防止帶電膜、電子發生裝置、隔板及圖像顯示裝置的製作方法

2023-06-04 05:41:36

專利名稱：：防止帶電膜、電子發生裝置、隔板及圖像顯示裝置的製作方法
技術領域：
：本發明涉及圖像顯示裝置等電子發生裝置的、被設置在內置電子源的氣密容器內的防止帶電膜，以及使用它的隔板及圖像顯示裝置。
背景技術：
：在使用電子發射元件的平面顯示器中，如特開平10-284286號>報所示，為了將其內部保持為高真空，採用被稱為隔板或肋的抗大氣壓結構支撐體——隔板。圖7是使用了多個電子發射元件的圖像形成裝置的剖面示意圖。101是背板，102是側壁，103是前面板，由背板101、側壁102、前面板103形成氣密容器。作為氣密容器的抗大氣壓結構支撐體的隔板107b，設有低電阻膜IIO，通過導電性熔接物108與布線109連接。電子發射元件104形成在背板101上，螢光體105和金屬敷層106形成在前面板上。設置金屬敷層106的目的在於將螢光體105發出的一部分光進行鏡面反射而提高光利用率，保護螢光體105避免負離子的轟擊，作為用於施加電子束加速電壓的電極而起作用，以及作為激勵螢光體105的電子的導電路徑而起作用等。隔板107a呈現隔板的帶電狀態，通過被從附近的電子源發射的一部分電子碰撞而呈現出引起帶電(圖中，帶正電)的狀況。再有，隔板107a在沒有設置防止帶電膜112的情況下呈現隔板的帶電狀態，低電阻膜的厚度在圖示的情況下，比與隔板107b的防止帶電膜112連接的低電阻膜110厚。如果這樣的隔板107a帶正電，則從作為電子源的電子發射元件104發射的電子，例如電子軌跡llla那樣，被拉引到隔板側，結果會損害顯示圖像的質量。為了解決這種問題，提出了以下方案在隔板107b上設置防止帶電膜112，通過流過微小電流而進行除電，如電子軌跡lllb那樣，描繪規定的軌跡而不使電子被拉引到隔板上。此外，如特開2001-143620號公報所示那樣，提出以下方案通過在隔板玻璃基板表面上設置凹凸，與隔板表面是平滑的情況相比，減小有效的二次電子發射係數，高效地抑制隔板表面的帶電。而且，在特開平10-284283號公報中，提出了以下方案使用鋁靶和貴金屬靶，作為成膜時使用的氣體，使用氬和氮或氧的混合氣體，以二元同時濺射方式，形成被覆蓋了具有氮化鋁或氧化鋁和金、鈀、鉑等貴金屬的帶電緩和膜的隔板。但是，在上述以往例所示的隔板中，在除去帶電的功能上產生性能差的偏差是十分明顯的。特別是在隔板上形成了穩定分布的情況下，因防止帶電膜的電阻溫度特性，在電阻率上產生分布。這種電阻率的分布成為除電功能的偏差的主要因素。具體地說，在平面顯示器面板中，因前面板和背板的溫度差引起的面板內的溫度分布，發生顯示圖像的擾動。此外，在通過對多個不同材料粑同時進行濺射(例如使用兩種材料的二元濺射)，將具有多個元素組成的防止帶電膜進行成膜的現有的方法中，即使使成膜條件(背景、濺射壓力、氣體流量、靶投入功率)相同，有時在每批成膜中防止帶電膜的電阻率上也產生偏差。為了使電阻率一致，需要分別調整向不同的材料靶供給的靶投入功率，不用說，這種調整是繁雜的並且再現性也不一定高。特別是在二元濺射中，在各個靶投入功率上存在很大的差別的情況下，在投入功率小的靶材料表面上積存投入功率大的乾材料，不可避免引起所謂的交叉汙染。
發明內容本發明的目的在於提供一種在電阻值的控制性、穩定性和再現性上出色、其電阻溫度特性良好的防止帶電膜。本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，其特徵在於，具有將粒徑為0.5~10nm的多個導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個導體粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.5~10nm的多個半導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.5~10nm的多個半導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個半導體粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介質中的結構。作為上述介質，表示分散配置於膜內的粒徑為0.5~10nm的粒子以外的部分。此夕卜，本發明提供一種電子發生裝置，在氣密容器中包括電子源，且具備上述的任何一種防止帶電膜。此外，本發明提供一種圖像顯示裝置，包括氣密容器，具有配置了電子源的第l基板、面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板；以及隔板，配置在所述氣密容器內的所述第1基板和所述第2基板之間，在所述隔板的表面上配置了上述任何一項所述的防止帶電膜。此外，本發明提供一種隔板，配置在圖像顯示裝置的第l基板和第2基板之間，所述圖像顯示裝置包括氣密容器，所述氣密容器具有配置了電子源的所述第l基板；以及面對所述電子源配置了圖像顯示構件的所述第2基板，在該隔板的表面上，具有上述任何一項所述的防止帶電膜。圖1是通過TEM(透射式電子顯微鏡)觀察本發明的防止帶電膜的剖面形狀的示意圖。圖2是將本發明的圖像顯示裝置的顯示板的一部分剖開顯示的立體圖。圖3是設置本發明的靶、並為了在隔板基材上賦予防止帶電膜而使用的高頻濺射裝置的結構圖。圖4是表示本發明的Pt-Al混合物氮化膜的電阻率和濺射氣體總壓力的關係圖。圖5是表示本發明的Pt-A1N混合物氮化膜的電阻率和濺射氣體總壓力的關係圖。圖6是表示本發明的Pt-Al混合物氮化膜的電阻率偏差的圖。圖7是使用了用於說明本發明的隔板的帶電機理的電子發射元件的圖像形成裝置的剖面示意圖。圖8是說明本發明的作為隔板的影響造成的圖像擾動而發現的光束移動量AL的圖。具體實施例方式本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.5~10nm的多個導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個導體粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介質中的結構。此外，所述導體粒子最好是貴金屬粒子。此外，所述導體粒子是鉑粒子，氮化物是氮化鋁較好。此外，所述導體粒子是鉑粒子，氧化物是氧化鋁較好。此外，所述導體粒子是鉑粒子，氮化物是氮化鋁，氧化物是氧化鋁較好。此外，所述導體粒子是金粒子，氮化物是氮化鋁較好。此外，所述導體粒子是金粒子，氧化物是氧化鋁較好。此外，所述導體粒子是金粒子，氮化物是氮化鋁，氧化物是氧化鋁較好。此外，所述導體粒子是銀粒子，氮化物是氮化鋁較好。此外，所述導體粒子是銀粒子，氧化物是氧化鋁較好。此外，所述導體粒子是銀粒子，氮化物是氮化鋁，氧化物是氧化鋁較好。