上，然後塗布到移動的基材表面上的方法。鑄模(die)塗布法有條縫塗布方式、滑動塗布方式、幕簾塗布方式。最後，在大氣中或者氮氣或氬氣等惰性氣體環境中，將具有塗膜526的基材511在130-400°C、優選150-350°C的溫度下，保持5_60分鐘，優選保持15-40分鐘從而進行燒結。其中，之所以塗布導電性氧化物微粒的分散液使燒結後的第2透明導電膜的厚度為0.01-0.5μm，是因為如果不到0.01μm的話，太陽能電池單元的短幅電流降低，而超過0.5μπι的話，填充因子會顯著減小。另外，之所以塗布導電性反射膜用組合物使燒結後的導電性反射塗膜的厚度為0.05-2.0μm,是因為如果不到0.05μm的話，表面電阻值變得過高，難以充分得到作為太陽能電池的電極所必需的導電性，而超過2.Ομπι的話，雖然沒有特性上的不良情況，但是材料使用量比原本需要的要多，造成材料的浪費。之所以將燒結溫度限定為130-400°C，是因為不到130°C的話，會出現複合膜中的第2透明導電膜的表面電阻值變得過高這一不良現象。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時由於保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。此外，超過400°C的話，就不能利用低溫方法這一生產上的長處，即會導致製造成本增大生產性降低。此外，尤其是非晶矽、微晶矽、或者使用它們的混合型矽太陽能電池對熱較弱，由於燒結工序，會導致轉換效率降低。之所以將具有塗膜的基材的燒結時間限定為5-60分鐘，是因為如果燒結時間不到下限值的話，會出現複合膜的第2透明導電膜的表面電阻值變得過高的不良情況。另外還由於在導電性反射膜中，金屬納米粒子之間的燒結變得不充分，與此同時由於保護劑難以被燒結時的熱消除或者分解(分離、燃燒)，因此燒結後的導電性反射膜內殘留很多有機殘渣，該殘渣變質或者劣化，導致導電性反射膜的導電性及反射率減低。燒結時間超過上限值的話，對特性雖然沒有影響，但是會導致製造成本比原本需要的增大，生產性降低。進而，會導致太陽能電池單元的轉換效率降低這一不良情況。根據以上，能夠形成本發明實施方式5的複合膜。這樣，本發明實施方式5的製造方法，由於使用溼式塗布法，因而能夠儘可能排除真空蒸鍍法或濺射法等真空方法，能夠更為廉價地製造複合膜。此外，在實施方式1-實施方式5中，對第1透明導電膜沒有特殊限定，可舉出採用與第2透明導電膜同樣的形成方法形成的膜，或利用濺射法等真空成膜法形成的膜。實施例接著，對本發明的實施例和比較例進行詳細說明。卜一力一)分散6小時，得到透明導電膜用組合物。在分類A2中，如下述表1所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的ITO粉末7.5質量％、作為分散介質，將異丙醇、乙醇及N，N-二甲基甲醯胺的混合液(質量比421)作為第1混合液，該第1混合液92.3質量％、作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑2，4-戊二酮0.038質量％、作為偶合劑使用的上述式(4)所示的鈦偶合劑0.162質量％的比例，通過與分類Al同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類A3中，如下述表1所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的ATO粉末5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液50.99質量％、作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑2-正丙氧基乙醇44質量％、作為偶合劑使用的上述式(4)所示的鈦偶合劑0.01質量％的比例，通過與分類Al同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類A4中，如下述表1所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的AZO粉末5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液74.64質量％、作為粘合劑使用的2，2-二甲基-3，5-己二酮與乙酸異丙酯的混合液(質量比11)20質量％、作為偶合劑使用的上述式(3)所示的鈦偶合劑0.36質量％的比例，通過與分類Al同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類A5中，如下述表1所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μπι的TZO粉末5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液93.95質量％、作為粘合劑使用的2-異丁氧基乙醇、2-己基氧基乙醇以及乙酸正丙酯的混合液(質量比4:1:1)0.8質量％、作為偶合劑使用的上述式(5)所示的鈦偶合劑0.25質量％的比例，通過與分類Al同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類Α6中，首先將平均粒徑為0.010μm的ATO粉末懸浮於水中，將pH調整為7，用球磨機處理30分鐘。在懸浮液中添加作為水溶性纖維素衍生物的羥丙基纖維素，使之相對於ATO粉末按質量比計為0.01%的量，得到導電性水分酸液。將這樣得到的導電性水分酸液調整成固形成分濃度為18.5%的濃度，將該分散液IOOg與13.2質量％的明膠水溶液IOOg在40V下混合，得到水系的透明導電膜用組合物。在分類A7中，如下述表1所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末5.3質量％、作為分散介質，將乙醇和丁醇的混合液(質量比982)作為第2混合液，該第2混合液85質量％、作為粘合劑使用的SiO2粘合劑1.7質量％、作為偶合劑使用的上述式(3)所示的鈦偶合劑8.0質量％的比例進行混合，由此得到透明導電膜用組合物。此外，作為粘合劑使用的SiO2粘合劑，是使用500ml的玻璃制四頸燒瓶，力口入四乙氧基矽烷140g、乙醇240g，邊攪拌邊將1.Og的12N-HC1溶解到25g的純水中，一次加入，然後在80°C下反應6小時，從而製備得到。在分類A8中，如下述表1所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的ITO粉末8.0質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液88質量％、作為粘合劑使用的SiO2粘合劑2.0質量％、作為偶合劑使用的上述式(2)所示的鈦偶合劑2.0質量％的比例混合，由此得到透明導電膜用組合物。此外，作為粘合劑使用的SiO2粘合劑，按照與分類A7同樣的方法製備。接著，按照如下順序，製備本發明實施方式1的複合膜中的導電性反射膜用組合物。首先，將硝酸銀溶解到去離子水中，配製金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水中，得到濃度為26質量％的檸檬酸鈉水溶液。在該檸檬酸鈉水溶液中，在保持為35°C的氮氣氣流中直接加入粒狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，將上述氮氣氣流保持在35°C的狀態下，將磁力攪拌器的攪拌子放入還原劑水溶液中，以IOOrpm的旋轉速度使攪拌子旋轉，從而攪拌上述還原劑水溶液，同時在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。這裡，金屬鹽水溶液向還原劑水溶液中的添加量，是成為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過調整各溶液的濃度，使得即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也被保持在40°C。另外，上述還原劑水溶液與金屬鹽水溶液的混合比，是還原劑水溶液的檸檬酸離子與亞鐵離子相對於金屬鹽水溶液中的金屬離子的總原子價數的摩爾比，均為3倍摩爾。向還原劑水溶液滴加金屬鹽水溶液結束後，再持續攪拌混合液15分鐘，由此在混合液內部產生金屬粒子，得到金屬粒子分散的金屬粒子分散液。金屬粒子分散液的PH為5.5，分散液中的金屬粒子的化學理論生成量為5g/升。得到的分散液通過在室溫下放置，使分散液中的金屬粒子沉降，通過傾析，將沉降的金屬粒子的凝集物分離。在分離得到的金屬凝集物中加入去離子水，製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而利用甲醇進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力，分離出粒徑超過IOOnm的比較大的銀粒子，由此進行調整，使一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子按數均計含有71%，即調整為按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為71%。得到的銀納米粒子被碳骨架是碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。接著，將得到的金屬納米粒子10質量份添加混合到包含水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量份中，使其分散，進而在該分散液中，加入下述表2-表4所示的添加物，使其成為表2-表4所示的比例，由此分別得到導電性反射膜用組合物。另外，構成導電性反射膜用組合物的金屬納米粒子，含有75質量％以上的銀納米粒子。此外，作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外的金屬納米粒子的情況下，將利用上述方法得到的銀納米粒子的分散液作為第1分散液，除了使用用於形成下述表2-表4所示的銀納米粒子以外的金屬納米粒子的種類的金屬鹽代替硝酸銀之外，與上述銀納米粒子的製備方法同樣操作，配製銀納米粒子以外的金屬納米粒子的分散液，將該金屬納米粒子的分散液作為第2分散液，在加入添加物之前，混合第1分散液和第2分散液使其成為下述表2-表4所示比例，由此得到導電性反射膜用組合物。在下述表2-表4所示的基材上，使用各種成膜方法塗布得到的透明導電膜用組合物，使燒結後的厚度為0.7-1.3X102nm，之後在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成透明導電性塗膜，接著，在形成的透明導電塗膜上，使用各種成膜方法塗布得到的導電性反射膜用組合物，使燒結後的厚度為102-2X103nm，之後在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性反射塗膜。