支承單元和基板處理設備的製作方法
2023-10-18 01:19:44
支承單元和基板處理設備的製作方法
【專利摘要】本發明提供了一種支承基板的支承單元。該支承單元包括本體和加熱單元，其中，該本體包括多個加熱區域，並且在該本體的頂部表面上設置有基板，該加熱單元加熱本體。此處，加熱單元包括加熱線路、端子以及連接線路，其中，該加熱線路分別設置在所述多個加熱區域中以彼此獨立地控制所述多個加熱區域的溫度，該端子設置至本體並接收來自外部的電力，該連接線路將加熱線路彼此互相對應地連接至端子。另外，端子在俯視圖中設置在所述多個加熱區域中的一個加熱區域中。
【專利說明】支承單元和基板處理設備
【技術領域】
[0001]此處所公開的本發明涉及支承單元和基板處理設備，並且更具體地涉及支承單元以及利用等離子的基板處理設備。
【背景技術】
[0002]為了製造半導體裝置，可以在基板上執行諸如影印石板術、刻蝕、灰化、離子注入、薄膜氣相沉積以及清潔之類的各種過程以在基板上形成所需的圖案。在這些過程之中，刻蝕過程為用於移除形成在基板上的薄膜的選擇加熱區域的過程並且包括溼法刻蝕和幹法刻蝕。
[0003]為了執行幹法刻蝕，使用利用等離子的刻蝕設備。通常，為了形成等離子，電磁場形成在室的內部空間中並且將設置在室中的處理氣體激發成處於等離子狀態。
[0004]等離子表示由離子、電子以及自由基形成的電離氣體的狀態。等離子通過非常高的溫度、強電場或射頻(RF)電磁場來產生。在製造半導體裝置的過程中，刻蝕過程通過利用等離子來執行。刻蝕過程由於包括在等離子中的與基板碰撞的離子粒子來實現。
[0005]通常，為了在基板處理過程期間控制基板的溫度，加熱單元設置在支承單元中。加熱單元在分成多個加熱區域的同時設置在基板支承構件中，從而控制用於基板的每個加熱區域的溫度。對於每個加熱區域而言，當加熱單元設置為多個加熱單元時，由於必須向所述多個加熱單元分別提供電力，因此設置了連接至外部電源的多個端子。此處，相應的端子形成在與基板的相應的加熱區域對應的位置上。圖1為一般的靜電吸盤1250。參照圖1，中央部和邊緣部分別包括一對端子1251a和1252a。設置有端子1251a和1252a的加熱區域A比沒有設置端子1251a和1252a的加熱區域B設置有更高的溫度。因此，難以均勻地控制加熱區域A和加熱區域B的溫度。由於此，基板的溫度不能被控制成處於預先設定的溫度。
【發明內容】
[0006]本發明提供了一種基板處理設備，該基板處理設備包括能夠在基板處理過程期間精確地控制基板的溫度的支承單元。
[0007]本發明的效果不限於以上所描述的，並且本領域的普通技術人員將很清楚地從說明書和附圖中地理解到以上沒有提到的效果。
[0008]本發明的實施方式提供了一種支承基板的支承單元，該支承單元包括本體和加熱單元，其中，該本體包括多個加熱區域，並且在該本體的頂部表面上設置有基板，該加熱單元加熱本體。此處，加熱單元包括加熱線路、端子以及連接線路，其中，該加熱線路分別設置在多個加熱區域中以彼此獨立地控制多個加熱區域的溫度，該端子設置至本體並接收來自外部的電力，該連接線路將加熱線路彼此互相對應地連接至端子。另外，端子在俯視圖中設置在多個加熱區域中的一個加熱區域中。
[0009]在某些實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的多個邊緣部，並且端子可以設置在中央部中。
[0010]在其他實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個邊緣部，並且，端子可以設置在中央部中。
[0011]仍然在其他實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個或多個邊緣部，並且，端子可以設置在中央部中。
[0012]還在其他實施方式中，連接線路可以設置至本體。
[0013]還在其他實施方式中，本體還可以包括用於冷卻本體的冷卻流動通道。
