發光二極體及其製程的製作方法

2023-12-07 19:35:16 1

專利名稱：發光二極體及其製程的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種發光二極體及其製程，特別是涉及一種適合應用於光電產品上的 發光二極體及其製程。
背景技術：
現有製造發光二極體的製程具有下列步驟步驟101，是先在一基板沿一第一方向形成多條相間隔且鏤空的槽道，並於該基板 的一上、一下表面分別形成可導電的一上、一下電極層，每一槽道都是由兩平行該第一方向 的側壁面，及兩連接在所述側壁面間的端壁面所形成。步驟102，是分別對該上、下電極層蝕刻，以形成多沿該第一方向配置的上、下電 極部，及多個分別介於所述上、下電極部間的上、下蝕刻部，所述上、下蝕刻部不具有可導電性。步驟103，是在每一槽道的兩側壁面形成多個相間隔且分別與所述上、下電極部電 連接的連接電極部。步驟104，是在每一上蝕刻部兩側的兩上電極部間設置分別與所述上電極部電連 接的發光二極體晶片。步驟105，是在該基板的上表面形成多條避開該槽道且包覆所述發光二極體晶片、 所述上電極部及所述上蝕刻部的透明覆蓋層。步驟106，是沿一與該第一方向垂直的第二方向切割該基板及所述覆蓋層以形成 多個發光二極體。雖然透過前述製程可製得發光二極體，但為了形成分別與所述上、下電極部電連 接的連接電極部，須先在該基板形成多條條狀鏤空的槽道，所述槽道會導致該基板的實質 面積大幅縮小，單位面積基板可製造的發光二極體數量相對較少，使該現有製程具有基板 利用率較低而較浪費的缺失。另外，美國專利6，815，249號案中披露另一種製法，參閱該專利案說明書中的圖 13a 13d，主要是利用雷射鑽孔方式形成多個相間隔且分別自所述下電極部13 延伸穿 過該基板132但未貫穿所述上電極部133a的盲孔。但在進行鑽孔時，必須控制不鑽穿所 述上電極部133a以形成所述盲孔，及藉由所述上電極部133a作為阻隔以防止形成覆蓋層 的膠料流入孔內，由於上電極部133a厚度極薄，因此必須使用較精密的工具控制鑽孔的深 度，如此，由於用到較精密的工具設備導致製造成本提高，為了控制鑽孔深度無法進行快速 鑽孔，也會使製程時間延長而降低製造效率。

發明內容
本發明的其中一個目的，是在提供一種能夠有效提升基板的利用率的發光二極體 及其製程。於是，本發明的一種發光二極體的製程，包含下列步驟一、提供一個基板組合體，該基板組合體具有一個基板、多條沿一第一方向相間隔地設置在該基板的一個上表面的上 電極部、多條介於所述上電極部間的上蝕刻部、多條沿該第一方向相間隔地設置在該基板 的一個下表面的下電極部、多條介於所述下電極部間的下蝕刻部、多個相間隔且貫穿該基 板與所述上、下電極部的孔洞，所述孔洞分別在所述上、下電極部界定形成多個上開口及多 個下開口 ；二、分別在界定出每一個孔洞的內周壁面形成一個與該基板組合體的上、下電極 部電連接的連接電極部；三、形成多個分別封閉每一上電極部的多個上開口的阻隔單元； 四、在位於每一條上蝕刻部兩側的兩個上電極部間，設置多個相間隔的發光二極體晶片，每 一個發光二極體晶片分別與所述上電極部電連接；五、在該基板的上表面形成一個包覆住 所述發光二極體晶片、所述上電極部與所述上蝕刻部且由透明材質製成的覆蓋層；以及六、 沿該第一方向且經所述孔洞切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切割該基 板，以形成多個發光二極體。此外，本發明還提供另一種發光二極體的製程。其中，該發光二極體的製程的步驟 一與上述製程中的步驟一相同，且其步驟三 五也分別與上述製程中的步驟四 六相同， 因此，在此不再贅述，僅針對步驟二提出說明。步驟二是分別在所述孔洞填入導電膠作為使 所述上、下電極部電連接的連接電極部。進一步地，本發明還提供另一種發光二極體的製程，其包含下列步驟一、提供一 個基板組合體，該基板組合體具有一個基板、多條沿一第一方向相間隔地設置在該基板的 一個下表面的下電極部、多條介於所述下電極部間的下蝕刻部，及多個相間隔且貫穿該基 板與所述下電極部的孔洞，所述孔洞分別在該基板上表面、所述下電極部界定形成多個上 開口及多個下開口 ；二、沿該第一方向在該基板的上表面設置多條相間隔且封閉所述上開 口並當作上電極部的導電薄膜層，並在所述導電薄膜層間界定形成多條上間隔部；三、對經 步驟二處理的基板進行電鍍，以分別在所述導電薄膜層表面形成上電鍍層，在所述下電極 部表面形成下電鍍層，以及在界定出所述孔洞的內周壁面形成連接電鍍層，該連接電鍍層 使該導電薄膜層與該下電極部形成電連接；四、在位於每一條上間隔部兩側的兩個上電鍍 層間，設置多個相間隔的發光二極體晶片，每一發光二極體晶片分別與所述上電鍍層電連 接；五、在該基板的上表面形成一個包覆住所述發光二極體晶片、所述上電鍍層與所述上間 隔部且由透明材質製成的覆蓋層；以及六、沿該第一方向且經所述孔洞切割該基板，並沿一 個垂直於該第一方向的第二方向切割該基板，以形成多個發光二極體。