一種多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈的製作方法

2023-05-12 22:21:16

專利名稱：一種多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈的製作方法
技術領域：
本發明屬於電氣設備領域，尤其涉及多晶矽還原爐用電壓器中的低壓線圈。
背景技術：
多晶矽的生產過程中，多晶矽還原爐是非常關鍵的設備，而控制好爐內溫度直接關係到其內矽芯的還原純度和最終多晶矽產品質量的優劣，因而為還原爐提供加熱電源的變壓器設備就顯得尤為重要。目前普通環氧乾式變壓器低壓線圈電壓等級均為一種，即引線抽頭只有兩根；極少數低壓線圈電壓等級有兩種，即其引線抽頭有三根，對於當抽頭超出5個以上時，對變壓器最直接的影響就是阻抗變化範圍太大，不能滿足多晶矽還原爐的要求。而對於非標的軸向雙分裂整流變壓器其上、下低壓線圈零排一隻靠近鐵心處，一隻遠離鐵心靠近低壓線圈外側，且其上、下低壓線圈無需並聯。此現有方案也不能滿足多晶矽還原爐的要求。

發明內容
發明目的針對上述現有存在的問題和不足，本發明提供了一種阻抗變化範圍小、 具有良好抗短時過載能力的適用於多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈。技術方案為實現上述發明目的，本發明採用以下技術方案一種多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈，採用箔式導體與絕緣材料緊密繞制，該低壓線圈採用軸向雙分裂結構，形成上繞組和下繞組，所述上繞組和下繞組的繞向相反，並採用並聯連接。採用上述方案使得變壓器具有穩定的安匝和良好的導熱性能，同時可以控制線圈繞組的直徑從而滿足變壓器箔繞機的要求。對上述技術方案的改進，該低壓線圈設有由多個低壓引線抽頭，且所述低壓引線抽頭由內向外的電壓等級依次降低，從而可以確保變壓器的阻抗使其滿足多晶矽還原爐的要求。作為優選，所述低壓引線抽頭有5個，他們的電壓等級分別為2500V、1250V、660V、 380V、265V，從而確保變壓器的所有阻抗彡8%，符合多晶矽還原爐的要求。有益效果與現有技術相比，本發明具有以下優點保證變壓器的阻抗< 8%，同時具有穩定的安匝和良好的導熱性能、過載能力和抗衝擊能力。


圖1為本發明的結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實施例僅用於說明本發明而不用於限制本發明的範圍，在閱讀了本發明之後，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落於本申請所附權利要求所限定的範圍。
如圖1所示，一種多晶矽還原爐變壓器用低壓線圈採用高純度箔式導體與絕緣材料緊密繞制，並經高溫固化而成，低壓線圈在普通的低壓雙層箔式繞線機上進行，繞制過程全自動控制，具有恆張力、去毛刺和自動糾偏等功能。同時該低壓線圈採用軸向雙分裂結構，在同一鐵芯軸向形成上繞組1和下繞組2，該上繞組1和下繞組2的線圈外形和匝數相同，繞向相反，以確保鐵芯中的磁通方向一致。在該低壓線圈的繞組由內向外依次設有 5個低壓引線抽頭和1個零線抽頭，他們的電壓等級依次降低，分別為2500V、1250V、660V、 380V、265V，相同電壓等級的上繞組1和下繞組2的引線抽頭連接到相同低壓引線端子排3 上從而方便變壓器的安裝連接。將上述低壓線圈製成多晶矽還原爐環氧乾式變壓器並經過試驗，在多晶矽生產過程中可能出現的如負載不平衡率超過30%、缺相運行、電流諧波畸變等情況，本發明的低壓線圈都正常運行，表現良好。本發明的低壓線圈具有良好絕緣性能、散熱性、機械強度、過載能力和抗衝擊能力。
權利要求
1.一種多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈，採用箔式導體與絕緣材料緊密繞制，其特徵在於該低壓線圈採用軸向雙分裂結構，形成上繞組和下繞組，所述上繞組和下繞組的繞向相反，並採用並聯連接。
2.根據權利要求1所述多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈，其特徵在於該低壓線圈設有多個低壓引線抽頭，且所述低壓引線抽頭由內向外的電壓等級依次降低。
3.根據權利要求2所述多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈，其特徵在於所述低壓引線抽頭有5個，他們的電壓等級分別為2500V、1250V、660V、380VJ65V。
全文摘要
本發明公開了一種多晶矽還原爐環氧乾式變壓器用低壓線圈，採用箔式導體與絕緣材料緊密繞制，該低壓線圈採用軸向雙分裂結構，形成上繞組和下繞組，所述上繞組和下繞組的繞向相反，並採用並聯連接。本發明保證變壓器的阻抗≤8%，同時具有穩定的安匝和良好的導熱性能、過載能力和抗衝擊能力。
文檔編號H01F27/28GK102394167SQ20111039435
公開日2012年3月28日 申請日期2011年12月2日 優先權日2011年12月2日
發明者戎芬 申請人:中電電氣(江蘇)股份有限公司