此外，所述導體的含量為0.110原子％較好。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個半導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.5~10nm的多個半導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。此外，本發明提供一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑0.5~10nm的多個半導體粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介質中的結構。此外，所述半導體粒子是鍺粒子，氮化物是氮化矽較好。此外，所述半導體粒子是鍺粒子，氧化物是氧化矽較好。此外，所述半導體粒子是鍺粒子，氮化物是氮化矽，氧化物是氧化矽較好。此外，所述半導體的含量為0.1~10原子％較好。此外，在上述任何一項的防止帶電膜中，所述粒徑為19nm，而且，其電阻率p^xl04lxl0"Qcm較好。此外，本發明提供一種電子發生裝置，在氣密容器內具有電子源，其特徵在於，在所述氣密容器內包括權利要求1~20任何一項所述的防止帶電膜。此外，本發明提供一種圖像顯示裝置，包括氣密容器，具有配置了電子源的第l基板、面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板；以及隔板，配置在所述氣密容器內的所述第l基板和所述第2基板之間，其特徵在於，在所述隔板的表面上配置了上述任何一項所述的防止帶電膜。此外，本發明提供一種隔板，配置在圖像顯示裝置的第l基板和第2基板之間，所述圖像顯示裝置包括氣密容器，所述氣密容器具有配置了電子源的所述第l基板；以及面對所述電子源配置了圖像顯示構件的所述第2基板，其特徵在於，在該隔板的表面上，具有上述任何一項所述的防止帶電膜。以上所述的本發明的防止帶電膜，溫度造成的電阻率的變化小，特別是在將該防止帶電膜設置在圖像顯示裝置的隔板表面上的方式中，具有將上述第l基板和第2基板的溫度差引起的氣密容器內的溫度分布為原因產生的顯示圖像的擾動抑制得小的效果。而且，本發明提供一種鋁和鉑的混合物靶，其特徵在於，所述混合物靶用於以濺射法來形成含有鋁和鉑的防止帶電膜，包含不低於95重量％的鋁和鉑。此外，本發明提供一種氮化鋁和鉑的混合物靶，其特徵在於，所述混合物把用於以濺射法來形成含有鋁和鉑的防止帶電膜，包含不低於95重量％的鋁和鉑。而且，本發明提供一種防止帶電膜的製造方法，用於製造含有鋁和鉬的防止帶電膜，其特徵在於，對所述混合物靶在只有氮的氣氛中進行濺射。此外，本發明提供一種防止帶電膜的製造方法，用於製造含有鋁和鉑的防止帶電膜，其特徵在於，對所述混合物靶在只有氧的氣氛中進行濺射。此外，本發明提供一種防止帶電膜的製造方法，用於製造含有鋁和鉑的防止帶電膜，其特徵在於，對所述混合物靶在氮和氧的氣氛中進行濺射。本發明的靶，如上述那樣，特別是可以適用於作為電子束鍍敷裝置和濺射裝置等的PVD(物理汽相澱積)裝置等的靶。作為PVD(物理汽相澱積)裝置的靶，只要採用本發明的靶，則可以製作再現性好、電阻值的控制性上出色、其電阻溫度特性優良的電阻膜。此外，在本發明的防止帶電膜的製造方法中，與二元同時濺射相比，具有其電阻率的偏差小，膜特性(電阻率)的再現性好的效果。首先，本發明的防止帶電膜，如通過TEM(透射式電子顯微鏡)觀察其剖面形狀時的示意圖的圖1所示，是具有將平均粒徑為0.5~10nm的多個粒子1分散配置在介質2中的結構。這裡，平均粒徑通過從圖l那樣的剖面形狀的觀察中計算20個粒子的粒徑的平均值而得到。只要平均粒徑大於等於0.5nm，更好是大於等於lnm，則可以形成電阻溫度特性良好的電阻膜。即，可以形成溫度變化造成的電阻的變化量小的電阻膜。因此，在將配有這種電阻膜作為防止帶電膜的隔板用於圖像顯示裝置的情況下，可以減小隔板造成的圖像的擾動。此外，在電阻率可以提高到大於等於lxl06Qcm方面，期望上述平均粒徑小於等於10nm，更好是小於等於9nm。如上所述，上述電阻膜被配置在內置電子源、並且伴隨有溫度變化的氣密容器內，可作為用於防止該氣密容器的帶電的電阻膜，即，可以較好地用作防止帶電膜。以下，說明本發明的實施方式。首先，第1實施方式是電阻膜，該電阻膜具有將粒徑為0.510nm的多個導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。笫2實施方式是電阻膜，該電阻膜具有將粒徑為0.5~10nm的多個導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。第3實施方式是電阻膜，該電阻膜具有將粒徑為0.510nm的多個導體粒子分散配置在包含氧化物和氮化物的介質中的結構。在以上所述的各實施方式中，所述導體是鉑、金、銀等金屬較好，即使在這些金屬之中，從電阻值的穩定性、控制性來看，鉑、金更好。而作為所述氮化物，氮化鋁、氮化鍺、氮化矽、氮化鎂等較好，即使在它們之中，從電阻值的穩定性、控制性來看，氮化鋁更好。此外，作為所述氧化物，氧化鋁、氧化鍺、氧化矽、氧化鎂等較好，從電阻值的穩定性、控制性來看，氧化鋁更好。此外，考慮到電阻值的穩定性和控制性以及電阻適宜的溫度特其次，第4實施方式是電阻膜，該電阻膜具有將粒徑為0.5~10nm的多個半導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。第5實施方式是電阻膜，該電阻膜具有將粒徑為0.510nm的多個半導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。第6實施方式是電阻膜，該電阻膜具有將粒徑為0.510nm的多個半導體粒子分散配置在包含氧化物和氮化物的介質中的結構。在以上所述的第4、第5、第6實施方式中，所述半導體是鍺、矽等較好，即使在這些半導體之中，從電阻值的穩定性、控制性來看，鍺更好。而作為所述氮化物，氮化鋁、氮化鍺、氮化矽、氮化鎂等較好，即使在它們之中，從電阻值的穩定性、控制性來看，氮化矽更好。此外，作為所述氧化物，氧化鋁、氧化鍺、氧化矽、氧化鎂等較好，從電阻值的穩定性、控制性來看，氧化矽更好。此外，考慮到電阻值的穩定性和控制性以及電阻適宜的溫度特性，包含氮化物和氧化物的上述介質特別推薦矽氮化物/氧化物。此外，在將以上所述的第1~第6的各實施方式的電阻膜作為防止帶電膜用在包括氣密容器的圖像顯示裝置的第l基板和第2基板之間配置的隔板的表面上的情況下，尤其在電子發生裝置之中，其電阻率p-lxlO、lxlO"Qcm較好，上述各電阻膜的導體或半導體的含量為0.1~10原子％較好，所述氣密容器具有配置了電子源的所述第1基板、以及面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板。