多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構的製作方法
2023-05-07 03:44:26
多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，所述結構包括金屬基板框（1），所述金屬基板框（1）內部設置有引腳（2），所述引腳（2）呈臺階狀，所述引腳（2）臺階面上設置有金屬層（3），所述引腳（2）的臺階面上倒裝有第一晶片（5），所述第一晶片（5）表面正裝有第二晶片（7），所述第二晶片（7）表面與金屬層（3）表面之間通過金屬線（8）相連接，所述引腳（2）臺階面上設置有無源器件（11），所述金屬基板框（1）內部區域填充有塑封料（9），所述塑封料（9）背面與金屬基板框（1）背面齊平。本實用新型的有益效果是：它能夠解決傳統金屬引線框的板厚之中無法埋入物件而限制金屬引線框的功能性和應用性能。
【專利說明】 多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，屬於半導體封裝【技術領域】。
【背景技術】
[0002]傳統的四面扁平無引腳金屬引線框結構主要有兩種:
[0003]一種是四面扁平無引腳封裝(QFN)引線框，這種結構的引線框由銅材金屬框架與耐高溫膠膜組成(如圖3所示)；
[0004]一種是預包封四面扁平無引腳封裝(PQFN)引線框，這種結構的引線框結構包括引腳與基島，引腳與基島之間的蝕刻區域填充有塑封料(如圖4所示)。
[0005]上述傳統金屬引線框存在以下缺點:
[0006]1、傳統金屬引線框作為裝載晶片的封裝載體，本身不具備系統功能，從而限制了傳統金屬引線框封裝後的集成功能性與應用性能；
[0007]2、由於傳統金屬引線框本身不具備系統功能，只能在引線框正面進行晶片及組件的平鋪或者堆疊封裝，而功率器件與控制晶片封裝在同一封裝體內，功率器件的散熱會影響控制晶片信號的傳輸；
[0008]3、由於傳統金屬引線框本身不具備系統功能，所以多功能系統集成模塊只能在傳統金屬引線框正面通過多晶片及組件的平鋪或堆疊而實現，相應地也就增大元器件模塊在PCB上所佔用的空間。
【發明內容】
[0009]本實用新型的目的在於克服上述不足，提供一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，它能夠解決傳統金屬引線框缺乏系統功能的問題。
[0010]本實用新型的目的是這樣實現的:一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，它包括金屬基板框，所述金屬基板框內部設置有引腳，所述引腳呈臺階狀，所述引腳的正面與金屬基板框正面齊平，所述引腳的背面與金屬基板框的背面齊平，所述引腳臺階面上設置有金屬層，所述引腳的臺階面上通過底部填充膠倒裝有第一晶片，所述第一晶片表面通過導電或不導電粘結物質正裝有第二晶片，所述第二晶片表面與金屬層表面之間通過金屬線相連接，所述引腳臺階面上設置有無源器件，所述金屬基板框內部區域填充有塑封料，所述塑封料正面與引腳臺階面齊平，所述塑封料背面與金屬基板框背面齊平，所述基島正面、引腳的正面和背面以及金屬基板框的正面和背面設置有抗氧化層。
[0011]所述引腳臺階面上設置有單圈或多圈導電柱子。
[0012]所述第一晶片與引腳臺階面之間設置有金屬層。
[0013]與現有技術相比，本實用新型具有以下有益效果:
[0014]1、複合金屬引線框架的夾層可以因為系統與功能的需要而在需要的位置或是區域內埋入主動元件或是組件或是被動的組件，成為一個單層線路系統級的金屬引線框架；
[0015]2、從複合式金屬引線框架成品的外觀完全看不出來內部夾層已埋入了因系統或是功能需要的對象，尤其是矽材的晶片的埋入連X光都無法檢視，充分達到系統與功能的隱密性及保護性；
[0016]3、複合式金屬引線框架的夾層在製作過程中可以埋入高功率器件，二次封裝再進行控制晶片的裝片，從而高功率器件與控制晶片分別裝在複合式金屬引線框兩側，可以避免高功率器件散熱而幹擾控制晶片的信號傳輸；
[0017]4、複合式金屬引線框架本身內含埋入對象的功能，二次封裝後可以充分實現系統功能的集成與整合，從而同樣功能的元器件模塊的體積尺寸要比傳統引線框封裝的模塊來的小，相應在PCB上所佔用的空間也就比較少，從而也就降低了成本；
[0018]5、複合式金屬引線框架的夾層在製作過程中可以因為導熱或是散熱需要而在需要的位置或是區域內埋入導熱或是散熱對象，從而改善整個封裝結構的散熱效果；
