半導體封裝構造及其製造方法
2024-03-08 09:32:15 1
專利名稱：半導體封裝構造及其製造方法
技術領域：
本發明有關於一種半導體封裝構造及其製造方法，特別有關於可降低封裝厚度的半導體封裝構造。
背景技術：
為了因應趨勢及時代的進步，單一多功能電子產品已經成為目前的主要消費市場，在多功能及輕薄短小的需求情況下，多晶片堆疊的封裝構造於是產生。
如圖1所示，已知半導體封裝構造100包含第一封裝件110、第二封裝件120與載板130。該第一封裝件110包含有第一基板111、第一晶片112、多個第一凸塊113以及多個第一錫球114。該第二封裝件120包含有第二基板121、第二晶片122、多個第二凸塊123以及多個第二錫球124。該第一晶片112以這些第一凸塊113倒裝片結合於該第一基板111，該第二晶片122以這些第二凸塊123倒裝片結合於該第二基板121，且該第二封裝件120的該基板121的表面125設置有多個焊球140以供外接電路板(圖未繪出)，為了使產品功能性增加，必須將該第一封裝件110與該第二封裝件120堆疊，再透過該載板130、這些第一錫球114與這些第二錫球124使該第一封裝件110與該第二封裝件120形成電性連接，然而在該半導體封裝構造100，該第一封裝件110為了與該第二封裝件120電性連接，必須保留該載板130、這些第一錫球114與這些第二錫球124的設置空間，使得該半導體封裝構造100的厚度無法縮小。
發明內容
本發明的主要目的在於提供一種半導體封裝構造及其製造方法，具有第一表面與第二表面的封裝件設置於承載器的上表面並電性連接該承載器，晶片設置於該封裝件的該第二表面並電性連接該承載器與該封裝件，由於該晶片貼設於該封裝件，其可省略另一基板的設置，使得該半導體封裝構造的整體厚度變小。
依本發明的一種半導體封裝構造，主要包含承載器、封裝件、晶片以及多個焊線。該承載器具有上表面、下表面、貫穿該上表面及該下表面的開口以及多個形成於該下表面的導接墊，該封裝件設置於該承載器的該上表面，該封裝件具有第一表面及第二表面，並包含有多個導接元件，該封裝件以這些導接元件電性連接該承載器，該晶片設置於該封裝件的該第二表面，該晶片具有有源面及多個焊墊，該有源面朝向該承載器，且這些焊墊對應於該承載器的該開口，這些焊線連接這些焊墊與這些導接墊。
圖1已知半導體封裝構造的截面示意圖。
圖2依據本發明的第一具體實施例，一種半導體封裝構造的截面示意圖。
圖3A至3E依據本發明的第一具體實施例，該半導體封裝構造在工藝中的截面示意圖。
圖4依據本發明的第二具體實施例，另一種半導體封裝構造的截面示意圖。
圖5A至5D依據本發明的第二具體實施例，該半導體封裝構造的截面示意圖。
附圖標記說明100半導體封裝構造110第一封裝件 111第一基板 112第一晶片113第一凸塊 114第一錫球120第二封裝件 121第二基板 122第二晶片123第二凸塊 124第二錫球 125表面130載板 140焊球200半導體封裝構造210承載器 211上表面212下表面213開口 214導接墊215焊球墊220封裝件 221第一表面 222第二表面
223導接元件230晶片 231有源面 232焊墊240焊線 250封膠體 260焊球300半導體封裝構造310承載器311上表面 312下表面313開口 314導接墊 315焊球墊320封裝件321第一表面322第二表面323導接元件330晶片 331有源面 332焊墊340焊線 350封膠體 360焊球具體實施方式
請參閱圖2，依據本發明的第一具體實施例揭示一種半導體封裝構造200，其至少包含承載器210、封裝件220、晶片230以及多個焊線240。該承載器210具有上表面211、下表面212、貫穿該上表面211與該下表面212的開口213以及多個形成於該下表面212的導接墊214，該封裝件220設置於該承載器210的該上表面211並與該承載器210電性連接，該封裝件220具有第一表面221及第二表面222並包含有多個導接元件223，該封裝件220可為基板型(substrate type)封裝構造或引線框架型(leadframe type)，如球柵陣列BGA(Ball Grid Array)封裝構造或TSOP(Thin Small Outline Package)封裝構造，在本實施例中，該封裝件220為TSOP(Thin Small Outline Package)封裝構造，這些導接元件223可為引線框架的外接腳，該封裝件220以這些導接元件223電性連接該承載器210。