接著，在下述表2-表4所示的熱處理條件下燒結，由此在基材上形成複合膜。另外，在表2-表4中，PVP表示Mw為360000的聚乙烯吡咯烷酮，PET表示聚對苯二甲酸乙二醇酯。<比較例Al〉利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為0.7X102nm，然後，在該第2透明導電膜上，使用與實施例Al同樣的導電性反射膜用組合物，按照與實施例Al同樣的方法形成導電性反射膜，由此得到複合膜。利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為2.OX102歷，然後，在該第2透明導電膜上，使用與實施例Al同樣的導電性反射膜用組合物，按照與實施例Al同樣的方法形成導電性反射膜，由此得到複合膜。[表1]透明導電膜用組合物勿美J^f氣化分散介質粘合劑偶合劑其他~IZO異丙醇非聚合物型粘合劑；低電阻化劑__15質量％72.77質量％10質量％___2.23質量％~ΓΓΟ第1混合液非聚合物型粘合劑鐵偶合劑；__7.5質量％92.3質量％0.038質量％0.162質量％_~ATO第1混合液非聚合物型粘合劑鈦偶合劑^「__5質量％50.99質量％44質量％_0.01質量％^AZO第1混合液非聚合物型粘合劑鈦偶合劑5質量％74.64質量％20質量％0.36質量％TZO第1混合液非聚合物型粘合劑鈦偶合劑E__5質量％93.95質量％0.8質量％_0.25質量％__^^"Τ忠物纖維Α69.249質量％84.150質量％6.600質量％^0001%~ATO第2混合液SiO2粘合劑鈦偶合劑^~__5.3質量％85質量％1.7質量％_8.0質量％_~ΓΓΟ第2混合液SiO2粘合劑鈦偶合劑18.0質量°/。丨88質量％丨2.0屠量％_丨2.0質量％_[表2]tableseeoriginaldocumentpage66tableseeoriginaldocumentpage67[表4]tableseeoriginaldocumentpage68〈比較試驗Al〉對實施例A1-A37及比較例A1-A2中得到的複合膜中的第2透明導電膜的反射率及膜厚進行評價。評價結果分別如下述表5及表6所示。首先，使用SEM(日立製作所公司製造的電子顯微鏡S800)，從膜剖面直接測算燒結後的第2透明導電膜及導電性反射膜的厚度。〈比較試驗A2>關於形成了實施例A1-A37及比較例A1-A2得到的導電性反射膜的基材，對基材側的接觸面的氣孔分布、背面反射率以及導電性反射膜的厚度進行評價。評價結果分別如下述表5及表6所示。氣孔的測定方法，根據能否從第2透明導電膜剝離導電性反射膜，使用不同的測定方法。在能夠從基材剝離透明導電膜的例子中，首先，針對密合在第2透明導電膜上的導電性反射膜，在具有平滑面的夾具上塗布粘合材料，將其推壓在導電性反射膜上，進行保持直至接合材料充分乾燥而具有高粘合力之後，使用拉伸試驗機(島津製作所制EZ-TEST)使該夾具相對於基材垂直上抬，從而將導電性反射膜從第2透明導電膜上剝離。接著，對從第2透明導電膜剝離、在夾具上露出的導電性反射膜的基材側接觸面的那一面，使用原子力顯微鏡(AFM)，觀察該面的凹凸像。對觀察到的凹凸像進行分析，評價出現在膜表面的空孔的平均直徑、平均深度以及數密度。此外，平均直徑通過分別測定各開口部的最長徑與最短徑求出平均值而得到。此外，作為從第2透明導電膜剝離導電性反射膜的其他方法，也可以並用在導電性反射膜上粘貼雙面膠，將其一端抬起，從而由第2透明導電膜剝離導電性反射膜的方法。在從第2透明導電膜不能剝離導電性反射膜的例子中，首先，對於密合在第2透明導電膜上的導電性反射膜，使用聚焦離子束(FIB)法進行加工，使試樣剖面露出。通過使用掃描型電子顯微鏡(SEM)對該試樣的剖面進行觀察，觀察金屬膜/基材的界面的形狀。對於該界面圖像，評價開口部的直徑、平均深度以及數密度。這裡，評價的開口部的直徑，通過將剖面圖中的開口部長度視為直徑進行。導電性反射膜的背面反射率的評價，通過紫外可見光分光光度計和積分球的組合，測定波長500nm及IlOOnm的導電性反射膜的擴散反射率而進行。導電性反射膜的膜厚，通過利用掃描型電子顯微鏡(SEM)的剖面觀察進行測定。<比較試驗A3〉對實施例A1-A37及比較例A1-A2中得到的複合膜對基材的密合性進行評價。評價結果如下述表5及表6所示。利用將膠帶從形成了複合膜的基材上剝離的試驗，進行定性評價，「良好」表示僅膠帶從基材剝落的情況，「中等」表示膠帶的剝落與基材表面露出的狀態同時存在的情況，「不良」表示由於膠帶的剝離基材的整個表面都露出的情況。[表5]tableseeoriginaldocumentpage70[表6]tableseeoriginaldocumentpage71由表5及表6可知，在利用作為真空蒸鍍法的濺射法形成第2透明導電膜的比較例Al、Α2中，比較例Α2與實施例Α1-Α37相比，密合性為不好的結果。在比較例Al中，500nm的反射率低至70%，IlOOnm的反射率也呈變低的傾向。另外在比較例A2中，確認IlOOnm的反射率雖然高達90%，但是500nm的反射率低至75%，根據波長不同，反射率出現參差不齊的結果。而在實施例A1-A37中，可以得到500nm及IlOOnm兩個波長的反射率均高達80%以上的反射率。卜*-一力一)分散6小時，由此得到導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2-正丁氧基乙醇與3-異丙基-2，4-戊二酮的混合液10質量％、作為分散介質使用的異丙醇88.2質量％、作為低電阻劑使用的硝酸銦與乙酸鉛的混合物(質量比11)1.8質量％的比例進行混合，在室溫下以旋轉速度200rpm攪拌1小時，由此配製粘合劑分散液。在分類B2中，如下述表7所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ITO粉末7.5質量％、作為偶合劑使用的上述式(9)所示的鈦偶合劑0.2質量％、作為分散介質，將異丙醇、乙醇及N，N-二甲基甲醯胺的混合液(質量比421)作為第1混合液，該第1混合液92.3質量％的比例，通過與分類Bl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑2，4-戊二酮10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類Bl同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類Β3中，如下述表7所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末10質量％、作為偶合劑使用的上述式(9)所示的鈦偶合劑0.02質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液89.98質量％的比例，利用與分類Bl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑2_正丙氧基乙醇10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類Bl同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類Β4中，如下述表7所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的AZO粉末10質量％、作為偶合劑使用的上述式(8)所示的鈦偶合劑1質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液89質量％的比例，利用與分類Bl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的2，2-二甲基-3，5-己二酮與乙酸異丙酯的混合液(質量比11)10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類B1同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類Β5中，如下述表7所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的TZO粉末5質量％、作為偶合劑使用的上述式(10)表示的鈦偶合劑0.5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液94.5質量％的比例，利用與分類Bl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的2-異丁氧基乙醇、2-己基氧基乙醇以及乙酸正丙酯的混合液(質量比411)10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類Bl同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類B6中，首先將平均粒徑0.010μm的ATO粉末懸濁於水中，將pH調整為7，用球磨機處理30分鐘。在該處理液中，混和上述第1混合液作為分散介質，將其調整為固形成分濃度為18.5%，得到導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的明膠5質量％、作為水溶性纖維素衍生物使用的羥丙基纖維素1質量％、作為分散介質使用的水94質量％的比例進行混合，在30°C的溫度下，以200rpm的旋轉速度攪拌1小時，由此配製粘合劑分散液。在分類B7中，如下述表7所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末6質量％、作為分散介質，將乙醇和丁醇的混合液(質量比982)作為第2混合液，該第2混合液85質量％、作為偶合劑使用的上述式(8)所示的鈦偶合劑9.0質量％的比例，利用與分類Bl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的SiO2粘合劑10質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例進行混合，由此配製粘合劑分散液。此外，作為粘合劑使用的3102粘合劑，是使用500ml的玻璃制四頸燒瓶，加入四乙氧基矽烷140g、乙醇240g，邊攪拌邊將1.Og的12N-HC1溶解到25g的純水中，一次加入，之後在80°C下反應6小時，從而製備得到。在分類B8中，如下述表7所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的ITO粉末8質量％、作為偶合劑使用的上述式(7)所示的鈦偶合劑2.0質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例，利用與分類B1同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。