有機發光顯示裝置的製作方法
2024-03-30 03:38:05
本公開的示例實施例總體上涉及有機發光顯示(oled)裝置，更具體地，涉及包括反射區域的oled裝置。
背景技術：
與陰極射線管(crt)顯示裝置相比，平板顯示(fpd)裝置由於其重量輕並且纖薄而被廣泛地用作電子設備的顯示裝置。fpd裝置的典型示例為液晶顯示(lcd)裝置和有機發光顯示(oled)裝置。與lcd裝置相比，oled裝置具有諸如更高亮度和更寬視角的多項優勢。另外，因為oled裝置不需要背光，所以oled裝置可以製造得更纖薄。在oled裝置中，電子和空穴通過陰極和陽極注入有機薄層中，然後在有機薄層中複合以產生激子，從而發射特定波長的光。
近來，已經研製出了包括像素區域和反射區域的鏡面oled裝置。鏡面oled裝置能夠通過反射區域反射位於該oled裝置前面的物體(或目標)的圖像。
技術實現要素：
本公開的一些示例實施例提供了一種能夠反射位於oled裝置前面的物體的圖像的有機發光顯示(oled)裝置。
根據示例實施例的一些方面，oled裝置包括基底、反射結構和子像素結構。基底包括多個子像素區域和圍繞所述多個子像素區域的反射區域。反射結構在反射區域中設置在基底上並具有暴露所述多個子像素區域的多個開口。反射結構包括第一反射圖案、第二反射圖案和連接圖案。第一反射圖案沿與基底的上表面平行的第一方向延伸，並且沿與第一方向垂直的第二方向彼此間隔開。第二反射圖案在第一反射圖案中的兩個相鄰的第一反射圖案之間沿第一方向彼此間隔開。連接圖案將第二反射圖案中在第二方向上的兩個相鄰的第二反射圖案電連接。子像素結構在所述多個子像素區域中的每個中設置在基底上。
在示例實施例中，反射結構設置在基底與子像素結構之間。
在示例實施例中，第一反射圖案可以被構造為從外部裝置接收第一觸摸感測電壓，第二反射圖案可以被構造為從外部裝置接收第二觸摸感測電壓。外部裝置可以檢測第一反射圖案與第二反射圖案之間電容的變化。
在示例實施例中，第一反射圖案中的每個可以具有平面的條形形狀，並可以沿第二方向規則地布置。第二反射圖案中的每個可以具有島形狀，並可以沿第一方向規則地布置。第一反射圖案和第二反射圖案可以彼此間隔開。
在示例實施例中，第一反射圖案和第二反射圖案中的每個可以具有包括所述多個開口的網格結構。
在示例實施例中，至少一個溝槽可以形成在第一反射圖案和第二反射圖案的邊界中。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括設置在子像素結構上的薄膜包封結構。基底和薄膜包封結構中的每者可以具有至少一個有機層和至少一個無機層交替堆疊的堆疊結構，堆疊結構可以是柔性的。反射結構可以與基底的至少一個無機層接觸，子像素結構可以與薄膜包封結構的至少一個無機層接觸。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括包封基底和密封件。包封基底可以設置在子像素結構上。密封件可以設置在基底與包封基底之間，並且可以設置在基底和包封基底的外區域內。基底和包封基底中的每者可以包括剛性材料，密封件可以包括熔料。基底和包封基底可以被密封件結合。
在示例實施例中，子像素結構可以包括下電極、發光層和上電極。下電極可以設置在基底上，並可以透射光。發光層可以設置在下電極上。上電極可以設置在發光層上，並且可以對從發光層發射的光進行反射。上電極的反射率可以大於下電極的反射率，上電極可以在子像素區域和反射區域中設置在基底上。
在示例實施例中，反射結構可以反射位於oled裝置的第一表面前面的物體的圖像，上電極可以反射位於oled裝置的第二表面前面的物體的圖像。第二表面可以與第一表面相對，oled裝置可以通過所述多個開口在第一表面中顯示顯示的圖像。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括半導體元件和緩衝層。半導體元件可以在反射區域中設置在基底上。緩衝層可以設置在基底上在反射結構與半導體元件之間。半導體元件包括：有源層，在反射區域中設置在緩衝層上；柵電極，設置在有源層上；源電極和漏電極，設置在柵電極上。
在示例實施例中，連接圖案和柵電極可以使用相同的材料同時形成。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括設置在基底與反射結構之間的介電鏡面結構。
在示例實施例中，介電鏡面結構可以包括一個或更多個第一介電層以及一個或更多個第二介電層。所述一個或更多個第一介電層可以具有第一折射率，所述一個或更多個第二介電層可以設置在所述一個或更多個第一介電層上。所述一個或更多個第二介電層可以具有與第一折射率不同的第二折射率。所述一個或更多個第一介電層以及所述一個或更多個第二介電層可以交替地堆疊。
根據示例實施例的一些方面，oled裝置包括基底、反射結構和子像素結構。基底包括多個子像素區域和圍繞所述多個子像素區域的反射區域。子像素結構可以在所述多個子像素區域中的每個中設置在基底上。反射結構在反射區域中設置在基底上並具有多個開口，所述多個子像素區域可以通過所述多個開口暴露。反射結構包括第一反射圖案和第二反射圖案。第一反射圖案可以沿第一方向布置，第二反射圖案可以沿與第一方向垂直的第二方向布置。
在示例實施例中，反射結構可以設置在基底與子像素結構之間。
在示例實施例中，第一反射圖案可以被構造為從外部裝置接收第一觸摸感測電壓，第二反射圖案可以被構造為從外部裝置接收第二觸摸感測電壓。外部裝置可以檢測第一反射圖案與第二反射圖案之間電容的變化。
在示例實施例中，第一反射圖案和第二反射圖案中的每個可以具有平面的條形形狀並且可以彼此規則地布置。第一反射圖案和第二反射圖案中的每個可以具有包括所述多個開口的網格結構。
在示例實施例中，第一反射圖案和第二反射圖案可以在交叉區域交叉，位於交叉區域的第一反射圖案的所述多個開口中的第一組和第二反射圖案的所述多個開口中的第二組可以彼此疊置。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括設置在子像素結構上的薄膜包封結構。基底和薄膜包封結構中的每者可以具有至少一個有機層和至少一個無機層交替堆疊的堆疊結構，堆疊結構可以是柔性的。反射結構可以與基底的至少一個無機層接觸，子像素結構可以與薄膜包封結構的至少一個無機層接觸。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括半導體元件和緩衝層。半導體元件可以在反射區域中設置在基底上。緩衝層可以設置在基底上在第一反射圖案與半導體元件之間。半導體元件可以包括：有源層，在反射區域中設置在緩衝層上；柵電極，設置在有源層上；源電極和漏電極，設置在柵電極上。第二反射圖案和柵電極可以使用相同的材料同時形成。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括輔助布線。輔助布線可以設置在第二反射圖案上，並且可以電連接到第二反射圖案。輔助布線可以與源電極和漏電極使用相同的材料同時形成。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括設置在基底與反射結構之間的介電鏡面結構。介電鏡面結構可以包括一個或更多個第一介電層以及一個或更多個第二介電層。所述一個或更多個第一介電層可以具有第一折射率。所述一個或更多個第二介電層可以設置在所述一個或更多個第一介電層上，並且可以具有與第一折射率不同的第二折射率。所述一個或更多個第一介電層以及所述一個或更多個第二介電層可以交替地堆疊。
根據示例實施例，oled裝置包括基底、子像素結構和感測結構。基底可以包括多個子像素區域和圍繞所述多個子像素區域的反射區域。子像素結構可以在所述多個子像素區域中的每個中設置在基底上。感測結構可以在反射區域中設置在基底上並可以具有多個開口。所述多個子像素區域可以通過所述多個開口暴露。感測結構可以包括第一感測圖案和與第一感測圖案絕緣的第二感測圖案。感測結構可以設置在基底與子像素結構之間。
在示例實施例中，感測結構還可以包括將第二感測圖案中在第二方向上的兩個相鄰的第二感測圖案電連接的連接圖案。第一感測圖案可以沿與第二方向垂直的第一方向延伸，並可以沿第二方向彼此間隔開。第二感測圖案可以沿第一方向和第二方向彼此間隔開。
在示例實施例中，第一感測圖案可以沿第一方向布置，第二感測圖案可以沿與第一方向垂直的第二方向布置。
在示例實施例中，第一感測圖案和第二感測圖案中的每個可以對通過基底進入的光進行反射。
在示例實施例中，第一感測圖案可以施加有第一電壓，第二感測圖案可以施加有第二電壓。可以檢測第一感測圖案與第二感測圖案之間電容的變化來確定觸摸的位置。
在示例實施例中，第一電壓可以是感測輸入信號，第二電壓可以是感測輸出信號。
在示例實施例中，第一感測圖案與第二感測圖案之間電容的變化可以度量觸摸的壓力。
在示例實施例中，oled裝置還可以包括被構造為產生第一電壓和第二電壓的電路。