以下，說明用於獲得上述電阻膜的方法。為了獲得上述電阻膜，(1)至少將構成導體粒子或半導體粒子的成分與構成氮化物或氧化物的被氮化或氧化的成分進行混合，採用混合靶的濺射法的成膜較好，而且，(2)濺射時的氣氛是氮分壓大於等於70%的氮氣氣氛或氧分壓大於等於70%的氧氣氣氛較好。當然，只要在所述分壓範圍內，形成混合氣體氣氛也可以。此外，作為混合氣體氣氛，是氮和氧的混合氣體氣氛更好，這種情況下，期望進行控制，以使氮和氧達到大於等於70%的分壓。在以上所述的(1)和(2)的條件下，通過適當改變混合靶的成分組成和組成比率、濺射成膜時的氣體種類、濺射壓力、投入功率，可以使粒徑在0.5~10nm的範圍內變化，通過合適的電子發生裝置，可以獲得被控制在較好的電阻範圍內的電阻膜。以下，說明將上述實施方式的電阻膜應用於成膜的濺射裝置。(濺射裝置)圖3表示本實施方式中使用的高頻濺射裝置的結構。說明使用該裝置對上述電阻膜進行成膜的工序的概要。首先，將基板201裝栽在成膜託架202上，並放入預備排氣室203。使用真空泵204，在將預備排氣室排氣至不高於5xlO"[Pa的真空度之後，通過運送滾輪205將成膜託架202移動到成膜室206。這裡，將成膜室206排氣至不高於2xlO-s[Pa的真空度。在確認了真空度達到之後，由氣體導入管207流入規定量的氮氣、氧氣、氮和氬的混合氣體、氧和氬的混合氣體、或氮和氧的混合氣體。此外，對節流口(未圖示)進行調整，以使濺射總壓力達到規定的壓力。在氣氛(濺射氣體總壓力、氣體流量)穩定之後，高頻電源208投入規定的功率。為了遍及基板201整個面進行電阻膜的成膜，在濺射放電開始之後，通過運送滾輪205將成膜託架202以5mm/min的速度、橫切混合物靶209的正下方那樣向圖中箭頭方向運送。基板和混合物靶的距離為200mm。這裡，施加在混合物靶209上的直流高電壓通過高頻電源208來調整，以抑制隨著基板運送產生的變動。基板的運送方向不限定於單方向，也可以是一次往復運送或多次往復運送。此外，也可以根據裝置的結構，通過使基板在乾正下方進行旋轉運動，進行遍及整個面的成膜。用以上的工序在基板上可形成電阻膜。此外，在基板的兩面上形成電阻膜的情況下，在將表面(第1面)成膜後，將成膜託架202返回到預備排氣室203,取出基板201。接著，在將基板201進行正反反轉後，與表面(第l面)同樣，在背面(第2面)上進行上述電阻膜的成膜。作為在表面(第1面)和背面(第2面)的各面上賦予了電阻膜的結構，可以是具有期望的膜厚的單層膜，也可以是用改變了混合物的組成濃度的多個靶製作的具有多層結構的多層膜。以下，說明在上述濺射裝置中使用的混合靶。(混合物靶製作方法)這裡，論述上述混合燒結體靶的製作方法。1)混合首先,根據各種組成濃度比，將進行了檢量的上述各成分的粉末進行混合。例如，將Pt和Al、或Pt和A1N的粉末進行混合。混合裝置沒有特別限定，用球磨機等進行就可以。混合在氮氣或Ar氣等的非氧化氣氛中進行。混合後，也可以按照需要，根據種類進行分級。2)偽燒制將這種混合粉末在氮氣和Ar氣等的惰性氣體氣氛中或真空中進行偽燒制。此外，也可以在氫等的還原氣氛中進行偽燒制。優選地以800~1500°C進行加熱，並進行偽燒制。3)粉碎對這樣得到的固態物進行粉碎。粉碎裝置沒有特別限定，用球磨機等進行就可以。粉碎在氮氣和Ar氣等的非氧化氣氛中進行。粉碎後，也可以按照需要，根據種類等進行分級。4)本體燒制通過將粉碎獲得的混合粉末在氮氣和Ar氣等的惰性氣體氣氛中或真空中加壓燒制，來獲得燒結體。也可以在氫等的還原氣體氣氛中進行加壓燒制。就加壓燒制來說，採用熱壓法較好。以在濺射中備置、達到規定的板厚度和形狀來成形，優選地經由在12MPa的壓力下以8001500。C進行加熱的本體燒制工序而形成混合物燒結體乾。(混合物溶融合金靶製作方法)這裡，論述混合物溶融合金耙的製作方法。首先，根據各種組成濃度比，將進行了重量檢測的上述各成分的原材料進行混合。例如，將Pt和Al、或Pt和A1N的原材料進行混合，用溶解爐進行溶解。溶解方法沒有特別限定，但為了防止混入大氣中的雜質等，期望在真空中進行。2)冷卻對上述溶融混合物進行調整並降低溫度，以使其不產生組成偏析。3)鍛造壓延對這樣獲得的固態物進行加熱並進行鍛造壓延。填補冷卻時產生的氣孔(=空隙)，使溶解偏差和密度偏差均勻化。4)燒制通過將由上述工序獲得的固態物在Ar氣等的惰性氣體氣氛中或真空中進行加壓燒制，獲得Pt-Al或Pt-A1N混合物溶融合金。也可以在氫等的還原氣體氣氛中進行加壓燒制。就加壓燒制來說，採用熱壓法較好。以在濺射中備置、達到規定的板厚度和形狀來成形，形成混合物溶融合金耙。如上迷那樣，例如，可以形成含有不低於95重量％的鋁和鉑的鋁和4自的混合物靼，或形成含有不低於95重量％的鋁和鉑的氮化鋁和柏的混合物靼。下面，說明將形成了上述電阻膜的基板作為隔板，插入了該隔板的圖像顯示裝置的整體結構。(板結構)圖2是本實施方式的圖像顯示裝置的顯示板的立體圖，切開表示用於表示內部結構的板的一部分。圖中，915是背板(背面板)，916是側壁，917是面板(前面板)，由背板915、側壁916、面板917形成用於將顯示板的內部維持真空的氣密容器。在組裝氣密容器時，需要對各構件的接合部進行密封，以保持足夠的強度和氣密性，例如在接合部塗敷熔接玻璃，在大氣或氮氣氛中，通過在400500°C下燒制不低於10分鐘而實現密封。有關將氣密容器內部排氣到真空的方法後面論述。此外，由於將上述氣密容器的內部保持為10"Pa]左右的真空，所以在防止大氣壓或意外的沖擊等造成的氣密容器的損壞的目的下，作為抗大氣壓結構，設有隔板920。作為該隔板，使用具有上述的、在進行成膜時採用由各種組成濃度比構成的混合物靶而製作的防止帶電膜的基板。在背板915中，基板911被固定，但在基板911上形成NxM個表面傳導型電子發射元件912。這裡，N、M是不低於2的正整數，根據作為目標的顯示像素數而被適當設定。例如，在以高質量電視的顯示作為目標的顯示裝置中，期望至少設定成N=3000、M==1000。在本實施方式中，N=3072、M=1024。所述NxM個的表面傳導性電子發射元件通過M條行方向布線913和N條列方向布線914被簡單矩陣布線。將由基板911、表面傳導型電子發射元件912、行方向布線913、列方向布線914構成的部分稱為電子源基板。此外，在面板917的下面，形成螢光膜918。然後，在螢光膜918的背板側的面上，設置在CRT領域中公知的金屬敷層919。此外，DxlDxm和DylDyn及Hv是用於將該顯示板和未圖示的電路進行電連接而設置的氣密結構的電連接端子。DxlDxm與表面傳導型電子發射元件的行方向布線913電連接，DylDyn與表面傳導型電子發射元件的列方向布線914電連接，Hv與面板的金屬敷層(金屬膜)919電連接。