此外，按照作為粘合劑使用的SiO2粘合劑10質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例進行混合，配製粘合劑分散液。接著，按照如下順序，製備導電性反射膜用組合物。首先，將硝酸銀溶解到去離子水中，配製金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水中，得到濃度為26質量％的檸檬酸鈉水溶液。在該檸檬酸鈉水溶液中，在保持為35°C的氮氣氣流中直接加入粒狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在將上述氮氣氣流保持在35°C的狀態下，將磁力攪拌器的攪拌子放入還原劑水溶液中，以IOOrpm的旋轉速度使攪拌子旋轉，從而攪拌上述還原劑水溶液，同時在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。這裡，金屬鹽水溶液向還原劑水溶液中的添加量，是成為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過調整各溶液的濃度，使得即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也被保持在40°C。另外，上述還原劑水溶液與金屬鹽水溶液的混合比，是還原劑水溶液的檸檬酸離子與亞鐵離子相對於金屬鹽水溶液中的金屬離子的總原子價數的摩爾比，均為3倍摩爾。向還原劑水溶液滴加金屬鹽水溶液結束後，再持續攪拌混合液15分鐘，由此在混合液內部產生金屬粒子，得到金屬粒子分散的金屬粒子分散液。金屬粒子分散液的PH為5.5，分散液中的金屬粒子的化學理論生成量為5g/升。得到的分散液通過在室溫下放置，使分散液中的金屬粒子沉降，通過傾析，將沉降的金屬粒子的凝集物分離。在分離出的金屬凝集物中加入去離子水，製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而利用甲醇進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力，分離出粒徑超過IOOnm的比較大的銀粒子，由此調整為一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子按數均計含有71%，即按照數均計，調整為一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為71%。得到的銀納米粒子被碳骨架是碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。接著，將得到的金屬納米粒子10質量份添加混合到包含水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量份中使其分散，進而在該分散液中，加入下述表8-表10所示的添加物，使其成為表8-表10所示的比例，由此分別得到導電性反射膜用組合物。另外，構成導電性反射膜用組合物的金屬納米粒子，含有75質量％以上的銀納米粒子。此外，作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外的金屬納米粒子的情況下，將利用上述方法得到的銀納米粒子的分散液作為第1分散液，除了使用用於形成下述表8-表10所示的銀納米粒子以外金屬納米粒子的種類的金屬鹽代替硝酸銀之外，與上述銀納米粒子的製造方法同樣操作，配製銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散液，將該金屬納米粒子的分散液作為第2分散液，在加入添加物之前，混合第1分散液和第2分散液使其成為下述表8-表10所示比例，由此得到導電性反射膜用組合物。最後，使用上述配製的導電性氧化物微粒的分散液、粘合劑分散液及導電性反射膜用組合物，形成複合膜。具體而言，首先，在下述表8-表10所示的基材上，使用各種成膜方法塗布上述配製的導電性氧化物微粒的分散液，使燒結後的厚度為0.01-0.5μm，之後在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性氧化物微粒的塗膜。接著，在該導電性氧化物微粒的塗膜上，按照燒結後導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的方式，利用各種成膜方法，使上述配製的粘合劑分散液浸漬，用粘合劑分散液的塗膜被覆導電性氧化物微粒的塗膜的整個表面，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成透明導電塗膜。塗布粘合劑分散液，使粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量，相對於塗布後的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的微粒的總質量，為下述表8-表10所示的質量比(塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量/導電性氧化物微粒的質量)。接著，在該透明導電塗膜上，利用各種成膜方法塗布上述配製的導電性反射膜用組合物，使其燒結後的厚度為0.05-2.0μm,之後在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性反射塗膜。接著，在下述表8-表10所示的熱處理條件下燒結，由此在基材上形成複合膜。另外，在表8-表10中，PVP表示Mw為360000的聚乙烯吡咯烷酮，PET表示聚對苯二甲酸乙二醇酯。利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為0.7X102nm，然後，在該第2透明導電膜上，使用與實施例Bl同樣的導電性反射膜用組合物，按照與實施例B1同樣的方法形成導電性反射膜，由此得到複合膜。利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為2.OX102歷，然後，在該第2透明導電膜上，使用與實施例Bl同樣的導電性反射膜用組合物，按照與實施例B1同樣的方法形成導電性反射膜，由此得到複合膜。[表7]tableseeoriginaldocumentpage75[表8]tableseeoriginaldocumentpage76I分散液ι導電性反射膜用組合物ι成腹方法ι熱處理^W*Γ透明ι導電分類比金屬納米粒子添加物導電性反*^f-^環境__[%2___膜I射膜_Ij…_實施例95Ag95質量％PYP4質量％旋塗法玻璃20"「大氣B16____Cr2O31質量％_____實施例B2巧~Ag95質量％PVP4質量％旋塗法玻璃15020大氣B17____MnO21質量°/。______實施例Ag95質量％PVP4質量％15020大氣B18B265Fe2030.5質量％構農■______Cr3O40.5質量％______=例B285Ag95質量％PVP4質量％旋塗法玻璃15020大氣Ag2Ol質量％，=例B3105Ag95質量％PVP4質量。/。旋塗法玻璃15020ArCu(OH)2I質量％=例B375Ag95質量％PVP4質量％旋塗法PET15020大氣ZnOl質量％=例B380Ag95質量％PVP4質量％旋塗法PET15020大気MoO21質量％奢例B375八@95質量％PVP4質量％旋塗法PET15020大氣SηO2I質量％=例B365Ag95質量％\0>4質量％旋塗法PET15020大気『ITOl質量％=例B355Ag95質量％卩\^4質量％旋塗法PET15020大氣ATOl質量％例B365Ag95質量％PVP4質量％..PET15020大氣B26矽酸甲基酯1質極塗、擊量％=例B755Ag95質量％PVP4質量％旋塗法PET15020大氣異丙醇鈦1質量%28Β70Μ95質量％PVP4質量％旋塗法ΡΕΤ15020大氣鉻酸按1質量％tableseeoriginaldocumentpage78[表10]tableseeoriginaldocumentpage78對實施例B1-B37及比較例B1-B2中得到的複合膜中的第2透明導電膜的膜厚進行評價。評價結果分別如下述表11及表12所示。具體而言，使用SEM(日立製作所公司製造的電子顯微鏡S800)，從膜剖面直接測算燒結後的第2透明導電膜的厚度。〈比較試驗B2>關於形成了實施例B1-B37及比較例B1-B2中得到的導電性反射膜的基材，對基材側的接觸面的氣孔分布、背面反射率以及導電性反射膜的厚度進行評價。評價結果分別如下述表11及表12所示。氣孔的測定方法，根據能否從第2透明導電膜上剝離導電性反射膜，使用不同的測定方法。在能夠從第2透明導電膜上剝離導電性反射膜的例子中，首先，對密合在第2透明導電膜上的導電性反射膜，在具有平滑面的夾具上塗布粘合材料，將其推壓在導電性反射膜上，進行保持直至接合材料充分乾燥具有高粘合力，之後使用拉伸試驗機(島津製作所制EZ-TEST)，使該夾具相對於第2透明導電膜垂直上抬，從而將導電性反射膜從第2透明導電膜上剝離。接著，對從第2透明導電膜剝離、在夾具上露出的導電性反射膜的基材側接觸面的面，使用原子力顯微鏡(AFM)，觀察該面的凹凸像。對觀察到的凹凸像進行分析，評價出現在膜表面的空孔的平均直徑、平均深度以及數密度。此外，平均直徑是通過分別測定各開口部的最長徑與最短徑求出平均值而得到的。此外，作為從第2透明導電膜剝離導電性反射膜的其他方法，也可以並用在導電性反射膜上粘貼雙面膠，將其一端抬起，從第2透明導電膜剝離導電性反射膜的方法。在從第2透明導電膜不能剝離導電性反射膜的例子中，首先，對密合在第2透明導電膜上的導電性反射膜，使用聚焦離子束(FIB)法進行加工，使試樣剖面露出。通過使用掃描型電子顯微鏡(SEM)對該試樣的剖面進行觀察，觀察導電性反射膜和第2透明導電膜的界面的形狀。對於該界面圖像，評價開口部的直徑、平均深度以及數密度。這裡，評價的開口部的直徑，是將剖面圖中的開口部長度視為直徑而進行的。導電性反射膜的背面反射率的評價，通過紫外可見光分光光度計和積分球的組合，測定波長500nm及IlOOnm的導電性反射膜的擴散反射率而進行。導電性反射膜的膜厚，通過利用掃描型電子顯微鏡(SEM)的剖面觀察進行測定。〈比較試驗B3>對實施例B1-B37及比較例B1-B2中得到的複合膜對基材的密合性進行評價。評價結果如下述表11及表12所示。利用將膠帶從形成了複合膜的基材上剝離的試驗，進行定性評價，「良好」表示僅膠帶從基材剝落的情況，「中等」表示膠帶的剝落與基材表面露出的狀態同時存在的情況，「不良」表示由於膠帶的剝離基材的整個表面都露出的情況。[表11]tableseeoriginaldocumentpage80[表12]tableseeoriginaldocumentpage81由表11及表12可知，在利用作為真空蒸鍍法的濺射法形成了第2透明導電膜的比較例Β1、Β2中，比較例Β2與實施例Β1-Β37相比，密合性為不好的結果。在比較例Bl中，500nm的反射率低至70%，IlOOnm的反射率也呈變低的傾向。