根據示例實施例的oled裝置包括反射結構，所述反射結構具有可以用作觸摸傳感器電極的第一反射圖案和第二反射圖案。反射結構可以反射位於oled裝置前面的物體的圖像。因此，oled裝置可以用作因為oled裝置不包括觸控螢幕面板而具有相對薄的厚度的底發射結構的鏡面oled裝置。另外，因為oled裝置包括柔性基底和包封基底，所以oled裝置可以具有彎曲的形狀。此外，位於oled裝置的背面的面前的物體的圖像可以被上電極反射。
附圖說明
通過下面結合附圖的描述，示例實施例能被更詳細地理解，在附圖中：
圖1是示出根據示例實施例的有機發光顯示(oled)裝置的剖視圖；
圖2是描繪圖1的oled裝置中包括的反射結構的平面圖；
圖3是對應於圖2的區域「a」的放大平面圖；
圖4是用於描繪電連接到圖1的oled裝置中包括的反射結構的外部裝置的框圖；
圖5、圖6、圖7、圖8、圖9和圖10是示出根據示例實施例的製造oled裝置的方法的剖視圖；
圖11是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖12是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖13是描繪圖12的oled裝置中包括的反射結構的平面圖；
圖14是對應於圖13的區域「b」的放大平面圖；
圖15是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖16是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖17是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖18是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖19是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；
圖20是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖；以及
圖21是描繪圖20的oled裝置中包括的密封件的剖視圖。
具體實施方式
在下文中，將參照附圖詳細地解釋本公開的實施例。
圖1是示出根據示例實施例的有機發光顯示(oled)裝置的剖視圖，圖2是描繪圖1的oled裝置中包括的反射結構的平面圖。圖3是對應於圖2的區域「a」的放大平面圖，圖4是用於描繪電連接到圖1的oled裝置中包括的反射結構的外部裝置的框圖。圖1可以對應於沿著圖2的線i-i'截取的剖視圖。
參照圖1、圖2、圖3和圖4，oled裝置100可以包括基底110、反射結構380、緩衝層115、半導體元件250、平坦化層270、子像素結構300、像素限定層310和薄膜包封(tfe)結構450。這裡，半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結構300可以包括下電極290、發光層330和上電極340。另外，反射結構380可以包括多個第一反射圖案382、多個第二反射圖案384和多個連接圖案180。如圖2和圖3所示，每個第一反射圖案382可以沿與基底110的上表面平行的第一方向d1延伸，並且可以沿與第一方向d1基本垂直的第二方向d2彼此間隔開。每個第二反射圖案384可以在多個第一反射圖案382中的相鄰的兩個第一反射圖案382之間沿第一方向d1彼此間隔開。連接圖案180可以將多個第二反射圖案384中沿第二方向d2相鄰的兩個第二反射圖案384電連接。另外，觸摸感測電壓可以施加到反射結構380，oled裝置100可以利用由檢測電容變化得到的變化的信號來感測用戶在oled裝置100的表面上的觸摸。
oled裝置100可以包括子像素區域10和反射區域20。子像素區域10可以位於反射區域20之間。子像素結構300可以設置在子像素區域10中，顯示的圖像可以沿第三方向d3(即，與第一方向d1和第二方向d2垂直的方向)從tfe結構450向基底110顯示。另外，反射結構380和半導體元件250可以設置在反射區域20中，位於oled裝置100的前面(即，基底110的第一(下)表面)的物體的圖像可以在第三方向d3上顯示在反射結構380上。因為oled裝置100包括能夠反射位於oled裝置100的前面的物體的圖像並且用作觸摸感測電極的反射結構380，所以oled裝置100可以用作能夠感測用戶的觸摸輸入的底發射結構的鏡面oled裝置。
再次參照圖1，基底110可以由透明材料形成。在示例實施例中，基底110可以由諸如柔性透明樹脂基底(例如，聚醯亞胺基底)的柔性透明材料來形成。聚醯亞胺基底可以包括至少一個聚醯亞胺層和至少一個阻擋層。因為聚醯亞胺基底相對薄且是柔性的，所以聚醯亞胺基底可以設置在剛性玻璃基底上以幫助支撐上面的結構(例如，反射結構380、半導體元件250和子像素結構300)的形成。基底110可以具有一個或更多個聚醯亞胺層和一個或更多個阻擋層交替地堆疊在剛性玻璃基底上的結構。在製造oled裝置100中，在將緩衝層115設置在聚醯亞胺基底的阻擋層上之後，可以在緩衝層115上設置所述上面的結構。在緩衝層115上形成所述上面的結構之後，可以去除其下方設有聚醯亞胺基底的剛性玻璃基底。因為聚醯亞胺基底相對薄且是柔性的，所以可能難以在聚醯亞胺基底上直接形成所述上面的結構。因此，在聚醯亞胺基底和剛性玻璃基底上形成所述上面的結構，然後在去除剛性玻璃基底之後，聚醯亞胺基底可以用作oled裝置100的基底110。因為oled裝置100包括子像素區域10和反射區域20，所以基底110也可以包括子像素區域10和反射區域20。
聚醯亞胺層可以包括無規共聚物或嵌段共聚物。聚醯亞胺層可以具有高透明度、低熱膨脹係數和高玻璃化轉變溫度。因為聚醯亞胺層包括醯亞胺自由基，所以聚醯亞胺層可以具有優異的耐熱性、耐化學性、耐磨性和電特性。
阻擋層可以包括有機材料或無機材料。有機材料的示例包括但不限於光致抗蝕劑、聚丙烯酸類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、聚醯胺類樹脂、矽氧烷類樹脂、丙烯酸類樹脂和環氧類樹脂。無機材料的示例包括但不限於矽化合物和金屬氧化物。例如，阻擋層可以包括但不限於氧化矽(siox)、氮化矽(sinx)、氮氧化矽(sioxny)、碳氧化矽(sioxcy)、氮碳化矽(sicxny)、氧化鋁(alox)、氮化鋁(alnx)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)。在示例實施例中，阻擋層可以主要包括無機材料。阻擋層可以阻擋水或潮氣經由聚醯亞胺層滲入子像素結構300中。即，阻擋層和tfe結構450可以保護子像素結構300。可選擇地，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底、無鹼玻璃基底等。
參照圖1、圖2、圖3和圖4，反射結構380可以在反射區域20中設置基底110上。反射結構380可以包括多個第一反射圖案382和多個第二反射圖案384。第一反射圖案382和第二反射圖案384可以設置在基底110的阻擋層上，阻擋層可以是無機層。每個第一反射圖案382可以沿第一方向d1延伸。另外，每個第一反射圖案382可以沿第二方向d2彼此間隔開，並且可以規則地布置。此外，每個第一反射圖案382可以具有包括多個突出部分的基本平坦的條形形狀。第二反射圖案384可以在所述多個第一反射圖案382中的相鄰的第一反射圖案382之間沿第一方向d1規則地布置，並且可以具有島形狀。例如，第二反射圖案384的島形狀可以是平面的正方形，並且可以設置在相鄰的第一反射圖案382的突出部分之間。連接圖案180可以接觸並電連接到所述多個第二反射圖案384中在第二方向d2上相鄰的兩個第二反射圖案384。第一反射圖案382和第二反射圖案384可以彼此間隔開，並且可以位於基底110上的同一水平處。然而，連接圖案180可以與第一反射圖案382和第二反射圖案384位於不同水平處。例如，連接圖案180可以設置在第一反射圖案382和第二反射圖案384上。如上面描述的，因為oled裝置100包括反射結構380，所以可以沿第三方向d3反射位於oled裝置100的第一表面s1前面的物體的圖像。
在示例實施例中，如圖2和圖3所示，第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個可以具有包括多個開口383的網格結構。子像素區域10可以對應於每個開口383，子像素結構300可以設置在對應於每個開口383的區域中。即，第一組子像素區域10可以位於第一反射圖案382中包括的開口383中，第二組子像素區域10可以位於第二反射圖案384中包括的開口383中。如上面描述的，因為oled裝置100包括反射結構380的開口383，所以從子像素結構300發射的光可以沿第三方向d3經由開口383射出。在示例實施例中，如圖3所示，溝槽386和387可以形成在第一反射圖案382和第二反射圖案384的邊界或邊緣中，開口383的至少一個側部在所述位置處是敞開的。溝槽386和387可以形成為暴露對應的子像素區域10。