此外，就將氣密容器內部排氣至真空而言，在將氣密容器組裝後，將排氣管和真空泵連接，並對氣密容器內進行排氣直至不高於l(TSPa的真空度。然後，將排氣管密封，但為了維持氣密容器內的真空度，在密封之前或密封后，在氣密容器內的規定的位置形成吸氣劑膜(未圖示)。吸氣劑膜例如是將以Ba為主要成分的吸氣劑材料通過加熱器或高頻加熱進行加熱鍍敷而形成的膜，通過該吸氣劑膜的吸附作用，將氣密容器內維持lxlO-s至lxlO,Pa]的真空度。採用了以上說明的顯示板的圖像顯示裝置，在通過容器外端子Dxl至Dxm、Dyl至Dyn在各表面傳導型電子發射元件912上施加電壓時，從各表面傳導型電子發射元件912發射電子。與此同時，在金屬敷層(金屬膜)919上通過容器外端子Hv而施加數百[V至數[kV的高壓，從而加速上述發射的電子，轟擊面板917的內表面。由此，形成了螢光層918的各色螢光體被激勵而發光，並顯示圖像。通常，對本發明的表面傳導型電子發射元件912的施加電壓為1216[V]左右，金屬敷層(金屬膜)919和表面傳導型電子發射元件912的距離d為0.1[mm]至8[mm]左右，金屬敷層(金屬膜)919和表面傳導型電子發射元件912間的電壓為0.1[kV至1kV左右。在以上的說明中，說明了圖像顯示裝置和其使用的作為支撐結構體的、具有表面上形成了電阻膜(防止帶電膜)的隔板，但根據本發明的思想，不限於圖像顯示裝置，也可以用作由感光鼓和發光二極體等構成的光印表機的發光二極體等的替代發光源。此時，通過適當選擇上述m條行方向布線和n條列方向布線，不僅可用作線狀發光源，而且也可用作二維狀的發光源。這種情況下，作為電子的被照射體，不限於螢光體那樣的直接發光的物質，也可以採用通過電子的帶電而形成潛像圖像那樣的構件。此外，根據本發明的思想，例如，如電子顯微鏡那樣，對於來自電子源的發射電子的被照射體為螢光體等的圖像形成構件以外的情況，本發明還可以用作電子發生裝置。(圖像的評價方法)將本發明的電阻膜作為防止帶電膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作使用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。如圖8所示，如果隔板801的除電能力不充分，則電子束的軌道產生擾動，應以等間隔顯示的點亮像素的位置產生移動。將原來的電子束位置802的間隔L作為1L，將電子束因隔板而移動的情況下成為與803的差分的移動量用AL表示。將顯示裝置設置在十分明亮的室內，對50名成人男女的被測者實施從距板面lm的場所通過目視進行顯示圖像的評價。按'看不見，、'留意可看見，、'可看見，三個級別來評價電子束的移動造成的圖像的擾動，並求與電子束的移動量AL的關係。過半數的被測者回答為'看不見，的移動量AL-00.01L,回答為'留意可看到，的移動量AL=0.010.03L，回答為'可看到，的移動量AL=0.1L或以上。表l中示出評價結果。本發明的電阻膜的性能評價，以將具備該電阻膜的隔板設置在顯示裝置中，測量該隔板的影響造成的電子束移動量AL的圖像評價來進行。[表1tableseeoriginaldocumentpage20[實施例以下，說明本發明的具體實施例。再有，原子％表示單原子的原子個數的比例，Pt/Al重量比按(Pt的原子。/。xPt的原子量)/(Al的原子"/。xAl的原子量)來計算。(實施例1)Pt-5原子Y。Pt-Al溶融合金混合以組成比Pt:5原子ro、Al:95原子。/o進行了檢量的Pt和Al原材料。將該混合物用真空溶解爐進行溶解並製作合金。冷卻後，通過進行鍛造壓延而形成組成分布更均勻的合金。將該溶融合金在真空中加壓燒制，作為濺射靶進行成形，以使其達到規定的板厚度和形狀，形成Pt-Al溶融合金混合物乾。該Pt-Al溶融合金的密度為3.6g/cm3。作為圖3所示的高頻濺射裝置的靶，設置該Pt-Al溶融合金，固定100sccm的N2流量，使總壓力變化，進行Pt-Al混合物氮化膜的成膜。獲得的Pt-Al混合物氮化膜的電阻率如圖4所示。在對這樣製作的Pt-Al混合物氮化膜採用RBS(盧瑟福背向散射)法進行組成分析時，其組成如表2那樣。而且Pt-Al混合物氮化膜的密度為3.5g/cm3。tableseeoriginaldocumentpage34使用調整了組成濃度比的直徑<))為8英寸的Pt-Si混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種*氮/氬混合氣體*氮氣*氧氣*氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa,對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的鉑粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作釆用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl4lxl0"ncm、鉑粒徑在0.5~10nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3Y。(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p=lxl04~lxlOuncm、柏粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表6。[表6tableseeoriginaldocumentpage35(實施例31)使用調整了組成濃度比的直徑(|)為8英寸的Pt-Mg混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種.氮/氬混合氣體*氮氣-氧氣*氧/氮混合氣體濺射壓力為0.3~1.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的鉑粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Qcm、鉑粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.0:3L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Qcm、鉑粒徑在19nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表7。