射頻電路和混頻器的製作方法

2023-10-11 02:27:14 3

專利名稱：射頻電路和混頻器的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種射頻電路，特別是涉及以混頻器耦接電感的射頻電路。
背景技術：
在一般的射頻電路中，接收器通常包含低噪聲放大器(low noiseamplifier,LNA)和混頻器(mixer)。混頻器為接收器中的重要元件，用以將射頻訊號轉換為中頻訊號，因此混頻器的轉換增益(conversion gain)、線性度(linearity)及噪聲指數(noise figure)都會影響接收器的性能。在接收器中，低噪聲放大器用以將射頻訊號的噪聲濾除，因此接收器整體的噪聲主要是由低噪聲放大器的性能所決定。然而，若使用具有較高的轉換增益和較低噪聲指數的混頻器，不但可減少接收器整體的噪聲，還可進一步減少低噪聲放大器的成本。

發明內容
本發明提供一種高頻寬、低噪聲的混頻器，以及包括所述混頻器的射頻電路。本發明提供一種射頻電路，包括一變壓器，用以接收一射頻信號並產生一對轉換信號；一本地振蕩器，用以根據一本地振蕩信號產生一第一振蕩信號、一第二振蕩信號、一第三振蕩信號，以及一第四振蕩信號；一第一混頻器，根據所述轉換信號、所述第一振蕩信號以及所述第二振蕩信號產生一第一混頻信號，並包括一同相正向輸入端，用以接收所述第一振蕩信號；一同相負向輸入端，用以接收所述第二振蕩信號；以及一第一電感，耦接在所述同相正向輸入端和所述同相負向輸入端之間；一第二混頻器，根據所述轉換信號、所述第三振蕩信號以及所述第四振蕩信號產生一第二混頻信號，並包括一正交正向輸入端，用以接收所述第三振蕩信號；一正交負向輸入端，用以接收所述第四振蕩信號；以及一第二電感，耦接在所述正交正向輸入端和所述正交負向輸入端之間；一第一可調增益放大器，根據所述第一混頻信號產生一中頻同相差動信號；以及一第二可調增益放大器，根據所述第二混頻信號產生一中頻正交差動信號。另外，本發明提供一種混頻器，根據一對轉換信號、一第一振蕩信號、一第二振蕩信號產生一混頻信號，並包括一同相正向輸入端，用以接收所述第一振蕩信號；一同相負向輸入端，用以接收所述第二振蕩信號；以及一電感，耦接在所述同相正向輸入端和所述同相負向輸入端之間。另外，本發明提供一種混頻器，根據一對轉換信號、一第一振蕩信號、一第二振蕩信號產生一混頻信號，並包括一同相正向輸入端，用以接收所述第一振蕩信號；一同相負向輸入端，用以接收所述第二振蕩信號；一第一電感，I禹接在所述同相正向輸入端和一第一電源節點之間；以及一第二電感，耦接在所述同相負向輸入端和所述第一電源節點之間。


圖I是顯示根據本發明一實施例所述的射頻電路的示意圖2是顯示根據本發明一實施例所述的混頻器的電路圖；圖3是顯示根據本發明一實施例所述的混頻器的電路圖；圖4A是顯示根據本發明另一實施例所述的混頻器的示意圖；圖4B是顯示根據本發明另一實施例所述的混頻器的示意圖；圖5A是顯示根據本發明一實施例所述的電感的俯視圖；圖5B是顯示根據本發明一實施例所述的電感的剖面圖；圖6A是顯示根據本發明一實施例所述的電感的俯視圖； 圖6B是顯示根據本發明一實施例所述的電感的剖面圖。附圖符號說明100 射頻電路；102 低噪聲放大器；104 變壓器；106 本地振蕩器；108、110、408、410 混頻器；112、114 可調增益放大器；C1、C2、C3、C4 電容；CC1、CC2、CC3、CC4、CC5、CC6、CC7、CC8、CC9、CC10、CC11、CC12、CC13、CC14、CC15、CC16、CC17、CC18、CC19、CC20、CC21、CC22 線圈；E1、E2、E3、E4、E5、E6 平面;GND、VDD 電源節點；IFI 中頻同相差動信號；IFQ 中頻正交差動信號；IPI 同相正向輸入端；INI 同相負向輸入端；L1、L2、L3、L4、L5、L6 電感;LOS 本地振蕩信號；M1、M2、Q3、Q4、Q5、Q6、M7、M8、M9、M10、Q11、Q12、Q13、Q14、M15、M16 電晶體；N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8、N9、N10、N11、N12、N13、N14 節點；MSl、MS2 混頻信號；0S1、0S2、0S3、0S4 振蕩信號；QPI 正交正向輸入端；QNI 正交負向輸入端；R1、R2、R3、R4 電阻；RR1、RR2、RR3、RR4 長度；RFS 射頻信號；TS 轉換信號。