本發明還進一步提供可透過前述製程所製得的發光二極體。本發明的一種的發 光二極體包含一個基材、相間隔地設置於該基材的一個第一電極、一個第二電極、一個分別 與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片、兩個分別設置在該第一、第二電極上的阻隔 單元，及一個封蓋住該第一、第二電極、該阻隔單元及該發光二極體晶片的覆蓋體。該基材 包括一個上表面、一個下表面，及相間隔地設置且分別連接於該上、下表面的一個第一溝槽 部、一個第二溝槽部，且每一個溝槽部各具有一個形成於該上表面的上端缺口。該第一電極 包括分別設置於該基材的上、下表面的一個上電極部、一個下電極部，及一個設置在該第一 溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部。該第二電極包括分別設置於該基材的上、下 表面的一個上電極部、一個下電極部，及一個設置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部 的連接電極部。所述阻隔單元是分別設置於該第一、第二電極的連接電極部且分別封住該 第一、第二溝槽部的上端缺口。該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的
6上電極部、該阻隔單元及該發光二極體晶片。進一步地，本發明還提供另一種發光二極體。其中，該發光二極體的電極結構、發 光二極體晶片電性以及覆蓋體皆與上述的發光二極體相同，因此，不再贅述。不同的是，所 述上、下電極部電連接的連接電極部系由導電膠或其它導電物質所形成，並且不包含前述 兩個分別設置在該第一、第二電極上的阻隔單元。此外，本發明的另一種的發光二極體則包含一個基材、相間隔地設置於該基材的 一個第一電極、一個第二電極、一個分別與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片，及 一個封蓋住該第一、第二電極及該發光二極體晶片的覆蓋體。該基材包括一個上表面、一個 下表面、相間隔地設置且分別連接於該上、下表面間的一個第一溝槽部及一個第二溝槽部， 且每一個溝槽部各具有一個形成於該上表面的上端缺口。該第一電極包括分別設置於該基 材的上、下表面的一個上電極部、一個下電極部、一個設置在該第一溝槽部且電連接該上、 下電極部的連接電極部，及一個與該連接電極部相間隔設置，且穿設該基材並電連接該上 電極部與下電極部的輔助連接電極部。該第二電極包括分別設置於該基材的上、下表面的 一個上電極部、一個下電極部、一個設置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電 極部，及一個與該連接電極部相間隔設置且穿設該基材並電連接該上電極部與下電極部的 輔助連接電極部。其中，該第一、第二電極的上電極部是分別封蓋住該第一、第二溝槽部的 上端缺口。該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、連接電極 部、輔助連接電極部，及該發光二極體晶片。本發明發光二極體及其製程的有益效果在於上述發光二極體的製程藉由在該基 板組合體或基板形成孔洞及孔洞內周壁面設置連接電極部或連接電極層，再經所述孔洞切 割該基板而形成多個發光二極體的方式，有效減少基板廢料的產生，進而提升基板利用率 與降低製造成本。此外，前述三種發光二極體分別藉由與該第一、第二電極的連接電極部相 連接的阻隔單元、或分別填滿該基材的第一、第二溝槽部的連接電極部、或該第一、第二電 極的上電極部以封住所述溝槽部的上端缺口，使得覆蓋層原料不會流入所述溝槽部的空間 而影響發光二極體的功能。


圖1是一剖視示意圖，說明以本發明發光二極體的製程一第一較佳實施例的一基 板組合體；圖2是一俯視示意圖，說明在該第一較佳實施例中的一基板組合體具有多條相間 隔的上電極部的情形；圖3是一剖視示意圖，說明在該第一較佳實施例中設置一包覆住多個發光二極體 晶片的覆蓋層的情形；圖4是一俯視示意圖，說明同時沿相垂直的一第一方向、一第二方向形成縱向與 橫向的蝕刻部的情形；圖5是一立體示意圖，說明將該覆蓋層切割為多個塊狀突起的覆蓋體的情形；圖6是一剖視示意圖，說明設置反射層後進行切割以製成多個發光二極體的情 形；圖7是一剖視示意圖，說明以本發明的第一較佳實施例所制出的發光二極體；
圖8是一俯視示意圖，說明以本發明的第一較佳實施例所制出的正面發光型的發 光二極體；圖9是一俯視示意圖，說明本發明的第一較佳實施例改變蝕刻模式所制出的另一 種正面發光型的發光二極體；圖10是一俯視示意圖，說明以本發明的第一較佳實施例所制出的側面發光型的 發光二極體；圖11是一剖視示意圖，說明在本發明製程的一第二較佳實施例中，在孔洞內填滿 導電膠再設置覆蓋層的情形；圖12是一剖視示意圖，說明在該第二較佳實施例中設置反射層後進行切割以形 成多個發光二極體的情形；圖13是一剖視示意圖，說明以本發明製程的第二、第三較佳實施例所制出的發光