tableseeoriginaldocumentpage37使粒子材料為金，介質為氮化鋁、氧化鋁或氮氧化鋁，使用調整了組成濃度比製作的直徑<|)為8英寸的Au-Al混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種*氮/氬混合氣體-氮氣-氧氣-氧/氮混合氣體賊射壓力為0.31.5Pa,對乾的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以4吏膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的金粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl4lxl0"ncm、金粒徑在0.5~10nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3%(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p=lxl04~lxlOuQcm、金粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L),顯示圖像特別良好。結果示於表8。[表8]tableseeoriginaldocumentpage38(實施例33)使粒子材料為金，介質為氮化鍺、氧化鍺或氮氧化鍺，使用調整了組成濃度比製作的直徑(j)為8英寸的Au-Ge混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種-氮/氬混合氣體-氮氣*氧氣-氧/氮混合氣體濺射壓力為0.3~1.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的金粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl4lxlO"r2cm、金粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.03L),顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Qcin、金粒徑在19nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於l。/c(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表9。tableseeoriginaldocumentpage40(實施例34)使粒子材料為金，介質為氮化矽、氧化矽或氮氧化矽，使用調整了組成濃度比製作的直徑<|)為8英寸的Au-Si混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種.氮/氬混合氣體，氮氣，氧氣*氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa,對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以4吏膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的金粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Ocm、金粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.03L),顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Qcm、金粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L),顯示圖像特別良好。結果示於表10。[表101_tableseeoriginaldocumentpage41(實施例35)使粒子材料為金，介質為氮化鎂、氧化鎂或氮氧化鎂，使用調整了組成濃度比的直徑小為8英寸的Au-Mg混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種*氮/氬混合氣體，氮氣，氧氣-氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa，對乾的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的金粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl04lxl0"Clcm、金粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3%(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Qcm、金粒徑在19nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表ll。tableseeoriginaldocumentpage43(實施例36)使粒子材料為銀，介質為氮化鋁、氧化鋁或氮氧化鋁，使用調整了組成濃度比的直徑+為8英寸的Ag-Al混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種-氮/氬混合氣體，氮氣-氧氣-氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以4吏膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的銀粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl0tlxlUQcm、銀粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/o(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxltlxlO"Qcm、銀粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表12。表121tableseeoriginaldocumentpage44(實施例37)使粒子材料為銀，介質為氮化鍺、氧化鍺或氮氧化鍺，使用調整了組成濃度比的直徑(J)為8英寸的Ag-Al混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種*氮/氬混合氣體*氮氣'氧氣-氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以4吏膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的銀粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl4lxl0Hr2cin、銀粒徑在0.5~10nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3%(不高於0.03L),顯示圖像良好。