具體實施例方式圖I是顯示根據本發明一實施例所述的射頻電路100的示意圖。如圖I所示，射頻電路100包括低噪聲放大器102、變壓器(transformer) 104、本地振蕩器(localoscillator, LO) 106、混頻器 108、110、以及可調增益放大器(variable gain amplifer,VGA) 112、114。低噪聲放大器102用以接收中心頻率為2. 4GHz的射頻信號RFS，並將射頻信號RFS放大。變壓器104電性連接到低噪聲放大器102，接收放大的射頻信號RFS，並產生一對轉換信號TS。本地振蕩器106用以接收本地振蕩信號L0S，並產生振蕩信號0S1、0S2、0S3、0S4。混頻器108電性連接到變壓器104，並包括同相正向輸入端IPI、同相負向輸入端INI，以及電感LI。混頻器108通過同相正向輸入端IPI、同相負向輸入端INI電性連接到本地振蕩器106，其中同相正向輸入端IPI用以接收振蕩信號OSl，而同相負向輸入端INI用以接收振蕩信號0S2。電感LI耦接在同相正向輸入端IPI和同相負向輸入端INI之間。混頻器108根據轉換信號TS、振蕩信號0S1、0S2，產生混頻信號MSI。相似地，混頻器110電性連接到變壓器104，並包括正交正向輸入端QPI、正交負向輸入端QNI，以及電感L2。混頻器110通過正交正向輸入端QPI、正交負向輸入端QNI電性連接到本地振蕩器106，其中正交正向輸入端QPI用以接收振蕩信號0S3，而正交負向輸入端QNI用以接收振蕩信號0S4。電感L2耦接在正交正向輸入端QPI和正交負向輸入端QNI之間。混頻器110根據轉換信·號TS、振蕩信號0S3、0S4，產生混頻信號MS4。可調增益放大器112電性連接到混頻器108，並根據混頻信號MSl產生中頻同相差動信號IFI。相似地，可調增益放大器114電性連接到混頻器110，並根據混頻信號MS2產生中頻正交差動信號IFQ。本發明加入電感L1、L2的設計，增加電感性負載，可改善混頻器108、110的轉換增益,並減少多相過濾損耗(polyphasefilter loss)。電感LI、L2將有效改善射頻電路100的效能。圖2是顯示根據本發明一實施例所述的混頻器108的電路圖。如圖2所示，混頻器108還包括電晶體Ml、M2、Q3、Q4、Q5、Q6、M7、M8。電晶體Ml、M2可以是PMOS電晶體(P-channel Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor);電晶體 Q3、Q4、Q5、Q6 可以是 NPN 型雙載子接面電晶體(NPN-type bipolar junction transistor);而電晶體 M7、M8 可以是 NMOS 電晶體(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)。電晶體Ml耦接在電源節點VDD和節點NI之間，並具有耦接到節點N3的柵極。電晶體M2耦接電源節點VDD和節點N2之間，並具有耦接到節點N3的柵極。電晶體Q3耦接在節點NI和節點N4之間，並具有耦接到同相正向輸入端IPI的柵極。電晶體Q4耦接在上節點N2和節點N4之間，並具有耦接到同相負向輸入端INI的柵極。電晶體Q5耦接在節點N2和節點N5之間，並具有耦接到同相負向輸入端INI的柵極。電晶體Q6耦接在節點N2和節點N5之間，並具有耦接到同相正向輸入端IPI的柵極。電晶體M7耦接在節點N4和電源節點GND之間，並具有經節點N6耦接到變壓器104的柵極。電晶體M8耦接在節點N5和電源節點GND之間，並具有經節點N7耦接到變壓器104的柵極。