二極體；圖14是一剖視示意圖，說明在本發明製程的一第三較佳實施例中，分別在多個孔 洞上設置多個遮蓋單元的情形；圖15是一剖視示意圖，說明利用所述遮蓋單元移除位於其上方的塊體的情形；圖16是一剖視示意圖，說明在本發明製程的一第四較佳實施例中，在一基板組合 體形成多個分別貫穿多條下電極部與一基板的孔洞的情形；圖17是一俯視示意圖，說明在該基板上沿一第一方向在每一孔洞二相反側分別 形成二個輔助穿孔的的情形；圖18是一剖視示意圖，說明在該第四較佳實施例中設置反射層後進行切割以形 成多個發光二極體的情形；圖19是一剖視示意圖，說明以本發明製程的第四較佳實施例所制出的發光二極體。
具體實施例方式本發明發光二極體的製程一第一較佳實施例，包含下列步驟參閱圖1、圖2與圖3，步驟301是提供一基板組合體30，該基板組合體30具有一 基板31、多條沿一第一方向I相間隔地設置在該基板31 —上表面311的上電極部321、多 條介於所述上電極部321間的上蝕刻部322、多條沿該第一方向I相間隔地設置在該基板 31 一下表面312的下電極部331、多條介於所述下電極部331間的下蝕刻部332、多個相間 隔且貫穿該基板31與所述上、下電極部321、331的孔洞340，所述孔洞340分別在所述上、 下電極部321、331界定形成多個上開口 320及多個下開口 330。本實施例中是利用黏膠在 該基板31的上、下表面311、312各貼附一層銅箔32、33，並以機械鑽孔形成貫穿該基板31 與所述銅箔32、33的孔洞340後，再分別對所述銅箔32、33進行蝕刻以形成所述含有孔洞 340的上、下電極部321、331與所述上、下蝕刻部322、332。步驟302是分別在界定出每一孔洞340的內周壁面341形成一與該基板組合體30 的上、下電極部321、331電連接的連接電極部351。在本實施例中，該連接電極部351為以 電鍍方式附著在該內周壁面341上的兩層電鍍層，分別是一鎳金屬層及形成於該鎳金屬層 上的金或銀金屬層。另外，為增加該上、下電極部321、331的導電性，可在形成該連接電極部351的同時，分別在該上、下電極部321、331電鍍上述兩層金屬鍍層。值得說明的是，如 果想要增加該上、下電極部321、331的導電性，但同時要節省電鍍材料的成本時，則可以在 對貼附在該基板31上、下表面311、312的銅箔32、33進行蝕刻時，同時沿一垂直於該第一 方向I的第二方向II增設如圖4所示的橫向的上、下蝕刻部322』、332』，如此，將可減少該 上、下電極部321、331的面積，達到節省電鍍材料成本的目的。參閱圖3，步驟303是形成多個分別封閉每一上電極部321的多上開口 320的阻隔 單元360，所述阻隔單元360各具有一封閉住所述上開口 320的第一阻隔層361，及一位於 該第一阻隔層361上且黏滯性小於該第一阻隔層361的黏滯性，及硬度大於該第一阻隔層 361的硬度的第二阻隔層362。在本實施例中，是以網板印刷方式分別形成所述第一、第二 阻隔層361、362，且所述第一阻隔層361為絕緣材質的綠漆，所述第二阻隔層362是由一選 自下列群組中的絕緣材質所製成環氧樹脂、矽氧樹脂及合成樹脂。步驟304是在位於每一條上蝕刻部322兩側的兩個上電極部321間，設置多個相 間隔的發光二極體晶片37，每一發光二極體晶片37分別以打線接合(wire bonding)與覆 晶(flip chip)的其中一種方式與所述上電極部321電連接。步驟305 是以射出成型(injection molding)與轉注成型(transfer molding) 其中一種方式，在該基板31的上表面311形成一包覆住所述發光二極體晶片37、所述上電 極部321、所述上蝕刻部322及所述第二阻隔層362且由環氧樹脂類或矽烷氧樹脂類的透明 材質製成的覆蓋層38。該覆蓋層38的外形若維持穩定不變形將有助於增進發光二極體芯 片37的發光效果。此外，該覆蓋層38也可以由摻雜螢光粉的透明材質製成，藉以改變發光 二極體晶片37所呈現的發光顏色。配合參閱圖5與圖6，步驟306是沿該第一、第二方向I、II切割該覆蓋層38以 形成多個突起的塊狀覆蓋體381，及多個圍繞所述覆蓋體381的溝槽382，並以射出成型與 轉注成型的其中一種方式，在所述溝槽382填滿可反射光線的材質以形成圍繞所述覆蓋體 381的反射層39。該反射層39並含有一選自下列群組中的物質二氧化鈦、二氧化矽及其 等的組合，藉此可達到較佳反射光線效果。步驟307是沿該第一方向I且經所述孔洞340切割該基板31，並沿該第二方向II 切割該基板31 (參照圖2)，以形成多個如圖7及圖8所示的發光二極體40。另外，如果依 上述圖4的蝕核模式即會形成如圖9所示的發光二極體40』。