在具有電阻率p=lxl04lxlOuncm、銀粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表13。[表13tableseeoriginaldocumentpage46(實施例38)使粒子材料為銀，介質為氮化矽、氧化矽或氮氧化矽，使用調整了組成濃度比的直徑(j)為8英寸的Ag-Si混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種.氮/氬混合氣體*氮氣*氧氣*氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa,對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的銀粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl0tlxl0"Qcm、銀粒徑在0.5~10nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxl0tlxl0UQcm、銀粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表14。表14tableseeoriginaldocumentpage47(實施例39)使粒子材料為銀，介質為氮化鎂、氧化鎂或氮氧化鎂，使用調整了組成濃度比的直徑<|)為8英寸的Ag-Mg混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種-氮/氬混合氣體*氮氣-氧氣*氧/氮混合氣體濺射壓力為0.3~1.5Pa，對靼的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以4吏膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的銀粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl04lxl0"Qcm、銀粒徑在0.5~10nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3%(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxlO、lxlO"dcm、銀粒徑在19nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L),顯示圖像特別良好。結果示於表15。表15tableseeoriginaldocumentpage49(實施例40)使粒子材料為鍺，介質為氮化鋁、氧化鋁或氮氧化鋁，使用調整了組成濃度比的直徑小為8英寸的Ge-Al混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種，氮/氬混合氣體，氮氣，氧氣.氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的鍺粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxlO"lxlUQcm、鍺粒徑在0.5~10nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxlO、lxlO"ncm、鍺粒徑在19nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L),顯示圖像特別良好。結果示於表16。[表16_tableseeoriginaldocumentpage50(實施例41)使粒子材料為鍺，介質為氮化矽、氧化矽或氮氧化矽，使用調整了組成濃度比的直徑(為8英寸的Ge-Si混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種.氮/氬混合氣體.氮氣-氧氣*氧/氮混合氣體'減射壓力為0.3~1.5Pa，對耙的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，^使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的鍺粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Qcm、鍺粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.0;3L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxlotlxlO"Qcm、鍺粒徑在l9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表17。表17tableseeoriginaldocumentpage52(實施例42)使粒子材料為鍺，介質為氮化鎂、氧化鎂或氮氧化鎂，使用調整了組成濃度比的直徑(|)為8英寸的Ge-Mg混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種，氮/氬混合氣體*氮氣-氧氣-氧/氮混合氣體'減射壓力為0.3~1.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的鍺粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxlOtlxlUQcm、鍺粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p=lxl04~lxlO"Qcm、鍺粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表18。[表18]tableseeoriginaldocumentpage53(實施例43)使粒子材料為矽，介質為氮化鋁、氧化鋁或氮氧化鋁，使用調整了組成濃度比的直徑(|)為8英寸的Si-Al混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種*氮/氬混合氣體.氮氣-氧氣*氧/氮混合氣體濺射壓力為0.3~1.