另外在比較例B2中，確認IlOOnm的反射率雖然高達90%，但是500nm的反射率低至75%，由于波長不同，反射率出現了參差不齊的結果。而在實施例B1-B37中，可以得到500nm及IlOOnm兩個波長的反射率均高達80%以上的反射率。按照下述表13所示的分類C1-C8的成分及含有比例，配製透明導電膜用組合物。在各實施例中使用的透明導電膜用組合物在表13中的分類編號，如表14、15所示。在分類Cl中，如下述表13所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μπι的IZO粉末15質量％、作為分散介質使用的異丙醇72.77質量％、作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2-正丁氧基乙醇與3-異丙基-2，4-戊二酮的混合液10質量％、作為低電阻劑使用的硝酸銦和乙酸鉛的混合物(質量比11)2.23質量％的比例，準備總量為60g，裝入IOOcc的玻璃瓶中，使用直徑為0.3mm的氧化鋯珠(S々π〃4力，昭和殼牌石油公司製造)100g，利用塗漆振動機(《4>卜*-一力一)分散6小時，由此得到透明導電膜用組合物。在分類C2中，如下述表13所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的ITO粉末7.5質量％、作為分散介質，將異丙醇、乙醇以及N，N-二甲基甲醯胺的混合液(質量比421)作為第1混合液，該第1混合液92.3質量％、作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑2，4-戊二酮0.038質量％、作為偶合劑使用的上述式(14)所示的鈦偶合劑0.162質量％的比例，利用與分類Cl同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類C3中，如下述表13所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的ATO粉末5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液50.99質量％、作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑2-正丙氧基乙醇44質量％、作為偶合劑使用的上述式(14)所示的鈦偶合劑0.01質量％的比例，利用與分類Cl同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類C4中，如下述表13所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的AZO粉末5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液74.64質量％、作為粘合劑使用的2，2_二甲基-3，5-己二酮與乙酸異丙酯的混合物(質量比11)20質量％、作為偶合劑使用的上述式(13)所述的鈦偶合劑0.36質量％的比例，利用與分類Cl同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類C5中，如下述表13所示，將作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的TZO粉末5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液93.95質量％、作為粘合劑使用的2-異丁氧基乙醇、2-己基氧基乙醇以及乙酸正丙酯的混合液(質量比4:1:1)0.8質量％、作為偶合劑使用的上述式(15)所示的鈦偶合劑0.25質量％的比例，利用與分類Cl同樣的方法，得到透明導電膜用組合物。在分類C6中，首先將平均粒徑0.010μm的ATO粉末懸濁於水，將pH調整為7，用球磨機處理30分鐘。在懸浮液中添加作為水溶性纖維素衍生物的羥丙基纖維素，使之相對於ATO粉末按照質量比計為0.01%的量，得到導電性水分酸液。將這樣得到的導電性水分酸液調整為固形成分濃度18.5%的濃度，將該分散液IOOg與13.2質量％的明膠水溶液IOOg在40°C下混合，得到水系的透明導電膜用組合物。在分類C7中，如下述表13所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末5.3質量％、作為分散介質，將乙醇和丁醇的混合液(質量比982)作為第2混合液，該第2混合液85質量％、作為粘合劑使用的SiO2粘合劑1.7質量％、作為偶合劑使用的上述式(13)所示的鈦偶合劑8.0質量％的比例進行混合，由此得到透明導電膜用組合物。此外，作為粘合劑使用的SiO2粘合劑，是使用500ml的玻璃制四頸燒瓶，加入四乙氧基矽烷140g、乙醇240g，邊攪拌邊將1.Og的12N-HC1溶解到25g的純水中，一次加入，之後在80°C下反應6小時，從而製備得到。在分類C8中，如下述表13所示，按照作為導電性氧化物粉末使用的平均粒徑0.025μm的ITO粉末8.0質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液88質量％、作為粘合劑使用的SiO2粘合劑2.0質量％、作為偶合劑使用的上述式(12)所示的鈦偶合劑2.0質量％的比例進行混合，由此得到透明導電膜用組合物。此外，作為粘合劑使用的SiO2粘合劑，按照與分類C7同樣的方法製備。接著，按照如下順序，製備導電性反射膜用組合物。首先，將硝酸銀溶解到去離子水中，配製金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水中，得到濃度為26%的檸檬酸鈉水溶液。在該檸檬酸鈉水溶液中，在保持為35°C的氮氣氣流中直接加入粒狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在將上述氮氣氣流保持在35°C的狀態下，將磁力攪拌器的攪拌子放入還原劑水溶液中，以IOOrpm的旋轉速度使攪拌子旋轉，從而攪拌上述還原劑水溶液，同時在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。這裡，金屬鹽水溶液向還原劑水溶液中的添加量，是成為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過調整各溶液的濃度，使得即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也被保持在40°C。另外，上述還原劑水溶液與金屬鹽水溶液的混合比，是使得還原劑水溶液的檸檬酸離子與亞鐵離子相對於金屬鹽水溶液中的金屬離子的總原子價數的摩爾比，均為3倍摩爾。向還原劑水溶液滴加金屬鹽水溶液結束後，再持續攪拌混合液15分鐘，由此在混合液內部產生金屬粒子，得到金屬粒子分散的金屬粒子分散液。金屬粒子分散液的PH為5.5，分散液中的金屬粒子的化學理論生成量為5g/升。得到的分散液通過在室溫下放置，使分散液中的金屬粒子沉降，通過傾析，將沉降的金屬粒子的凝集物分離。在分離出的金屬凝集物中加入去離子水，製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而利用甲醇進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力，分離出粒徑超過IOOnm的比較大的銀粒子，由此調整為按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子71%，即調整為按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為71%。得到的銀納米粒子被碳骨架是碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。接著，將得到的金屬納米粒子10質量份添加混合到包含水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量份中使其分散，進而在該分散液中，加入下述表14-表16所示的添加物，使其成為表14-表16所示的比例，由此分別得到導電性反射膜用組合物。另外，構成導電性反射膜用組合物的金屬納米粒子，含有75質量％以上的銀納米粒子。此外，作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外的金屬納米粒子的情況下，將利用上述方法得到的銀納米粒子的分散液作為第1分散液，除了使用用於形成下述表14-表16所示的銀納米粒子以外金屬納米粒子的種類的金屬鹽代替硝酸銀之外，與上述銀納米粒子的製備方法同樣操作，配製銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散液，將該金屬納米粒子的分散液作為第2分散液，在加入添加物之前，混合第1分散液和第2分散液使其成為下述表14-表16所示的比例，由此得到導電性反射膜用組合物。最後，使用上述配製的透明導電膜用組合物及導電性反射膜用組合物，形成複合膜。具體地說，首先，在下述表14-表16所示的基材上，使用各種成膜方法塗布上述配製的導電性反射膜用組合物，使其燒結後的厚度為102-2X103nm，然後，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性反射塗膜。接著，在下述表14-表16所示的熱處理條件下燒結具有該塗膜的基材，形成導電性反射膜。接著，在該導電性反射膜上，使用各種成膜方法塗布上述配製的透明導電膜用組合物，使其燒結後的厚度為0.7-1.3X102nm，然後，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成透明導電塗膜。接著，在下述表14-表16所示的熱處理條件下燒結具有該塗膜的基材，形成第2透明導電膜。通過上述工序，在基材上形成複合膜。另外，在表14-表16中，PVP表示Mw為360000的聚乙烯吡咯烷酮，PET表示聚對苯二甲酸乙二醇酯。<比較例Cl〉除了利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為0.7X102nm之外，與實施例Cl同樣操作，形成複合膜。除了利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為2.OXlO2nm之外，與實施例Cl同樣操作，形成複合膜。[表13]tableseeoriginaldocumentpage85tableseeoriginaldocumentpage86[表15]tableseeoriginaldocumentpage87[表16]tableseeoriginaldocumentpage88<比較試驗Cl〉對實施例C1-C37及比較例C1-C2中得到的複合膜中的第2透明導電膜的膜厚進行評價。評價結果分別如下述表17及表18所示。具體地說，使用SEM(日立製作所公司製造的電子顯微鏡S800)，從膜剖面直接測算燒結後的第2透明導電膜及導電性反射膜的厚度。