值得說明的是，在本實施例中，是沿如圖2所示的多條平行該第一方向I且經過所 述孔洞340的切割線i，與多條平行該第二方向II的切割線ii分別切割該基板31，因此， 在步驟307所製得的發光二極體40 (見圖7)是屬於正面發光型(top view)，但該製程的切 割方式並不以此為限。如果調整切割線ii，使其路徑通過所述孔洞340切割該基板31，配 合將所述上電極部321的面積放大設計用來供該發光二極體晶片37設置，及所述下電極部 322的面積縮小設計以節省電鍍材料成本，及如圖4所示增加或調整上述沿該第二方向II 的上、下蝕刻部322』、332』，並配合調整切割線進行切割，就能製得如圖10所示的側向發光 型(edge type)的發光二極體40，。參閱圖7與圖8，以下再針對經由上述製程所制出的發光二極體40的結構進行說 明。該發光二極體40包含一基材31、相間隔地設置於該基材31的一第一電極41、一第二 電極42、一分別與該第一、第二電極41、42電連接的發光二極體晶片37、兩分別設置在該第一、第二電極41、42上的阻隔單元360、一封蓋住該第一、第二電極41、42，所述阻隔單元360 及該發光二極體晶片37的覆蓋體381，及一圍繞該覆蓋體381設置在該基材31上的反射杯 391。該反射杯391即是由前述步驟307的反射層39 (見圖6)切割後形成。該基材31包括一上表面311、一下表面312，及相間隔地設置且分別連接於該上、 下表面311、312的一第一溝槽部342、一第二溝槽部343，所述溝槽部342、343即是由所述 孔洞340(見圖6)經步驟307切割後所形成。因此，每一溝槽部342、343各具有一形成於 該上表面311的上端缺口 ；344、；345。且所述上端缺口 344、345是由所述上開口 320(見圖 6)經步驟307切割後所形成。該第一電極41包括分別設置於該基材31的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331，及一設置在該第一溝槽部342且電連接該上、下電極部321、331的連 接電極部351。其中，該上電極部321可以只是銅箔，或由銅箔與沉積在銅箔上的金屬鍍層 形成以藉此進一步增加導電性。該第二電極42包括分別設置於該基材31的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331，及一設置在該第二溝槽部343且電連接該上、下電極部321、331的連 接電極部351。其中，該第一、第二電極41、42的連接電極部351為前述製程步驟302中所 形成的電鍍層。該發光二極體晶片37分別與該第一、第二電極41、42的上電極部321、321電連接。該阻隔單元360各包括分別設置於該第一、第二電極41、42的連接電極部351、351 且分別封住該第一、第二溝槽部；342、；343的上端缺口 344、345的一第一阻隔層361，及一形 成在該第一阻隔層361上且黏滯性小於該第一阻隔層361的黏滯性，及硬度大於該第一阻 隔層361的硬度的第二阻隔層362。所述阻隔單元360的第一、第二阻隔層361、362的材質 與該第一較佳實施例的製程所述相同。該覆蓋體381是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極41、42的上電極部 321、321、該上蝕刻部322、所述阻隔單元360，及該發光二極體晶片37。該反射杯391是由可反射光線的材質所製成，且是圍繞該覆蓋體381，並沿該基材 31的上表面311及所述阻隔單元360的第二阻隔層362設置。該覆蓋體381的材質與該反 射杯391中所含物質亦與該第一較佳實施例的製程所述相同。本發明發光二極體的製程一第二較佳實施例，則包含步驟401 步驟406。且其步 驟401與該第一較佳實施例的步驟301相同，故不再贅述。參閱圖11，步驟402是分別在所述孔洞340填入導電膠作為使所述上、下電極部 321,331電連接的連接電極部352。其中，該導電膠為摻雜導電粉末的環氧樹脂。步驟403與該第一較佳實施例的步驟304相同。參閱圖11，步驟404是以射出成型與轉注成型的其中一種方式，在該基板31的上 表面311形成一包覆住所述發光二極體晶片37、所述上電極部321、所述上蝕刻部322及所 述連接電極部352的覆蓋層38，該覆蓋層38的材質與該第一較佳實施例的步驟305所述者 相同。步驟405與該第一較佳實施例的步驟306相同。參閱圖12，步驟406是以如該第一較佳實施例的步驟307所述的方式切割該基板31，經切割後可形成多個如圖13所示的發光二極體50。本發明發光二極體的製程一第三較佳實施例包含步驟501 507。其中，步驟 501 503分別與該第二實施例的步驟401 403相同，故不再贅述。參閱圖4與圖14，步驟504是沿該第一方向I設置多個封閉所述上開口 320且可 移除的遮蓋單元363。其中，該遮蓋單元363可以是可撕除的幹膜，或可被移除的模具。