在示例實施例中，如圖4所示，oled裝置100可以將第一反射圖案382和第二反射圖案384與外部裝置105通過觸摸傳感器布線(未示出)電連接，並且可以將由外部裝置105產生的第一觸摸感測電壓和第二觸摸感測電壓分別提供到第一反射圖案382和第二反射圖案384。外部裝置105可以檢測第一反射圖案382與第二反射圖案384之間電容的變化。外部裝置105可以將作為感測輸入信號的第一觸摸感測電壓提供至第一反射圖案382，並可以通過第二反射圖案384接收作為感測輸出信號的第二觸摸感測電壓。這裡，第一觸摸感測電壓可以具有周期性變化的電壓電平(或者周期性可變電壓電平)，第二觸摸感測電壓可以具有直流電壓電平。例如，當oled裝置100的用戶接觸第一表面s1(例如，用戶手指、用戶身體的一部分、觸筆的接觸)時，對應於(或鄰近)接觸表面的第一反射圖案382與第二反射圖案384之間的電容會變化。換句話說，會在身體接觸第一表面s1的部分與第一反射圖案382和第二反射圖案384之間產生電容的變化，外部裝置105可以通過觸摸傳感器布線來接收被變化的電容改變的感測輸出信號。因此，外部裝置105可以檢測被改變的感測輸出信號。即，外部裝置105和oled裝置100可以利用第一觸摸感測電壓和第二觸摸感測電壓來感測用戶觸摸的接觸位置。第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種。例如，第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個可以由金(au)、鋁(al)、鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、銅合金、鎳(ni)、鈀(pd)、鎂(mg)、鈣(ca)、鋰(li)、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦鎵(ito)或氧化銦鋅(izo)來形成。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，第一反射圖案382和第二反射圖案384中的每個可以具有多層結構。
因此，雖然設置了具有各個厚度的第一反射圖案382和第二反射圖案384，但是oled裝置100可以沿第三方向d3經由開口383顯示顯示的圖像。第一反射圖案382和第二反射圖案384的厚度確定為足夠厚以反射光，使得oled裝置100可以沿第三方向d3反射位於oled裝置100的第一表面s1前面的物體的圖像。另外，oled裝置100可以通過反射結構380和外部裝置105來檢測用戶的接觸位置。
在圖4中，外部裝置105設置在oled裝置100的外部，但是本公開不限於此。在一些示例實施例中，外部裝置105可以設置在oled裝置100的內部或者集成進oled裝置100內。
另外，oled裝置100可以採用互電容感測方法，但是本公開不限於此。在一些示例實施例中，oled裝置100可以使用自電容感測方法。
再次參照圖1，緩衝層115可以設置在基底110和反射結構380上。緩衝層115可以設置在整個基底110上，在基底110上覆蓋反射區域20中的第一反射圖案382和第二反射圖案384。例如，緩衝層115可以覆蓋第一反射圖案382和第二反射圖案384，以提供基本平坦的表面而沒有圍繞第一反射圖案382和第二反射圖案384的臺階。可選擇地，緩衝層115可以覆蓋第一反射圖案382和第二反射圖案384，並且可以沿著第一反射圖案382和第二反射圖案384的輪廓設置有基本均勻的厚度。緩衝層115可以防止金屬原子和/或雜質從基底110擴散進半導體元件250中。另外，緩衝層115可以控制在用於形成有源層130的結晶工藝中的傳熱速率，從而獲得基本均勻的有源層。此外，在基底110的表面相對不平坦時，緩衝層115可以改善基底110的表面平整度。根據基底110的類型，可以在基底110上設置至少兩個緩衝層115，或者可以不設置緩衝層115。在一些示例實施例中，緩衝層115可以包括siox、sinx和sioxny中的一種或更多種。
有源層130可以在反射區域20中設置在緩衝層115上。例如，有源層130可以包括氧化物半導體、無機半導體(例如，非晶矽和多晶矽)以及有機半導體中的一種或更多種。
柵極絕緣層150可以設置在緩衝層115和有源層130上。柵極絕緣層150可以在緩衝層115上覆蓋在反射區域20中的有源層130，並且可以設置在整個基底110上。例如，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，以提供基本平坦的表面而沒有圍繞有源層130的臺階。可選擇地，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，並且可以沿著有源層130的輪廓設置有基本均勻的厚度。柵極絕緣層150可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。
柵電極170和連接圖案180可以設置在柵極絕緣層150上。柵電極170可以在反射區域20中設置在柵極絕緣層150的一部分上，以在平面圖中與有源層130疊置。柵電極170可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，柵電極170可以具有多層結構。
連接圖案180可以在反射區域20中設置在柵極絕緣層150的一部分上，以在平面圖中與第二反射圖案384疊置。連接圖案180可以經由通過部分地去除柵極絕緣層150和緩衝層115形成的接觸孔與第二反射圖案384接觸。如圖2所示，連接圖案180可以將多個第二反射圖案384中的相鄰的兩個第二反射圖案384電連接。連接圖案180可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，連接圖案180可以具有多層結構。在示例實施例中，連接圖案180和柵電極170可以使用相同的材料同時形成。
層間絕緣層190可以設置在柵極絕緣層150、柵電極170和連接圖案180上。層間絕緣層190可以覆蓋反射區域20中的柵電極170和連接圖案180，並且可以設置在整個基底110上。例如，層間絕緣層190可以覆蓋柵電極170和連接圖案180，以提供基本平坦的表面而沒有圍繞柵電極170和連接圖案180的臺階。可選擇地，層間絕緣層190可以覆蓋柵電極170和連接圖案180，並且可以沿著柵電極170和連接圖案180的輪廓設置有基本均勻的厚度。層間絕緣層190可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。
源電極210和漏電極230可以在反射區域20中設置在層間絕緣層190上。源電極210可以經由通過去除柵極絕緣層150和層間絕緣層190的部分形成的第一接觸孔與有源層130的第一側接觸。漏電極230可以經由通過去除柵極絕緣層150和層間絕緣層190的部分形成的第二接觸孔與有源層130的第二側接觸。源電極210和漏電極230中的每個可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，源電極210和漏電極230中的每個可以具有多層結構。因此，包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230的半導體元件250可被設置。
在示例實施例中，oled裝置100的半導體元件250具有頂柵結構，但是本公開不限於此。在一些示例實施例中，半導體元件250可以具有底柵結構。
平坦化層270可以設置在層間絕緣層190以及源電極210和漏電極230上。例如，平坦化層270可以設置有相對大的厚度，以覆蓋層間絕緣層190以及源電極210和漏電極230。在這種情況下，平坦化層270可以具有基本平坦的上表面，還可以對平坦化層270執行平坦化工藝以實現平坦化層270的平坦的上表面。平坦化層270可以包括有機材料和無機材料中的一種或更多種。
下電極290可以在子像素區域10中以及在反射區域20的一部分中設置在平坦化層270上。例如，下電極290的厚度可以小於上電極340的厚度，使得從發光層330發射的光沿第三方向d3透射。下電極290可以經由通過去除平坦化層270的一部分形成的接觸孔與漏電極230接觸。另外，下電極290可以電連接到半導體元件250。下電極290可以基本透明。例如，下電極290可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種。在一些示例實施例中，下電極290可以具有多層結構。
像素限定層310可以設置在下電極290的一部分和平坦化層270上。例如，像素限定層310可以覆蓋下電極290的兩個側部從而暴露下電極290的上表面的一部分。像素限定層310可以包括有機材料或無機材料。