[0014]在另外的實施方式中，所述多個端子可以設置成在俯視圖中與冷卻流動通道重疊。
[0015]在本發明的其他實施方式中，基板處理設備包括:形成有內部空間的室；支承單元，該支承單元位於室中並支承基板；氣體供給單元，該氣體供給單元將處理氣體供給到室中；以及等離子源單元，該等離子源單元通過處理氣體產生等離子。此處，該支承單元包括本體和加熱單元，其中，該本體包括多個加熱區域並且在該本體的頂部表面上設置有基板，該加熱單元加熱本體。另外，該加熱單元包括:加熱線路，該加熱線路分別設置在多個加熱區域中以彼此獨立地控制多個加熱區域的溫度；端子，該端子設置至本體並接收來自外部的電力；以及連接線路，該連接線路將加熱線路彼此互相對應地連接至端子。另外，端子在俯視圖中設置在所述多個加熱區域中的一個加熱區域中。
[0016]在某些實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的多個邊緣部，並且，端子可以設置在中央部中。
[0017]在其他實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個邊緣部，並且端子可以設置在中央部中。
[0018]仍然在其他實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個或多個邊緣部，並且，端子可以設置在中央部中。
[0019]還在其他實施方式中，連接線路可以設置至本體。
[0020]還在其他實施方式中，本體還可以包括用於冷卻本體的冷卻流動通道。
[0021 ] 在其他實施方式中，所述多個端子可以設置成在俯視圖中與冷卻流動通道重疊。
[0022]仍然在本發明的其他實施方式中，支承單元包括:陶瓷圓盤，該陶瓷圓盤包括利用靜電力固定基板的電極以及加熱基板的加熱線路；冷卻板，該冷卻板設置在陶瓷圓盤的底部上並且包括用於冷卻基板的冷卻流動通道；以及結合層，該結合層設置在陶瓷圓盤與冷卻板之間並將陶瓷圓盤結合至冷卻板，在該支承單元中，陶瓷圓盤包括多個加熱區域，並且連接至加熱線路並接收來自外部的電力的端子設置在所述多個加熱區域中的一個加熱區域中。
[0023]在某些實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的多個邊緣部，並且，端子可以設置在中央部中。
[0024]在其他實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個邊緣部，並且，端子可以設置在中央部中。
[0025]仍然在其他實施方式中，所述多個加熱區域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個或多個邊緣部，並且，端子可以設置在中央部中。
[0026]還在其他實施方式中，該支承單元還可以包括將加熱線路彼此互相對應地連接至端子的連接線路。
[0027]在另外的實施方式中，所述多個端子可以設置成在俯視圖中與冷卻流動通道重疊。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]附圖被包括以提供對本發明的進一步理解，並且該附圖結合在本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖與描述一起示出了本發明的示例性實施方並用於說明本發明的原理。在附圖中:
[0029]圖1為一般的靜電吸盤；
[0030]圖2為示出了根據本發明的實施方式的基板處理設備的截面圖；
[0031]圖3為分成多個加熱區域的本體的俯視圖；
[0032]圖4為圖3的包括加熱單元的本體的後視圖；
[0033]圖5為圖4的本體的側視圖；
[0034]圖6為陶瓷圓盤的內部的視圖；
[0035]圖7和圖8為根據另一實施方式的支承單元的視圖；以及
[0036]圖9為冷卻流動通道。
【具體實施方式】