電阻Rl耦接在節點NI、N3之間，而電阻R2耦接在節點N2、N3之間。另外，節點N1、N2耦接到所述可調增益放大器112。圖3是顯示根據本發明一實施例所述的混頻器110的電路圖。如圖3所示，混頻器 110 包括:電晶體 M9、M10、Q11、Q12、Q13、Q14、M15、M16。電晶體 M9、MlO 可以是 PMOS 電晶體；電晶體Qll、Q12、Q13、Q14可以是NPN型雙載子接面電晶體；而電晶體M15、M16可以是NMOS電晶體。電晶體M9耦接在電源節點VDD和節點N8之間，並具有耦接到節點NlO的柵極。電晶體MlO耦接電源節點VDD和節點N9之間，並具有耦接到節點NlO的柵極。電晶體Qll耦接在節點N8和節點Nll之間，並具有耦接到正交正向輸入端QPI的柵極。電晶體Q12耦接在上節點N9和節點Nll之間，並具有耦接到正交負向輸入端QNI的柵極。電晶體Q13耦接在節點N9和節點N12之間，並具有耦接到正交負向輸入端QNI的柵極。電晶體Q14耦接在節點N9和節點N12之間，並具有耦接到正交正向輸入端QPI的柵極。電晶體M15耦接在節點Nll和電源節點GND之間，並具有經節點N13耦接到變壓器104的柵極。電晶體M16耦接在節點N12和電源節點GND之間，並具有經節點N14耦接到變壓器104的柵極。電阻R3耦接在節點N8、NlO之間，而電阻R4耦接在節點N9、NlO之間。另外，節點N8、N9耦接到所述可調增益放大器114。
圖4A是顯示根據本發明另一實施例所述的混頻器408的示意圖。圖4A中的混頻器408和圖I中的混頻器108相似，而兩者相異處如下述(I)電感LI被移除；(2)同相正向輸入端IPI經由電感L3、電容Cl耦接到電源節點GND ; (3)同相負向輸入端INI經由電感L4、電容C2耦接到電源節點GND。電容C1、C2用以阻斷直流電流，且電容C1、C2的電容值皆大於10pF。在圖4A中，電感LI由耦接到電源節點GND的電感L3、L4取代，亦可達到增加電感性負載的效果。圖4B是顯示根據本發明另一實施例所述的混頻器410的示意圖。圖4B中的混頻器410和圖I中的混頻器110相似，而兩者相異處如下述(I)電感L2被移除；(2)正交正向輸入端QPI經由電感L5、電容C3耦接到電源節點GND ； (3)正交負向輸入端QNI經由電感L6、電容C4耦接到電源節點GND。電容C3、C4用以阻斷直流電流，且電容C3、C4的電容值皆大於10pF。在圖4B中，電感L2由耦接到電源節點GND的電感L5、L6取代，亦可達到增加電感性負載的效果。圖5A是顯示根據本發明一實施例所述的電感LI的俯視圖。而圖5B是顯示根據本發明一實施例所述的電感LI的剖面圖。如圖5A、圖5B所示，電感LI可以包括線圈CC1、CC2、CC3、CC4、CC5、CC6、CC7、CC8、CC9、CC10、CC11，其中線圈 CCl 位於平面 E1，且形狀是長度為長度RRl的矩形，並耦接到同相正向輸入端IPI和同相負向輸入端INI ;線圈CC2位於平面E2，且形狀是長度為長度RR2的矩形；線圈CC3位於平面E3，且形狀是長度為長度RRl的矩形；線圈CC4位於平面E4，且形狀是長度為長度RR2的矩形；線圈CC5位於平面E5，且形狀是長度為上長度RRl的矩形；線圈CC6位於平面E6，且形狀是長度為長度RR2的矩形；線圈CC7位於平面E5，且形狀是長度為長度RR3的矩形；線圈CC8位於平面E4，且形狀是長度為長度RR4的矩形；線圈CC9位於平面E3，且形狀是長度為長度RR3的矩形；線圈CClO位於平面E2，且形狀是長度為長度RR4的矩形；以及線圈CCll位於所述平面E1，且形狀是長度為長度RR3的矩形。平面E1、E2、E3、E4、E5、E6，彼此互相平行。長度RR1、RR2、RR3、RR4 由長到短依序為長度 RR1、RR2、RR3、RR4。線圈 CC1、CC2、CC3、CC4、CC5、CC6、CC7、CC8、CC9、CC10、CC11彼此互相電性連接，形成一條電流路徑。圖5A、圖5B的電感LI是由向內環繞的11條線圈組成，具有節省布局空間的效果。