關於形成了實施例C1-C37及比較例C1-C2中得到的複合膜的基材，對第2透明導電膜側的接觸面的氣孔分布、反射率以及導電性反射膜的厚度進行評價。評價結果分別如下述表17及表18所示。氣孔的測定方法，是在基材上塗布導電性反射膜用組合物，進行燒結形成導電性反射膜後，在塗布透明導電膜用組合物之前，使用原子力顯微鏡(AFM)，觀察導電性反射膜的形成第2透明導電膜一側的面的凹凸像。對觀察到的凹凸像進行分析，評價出現在膜表面的空孔的平均直徑、平均深度以及數密度。此外，平均直徑是通過分別測定各開口部的最長徑與最短徑求出平均值而得到的。導電性反射膜的反射率的評價，通過紫外可見光分光光度計和積分球的組合，測定波長500nm及IlOOnm的導電性反射膜的擴散反射率而進行。其中，關於反射率，在第2透明導電膜成膜後，測定來自表側的反射率。導電性反射膜的膜厚，通過利用掃描型電子顯微鏡(SEM)的剖面觀察而測定。對實施例C1-C37及比較例C1-C2中得到的複合膜對基材的密合性進行評價。評價結果如下述表17及表18所示。利用將膠帶從形成了複合膜的基材上剝離的試驗，進行定性評價，「良好」表示僅膠帶從基材剝落的情況，「中等」表示膠帶的剝落與基材表面露出的狀態同時存在的情況，「不良」表示由於膠帶的剝離基材的整個表面都露出的情況。[表17]tableseeoriginaldocumentpage90tableseeoriginaldocumentpage91由表17及表18可知，在利用作為真空蒸鍍法的濺射法形成了第2透明導電膜的比較例C1、C2中，比較例C2與實施例C1-C37相比，密合性為不好的結果。在比較例Cl中，500nm的反射率低至75%，IlOOnm的反射率也呈變低的傾向。另外在比較例C2中，確認IlOOnm的反射率雖然高達87%，但是500nm的反射率低至78%，由于波長不同，反射率出現參差不齊的結果。而在實施例C1-C37中，可以得到500nm及IlOOnm兩個波長的反射率均高達80%以上的反射率。卜一力一)分散6小時，由此得到導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2-正丁氧基乙醇與3-異丙基-2，4-戊二酮的混合液10質量％、作為分散介質使用的異丙醇88.2質量％、作為低電阻劑使用的硝酸銦與乙酸鉛的混合物(質量比11)1.8質量％的比例進行混合，在室溫下以旋轉速度200rpm攪拌1小時，由此配製粘合劑分散液。在分類D2中，如下述表19所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ITO粉末7.5質量％、作為偶合劑使用的上述式(19)所示的鈦偶合劑0.2質量％、作為分散介質，將異丙醇、乙醇及N，N-二甲基甲醯胺的混合液(質量比421)作為第1混合液，該第1混合液92.3質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2，4-戊二酮10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類D3中，如下述表19所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末10質量％、作為偶合劑使用的上述式(19)所示的鈦偶合劑0.02質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液89.98質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2_正丙氧基乙醇10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類D4中，如下述表19所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的AZO粉末10質量％、作為偶合劑使用的上述式(18)所示的鈦偶合劑1質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液89質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的2，2-二甲基-3，5-己二酮與乙酸異丙酯的混合液(質量比11)10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類D5中，如下述表19所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的TZO粉末5質量％、作為偶合劑使用的上述式(20)所示的鈦偶合劑0.5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液94.5質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的2-異丁氧基乙醇、2-己基氧基乙醇以及乙酸正丙酯的混合液(質量比411)10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類D6中，首先將平均粒徑0.010μm的ATO粉末懸濁於水，將pH調整為7，用球磨機處理30分鐘。在該處理液中，混合上述第1混合液作為分散介質，調整為固形成分濃度為18.5%的濃度，得到導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的明膠5質量％、作為水溶性纖維素衍生物使用的羥丙基纖維素1質量％、作為分散介質使用的水94質量％的比例混合，在30°C的溫度下，以200rpm的旋轉速度攪拌1小時，由此配製粘合劑分散液。在分類D7中，如下述表19所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末6質量％、作為分散介質，將乙醇和丁醇的混合液(質量比982)作為第2混合液，該第2混合液85質量％、作為偶合劑使用的上述式(18)所示的鈦偶合劑9.0質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的SiO2粘合劑10質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例混合，由此配製粘合劑分散液。此外，作為粘合劑使用的SiO2粘合劑，是使用500ml的玻璃制四頸燒瓶，加入四乙氧基矽烷140g、乙醇240g，邊攪拌邊將1.Og的12N-HC1溶解到25g的純水中，一次加入，之後在80°C下反應6小時，從而製備得到。在分類D8中，如下述表19所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的ITO粉末8質量％、作為偶合劑使用的上述式(17)所示的鈦偶合劑2.0質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例，利用與分類Dl同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。此外，按照作為粘合劑使用的SiO2粘合劑10質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例進行混合，配製粘合劑分散液。接著，按照如下順序，製備導電性反射膜用組合物。首先，將硝酸銀溶解到去離子水中，配製金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水中，得到濃度為26質量％的檸檬酸鈉水溶液。在該檸檬酸鈉水溶液中，在保持為35°C的氮氣氣流中直接加入粒狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在將上述氮氣氣流保持在35°C的狀態下，將磁力攪拌器的攪拌子放入還原劑水溶液中，以IOOrpm的旋轉速度使攪拌子旋轉，從而攪拌上述還原劑水溶液，同時在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。這裡，金屬鹽水溶液向還原劑水溶液中的添加量，是成為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過調整各溶液的濃度，使得即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也被保持在40°C。另外，上述還原劑水溶液與金屬鹽水溶液的混合比，是使還原劑水溶液的檸檬酸離子與亞鐵離子相對於金屬鹽水溶液中的金屬離子的總原子價數的摩爾比，均為3倍摩爾。向還原劑水溶液滴加金屬鹽水溶液結束後，再持續攪拌混合液15分鐘，由此在混合液內部產生金屬粒子，得到金屬粒子分散的金屬粒子分散液。金屬粒子分散液的PH為5.5，分散液中的金屬粒子的化學理論生成量為5g/升。得到的分散液通過在室溫下放置，使分散液中的金屬粒子沉降，通過傾析，將沉降的金屬粒子的凝集物分離。在分離的金屬凝集物中加入去離子水，製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而利用甲醇進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力，分離出粒徑超過IOOnm的比較大的銀粒子，由此調整為按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子71%，即調整為按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為71%。這樣，得到的銀納米粒子被碳骨架是碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。接著，將得到的金屬納米粒子10質量份添加混合到包含水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量份中使其分散，進而在該分散液中，加入下述表20-表22所示的添加物，使其成為表20-表22所示的比例，由此分別得到導電性反射膜用組合物。另外，構成導電性反射膜用組合物的金屬納米粒子，含有75質量％以上的銀納米粒子。此外，作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外金屬納米粒子的情況下，將利用上述方法得到的銀納米粒子的分散液作為第1分散液，除了使用用於形成下述表20-表22所示的銀納米粒子以外金屬納米粒子的種類的金屬鹽代替硝酸銀之外，與上述銀納米粒子的製造方法同樣操作，配製銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散液，將該金屬納米粒子的分散液作為第2分散液，在加入添加物之前，混合第1分散液和第2分散液使其成為下述表20-表22所示比例，由此得到導電性反射膜用組合物。最後，使用上述配製的導電性氧化物微粒的分散液、粘合劑分散液及導電性反射膜用組合物，形成複合膜。