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整'減射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，^L用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的矽粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl04lxl0"Qcm、矽粒徑在0.5~10nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxl4lxlO"Qcm、矽粒徑在19nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表19。[表19tableseeoriginaldocumentpage55(實施例44)使粒子材料為矽，介質為氮化鍺、氧化鍺或氮氧化鍺，使用調整了組成濃度比的直徑<|)為8英寸的Si-Ge混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種*氮/氬混合氣體-氮氣，氧氣.氧/氮混合氣體濺射壓力為0.3~1.5Pa，對靶的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以4吏膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的矽粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作釆用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p=lxl04lxl0"ncm、矽粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.03L)，顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxlOtlxlO"ncm、矽粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中.，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L)，顯示圖像特別良好。結果示於表20。[表20jtableseeoriginaldocumentpage56(實施例45)使粒子材料為矽，介質為氮化鎂、氧化鎂或氮氧化鎂，使用調整了組成濃度比的直徑(|)為8英寸的Si-Mg混合物靶，實施成膜。成膜氣體種類為以下的四種，氮/氬混合氣體，氮氣-氧氣.氧/氮混合氣體濺射壓力為0.31.5Pa,對乾的投入功率為2400W。適當調整濺射時間，以使膜厚達到200nm。對於這些電阻膜測量電阻率。此外，^使用TEM(透射式電子顯微鏡)來求介質中的矽粒子的平均粒徑。將各電阻膜成膜在玻璃基材上來製作隔板基材，並用作採用了本實施方式的表面傳導型電子發射元件的圖像顯示裝置的隔板。進行所謂對隔板的影響造成的電子束移動量AL進行測量的圖像評價。在具有電阻率p-lxl04lxl0"dcm、矽粒徑在0.510nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於3。/。(不高於0.(BL),顯示圖像良好。在具有電阻率p-lxl4lxl0"ncm、矽粒徑在l~9nm範圍的電阻膜的隔板中，電子束的移動量AL在不高於1%(不高於0.01L),顯示圖像特別良好。結果示於表21。tableseeoriginaldocumentpage58如以上說明，本發明可以提供電阻值的控制性、穩定性和再現性出色、其電阻溫度特性良好的適合於防止帶電膜的電阻膜。此外，本發明可以提供顯示性能優良的圖像顯示裝置，具有將因構成氣密容器的一對基板間的溫度差引起的氣密容器內的溫度分布原因而產生的顯示圖像的擾動抑制得小的效果。權利要求1.一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.5～10nm的多個導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。2.如權利要求1所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體粒子是鉑粒子，氮化物是氮化鋁。3.如權利要求1所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體粒子是金粒子，氮化物是氮化鋁。4.如權利要求1所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體粒子是銀粒子，氮化物是氮化鋁。5.如權利要求1所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體的含量為0.1~10原子％。6.如權利要求1所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述粒徑為l'09.0雄。7.如權利要求1所述的防止帶電膜，其特徵在於，其電阻率p-lxl4lxl0HQem。8.—種電子發生裝置，在氣密容器內具有電子源，其特徵在於，在所述氣密容器內包括權利要求1所述的防止帶電膜。9.一種圖像顯示裝置，包括氣密容器，具有配置了電子源的第l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板；以及隔板，配置在所述氣密容器內的所述第1基板和所述第2基板之間，其特徵在於，在所述隔板的表面上配置了權利要求1所述的防止帶電膜。10.—種隔板，配置在圖像顯示裝置的第1基板和第2基板之間，所述圖像顯示裝置包括氣密容器，所述氣密容器具有配置了電子源的所述第l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的所述第2基板，其特徵在於，在該隔板的表面上具有權利要求1所述的防止帶電膜。11.一種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。12.如權利要求11所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體粒子是鉑粒子，氧化物是氧化鋁。13.如權利要求11所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體粒子是金粒子，氧化物是氧化鋁。14.如權利要求11所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體粒子是銀粒子，氧化物是氧化鋁。15.