此外，電感LI亦可根據所需的電感值設計不同的線圈數，例如由3、15、18個線圈組成。圖6A是顯示根據本發明一實施例所述的電感L2的俯視圖。而圖6B是顯示根據本發明一實施例所述的電感L2的剖面圖。如圖6A、圖6B所示，電感L2可以包括線圈CC12、CC13、CC14、CC15、CC16、CC17、CC18、CC19、CC20、CC21、CC22。其中線圈 CC12 位於平面 El,且形狀是長度為長度RRl的矩形，並耦接到正交正向輸入端QPI和正交負向輸入端QNI ;線圈CC13位於平面E2，且形狀是長度為長度RR2的矩形；線圈CC14位於平面E3，且形狀是長度為長度RRl的矩形；線圈CC15位於平面E4，且形狀是長度為長度RR2的矩形；線圈CC16位於平面E5，且形狀是長度為上長度RRl的矩形；線圈CC17位於平面E6，且形狀是長度為長度RR2的矩形；線圈CC18位於平面E5，且形狀是長度為長度RR3的矩形；線圈CC19位於平面E4，且形狀是長度為長度RR4的矩形；線圈CC20位於平面E3，且形狀是長度為長度RR3的矩形；線圈CC21位於平面E2，且形狀是長度為長度RR4的矩形；以及線圈CC22位於所述平面E1，且形狀是長度為長度RR3的矩形。平面E1、E2、E3、E4、E5、E6，彼此互相平行。長度 RRU RR2、RR3、RR4 由長到短依序為長度 RRU RR2、RR3、RR4。線圈 CC12、CC13、CC14、CC15、CC16、CC17、CC18、CC19、CC20、CC21、CC22 彼此電性連接，形成一條電流路徑。圖 6A、圖6B的電感L2是由向內環繞的11條線圈組成，具有節省布局 空間的效果。此外，電感L2亦可根據所需的電感值設計不同的線圈數，例如由3、15、18個線圈組成。 本發明雖以較佳實施例揭示如上，然其並非用以限定本發明的範圍，本領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍的前提下，可做若干的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍是以本發明的權利要求為準。
權利要求
1.一種射頻電路，包括 一變壓器，用以接收一射頻信號並產生一對轉換信號； 一本地振蕩器，用以根據一本地振蕩信號產生一第一振蕩信號、一第二振蕩信號、一第三振蕩信號，以及一第四振蕩信號； 一第一混頻器，根據所述轉換信號、所述第一振蕩信號以及所述第二振蕩信號產生一第一混頻信號，並包括 一同相正向輸入端，用以接收所述第一振蕩信號； 一同相負向輸入端，用以接收所述第二振蕩信號；以及 一第一電感，耦接在所述同相正向輸入端和所述同相負向輸入端之間； 一第二混頻器，根據所述轉換信號、所述第三振蕩信號以及所述第四振蕩信號產生一第二混頻信號，並包括 一正交正向輸入端，用以接收所述第三振蕩信號； 一正交負向輸入端，用以接收所述第四振蕩信號；以及 一第二電感，I禹接在所述正交正向輸入端和所述正交負向輸入端之間； 一第一可調增益放大器，根據所述第一混頻信號產生一中頻同相差動信號；以及 一第二可調增益放大器，根據所述第二混頻信號產生一中頻正交差動信號。
2.如權利要求I所述的射頻電路，其中所述第一混頻器還包括 一第一電晶體，耦接在一第二電源節點和一第一節點之間，並具有耦接到一第三節點的一第一柵極； 一第二電晶體，耦接在所述第二電源節點和一第二節點之間，並具有耦接到所述第三節點的一第二柵極； 一第三電晶體，耦接在所述第一節點和一第四節點之間，並具有耦接到所述同相正向輸入端的一第三柵極； 一第四電晶體，耦接在所述第二節點和所述第四節點之間，並具有耦接到所述同相負向輸入端的一第四柵極； 一第五電晶體，耦接在所述第一節點和一第五節點之間，並具有耦接到所述同相負向輸入端的一第五柵極； 一第六電晶體，耦接在所述第二節點和所述第五節點之間，並具有耦接到所述同相正向輸入端的一第六柵極； 一第七電晶體，耦接在所述第四節點和一第一電源節點之間，並具有耦接到所述變壓器的一第七柵極；以及 一第八電晶體，耦接在所述第五節點和所述第一電源節點之間，並具有稱接到所述變壓器的一第八柵極， 其中所述第一節點和所述第二節點耦接到所述第一可調增益放大器。