具體而言，首先，在下述表20-表22所示的基材上，使用各種成膜方法塗布上述配製的導電性反射膜用組合物，使其燒結後的厚度為0.05-2.Oym，之後在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性反射塗膜。接著，在該導電性反射塗膜上，使用各種成膜方法塗布上述配製的導電性氧化物微粒的分散液，使其燒結後的厚度為0.01-0.5ym，之後，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性氧化物微粒的塗膜。接著，在該導電性氧化物微粒的塗膜上，按照燒結後導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的方式，使用各種成膜方法，使上述配製的粘合劑分散液浸漬，導電性氧化物微粒的塗膜的整個表面被粘合劑分散液的塗膜被覆，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成透明導電塗膜。這裡所說的塗布，是指粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量，相對於塗布的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的微粒的總質量，為下述表20-表22所示的質量比(塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量/導電性氧化物微粒的質量)。接著，在下述表20-表22所示的熱處理條件下燒結，由此在基材上形成複合膜。另外，在表20-表22中，PVP表示Mw為360000的聚乙烯吡咯烷酮，PET表示聚對苯二甲酸乙二醇酯。除了利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為0.7X102nm之外，與實施例D1同樣操作，形成複合膜。除了利用作為真空蒸鍍法的濺射法，形成第2透明導電膜，使其膜厚為2.OX102nm之外，與實施例D1同樣操作，形成複合膜[表19]tableseeoriginaldocumentpage95tableseeoriginaldocumentpage96tableseeoriginaldocumentpage97tableseeoriginaldocumentpage97tableseeoriginaldocumentpage98tableseeoriginaldocumentpage99對實施例D1-D37及比較例D1-D2中得到的複合膜中的第2透明導電膜的膜厚進行評價。評價結果分別如下述表23及表24所示。首先，使用SEM(日立製作所公司製造的電子顯微鏡S800)，從膜剖面直接測算燒結後的第2透明導電膜的厚度。關於形成了實施例D1-D37及比較例D1-D2中得到的導電性反射膜的基材，對基材側的接觸面的氣孔分布、反射率以及導電性反射膜的厚度進行評價。評價結果分別如下述表23及表24所示。氣孔的測定方法，是在基材上塗布導電性反射膜用組合物，進行燒結形成導電性反射膜後，在塗布透明導電膜用組合物之前，使用原子力顯微鏡(AFM)，觀察導電性反射膜的形成第2透明導電膜一側的面的凹凸像。對觀察到的凹凸像進行分析，評價出現在膜表面的空孔的平均直徑、平均深度以及數密度。此外，平均直徑通過分別測定各開口部的最長徑與最短徑求出平均值而得到。導電性反射膜的反射率的評價，通過紫外可見光分光光度計和積分球的組合，測定波長500nm及IlOOnm的導電性反射膜的擴散反射率進行。其中，關於反射率，是在第2透明導電膜成膜後，測定來自表側的反射率。導電性反射膜的膜厚，通過利用掃描型電子顯微鏡(SEM)的剖面觀察而測定。對實施例D1-D37及比較例D1-D2中得到的複合膜對基材的密合性進行評價。評價結果如下述表23及表24所示。利用將膠帶從形成了複合膜的基材上剝離的試驗，進行定性評價，「良好」表示僅膠帶從基材剝落的情況，「中等」表示膠帶的剝落與基材表面露出的狀態同時存在的情況，「不良」表示由於膠帶的剝離基材的整個表面都露出的情況。[表23]tableseeoriginaldocumentpage101[表24]tableseeoriginaldocumentpage102由表23及表24可知，在利用作為真空蒸鍍法的濺射法形成了第2透明導電膜的比較例D1、D2中，比較例D2與實施例D1-D37相比，密合性為不好的結果。在比較例Dl中，500nm的反射率低至75%，IlOOnm的反射率也呈變低的傾向。另外在比較例D2中，確認IlOOnm的反射率雖然高達87%，但是500nm的反射率低至78%，由于波長不同，反射率出現參差不齊的結果。而在實施例D1-D37中，可以得到500nm及IlOOnm兩個波長的反射率均高達80%以上的反射率。〈實施例E1-E32〉按照下述表25所示的分類E1-E8的成分及含有比例，配製導電性氧化物微粒的分散液及粘合劑分散液。在各實施例中使用的上述分散液在表25中的分類編號，如表26、27所示。在分類El中，如下述表25所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的IZO粉末20質量％、作為分散介質使用的異丙醇80質量％的比例，準備總量60g，裝入IOOcc的玻璃瓶中，使用直徑為0.3mm的氧化鋯珠(S々π^力，昭和殼牌石油公司製造)100g，利用塗漆振動機(《4>卜一力一)分散6小時，由此得到導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2-正丁氧基乙醇與3-異丙基-2，4-戊二酮的混合液10質量％、作為分散介質使用的異丙醇88.2質量％、作為低電阻劑使用的硝酸銦與乙酸鉛的混合物(質量比11)1.8質量％的比例進行混合，在室溫下以旋轉速度200rpm攪拌1小時，由此配製粘合劑分散液。在分類E2中，如下述表25所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ITO粉末7.5質量％、作為偶合劑使用的上述式(24)所示的鈦偶合劑0.2質量％、作為分散介質，將異丙醇、乙醇及N，N-二甲基甲醯胺的混合液(質量比421)作為第1混合液，該第1混合液92.3質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2，4-戊二酮10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類Ε3中，如下述表25所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末10質量％、作為偶合劑使用的上述式(24)所示的鈦偶合劑0.02質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液89.98質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的非聚合物型粘合劑，即2_正丙氧基乙醇10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類Ε4中，如下述表25所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的AZO粉末10質量％、作為偶合劑使用的上述式(23)所示的鈦偶合劑1質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液89質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的2，2-二甲基-3，5-己二酮與乙酸異丙酯的混合液(質量比11)10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類Ε5中，如下述表25所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的TZO粉末5質量％、作為偶合劑使用的上述式(25)所示的鈦偶合劑0.5質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液94.5質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的2-異丁氧基乙醇、2-己基氧基乙醇以及乙酸正丙酯的混合液(質量比411)10質量％、作為分散介質使用的上述第1混合液90質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製粘合劑分散液。在分類E6中，首先將平均粒徑0.010μm的ATO粉末懸濁於水，將pH調整為7，用球磨機處理30分鐘。在該處理液中，混合上述第1混合液作為分散介質，調整為固形成分濃度為18.5%的濃度，得到導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的明膠5質量％、作為水溶性纖維素衍生物使用的羥丙基纖維素1質量％、作為分散介質使用的水94質量％的比例進行混合，在30°C的溫度下，以200rpm的旋轉速度攪拌1小時，由此配製粘合劑分散液。在分類E7中，如下述表25所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μπι的ATO粉末6質量％、作為分散介質，將乙醇和丁醇的混合液(質量比982)作為第2混合液，該第2混合液85質量％、作為偶合劑使用的上述式(23)所示的鈦偶合劑9.0質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。另外，按照作為粘合劑使用的SiO2粘合劑10質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例混合，由此配製粘合劑分散液。此外，作為粘合劑使用的SiO2粘合劑，是使用500ml的玻璃制四頸燒瓶，加入四乙氧基矽烷140g、乙醇240g，邊攪拌邊將1.Og的12N-HC1溶解到25g的純水中，一次加入，之後在80°C下反應6小時，從而製備得到。在分類E8中，如下述表25所示，按照作為導電性氧化物微粒使用的平均粒徑0.025μm的ITO粉末8質量％、作為偶合劑使用的上述式(22)所示的鈦偶合劑2.0質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例，利用與分類El同樣的方法，配製導電性氧化物微粒的分散液。此外，按照作為粘合劑使用的SiO2粘合劑10質量％、作為分散介質使用的上述第2混合液90質量％的比例進行混合，配製粘合劑分散液。接著，按照如下順序，製備導電性反射膜用組合物。首先，將硝酸銀溶解到去離子水中，配製金屬鹽水溶液。另一方面，使檸檬酸鈉溶解於去離子水中，得到濃度為26質量％的檸檬酸鈉水溶液，在該檸檬酸鈉水溶液中，在保持為35°C的氮氣氣流中直接加入粒狀的硫酸亞鐵使其溶解，配製按照32的摩爾比含有檸檬酸離子與亞鐵離子的還原劑水溶液。接著，在將上述氮氣氣流保持在35°C的狀態下，將磁力攪拌器的攪拌子放入還原劑水溶液中，以IOOrpm的旋轉速度使攪拌子旋轉，從而攪拌上述還原劑水溶液，同時在該還原劑水溶液中滴加上述金屬鹽水溶液進行混合。