該晶片230設置於該封裝件220的該第二表面222，在本實施例中，該晶片230以粘膠粘著固定於該封裝件220的該第二表面222，該晶片230可為存儲器晶片、微處理器、邏輯性晶片或其他晶片，例如DRAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、flash、Rambus或DDR等存儲器晶片，如圖2所示，該晶片230具有有源面231以及在該有源面231上的多個焊墊232，該晶片230的該有源面231朝向該承載器210，且這些焊墊232對應於該承載器210的該開口213。這些焊線240連接該晶片230的這些焊墊232與該承載器210的該下表面212的這些導接墊214，以電性連接該晶片230與該承載器210，由於晶片230貼設於該封裝件220的該第二表面，不需再另外提供基板來承載該晶片230，因此可降低封裝高度，且由於該封裝件220設置於該承載器210的該上表面211，以及該晶片230通過這些焊線240電性連接該承載器210的該下表面212的這些導接墊214，可使該承載器210的該上表面211與該下表面212的線路配置空間較大。該半導體封裝構造200可包含封膠體250，該封膠體250密封該封裝件220、該晶片230與這些焊線240，該封膠體250可顯露該封裝件220的該第一表面221。該半導體封裝構造200可另包含多個焊球260，這些焊球260設置於該承載器210的該下表面212的以連接外部電路板(圖未繪出)，在本實施例中，該承載器210的該下表面212形成有多個焊球墊215，以供接合這些焊球260。
請參閱圖3A至3E，其為該半導體封裝構造200的製造方法，首先，請參閱圖3A，提供承載器210，該承載器210具有上表面211、下表面212、貫穿該上表面211與該下表面212的開口213以及多個形成於該下表面212的導接墊214。接著，請參閱圖3B，設置封裝件220於該承載器210的該上表面211並電性連接該承載器210，該封裝件220具有第一表面221及第二表面222並包含有多個導接元件223，該封裝件220以這些導接元件223電性連接該承載器210，該封裝件220可為基板型(substrate type)封裝構造或引線框架型(leadframe type)，如BGA(Ball Grid Array)封裝構造或TSOP(ThinSmall Outline Package)封裝構造，在本實施例中，該封裝件220為TSOP(ThinSmall Outline Package)封裝構造，這些導接元件223為引線框架的外接腳。接著，請參閱圖3C，設置晶片230於該封裝件220的該第二表面222，在本實施例中，該晶片230以粘膠粘著固定於該封裝件220的該第二表面222，該晶片230具有有源面231以及在該有源面231上的多個焊墊232，該晶片230的該有源面231朝向該承載器210，且這些焊墊232對應於該承載器210的該開口213。接著，請參閱圖3D，形成多個焊線240，這些焊線240連接該晶片230的這些焊墊232與該承載器210的該下表面212的這些導接墊214，以電性連接該晶片230與該承載器210。之後，請參閱圖3E，形成封膠體250，該封膠體250密封該封裝件220、該晶片230與這些焊線240。最後，設置多個焊球260於該承載器210的該下表面212即可形成如圖2所示的該半導體封裝構造200，在本實施例中，該承載器210的該下表面212形成有多個焊球墊215，以供接合這些焊球260。
請參閱圖4，其為本發明的第二具體實施例，揭示一種半導體封裝構造300，其包含承載器310、封裝件320、晶片330以及多個焊線340。該承載器310具有上表面311、下表面312、貫穿該上表面311與該下表面312的開口313以及多個形成於該下表面312的導接墊314，該封裝件320設置於該承載器310的該上表面311，該封裝件320具有第一表面321及第二表面322並包含有多個導接元件323，該封裝件320以這些導接元件323電性連接該承載器310，該封裝件320可為基板型(substrate type)封裝構造或引線框架型(leadframe type)，如BGA(Ball Grid Array)封裝構造或TSOP(Thin SmallOutline Package)封裝構造，在本實施例中，該封裝件320為BGA(Ball GridArray)封裝構造，這些導接元件323則為錫球。該晶片330設置於該封裝件320的該第二表面322，該晶片230可以粘膠粘著固定於該封裝件220的該第二表面222，該晶片330具有有源面331以及在該有源面331上的多個焊墊332，該晶片330的該有源面331朝向該承載器310，且這些焊墊332對應於該承載器310的該開口313，這些焊線340連接該晶片330的這些焊墊332與該承載器310的該下表面312的這些導接墊314以電性連接該晶片330與該承載器310。該半導體封裝構造300包含有密封該封裝件320、該晶片330與這些焊線340的封膠體350，以及多個設置於該承載器310的該下表面312的焊球360，在本實施例中，該承載器310的該下表面312形成有多個焊球墊315，以供接合這些焊球360。。