發光層330可以在被像素限定層310暴露的部分處設置在下電極290上。發光層330可以具有包括發射層(el)、空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的一層或更多層的多層結構。hil、htl、el、etl和eil可以順序地設置在下電極290與上電極340之間。發光層330的el可以使用能夠產生不同顏色光(例如，紅色光、藍色光和綠色光)的發光材料中的至少一種來形成。可選擇地，發光層330的el可以通過堆疊能夠產生不同顏色光(諸如，紅色光、綠色光和藍色光)的多種發光材料總體上產生白色光。在這種情況下，濾色器可以設置在發光層330下面以在層間絕緣層190上與發光層330疊置。濾色器可以包括從紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器中選擇的至少一種。可選擇地，濾色器可以包括黃色濾色器、青色濾色器和品紅色濾色器。濾色器可以包括感光樹脂或彩色光致抗蝕劑。
上電極340可以在子像素區域10和反射區域20中設置在像素限定層310和發光層330上。上電極340可以整體設置在像素限定層310和發光層330上。oled裝置100可以在子像素區域10中朝向第三方向d3顯示顯示的圖像(例如，底發射結構)。因此，上電極340的反射率可以大於下電極290的反射率，使得從發光層330發射的光沿第三方向d3被上電極340反射。上電極340和下電極290的反射率可以通過改變材料性質和/或上電極340和下電極290的厚度而變化。在示例實施例中，上電極340可以反射位於oled裝置100的第二表面s2前面的物體的圖像，oled裝置100的第二表面s2可以與oled裝置100的第一表面s1相對。例如，當tfe結構450透明時，位於與第三方向d3相反的方向-d3處的物體的圖像可以顯示在上電極340上。即，oled裝置100可以反射在兩個方向(例如，d3和-d3)上或在兩個表面(例如，第一表面s1和第二表面s2)上的物體的圖像。在一些示例實施例中，當上電極340透射一部分光並反射剩餘部分的光時，oled裝置100可以在兩個表面上顯示顯示的圖像。在這種情況下，oled裝置100可以反射在兩個表面的物體的圖像，並且可以在兩個表面上顯示顯示的圖像。上電極340可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物和導電金屬氧化物中的一種或更多種。例如，上電極340可以由au、ag、al、pt、ni、ti、pd、mg、ca、li、cr、ta、w、cu、mo、sc、nd、銥(ir)、鋁合金、alnx、銀合金、wnx、銅合金、crnx、鉬合金、tinx、tanx、sro等形成。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，上電極340可以具有多層結構。
tfe結構450可以設置在上電極340上。例如，第一包封層451可以設置在子像素結構300上。tfe結構450可以包括至少一層第一包封層和至少一層第二包封層。例如，第二包封層452可以設置在第一包封層451上。第一包封層451、453和455以及第二包封層452和454可以交替並重複地布置。第一包封層451可以覆蓋上電極340，並且可以沿著上電極340的輪廓設置有基本均勻的厚度。第一包封層451可以防止子像素結構300受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層451可以保護子像素結構300免受外部衝擊。第一包封層451可以包括無機材料。
第二包封層452可以設置在第一包封層451上。第二包封層452可以改善oled裝置100的表面平整度，並且可以保護設置在子像素區域10中的子像素結構300。第二包封層452可以包括有機材料。
第一包封層453可以設置在第二包封層452上。第一包封層453可以覆蓋第二包封層452，並且可以沿著第二包封層452的輪廓設置有基本均勻的厚度。第一包封層453與第一包封層451和第二包封層452一起可以防止子像素結構300受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層453與第一包封層451和第二包封層452一起可以保護子像素結構免受外部衝擊。第一包封層453可以包括無機材料。
第二包封層454可以設置在第一包封層453上。第二包封層454可以執行與第二包封層452的功能基本相同或相似的功能，第二包封層454可以包括與第二包封層452的材料基本相同或相似的材料。第一包封層455可以設置在第二包封層454上。第一包封層455可以執行與第一包封層451、453的功能基本相同或相似的功能，第一包封層455可以包括與第一包封層451、453的材料基本相同或相似的材料。如上面描述的，oled裝置100包括柔性基底110和tfe結構450，並且可以具有彎曲的形狀。因為具有足夠厚以反射光的厚度的反射結構380設置在反射區域20中，所以反射區域20不會容易彎曲。然而，反射結構380的設置在子像素區域10中的開口383使得子像素區域10能夠彎曲。因此，oled裝置100可以具有基本彎曲的形狀。
在一些示例實施例中，tfe結構450可以具有有著第一包封層451、第二包封層452和第一包封層453的三層結構。在其他示例實施例中，tfe結構450可以具有包括第一包封層451、第二包封層452、第一包封層453、第二包封層454、第一包封層455、額外的第一包封層和額外的第二包封層的七層結構。可選擇地，當基底110形成為剛性基底時，tfe結構450可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底和無鹼玻璃基底中的一種或更多種。
根據示例實施例的oled裝置100包括反射結構380和上電極340。顯示的圖像可以經由開口383顯示，位於oled裝置100的第一表面s1的前面的物體的圖像可以通過反射結構380反射。在一些示例實施例中，包括在反射結構380中的第一反射圖案382、第二反射圖案384和連接圖案180可以用作觸摸感測電極，以檢測用戶在oled裝置100上的觸摸的接觸位置。此外，位於oled裝置100的第二表面s2的前面的物體的圖像可以通過上電極340反射。因此，因為oled裝置100不包括觸控螢幕面板，所以oled裝置100可以用作具有相對薄的厚度的底發射結構的鏡面oled裝置。另外，包括柔性基底110和tfe結構450的oled裝置100可以製作為具有彎曲形狀。
圖5、圖6、圖7、圖8、圖9和圖10是示出根據示例實施例的製造oled裝置的方法的剖視圖。
參照圖5，可以提供包括子像素區域10和反射區域20的基底510。可以由透明材料形成基底510。可以使用諸如柔性透明樹脂基底(例如，聚醯亞胺基底)的柔性透明材料來形成基底510。在這種情況下，聚醯亞胺基底可以包括至少一個聚醯亞胺層和至少一個阻擋層。
可以使用無規共聚物或嵌段共聚物形成聚醯亞胺層。聚醯亞胺層可以具有高透明度、低熱膨脹係數和高玻璃化轉變溫度。因為聚醯亞胺層包括醯亞胺自由基，所以聚醯亞胺層可以具有優異的耐熱性、耐化學性、耐磨性和電特性。
可以使用有機材料或無機材料形成阻擋層。有機材料的示例可以包括但不限於光致抗蝕劑、聚丙烯酸類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、聚醯胺類樹脂、矽氧烷類樹脂、丙烯酸類樹脂和環氧類樹脂。無機材料的示例可以包括但不限於矽化合物、金屬氧化物。例如，阻擋層可以包括siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox、tiox等。在示例實施例中，阻擋層可以主要包括無機材料。阻擋層可以阻擋水或潮氣經由聚醯亞胺層滲入。可選擇地，可以由石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底或無鹼玻璃基底來形成基底510。
可以在反射區域20中在基底510上形成第一反射圖案782和第二反射圖案784。每個第一反射圖案782可以沿第一方向d1延伸。另外，每個第一反射圖案782可以沿第二方向d2彼此間隔開，並且可以規則地布置。此外，每個第一反射圖案782可以具有包括多個突出部分的基本平坦的條形形狀。第二反射圖案784可以在所述多個第一反射圖案782中的相鄰的第一反射圖案782之間沿第一方向d1規則地布置，並且可以具有島形狀。第一反射圖案782和第二反射圖案784可以彼此間隔開，並且可以位於同一水平處。第一反射圖案782和第二反射圖案784可以反射位於oled裝置的第一表面s1(例如，基底510的下表面)前面的物體的圖像。