[0037]本發明的實施方式可以被修改成各種形式，並且本發明的範圍不受到以下實施方式的限制。提供實施方式以向本領域的普通技術人員更佳地說明本發明。因此，在附圖中，元件的形狀等均被擴大以更加清晰地進行說明。
[0038]本實施方式提供了一種用於利用等離子刻蝕基板的基板處理設備。然而，其並不限於此，本實施方式將應用至用於對設置在其上的基板進行加熱的各種設備。
[0039]另外，在本實施方式中，作為支承單元的靜電吸盤將作為示例進行描述。然而，其並不限於此，該支承單元可以通過機械夾持或通過真空來支承基板。
[0040]圖2為示出了根據本發明的實施方式的基板處理設備10的截面圖。
[0041]參照圖2，基板處理設備10利用等離子來處理基板W。例如，基板處理設備10可以在基板W上執行刻蝕過程。基板處理設備10包括室100、支承單元200、氣體供給單元300、等離子源400以及排出單元500。
[0042]室100提供了用於執行基板處理過程的空間。室100包括外殼110、罩120以及襯墊 130。
[0043]外殼110具有在其中具有敞開頂部的空間。外殼110的內部空間設置成執行基板處理過程。外殼110由金屬材料形成。外殼110可以由鋁形成。外殼110可以接地。排出孔102形成在外殼110的底部表面中。排出孔102連接至排出線路151。在處理過程中產生的副產品以及外殼100的內部空間中殘留的氣體可以通過排出線路151向外排出。外殼110的內部通過排出過程被減壓至一定程度的壓力。
[0044]罩120覆蓋外殼110的敞開頂部。罩120具有板形形狀並且密封外殼110的內部空間。外殼120可以包括電介質窗。
[0045]襯墊130設置在外殼110內。襯墊130具有內部空間，該內部空間具有敞開的頂部和底部。襯墊130可以具有圓筒形形狀。襯墊130可以具有與外殼110的內表面對應的半徑。襯墊130沿著外殼110的內表面設置。支承環131形成在襯墊130的頂端部上。支承環131為環狀板並且從襯墊130沿著襯墊130的圓周向外延伸。支承環131設置在外殼110的頂端部上並支承襯墊130。襯墊130可以由與外殼110相同的材料形成。襯墊130可以由鋁形成。襯墊130保護外殼110的內表面。在處理氣體被激發時在室100中可能會發生電弧放電。電弧放電損壞周圍裝置。襯墊130保護外殼110的內表面並且防止由電弧放電引起的在外殼110的內表面中的損壞。另外，防止了基板處理過程期間產生的雜質氣相沉積在外殼110的內壁上。相比外殼110，襯墊130在成本方面更低並且更易於替換。因此，當襯墊130被電弧放電損壞時,工作者可以用新的襯墊來替換已損壞的襯墊130。
[0046]支承單元200位於外殼110中。支承單元200支承基板W。支承單元200可以包括利用靜電力吸附基板W的靜電吸盤210。下文中將對包括靜電吸盤210的支承單元200進行描述。
[0047]支承單元200包括靜電吸盤210和下罩270。支承單元200可以在室100中與外殼110的底部表面向上隔開。
[0048]靜電吸盤210包括本體215和絕緣板250。本體215包括陶瓷圓盤220、電極223、加熱單元2250、支承板230以及結合層236。
[0049]參照圖2，陶瓷圓盤220設置在靜電吸盤210的頂端部上。作為示例，陶瓷圓盤220可以包括具有圓盤形形狀的電介質。基板W設置在陶瓷圓盤220的頂部表面上。陶瓷圓盤220的頂部表面具有比基板W更小的半徑。因此，基板W的邊緣加熱區域位於陶瓷圓盤220的外部。陶瓷圓盤220設置有第一供給流動通道221。第一供給流動通道221在其中形成為彼此間隔開的多個第一供給流動通道，並且設置為用於將傳熱介質供給至基板W的底部表面的路徑。
[0050]圖3為包括多個加熱區域的本體215的俯視圖。陶瓷圓盤220可以具有多個加熱區域。所述多個加熱區域包括中央部和邊緣部。中央部位於陶瓷圓盤220的中央中。邊緣部設置成圍繞該中央部。邊緣部可以設置為一個或多個邊緣部。參照圖3，陶瓷圓盤220分成六個加熱區域並且包括一個中央部和五個邊緣部。不同地，邊緣部可以設置為一個或多個邊緣部。