3.如權利要求2所述的射頻電路，其中所述第一混頻器還包括 一第一電阻，耦接在所述第一節點和所述第三節點之間；以及 一第二電阻，耦接在所述第二節點和所述第三節點之間。
4.如權利要求2所述的射頻電路，其中所述第三電晶體、所述第四電晶體、所述第五電晶體、所述第六電晶體分別為一雙載子接面電晶體。
5.如權利要求I所述的射頻電路，其中所述第二混頻器還包括 一第九電晶體，耦接在一第二電源節點和一第八節點之間，並具有耦接到一第十節點的一第九柵極； 一第十電晶體，耦接在所述第二電源節點和一第九節點之間，並具有耦接到所述第十節點的一第十柵極； 一第十一電晶體，耦接在所述第八節點和一第十一節點之間，並具有耦接到所述正交正向輸入端的一第i 柵極； 一第十二電晶體，耦接在所述第九節點和所述第十一節點之間，並具有耦接到所述正交負向輸入端的一第十二柵極； 一第十三電晶體，耦接在所述第八節點和一第十二節點之間，並具有耦接到所述正交負向輸入端的一第十三柵極； 一第十四電晶體，耦接在所述第九節點和所述第十二節點之間，並具有耦接到所述正交正向輸入端的一第十四柵極； 一第十五電晶體，耦接在所述第十一節點和一第一電源節點之間，並具有耦接到所述變壓器的一第十五柵極；以及 一第十六電晶體，耦接在所述第十二節點和所述第一電源節點之間，並具有耦接到所述變壓器的一第十六柵極， 其中所述第八節點和所述第九節點耦接到所述第二可調增益放大器。
6.如權利要求5所述的射頻電路，其中所述第二混頻器還包括 一第三電阻，耦接在所述第八節點和所述第十節點之間；以及 一第四電阻，耦接在所述第九節點和所述第十節點之間。
7.如權利要求5所述的射頻電路，其中所述第十一電晶體、所述第十二電晶體、所述第十三電晶體、所述第十四電晶體分別為一雙載子接面電晶體。
8.如權利要求I所述的射頻電路，其中所述第一電感包括 一第一線圈，位於一第一平面，且形狀是長度為一第一長度的矩形，並耦接到所述同相正向輸入端和所述同相負向輸入端； 一第二線圈，位於一第二平面，且形狀是長度為一第二長度的矩形； 一第三線圈，位於一第三平面，且形狀是長度為所述第一長度的矩形； 一第四線圈，位於一第四平面，且形狀是長度為所述第二長度的矩形； 一第五線圈，位於一第五平面，且形狀是長度為所述第一長度的矩形； 一第六線圈，位於一第六平面，且形狀是長度為所述第二長度的矩形； 一第七線圈，位於所述第五平面，且形狀是長度為一第三長度的矩形； 其中 所述第一線圈、所述第二線圈、所述第三線圈、所述第四線圈、所述第五線圈、所述第六線圈、所述第七線圈形成一條電流路徑； 所述第一平面、所述第二平面、所述第三平面、所述第四平面、所述第五平面，以及所述第六平面，彼此互相平行；以及 所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度，由長到短依序為所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度。
9.如權利要求8所述的射頻電路，其中所述第一電感還包括 一第八線圈，位於所述第四平面，且形狀是長度為一第四長度的矩形； 一第九線圈，位於所述第三平面，且形狀是長度為所述第三長度的矩形； 一第十線圈，位於所述第二平面，且形狀是長度為所述第四長度的矩形；以及 一第十一線圈，位於所述第一平面，且形狀是長度為所述第三長度的矩形， 其中 所述第一線圈、所述第二線圈、所述第三線圈、所述第四線圈、所述第五線圈、所述第六線圈、所述第七線圈、所述第八線圈、所述第九線圈、所述第十線圈、所述第十一線圈形成一條電流路徑； 所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度、所述第四長度，由長到短依序為所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度、所述第四長度。