第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個可以包括與圖3的所述多個開口383相似的多個開口783。這裡，子像素區域10可以對應於開口783。例如，可以在開口783中分別形成子像素結構。即，第一組子像素區域10可以位於第一反射圖案782中包括的開口783中，第二組子像素區域10可以位於第二反射圖案784中包括的開口783中。在示例實施例中，可以在第一反射圖案782和第二反射圖案784的邊界(或邊緣)中形成溝槽，在所述位置處開口783的至少一個側部是敞開的。可以將溝槽形成為暴露對應的子像素區域10。
在示例實施例中，oled裝置可以將第一反射圖案782和第二反射圖案784與外部裝置(例如，圖4的外部裝置105)通過觸摸傳感器布線(未示出)電連接，並且可以將由外部裝置產生的第一觸摸感測電壓和第二觸摸感測電壓分別提供到第一反射圖案782和第二反射圖案784。另外，外部裝置可以檢測第一反射圖案782與第二反射圖案784之間電容的變化。例如，外部裝置可以將作為感測輸入信號的第一觸摸感測電壓提供至第一反射圖案782，並可以通過第二反射圖案784接收作為感測輸出信號的第二觸摸感測電壓。這裡，第一觸摸感測電壓可以具有周期性變化的電壓電平，第二觸摸感測電壓可以具有直流電壓電平。
可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種來形成第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個。例如，可以由au、al、鋁合金、alnx、ag、銀合金、w、wnx、cu、銅合金、ni、pd、mg、ca、li、cr、crnx、mo、鉬合金、ti、tinx、pt、ta、tanx、nd、sc、sro、znox、snox、inox、gaox、ito或izo來形成第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，第一反射圖案782和第二反射圖案784中的每個可以具有多層結構。
參照圖6，可以在基底510、第一反射圖案782和第二反射圖案784上形成緩衝層515。緩衝層515可以設置在基底510上，在基底510上覆蓋反射區域20中的第一反射圖案782和第二反射圖案784。例如，緩衝層515可以覆蓋第一反射圖案782和第二反射圖案784，以提供基本平坦的表面而沒有圍繞第一反射圖案782和第二反射圖案784的臺階。可選擇地，緩衝層515可以覆蓋第一反射圖案782和第二反射圖案784，並且可以沿著第一反射圖案782和第二反射圖案784的輪廓形成有基本均勻的厚度。緩衝層515可以防止金屬原子和/或雜質擴散進基底510中。另外，緩衝層515可以控制在用於形成有源層的結晶工藝中的傳熱速率，從而獲得基本均勻的有源層。此外，在基底510的表面相對不平坦時，緩衝層515可以改善基底510的表面平整度。根據基底510的類型，可以在基底510上設置至少兩個緩衝層515，或者可以不設置緩衝層515。在一些示例實施例中，可以由siox、sinx和sioxny來形成緩衝層515。
可以在反射區域20中在緩衝層515上設置有源層530。例如，可以由氧化物半導體、無機半導體或有機半導體形成有源層530。
可以在緩衝層515和有源層530上形成柵極絕緣層550。柵極絕緣層550可以在緩衝層515上覆蓋反射區域20中的有源層530，並且可以形成在整個基底510上。例如，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，以提供基本平坦的表面而沒有圍繞有源層530的臺階。可選擇地，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，並且可以沿著有源層530的輪廓形成有基本均勻的厚度。可以由矽化合物或金屬氧化物來形成柵極絕緣層550。
可以在柵極絕緣層550上形成柵電極570和連接圖案580。例如，在具有暴露第二反射圖案784的一部分的開口(或接觸孔)的柵極絕緣層550上形成預備電極之後，可以通過部分地去除預備電極來形成柵電極570和連接圖案580。即，可以使用相同的材料同時形成連接圖案580和柵電極570。
可以在反射區域20中在柵極絕緣層550的一部分上形成柵電極570，以在平面圖中與有源層530疊置。可以在反射區域20中在柵極絕緣層550的一部分上形成連接圖案580，以在平面圖中與第二反射圖案784疊置。連接圖案580可以將多個第二反射圖案784中的相鄰的兩個第二反射圖案784電連接。可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種來形成柵電極570和連接圖案580中的每個。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，柵電極570和連接圖案580中的每個可以具有多層結構。因此，可以形成包括第一反射圖案782、第二反射圖案784和連接圖案580的反射結構780。
參照圖7，可以在柵極絕緣層550、柵電極570和連接圖案580上形成層間絕緣層590。層間絕緣層590可以覆蓋反射區域20中的柵電極570和連接圖案580，並且可以形成在整個基底510上。例如，層間絕緣層590可以覆蓋柵電極570和連接圖案580，以提供基本平坦的表面而沒有圍繞柵電極570和連接圖案580的臺階。可選擇地，層間絕緣層590可以覆蓋柵電極570和連接圖案580，並且可以沿著柵電極570和連接圖案580的輪廓形成有基本均勻的厚度。可以由矽化合物或金屬氧化物形成層間絕緣層590。
可以在反射區域20中在層間絕緣層590上形成源電極610和漏電極630。源電極610可以經由通過去除柵極絕緣層550和層間絕緣層590的部分形成的第一接觸孔與有源層530的第一側接觸。漏電極630可以經由通過去除柵極絕緣層550和層間絕緣層590的部分形成的第二接觸孔與有源層530的第二側接觸。可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種來形成源電極610和漏電極630中的每個。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，源電極610和漏電極630中的每個可以具有多層結構。因此，可以形成包括有源層530、柵極絕緣層550、柵電極570、層間絕緣層590、源電極610和漏電極630的半導體元件650。
參照圖8，可以在層間絕緣層590以及源電極610和漏電極630上形成平坦化層670。例如，平坦化層670可以設置有相對大的厚度，以覆蓋層間絕緣層590以及源電極610和漏電極630。在這種情況下，平坦化層670可以具有基本平坦的上表面，還可以對平坦化層670執行平坦化工藝以實現平坦化層670的平坦的上表面。可以使用有機材料或無機材料來形成平坦化層670。
可以在子像素區域10中以及在反射區域20的一部分中在平坦化層670上形成下電極690。例如，下電極690的反射率可以小於上電極的反射率，使得從發光層發射的光沿與第一方向d1和第二方向d2垂直的第三方向d3透射。下電極690可以經由通過去除平坦化層670的一部分形成的接觸孔與漏電極630接觸。另外，下電極690可以電連接到半導體元件650。下電極690可以基本透明。例如，可以由金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物或透明導電材料來形成下電極690。在一些示例實施例中，下電極690可以具有多層結構。
參照圖9，可以在下電極690的一部分和平坦化層670上形成像素限定層710。例如，像素限定層710可以覆蓋下電極690的兩個側部，從而暴露下電極690的上表面的一部分。可以使用有機材料或無機材料來形成像素限定層710。
可以在下電極690上在被像素限定層710暴露的部分處形成發光層730。發光層730可以具有包括el、hil、htl、etl和eil中的一層或更多層的多層結構。可以順序地在下電極690與上電極740之間形成hil、htl、el、etl和eil。可以使用能夠產生不同顏色光(例如，紅色光、藍色光和綠色光)的發光材料中的至少一種來形成發光層730的el。可選擇地，發光層730的el可以通過堆疊能夠產生不同顏色光(諸如，紅色光、綠色光和藍色光)的多種發光材料總體上產生白色光。在這種情況下，可以在發光層730下面形成濾色器，以在層間絕緣層590上與發光層730疊置。濾色器可以包括從紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器中選擇的至少一種。可選擇地，濾色器可以包括黃色濾色器、青色濾色器和品紅色濾色器。可以使用感光樹脂或彩色光致抗蝕劑來形成濾色器。