在 本實施例中，該遮蓋單元363為幹膜，且該幹膜為具有黏膠層的銅箔或膠帶。步驟505是設置覆蓋層38，且方式與該第二較佳實施例的步驟404相同，故不再贅 述。配合圖15，步驟506是在該覆蓋層38未完全固化前，將該遮蓋單元363移除，同時 移除位於該遮蓋單元363上的塊體383，並沿該第二方向II切割該覆蓋層38以形成多個突 起的塊狀覆蓋體381及多個圍繞所述覆蓋體381的溝槽382，並在所述溝槽382填滿反射光 線的材質以分別形成圍繞所述覆蓋體381的反射層39(見圖1 。藉由使用可被移除或撕 除的遮蓋單元363就能減少切割次數達到快速形成覆蓋體381與溝槽382的目的。步驟507與步驟406相同，且經切割後，同樣可獲得如圖13所述的發光二極體50。參閱圖13，為經由第二、第三較佳實施例的製程所制出的發光二極體50，並包含 一基材31、相間隔地設置於該基材31的一第一電極51、一第二電極52、一分別與該第一、第 二電極51、52電連接的發光二極體晶片37、一封蓋住該第一、第二電極51、52及該發光二極 管晶片37的覆蓋體381，及一圍繞該覆蓋體381設置在該基材31上的反射杯391。配合圖11，該發光二極體50與經第一較佳實施例所制出的發光二極體40 (如圖7 所示)的主要差別為該發光二極體50由於在製造過程中是在所述孔洞340(見圖11)填 入導電膠，且藉由固化充填在所述孔洞340內的導電膠就能防止後續製程中的覆蓋層38的 原料流入孔洞中340，所以不需另外再設阻隔單元360(見圖7)。以下針對該發光二極體50與第一較佳實施例所制出的發光二極體40主要不同處 說明，其它相同結構部分不再贅述。該第一、第二電極51、52的連接電極部352、352是由該 第二、第三較佳實施例中的步驟402或步驟502的導電膠所製成，且同樣能藉由填滿該第 一、第二溝槽部342、343的設置方式達到電連接該第一、第二電極51、52的上電極部321、 321與下電極部331、331，及分別封住該第一、第二溝槽部342、343的上端缺口 344、345的 功能。本發明發光二極體的製程一第四較佳實施例，則包含下列步驟參閱圖16與圖17，步驟601是提供一基板組合體30』，該基板組合體30』具有一 基板31、多條沿一第一方向I相間隔地設置在該基板31 —下表面312的下電極部331、多 條介於所述下電極部331間的下蝕刻部332，及多個相間隔且貫穿該基板31與所述下電極 部331的孔洞340，所述孔洞340分別在該基板31上表面311、所述下電極331部界定形成 多個上開口 310及多個下開口 330。在本實施例中，是先在該下表面312利用黏膠貼附一層 銅箔33，並以機械鑽孔的方式形成所述貫穿該銅箔33與該基板31的孔洞340後，再對該銅 箔33蝕刻以形成所述含有孔洞340的下電極部331與下蝕刻部332。步驟602是沿該第一方向I在該基板31的上表面311設置多條相間隔且封閉所 述上開口 310的導電薄膜層611，並在所述導電薄膜層611間界定形成多條上間隔部612， 在本實施例中，是在該上表面311利用黏膠貼附多條相間隔的銅箔，以形成所述導電薄膜層 611。配合圖18，步驟603是沿該第一方向I在每一孔洞340兩相反側形成貫穿所述下 電極部331、基板31與導電薄膜層611的多個輔助穿孔620，並於每一個輔助穿孔620填滿 導電膠63以形成一輔助連接電極部621。該導電膠63為摻雜導電粉末的環氧樹脂。步驟604是對經步驟603處理的基板31進行電鍍，以分別在所述導電薄膜層611 上表面及所述輔助連接電極部621的上端面形成形成上電鍍層641，在所述下電極部331表 面及所述輔助連接電極部621的下端面形成下電鍍層642，以及在界定出所述孔洞340的內 周壁面341形成連接電鍍層643，該連接電鍍層643使該導電薄膜層611與該下電極部331 形成電連接。在本實施例中，進行電鍍後也會在所述導電薄膜層611位於所述孔洞340中 的內表面分別形成一電鍍層644。步驟605是在位於每一條上間隔部612兩側的兩個上電鍍層641間，設置多個相 間隔的發光二極體晶片37，每一發光二極體晶片37分別與所述上電鍍層641電連接。步驟606是以射出成型與轉注成型的其中一種方式在該基板31的上表面311形 成一包覆住所述發光二極體晶片37、所述上電鍍層641與所述上間隔部612且由透明材質 製成的覆蓋層38。該覆蓋層38的材質將與該第一較佳實施例的步驟305相同。步驟607是切割該覆蓋層38以形成多個突起的塊狀覆蓋體381及多個圍繞所述 覆蓋體381的溝槽382，並在所述溝槽382填滿可反射光線的材質以形成圍繞所述覆蓋體 381的反射層39。步驟608是沿該第一方向I且經所述孔洞340切割該基板31，並沿一垂直於該第 一方向I的第二方向II切割該基板31，以形成多個如圖21所示的發光二極體70。