[0051]電極223埋入陶瓷圓盤220中。電極223位於加熱單元2250的頂部上。電極223電連接至第一下電源223a。第一下電源223a包括直流(DC)電源。開關223b安裝在電極223與第一下電源223a之間。電極223可以取決於開關223b的斷開/閉合操作電連接至第一下電源223a。當開關223b閉合時，直流電流施加至電極223。由於施加至電極223的電流，靜電力作用在電極223與基板W之間。基板W由於靜電力而被吸附到陶瓷圓盤220上。
[0052]圖4為圖3的包括加熱單元2250的本體的後視圖。圖5為圖4的本體的側視圖。圖6為陶瓷圓盤220的內部的視圖。
[0053]加熱單元2250加熱本體215。加熱單元2250包括加熱線路2251至2256、端子2251a至2256a、連接線路2251b至2256b、電力線路2251c至2256c以及第二下電源225a。
[0054]加熱線路2251至2256可以設置為多個加熱線路。加熱線路2251至2256可以以與相應的加熱區域對應的方式設置。參照圖4，加熱線路2251至2256設置在六個加熱區域中。加熱線路2251至2256設置為多個加熱線路以彼此獨立地控制多個加熱區域的溫度。加熱線路2251至2256電連接至第二下電源225a。作為示例，加熱線路2251至2256設置為加熱電線。不同地，加熱線路2251至2256可以通過形成圖案來形成。加熱線路2251至2256抵抗施加至第二下電源225a的電流，從而產生熱量。所產生的熱量通過陶瓷圓盤220傳遞至基板W。基板W由於加熱線路2251至2256所產生的熱量而保持在一定的溫度下。加熱線路2251至2256可以設置為具有螺旋形形狀或鋸齒形形狀的線圈。相應的加熱線路2251至2256可以施加有不同的電力。
[0055]端子2251a至2256a設置至本體215。作為示例，如圖6中所示，端子2251a至2256a可以位於陶瓷圓盤220與支承板230之間的邊界部上。端子2251a至2256a接收來自外部的電力。參照圖3，在俯視圖中，端子2251a至2256a可以設置在陶瓷圓盤220的多個加熱區域中的一個加熱區域中。當端子2251a至2256a僅設置在一個加熱區域中時，在向端子2251a至2256a傳遞電力的同時所產生的熱量集中在一個加熱區域上。在這種情況下，考慮由於端子2251a至2256a所產生的熱量，對於每個加熱區域而言，溫度可以被精確地控制。端子2251a至2256a以不會由於其他區域中的端子2251a至2256a產生溫度增加的方式設置在一個加熱區域中，並且設置有端子2251a至2256a的區域由於多個端子2251a至2256a而在溫度方面容易地進行控制。此處，端子2251a至2256a可以對稱地設置在一個加熱區域中。作為示例，端子2251a至2256a可以設置在多個加熱區域之中的中央部分中。參照圖4，端子2251a至2256a設置在六個加熱區域之中的中央部分中。不同地，端子2251a至2256a可以設置在陶瓷圓盤220的邊緣部的一個加熱區域中。選擇性地，端子2251a至2256a可以設置在中央部和邊緣部之中的某些加熱區域中。
[0056]連接線路2251b至2256b將加熱線路2251至2256連接至端子2251a至2256a。連接線路2251b至2256b將加熱線路2251至2256以彼此互相對應的方式連接至端子2251a至2256a。連接線路2251b至2256b通過端子2251a至2256a接收電力。連接線路2251b至2256b提供傳遞至加熱線路2251至2256的電力。
[0057]電力線路2251c至2256c將端子2251a至2256a連接至第二下電源225a。通過電力線路2251c至2256c，施加至第二下電源225a的電力被供給至端子2251a至2256a。