請參閱圖5A至5E，其為該半導體封裝構造300的製造方法，首先，請參閱圖5A，提供承載器310，該承載器310具有上表面311、下表面312、貫穿該上表面311與該下表面312的開口313以及多個形成於該下表面312的導接墊314。接著，請參閱圖5B，設置封裝件320於該承載器310的該上表面311，該封裝件320具有第一表面321及第二表面322並包含有多個導接元件323，該封裝件320以這些導接元件323電性連接該承載器310，該封裝件320可為基板型(substrate type)封裝構造或引線框架型(leadframetype)，如BGA(Ball Grid Array)封裝構造或TSOP(Thin Small OutlinePackage)封裝構造，在本實施例中，該封裝件320為BGA(Ball Grid Array)封裝構造，這些導接元件323為錫球。接著，請參閱圖5C，設置晶片330於該封裝件320的該第二表面322，該晶片230可以粘膠粘著固定於該封裝件220的該第二表面222，該晶片330具有有源面331以及在該有源面331上的多個焊墊332，該晶片330的該有源面331朝向該承載器310，且這些焊墊332對應於該承載器310的該開口313，並以多個焊線340連接該晶片330的這些焊墊332與該承載器310的該下表面312的這些導接墊314，以電性連接該承載器310與該晶片330。之後，請參閱圖5D，形成封膠體350以密封該封裝件320、該晶片330與這些焊線340。最後，設置多個焊球360於該承載器310的該下表面312，即可形成如圖4所示的該半導體封裝構造300，在本實施例中，該承載器310的該下表面312形成有多個焊球墊315，以供接合這些焊球360。
本發明的保護範圍當視所附的權利要求所界定者為準，任何本領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內所作的任何變化與修改，均屬於本發明的保護範圍。
權利要求
1.一種半導體封裝構造，其包含承載器，其具有上表面、下表面、貫穿該上表面及該下表面的開口以及多個形成於該下表面的導接墊；封裝件，其設置於該承載器的該上表面，該封裝件具有第一表面及第二表面，並包含有多個導接元件，該封裝件以這些導接元件電性連接該承載器；晶片，其設置於該封裝件的該第二表面，該晶片具有有源面及多個焊墊，該有源面朝向該承載器，且這些焊墊對應於該承載器的該開口；以及多個焊線，這些焊線連接這些焊墊與這些導接墊。
2.如權利要求1所述的半導體封裝構造，其中該封裝件為基板型封裝構造或引線框架型封裝構造。
3.如權利要求1所述的半導體封裝構造，其中這些導接元件選自於錫球或外接腳。
4.如權利要求1所述的半導體封裝構造，其另包含有封膠體，其封裝該封裝件、該晶片與這些焊線。
5.如權利要求1所述的半導體封裝構造，其另包含有多個焊球，這些焊球設置於該承載器的該下表面。
6.一種半導體封裝構造的製造方法，包含提供承載器，該承載器具有上表面、下表面、貫穿該上表面及該下表面的開口以及多個形成於該下表面的導接墊；設置封裝件於該承載器的該上表面，該封裝件具有第一表面、第二表面以及多個導接元件，該封裝件以這些導接元件電性連接該承載器；設置晶片於該封裝件的該第二表面，該晶片具有有源面及多個焊墊，該有源面朝向該承載器，且這些焊墊對應於該承載器的該開口；以及形成多個焊線，這些焊線連接這些焊墊與這些導接墊。
7.如權利要求6所述的半導體封裝構造的製造方法，其中該封裝件為基板型封裝構造或引線框架型封裝構造。
8.如權利要求6所述的半導體封裝構造的製造方法，其另包含有形成封裝膠以封裝該封裝件、該晶片與這些焊線。
9.如權利要求6所述的半導體封裝構造的製造方法，其另包含有設置多個焊球於該承載器的該下表面。
10.如權利要求6所述的半導體封裝構造的製造方法，其中該晶片以粘膠粘著固定於該封裝件的該第二表面。
全文摘要
本發明公開了一種半導體封裝構造，主要包含承載器、具有第一表面及第二表面的封裝件、晶片以及多個焊線。該封裝件設置於該承載器的上表面並以多個導接元件電性連接該承載器，該晶片設置於該封裝件的該第二表面，該晶片的多個焊墊對應於該承載器的開口，這些焊線電性連接該晶片的這些焊墊與該承載器的多個導接墊，以降低封裝高度及增加該承載器的線路配置空間。
文檔編號H01L21/60GK101051629SQ20071010394
公開日2007年10月10日 申請日期2007年5月15日 優先權日2007年5月15日
發明者翁國良, 李政穎 申請人:日月光半導體製造股份有限公司