參閱圖19，為經由第四較佳實施例的製程所制出的發光二極體70，並包含一基材 31、相間隔地設置於該基材31的一第一電極71、一第二電極72、一分別與該第一、第二電極 71,72電連接的發光二極體晶片37、一封蓋住該第一、第二電極71、72及該發光二極體晶片 37的覆蓋體381，及一圍繞該覆蓋體381設置在該基材31上的反射杯391。該基材31包括一上表面311、一下表面312、相間隔地設置且分別連接於該上、下 表面311、312間的一第一溝槽部342及一第二溝槽部343，且每一溝槽部342、343各具有一 形成於該上表面311的上端缺口 ；344、；345。該第一電極71包括分別設置於該基材31的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331、一設置在該第一溝槽部342且電連接該上、下電極部321、331的連接 電極部353，及一與該連接電極部353相間隔設置，且穿設該基材31並電連接該上電極部 321與下電極部331的輔助連接電極部621。其中，該上電極部321是封蓋住該第一溝槽部 342的上端缺口 ；344。該第二電極72包括分別設置於該基材71的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331、一設置在該第二溝槽部343且電連接該上、下電極部321、331的連接 電極部353，及一與該連接電極部353相間隔設置且穿設該基材31並電連接該上電極部 321與下電極部331的輔助連接電極部621。其中，該上電極部321是封蓋住該第二溝槽部 343的上端缺口 345。在本實施例中，該第一、第二電極71、72的上電極部321為前述製程 步驟602中銅箔型式的導電薄膜層611與步驟604的上電鍍層641所配合形成，且該第一、 第二電極71、72的連接電極部353是由前述製程步驟604的連接電鍍層643(見圖18)所形成。該發光二極體晶片37分別與該第一、第二電極71、72的上電極部321、321電連 接。該覆蓋體381是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極71、72的上電極部321、 321、連接電極部353、353、該上蝕刻部322，及該發光二極體晶片37。該反射杯391是由可 反射光線的材質所製成，且是圍繞該覆蓋體381，並沿該基材31的上表面311及該第一、第 二電極71、72的上電極部321、321設置。該發光二極體70的第一、第二電極71、72除了透 過該連接電極部353、353電連接該上電極部321、321與下電極部331、331外，還能藉由該 輔助連接電極621、621確保該上、下電極部321、321、331、331始終獲得穩定的電連接，而使 該發光二極體70具有佳的使用質量與可靠度。歸納上述，本發明發光二極體40、40』、50、70及其製程，能夠獲致下述的功效及優 點，所以能達到本發明的目的一、本發明製程在該基板31形成孔洞340，並在孔洞340內設置連接電極部351、 352或連接電鍍層643就能藉此電連接上、下電極部321、331，進而使發光二極體40、50、70 能正常運作，再經所述孔洞340切割該基板31而形成多個發光二極體40、40』、50、70的方 式，可有效減少基板31廢料的產生，進而提升基板利用率與降低製造成本。二、本發明製程利用在該基板31形成孔洞340，並在孔洞340設置連接電極部 351,352或連接電鍍層643的設計，並藉由改變切割方式，可分別製成正向或側向的發光二 極管40、40』、50、70，使本發明製程具有容易因應產品型式調整製程彈性的優點。三、本發明製程藉由與該第一、第二溝槽部342、343連接的阻隔單元360、或該連 接電極部352、或導電薄膜層611封蓋住所述孔洞340的上開口 320、310，該覆蓋層38在封 蓋住所述上電極部321與所述發光二極體晶片37時，不會因所述孔洞340的空間而流入變 形，進而影響發光二極體的功能。四、在該發光二極體的製程的第四較佳實施例中，還藉由先形成貫穿的孔洞340 再設置導電薄膜層611的製程順序，由於直接形成貫穿的孔洞340而不必考慮鑽孔深度，因 此能以簡單的機械鑽孔達到相同的結果，藉此能簡化製程並提高製造效率。以上所述，僅為本發明的較佳實施例，不能以此限定本發明實施的範圍，即凡依本 發明申請專利範圍及發明說明內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋 的範圍。
權利要求