這裡，金屬鹽水溶液向還原劑水溶液中的添加量，是成為還原劑水溶液的量的1/10以下，通過調整各溶液的濃度，使得即便滴加室溫的金屬鹽水溶液，反應溫度也被保持在40°C。另外，上述還原劑水溶液與金屬鹽水溶液的混合比，是還原劑水溶液的檸檬酸離子與亞鐵離子相對於金屬鹽水溶液中的金屬離子的總原子價數的摩爾比，均為3倍摩爾。向還原劑水溶液滴加金屬鹽水溶液結束後，再持續攪拌混合液15分鐘，由此在混合液內部產生金屬粒子，得到金屬粒子分散的金屬粒子分散液。金屬粒子分散液的PH為5.5，分散液中的金屬粒子的化學理論生成量為5g/升。得到的分散液通過在室溫下放置，使分散液中的金屬粒子沉降，通過傾析，將沉降的金屬粒子的凝集物分離。在分離的金屬凝集物中加入去離子水，製成分散體，通過超濾進行脫鹽處理，進而利用甲醇進行置換洗滌，使金屬(銀)的含量為50質量％。然後，使用離心分離機，調整該離心分離機的離心力，分離出粒徑超過IOOnm的比較大的銀粒子，由此調整為按數均計含有一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子71%，即調整為按照數均計，一次粒徑在10-50nm範圍內的銀納米粒子在全部銀納米粒子100%中所佔比例為71%。得到的銀納米粒子被碳骨架是碳原子數為3的有機分子主鏈的保護劑所化學改性。接著，將得到的金屬納米粒子10質量份添加混合到包含水、乙醇及甲醇的混合溶液90質量份中使其分散，進而在該分散液中，加入下述表26-表28所示的添加物，使其成為表26-表28所示的比例，由此分別得到導電性反射膜用組合物。另外，構成導電性反射膜用組合物的金屬納米粒子，含有75質量％以上的銀納米粒子。此外，作為金屬納米粒子，在含有銀納米粒子的同時，還含有銀納米粒子以外金屬納米粒子的情況下，將利用上述方法得到的銀納米粒子的分散液作為第1分散液，除了使用用於形成下述表26-表28所示的銀納米粒子以外金屬納米粒子的種類的金屬鹽代替硝酸銀之外，與上述銀納米粒子的製造方法同樣操作，配製銀納米粒子以外金屬納米粒子的分散液，將該金屬納米粒子的分散液作為第2分散液，在加入添加物之前，混合第1分散液和第2分散液使其成為下述表26-表28所示比例，由此得到導電性反射膜用組合物。最後，使用上述配製的導電性氧化物微粒的分散液、粘合劑分散液及導電性反射膜用組合物，形成複合膜。具體而言，首先，在下述表26-表28所示的基材上，使用各種成膜方法塗布上述配製的導電性氧化物微粒的分散液，使其燒結後的厚度為0.01-0.5μm，然後，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性氧化物微粒的塗膜。接著，在該導電性氧化物微粒的塗膜上，通過各種成膜方法使上述配製的粘合劑分散液浸漬到導電性氧化物微粒的塗膜的規定深度，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成透明導電塗膜。粘合劑分散液塗布為粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量，相對於塗布的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的微粒的總質量，為下述表26-表28所示的質量比(塗布的粘合劑分散液中的粘合劑成分的質量/導電性氧化物微粒的質量)。接著，在該透明導電塗膜上，使用各種成膜方法塗布上述配製的導電性反射膜用組合物，使其燒結後的厚度為0.05-2.0μm，然後，在溫度25°C下乾燥5分鐘，形成導電性反射塗膜。接著，在下述表26-表28所示的熱處理條件下燒結，由此在基材上形成複合膜。另外，在超直型太陽能電池的光電轉換層上形成本發明實施方式5的複合膜，形成薄膜太陽能電池。具體地說，首先，如圖9所示，在具有有網紋結構的SnO2膜532的玻璃基板531上，通過等離子CVD法，形成作為光電轉換層533的厚度為1.7μm的微晶矽層。接著，在與於上述基材上形成複合膜時的條件相同的條件下，在該光電轉換層533上，形成包含第2透明導電膜534及導電性反射膜535的複合膜。接著，在導電性反射膜535的表面上，隔著掩膜圖案，利用磁控管濺射法，將ITO膜536按厚度200nm成膜之後，使用雷射圖案法，除去ITO膜536未成膜的部分，得到如圖10的俯視圖所示的薄膜太陽能電池。在圖10中，符號551所示的各區域，作為薄膜太陽能電池550的各單元發揮作用。另外，在表26-表28中，PVP表示Mw為360000的聚乙烯吡咯烷酮，PET表示聚對苯二甲酸乙二醇酯。除了相對於塗布的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的導電性氧化物微粒的總質量以150%的質量比塗布粘合劑分散液(塗布的粘合劑液的質量/導電性氧化物微粒的質量)之外，與實施例El同樣操作，在基材上形成複合膜。除了相對於塗布的導電性氧化物微粒的塗膜中所包含的導電性氧化物微粒的總質量以200%的質量比塗布粘合劑分散液(塗布的粘合劑液的質量/導電性氧化物微粒的質量)之外，與實施例El同樣操作，在基材上形成複合膜。[表25]tableseeoriginaldocumentpage106[表26]tableseeoriginaldocumentpage107tableseeoriginaldocumentpage108tableseeoriginaldocumentpage109tableseeoriginaldocumentpage110tableseeoriginaldocumentpage111對實施例E1-E37及比較例E1-E2中得到的複合膜中的第2透明導電膜的膜厚進行評價。評價結果分別如下述表29及表30所示。首先，使用SEM(日立製作所公司製造的電子顯微鏡S800)，從膜剖面直接測算燒結後的第2透明導電膜的厚度。另外，關於這些第2透明導電膜，測定第2層的露出比例。具體地說，使用聚焦離子束(FIB)法進行加工，使試樣剖面露出，通過使用掃描型電子顯微鏡(SEM)對該試樣的剖面進行觀察。〈比較試驗E2>關於形成了實施例E1-E37及比較例E1-E2中得到的導電性反射膜的基材，對基材側的接觸面的氣孔分布、背面反射率以及導電性反射膜的厚度進行評價。評價結果分別如下述表29及表30所示。氣孔的測定方法，根據能否從第2透明導電膜剝離導電性反射膜，使用不同的測定方法。在能夠從第2透明導電膜剝離導電性反射膜的例子中，首先，對密合在第2透明導電膜上的導電性反射膜，在具有平滑面的夾具上塗布粘合材料，將其推壓在導電性反射膜上，進行保持直至粘合材料充分乾燥而具有高粘合性，之後使用拉伸試驗機(島津製作所制EZ-TEST)使該夾具相對於第2透明導電膜垂直上抬，從而將導電性反射膜從第2透明導電膜上剝離。接著，對從第2透明導電膜剝離、在夾具上露出的導電性反射膜的基材側接觸面的面，使用原子力顯微鏡(AFM)，觀察該面的凹凸像。對觀察到的凹凸像進行分析，評價出現在膜表面的空孔的平均直徑、平均深度以及數密度。此外，平均直徑通過分別測定各開口部的最長徑與最短徑求出平均值而得到。此外，作為從第2透明導電膜剝離導電性反射膜的其他方法，也可以並用在導電性反射膜上粘貼雙面膠，將其一端抬起，從第2透明導電膜剝離導電性反射膜的方法。在從第2透明導電膜不能剝離導電性反射膜的例子中，首先，對密合在第2透明導電膜上的導電性反射膜使用聚焦離子束(FIB)法進行加工，使試樣剖面露出。通過使用掃描型電子顯微鏡(SEM)對該試樣的剖面進行觀察，由此觀察導電性反射膜與第2透明導電膜的界面形狀。關於該界面圖像，評價開口部的直徑、平均深度以及數密度。這裡，評價的開口部的直徑，是將剖面圖中的開口部長度視為直徑而進行的。導電性反射膜的背面反射率的評價，通過紫外可見光分光光度計和積分球的組合，測定波長500nm及IlOOnm的導電性反射膜的擴散反射率而進行。導電性反射膜的膜厚，通過利用掃描型電子顯微鏡(SEM)的剖面觀察而測定。對實施例E1-E37及比較例E1-E2中得到的複合膜對基材的密合性進行評價。評價結果如下述表29及表30所示。利用將膠帶從形成了複合膜的基材上剝離的試驗，進行定性評價，「良好」表示僅膠帶從基材剝落的情況，「中等」表示膠帶的剝落與基材表面露出的狀態同時存在的情況，「不良」表示由於膠帶的剝離基材的整個表面都露出的情況。關於實施例E1-E37及比較例E1-E2中得到的薄膜太陽能電池，對圖10所示的各單元551，評價單元不良率。結果如下述表29及表30所示。具體地說，如圖9所示，設置探針537以使利用雷射圖案法除去了光電轉換層533等的SnO2膜532表面與ITO膜536相連，在其中設置I-V測量頭(卜>一寸)538。在這樣的狀態下，以lOOmW/cm2的照射強度從玻璃基板531—側照射AMI.5的光，評價此時的功率。填充因子為0.5以下時為不良，將不良單元的個數相對於各實施例及比較例中評價的單元總數50的值作為單元不良率進行評價。[表29]tableseeoriginaldocumentpage114tableseeoriginaldocumentpage115[表30]tableseeoriginaldocumentpage115tableseeoriginaldocumentpage116由表29及表30可知，在比較例El、Ε2中，比較例Ε2與實施例Ε1-Ε37相比，密合性為不好的結果。在比較例Ε1、Ε2中，500nm的反射率及IlOOnm的反射率雖然均能夠得到與實施例E1-E37同樣高的反射率，但是單元不良率很高。而在實施例E1-E37中，能夠得到單元不良率為5%以下的高度評價。工業實用性本發明的一種實施方式作為以低成本製造適用於特徵在於以玻璃等透明基材作為受光面的超直型太陽能電池的、設置於受光面的相反側的電極的技術，非常優選。本發明的其他實施方式，作為以低成本製造設置於所謂亞直型太陽能電池的背面側(受光面的相反一側)的電極的技術，非常優選，其中所述亞直型太陽能電池將與玻璃等基材相反一側的面作為受光面。此外，通過使用本發明，能夠通過塗布、燒結方法製造以往用真空成膜法形成的透明導電膜及導電性反射膜，可期待製造成本的大幅削減。權利要求一種超直型薄膜太陽能電池用複合膜，其特徵在於具有在超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜、和在所述透明導電膜上形成的導電性反射膜2層，所述透明導電膜通過利用溼式塗布法，塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成，所述導電性反射膜通過利用溼式塗布法，塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成，出現在所述導電性反射膜的基材側的接觸面上的氣孔的平均直徑為100nm以下，所述氣孔所處的平均深度為100nm以下，所述氣孔的數密度為30個/μm2以下。2.權利要求1所述的超直型薄膜太陽能電池用複合膜，其特徵在於導電性反射膜包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。3.