可以在子像素區域10和反射區域20中在像素限定層710和發光層730上形成上電極740。可以在像素限定層710和發光層730上整體地形成上電極740。oled裝置可以在子像素區域10中朝向第三方向d3顯示顯示的圖像。因此，上電極740的反射率可以大於下電極690的反射率，使得從發光層730發射的光沿第三方向d3被上電極740反射。在示例實施例中，上電極740可以反射位於oled裝置的第二表面s2前面的物體的圖像，oled裝置的第二表面s2可以與oled裝置的第一表面s1相對。可以由金屬、金屬合金、金屬氮化物或導電金屬氧化物來形成上電極740。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，上電極740可以具有多層結構。因此，可以形成包括下電極690、發光層730和上電極740的子像素結構700。
參照圖10，可以在上電極740上形成tfe結構850。tfe結構850可以包括至少一層第一包封層和至少一層第二包封層。例如，可以在第一包封層851上設置第二包封層852。可以交替並重複地布置第一包封層851、853和855以及第二包封層852和854。第一包封層851可以覆蓋上電極740，並且可以沿著上電極740的輪廓形成有基本均勻的厚度。第一包封層851可以防止子像素結構700受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層851可以保護子像素結構700免受外部衝擊。可以由無機材料形成第一包封層851。
可以在第一包封層851上形成第二包封層852。第二包封層852可以改善oled裝置的表面平整度，並且可以保護形成在子像素區域10中的子像素結構700。可以由有機材料形成第二包封層852。
可以在第二包封層852上形成第一包封層853。第一包封層853可以覆蓋第二包封層852，並且可以沿著第二包封層852的輪廓形成有基本均勻的厚度。第一包封層853與第一包封層851和第二包封層852一起可以防止子像素結構700受潮氣、水、氧等的滲入而劣化。另外，第一包封層853與第一包封層851和第二包封層852一起可以保護子像素結構免受外部衝擊。可以由無機材料形成第一包封層853。
可以在第一包封層853上形成第二包封層854。第二包封層854可以執行與第二包封層852的功能基本相同或相似的功能，可以使用與第二包封層852的材料基本相同或相似的材料來形成第二包封層854。可以在第二包封層854上形成第一包封層855。第一包封層855可以執行與第一包封層851、853的功能基本相同或相似的功能，可以使用與第一包封層851、853的材料基本相同或相似的材料來形成第一包封層855。如上面描述的，oled裝置包括柔性基底510和tfe結構850，並且可以具有彎曲的形狀。
在一些示例實施例中，tfe結構850可以具有有著第一包封層851、第二包封層852和第一包封層853的三層結構。在其他示例實施例中，tfe結構850可以具有包括第一包封層851、第二包封層852、第一包封層853、第二包封層854、第一包封層855、額外的第一包封層和額外的第二包封層的七層結構。可選擇地，當將基底510形成為剛性基底時，tfe結構850可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底和無鹼玻璃基底中的一種或更多種。因此，可以製造圖1中示出的oled裝置100。
圖11是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了介電鏡面結構200之外，圖11中示出的oled裝置可以具有與參照圖1、圖2、圖3和圖4描述的oled裝置100的構造基本相同或相似的構造。在圖11中，可以不再重複對與參照圖1、圖2、圖3和圖4描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖1、圖2、圖3、圖4和圖11，oled裝置可以包括基底110、介電鏡面結構200、反射結構380、緩衝層115、半導體元件250、平坦化層270、子像素結構300、像素限定層310和tfe結構450。這裡，半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結構300可以包括下電極290、發光層330和上電極340。另外，反射結構380可以包括多個第一反射圖案382、多個第二反射圖案384和多個連接圖案180。此外，介電鏡面結構200可以包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113。
第一介電層111可以設置在基底110上，覆蓋整個基底110。在示例實施例中，第一介電層111可以具有第一折射率。例如，第一介電層111可以通過控制第一介電層111中包括的材料的重量比，或通過控制第一介電層111的厚度來具有第一折射率。第一介電層111也可以用作附加的阻擋層或附加的緩衝層。例如，第一介電層111可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。例如，第一介電層111可以由siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox或tiox來形成。
第二介電層112可以設置在第一介電層111上，覆蓋整個第一介電層111。在示例實施例中，第二介電層112可以具有與第一折射率不同的第二折射率。第二介電層112可以通過控制第二介電層112中包括的材料的重量比，或通過控制第二介電層112的厚度來具有第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。可選擇地，第一折射率可以是低折射率，第二折射率可以是高折射率。第二介電層112也可以用作附加的阻擋層或附加的緩衝層。第二介電層112可以包括矽化合物、金屬氧化物等。例如，第二介電層112可以由siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox或tiox來形成。
第三介電層113可以設置在第二介電層112上，覆蓋整個第二介電層112。在示例實施例中，第三介電層113可以具有第一折射率。例如，第三介電層113和第一介電層111可以基本相同。第三介電層113也可以用作附加的阻擋層或附加的緩衝層。第三介電層113可以包括矽化合物或金屬氧化物。因此，包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113的介電鏡面結構200可被設置。可選擇地，附加的介電層可以設置在第三介電層113上。例如，所述附加的介電層和第二介電層112可以具有相同的折射率。
如上面描述的，介電鏡面結構200可以具有高折射率層和低折射率層交替堆疊的堆疊結構。例如，外部光可以沿與第三方向d3相反的方向-d3(例如，從基底110至tfe結構450的方向)穿過基底110。穿過基底110的外部光的一部分可以通過第一介電層111、第二介電層112與第三介電層113之間的界面的光幹涉被反射為預定的顏色。具體來說，介電鏡面結構200可以在從外面入射的外部光中選擇性地反射與產生相長光幹涉或相消光幹涉的波長對應的光。另外，穿過基底110的外部光的剩餘部分可以在反射區域20中被反射圖案382和384朝向第三方向d3反射。因此，位於oled裝置前面的物體的圖像可以被反射為預定的反射顏色。例如，第一介電層111通過使用tiox形成有大約50埃的厚度，第二介電層112通過使用siox形成有大約300埃的厚度。另外，第三介電層113通過使用tiox形成有大約350埃的厚度。在這種情況下，oled裝置的前面可以示出為基本上藍色。可選擇地，第一介電層111通過使用tiox形成有大約100埃的厚度，第二介電層112通過使用siox形成有大約300埃的厚度。另外，第三介電層113通過使用tiox形成有大約1000埃的厚度。在這種情況下，oled裝置的前面可以示出為基本上棕色。在一些示例實施例中，第一介電層111通過使用tiox形成有大約200埃的厚度，第二介電層112通過使用siox形成有大約400埃的厚度。另外，第三介電層113通過使用tiox形成有大約100埃的厚度。在這種情況下，oled裝置的前面可以示出為基本上銀色。
在示例實施例中，當未激活半導體元件250時，發光層330不會發光(例如，oled裝置的關閉狀態)。在這種情況下，外部光可以沿與第三方向d3相反的方向-d3穿過基底110。穿過基底110的外部光的一部分可以通過第一介電層111、第二介電層112與第三介電層113的界面的光幹涉被反射為預定的顏色。具體來說，介電鏡面結構200可以在從外面入射的外部光中選擇性地反射與產生相長光幹涉或相消光幹涉的波長對應的光。另外，穿過基底110的外部光的剩餘部分可以在子像素區域10中被上電極340朝向第一方向d1反射。因此，位於oled裝置前面的物體的圖像可以被反射為預定的反射顏色。