1.一種發光二極體的製程；其特徵在於該製程包含下列步驟一、提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多條沿一第一方向相間隔地設置 在該基板的一個上表面的上電極部、多條介於所述上電極部間的上蝕刻部、多條沿該第一 方向相間隔地設置在該基板的一個下表面的下電極部、多條介於所述下電極部間的下蝕刻 部，及多個相間隔且貫穿該基板與所述上、下電極部的孔洞，所述孔洞分別在所述上、下電 極部界定形成多個上開口及多個下開口；二、分別在界定出每一孔洞的內周壁面，形成一與該基板組合體的上、下電極部電連接 的連接電極部；三、形成多個分別封閉每一上電極部的多個上開口的阻隔單元；四、在位於每一條上蝕刻部兩側的兩上電極部間，設置多個相間隔的發光二極體晶片， 每一發光二極體晶片分別與所述上電極部電連接；五、在該基板的上表面形成一包覆住所述發光二極體晶片、所述上電極部與所述上蝕 刻部與所述第二阻隔層且由透明材質製成的覆蓋層；及六、沿該第一方向且經所述孔洞切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切 割該基板，以形成多個發光二極體。
2.如權利要求1所述的發光二極體的製程，其特徵在於在步驟三中，所述阻隔單元各 具有一封閉住所述上開口的第一阻隔層，及一位於該第一阻隔層上的第二阻隔層，且所述 第二阻隔層的黏滯性是小於所述第一阻隔層的黏滯性，其硬度則大於所述第一阻隔層的硬 度，其中所述第一阻隔層為綠漆，而所述第二阻隔層是由一選自下列群組中的材質所製成 環氧樹脂、矽氧樹脂及合成樹脂。
3.如權利要求1所述的發光二極體的製程，其特徵在於該製程還包含一在步驟五以 後的步驟五-1，在步驟五-1中，是切割該覆蓋層以形成多個突起的塊狀覆蓋體及多個圍 繞所述覆蓋體的溝槽，並在所述溝槽填滿可反射光線的材質以形成圍繞所述覆蓋體的反射 層，而該反射層含有一選自下列群組中的物質二氧化鈦、二氧化矽及其等的組合。
4.一種發光二極體的製程；其特徵在於該製程包含下列步驟一、提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多條沿一第一方向相間隔地設置 在該基板的一個上表面的上電極部、多條介於所述上電極部間的上蝕刻部、多條沿該第一 方向相間隔地設置在該基板的一個下表面的下電極部、多條介於所述下電極部間的下蝕刻 部，及多個相間隔且貫穿該基板與所述上、下電極部的孔洞，所述孔洞分別在所述上、下電 極部界定形成多個上開口及多個下開口；二、分別在所述孔洞填入導電膠作為使所述上、下電極部電連接的連接電極部；三、在位於每一條上蝕刻部兩側的兩個上電極部間，設置多個相間隔的發光二極體芯 片，每一發光二極體晶片分別與所述上電極部電連接；四、在該基板的上表面形成一包覆住所述發光二極體晶片、所述上電極部、所述上蝕刻 部與所述連接電極部且由透明材質製成的覆蓋層；及五、沿該第一方向且經所述孔洞切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切 割該基板，以形成多個發光二極體。
5.如權利要求4所述的發光二極體的製程，其特徵在於該製程還包含一在該步驟三 以後的步驟三-1，步驟三-1是沿該第一方向設置多個封閉所述上開口且可移除的遮蓋單元，所述遮蓋單元為可撕除的幹膜或可移除的模具。
6.一種發光二極體的製程；其特徵在於該製程包含下列步驟一、提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多條沿一第一方向相間隔地設置在 該基板的一個下表面的下電極部、多條介於所述下電極部間的下蝕刻部，及多個相間隔且 貫穿該基板與所述下電極部的孔洞，所述孔洞分別在該基板上表面、所述下電極部界定形 成多個上開口及多個下開口；二、沿該第一方向在該基板的上表面設置多條相間隔且封閉所述上開口並當作上電極 部的導電薄膜層，並在所述導電薄膜層間界定形成多條上間隔部；三、對經步驟二處理的基板進行電鍍，以分別在所述導電薄膜層表面形成上電鍍層，在 所述下電極部表面形成下電鍍層，以及在界定出所述孔洞的內周壁面形成連接電鍍層，該 連接電鍍層使該導電薄膜層與該下電極部形成電連接；四、在位於每一條上間隔部兩側的兩個上電鍍層間，設置多個相間隔的發光二極體芯 片，每一發光二極體晶片分別與所述上電鍍層電連接；五、在該基板的上表面形成一包覆住所述發光二極體晶片、所述上電鍍層與所述上間 隔部且由透明材質製成的覆蓋層；及六、沿該第一方向且經所述孔洞切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切 割該基板，以形成多個發光二極體。
7.如權利要求6所述的發光二極體的製程，其特徵在於該製程還包含一在該步驟二 以後的步驟二 -1，在步驟二 -1，是沿該第一方向在每一孔洞兩相反側形成貫穿所述下電極 部、基板、導電薄膜層的多個輔助穿孔，並於每一個輔助穿孔填滿導電膠。