[0019]6、複合式金屬引線框架成品本身就富含了各種的組件，如果不再進行後續第二次封裝的情況下，將複合式金屬引線框架依照每一格單元切開，本身就可成為一個超薄的封裝體；
[0020]7、複合式金屬引線框架除了本身內含對象的埋入功能之外還可以在封裝體外圍再疊加不同的單元封裝或是系統級封裝，充分達到單層線路金屬引線框架的雙系統或是多系統級的封裝技術能力；
[0021]8、複合式金屬引線框架內所埋入的物件或對象均與金屬厚度齊平，充分的體現出超薄與高密度的填充在複合式金屬引線框內的厚度空間之中。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1為本實用新型一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構實施例1的示意圖。
[0023]圖2為本實用新型一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構實施例2的示意圖。
[0024]圖3為傳統四面扁平無引腳封裝(QFN)引線框結構的示意圖。
[0025]圖4為預包封四面扁平無引腳封裝(PQFN)引線框結構的示意圖。
[0026]其中:
[0027]金屬基板框I
[0028]引腳2
[0029]金屬層3
[0030]底部填充膠4
[0031]第一晶片5
[0032]導電或不導電粘結物質6
[0033]第二晶片7
[0034]金屬線8
[0035]塑封料9
[0036]抗氧化層10
[0037]無源器件11
[0038]導電柱子12。
【具體實施方式】
[0039]實施例1:
[0040]參見圖1，本實用新型一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，它包括金屬基板框1，所述金屬基板框I內部設置有引腳2，所述引腳2呈臺階狀，所述引腳2的正面與金屬基板框I正面齊平，所述引腳2的背面與金屬基板框I的背面齊平，所述引腳2臺階面上設置有金屬層3，所述引腳2的臺階面上通過底部填充膠4倒裝有第一晶片5，所述第一晶片5表面通過導電或不導電粘結物質6正裝有第二晶片7，所述第二晶片7表面與金屬層3表面之間通過金屬線8相連接，所述引腳2臺階面上設置有無源器件11，所述金屬基板框I內部區域填充有塑封料9，所述塑封料9正面與引腳3臺階面齊平，所述塑封料9背面與金屬基板框I背面齊平，所述基島2正面、引腳3的正面和背面以及金屬基板框I的正面和背面設置有抗氧化層10。
[0041]實施例2:
[0042]參見圖2，實施例2與實施例1的區別在於:所述引腳2臺階面上設置有單圈或多圈導電柱子12。
【權利要求】
1.一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，其特徵在於:它包括金屬基板框(1)，所述金屬基板框(I)內部設置有引腳(2)，所述引腳(2)呈臺階狀，所述引腳(2)的正面與金屬基板框I正面齊平，所述引腳(2)的背面與金屬基板框(I)的背面齊平，所述引腳(2)臺階面上設置有金屬層(3)，所述引腳(2)的臺階面上通過底部填充膠(4)倒裝有第一晶片(5),所述第一晶片(5)表面通過導電或不導電粘結物質(6)正裝有第二晶片(7)，所述第二晶片(7)表面與金屬層(3)表面之間通過金屬線(8)相連接，所述引腳(2)臺階面上設置有無源器件(11)，所述金屬基板框(I)內部區域填充有塑封料(9 )，所述塑封料(9)正面與引腳(3)臺階面齊平，所述塑封料(9)背面與金屬基板框(I)背面齊平，所述基島(2)正面、引腳(3)的正面和背面以及金屬基板框(I)的正面和背面設置有抗氧化層(10)。
2.根據權利要求1所述的一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，其特徵在於:所述引腳(2)臺階面上設置有單圈或多圈導電柱子(12)。
3.根據權利要求1或2所述的一種多晶片堆疊倒正裝器件無基島複合式平腳金屬框架結構，其特徵在於:所述第一晶片(5)與引腳(2)臺階面之間設置有金屬層。
【文檔編號】H01L23/31GK204167300SQ201320787936
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2013年12月5日 優先權日:2013年12月5日
【發明者】王新潮, 梁志忠, 章春燕 申請人:江蘇長電科技股份有限公司