一種超直型薄膜太陽能電池用複合膜的製造方法，其特徵在於通過溼式塗布法，在通過第1透明導電膜疊層於基材上的超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上，塗布透明導電膜用組合物，形成透明導電塗膜，通過溼式塗布法，在所述透明導電塗膜上塗布導電性反射膜用組合物，形成導電性反射塗膜後，在130-400°C下燒結具有所述透明導電塗膜及所述導電性反射塗膜的所述基材，由此形成包含具有0.03-0.5μm厚度的第2透明導電膜、和具有0.05-2.0μm厚度的導電性反射膜的2層。4.一種超直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於具有在超直型薄膜太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜、和在所述透明導電膜上形成的導電性反射膜，所述透明導電膜通過利用溼式塗布法，在所述光電轉換層上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，在所述導電性氧化物微粒的塗膜上利用溼式塗布法使粘合劑分散液浸漬、燒結，由此形成，所述透明導電膜在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下，具有0.01-0.5μm的厚度，所述導電性反射膜通過利用溼式塗布法，將包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物塗布於所述透明導電膜上、進行燒結而形成，所述導電性反射膜具有0.05-2.Oym的厚度，出現在所述導電性反射膜的光電轉換層側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，所述氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，所述氣孔的數密度為30個/μm2以下。5.權利要求4所述的超直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於導電性反射膜包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。6.一種超直型太陽能電池用複合膜的製造方法，其特徵在於利用溼式塗布法，在通過第1透明導電膜疊層於基材上的超直型太陽能電池的光電轉換層上，塗布導電性氧化物微粒的分散液和粘合劑分散液，形成透明導電塗膜，通過溼式塗布法，在所述透明導電塗膜上塗布導電性反射膜用組合物，形成導電性反射塗膜後，在130-400°C下燒結具有所述透明導電塗膜及所述導電性反射塗膜的所述基材，由此形成具有第2透明導電膜和導電性反射膜的複合膜，其中第2透明導電膜具有0.01-0.5μπι的厚度，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，所述透明導電塗膜，通過塗布所述導電性氧化物微粒的分散液形成導電性氧化物微粒的塗膜之後，利用溼式塗布法在所述導電性氧化物微粒的塗膜上使所述粘合劑分散液浸漬，由此而形成，所述第2透明導電膜具有燒結所述導電性氧化物微粒的塗膜而成的導電性氧化物微粒層、以及對被覆所述導電性氧化物微粒層整個表面的所述粘合劑分散液的塗膜進行燒結而成的粘合劑層。7.—種亞直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於具有在基材上形成的導電性反射膜、和在所述導電性反射膜上形成的透明導電膜2層，所述導電性反射膜，通過利用溼式塗布法塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成，所述透明導電膜，通過利用溼式塗布法塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物而形成，出現在所述導電性反射膜的所述透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，所述氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，所述氣孔的數密度為30個/μm2以下。8.權利要求7所述的亞直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於導電性反射膜包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。9.一種亞直型太陽能電池用複合膜的製造方法，其特徵在於通過溼式塗布法，在基材上塗布導電性反射膜用組合物，形成導電性反射塗膜後，在130-400°C下燒結具有所述導電性反射塗膜的基材，形成導電性反射膜，利用溼式塗布法在所述導電性反射膜上塗布透明導電膜用組合物，形成透明導電塗膜後，在130-400°C下燒結具有所述透明導電塗膜的基材，形成透明導電膜，由此形成包含導電性反射膜和透明導電膜的2層，其中導電性反射膜具有0.05-2.Oym的厚度，透明導電膜具有0.01-0.5μm的厚度。10.一種亞直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於具有在基材上形成的導電性反射膜、和在所述導電性反射膜上形成的透明導電膜，所述導電性反射膜，通過利用溼式塗布法，在所述基材上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物，形成導電性反射塗膜，燒結所述導電性反射塗膜而形成，所述導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，所述透明導電膜，通過利用溼式塗布法在所述導電性反射塗膜上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，利用溼式塗布法在所述導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結，由此而形成，所述透明導電膜在導電性氧化物微粒層的整個表面被粘合劑層被覆的狀態下，具有0.01-0.5μm的厚度，出現在所述導電性反射膜的所述透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，所述氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，所述氣孔的數密度為30個/μm2以下。11.權利要求10所述的亞直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於導電性反射膜包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。12.—種亞直型太陽能電池用複合膜的製造方法，其特徵在於通過溼式塗布法，在基材上塗布導電性反射膜用組合物形成導電性反射塗膜後，在130-400°C下燒結具有所述導電性反射塗膜的所述基材，形成導電性反射膜，通過溼式塗布法，在所述導電性反射塗膜上塗布導電性氧化物微粒的分散液和粘合劑分散液，形成透明導電塗膜後，在130-400°C下燒結具有所述透明導電塗膜的所述基材，形成透明導電膜，由此製造具有透明導電膜和導電性反射膜的複合膜，其中透明導電膜具有0.01-0.5μm的厚度，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，所述透明導電塗膜，通過塗布所述導電性氧化物微粒的分散液形成導電性氧化物微粒的塗膜之後，利用溼式塗布法在所述導電性氧化物微粒的塗膜上使所述粘合劑分散液浸漬而形成，所述透明導電膜具有燒結所述導電性氧化物微粒的塗膜而成的導電性氧化物微粒層、以及對被覆所述導電性氧化物微粒層的整個表面的所述粘合劑分散液的塗膜進行燒結而成的粘合劑層。13.一種超直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於具有在超直型太陽能電池的光電轉換層上形成的透明導電膜、和在所述透明導電膜上形成的導電性反射膜，所述透明導電膜，通過利用溼式塗布法在所述光電轉換層上塗布導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜，利用溼式塗布法在所述導電性氧化物微粒的塗膜上使粘合劑分散液浸漬、燒結，由此而形成，所述透明導電膜具有所述光電轉換層上的包含粘合劑成分的第1層、以及該第1層的體積的1-30%從所述第1層露出的不包含粘合劑成分的第2層，所述導電性反射膜，通過利用溼式塗布法在所述透明導電膜上塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物、進行燒結而形成，所述導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，出現在所述導電性反射膜的光電轉換層側的接觸面上的氣孔的平均直徑為IOOnm以下，所述氣孔所處的平均深度為IOOnm以下，所述氣孔的數密度為30個/μm2以下。14.權利要求13所述的超直型太陽能電池用複合膜，其特徵在於導電性反射膜包含從聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物以及水溶性纖維素中選出的1種或者2種以上的物質。15.一種超直型太陽能電池用複合膜的製造方法，其特徵在於利用溼式塗布法，在通過第1透明導電膜疊層於基材上的超直型太陽能電池的光電轉換層上，塗布導電性氧化物微粒的分散液和粘合劑分散液，形成透明導電塗膜，通過溼式塗布法，在所述透明導電塗膜上塗布導電性反射膜用組合物，形成導電性反射塗膜後，通過在130-400°C下燒結具有所述透明導電塗膜及所述導電性反射塗膜的所述基材，形成具有第2透明導電膜和導電性反射膜的複合膜，其中第2透明導電膜具有0.01-0.5μm的厚度，導電性反射膜具有0.05-2.0μm的厚度，所述透明導電塗膜，通過塗布所述導電性氧化物微粒的分散液，形成導電性氧化物微粒的塗膜之後，利用溼式塗布法在所述導電性氧化物微粒的塗膜上使所述粘合劑分散液浸漬而形成，所述第2透明導電膜具有所述光電轉換層上的包含粘合劑成分的第1層、以及該第1層的體積的1-30%從所述第1層露出的不包含粘合劑成分的第2層。全文摘要該超直型太陽能電池用或亞直型太陽能電池用複合膜具有透明導電膜和導電性反射膜，所述透明導電膜通過利用溼式塗布法塗布包含導電性氧化物微粒的透明導電膜用組合物或分散液而形成，所述導電性反射膜通過利用溼式塗布法塗布包含金屬納米粒子的導電性反射膜用組合物而形成，出現在所述導電性反射膜的光電轉換層側或所述透明導電膜側的接觸面上的氣孔的平均直徑為100nm以下，所述氣孔所處的平均深度為100nm以下，所述氣孔的數密度為30個/μm2以下。文檔編號H01L31/04GK101803037SQ200880106409公開日2010年8月11日申請日期2008年9月12日優先權日2007年9月12日發明者小川憐子,山崎和彥,林年治,荒井將英,高田佳明申請人:三菱綜合材料株式會社