8.一種發光二極體，包含一個基材、分別設置在該基材上的一個第一電極、一個第二 電極、一個與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片、兩個分別對應該第一、第二電極 設置的阻隔單元，及一個封蓋該第一、第二電極、所述阻隔單元與該發光二極體晶片的覆蓋 體；其特徵在於該基材包括一個上表面、一個下表面，及相間隔地設置且分別連接於該上、下表面的一 第一溝槽部、一第二溝槽部，且每一個溝槽部各具有一形成於該上表面的上端缺口 ；該第一電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一個上電極部、一個下電極部，及一 個設置在該第一溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部；該第二電極與該第一電極相間隔，包括分別設置於該基材的上、下表面的一個上電極 部、一個下電極部，及一個設置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部；該發光二極體晶片分別與該第一、第二電極的上電極部電連接；所述阻隔單元分別設置於該第一、第二電極的連接電極部且分別封住該第一、第二溝 槽部的上端缺口 ；及該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、所述阻隔單元及 該發光二極體晶片。
9.一種發光二極體，包含一個基材、分別設置在該基材上的一個第一電極、一個第二電 極、一個與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片，及一個封蓋該第一、第二電極與該 發光二極體晶片的覆蓋體；其特徵在於該基材包括一個上表面、一個下表面，及相間隔地設置且分別連接於該上、下表面間的一個第一溝槽部、一個第二溝槽部，且每一個溝槽部各具有一形成於上表面的上端缺口 ；該第一電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一個上電極部、一個下電極部，及一 個填滿該第一溝槽部並電連接該上、下電極部且封住該上端缺口的連接電極部，其中，該連 接電極部為固態導電膠；該第二電極與該第一電極相間隔，包括分別設置於該基材的上、下表面的一個上電極 部、一個下電極部，及一個填滿該第二溝槽部並電連接該上、下電極部且封住該上端缺口的 連接電極部，其中，該連接電極部為固態導電膠；該發光二極體晶片分別與該第一、第二電極的上電極部電連接；及 該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、所述連接電極部 及該發光二極體晶片。
10. 一種發光二極體，包含一個基材、分別設置在該基材上的一個第一電極、一個第二 電極、一個與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片，及一個封蓋該第一、第二電極與 該發光二極體晶片的覆蓋體；其特徵在於該基材包括一個上表面、一個下表面、相間隔地設置且分別連接於該上、下表面間的 一個第一溝槽部及一個第二溝槽部，且每一個溝槽部各具有一個形成於該上表面的上端缺 Π ；該第一電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一個上電極部、一個下電極部、一個 設置在該第一溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部，及一個與該連接電極部相間 隔設置，且穿設該基材並電連接該上電極部與下電極部的輔助連接電極部，其中，該上電極 部是封蓋住該第一溝槽部的上端缺口；該第二電極與該第一電極相間隔，包括分別設置於該基材的上、下表面的一個上電極 部、一個下電極部、一個設置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部，及一 個與該連接電極部相間隔設置且穿設該基材並電連接該上電極部與下電極部的輔助連接 電極部，其中，該上電極是封蓋住該第二溝槽部的上端缺口 ；該發光二極體晶片分別與該第一、第二電極的上電極部電連接；及 該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、連接電極部，及 該發光二極體晶片。
全文摘要
一種發光二極體及其製程，包含下列步驟提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、分別設置在該基板上、下表面的多條上、下電極部、分別介於所述上、下電極部間的多條上、下蝕刻部、多個相間隔且貫穿該基板與所述上、下電極部的孔洞，及多個分別在界定出每一孔洞的內周壁面設置的連接電極部。接著，形成多個分別封閉每一上電極部的多上開口的阻隔單元，最後在兩上電極部間設置發光二極體晶片並形成一覆蓋層，經切割後就製得發光二極體。透過該製程可提升基板利用率，並能進行兩次成型而增進發光二極體發光強度。
文檔編號H01L33/62GK102074639SQ20091022386
公開日2011年5月25日 申請日期2009年11月24日 優先權日2009年11月24日
發明者張超雄, 曾文良, 林升柏 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司