[0058]圖7和圖8為根據另一實施方式的支承單元的視圖。該支承單元具有與圖3的支承單元200大約類似的形狀和功能。只是，陶瓷圓盤320包括中央部和一個邊緣部。因此，加熱單元3250的加熱線路3251和3252分別設置在中央部和邊緣部中。參照圖8，端子3251a和3252a設置在中央部中。
[0059]參照圖2，支承板230位於陶瓷圓盤220的下方。陶瓷圓盤220的底部表面以及支承板230的頂部表面可以通過結合層236結合。支承板230可以由鋁形成。支承板230可以包括電極。支承板230的頂部表面可以具有階梯部以允許中央加熱部定位地比邊緣加熱部更高。支承板230的頂部表面的中央加熱部具有與陶瓷圓盤220的底部表面對應的區域，並且該中央加熱部結合至陶瓷圓盤220的底部表面。支承板230通過循環流動通道231、冷卻流動通道232以及第二供給流動通道233形成。
[0060]循環流動通道231設置為用於允許傳熱介質循環的路徑。循環流動通道231可以在支承板230中形成為螺旋形形狀。替代性地，循環流動通道231可以設置成允許具有環形形狀的流動通道，該環形形狀具有互相不同的半徑以具有同一中心。相應的循環流動通達231可以彼此連接。循環流動通道231形成為以彼此平齊。
[0061]圖9為冷卻流動通道232的視圖。冷卻流動通道232冷卻本體。冷卻流動通道232設置為用於允許冷卻流體循環的路徑。冷卻流動通道232可以在支承板230形成為螺旋形形狀。另外。冷卻流動通道232可以設置成允許具有環形形狀的流動通道，該環形形狀具有互相不同的半徑以具有同一中心。相應的冷卻流動通道232可以彼此連接。冷卻流動通道232可以具有比循環流動通道231更大的橫截面區域。冷卻流動通道232形成為彼此平齊。冷卻流動通道232可以位於循環流動通道231的下方。參照圖9，在俯視圖中，冷卻流動通道232設置成與端子2251a至2256a重疊。由於此，冷卻流動通道232可以防止設置有端子2251a至2256a的加熱區域的溫度的增加。
[0062]第二供給流動通道233從循環流動通道231向上延伸並且設置至支承板230的頂部表面。第二供給流動通道233設置為與第一供給流動通道221的數目對應的數目。
[0063]第一循環流動通道231通過傳熱介質供給線路231b連接至傳熱介質存儲部231a。傳熱介質存儲部231a存儲傳熱介質。傳熱介質包括惰性氣體。根據實施方式,傳熱介質包括氦氣。氦氣通過傳熱介質供給線路231b供給至第一循環流動通道231，隨後穿過第二供給流動通道233和第一供給流動通道221，並且供給至基板W的底部表面。氦氣用作用於允許熱量從等離子傳遞至基板W以被傳遞至靜電吸盤210的介質。
[0064]冷卻流動通道232通過冷卻流體供給線路232c連接至冷卻流體存儲部232a。冷卻流體存儲部232a存儲冷卻流體。冷卻流體存儲部232a可以包括設置在該冷卻流體存儲部232a中的冷卻器232b。該冷卻器232b將冷卻流體冷卻至一定的溫度。不同地，冷卻器232b可以安裝在冷卻流體供給線路232c上。通過冷卻流體線路232c供給至冷卻流動通道232的冷卻流體循環過冷卻流動通道232並冷卻支承板230。支承板230在被冷卻的同時與電介質板220和基板W —起冷卻,從而將基板W保持在一定的溫度下。
[0065]聚焦環240設置在靜電吸盤210的邊緣加熱部中。聚焦環240具有環形形狀並沿著陶瓷圓盤220的周向設置。聚焦環240的頂部表面可以具有階梯部以允許外部部分240a比內部部分240b更高。聚焦環240的頂部表面的內部部分240b與陶瓷圓盤220的頂部表面平齊。聚焦環240的頂部表面的內部部分240b支承基板W的位於陶瓷圓盤220的外側的邊緣加熱部。聚焦環240的外部部分240a可以設置成圍繞基板W的邊緣加熱部。在室100中，聚焦環240允許等離子與基板W相對的在加熱區域上聚集。
[0066]絕緣板250位於支承板230的底部上。絕緣板250具有與支承板230對應的橫截面區域。絕緣板250位於支承板230與下罩270之間。絕緣板250由絕緣材料形成並使支承板230與下罩270電絕緣。