10.如權利要求I所述的射頻電路，其中所述第二電感包括 一第十二線圈，位於一第一平面，且形狀是長度為一第一長度的矩形，並耦接到所述正交正向輸入端和所述正交負向輸入端； 一第十三線圈，位於一第二平面，且形狀是長度為一第二長度的矩形； 一第十四線圈，位於一第三平面，且形狀是長度為所述第一長度的矩形； 一第十五線圈，位於一第四平面，且形狀是長度為所述第二長度的矩形； 一第十六線圈，位於一第五平面，且形狀是長度為所述第一長度的矩形； 一第十七線圈，位於一第六平面，且形狀是長度為所述第二長度的矩形； 一第十八線圈，位於所述第五平面，且形狀是長度為一第三長度的矩形， 其中 所述第十二線圈、所述第十三線圈、所述第十四線圈、所述第十五線圈、所述第十六線圈、所述第十七線圈、所述第十八線圈形成一條電流路徑； 所述第一平面、所述第二平面、所述第三平面、所述第四平面、所述第五平面，以及所述第六平面，彼此互相平行；以及 所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度，由長到短依序為所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度。
11.如權利要求10所述的射頻電路，其中所述第二電感還包括 一第十九線圈，位於所述第四平面，且形狀是長度為一第四長度的矩形； 一第二十線圈，位於所述第三平面，且形狀是長度為所述第三長度的矩形； 一第二十一線圈，位於所述第二平面，且形狀是長度為所述第四長度的矩形；以及 一第二十二線圈，位於所述第一平面，且形狀是長度為所述第三長度的矩形， 其中 所述第十二線圈、所述第十三線圈、所述第十四線圈、所述第十五線圈、所述第十六線圈、所述第十七線圈、所述第十八線圈、所述第十九線圈、所述第二十線圈、所述第二十一線圈、所述第二十二線圈形成一條電流路徑； 所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度、所述第四長度，由長到短依序為所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度、所述第四長度。
12.—種混頻器,根據一對轉換信號、一第一振蕩信號、一第二振蕩信號產生一混頻信號，並包括 一同相正向輸入端，用以接收所述第一振蕩信號； 一同相負向輸入端，用以接收所述第二振蕩信號；以及 一電感，耦接在所述同相正向輸入端和所述同相負向輸入端之間。
13.如權利要求12所述的混頻器，還包括 一第一電晶體，耦接在一第二電源節點和一第一節點之間，並具有耦接到一第三節點的一第一柵極； 一第二電晶體，耦接在所述第二電源節點和一第二節點之間，並具有耦接到所述第三節點的一第二柵極； 一第三電晶體，耦接在所述第一節點和一第四節點之間，並具有耦接到所述同相正向輸入端的一第三柵極； 一第四電晶體，耦接在所述第二節點和所述第四節點之間，並具有耦接到所述同相負向輸入端的一第四柵極； 一第五電晶體，耦接在所述第一節點和一第五節點之間，並具有耦接到所述同相負向輸入端的一第五柵極； 一第六電晶體，耦接在所述第二節點和所述第五節點之間，並具有耦接到所述同相正向輸入端的一第六柵極； 一第七電晶體，耦接在所述第四節點和一第一電源節點之間，並具有耦接到所述變壓器的一第七柵極；以及 一第八電晶體，耦接在所述第五節點和所述第一電源節點之間，並具有耦接到所述變壓器的一第八柵極。
14.如權利要求13所述的混頻器，還包括 一第一電阻，耦接在所述第一節點和所述第三節點之間；以及 一第二電阻，耦接在所述第二節點和所述第三節點之間。
15.如權利要求13所述的混頻器，其中所述第三電晶體、所述第四電晶體、所述第五電晶體、所述第六電晶體分別為一雙載子接面電晶體。