如權利要求11所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述導體的含量為0.110原子％。16.如權利要求11所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述粒徑為1.0~9.0腿。17.如權利要求11所述的防止帶電膜，其特徵在於，其電阻率p-lxl04lxlUQcm。18.—種電子發生裝置，在氣密容器內具有電子源，其特徵在於，在所述氣密容器內包括權利要求11所述的防止帶電膜。19.一種圖像顯示裝置，包括氣密容器，具有配置了電子源的第l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板；以及隔板，配置在所述氣密容器內的所述笫l基板和所述第2基板之間，其特徵在於，在所述隔板的表面上配置了權利要求11所述的防止帶電膜。20.—種隔板，配置在圖像顯示裝置的第1基板和第2基板之間，所述圖像顯示裝置包括氣密容器，所述氣密容器具有配置了電子源的所述笫l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的所述第2基板，其特徵在於，在該隔板的表面上具有權利要求ll所述的防止帶電膜。21.—種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.510nm的多個半導體粒子分散配置在包含氮化物的介質中的結構。22.如權利要求21所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述半導體粒子是鍺粒子，氮化物是氮化矽。23.如權利要求21所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述半導體的含量為0.1~10原子％。24.如權利要求21所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述粒徑為1.09.0nrn。25.如權利要求21所述的防止帶電膜，其特徵在於，其電阻率p4xl4lxl0UQcm。26.—種電子發生裝置，在氣密容器內具有電子源，其特徵在於，在所述氣密容器內包括權利要求21所述的防止帶電膜。27.—種圖像顯示裝置，包括氣密容器，具有配置了電子源的第l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板；以及隔板，配置在所述氣密容器內的所述第l基板和所述第2基板之間，其特徵在於，在所述隔板的表面上配置了權利要求21所述的防止帶電膜。28.—種隔板，配置在圖像顯示裝置的第l基板和第2基板之間，所述圖像顯示裝置包括氣密容器，所述氣密容器具有配置了電子源的所述笫l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的所述第2基板，其特徵在於，在該隔板的表面上具有權利要求21所述的防止帶電膜。29.—種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.5~10nm的多個半導體粒子分散配置在包含氧化物的介質中的結構。30.如權利要求29所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述半導體粒子是鍺粒子，氧化物是氧化矽。31.如權利要求29所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述半導體的含量為0.110原子％。32.如權利要求29所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述粒徑為1.09.0證。33.如權利要求29所述的防止帶電膜，其特徵在於，其電阻率p=lxl04lxlOnClcm。34.—種電子發生裝置，在氣密容器內具有電子源，其特徵在於，在所述氣密容器內包括權利要求29所述的防止帶電膜。35.—種圖像顯示裝置，包括氣密容器，具有配置了電子源的第l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板；以及隔板，配置在所述氣密容器內的所述第l基板和所述第2基板之間，其特徵在於，在所述隔板的表面上配置了權利要求29所述的防止帶電膜。36.—種隔板，配置在圖像顯示裝置的第l基板和第2基板之間，所述圖像顯示裝置包括氣密容器，所述氣密容器具有配置了電子源的所述第l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的所述第2基板，其特徵在於，在該隔板的表面上具有權利要求29所述的防止帶電膜。37.—種防止帶電膜，其特徵在於，具有將粒徑為0.5~10nm的多個半導體粒子分散配置在包含氮化物和氧化物的介質中的結構。38.如權利要求37所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述半導體粒子是鍺粒子，氮化物是氮化矽，氧化物是氧化矽。39.如權利要求37所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述半導體的含量為0.110原子％。40.如權利要求37所述的防止帶電膜，其特徵在於，所述粒徑為1.09.0nm。41.如權利要求37所述的防止帶電膜，其特徵在於，其電阻率p-lxl04lxlUncm。42.—種電子發生裝置，在氣密容器內具有電子源，其特徵在於，在所述氣密容器內包括權利要求37所述的防止帶電膜。43.—種圖像顯示裝置，包括氣密容器，具有配置了電子源的第1基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的第2基板；以及隔板，配置在所述氣密容器內的所述第l基板和所述第2基板之間，其特徵在於，在所述隔板的表面上配置了權利要求37所述的防止帶電膜。44.一種隔板，配置在圖像顯示裝置的第l基板和第2基板之間，所述圖像顯示裝置包括氣密容器，所述氣密容器具有配置了電子源的所述第l基板和面對所述電子源配置了圖像顯示構件的所述第2基板，其特徵在於，在該隔板的表面上具有權利要求37所述的防止帶電膜。全文摘要本發明提供一種防止帶電膜、電子發生裝置、隔板及圖像顯示裝置，在圖像顯示裝置等的內置電子發生裝置的電子源的氣密容器內設置的防止帶電膜中，通過形成將粒徑為0.5-10nm的多個導體粒子分散在含有氮化物介質中的結構，從而提高電阻值的控制性、穩定性和再現性、以及電阻溫度特性。文檔編號H01J29/02GK101340770SQ200810145978公開日2009年1月7日申請日期2005年1月21日優先權日2004年1月22日發明者佐藤亨,大慄宣明,清水康志申請人:佳能株式會社