圖12是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖，圖13是描繪圖12的oled裝置中包括的反射結構的平面圖。圖14是對應於圖13的區域「b」的放大平面圖。除了反射結構1380之外，圖12、圖13和圖14中示出的oled裝置1000可以具有與參照圖1、圖2、圖3和圖4描述的oled裝置100的構造基本相同或相似的構造。在圖12、圖13和圖14中，可以不再重複對與參照圖1、圖2、圖3和圖4描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。圖12可以對應於沿著圖13的線ii-ii'截取的剖視圖。
參照圖1、圖2、圖3和圖4，oled裝置1000可以包括基底110、反射結構1380、緩衝層115、半導體元件250、平坦化層270、子像素結構300、像素限定層310和tfe結構450。這裡，半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結構300可以包括下電極290、發光層330和上電極340。另外，反射結構1380可以包括多個第一反射圖案1382和多個第二反射圖案1384。
如圖13和圖14所示，每個第一反射圖案1382可以沿與基底110的上表面平行的第一方向d1延伸，並且可以在基本上垂直於第一方向d1的第二方向d2上彼此間隔開。每個第二反射圖案1384可以在第一反射圖案1382上沿第二方向d2延伸，並且可以在第一方向d1上彼此間隔開。另外，觸摸感測電壓可以施加到反射結構1380，oled裝置1000可以通過檢測電容的變化感測用戶在oled裝置1000的表面上的觸摸。
第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個可以具有平面的條形形狀，可以彼此交叉或相交，並可以規則地布置。另外，第一反射圖案1382可以在基底110上與第二反射圖案1384位於不同水平處。例如，第二反射圖案1384可以設置在第一反射圖案1382上。如上面描述的，因為oled裝置1000包括反射結構1380，所以可以沿第三方向d3反射位於oled裝置1000的第一表面s1前面的物體的圖像。
在示例實施例中，如圖13和圖14所示，第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個可以具有包括多個開口1383的網格結構。子像素區域10可以對應於每個開口1383，子像素結構300可以設置在對應於每個開口1383的區域中。即，第一組子像素區域10可以位於第一反射圖案1382中包括的開口1383中，第二組子像素區域10可以位於第二反射圖案1384中包括的開口1383中。如上面描述的，因為oled裝置1000包括反射結構1380的開口1383，所以從子像素結構300發射的光可以沿第三方向d3經由開口1383射出。在示例實施例中，如圖14所示，位於第一反射圖案1382和第二反射圖案1384交叉的部分中的開口1383可以彼此疊置，從而暴露子像素區域10。可選擇地，位於第一反射圖案1382和第二反射圖案1384交叉的部分中的每個開口1383的尺寸可以彼此不同。
在示例實施例中，oled裝置1000可以將第一反射圖案1382和第二反射圖案1384與外部裝置(例如，圖4的外部裝置105)通過觸摸傳感器布線(未示出)電連接，並且可以將由外部裝置產生的第一觸摸感測電壓和第二觸摸感測電壓分別提供到第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。外部裝置可以檢測第一反射圖案1382與第二反射圖案1384之間電容的變化。外部裝置可以將作為感測輸入信號的第一觸摸感測電壓提供至第一反射圖案1382，並可以通過第二反射圖案1384接收作為感測輸出信號的第二觸摸感測電壓。這裡，第一觸摸感測電壓可以具有周期性變化的電壓電平，第二觸摸感測電壓可以具有直流電壓電平。例如，當oled裝置1000的用戶接觸第一表面s1時，對應於接觸表面的第一反射圖案1382與第二反射圖案1384之間的電容會變化。換句話說，會在身體接觸第一表面s1的部分與第一反射圖案1382和第二反射圖案1384之間產生電容的變化，外部裝置可以通過觸摸傳感器布線來接收被變化的電容改變的感測輸出信號。因此，外部裝置可以檢測被改變的感測輸出信號。即，外部裝置和oled裝置1000可以利用第一觸摸感測電壓和第二觸摸感測電壓來感測用戶觸摸的接觸位置。在用戶與oled裝置1000的接觸結束(例如，用戶與oled裝置1000電分離)之後，外部裝置可以將第一觸摸感測電壓和第二觸摸感測電壓分別提供到第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物和透明導電材料中的一種或更多種。例如，第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個可以由au、ag、al、pt、ni、ti、pd、mg、ca、li、cr、ta、w、cu、mo、sc、nd、ir、鋁合金、alnx、銀合金、wnx、銅合金、crnx、鉬合金、tinx、tanx或sro來形成。可以單獨使用或者以其適當的組合來使用這些材料。可選擇地，第一反射圖案1382和第二反射圖案1384中的每個可以具有多層結構。
因此，雖然設置了具有大厚度的第一反射圖案1382和第二反射圖案1384，但是oled裝置1000可以沿第三方向d3經由開口1383顯示顯示的圖像。第一反射圖案1382和第二反射圖案1384的厚度確定為足夠厚以反射光，使得oled裝置1000可以沿第三方向d3反射位於oled裝置1000的第一表面s1前面的物體的圖像。另外，oled裝置1000可以通過反射結構1380和外部裝置來檢測用戶的接觸位置。
圖15是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了反射結構1385之外，圖15中示出的oled裝置可以具有與參照圖12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構造基本相同或相似的構造。在圖15中，可以不再重複對與參照圖12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖12、圖13、圖14和圖15，反射結構1385可以包括第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。第一反射圖案1382可以設置在基底110上，第二反射圖案1384可以設置在層間絕緣層190上。例如，在層間絕緣層190上形成預備電極之後，可以通過部分地去除預備電極來形成源電極210和漏電極230以及第二反射圖案1384。即，可以使用相同的材料同時形成源電極210、漏電極230和第二反射圖案1384。
圖16是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了介電鏡面結構200之外，圖16中示出的oled裝置可以具有與參照圖12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構造基本相同或相似的構造。在圖16中，可以不再重複對與參照圖12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖12、圖13、圖14和圖16，oled裝置可以包括基底110、介電鏡面結構200、反射結構1380、緩衝層115、半導體元件250、平坦化層270、子像素結構300、像素限定層310和tfe結構450。這裡，半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結構300可以包括下電極290、發光層330和上電極340。另外，反射結構1380可以包括多個第一反射圖案1382和多個第二反射圖案1384。此外，介電鏡面結構200可以包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113。
第一介電層111可以設置在基底110上，覆蓋整個基底110。在示例實施例中，第一介電層111可以具有第一折射率。例如，第一介電層111可以通過控制第一介電層111中包括的材料的重量比，或通過控制第一介電層111的厚度來具有第一折射率。第一介電層111可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。
第二介電層112可以設置在第一介電層111上，覆蓋整個第一介電層111。在示例實施例中，第二介電層112可以具有與第一折射率不同的第二折射率。第二介電層112可以通過控制第二介電層112中包括的材料的重量比，或通過控制第二介電層112的厚度來具有第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。第二介電層112可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。