[0067]下罩270位於支承單元200的底部端部上。下罩270定位成與外殼110的底部表面向上隔開。在下罩270中形成有具有敞開頂部的空間。下罩270的頂部表面由絕緣板250覆蓋。因此，下罩270的橫截面的外半徑可以具有與絕緣板250的外半徑相同的長度。在下罩270中的空間中，可以定位用於將基板W傳遞至靜電吸盤210的作為外部傳遞構件的提升銷模塊(未示出)。
[0068]下罩270包括連接構件273。連接構件273將下罩270的外表面連接至外殼110的內壁。連接構件273可以設置為位於下罩270的外表面上的具有一定間距的多個連接構件。連接構件273在室100中支承支承單元200。另外，連接構件273連接至外殼110的內壁，從而允許下罩270電接地。連接至第一下電源223a的第一電力線路223c、連接至第二下電源225a的第二電力線路225c、連接至傳熱介質存儲部231a的傳熱介質供給線路231b、以及連接至冷卻流體存儲部232a的冷卻流體供給線路232c通過連接構件273的內部空間在下罩270中延伸。
[0069]氣體供給單元300將處理氣體供給至室100。氣體供給單元300包括氣體供給噴嘴310、氣體供給線路320以及氣體存儲部330。氣體供給噴嘴310安裝在罩210的中央部中。噴射孔形成在氣體供給噴嘴310的底部表面中。噴射孔位於罩的底部上並將處理氣體供給到室100中。氣體供給線路320將氣體供給噴嘴310連接至氣體存儲部330。氣體供給線路320將存儲在氣體存儲部330中的處理氣體供給至氣體供給噴嘴310。閥321安裝在氣體供給線路320上。閥321打開及關閉氣體供給線路320並控制通過氣體供給線路320供給的處理氣體的流動。
[0070]等離子源400將室中的處理氣體激發成處於等離子狀態。可以使用電感耦合等離子體(ICP)源作為等離子源400。等離子源400包括天線密封件410、天線420以及等離子電源430。天線密封件410具有圓筒形形狀，該圓筒形形狀具有敞開底部。天線密封件410在其中設置有空間。天線密封件410設置成具有與室100對應的直徑。天線密封件410的底部端部設置在罩120上以能夠被拆卸。天線420設置在天線密封件410中。天線420設置為具有多次卷繞的螺旋形形狀的線圈並且連接至等離子電源430。天線420接收來自等離子電源430的電力。等離子電源430可以位於室100的外部。施加有電力的天線420可以在室100的處理空間中形成電磁場。處理氣體被電磁場激發成處於等離子狀態。
[0071]排出單元500位於外殼110的內壁與支承單元200之間。排出單元500包括形成有穿透孔511的排出板510。排出板510形成為環形形狀。排出板510形成有多個穿透孔511。提供到外殼110中的處理氣體穿過排出板510的穿透孔511並且通過排出孔102排出。處理氣體的流動可以根據排出板510和排出孔511的形狀來控制。
[0072]下文中，將對基板W的利用基板處理設備10的處理過程進行描述。
[0073]在基板W設置在支承單元200上時，直流電流從第一下電源223a供給至電極223。由於供給至電極223的直流電流，靜電力作用在電極223與基板W之間。基板W由於該靜電力吸附在電吸盤210上。
[0074]在基板W吸附在靜電吸盤210上時，處理氣體通過氣體供給噴嘴310供給到外殼110中。另外，由等離子電源430產生的高頻電力通過天線420施加至外殼110的內部。所施加的高頻電力激發殘留在外殼110中的處理氣體。所激發的處理氣體提供至基板W以對基板W進行處理。所激發的處理氣體可以實現刻蝕過程。
[0075]在上述實施方式中，加熱單元2250被描述為設置在陶瓷圓盤220中。不同地，力口熱單元2250可以設置在支承板230中。另外，在上述實施方式中，描述了陶瓷圓盤220和支承板230通過結合層236結合。不同地，陶瓷圓盤220和支承板230可以通過各種方法彡口口 ?