16.如權利要求12所述的混頻器，其中所述電感包括 一第一線圈，位於一第一平面，且形狀是長度為一第一長度的矩形，並耦接到所述同相正向輸入端和所述同相負向輸入端； 一第二線圈，位於一第二平面，且形狀是長度為一第二長度的矩形； 一第三線圈，位於一第三平面，且形狀是長度為所述第一長度的矩形； 一第四線圈，位於一第四平面，且形狀是長度為所述第二長度的矩形； 一第五線圈，位於一第五平面，且形狀是長度為所述第一長度的矩形； 一第六線圈，位於一第六平面，且形狀是長度為所述第二長度的矩形； 一第七線圈，位於所述第五平面，且形狀是長度為一第三長度的矩形； 其中 所述第一線圈、所述第二線圈、所述第三線圈、所述第四線圈、所述第五線圈、所述第六線圈、所述第七線圈形成一條電流路徑； 所述第一平面、所述第二平面、所述第三平面、所述第四平面、所述第五平面，以及所述第六平面，彼此互相平行；以及 所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度，由長到短依序為所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度。
17.如權利要求16所述的混頻器，其中所述電感還包括 一第八線圈，位於所述第四平面，且形狀是長度為一第四長度的矩形； 一第九線圈，位於所述第三平面，且形狀是長度為所述第三長度的矩形； 一第十線圈，位於所述第二平面，且形狀是長度為所述第四長度的矩形；以及 一第十一線圈，位於所述第一平面，且形狀是長度為所述第三長度的矩形， 其中 所述第一線圈、所述第二線圈、所述第三線圈、所述第四線圈、所述第五線圈、所述第六線圈、所述第七線圈、所述第八線圈、所述第九線圈、所述第十線圈、所述第十一線圈形成一條電流路徑； 所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度、所述第四長度，由長到短依序為所述第一長度、所述第二長度、所述第三長度、所述第四長度。
18.—種混頻器,根據一對轉換信號、一第一振蕩信號、一第二振蕩信號產生一混頻信號，並包括 一同相正向輸入端，用以接收所述第一振蕩信號； 一同相負向輸入端，用以接收所述第二振蕩信號； 一第一電感，I禹接在所述同相正向輸入端和一第一電源節點之間；以及 一第二電感，耦接在所述同相負向輸入端和所述第一電源節點之間。
19.如權利要求18所述的混頻器，還包括 一第一電晶體，耦接在一第二電源節點和一第一節點之間，並具有耦接到一第三節點的一第一柵極； 一第二電晶體，耦接在所述第二電源節點和一第二節點之間，並具有耦接到所述第三節點的一第二柵極； 一第三電晶體，耦接在所述第一節點和一第四節點之間，並具有耦接到所述同相正向輸入端的一第三柵極； 一第四電晶體，耦接在所述第二節點和所述第四節點之間，並具有耦接到所述同相負向輸入端的一第四柵極； 一第五電晶體，耦接在所述第一節點和一第五節點之間，並具有耦接到所述同相負向輸入端的一第五柵極； 一第六電晶體，耦接在所述第二節點和所述第五節點之間，並具有耦接到所述同相正向輸入端的一第六柵極； 一第七電晶體，耦接在所述第四節點和所述第一電源節點之間，並具有耦接到所述變壓器的一第七柵極；以及 一第八電晶體，耦接在所述第五節點和所述第一電源節點之間，並具有耦接到所述變壓器的一第八柵極。
20.如權利要求18所述的混頻器，還包括 一第一電阻，耦接在所述第一節點和所述第三節點之間；以及一第二電阻，耦接在所述第二節點和所述第三節點之間。
21.如權利要求18所述的混頻器，其中所述第三電晶體、所述第四電晶體、所述第五電晶體、所述第六電晶體分別為一雙載子接面電晶體。
22.如權利要求18所述的混頻器，還包括 一第一電容，耦接在所述第一電感和所述第一電源節點之間；以及 一第二電容，耦接在所述第二電感和所述第一電源節點之間。
全文摘要
本發明涉及射頻電路和混頻器。該射頻電路包括變壓器、本地振蕩器、第一混頻器、第二混頻器、第一可調增益放大器，以及第二可調增益放大器。第一混頻器包括耦接在同相正向輸入端和同相負向輸入端之間的第一電感。第二混頻器包括耦接在正交正向輸入端和正交負向輸入端之間的第二電感。第一電感和第二電感提供電感性負載，可分別改善第一混頻器和第二混頻器的轉換增益。
文檔編號H04B1/40GK102957446SQ20111027677
公開日2013年3月6日 申請日期2011年9月19日 優先權日2011年8月25日
發明者徐金詳, 孟慶宗 申請人:立積電子股份有限公司