第三介電層113可以設置在第二介電層112上，覆蓋整個第二介電層112。在示例實施例中，第三介電層113可以具有第一折射率。例如，第三介電層113和第一介電層111可以基本相同。第三介電層113可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。可選擇地，附加的介電層可以設置在第三介電層113上。例如，所述附加的介電層和第二介電層112可以具有相同的折射率。
圖17是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了反射結構1385和介電鏡面結構200之外，圖17中示出的oled裝置可以具有與參照圖12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構造基本相同或相似的構造。在圖17中，可以不再重複對與參照圖12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖12、圖13、圖14和圖17，oled裝置可以包括基底110、介電鏡面結構200、反射結構1385、緩衝層115、半導體元件250、平坦化層270、子像素結構300、像素限定層310和tfe結構450。這裡，半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結構300可以包括下電極290、發光層330和上電極340。另外，反射結構1385可以包括多個第一反射圖案1382和多個第二反射圖案1384。此外，介電鏡面結構200可以包括第一介電層111、第二介電層112和第三介電層113。
第一介電層111可以設置在基底110上。在示例實施例中，第一介電層111可以具有第一折射率。第一介電層111可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。
第二介電層112可以設置在第一介電層111上。在示例實施例中，第二介電層112可以具有與第一折射率不同的第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。第二介電層112可以包括矽化合物和金屬氧化物中的一種或更多種。
第三介電層113可以設置在第二介電層112上。在示例實施例中，第三介電層113可以具有第一折射率。例如，第三介電層113和第一介電層111可以基本相同。
反射結構1385可以包括第一反射圖案1382和第二反射圖案1384。第一反射圖案1382可以設置在基底110上，第二反射圖案1384可以設置在層間絕緣層190上。例如，在層間絕緣層190上形成預備電極之後，可以通過部分地去除預備電極來形成源電極210和漏電極230以及第二反射圖案1384。即，可以使用相同的材料同時形成源電極210、漏電極230和第二反射圖案1384。
圖18是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖，圖19是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了第一輔助布線1180和第二輔助布線1190之外，圖18和圖19中示出的oled裝置可以具有與參照圖12、圖13和圖14描述的oled裝置1000的構造基本相同或相似的構造。在圖18和圖19中，可以不再重複對與參照圖12、圖13和圖14描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖12、圖13、圖14和圖18，oled裝置可以包括基底110、反射結構1380、緩衝層115、半導體元件250、第一輔助布線1180、平坦化層270、子像素結構300、像素限定層310和tfe結構450。這裡，半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結構300可以包括下電極290、發光層330和上電極340。另外，反射結構1380可以包括多個第一反射圖案1382和多個第二反射圖案1384。
第一輔助布線1180可以在反射區域20中設置在層間絕緣層190上，與反射結構1380疊置。第一輔助布線1180可以經由通過去除層間絕緣層190的一部分形成的接觸孔與第二反射圖案1384接觸。第一輔助布線1180可以電連接到第二反射圖案1384，使得第二反射圖案1384的布線電阻減小。可選擇地，反射結構1380可以用作觸摸感測電極，外部裝置可以利用由第一反射圖案1382與第一輔助布線1180形成的電容器檢測壓力或力感測(forcesensing)，並且/或者感測壓力或力感觸控(forcetouch)。
在一些示例實施例中，第一輔助布線1180可以經由去除層間絕緣層190、柵極絕緣層150和緩衝層115中每個的一部分形成的接觸孔與第一反射圖案1382接觸，第一輔助布線1180可以電連接到第一反射圖案1382，使得第一反射圖案1382的布線電阻減小。
在一些示例實施例中，如圖19所示，oled裝置還可以包括設置在平坦化層270上的第二輔助布線1190。第二輔助布線1190可以經由通過去除平坦化層270的一部分形成的接觸孔與第一輔助布線1180接觸。即，第二輔助布線1190可以電連接到第一輔助布線1180和第二反射圖案1384。
圖20是示出根據示例實施例的oled裝置的剖視圖，圖21是描繪圖20的oled裝置中包括的密封件的剖視圖。除了基底110、密封件410和包封基底350之外，圖20和圖21中示出的oled裝置可以具有與參照圖1、圖2、圖3和圖4描述的oled裝置100的構造基本相同或相似的構造。在圖20和圖21中，可以不再重複對與參照圖1、圖2、圖3和圖4描述的元件基本相同或相似的元件的詳細描述。
參照圖20和圖21，oled裝置可以包括基底110、反射結構380、緩衝層115、半導體元件250、平坦化層270、子像素結構300、像素限定層310、密封件410和包封基底350。這裡，半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、層間絕緣層190、源電極210和漏電極230。子像素結構300可以包括下電極290、發光層330和上電極340。另外，反射結構380可以包括多個第一反射圖案382、多個第二反射圖案384和多個連接圖案180。
基底110可以由透明材料形成。在示例實施例中，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底、無鹼玻璃基底等。
包封基底350可以設置在上電極340上。包封基底350和基底110可以具有相同的材料。例如，包封基底350可以包括石英基底、人造石英基底、氟化鈣基底、摻氟石英基底、鈉鈣玻璃基底、無鹼玻璃基底等。
如圖21所示，顯示面板400可以設置在基底110與包封基底350之間。例如，顯示面板400可以包括設置在基底110上的反射結構380、緩衝層115、多個半導體元件250、平坦化層270、多個子像素結構300和像素限定層310。
密封件410可以置於基底110與包封基底350之間，並且可以設置在基底110和包封基底350的外區域內。基底110和包封基底350的設置有密封件410的外區域可以總體上對應於基底110和包封基底350的邊界區域。在一些情況下，基底110和/或包封基底350的小的邊緣部分可以延伸到基底110和/或包封基底350的外區域之外。可以執行包封工藝以將基底110和包封基底350結合。在這種情況下，密封件410可以置於基底110與包封基底350之間的外區域中。
密封件可以包括熔料(frit)等。例如，可以通過雷射照射工藝將基底110和包封基底350彼此結合。這裡，雷射可以照入密封件410中。在雷射照射工藝中，密封件410的相可以從固相變為液相。然後，在預定的時間之後，液相的密封件410可以再次被固化為固相。根據密封件410的相位變化，基底110可以與包封基底350結合。基底110和包封基底350的密封結構可以保護oled裝置免受水、潮氣、氧等的滲入。oled裝置不會被水、潮氣、氧等劣化。
本公開可以應用於包括有機發光顯示(oled)裝置的各種類型和用途的顯示裝置。例如，本公開可以應用於車用顯示裝置、船用顯示裝置、飛行器用顯示裝置、可攜式通信裝置、用於顯示或用於信息傳輸的顯示裝置、醫用顯示裝置等。
上述內容是對示例實施例的舉例說明，不被解釋為示例實施例的限制。雖然已經描述了一些示例實施例，但是本領域技術人員將容易理解的是，在實質上不脫離本公開的新穎的教導和優點的情況下，可對示例性實施例做出其他變化和/或修改。因此，所有這樣的變化和/或修改意圖包括在本公開的範圍內。因此，要理解的是，前述是對各種示例實施例的舉例說明，且不被解釋為局限於公開的特定示例實施例，對公開的示例實施例的修改和其他示例實施例意圖包括在本公開的範圍內。