[0076]根據實施方式，包括支承單元的基板處理設備能夠精確地控制基板的溫度。
[0077]本發明的效果不限於以上所描述的，並且本領域的普通技術人員將很清楚地從說明書和附圖中理解到以上沒有提到的效果。
[0078]上述主題應當被理解為說明性而非限制性，並且所附權利要求意於覆蓋落入本發明的真實的精神和範圍內的所有這種改型、加強功能以及其他實施方式。因此，對於法律所允許的最大範圍而言，本發明的範圍由以上權利要求和其等他替代的能夠廣泛允許的解釋來確定，並且其不應當受到前述詳細描述的限定或限制。
【權利要求】
1.一種支承基板的支承單元，所述支承單元包括: 本體，所述本體包括多個加熱區域並且在所述本體的頂部表面上設置有所述基板；以及 加熱單元，所述加熱單元加熱所述本體， 其中，所述加熱單元包括: 加熱線路，所述加熱線路分別設置在所述多個加熱區域中以彼此獨立地控制所述多個加熱區域的溫度； 端子，所述端子設置至所述本體並接收來自外部的電力；以及 連接線路，所述連接線路將所述加熱線路彼此互相對應地連接至所述端子，並且 其中，所述端子在俯視圖中設置在所述多個加熱區域中的一個加熱區域中。
2.根據權利要求1所述的支承單元，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的多個邊緣部，並且 其中，所述端子設置在所述中央部中。
3.根據權利要求1所述的支承單元，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的一個邊緣部，並且 其中，所述端子設置在所述中央部中。
4.根據權利要求1所述的支承單元，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的一個或多個邊緣部，並且， 其中，所述端子設置在所述中央部中。
5.根據權利要求4所述的支承單元，其中，所述連接線路設置至所述本體。
6.根據權利要求4所述的支承單元，其中，所述本體還包括用於冷卻所述本體的冷卻流動通道。
7.根據權利要求6所述的支承單元，其中，多個端子設置成在俯視圖中與所述冷卻流動通道重疊。
8.一種基板處理設備，包括: 形成有內部空間的室； 支承單元，所述支承單元位於所述室中並支承基板； 氣體供給單元，所述氣體供給單元將處理氣體供給到所述室中；以及 等離子源單元，所述等離子源單元通過所述處理氣體產生等離子， 其中，所述支承單元包括: 本體，所述本體包括多個加熱區域並且在所述本體的頂部表面上設置有所述基板；以及 加熱單元，所述加熱單元加熱所述本體， 其中，所述加熱單元包括: 加熱線路，所述加熱線路分別設置在所述多個加熱區域中以彼此獨立地控制所述多個加熱區域的溫度； 端子，所述端子設置至所述本體並接收來自外部的電力；以及 連接線路，所述連接線路將所述加熱線路彼此互相對應地連接至所述端子，並且 其中，所述端子在俯視圖中設置在所述多個加熱區域中的一個加熱區域中。
9.根據權利要求8所述的設備，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的多個邊緣部，並且 其中，所述端子設置在所述中央部中。
10.根據權利要求8所述的設備，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的一個邊緣部，並且 其中，所述端子設置在所述中央部中。
11.根據權利要求8所述的設備，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的一個或多個邊緣部，並且， 其中，所述端子設置在所述中央部中。
12.根據權利要求11所述的設備，其中，所述連接線路設置至所述本體。
13.根據權利要求11所述的設備，其中，所述本體還包括用於冷卻所述本體的冷卻流動通道。
14.根據權利要求13所述的設備，其中，多個端子設置成在俯視圖中與所述冷卻流動通道重疊。
15.—種支承單元,包括: 陶瓷圓盤，所述陶瓷圓盤包括利用靜電力固定基板的電極以及加熱所述基板的加熱線路； 冷卻板，所述冷卻板設置在所述陶瓷圓盤的底部上並且包括用於冷卻所述基板的冷卻流動通道；以及 結合層，所述結合層設置在所述陶瓷圓盤與所述冷卻板之間並將所述陶瓷圓盤結合至所述冷卻板， 其中，所述陶瓷圓盤包括多個加熱區域，並且連接至所述加熱線路並接收來自外部的電力的端子設置在所述多個加熱區域中的一個加熱區域中。
16.根據權利要求15所述的支承單元，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的多個邊緣部，並且 其中，所述端子設置在所述中央部中。
17.根據權利要求15所述的支承單元，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的一個邊緣部，並且 其中，所述端子設置在所述中央部中。
18.根據權利要求15所述的支承單元，其中，所述多個加熱區域包括中央部以及圍繞所述中央部的一個或多個邊緣部，並且， 其中，所述端子設置在所述中央部中。
19.根據權利要求18所述的支承單元，還包括將所述加熱線路彼此互相對應地連接至所述端子的連接線路。
20.根據權利要求18所述的支承單元，其中，多個端子設置成在俯視圖中與所述冷卻流動通道重疊。
【文檔編號】H01L21/683GK104134622SQ201410181617
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年4月30日 優先權日:2013年4月30日
【發明者】金炯俊, 金承奎 申請人:細美事有限公司